JP3325675B2 - Trap for gas phase reactor - Google Patents

Trap for gas phase reactor

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JP3325675B2
JP3325675B2 JP29496893A JP29496893A JP3325675B2 JP 3325675 B2 JP3325675 B2 JP 3325675B2 JP 29496893 A JP29496893 A JP 29496893A JP 29496893 A JP29496893 A JP 29496893A JP 3325675 B2 JP3325675 B2 JP 3325675B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、気相反応装置用トラッ
プ装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a trap device for a gas phase reactor.

【0002】[0002]

【従来の技術】例えば、半導体デバイスの製造工程にお
いて半導体ウエハ上にCVD膜を形成するCVD装置等
の気相反応装置では、その排気ガス中に反応ガスが含ま
れている。このため、このような反応ガスをトラップ
し、真空排気用の真空ポンプに導入される反応ガスを低
減する目的で、従来から各種の気相反応装置用トラップ
装置が使用されている。
2. Description of the Related Art For example, in a gas phase reaction apparatus such as a CVD apparatus for forming a CVD film on a semiconductor wafer in a semiconductor device manufacturing process, a reaction gas is contained in an exhaust gas. Therefore, in order to trap such a reaction gas and reduce the amount of the reaction gas introduced into a vacuum pump for evacuation, various trapping apparatuses for a gas phase reaction apparatus have been conventionally used.

【0003】従来の気相反応装置用トラップ装置として
は、例えば、特公昭62−20841号公報等に示され
るように、気密容器内に冷却機構を設けるとともに、じ
ゃま板等を気密容器内にシリーズに配列して気体の流路
長を長くとり、冷却効率を向上させて捕集効率の向上を
図ったものが多い。
As a conventional trap device for a gas phase reactor, for example, as shown in Japanese Patent Publication No. Sho 62-20841, a cooling mechanism is provided in an airtight container, and a baffle plate and the like are arranged in series in the airtight container. In many cases, the length of the gas flow path is increased and the cooling efficiency is improved to improve the collection efficiency.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような従来の気相反応装置用トラップ装置において
も、その捕集効率は十分とはいえず、捕集効率が高く、
装置寿命の長期化およびメンテナンス頻度の低減を図る
ことができ、それによって生産性の向上を図ることので
きる気相反応装置用トラップ装置の開発が求められてい
た。
However, the trapping efficiency of the conventional trapping apparatus for a gas phase reactor as described above is not sufficient, and the trapping efficiency is high.
There has been a demand for the development of a trap device for a gas phase reaction device which can extend the life of the device and reduce the frequency of maintenance, thereby improving the productivity.

【0005】本発明は、かかる従来の事情に対処してな
されたもので、従来に較べて捕集効率が高く、装置寿命
の長期化およびメンテナンス頻度の低減を図ることによ
って生産性の向上を実現することのできる気相反応装置
用トラップ装置を提供しようとするものである。
The present invention has been made in view of such conventional circumstances, and has a higher collection efficiency than the conventional one, and realizes an improvement in productivity by prolonging the life of the apparatus and reducing maintenance frequency. It is an object of the present invention to provide a trapping apparatus for a gas phase reaction apparatus that can perform the above.

【0006】すなわち、本発明の気相反応装置用トラッ
プ装置は、気密に構成された外殻容器と、多数の環状の
板状体を気体流路となる間隙を設けて積層する如く配列
して構成され、前記外殻容器内に、該外殻容器内を前記
環状の板状体の内側部と外側部とに仕切るように配置さ
れた積層構造体と、前記外殻容器内の、前記板状体の外
側部に気体を導入する気体導入部と、前記外殻容器内
の、前記板状体の内側部から気体を導出する気体導出部
とを具備したことを特徴とする。請求項の気相反応装
置用トラップ装置は、気密に構成された外殻容器と、多
数の環状の板状体を気体流路となる間隙を設けて積層す
る如く配列して構成され、前記外殻容器内に、該外殻容
器内を前記環状の板状体の内側部と外側部とに仕切るよ
うに配置された積層構造体と、前記外殻容器内の、前記
板状体の内側部に気体を導入する気体導入部と、前記外
殻容器内の、前記板状体の外側部から気体を導出する気
体導出部とを具備したことを特徴とする。請求項の気
相反応装置用トラップ装置は、前記外殻容器内に冷却機
構を備えたことを特徴とする。請求項の気相反応装置
用トラップ装置は、前記板状体間の間隙が、0.1〜1
mmであることを特徴とする。請求項の気相反応装置
用トラップ装置は、前記板状体の板面に凸部が設けられ
ており、この凸部を隣接する前記板状体の板面に当接さ
せることによって、該板状体間の間隔を保持するよう構
成されていることを特徴とする。請求項の気相反応装
置用トラップ装置は、前記板状体の板面に形成された凸
部は、プレス加工によって形成されていることを特徴と
する。請求項の気相反応装置用トラップ装置は、前記
積層構造体と、前記気体導入部との間に、多数の透孔を
有する板体を設けたことを特徴とする。請求項の気相
反応装置は、内部に被処理物が配置される反応管と、前
記反応管を囲繞する如く設けられたヒータと、前記反応
管内に所定の反応ガスを導入するための導入管と、前記
反応管内を排気するための排気管と、気密に構成された
外殻容器と、多数の環状の板状体を気体流路となる間隙
を設けて積層する如く配列して構成され前記外殻容器
内に、該外殻容器内を前記環状の板状体の内側部 と外側
部とに仕切るように配置された積層構造体と、前記外殻
容器内の、前記板状体の外側部に気体を導入する気体導
入部と、前記外殻容器内の、前記板状体の内側部から
体を導出する気体導出部とを有し、前記排気管に介挿さ
れたトラップ装置とを具備したことを特徴とする。請求
項9の気相反応装置は、内部に被処理物が配置される反
応管と、前記反応管を囲繞する如く設けられたヒータ
と、前記反応管内に所定の反応ガスを導入するための導
入管と、前記反応管内を排気するための排気管と、気密
に構成された外殻容器と、多数の環状の板状体を気体流
路となる間隙を設けて積層する如く配列して構成され、
前記外殻容器内に、該外殻容器内を前記環状の板状体の
内側部と外側部とに仕切るように配置された積層構造体
と、前記外殻容器内の、前記板状体の内側部に気体を導
入する気体導入部と、前記外殻容器内の、前記板状体の
外側部から気体を導出する気体導出部とを有し、前記排
気管に介挿されたトラップ装置とを具備したことを特徴
とする。請求項10の気相反応装置は、前記トラップ装
置の前記外殻容器内に冷却機構を備えたことを特徴とす
る。請求項11の気相反応装置は、前記トラップ装置の
板状体間の間隙が、0.1〜1mmであることを特徴と
する
Namely, the gas-phase reactor trap apparatus of the present invention as SEQ laminating provided an outer shell container made in airtight, the plate-like body of a large number of annular gap serving as gas flow path In the outer shell container, a laminated structure arranged so as to partition the inside of the outer shell container into an inner portion and an outer portion of the annular plate-like body, and the inside of the outer shell container, A gas introduction unit for introducing gas into the outside of the plate-like body, and a gas lead-out unit for leading gas from the inside of the plate-like body in the outer shell container are provided. The trap device for a gas phase reaction device according to claim 2 is configured by arranging an airtight outer shell container and a number of annular plate-like members so as to be stacked with a gap serving as a gas flow path, A laminated structure disposed inside an outer shell container so as to partition the inside of the outer shell container into an inner portion and an outer portion of the annular plate-like body, and an inner side of the plate-like body inside the outer shell container. A gas introduction section for introducing gas into the section, and a gas deriving section for extracting gas from an outer portion of the plate-like body in the outer shell container. According to a third aspect of the present invention, there is provided the trap device for a gas phase reactor, wherein a cooling mechanism is provided in the outer shell container. In the trap device for a gas phase reactor according to claim 4 , the gap between the plate-like bodies is 0.1 to 1 mm.
mm. The trap device for a gas phase reaction device according to claim 5 , wherein a convex portion is provided on a plate surface of the plate-like body, and the convex portion is brought into contact with a plate surface of the adjacent plate-like body, whereby It is characterized in that it is configured to maintain the interval between the plate-like bodies. According to a sixth aspect of the present invention, the convex portion formed on the plate surface of the plate-like body is formed by press working. A trap device for a gas phase reaction device according to a seventh aspect is characterized in that a plate having a large number of through holes is provided between the laminated structure and the gas introduction part. 9. The gas-phase reactor according to claim 8 , wherein a reaction tube in which the object to be treated is disposed, a heater provided so as to surround the reaction tube, and an introduction for introducing a predetermined reaction gas into the reaction tube. A pipe, an exhaust pipe for exhausting the inside of the reaction tube, an airtight outer shell container, and a large number of annular plate-like bodies are arranged so as to be stacked with a gap serving as a gas flow path. , in the outer shell container, the inner portion and outer the outer shell vessel said annular plate body
A laminated structure disposed so as to partition the plate-like body, a gas introduction unit for introducing gas into an outer portion of the plate-like body in the outer shell container, and a plate-like body in the outer shell container. A gas deriving part for deriving a gas from an inner part, and a trap device inserted into the exhaust pipe. Claim
Item 9 is the gas phase reactor in which the object to be treated is disposed inside.
A reaction tube and a heater provided to surround the reaction tube
And a guide for introducing a predetermined reaction gas into the reaction tube.
An inlet pipe, an exhaust pipe for exhausting the inside of the reaction pipe,
Gas flow through the outer shell container and a number of annular plates
It is arranged and arranged so as to laminate with a gap that becomes a path,
In the outer shell container, the inside of the outer shell container is
Laminated structure arranged to partition into inner and outer parts
Gas to the inside of the plate-like body in the outer shell container.
A gas introduction portion to enter, and the plate-like body in the outer shell container.
A gas deriving portion for deriving gas from an outer portion;
And a trap device inserted into the trachea.
And A gas phase reaction device according to a tenth aspect is characterized in that a cooling mechanism is provided in the outer shell container of the trap device. An eleventh aspect of the present invention is characterized in that the gap between the plate-like bodies of the trap device is 0.1 to 1 mm .

【0007】[0007]

【作用】本発明者等が精査したところ、例えばCVD装
置の排気ガス中の反応生成物の捕集等においては、トラ
ップ装置に反応ガスが流入するため、この反応ガスが最
初に衝突した部分および拡散効果により接触した部分に
反応生成物が付着して捕集され、また、冷却は必ずしも
有効な捕集手段とはならないことが判明した。
The present inventors have conducted a close examination and found that, for example, in the collection of reaction products in the exhaust gas of a CVD apparatus, the reaction gas flows into the trap apparatus. It has been found that the reaction product adheres to the contacted portion due to the diffusion effect and is collected, and that cooling is not always an effective collecting means.

【0008】そこで、本発明の気相反応装置用トラップ
装置では、外殻容器内に、多数の板状体を間隙を設けて
積層する如く配列して構成された積層構造体を配置し、
この積層構造体の間隙に排気ガスを流通させることによ
り、排気ガスの衝突および拡散の効果を有効に利用し
て、板状体表面に反応生成物を付着させ、反応ガスを捕
集する。これによって、従来に較べ捕集効率を向上させ
ることができる。
Therefore, in the trap apparatus for a gas phase reaction apparatus according to the present invention, a laminated structure constituted by arranging a large number of plate-like bodies so as to be laminated with a gap therebetween is arranged in an outer shell container.
By circulating the exhaust gas through the gap between the laminated structures, the effect of collision and diffusion of the exhaust gas is effectively used to attach a reaction product to the surface of the plate-like body and collect the reaction gas. Thereby, the collection efficiency can be improved as compared with the related art.

【0009】なお、板状体は例えば環状に構成し、板状
体間の間隙が例えば0.1〜1mmとなるよう配列する
ことが好ましく、板状体の外側部から内側部へ向けて、
あるいは、内側部から外側部へ向けて、気体を流通させ
るよう構成する。板状体間の間隔は、例えば板状体の板
面にプレス加工等によって凸部を設け、この凸部を隣接
する板状体の板面に当接させることによって保持するよ
う構成する。
It is preferable that the plate-like members are formed in a ring shape, for example, and are arranged so that the gap between the plate-like members is 0.1 to 1 mm, for example.
Alternatively, a configuration is adopted in which gas flows from the inside to the outside. The interval between the plate-like bodies is configured such that a convex part is provided on the plate surface of the plate-like body by, for example, press working, and the convex part is held in contact with the plate surface of the adjacent plate-like body.

【0010】また、外殻容器内に冷却機構を設けたり、
記積層構造体と、気体導入部との間に、多数の透孔を有
する板体を設けることもできる。
Further, a cooling mechanism may be provided in the outer shell container,
A plate having many through holes may be provided between the laminated structure and the gas introduction part.

【0011】[0011]

【実施例】以下、本発明の気相反応装置用トラップ装置
の一実施例を図面を参照して説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the trap apparatus for a gas phase reaction apparatus according to the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0012】図1に示すように、本実施例の気相反応装
置用トラップ装置1は、内部を気密に閉塞可能に構成さ
れた中空円筒状の外殻容器2を備えている。この外殻容
器2の底部には、気密封止用のOリング3を介して取り
外し自在とされた蓋板4が捩子5によって固定されてい
る。
As shown in FIG. 1, a trap device 1 for a gas phase reaction apparatus according to the present embodiment is provided with a hollow cylindrical outer shell 2 which can be hermetically closed. A cover plate 4 that is detachable via an O-ring 3 for hermetic sealing is fixed to the bottom of the outer shell container 2 with screws 5.

【0013】また、外殻容器2内には、リング状に形成
された厚さ例えば0.1〜1.0mmの薄板状の小径デ
ィスク(本実施例では外径57mm、内径52mm)6
およびこの小径ディスク6より径の大きな大径ディスク
(本実施例では外径110mm、内径94mm)7をそ
れぞれスペーサ8およびスペーサ9を介して積層するこ
とにより、2重筒状に構成された積層構造体10が配置
されており、外殻容器2の側壁部には、上記積層構造体
10の外側部に気体を導入するように入口開口部11
が、外殻容器2の天井部には積層構造体10の内側から
気体を導出するように出口開口部12が設けられてい
る。
In the outer shell container 2, a thin disk-shaped small-diameter disk (for example, having an outer diameter of 57 mm and an inner diameter of 52 mm in this embodiment) having a thickness of, for example, 0.1 to 1.0 mm is formed.
In addition, a large-diameter disk (outer diameter 110 mm, inner diameter 94 mm in this embodiment) 7 having a diameter larger than the small-diameter disk 6 is laminated via a spacer 8 and a spacer 9, respectively, thereby forming a double cylindrical laminated structure. A body 10 is disposed, and an inlet opening 11 is provided in a side wall of the outer shell container 2 so as to introduce gas to an outer portion of the laminated structure 10.
However, an outlet opening 12 is provided in the ceiling of the outer shell container 2 so as to take out gas from the inside of the laminated structure 10.

【0014】上記積層構造体10は、図2に示すよう
に、複数例えば3本のロッド13に、小径ディスク6と
所定厚さのスペーサ8を交互に通し、これらの小径ディ
スク6と小径ディスク6との間に、それぞれスペーサ8
の厚みに応じた間隙を形成した状態で積層させた筒状体
と、同様にして大径ディスク7とスペーサ9とをロッド
13を支持体として積層させた筒状体とを同心的に配置
したものである。
As shown in FIG. 2, the laminated structure 10 has a plurality of, for example, three rods 13 in which small-diameter disks 6 and spacers 8 having a predetermined thickness are alternately passed. Between the spacers 8
And a cylindrical body in which a large-diameter disk 7 and a spacer 9 are similarly laminated by using a rod 13 as a support, and are concentrically arranged. Things.

【0015】また、積層構造体10の上端部および下端
部と外殻容器2内壁部との間は気密に閉塞されており、
図1に矢印で示すように、入口開口部11から外殻容器
2の積層構造体10外側に導入された気体が、大径ディ
スク7の間の間隙を通り、さらに小径ディスク6の間の
間隙を通って、積層構造体10の内側から出口開口部1
2へ導出されるよう構成されている。
The space between the upper and lower ends of the laminated structure 10 and the inner wall of the outer shell 2 is airtightly closed.
As indicated by arrows in FIG. 1, gas introduced from the inlet opening 11 to the outside of the laminated structure 10 of the outer shell 2 passes through the gap between the large-diameter disks 7 and further passes through the gap between the small-diameter disks 6. Through the outlet opening 1 from the inside of the laminated structure 10
2 is derived.

【0016】上記構成のこの実施例の気相反応装置用ト
ラップ装置1は、例えば図3に示す如く縦型CVD装置
の排気系に設けられる。
The trap apparatus 1 for a gas phase reaction apparatus of this embodiment having the above-mentioned structure is provided in an exhaust system of a vertical CVD apparatus as shown in FIG. 3, for example.

【0017】縦型CVD装置には、例えば石英等から円
筒状に構成された反応管(プロセスチュ―ブ)41が、
ほぼ垂直に配設されており、この反応管41を囲繞する
如く筒状ヒ―タ42および断熱材等が設けられている。
また、この反応管41の上部および下部には、それぞれ
所定の反応ガスを導入および排気するための反応ガス導
入管43および排気管44が接続されており、この排気
管44には、気相反応装置用トラップ装置1および真空
ポンプ45が介挿されている。
In the vertical CVD apparatus, a reaction tube (process tube) 41 formed of, for example, quartz or the like in a cylindrical shape is provided.
It is arranged almost vertically, and is provided with a tubular heater 42 and a heat insulating material so as to surround the reaction tube 41.
A reaction gas introduction pipe 43 and an exhaust pipe 44 for introducing and exhausting a predetermined reaction gas are connected to the upper and lower portions of the reaction pipe 41, respectively. The device trap device 1 and the vacuum pump 45 are inserted.

【0018】さらに、反応管41の下方には、搬送機構
として上下動可能とされたボ―トエレベ―タ46が配設
されている。このボ―トエレベ―タ46上には、保温筒
47が設けられており、この保温筒47は、多数の半導
体ウエハ48が間隔を設けて積層される如く載置された
ウエハボ―ト49を支持可能に構成されている。そし
て、このボ―トエレベ―タ46により、ウエハボ―ト4
9に載置された半導体ウエハ48を反応管41の下部開
口から反応管41内にロ―ド・アンロ―ドするよう構成
されている。
Further, below the reaction tube 41, a boat elevator 46 which can be moved up and down is provided as a transport mechanism. A heat insulating cylinder 47 is provided on the boat elevator 46, and the heat insulating cylinder 47 supports a wafer boat 49 on which a large number of semiconductor wafers 48 are placed so as to be stacked at intervals. It is configured to be possible. Then, this boat elevator 46 causes the wafer boat 4
The semiconductor wafer 48 placed on the substrate 9 is loaded and unloaded into the reaction tube 41 from the lower opening of the reaction tube 41.

【0019】上記構成の縦型熱処理装置では、ヒ―タ4
2により反応管41内を予め所定温度、例えば数百度程
度に加熱しておき、ボ―トエレベ―タ46を上昇させて
ウエハボ―ト49に載置された半導体ウエハ48を反応
管41内壁に非接触で反応管41内にロ―ドする。そし
て、反応ガス導入管43から反応管41内に所定の反応
ガスを導入し、真空ポンプ45によって排気管44から
排気することにより、反応管41内に反応ガスを流通さ
せ、半導体ウエハ48表面にCVD膜を形成する。
In the vertical heat treatment apparatus having the above structure, the heater 4
The inside of the reaction tube 41 is previously heated to a predetermined temperature, for example, about several hundred degrees by the step 2, and the boat elevator 46 is raised so that the semiconductor wafer 48 placed on the wafer boat 49 is not attached to the inner wall of the reaction tube 41. It is loaded into the reaction tube 41 by contact. Then, a predetermined reaction gas is introduced into the reaction tube 41 from the reaction gas introduction tube 43, and the reaction gas is exhausted from the exhaust tube 44 by the vacuum pump 45, so that the reaction gas flows through the reaction tube 41, A CVD film is formed.

【0020】この時、反応管41内で反応しきれなかっ
た未反応の反応ガスを含む排気ガスが、排気管44内に
流入する。そして、この排気ガスは、図1に示したよう
に、気相反応装置用トラップ装置1の入口開口部11か
ら外殻容器2内に流入し、大径ディスク7間の間隙を通
り、さらに小径ディスク6間の間隙を通って、積層構造
体10の内側から出口開口部12へ導出される。この過
程において、大径ディスク7間の間隙を通る際に、前述
した衝突および拡散の効果により反応が生じて反応物が
大径ディスク7表面に付着し、さらに小径ディスク6間
の間隙を通る際に反応が生じて反応物が小径ディスク6
表面に付着して、排気ガス中の未反応の反応ガスが除去
される。
At this time, the exhaust gas containing the unreacted reaction gas that has not reacted in the reaction tube 41 flows into the exhaust tube 44. Then, as shown in FIG. 1, the exhaust gas flows into the outer shell container 2 from the inlet opening 11 of the trap device 1 for the gas-phase reaction device, passes through the gap between the large-diameter disks 7, and further decreases in diameter. Through the gap between the disks 6, it is led from the inside of the laminated structure 10 to the outlet opening 12. In this process, when passing through the gap between the large-diameter disks 7, a reaction occurs due to the effects of the collision and diffusion described above, and the reactant adheres to the surface of the large-diameter disk 7 and further passes through the gap between the small-diameter disks 6. The reaction occurs on the small disc 6
The unreacted reactant gas in the exhaust gas adheres to the surface and is removed.

【0021】なお、積層構造体10を外殻容器2内に装
着した直後であって、大径ディスク7および小径ディス
ク6に反応物が付着していない状態の時は、入口開口部
11から外殻容器2内に流入した排気ガスは、大部分図
1に示すように、積層構造体10の入口開口部11と対
向する部分の間隙を通って出口開口部12へ導出され
る。
Immediately after the laminated structure 10 is mounted in the outer shell container 2 and the reactants are not attached to the large-diameter disk 7 and the small-diameter disk 6, the outside of the inlet opening 11 is removed. Exhaust gas that has flowed into the shell container 2 is mostly led out to the outlet opening 12 through a gap between the portion facing the inlet opening 11 of the laminated structure 10 as shown in FIG.

【0022】ところが、ある程度時間が経過し、次第に
この積層構造体10の排気ガス流通部分に反応生成物が
付着し、図4に示すように、反応生成物30によってこ
の部分の大径ディスク7間の間隙(および小径ディスク
6間の間隙)が閉塞されてくると、図中矢印で示すよう
に、外殻容器2内に流入した排気ガスが、閉塞された部
分の周囲の間隙を流通するようになる。この結果、反応
物の付着によって、徐々に積層構造体10の排気ガス流
通部分が変化し、最終的には全体に反応物が付着する。
したがって、積層構造体10を有効に利用することがで
き、捕集能力を一定に保った状態で、積層構造体10の
大きさ(表面積)に応じた期間使用することができる。
However, after a certain period of time, the reaction product gradually adheres to the exhaust gas flowing portion of the laminated structure 10, and as shown in FIG. When the gap (and the gap between the small-diameter disks 6) is closed, the exhaust gas flowing into the outer container 2 flows through the gap around the closed portion, as indicated by the arrow in the figure. become. As a result, due to the adhesion of the reactant, the exhaust gas flow portion of the laminated structure 10 gradually changes, and finally, the reactant adheres to the entire structure.
Therefore, the laminated structure 10 can be used effectively, and can be used for a period corresponding to the size (surface area) of the laminated structure 10 while keeping the trapping ability constant.

【0023】このため、例えば縦型熱処理装置の他の部
分のメンテナンス周期に合わせて、積層構造体10の大
きさを設定すれば、一定期間確実に捕集能力を維持する
ことができる。
For this reason, if the size of the laminated structure 10 is set in accordance with, for example, a maintenance cycle of another portion of the vertical heat treatment apparatus, the trapping ability can be reliably maintained for a certain period.

【0024】なお、上記構成の縦型熱処理装置を使用し
て、反応ガスSiH2 Cl2 (流量100SCCM)、
反応ガスNH3 (流量1000SCCM)を流し実際に
SiN膜の成膜を行い、気相反応装置用トラップ装置1
の捕集効率を測定したところ、70%という結果を得る
ことができ、従来のトラップ装置50%に較べて高い捕
集効率を得られることが確認された。また、上述したよ
うに、使用時間に応じて、反応生成物が徐々に積層構造
体10の全体に付着していく様子も確認することができ
た。
In addition, using the vertical heat treatment apparatus having the above structure, the reaction gas SiH 2 Cl 2 (flow rate 100 SCCM),
The reaction gas NH 3 (flow rate: 1000 SCCM) is flowed to actually form the SiN film, and the trap device 1 for the gas phase reaction device
When the trapping efficiency was measured, a result of 70% was obtained, and it was confirmed that a higher trapping efficiency could be obtained as compared with the conventional trap device of 50%. Further, as described above, it was also confirmed that the reaction product gradually adhered to the entire laminated structure 10 according to the use time.

【0025】また、大径ディスク7および小径ディスク
6間の間隙は、狭くしすぎると、コンダクタンスの上昇
を招き排気効率上好ましくなく、一方、広くしすぎると
捕集効率の低下を招くことになる。このため、間隙の広
さを変化させて実験を繰り返したところ、このような間
隙は、好ましくは0.1〜1mm程度、さらに好ましく
は0.3〜0.6mm、とすることにより、著しいコン
ダクタンスの上昇を招くことなく、実用的なレベルの捕
集効果を得ることができた。
On the other hand, if the gap between the large-diameter disk 7 and the small-diameter disk 6 is too small, the conductance increases, which is not preferable in terms of exhaust efficiency. On the other hand, if the gap is too wide, the collection efficiency decreases. . For this reason, when the experiment was repeated while changing the width of the gap, such a gap was preferably set to about 0.1 to 1 mm, more preferably 0.3 to 0.6 mm, so that significant conductance was obtained. A practical level of trapping effect could be obtained without incurring an increase in the water content.

【0026】次に、他の実施例について説明する。Next, another embodiment will be described.

【0027】図5に示す気相反応装置用トラップ装置1
aは、大径ディスク7の内側に、小径ディスク6の換わ
りに、冷却機構として内部に冷却水等を循環可能に構成
された中空円筒状の冷却水循環機構50を設けたもので
ある。この実施例の場合、冷却水循環機構50の上端部
と外殻容器2内壁との間は気密に閉塞されており、入口
開口部11から外殻容器2内に導入された気体が、大径
ディスク7の間の間隙を通り、一旦冷却水循環機構50
の外側に沿って下方に下降し、冷却水循環機構50の下
端部と蓋板4との間を通って冷却水循環機構50の内側
に入り、ここを上昇して、出口開口部12から導出され
るよう構成されている。
A trap device 1 for a gas phase reactor shown in FIG.
In FIG. 7A, a hollow cylindrical cooling water circulating mechanism 50 is provided inside the large-diameter disk 7 instead of the small-diameter disk 6 as a cooling mechanism capable of circulating cooling water or the like. In the case of this embodiment, the space between the upper end of the cooling water circulation mechanism 50 and the inner wall of the outer shell container 2 is airtightly closed, and the gas introduced into the outer shell container 2 from the inlet opening 11 is supplied to the large-diameter disk. 7 and once through the cooling water circulation mechanism 50
Descends along the outside of the cooling water circulation mechanism 50 and enters the inside of the cooling water circulation mechanism 50 through a space between the lower end portion of the cooling water circulation mechanism 50 and the cover plate 4, rises there, and is led out of the outlet opening 12. It is configured as follows.

【0028】このような気相反応装置用トラップ装置1
aでは、反応生成物の種類によっては、冷却により捕集
効果を向上させることができる。
Such a trap device 1 for a gas phase reaction apparatus
In a, depending on the type of the reaction product, the collection effect can be improved by cooling.

【0029】図6に示す気相反応装置用トラップ装置1
bは、小径ディスク6を配置せずに大径ディスク7のみ
によって積層構造体10を構成した例を示すものであ
る。図1に示した実施例では、反応生成物の多くは外側
の大径ディスク7に付着するので、このように、積層構
造体10を1層としても、捕集効率の大幅な低下を招く
ことなく、構造を簡素化することができ、製造コストの
低減を図ることができる。
A trap device 1 for a gas phase reactor shown in FIG.
b shows an example in which the laminated structure 10 is constituted only by the large-diameter disks 7 without disposing the small-diameter disks 6. In the embodiment shown in FIG. 1, most of the reaction products adhere to the outer large-diameter disk 7, and thus, even if the laminated structure 10 is formed as a single layer, the collection efficiency is significantly reduced. In addition, the structure can be simplified, and the manufacturing cost can be reduced.

【0030】また、積層構造体10の接触面積を増やす
ためには、図7に示すように、周縁部に切り込み等を形
成したディスク70を用いたり、図8に示すように、径
の異なるディスクを積層させることによって、外周形状
に凹凸を持たせた形状の積層構造体80等を用いてもよ
い。
In order to increase the contact area of the laminated structure 10, as shown in FIG. 7, a disk 70 having a notch or the like formed in a peripheral portion is used, or as shown in FIG. May be used to form a laminated structure 80 or the like having a shape with irregularities in the outer peripheral shape.

【0031】図9および図10は、さらに他の実施例の
要部構成を示すものである。この実施例は、上述した各
実施例におけるスペーサ8、9の代わりに、ディスク9
0の板面に複数(本実施例では4つ)の凸部91を設
け、これらの凸部91によって、ディスク90同士を所
定の間隔に保つように構成し、これらのディスク90の
内側縁部を、4本のシャフト92で支持するよう構成し
たものである。なお、図9および図10において、93
は基台、94はディスク90の最上部を支持するための
支持部材、95はこの支持部材94を固定するためのナ
ットである。
FIGS. 9 and 10 show the structure of a main part of still another embodiment. This embodiment uses a disk 9 instead of the spacers 8 and 9 in each of the above-described embodiments.
A plurality of (four in the present embodiment) convex portions 91 are provided on the plate surface of the disk 90, and the convex portions 91 are used to keep the disks 90 at a predetermined interval. Is supported by four shafts 92. 9 and FIG.
Is a base, 94 is a support member for supporting the uppermost portion of the disk 90, and 95 is a nut for fixing the support member 94.

【0032】上記凸部91は、プレスによるディスク9
0の打ち抜き時に同時に成型すれば、工数の増加等を伴
わず形成することができる。
The projection 91 is formed by pressing the disk 9
If molding is performed at the same time as punching 0, it can be formed without increasing the number of steps.

【0033】このように構成された実施例では、例え
ば、ディスク90を取り外して洗浄したり、再度これら
のディスク90を組み立てる際に、スペーサ8、9を取
り外したり、挿入する必要がないので、これらの操作を
容易に行うことができる。
In the embodiment constructed as described above, for example, it is not necessary to remove and insert the spacers 8 and 9 when the disk 90 is removed and washed or when the disk 90 is assembled again. Operation can be easily performed.

【0034】なお、図9および図10に示す例では、デ
ィスク90の内側縁部を4本のシャフト92で支持する
ようになっているが、図11に示すように、ディスク9
0の外側周縁部を複数、例えば4本のシャフト92によ
って支持するよう構成してもよい。また、図12に示す
ように、凸部91の部分には、開口を設けてもよく、図
13に示すように、ディスク90の外側周縁部の一部を
折曲して凸部91aを設けたり、図14に示すように、
ディスク90の内側縁部の一部を折曲して凸部91bを
設けてもよい。
In the examples shown in FIGS. 9 and 10, the inner edge of the disk 90 is supported by four shafts 92. However, as shown in FIG.
The outer peripheral portion of the zero may be supported by a plurality of, for example, four shafts 92. In addition, as shown in FIG. 12, an opening may be provided in a portion of the convex portion 91, and as shown in FIG. 13, a portion of the outer peripheral portion of the disk 90 is bent to form a convex portion 91a. Or as shown in FIG.
The convex portion 91b may be provided by bending a part of the inner edge of the disk 90.

【0035】図15は、さらに他の実施例を示すもの
で、この実施例の気相反応装置用トラップ装置1cで
は、入口開口部11と積層構造体10との間に、多数の
透孔100を有する板体(パンチングメタル)101を
配置したものである。このように構成された実施例で
は、まず、板体101に反応生成物が付着するので、積
層構造体10への反応生成物の付着を抑制することがで
き、より長期間に亘って使用することが可能となり、メ
ンテナンス頻度を低減して生産性の向上を図ることがで
きる。
FIG. 15 shows still another embodiment. In the trap apparatus 1c for a gas phase reaction apparatus of this embodiment, a large number of through holes 100 are provided between the inlet opening 11 and the laminated structure 10. (A punching metal) 101 having In the embodiment configured as described above, first, the reaction product adheres to the plate body 101, so that the reaction product can be prevented from adhering to the laminated structure 10, and is used for a longer period of time. It is possible to reduce maintenance frequency and improve productivity.

【0036】なお、上記した各実施例では本発明を縦型
CVD装置に適用した実施例について説明したが、本発
明はかかる実施例に限定されるものではなく、他のCV
D装置あるいは他の気相反応装置に適用することができ
ることはもちろんである。また、例えば、外殻容器2あ
るいは積層構造体10等の各部の形状、構造等は、各種
変形が可能なことはもちろんである。
In each of the above-described embodiments, an embodiment in which the present invention is applied to a vertical CVD apparatus has been described. However, the present invention is not limited to such an embodiment, and other CVs may be used.
It is needless to say that the present invention can be applied to the D apparatus or another gas phase reaction apparatus. In addition, for example, it is needless to say that the shape, structure, and the like of each part of the outer shell container 2 or the laminated structure 10 can be variously modified.

【0037】[0037]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の気相反応
装置用トラップ装置によれば、従来に較べて捕集効率が
高く、装置寿命の長期化およびメンテナンス頻度の低減
を図ることによって生産性の向上を実現することができ
る。
As described above, according to the trapping apparatus for a gas phase reaction apparatus of the present invention, the trapping efficiency is higher than in the past, the life of the apparatus is lengthened, and the frequency of maintenance is reduced. It is possible to realize improvement of the performance.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施例の気相反応装置用トラップ装
置の構成を示す図。
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a trap device for a gas phase reaction device according to one embodiment of the present invention.

【図2】図1の気相反応装置用トラップ装置の要部構成
を示す図。
FIG. 2 is a diagram showing a configuration of a main part of a trap device for a gas phase reaction device in FIG. 1;

【図3】気相反応装置用トラップ装置を配置した縦型熱
処理装置の構成を示す図。
FIG. 3 is a diagram showing a configuration of a vertical heat treatment apparatus provided with a trap device for a gas phase reaction apparatus.

【図4】図1の気相反応装置用トラップ装置の動作を説
明するための図。
FIG. 4 is a diagram for explaining the operation of the trap device for a gas phase reaction device in FIG. 1;

【図5】他の実施例の気相反応装置用トラップ装置の構
成を示す図。
FIG. 5 is a diagram showing a configuration of a trap device for a gas phase reaction device according to another embodiment.

【図6】他の実施例の気相反応装置用トラップ装置の構
成を示す図。
FIG. 6 is a diagram showing a configuration of a trap device for a gas phase reaction device according to another embodiment.

【図7】他の実施例のディスクの構成を示す図。FIG. 7 is a diagram showing a configuration of a disk according to another embodiment.

【図8】他の実施例の積層構造体の構成を示す図。FIG. 8 is a diagram showing a configuration of a laminated structure according to another embodiment.

【図9】他の実施例の積層構造体の構成を示す図。FIG. 9 is a diagram showing a configuration of a laminated structure according to another embodiment.

【図10】他の実施例の積層構造体の構成を示す図。FIG. 10 is a diagram showing a configuration of a laminated structure according to another embodiment.

【図11】他の実施例の積層構造体の構成を示す図。FIG. 11 is a diagram showing a configuration of a laminated structure according to another embodiment.

【図12】他の実施例のディスクの構成を示す図。FIG. 12 is a diagram showing a configuration of a disk according to another embodiment.

【図13】他の実施例のディスクの構成を示す図。FIG. 13 is a diagram showing a configuration of a disk according to another embodiment.

【図14】他の実施例のディスクの構成を示す図。FIG. 14 is a diagram showing a configuration of a disk according to another embodiment.

【図15】他の実施例の気相反応装置用トラップ装置の
構成を示す図。
FIG. 15 is a view showing a configuration of a trap device for a gas phase reaction device according to another embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 気相反応装置用トラップ装置 2 外殻容器 3 Oリング 4 蓋板 5 捩子 6 小径ディスク 7 大径ディスク 8,9 スペーサ 10 積層構造体 11 入口開口部 12 出口開口部 13 ロッド DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Trap apparatus for gas-phase reaction apparatus 2 Outer shell 3 O-ring 4 Cover plate 5 Screw 6 Small-diameter disk 7 Large-diameter disk 8,9 Spacer 10 Stacked structure 11 Inlet opening 12 Outlet opening 13 Rod

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 横川 修 神奈川県津久井郡城山町町屋1丁目2番 41号 東京エレクトロン東北株式会社相 模事業所内 (72)発明者 岡田 義孝 神奈川県津久井郡城山町町屋1丁目2番 41号 東京エレクトロン東北株式会社相 模事業所内 (72)発明者 長崎 一郎 神奈川県横浜市保土ケ谷区岩井町1番地 の7 キュノ株式会社内 (72)発明者 橋本 明 神奈川県横浜市保土ケ谷区岩井町1番地 の7 キュノ株式会社内 (56)参考文献 特開 平5−202474(JP,A) 特開 平2−59002(JP,A) 特開 昭62−79802(JP,A) 特開 昭62−79803(JP,A) 特開 平1−123198(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/205 B01D 8/00 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Osamu Yokokawa 1-2-1, Shiroyamacho Machiya, Tsukui-gun, Kanagawa Prefecture Inside the Sagami Plant of Tokyo Electron Tohoku Co., Ltd. (72) Inventor Yoshitaka Okada Shiroyama-machi Machiya, Tsukui-gun, Kanagawa Prefecture 1-2-1 41, Tokyo Electron Tohoku Co., Ltd. Sagami Plant (72) Inventor Ichiro Nagasaki 1-chome, Iwai-cho, Hodogaya-ku, Yokohama, Kanagawa Prefecture Inside 7 Kuno Co., Ltd. (72) Inventor Akira Hashimoto, Hodogaya, Yokohama, Kanagawa 7 Kuno Co., Ltd., 1 Iwai-cho, Ward (56) References JP-A-5-202474 (JP, A) JP-A-2-59002 (JP, A) JP-A-62-79802 (JP, A) JP-A-62-79803 (JP, A) JP-A-1-123198 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H01L 21/205 B01D 8/00

Claims (11)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 気密に構成された外殻容器と、 多数の環状の板状体を気体流路となる間隙を設けて積層
する如く配列して構成され、前記外殻容器内に、該外殻
容器内を前記環状の板状体の内側部と外側部とに仕切る
ように配置された積層構造体と、 前記外殻容器内の、前記板状体の外側部に気体を導入す
る気体導入部と、 前記外殻容器内の、前記板状体の内側部から気体を導出
する気体導出部とを具備したことを特徴とする気相反応
装置用トラップ装置。
An airtight outer shell container and a number of annular plate-like bodies are arranged so as to be stacked with a gap serving as a gas flow path, and the outer shell container is provided inside the outer shell container. A laminated structure arranged so as to partition the inside of the shell container into an inner portion and an outer portion of the annular plate-like member; and gas introduction for introducing gas into the outer portion of the plate-like member in the outer shell container. A trap device for a gas phase reaction device, comprising: a gas discharge section for drawing gas from an inner portion of the plate-like body in the outer shell container.
【請求項2】 気密に構成された外殻容器と、 多数の環状の板状体を気体流路となる間隙を設けて積層
する如く配列して構成され、前記外殻容器内に、該外殻
容器内を前記環状の板状体の内側部と外側部とに仕切る
ように配置された積層構造体と、 前記外殻容器内の、前記板状体の内側部に気体を導入す
る気体導入部と、 前記外殻容器内の、前記板状体の外側部から気体を導出
する気体導出部とを具備したことを特徴とする気相反応
装置用トラップ装置。
2. An airtight outer shell container, and a plurality of annular plate-like bodies are arranged so as to be stacked with a gap serving as a gas flow path, and the outer shell container is provided in the outer shell container. A laminated structure arranged to partition the inside of the shell container into an inner portion and an outer portion of the annular plate-like body; and a gas introduction for introducing gas into the inner portion of the plate-like body in the outer shell container. A trap device for a gas-phase reaction device, comprising: a gas discharge unit for discharging gas from an outer portion of the plate-like body in the outer shell container.
【請求項3】 前記外殻容器内に冷却機構を備えたこと
を特徴とする請求項1又は2記載の気相反応装置用トラ
ップ装置。
3. A gas phase reactor for trapping device according to claim 1, wherein further comprising a cooling mechanism to said shell container.
【請求項4】 前記板状体間の間隙が、0.1〜1mm
であることを特徴とする請求項1〜3いずれか1項記載
の気相反応装置用トラップ装置。
4. A gap between the plate-like bodies is 0.1 to 1 mm.
The trap device for a gas phase reactor according to any one of claims 1 to 3, wherein
【請求項5】 前記板状体の板面に凸部が設けられてお
り、この凸部を隣接する前記板状体の板面に当接させる
ことによって、該板状体間の間隔を保持するよう構成さ
れていることを特徴とする請求項1〜4いずれか1項
載の気相反応装置用トラップ装置。
5. A convex portion is provided on a plate surface of the plate-shaped member, and the convex portion is brought into contact with a plate surface of an adjacent plate-shaped member to maintain an interval between the plate-shaped members. claim 1-4 any one SL <br/> mounting gas phase reactor trap apparatus, characterized in that it is configured to.
【請求項6】 前記板状体の板面に形成された凸部は、
プレス加工によって形成されていることを特徴とする請
求項記載の気相反応装置用トラップ装置。
6. The projection formed on the plate surface of the plate-like body,
The trap device for a gas phase reactor according to claim 5 , wherein the trap device is formed by press working.
【請求項7】 前記積層構造体と、前記気体導入部との
間に、多数の透孔を有する板体を設けたことを特徴とす
る請求項1〜6いずれか1項記載の気相反応装置用トラ
ップ装置。
And wherein said multilayer structure, between the gas introducing portion, characterized in that a plate member having a number of through holes claims 1-6 set forth in any one vapor phase reaction Equipment trap device.
【請求項8】 内部に被処理物が配置される反応管と、 前記反応管を囲繞する如く設けられたヒータと、 前記反応管内に所定の反応ガスを導入するための導入管
と、 前記反応管内を排気するための排気管と、 気密に構成された外殻容器と、多数の環状の板状体を気
体流路となる間隙を設けて積層する如く配列して構成さ
前記外殻容器内に、該外殻容器内を前記環状の板状
体の内側部と外側部とに仕切るように配置された積層構
造体と、前記外殻容器内の、前記板状体の外側部に気体
を導入する気体導入部と、前記外殻容器内の、前記板状
体の内側部から気体を導出する気体導出部とを有し、前
記排気管に介挿されたトラップ装置とを具備したことを
特徴とする気相反応装置。
8. A reaction tube in which an object to be treated is disposed, a heater provided so as to surround the reaction tube, an introduction tube for introducing a predetermined reaction gas into the reaction tube, and the reaction An exhaust pipe for exhausting the inside of the pipe, an airtight outer shell container, and a plurality of annular plate-like bodies arranged in a stacked manner with a gap serving as a gas flow path , wherein the outer shell container Inside, the inside of the outer shell container is the above-mentioned annular plate shape.
A laminated structure disposed so as to partition into an inner part and an outer part of the body, a gas introduction part for introducing gas into the outer part of the plate-like body in the outer shell container, and a gas introduction part in the outer shell container. , The plate shape
A gas deriving part for deriving gas from the inside of the body, and a trap device inserted into the exhaust pipe.
【請求項9】 内部に被処理物が配置される反応管と、 前記反応管を囲繞する如く設けられたヒータと、 前記反応管内に所定の反応ガスを導入するための導入管
と、 前記反応管内を排気するための排気管と、 気密に構成された外殻容器と、多数の環状の板状体を気
体流路となる間隙を設けて積層する如く配列して構成さ
れ、前記外殻容器内に、該外殻容器内を前記環状の板状
体の内側部と外側部とに仕切るように配置された積層構
造体と、前記外殻容器内の、前記板状体の内側部に気体
を導入する気体導入部と、前記外殻容器内の、前記板状
体の外側部から気体を導出する気体導出部とを有し、前
記排気管に介挿されたトラップ装置とを具備したことを
特徴とする気相反応装置。
9. A reaction tube in which an object to be treated is disposed, a heater provided so as to surround the reaction tube, an introduction tube for introducing a predetermined reaction gas into the reaction tube, and the reaction tube. An exhaust pipe for exhausting the inside of the pipe, an airtight outer shell container, and a plurality of annular plate-like bodies arranged in a stacked manner with a gap serving as a gas flow path, wherein the outer shell container Inside, a laminated structure arranged so as to partition the inside of the outer shell container into an inner portion and an outer portion of the annular plate-like body, and a gas inside the outer shell container, inside the plate-like body. And a trap device inserted in the exhaust pipe, having a gas introduction portion for introducing a gas, and a gas derivation portion for deriving gas from an outer portion of the plate-like body in the outer shell container. A gas phase reaction apparatus characterized by the above-mentioned.
【請求項10】 前記トラップ装置の前記外殻容器内に
冷却機構を備えたことを特徴とする請求項8又は9記載
の気相反応装置。
10. The gas-phase reactor according to claim 8 , wherein a cooling mechanism is provided in the outer shell container of the trap device.
【請求項11】 前記トラップ装置の板状体間の間隙
が、0.1〜1mmであることを特徴とする請求項8〜
10いずれか1項記載の気相反応装置。
11. gap between the plate-shaped body of the trap apparatus, according to claim, characterized in that a 0.1 to 1 mm. 8 to
10. The gas-phase reactor according to any one of 10 above.
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