JP3317909B2 - Liquid crystal display - Google Patents

Liquid crystal display

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JP3317909B2
JP3317909B2 JP33542498A JP33542498A JP3317909B2 JP 3317909 B2 JP3317909 B2 JP 3317909B2 JP 33542498 A JP33542498 A JP 33542498A JP 33542498 A JP33542498 A JP 33542498A JP 3317909 B2 JP3317909 B2 JP 3317909B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置及び
その製造方法に関し、更に詳細には、相互に対向する一
対の基板の少なくとも一方に画素電極およびスイッチン
グ素子を備えた液晶表示装置に関するものである。
The present invention relates to a liquid crystal display device and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a liquid crystal display device having a pixel electrode and a switching element on at least one of a pair of substrates facing each other. is there.

【0002】[0002]

【従来の技術】液晶表示装置は、小型の表示装置として
多用されている。ここで、図1を参照して、従来の液晶
表示装置の構成を説明する。図1は従来の液晶表示装置
の構成を示す断面図である。ガラスなどの基板1上に、
図1に示すように、金属膜、絶縁膜等を形成し、これら
の膜にフォトリソグラフィー(PR)処理およびエッチ
ング工程を施し、パターニングすることにより、ゲート
電極11、ゲート絶縁層12、アモルファスシリコン層
13、ソース電極14、ドレイン電極15、画素電極1
6、トランスファーパッド17、信号入力用端子18等
を形成している。
2. Description of the Related Art A liquid crystal display device is widely used as a small display device. Here, a configuration of a conventional liquid crystal display device will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a sectional view showing a configuration of a conventional liquid crystal display device. On a substrate 1 such as glass,
As shown in FIG. 1, a metal film, an insulating film, and the like are formed, and these films are subjected to a photolithography (PR) process and an etching process, and are patterned to form a gate electrode 11, a gate insulating layer 12, an amorphous silicon layer. 13, source electrode 14, drain electrode 15, pixel electrode 1
6, a transfer pad 17, a signal input terminal 18, and the like.

【0003】この基板1と対向する基板2上には、液晶
に電圧を印加するため、ITO等の透明な導電性膜19
が形成されており、液晶表示装置として組み立てる際に
は、銀ペーストのような導電性接着剤層20をトランス
ファーとして、前記基板のトランスファーパッド17部
分に形成することで、透明電極19と、トランスファー
パッド17を電気的に導通させている。
On the substrate 2 facing the substrate 1, a transparent conductive film 19 made of ITO or the like is used to apply a voltage to the liquid crystal.
When the liquid crystal display device is assembled, the transparent electrode 19 and the transfer pad are formed by forming the conductive adhesive layer 20 such as a silver paste as a transfer on the transfer pad 17 of the substrate. 17 are electrically connected.

【0004】従来、液晶表示装置のトランスファーパッ
ド17は、配線等と同じ金属層で形成し、その表面にI
TOをスパッタ、パターニングすることによって、前記
金属配線材の表面の酸化等を防ぎ、その上部に形成した
銀ペーストからなるトランスファー20との接触抵抗を
低減させ、入力信号の遅延を抑制している。
Conventionally, a transfer pad 17 of a liquid crystal display device is formed of the same metal layer as a wiring or the like, and a transfer pad 17 is formed on the surface thereof.
By sputtering and patterning the TO, oxidation or the like of the surface of the metal wiring material is prevented, contact resistance with the transfer 20 made of silver paste formed thereon is reduced, and delay of an input signal is suppressed.

【0005】図1に示す液晶表示装置の別例として、図
2に示すように、画素電極16が、絶縁層21上部に形
成されており、コンタクトホール22を介して、ドレイ
ン電極15と導通させているような構造の液晶表示装置
もある。この構造では、コンタクトホール22のエッジ
部分において、画素電極16のカバレッジ不良による断
線の発生が発生する。尚、図2は、従来の別の液晶表示
装置の構成を示す断面図である。
As another example of the liquid crystal display device shown in FIG. 1, as shown in FIG. 2, a pixel electrode 16 is formed on an insulating layer 21 and is electrically connected to a drain electrode 15 through a contact hole 22. There is also a liquid crystal display device having such a structure. In this structure, disconnection occurs at the edge of the contact hole 22 due to poor coverage of the pixel electrode 16. FIG. 2 is a sectional view showing the configuration of another conventional liquid crystal display device.

【0006】また、図3に示すように、絶縁膜21を介
して下部の蓄積容量配線24と交差するように形成され
た配線25は、蓄積容量配線24の形状を反映した段差
部分で、急角度で折曲しているので、そこで断線する可
能性がある。尚、図3は従来の液晶表示装置の配線の構
成を示す断面図である。
Further, as shown in FIG. 3, a wiring 25 formed so as to intersect the lower storage capacitor wiring 24 via the insulating film 21 is a stepped portion reflecting the shape of the storage capacitor wiring 24 and is abrupt. Since it is bent at an angle, there is a possibility that the wire will break there. FIG. 3 is a cross-sectional view showing a configuration of a wiring of a conventional liquid crystal display device.

【0007】そこで、従来の液晶表示装置では、コンタ
クトホール22のエッジ部分が傾斜角度を有するような
形状にしたり、また、絶縁層上部に形成する金属層の膜
厚を厚くしたりして、絶縁層上部に形成する膜のカバレ
ッジ特性を向上させ、段差部分での断線を防いでいる。
Therefore, in the conventional liquid crystal display device, the edge portion of the contact hole 22 is formed to have an inclined angle, or the thickness of a metal layer formed on the insulating layer is increased to increase the insulation. The coverage characteristics of the film formed above the layer are improved, and disconnection at the step is prevented.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかし、図1に示すよ
うな構造の液晶表示装置では、トランスファーパッド1
7の表面ITO層を形成するために、表面ITO層の成
膜工程終了後に、PR工程、エッチング工程を必要とし
ている。そのために、製造コストの増加を招いていた。
However, in the liquid crystal display device having the structure as shown in FIG.
In order to form the surface ITO layer of No. 7, a PR step and an etching step are required after the step of forming the surface ITO layer. This has led to an increase in manufacturing costs.

【0009】また、図2に示すような構造の液晶表示装
置で、絶縁層に形成されるコンタクトホールのサイズ等
の制約によって、エッジ部分に傾斜角度を持たせること
が困難な場合や、図3に示す配線構造で、上部に形成す
る金属層の膜厚を厚くすることが困難な場合には、エッ
ジ部分に形成される金属層や、配線の交差部分の金属層
のカバレッジ特性が不良となり、断線したり、あるい
は、膜厚が薄くなることによって、配線の抵抗が大きく
なり、印加する信号が遅延するといった問題があった。
In addition, in the liquid crystal display device having the structure as shown in FIG. 2, it is difficult to give an inclination angle to an edge portion due to the size of a contact hole formed in an insulating layer or the like. If it is difficult to increase the thickness of the metal layer formed on the upper part in the wiring structure shown in the above, the coverage characteristics of the metal layer formed on the edge part and the metal layer at the intersection of the wiring become poor, Disconnection or a reduction in the film thickness causes a problem in that the resistance of the wiring increases and the applied signal is delayed.

【0010】そこで、本発明の目的は、上記の課題を解
決するために、トランスファーパッド部分における導電
性接着剤とのコンタクト抵抗を抑制させる構造の液晶表
示装置及びその製造方法を提供することであり、また、
コンタクトホール部分、あるいは配線同士の交差する段
差部分における配線層のカバレッジ特性を向上させ、断
線を防ぐことができる構造を有する液晶表示装置および
前記液晶表示装置の製造方法を提供することを目的とす
る。
Accordingly, an object of the present invention is to provide a liquid crystal display device having a structure for suppressing contact resistance with a conductive adhesive at a transfer pad portion and a method of manufacturing the same in order to solve the above-mentioned problems. ,Also,
An object of the present invention is to provide a liquid crystal display device having a structure capable of improving coverage characteristics of a wiring layer in a contact hole portion or a step portion where wirings intersect and preventing disconnection, and a method for manufacturing the liquid crystal display device. .

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る液晶表示装置(以下、第1の発明と言
う)は、相互に対向し、それぞれ電極を有する一対の基
板と、該一対の基板相互間に封入された液晶と、前記一
対の基板の少なくとも一方に設けられ、液晶に電圧を印
加するための画素電極と、該印加電圧を制御するための
スイッチング素子と、前記一対の基板上の電極を導通さ
せるための導電性接着剤層とを備える液晶表示装置にお
いて、前記一対の基板上に形成された電極は、その表面
が導電性粒子を含む高分子樹脂剤からなる導電性層によ
って、被覆されていることを特徴としている。
In order to achieve the above object, a liquid crystal display device according to the present invention (hereinafter referred to as a first invention) comprises a pair of substrates opposed to each other and each having an electrode, A liquid crystal sealed between the pair of substrates; a pixel electrode provided on at least one of the pair of substrates, for applying a voltage to the liquid crystal; a switching element for controlling the applied voltage; And a conductive adhesive layer for conducting the electrodes on the substrate, wherein the electrodes formed on the pair of substrates have conductive surfaces made of a polymer resin containing conductive particles. It is characterized by being covered with a conductive layer.

【0012】第1の発明では、電極は、その表面が導電
性粒子を含む高分子樹脂剤からなる導電性層によって、
被覆されている。導電性ペースト剤で形成され、基板間
を電気的に導通するトランスファーの下端のトランスフ
ァーパッドも電極の一部として、金属電極層と、ITO
等の導電性粒子を含む高分子樹脂層との積層構造にする
ことができる。これにより、トランスファーパッド表面
の酸化等を防ぎ、高抵抗化を抑制することによって、ト
ランスファーパッド及びトランスファーを介して対向側
透明電極へ印加される信号電圧の遅延を抑制することが
できる。尚、液晶表示装置のトランスファーパッド部分
に形成されるITO等の導電性粒子を含む高分子樹脂層
は、金属電極の表面露出部分に選択的に形成することが
できる。
[0012] In the first invention, the electrode is formed by a conductive layer made of a polymer resin agent containing conductive particles.
Coated. The transfer pad at the lower end of the transfer, which is formed of a conductive paste and electrically connects between the substrates, also includes a metal electrode layer and an ITO as a part of the electrode.
And a polymer resin layer containing conductive particles. This prevents oxidation or the like of the transfer pad surface and suppresses the increase in resistance, thereby suppressing a delay of a signal voltage applied to the opposite-side transparent electrode via the transfer pad and the transfer. The polymer resin layer containing conductive particles such as ITO formed on the transfer pad portion of the liquid crystal display device can be selectively formed on the exposed surface of the metal electrode.

【0013】第1の発明の液晶表示装置の好適な液晶表
示装置の製造方法は、前記導電性層の形成材料を含む電
解溶液中に、電極が形成された基板を浸漬し、基板に電
圧を印加することにより電極上を導電性層で被覆する工
程を有することを特徴としている。
[0013] In a preferred method of manufacturing a liquid crystal display device according to the first invention, the substrate on which the electrodes are formed is immersed in an electrolytic solution containing the material for forming the conductive layer, and a voltage is applied to the substrate. The method is characterized by having a step of coating the electrode with a conductive layer by applying the voltage.

【0014】具体的には、本製造方法は、前記スイッチ
ング素子、トランスファーパッドが形成された基板をI
TOの粒子を分散させた電解溶液や、ITOおよび高分
子樹脂を分散させた電解溶液等の溶液中に浸漬させ、ト
ランスファーパッドと導通している金属層を直流電源の
一方の極に接続し、前記溶液中に浸漬させた導電性の電
極を直流電源のもう一方の側に接続し、前記トランスフ
ァーパッド表面にITOを含む高分子樹脂層を形成す
る。本発明の製造方法によると、トランスファーパッド
の金属層が露出している部分にのみ、ITOを含む高分
子樹脂層を形成することができるため、所望のパターン
の膜形成において必要とされているPR工程およびエッ
チング工程が不要となる。
More specifically, the present manufacturing method comprises the steps of:
Immerse in a solution such as an electrolytic solution in which TO particles are dispersed or an electrolytic solution in which ITO and a polymer resin are dispersed, and connect a metal layer that is in conduction with the transfer pad to one pole of a DC power supply, A conductive electrode immersed in the solution is connected to the other side of the DC power supply, and a polymer resin layer containing ITO is formed on the transfer pad surface. According to the manufacturing method of the present invention, the polymer resin layer containing ITO can be formed only on the portion of the transfer pad where the metal layer is exposed. Steps and etching steps are not required.

【0015】本発明に係る別の液晶表示装置(以下、第
2の発明と言う)は、相互に対向する一対の基板と、該
一対の基板相互間に封入された液晶と、前記一対の基板
の少なくとも一方に設けられ、液晶に電圧を印加するた
めの画素電極と、該印加電圧を制御するためのスイッチ
ング素子とを備え、前記画素電極が絶縁層に形成された
コンタクトホールを介してスイッチング素子と導通して
いる液晶表示装置において、前記画素電極は、その表面
が導電性粒子を含む高分子樹脂剤からなる導電性層によ
って、被膜されていることを特徴としている。
Another liquid crystal display device according to the present invention (hereinafter, referred to as a second invention) comprises a pair of substrates facing each other, a liquid crystal sealed between the pair of substrates, and the pair of substrates. A pixel electrode for applying a voltage to the liquid crystal, and a switching element for controlling the applied voltage, wherein the pixel electrode is a switching element via a contact hole formed in an insulating layer. In the liquid crystal display device, the surface of the pixel electrode is coated with a conductive layer made of a polymer resin material containing conductive particles.

【0016】本発明に係る更に別の液晶表示装置(以
下、第3の発明と言う)は、相互に対向する一対の基板
と、該一対の基板相互間に封入された液晶と、前記一対
の基板の少なくとも一方に設けられ、液晶に電圧を印加
するための画素電極と、該印加電圧を制御するためのス
イッチング素子とを備えた液晶表示装置において、前記
基板上に形成された接続配線は、その表面が導電性粒子
を含む高分子樹脂剤からなる導電性層によって被膜され
ていることを特徴としている。
Still another liquid crystal display device according to the present invention (hereinafter, referred to as a third invention) comprises a pair of substrates facing each other, a liquid crystal sealed between the pair of substrates, and the pair of substrates. In a liquid crystal display device provided on at least one of the substrates and including a pixel electrode for applying a voltage to the liquid crystal and a switching element for controlling the applied voltage, the connection wiring formed on the substrate is The surface is coated with a conductive layer made of a polymer resin agent containing conductive particles.

【0017】第2及び第3の発明の液晶表示装置は、特
定した構成の配線構造を有する液晶表示装置であって、
コンタクトホールのエッジ部分おける断線を防ぐため、
導電性粒子を含む高分子樹脂層を、電着法、電解法、め
っき法等により、溶液中に存在する物質を析出させて、
基板表面に堆積させることによって、コンタクトホール
のエッジ部分や、配線同士が交差し段差を有する部分に
も、均一な膜を形成している。これにより、配線層のカ
バレッジ特性を向上させ、断線等の配線不良のない良好
な表示を行える液晶表示装置を実現している。第2及び
第3の発明は、画素電極に電圧を印加するための電極
が、絶縁層に形成されたコンタクトホールを介して導通
しているような構造、配線およびその他の電極層が、絶
縁層に形成されたコンタクトホールを介して導通してい
るような構造、および配線同士、電極同士、配線と電極
が絶縁層を介して交差するような構造で形成されている
液晶表示装置に、好適に適用できる。
The liquid crystal display device according to the second and third inventions is a liquid crystal display device having a wiring structure having a specified structure,
To prevent disconnection at the edge of the contact hole,
The polymer resin layer containing the conductive particles, by electrodeposition, electrolysis, plating, etc., to precipitate the substance present in the solution,
By depositing on the surface of the substrate, a uniform film is formed also at the edge portion of the contact hole and the portion where the wirings cross each other and have a step. As a result, a liquid crystal display device capable of improving the coverage characteristics of the wiring layer and performing good display without wiring defects such as disconnection is realized. According to the second and third aspects of the present invention, a structure in which an electrode for applying a voltage to a pixel electrode is conductive through a contact hole formed in an insulating layer, a wiring and other electrode layers are formed by an insulating layer A liquid crystal display device having a structure in which electrical continuity is provided through a contact hole formed in a liquid crystal display device, and a structure in which wirings and electrodes, electrodes and wirings and electrodes intersect with an insulating layer interposed therebetween. Applicable.

【0018】第2の発明の液晶表示装置の好適な液晶表
示装置の製造方法は、前記導電性層の形成材料を含む電
解溶液中に、画素電極が形成された基板を浸漬し、基板
に電圧を印加することにより画素電極上を導電性層で被
覆する工程を有することを特徴としている。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a liquid crystal display device, wherein the substrate on which the pixel electrode is formed is immersed in an electrolytic solution containing the material for forming the conductive layer. Is applied to cover the pixel electrode with a conductive layer.

【0019】第3の発明の液晶表示装置の好適な液晶表
示装置の製造方法は、前記導電性層の形成材料を含む電
解溶液中に、配線が形成された基板を浸漬し、基板に電
圧を印加することにより配線上を導電性層で被覆する工
程を有することを特徴としている。
According to a third aspect of the invention, there is provided a method of manufacturing a liquid crystal display device, the method comprising immersing a substrate on which wirings are formed in an electrolytic solution containing a material for forming the conductive layer, and applying a voltage to the substrate. The method is characterized in that a step of covering the wiring with a conductive layer by applying the voltage is provided.

【0020】[0020]

【発明の実施の形態】以下に、添付図面を参照し、実施
形態例を挙げて本発明の実施の形態を具体的かつ詳細に
説明する。液晶表示装置の実施形態例1 本実施形態例は、本発明に係る液晶表示装置の実施形態
の一例であって、図4は本実施形態例の液晶表示装置の
構成を示す模式的断面図である。基板1上に形成された
金属等の導電性膜を成膜し、PR工程およびエッチング
工程を施すことによって、ゲート電極11を形成する。
次いで、SiN等の絶縁層とアモルファスシリコン等の
半導体層の積層膜を成膜し、PR工程およびエッチング
工程を施して、ゲート絶縁膜12と半導体層13とを形
成する。さらに、ゲート絶縁膜12及び半導体層13上
に導電性膜を成膜し、PR工程およびエッチング工程を
施すことによって、ソース電極14、ドレイン電極15
を形成し、スイッチング素子である薄膜トランジスタ
(TFT)を形成する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. Embodiment 1 of the liquid crystal display device This embodiment is an example of the embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention, and FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing the configuration of the liquid crystal display device of this embodiment. is there. A gate electrode 11 is formed by forming a conductive film such as a metal formed on the substrate 1 and performing a PR process and an etching process.
Next, a gate insulating film 12 and a semiconductor layer 13 are formed by forming a laminated film of an insulating layer such as SiN and a semiconductor layer such as amorphous silicon, and performing a PR process and an etching process. Further, a conductive film is formed on the gate insulating film 12 and the semiconductor layer 13 and subjected to a PR process and an etching process, so that the source electrode 14 and the drain electrode 15 are formed.
To form a thin film transistor (TFT) as a switching element.

【0021】この基板1上には、トランスファーパッド
17、及び信号入力用端子18が、画素電極16、ゲー
ト電極12、あるいはドレイン電極15と同一の金属層
により形成されている。画素電極16は、透過型の液晶
表示装置の場合、ITOのような透明な導電性膜によっ
て形成されている。また、反射型液晶表示装置の場合、
アルミニウム等の光を反射させる金属薄膜によって形成
されている。信号入力用の端子18は、それぞれ、スイ
ッチング素子を駆動するために、ゲート電極12、ソー
ス電極14、あるいはトランスファーパッド17に信号
を入力するためのものである。
On this substrate 1, transfer pads 17 and signal input terminals 18 are formed of the same metal layer as the pixel electrode 16, the gate electrode 12, or the drain electrode 15. In the case of a transmissive liquid crystal display device, the pixel electrode 16 is formed of a transparent conductive film such as ITO. In the case of a reflective liquid crystal display device,
It is formed of a metal thin film that reflects light such as aluminum. Each of the signal input terminals 18 is for inputting a signal to the gate electrode 12, the source electrode 14, or the transfer pad 17 to drive the switching element.

【0022】また、基板1と対向する基板2には、IT
Oのような透明電極19が形成されており、導電性接着
剤からなるトランスファー20によって、基板1上に形
成されたトランスファーパッド17と導通しており、信
号入力用端子18から透明電極19へ電圧を印加するこ
とができる。
The substrate 2 facing the substrate 1 has an IT
A transparent electrode 19 such as O is formed, and is electrically connected to a transfer pad 17 formed on the substrate 1 by a transfer 20 made of a conductive adhesive, and a voltage is applied from the signal input terminal 18 to the transparent electrode 19. Can be applied.

【0023】トランスファーパッド17の表面には、I
TOを含む導電性の高分子樹脂層30が形成されてい
る。高分子樹脂層30は、透過型液晶表示装置の場合、
ほとんどの場合、ITO等の画素電極16と同じ膜によ
って形成される。
On the surface of the transfer pad 17, I
A conductive polymer resin layer 30 containing TO is formed. In the case of a transmission type liquid crystal display device, the polymer resin layer 30
In most cases, it is formed of the same film as the pixel electrode 16 such as ITO.

【0024】反射型液晶表示装置のように、電極あるい
は配線等にITOを用いることがないような場合、トラ
ンスファーパッド表面上に導電性層を形成する形成工程
を新たに追加する必要がある。この場合、従来法による
と、ITO層の成膜、PR工程、およびエッチング工程
を施すことによって形成されるが、このようなパターニ
ング工程を追加することは、製造コストの増大につなが
るため、本発明では、ITOおよびPVA等高分子樹脂
を含む溶液に基板1を浸し、基板1と前記溶液に浸した
導電体との間に直流電圧を印加することによって、溶液
中に存在する前記ITO等の物質をトランスファーパッ
ドの露出している部分にのみ形成できる電着法を用いて
いる。そのため、本発明によると、表面パターニングを
行うために、PR工程を行う必要がない。
In the case where ITO is not used for electrodes or wirings as in a reflection type liquid crystal display device, it is necessary to newly add a forming step of forming a conductive layer on the surface of the transfer pad. In this case, according to the conventional method, an ITO layer is formed by performing film formation, a PR process, and an etching process. However, adding such a patterning process leads to an increase in manufacturing cost. Then, the substrate 1 is immersed in a solution containing a polymer resin such as ITO and PVA, and a DC voltage is applied between the substrate 1 and a conductor immersed in the solution, whereby the substance such as ITO present in the solution is present. Is used only in the exposed portion of the transfer pad. Therefore, according to the present invention, it is not necessary to perform a PR process for performing surface patterning.

【0025】本発明によるとスイッチング素子として、
薄膜トランジスタの変わりにMIM素子等を用いること
も可能である。また、基板1は、ガラス等の透明なもの
でなく、シリコンウェハのような不透明な基板でもよ
い。
According to the present invention, as the switching element,
It is also possible to use an MIM element or the like instead of the thin film transistor. Further, the substrate 1 is not limited to a transparent material such as glass, but may be an opaque substrate such as a silicon wafer.

【0026】液晶表示装置の実施形態例2 本実施形態例は、第2の発明に係る液晶表示装置の実施
形態の一例であって、図5(a)は本実施形態例の液晶
表示装置の構成を示す断面図である。第1の実施形態例
と同様に、基板1上には、図5(a)に示すように、ゲ
ート電極11、ゲート絶縁膜12、半導体層13、ソー
ス電極14、ドレイン電極15、トランスファーパッド
17、信号入力用端子18が形成され、絶縁層21がこ
れらの素子の上部に形成されている。絶縁層21には、
コンタクトホール22が形成されており、その上部に画
素電極16が形成されている。
Embodiment 2 of the liquid crystal display device This embodiment is an example of the embodiment of the liquid crystal display device according to the second invention, and FIG. 5A shows the liquid crystal display device of this embodiment. It is sectional drawing which shows a structure. As in the first embodiment, on the substrate 1, as shown in FIG. 5A, a gate electrode 11, a gate insulating film 12, a semiconductor layer 13, a source electrode 14, a drain electrode 15, and a transfer pad 17 are provided. , A signal input terminal 18 and an insulating layer 21 are formed on these elements. In the insulating layer 21,
The contact hole 22 is formed, and the pixel electrode 16 is formed on the contact hole 22.

【0027】本実施形態例の液晶表示装置の製造方法と
して、コンタクトホール部分に、電着法、電解法、めっ
き法等によって、溶液中に存在する物質を膜として形成
する方法がある。例えば、ITO等の導電性物質や、金
属等の存在する溶液中に、基板1を浸漬し画素電極16
を陽極とし、陰極との間に直流電流を流すと、前記溶液
中のITOあるいは、金属等の導電性層31が画素電極
16の表面に均一な膜として形成されるため、コンタク
トホールのエッジ部分のカバレッジ特性を向上させ、断
線等を防ぐことができるため、良好な表示を行うことが
できる。
As a method for manufacturing the liquid crystal display device of this embodiment, there is a method in which a substance existing in a solution is formed as a film in a contact hole portion by an electrodeposition method, an electrolytic method, a plating method, or the like. For example, the substrate 1 is immersed in a solution in which a conductive substance such as ITO or a metal exists, and
Is used as an anode, and when a direct current is passed between the anode and the cathode, a conductive layer 31 of ITO or a metal in the solution is formed as a uniform film on the surface of the pixel electrode 16, so that an edge portion of the contact hole is formed. Can improve the coverage characteristics and prevent disconnection and the like, so that good display can be performed.

【0028】さらに、図5の(b)に示すように、画素
電極16が断線するおそれある、又は現実に断線してい
るコンタクトホールのエッジ部分では、ゲート電極11
をオンさせ、ソース電極14を陽極と接続し、前記製造
方法を適用すると、ドレイン電極15の露出した部分
に、前記溶液中のITOあるいは、金属等の導電性層3
1が堆積して、コンタクトホール内部を埋めるように形
成されるため、ドレイン電極15と絶縁層上部の画素電
極16と接触し、断線している膜を接続することがで
き、画素欠陥等を防ぐことができる。
Furthermore, as shown in FIG. 5B, the gate electrode 11 may be disconnected at the edge of the contact hole where the pixel electrode 16 may be disconnected or actually disconnected.
Is turned on, the source electrode 14 is connected to the anode, and the above-described manufacturing method is applied. Then, the conductive layer 3 made of ITO or metal in the solution is formed on the exposed portion of the drain electrode 15.
1 is formed so as to fill the inside of the contact hole, so that the drain electrode 15 is in contact with the pixel electrode 16 on the insulating layer and the disconnected film can be connected to prevent pixel defects and the like. be able to.

【0029】液晶表示装置の実施形態例3 本実施形態例は、第3の発明に係る液晶表示装置の実施
形態の一例であって、図6は本実施形態例の液晶表示装
置の構成を示す断面図である。第1および第2の実施形
態例と同様、基板1上には、図6に示すように、薄膜ト
ランジスタ26等のスイッチング素子と配線24が形成
されている。また、その上部の絶縁層21を挟んで配線
25が、蓄積容量配線24と交差するように形成されて
いる。基板1をITO、金属等の導電性物質が存在する
電解溶液中に浸漬し、配線25を陽極とし、陰極との間
に直流電流を流すことによって、配線25の表面に均一
な導電性層が形成される。従って、段差部分のカバレッ
ジが向上し、配線の断線を防ぐことができる。
Third Embodiment of the Liquid Crystal Display Device The third embodiment is an example of the embodiment of the liquid crystal display device according to the third invention, and FIG. 6 shows the configuration of the liquid crystal display device of the present embodiment. It is sectional drawing. As in the first and second embodiments, a switching element such as a thin film transistor 26 and a wiring 24 are formed on the substrate 1 as shown in FIG. The wiring 25 is formed so as to intersect the storage capacitor wiring 24 with the upper insulating layer 21 interposed therebetween. The substrate 1 is immersed in an electrolytic solution in which a conductive substance such as ITO or a metal is present, and a uniform conductive layer is formed on the surface of the wiring 25 by passing a direct current between the wiring 25 and the cathode. It is formed. Therefore, the coverage of the step portion is improved, and disconnection of the wiring can be prevented.

【0030】液晶表示装置の製造方法の実施形態例1 本実施形態例は、本発明に係る液晶表示装置の製造方法
の実施形態の一例であって、図7(a)から(g)は本
実施形態例に従って液晶表示装置を製造する際の工程毎
の基板の構成を示す断面図である。まず、図7(a)に
示すように、ガラス等の基板1の表面に、クロム(C
r)等の金属層をスパッタリングにより成膜し、この金
属層にレジストを塗布し、露光・現像処理を施し、ゲー
ト電極、トランスファーパッド、および信号入力用端子
パターンを形成する。さらに、このパターニングしたレ
ジスト層をマスクとして、Cr膜をエッチングし、ゲー
ト電極11、トランスファーパッド17、信号入力用端
子18を形成する。
Embodiment 1 of the Method for Manufacturing a Liquid Crystal Display Device This embodiment is an example of an embodiment of a method for manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention, and FIGS. It is sectional drawing which shows the structure of the board | substrate for every process at the time of manufacturing a liquid crystal display device according to the embodiment. First, as shown in FIG. 7A, chromium (C
A metal layer such as r) is formed by sputtering, a resist is applied to the metal layer, and exposure and development are performed to form a gate electrode, a transfer pad, and a signal input terminal pattern. Further, using the patterned resist layer as a mask, the Cr film is etched to form the gate electrode 11, the transfer pad 17, and the signal input terminal 18.

【0031】次に、図7(b)に示すように、CVD法
等によって、シリコン窒化膜、およびアモルファスシリ
コン層の積層膜を成膜する。この積層膜にPR工程、お
よびエッチング工程を施すことにより、ゲート絶縁膜1
2、およびアモルファスシリコン層13のアイランドパ
ターンを形成する。
Next, as shown in FIG. 7B, a laminated film of a silicon nitride film and an amorphous silicon layer is formed by a CVD method or the like. By subjecting this laminated film to a PR process and an etching process, the gate insulating film 1 is formed.
2, and an island pattern of the amorphous silicon layer 13 is formed.

【0032】次いで、スパッタリングにより、Cr等の
金属層を成膜し、この膜にPR工程、およびエッチング
工程を施すことにより、図7(c)に示すように、ソー
ス電極14、ドレイン電極15を形成し、スイッチング
素子とする。
Next, a metal layer of Cr or the like is formed by sputtering, and the film is subjected to a PR process and an etching process, thereby forming the source electrode 14 and the drain electrode 15 as shown in FIG. Formed into a switching element.

【0033】さらに、CVD法等によって、シリコン窒
化膜、シリコン酸化膜等の絶縁層21を前記電極等の上
部に形成し、この膜にPR工程、およびエッチング工程
を施すことによって、図7(d)に示すように、コンタ
クトホール22を形成し、次いで、画素電極16を形成
する。
Further, an insulating layer 21 such as a silicon nitride film or a silicon oxide film is formed on the electrodes and the like by a CVD method or the like, and this film is subjected to a PR process and an etching process to obtain a structure shown in FIG. 2), a contact hole 22 is formed, and then a pixel electrode 16 is formed.

【0034】以上のようにして、スイッチング素子等を
形成した基板1を図8に示すような導電性膜被膜装置を
用いて、次のような処理を行う。本導電性膜被膜装置
は、界面活性材41等によりミセル化させた、粒子状の
ITO42を含んだ電解溶液を収容する槽40と、電解
溶液中に浸漬された電極51と、電極51に接続された
直流電源52を備えている。例えば、界面活性材41等
によりミセル化させた、粒子状のITO42を含んだ電
解溶液中に基板1を浸漬させる。電解溶液中に浸した導
電性の電極51を直流電源52の陰極側に接続し、トラ
ンスファーパッド17と電気的に導通している金属層を
陽極側に接続し、直流電圧を印加する。このとき、電解
溶液中に浸漬しているトランスファーパッド17上に、
電解溶液中のITO42が堆積し、図7(e)に示すよ
うな、トランスファーパッドの表面を保護するITOを
含む層30を形成する。
The substrate 1 on which the switching elements and the like are formed as described above is subjected to the following processing using a conductive film coating apparatus as shown in FIG. This conductive film coating apparatus is connected to a tank 40 containing an electrolytic solution containing particulate ITO 42, which is formed into micelles with a surfactant 41 or the like, an electrode 51 immersed in the electrolytic solution, and an electrode 51. DC power supply 52 is provided. For example, the substrate 1 is immersed in an electrolytic solution containing ITO in the form of micelles formed by the surfactant 41 or the like. The conductive electrode 51 immersed in the electrolytic solution is connected to the cathode side of the DC power supply 52, the metal layer electrically connected to the transfer pad 17 is connected to the anode side, and a DC voltage is applied. At this time, on the transfer pad 17 immersed in the electrolytic solution,
ITO 42 in the electrolytic solution is deposited to form a layer 30 containing ITO for protecting the surface of the transfer pad, as shown in FIG.

【0035】次いで、図7(f)に示すように、画素電
極16上に導電性層31を成膜する。続いて、図7
(g)に示すように、PR工程、およびエッチング工程
を施すことにより、コンタクトホール22を埋める。
Next, as shown in FIG. 7F, a conductive layer 31 is formed on the pixel electrode 16. Subsequently, FIG.
As shown in (g), the contact hole 22 is filled by performing a PR process and an etching process.

【0036】液晶表示装置の製造方法の実施形態例2 本実施形態例は、本発明に係る液晶表示装置の製造方法
の実施形態の別の例であって、図9は本実施形態例に従
って液晶表示装置を製造する際に使用する導電性膜被膜
装置の構成を示す模式的断面図である。実施形態例1と
同様に、図7(a)〜(e)に示すようにして、基板1
の表面に、ゲート電極11、トランスファーパッド1
7、信号入力用端子18を形成し、ゲート絶縁膜12、
およびアモルファスシリコン層13のアイランドパター
ンを形成し、ソース電極14、ドレイン電極15を形成
し、スイッチング素子とする。さらに、コンタクトホー
ル22を形成し、次いで、画素電極16を形成する。
Embodiment 2 of the manufacturing method of the liquid crystal display device This embodiment is another example of the embodiment of the manufacturing method of the liquid crystal display device according to the present invention, and FIG. FIG. 3 is a schematic cross-sectional view illustrating a configuration of a conductive film coating device used when manufacturing a display device. As in the first embodiment, as shown in FIGS.
Gate electrode 11, transfer pad 1
7, the signal input terminal 18 is formed, and the gate insulating film 12,
Then, an island pattern of the amorphous silicon layer 13 is formed, and a source electrode 14 and a drain electrode 15 are formed to form a switching element. Further, a contact hole 22 is formed, and then a pixel electrode 16 is formed.

【0037】次いで、スイッチング素子、画素電極等を
形成した基板1を、図9に示す導電層被覆装置に浸漬さ
せ、次のような処理を施す。本導電性膜被膜装置は、界
面活性材41等によりミセル化させた、粒子状のITO
42又は銀等の金属43を含んだ電解溶液を収容する槽
40と、電解溶液中に浸漬された電極51と、電極51
に接続された直流電源52を備えている。電解溶液中に
浸した導電性の電極51を直流電源52の陰極側に接続
し、ゲート電極をオンさせた状態で、ソース電極14を
直流電源52の陽極側に接続すると、図7(f)に示す
ように、画素電極16の表面に、前記電解溶液中のIT
O42あるいは、銀等の金属43からなる導電性層31
が形成される。これにより、画素電極16のコンタクト
ホールエッジ部分を導電性層によって被膜し、カバレッ
ジ特性を向上させることができる。
Next, the substrate 1 on which the switching elements, the pixel electrodes, etc. are formed is immersed in the conductive layer coating apparatus shown in FIG. 9 and subjected to the following processing. This conductive film coating apparatus is composed of a particulate ITO formed into micelles by a surfactant 41 or the like.
A tank 40 containing an electrolytic solution containing a metal 43 such as 42 or silver; an electrode 51 immersed in the electrolytic solution;
Is provided with a DC power supply 52 connected to the power supply. When the conductive electrode 51 immersed in the electrolytic solution is connected to the cathode side of the DC power supply 52, and the source electrode 14 is connected to the anode side of the DC power supply 52 with the gate electrode turned on, FIG. As shown in the figure, the surface of the pixel electrode 16
O42 or conductive layer 31 made of metal 43 such as silver
Is formed. Thereby, the edge portion of the contact hole of the pixel electrode 16 is coated with the conductive layer, and the coverage characteristics can be improved.

【0038】液晶表示装置の製造方法の実施形態例3 本実施形態例は、本発明に係る液晶表示装置の製造方法
の実施形態の更に別の例であって、図10(a)から
(d)は本実施形態例に従って液晶表示装置を製造する
際の工程毎の基板の構成を示す断面図である。まず、ガ
ラス等の基板1の表面に、Cr等の金属層をスパッタリ
ングにより成膜し、この金属層にレジストを塗布し、露
光・現像工程を施し、ゲート配線、およびゲート電極パ
ターンを形成する。さらに、このパターニングしたレジ
スト層をマスクとして、Cr膜のエッチングを行い、図
10(a)に示すように、ゲート配線27、ゲート電極
11を形成する。
Third Embodiment of the Method of Manufacturing a Liquid Crystal Display The third embodiment is still another example of the embodiment of the method of manufacturing a liquid crystal display according to the present invention. 3) is a cross-sectional view showing the configuration of the substrate for each step when manufacturing the liquid crystal display device according to the embodiment. First, a metal layer such as Cr is formed on the surface of the substrate 1 such as glass by sputtering, a resist is applied to the metal layer, and an exposure and development step is performed to form a gate wiring and a gate electrode pattern. Further, using the patterned resist layer as a mask, the Cr film is etched to form the gate wiring 27 and the gate electrode 11 as shown in FIG.

【0039】次に、CVD法を用いて、シリコン窒化
膜、シリコン酸化膜等により、ゲート絶縁層12、アモ
ルファスシリコン層を成膜し、図10(b)に示すよう
に、TFTのアイランド28を形成する。
Next, a gate insulating layer 12 and an amorphous silicon layer are formed by a silicon nitride film, a silicon oxide film or the like by using the CVD method, and the TFT island 28 is formed as shown in FIG. Form.

【0040】次いで、図10(c)に示すように、スパ
ッタリングにより、Cr層29を形成する。
Next, as shown in FIG. 10C, a Cr layer 29 is formed by sputtering.

【0041】以上のようにして形成した基板1を、図8
に示す導電性膜被膜装置に浸漬させ、次のような処理を
加えた。導電性膜被膜装置中には、ITO42が存在す
る電解溶液が満たされており、電解溶液中に浸した導電
性の電極51を直流電源52の陰極側に接続し、Cr層
29を直流電源52の陽極側に接続すると、図10
(d)に示すように、Cr層29の表面に、前記電解溶
液中のITO42からなる導電性層31が形成すること
ができる。これにより、Cr層29の下部ゲート配線2
7や、TFTアイランド28による段差部分を導電性層
によって被膜し、カバレッジ特性を向上させることがで
きる。
The substrate 1 formed as described above is used in FIG.
Was immersed in the conductive film coating apparatus shown in (1), and the following treatment was applied. The conductive film coating apparatus is filled with an electrolytic solution in which ITO 42 is present. The conductive electrode 51 immersed in the electrolytic solution is connected to the cathode side of the DC power supply 52, and the Cr layer 29 is connected to the DC power supply 52. When connected to the anode side of FIG.
As shown in (d), a conductive layer 31 made of ITO 42 in the electrolytic solution can be formed on the surface of the Cr layer 29. Thereby, the lower gate wiring 2 of the Cr layer 29 is formed.
7 and a step portion formed by the TFT island 28 can be coated with a conductive layer to improve coverage characteristics.

【0042】以上の液晶表示装置の製造方法の実施形態
例1から3で示した方法で形成した基板1を、透明電極
19が形成された基板2と重ね合わせることによって、
本発明に係る液晶表示装置を作製することができる。
The substrate 1 formed by the method shown in the first to third embodiments of the method for manufacturing a liquid crystal display device is overlapped with the substrate 2 on which the transparent electrode 19 is formed.
The liquid crystal display device according to the present invention can be manufactured.

【0043】[0043]

【発明の効果】本発明の液晶表示装置の構成によれば、
導電性接着剤層の下端のトランスファーパッドにおける
接触抵抗の増加を防ぎ、また、コンタクトホール部分
や、配線あるいは電極が交差して段差を形成した領域で
の金属膜の断線等を防ぐことによって、良好な表示を行
うことができる液晶表示装置を実現している。本発明に
係る液晶表示装置の製造方法は、本発明の液晶表示装置
を製造できる好適な方法を実現している。
According to the structure of the liquid crystal display device of the present invention,
Good by preventing an increase in contact resistance at the transfer pad at the lower end of the conductive adhesive layer and preventing disconnection of the metal film at the contact hole portion, or at the area where the wiring or electrode crosses and forms a step. A liquid crystal display device capable of performing various displays is realized. The method for manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention realizes a preferable method for manufacturing the liquid crystal display device according to the present invention.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】従来の液晶表示装置の構成を示す断面図であ
る。
FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a conventional liquid crystal display device.

【図2】従来の別の液晶表示装置の構成を示す断面図で
ある。
FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a configuration of another conventional liquid crystal display device.

【図3】図3は従来の更に別の液晶表示装置の構成を示
す断面図である。
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a configuration of still another conventional liquid crystal display device.

【図4】実施形態例1の液晶表示装置の構成を示す模式
的断面図である。
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view illustrating a configuration of a liquid crystal display device according to a first embodiment.

【図5】図5(a)及び(b)は、それぞれ、実施形態
例2の液晶表示装置の構成を示す模式的断面図である。
FIGS. 5A and 5B are schematic cross-sectional views each showing a configuration of a liquid crystal display device according to a second embodiment.

【図6】実施形態例3の液晶表示装置の構成を示す模式
的断面図である。
FIG. 6 is a schematic cross-sectional view illustrating a configuration of a liquid crystal display device according to a third embodiment.

【図7】図7(a)から(g)は、それぞれ、実施形態
例1の方法に従って液晶表示装置を製造する際の工程毎
の基板の構成を示す断面図である。
FIGS. 7A to 7G are cross-sectional views each showing a configuration of a substrate in each step when manufacturing a liquid crystal display device according to the method of the first embodiment.

【図8】導電層被覆装置の構成を示す断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a conductive layer coating device.

【図9】別の導電層被覆装置の構成を示す断面図であ
る。
FIG. 9 is a cross-sectional view illustrating a configuration of another conductive layer coating device.

【図10】図10(a)から(d)は、それぞれ、実施
形態例3の方法に従って液晶表示装置を製造する際の工
程毎の基板の構成を示す断面図である。
FIGS. 10A to 10D are cross-sectional views each showing a configuration of a substrate for each step when manufacturing a liquid crystal display device according to the method of Embodiment 3. FIGS.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板 2 透明基板 3 液晶 11 ゲート電極 12 ゲート絶縁層 13 アモルファスシリコン層 14 ソース電極 15 ドレイン電極 16 画素電極 17 トランスファーパッド 18 信号入力用端子 19 透明電極 20 導電性接着剤 21 絶縁層 22 コンタクトホール 24 蓄積容量配線 25 配線 26 薄膜トランジスタ 27 ゲート配線 28 TFTアイランド 29 Cr層 30 導電性物質層 31 導電性物質層 41 界面活性剤 42 ITO 43 金属粒子 51 電極 52 直流電源 Reference Signs List 1 substrate 2 transparent substrate 3 liquid crystal 11 gate electrode 12 gate insulating layer 13 amorphous silicon layer 14 source electrode 15 drain electrode 16 pixel electrode 17 transfer pad 18 signal input terminal 19 transparent electrode 20 conductive adhesive 21 insulating layer 22 contact hole 24 Storage capacitor wiring 25 Wiring 26 Thin film transistor 27 Gate wiring 28 TFT island 29 Cr layer 30 Conductive material layer 31 Conductive material layer 41 Surfactant 42 ITO 43 Metal particle 51 Electrode 52 DC power supply

フロントページの続き (56)参考文献 特開 平10−301129(JP,A) 特開 昭64−78228(JP,A) 特開 昭62−159125(JP,A) 実開 昭64−357(JP,U)Continuation of the front page (56) References JP-A-10-301129 (JP, A) JP-A-64-78228 (JP, A) JP-A-62-159125 (JP, A) Jpn. , U)

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 相互に対向し、それぞれ電極を有する一
対の基板と、該一対の基板相互間に封入された液晶と、
前記一対の基板の少なくとも一方に設けられ、液晶に電
圧を印加するための画素電極と、該印加電圧を制御する
ためのスイッチング素子と、前記一対の基板上の電極を
導通させるための導電性接着剤層とを備える液晶表示装
置において、前記導電性接着剤層の下端に接続用に設けられた金属パ
ッドの 表面が導電性粒子を含む高分子樹脂剤からなる導
電性層によって、被覆されていることを特徴とする液晶
表示装置。
A pair of substrates opposed to each other and each having an electrode; a liquid crystal sealed between the pair of substrates;
A pixel electrode provided on at least one of the pair of substrates, for applying a voltage to the liquid crystal, a switching element for controlling the applied voltage, and a conductive adhesive for conducting the electrodes on the pair of substrates. And a metal layer provided for connection at the lower end of the conductive adhesive layer.
The liquid crystal display device in which the surface of the head is a conductive layer made of a polymer resin material containing conductive particles, characterized in that it is coated.
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