JP3318012B2 - Method and apparatus for producing metal single crystal - Google Patents

Method and apparatus for producing metal single crystal

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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、ビスマス、亜鉛、鉛、
錫などといった低融点金属の単結晶の製造方法および製
造装置に関する。
The present invention relates to bismuth, zinc, lead,
The present invention relates to a method and an apparatus for producing a single crystal of a low melting point metal such as tin.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、金属単結晶の製造方法として
は、ブリッジマン法、VGF(バーティカル・グラージ
エント・フリージング)法等が知られているが、これら
の方法によると、温度勾配がつけづらく熱の流れを制御
することができないため、得られる結晶が多結晶体にな
り易いという問題点があった。
2. Description of the Related Art Conventionally, as a method for producing a metal single crystal, the Bridgman method, VGF (vertical gradient freezing) method, and the like have been known. However, according to these methods, it is difficult to form a temperature gradient. Since the flow of heat cannot be controlled, there has been a problem that the obtained crystals are likely to be polycrystalline.

【0003】一方、金属単結晶および一方向凝固組織を
得る方法として、熱の流れを制御することができる連続
鋳造法が知られている。しかしながら、この連続鋳造法
によると、水冷ジャケットを用いてノズル部分を冷却す
るため、凝固界面がダイス口よりもかなり上に位置し、
引き抜き荷重が大きくなってしまい、凝固時に膨脹する
金属の単結晶および一方向凝固組織を得ることが困難で
あるという問題点があった。
On the other hand, as a method for obtaining a metal single crystal and a directionally solidified structure, a continuous casting method capable of controlling a heat flow is known. However, according to this continuous casting method, since the nozzle portion is cooled using a water cooling jacket, the solidification interface is located considerably above the die opening,
The draw load becomes large, and there is a problem that it is difficult to obtain a metal single crystal and a unidirectional solidified structure that expands during solidification.

【0004】なお、上記連続鋳造法においては、鋳塊ま
たはダミーバーを直接シャワー方式によって冷却するこ
とにより、凝固界面を制御することができるが、この方
法によると、水の片当りの問題で、鋳塊またはダミーバ
ーを均一に冷却することが困難であるため、均一な単結
晶を得ることが難しいという問題点があった。また、上
記連続鋳造法においては、鋳型を加熱することによって
凝固界面を制御することができるが、この方法による
と、装置がより複雑かつ大型化してしまうという問題点
があった。
In the continuous casting method described above, the solidification interface can be controlled by directly cooling the ingot or the dummy bar by a shower method. Since it is difficult to cool the mass or the dummy bar uniformly, there is a problem that it is difficult to obtain a uniform single crystal. In the continuous casting method, the solidification interface can be controlled by heating the mold. However, according to this method, there is a problem that the apparatus becomes more complicated and larger.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】上述のように、従来の
金属単結晶の製造方法によると、特に低融点金属の単結
晶を製造する場合、均一な単結晶を得ることができなか
った。
As described above, according to the conventional method for producing a metal single crystal, a uniform single crystal cannot be obtained, particularly when a single crystal of a low melting point metal is produced.

【0006】そこで本発明は、上述従来の技術の問題点
を解決し、ビスマス、亜鉛、鉛、錫などといった低融点
金属であっても、容易に均一な単結晶を得ることができ
る金属単結晶の製造方法および製造装置を提供すること
を目的とする。
Therefore, the present invention solves the above-mentioned problems of the prior art, and can easily obtain a uniform single crystal even with a low melting point metal such as bismuth, zinc, lead, and tin. It is an object of the present invention to provide a manufacturing method and a manufacturing apparatus.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記目的
を達成するために鋭意研究した結果、溶湯中に熱拡散体
を配置して結晶体の先端面と溶湯との接触面である固液
界面の温度を調整すると共に、結晶体を水没式のオーバ
ーフロー型の冷却部によって冷却することにより、上記
課題が解決されることを見い出し、本発明に到達した。
Means for Solving the Problems The inventors of the present invention have made intensive studies to achieve the above object, and as a result, a heat diffusion body is arranged in a molten metal to form a contact surface between a tip surface of a crystal and the molten metal. The present inventors have found that the above-mentioned problems can be solved by adjusting the temperature of the solid-liquid interface and cooling the crystal by a submerged overflow type cooling section, and have reached the present invention.

【0008】すなわち、本発明は、周囲に結晶素材の溶
湯を保持するための加熱手段を有し、底部に開口部が設
けられ、この開口部にノズルが取り付けられたルツボ、
前記ノズル内において結晶素材溶湯と接触する先端面に
結晶を析出成長させていく柱状の結晶体を下方に取り出
すための引き下げ手段、および取り出した結晶体を冷却
するための冷却部を有してなる縦型連続鋳造装置を用い
た金属単結晶の製造方法であって、前記装置におけるル
ツボ中において結晶素材である低融点金属、特にビスマ
ス、亜鉛、鉛および錫からなる群より選ばれる1種の金
属を溶解し、この溶湯中に熱拡散体を配置することによ
って結晶体の先端面と溶湯との接触面である固液界面の
温度を調整し、かつ荷重計によって引き下げ荷重を測定
しながら結晶体を引き下げていき、これを水没式オーバ
ーフロー型の冷却部によって冷却することを特徴とする
金属単結晶の製造方法;および周囲に結晶素材の溶湯を
保持するための加熱手段を有し、底部に開口部が設けら
れ、この開口部にノズルが取り付けられたルツボ、前記
ノズル内において結晶素材溶湯と接触する先端面に結晶
を析出成長させていく柱状の結晶体を下方に取り出すた
めの引き下げ手段、および取り出した結晶体を冷却する
ための冷却部を有してなる縦型連続鋳造装置であって、
前記ルツボおよびノズル内の結晶素材溶湯中に、ルツボ
上部から挿入することによって配置された熱拡散体を有
し、ノズル下方に水没式オーバーフロー型の冷却部が設
けられ、結晶体を引き下げる昇降台に、結晶体の引き下
げ荷重を測定する荷重計が連結されていることを特徴と
する金属単結晶の製造装置を提供するものである。
That is, according to the present invention, there is provided a crucible having a heating means for holding a melt of a crystal material around the opening, a bottom provided with an opening, and a nozzle attached to the opening.
In the nozzle, there is provided a pulling-down means for taking out a columnar crystal which causes a crystal to precipitate and grow on the tip end surface in contact with the crystal material melt, and a cooling unit for cooling the taken-out crystal. A method for producing a metal single crystal using a vertical continuous casting apparatus, wherein one kind of metal selected from the group consisting of a low melting point metal, particularly bismuth, zinc, lead and tin, which is a crystal material in a crucible in the apparatus. Is melted, the temperature of the solid-liquid interface, which is the contact surface between the tip surface of the crystal and the melt, is adjusted by disposing a heat spreader in the melt, and the crystal is measured while measuring the pull-down load with a load meter. And cooling it by a submerged overflow type cooling section; and a method for holding a melt of a crystal material around the metal single crystal. Means, a crucible provided with an opening at the bottom, and a nozzle attached to the opening, and a columnar crystal which grows and grows crystals on the tip surface in contact with the crystal material melt in the nozzle. A vertical continuous casting apparatus having a pulling-down means for taking out and a cooling unit for cooling the taken-out crystal,
In the crystal material melt in the crucible and the nozzle, there is a heat diffuser arranged by being inserted from above the crucible, and a submerged overflow type cooling unit is provided below the nozzle, and the elevating table for pulling down the crystal is provided. And a load cell for measuring a pull-down load of the crystal body is provided.

【0009】[0009]

【作用】一般的に鋳型を用いて金属単結晶を育成する場
合、鋳型と溶湯との界面からの核成長を防ぐためには、
凝固界面を凸型にすることが望ましいことが知られてい
る。そのため、本発明においては凝固界面を凸型にして
いる。
In general, when growing a metal single crystal using a mold, in order to prevent nucleus growth from the interface between the mold and the molten metal,
It is known that it is desirable to make the solidification interface convex. Therefore, in the present invention, the solidification interface is made convex.

【0010】また、特にビスマスのように凝固時に膨脹
する低融点金属は、ノズルにおける引き出し口の近くに
凝固点をもってこないと荷重が大きくなってルツボを破
損する恐れがある上、極めてブレークアウトを起こしや
すい状態で鋳造しなければならなくなる。
[0010] Particularly, a low melting point metal such as bismuth which expands at the time of solidification, if the solidification point is not brought near the outlet of the nozzle, the load may be increased and the crucible may be damaged, and extremely breakout may easily occur. It must be cast in a state.

【0011】そのため、本発明法では、シードまたは既
にその上に結晶が析出したもの(結晶体)の先端面と、
結晶素材溶湯との接触面である固液界面に近接した位置
に熱拡散体を配置し、該界面の温度を調整することによ
り、凝固界面の位置を制御し、ルツボの破損およびブレ
ークアウトを防止している。
Therefore, according to the method of the present invention, the tip surface of a seed or a crystal (crystal) already deposited thereon is
A heat diffuser is placed at a position close to the solid-liquid interface, which is the contact surface with the crystal material melt, and the temperature of the interface is adjusted to control the position of the solidification interface, preventing crucible breakage and breakout are doing.

【0012】さらに、本発明法においては、ノズルから
引き下げた結晶体を、一定の方向から均一に冷却するこ
とができる水没式オーバーフロー型の冷却部によって冷
却している。このように、引き下げた結晶体を一定の方
向から均一に冷却することにより、均一な単結晶を得る
ことができるようになる。
Further, in the method of the present invention, the crystal pulled down from the nozzle is cooled by a submerged overflow type cooling unit which can uniformly cool the crystal from a certain direction. As described above, by uniformly cooling the pulled crystal from a certain direction, a uniform single crystal can be obtained.

【0013】本発明における水没式オーバーフロー型の
冷却部とは、その材質は黄銅であり、形状はダミーバー
および鋳塊が通り抜けることができる程度の空洞を有す
る円筒状をしている。この水没式オーバーフロー型の冷
却部を、図2を用いてさらに詳しく説明すると以下の通
りである。
The submerged overflow type cooling section of the present invention is made of brass and has a cylindrical shape having a cavity through which a dummy bar and an ingot can pass. The submerged overflow type cooling unit will be described in more detail with reference to FIG.

【0014】まず、冷却水は2方向に設けられた入水口
から入水し(図中矢印11)、ダミーバー3と冷却部8
との間に溜り、ダミーバー3と冷却部8との間が満水に
なると、冷却水は冷却部8の縁を伝わって出水する(図
中矢印12)。このように、ダミーバー3と冷却部8と
の間の冷却水は常に入れ代わっており、事実上ダミーバ
ーはこの冷却水の中に完全に水没するため、ダミーバー
は一定の方向から均一に冷却される。なお、冷却水を供
給するタンクを冷却部より上方に取り付け、タンク内の
液面を一定に保つことにより、その水圧で冷却水を冷却
部に一定に供給することができる。
First, the cooling water enters through two water inlets (arrows 11 in the figure), and the dummy bar 3 and the cooling unit 8 are provided.
When the space between the dummy bar 3 and the cooling unit 8 is full, the cooling water flows along the edge of the cooling unit 8 and flows out (arrow 12 in the figure). As described above, the cooling water between the dummy bar 3 and the cooling unit 8 is constantly replaced, and the dummy bar is completely submerged in the cooling water, so that the dummy bar is uniformly cooled from a certain direction. . By mounting the tank for supplying the cooling water above the cooling unit and keeping the liquid level in the tank constant, the cooling water can be supplied to the cooling unit at a constant pressure.

【0015】また、本発明においては、結晶体を引き下
げる昇降台と荷重計を連結し、結晶体の引き下げ荷重を
測定することにより、ルツボの破損やブレークアウトの
防止を図っている。
Further, in the present invention, the lifting table for pulling down the crystal and the load cell are connected to measure the pulling load of the crystal to prevent breakage and breakout of the crucible.

【0016】以下、実施例により本発明をさらに詳細に
説明する。しかし本発明の範囲は以下の実施例により制
限されるものではない。
Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples. However, the scope of the present invention is not limited by the following examples.

【0017】[0017]

【実施例1】本発明の一実施例として、図1に示す金属
単結晶の製造装置を用いたビスマス単結晶の製造方法に
ついて説明する。
Embodiment 1 As an embodiment of the present invention, a method for manufacturing a bismuth single crystal using the metal single crystal manufacturing apparatus shown in FIG. 1 will be described.

【0018】なお、本実施例において用いられる金属単
結晶の製造装置は、底部に開口部が設けられ、その開口
部にノズル10が取り付けられたカーボンルツボ2、ル
ツボ2の周囲に設けられ、ルツボ2内における溶湯4を
保持するための加熱設備であるヒーター1、ルツボ2お
よびノズル10内の溶湯中に配置され、ノズル10内に
おけるダミーバー3の先端面と、結晶素材の溶湯4との
接触面の温度を調整する熱拡散体としての役割を果たす
アルミナ製の保護管5(10φ× 500L単位mm)、ダミー
バー3を引き下げるための昇降台7、昇降台7に連結さ
れ、昇降台7によるダミーバー3の引き下げ加重を測定
する荷重計6、およびノズル10の下方に設置され、ダ
ミーバー3を冷却するための水没式オーバーフロー型の
冷却部8からなるものである。
The apparatus for manufacturing a metal single crystal used in the present embodiment has an opening at the bottom, a carbon crucible 2 having a nozzle 10 attached to the opening, and a crucible 2 provided around the crucible 2. A heater 1, a crucible 2, which is a heating facility for holding the molten metal 4 in the nozzle 2, and a contact surface between the tip surface of the dummy bar 3 in the nozzle 10 and the molten metal 4 in the nozzle 10 A protective tube 5 made of alumina (10φ × 500 L unit mm) serving as a heat spreader for adjusting the temperature of the dummy bar 3, an elevator 7 for pulling down the dummy bar 3, and a dummy bar 3 connected to the elevator 7 A load cell 6 for measuring the pulling down force of the water, and a submerged overflow type cooling unit 8 installed below the nozzle 10 for cooling the dummy bar 3. A.

【0019】まず、カーボンルツボ2内に結晶素材であ
るビスマスを約2kg入れ、ヒーター1によって該ルツボ
2を加熱し、ルツボ2内のビスマスを加熱溶解した。次
いで、図1に示すようにビスマスの溶湯4の中に保護管
5を配置し、溶湯4の温度が300〜 330℃に安定したと
ころで3〜8mm/hの速度で昇降台7を引き下げた。こ
の時の凝固界面9の形状は、凸型をしている。また、昇
降台7によるダミーバー3の引き下げにおいては、昇降
台7に連結した荷重計6によって引き下げ荷重を測定す
ることにより、ルツボ2の破損およびブレークアウトの
防止を図った。上記条件下で 120mm程度引き下げ行い、
長さ50mmのビスマスの単結晶を得た。
First, about 2 kg of bismuth, which is a crystal material, was placed in a carbon crucible 2, the crucible 2 was heated by a heater 1, and the bismuth in the crucible 2 was heated and melted. Then, as shown in FIG. 1, the protective tube 5 was placed in the bismuth molten metal 4, and when the temperature of the molten metal 4 was stabilized at 300 to 330 ° C., the elevator 7 was lowered at a speed of 3 to 8 mm / h. At this time, the shape of the solidification interface 9 is convex. Further, when the dummy bar 3 was lowered by the lift 7, damage to the crucible 2 and breakout were prevented by measuring the pull-down load by the load meter 6 connected to the lift 7. Reduce it by about 120mm under the above conditions,
A single crystal of bismuth having a length of 50 mm was obtained.

【0020】なお、ビスマスの加熱溶解後、引き下げを
始める前に、図1に示すように熱拡散体である保護管5
を配置した場合、および保護管5を配置しない場合にお
ける溶湯温度の測定を行い、その結果を表1に示した。
なお、表1中における溶湯温度は、ルツボ底部の開口部
から垂直方向に25mm離れた場所におけるものであ
り、()内の数値は中心温度との差である。
After the bismuth is heated and melted, and before the lowering is started, as shown in FIG.
And the temperature of the molten metal when the protective tube 5 was not arranged was measured, and the results are shown in Table 1.
The temperature of the molten metal in Table 1 is obtained at a position 25 mm vertically away from the opening at the bottom of the crucible.

【0021】[0021]

【表1】 [Table 1]

【0022】表1からも分かるように、溶湯中に保護管
を配置することにより、ルツボ内壁付近の温度より、炉
中心部の温度を低く保つことが可能となった。
As can be seen from Table 1, by arranging the protective tube in the molten metal, the temperature in the center of the furnace can be kept lower than the temperature near the inner wall of the crucible.

【0023】[0023]

【実施例2】実施例1で用いた金属単結晶の製造装置を
用い、亜鉛、鉛、錫をそれぞれ別個に約2kgずつルツボ
に入れ、溶湯温度を亜鉛 440〜 470℃、鉛 350〜 380
℃、錫250〜 280℃一定になるよう制御し、3〜8mm/
hの速度で昇降台を引き下げて結晶を成長させたとこ
ろ、実施例1と同様に上記それぞれの金属の均一な単結
晶を得ることができた。
Example 2 Using the apparatus for manufacturing a metal single crystal used in Example 1, zinc, lead, and tin were each separately placed in a crucible in an amount of about 2 kg, and the melt temperature was set to 440 to 470 ° C. for zinc and 350 to 380 for lead.
℃, tin 250-280 ℃ controlled to be constant, 3-8mm /
When the crystal was grown by lowering the elevating table at the speed h, a uniform single crystal of each of the above metals could be obtained in the same manner as in Example 1.

【0024】[0024]

【比較例1】ダミーバーを冷却するための冷却部とし
て、水没式オーバーフロー型のものに代えて従来のシャ
ワー型のものを用いたこと以外は実施例1と同様の装置
を用い、実施例1と同様にして単結晶の製造を行ったと
ころ、ブレークアウト等で安定して鋳塊を得ることがで
きなかった。
Comparative Example 1 The same apparatus as in Example 1 was used except that a cooling unit for cooling the dummy bar was replaced with a conventional shower type instead of a submerged overflow type. When a single crystal was produced in the same manner, an ingot could not be obtained stably due to breakout or the like.

【0025】また、ブレークアウトを防止しながら引き
下げを行ったこと以外は上記同様にして単結晶の製造を
行ったところ、5結晶程度の鋳塊しか得ることができな
かった。
When a single crystal was produced in the same manner as described above except that the lowering was performed while preventing breakout, only an ingot of about 5 crystals could be obtained.

【0026】[0026]

【比較例2】3ゾーン式のVGF装置を用いてビスマス
単結晶育成試験を行った。まず、ビスマスを約2kgをカ
ーボンルツボ中に入れて溶解し、溶湯内の温度勾配を垂
直方向に 0.5〜1℃/cmとし、5mm/hの引き下げ速度
で結晶を成長させたところ、5結晶程度の多結晶体しか
得ることができなかった。
Comparative Example 2 A bismuth single crystal growth test was performed using a three-zone VGF apparatus. First, about 2 kg of bismuth was put into a carbon crucible and melted. The temperature gradient in the melt was set to 0.5 to 1 ° C./cm in the vertical direction, and crystals were grown at a pulling rate of 5 mm / h. Could only be obtained.

【0027】また、温度勾配を上記よりも少し大きくつ
けるために、ヒーター間に断熱材を入れてみたが特に変
化は認められなかった。
In order to make the temperature gradient slightly larger than the above, an insulating material was inserted between the heaters, but no particular change was observed.

【0028】[0028]

【発明の効果】本発明の開発により、従来単結晶化が困
難であった低融点金属の均一な単結晶を、容易に製造す
ることができるようになった。
According to the development of the present invention, it has become possible to easily produce a uniform single crystal of a low-melting-point metal, which has conventionally been difficult to crystallize.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の金属単結晶の製造装置の概略図であ
る。
FIG. 1 is a schematic view of an apparatus for producing a metal single crystal of the present invention.

【図2】本発明の金属単結晶の製造装置における冷却部
近辺を拡大した斜視図である。
FIG. 2 is an enlarged perspective view of the vicinity of a cooling unit in the apparatus for manufacturing a metal single crystal of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1‥‥‥ヒーター 2‥‥‥カーボンルツボ 3‥‥‥ダミーバー 4‥‥‥溶湯 5‥‥‥保護管 6‥‥‥荷重計 7‥‥‥昇降台 8‥‥‥冷却部 9‥‥‥凝固部分 10‥‥‥ノズル 11‥‥‥入水 12‥‥‥出水 1 Heater 2 Carbon crucible 3 Dummy bar 4 Molten metal 5 Protective tube 6 Load cell 7 Lifting table 8 Cooling unit 9 Solidification Part 10 ‥‥‥ Nozzle 11 ‥‥‥ Inlet 12 ‥‥‥ Outlet

フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−296940(JP,A) 特開 昭62−248541(JP,A) 特開 昭62−292242(JP,A) 特開 平3−180256(JP,A) 特開 平4−107227(JP,A) 特開 平4−280891(JP,A) 特開 平5−123830(JP,A) 特開 平5−311424(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C30B 1/00 - 35/00 B22D 11/00 - 11/22 C22C 1/02 Continuation of front page (56) References JP-A-61-296940 (JP, A) JP-A-62-248541 (JP, A) JP-A-62-292242 (JP, A) JP-A-3-180256 (JP) JP-A-4-107227 (JP, A) JP-A-4-280891 (JP, A) JP-A-5-123830 (JP, A) JP-A-5-31424 (JP, A) Field surveyed (Int. Cl. 7 , DB name) C30B 1/00-35/00 B22D 11/00-11/22 C22C 1/02

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 周囲に結晶素材の溶湯を保持するための
加熱手段を有し、底部に開口部が設けられ、この開口部
にノズルが取り付けられたルツボ、前記ノズル内におい
て結晶素材溶湯と接触する先端面に結晶を析出成長させ
ていく柱状の結晶体を下方に取り出すための引き下げ手
段、および取り出した結晶体を冷却するための冷却部を
有してなる縦型連続鋳造装置を用いた金属単結晶の製造
方法であって、前記装置におけるルツボ中において結晶
素材である低融点金属を溶解し、この溶湯中に熱拡散体
を配置することによって結晶体の先端面と溶湯との接触
面である固液界面の温度を調整し、かつ荷重計によって
引き下げ荷重を測定しながら結晶体を引き下げていき、
これを水没式オーバーフロー型の冷却部によって冷却す
ることを特徴とする金属単結晶の製造方法。
1. A crucible having a heating means for holding a melt of a crystal material around the periphery thereof, an opening provided in a bottom portion, and a nozzle attached to the opening, wherein the crucible is in contact with the melt of the crystal material in the nozzle. Metal using a vertical continuous casting apparatus having a pulling-down means for taking out columnar crystals for growing crystals on the front end face, and a cooling unit for cooling the taken-out crystals. A method for producing a single crystal, comprising dissolving a low-melting-point metal as a crystal material in a crucible in the above-described apparatus, and disposing a heat diffuser in the molten metal so that a contact surface between the tip surface of the crystal and the molten metal is formed Adjust the temperature of a certain solid-liquid interface, and lower the crystal while measuring the lowering load with a load meter,
This is cooled by a submerged overflow type cooling section, wherein the metal single crystal is produced.
【請求項2】 前記結晶素材である低融点金属がビスマ
ス、亜鉛、鉛および錫からなる群より選ばれる1種であ
る請求項1記載の金属単結晶の製造方法。
2. The method for producing a metal single crystal according to claim 1, wherein the low melting point metal as the crystal material is one selected from the group consisting of bismuth, zinc, lead and tin.
【請求項3】 周囲に結晶素材の溶湯を保持するための
加熱手段を有し、底部に開口部が設けられ、この開口部
にノズルが取り付けられたルツボ、前記ノズル内におい
て結晶素材溶湯と接触する先端面に結晶を析出成長させ
ていく柱状の結晶体を下方に取り出すための引き下げ手
段、および取り出した結晶体を冷却するための冷却部を
有してなる縦型連続鋳造装置であって、前記ルツボおよ
びノズル内の結晶素材溶湯中に、ルツボ上部から挿入す
ることによって配置された熱拡散体を有し、ノズル下方
に水没式オーバーフロー型の冷却部が設けられ、結晶体
を引き下げる昇降台に、結晶体の引き下げ荷重を測定す
る荷重計が連結されていることを特徴とする金属単結晶
の製造装置。
3. A crucible having a heating means for holding a melt of a crystal material around the bottom, an opening provided in a bottom portion, and a nozzle attached to the opening, wherein the crucible contacts the melt of the crystal material in the nozzle. A vertical continuous casting apparatus having a pulling-down means for taking out a columnar crystal body that causes a crystal to precipitate and grow on the tip face to be drawn, and a cooling unit for cooling the taken out crystal body, In the crystal material melt in the crucible and the nozzle, there is a heat diffuser arranged by being inserted from above the crucible, and a submerged overflow type cooling unit is provided below the nozzle, and the elevating table for pulling down the crystal is provided. And a load cell for measuring a pulling-down load of the crystal body.
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