JP3316977B2 - Pattern inspection method - Google Patents

Pattern inspection method

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JP3316977B2
JP3316977B2 JP27901293A JP27901293A JP3316977B2 JP 3316977 B2 JP3316977 B2 JP 3316977B2 JP 27901293 A JP27901293 A JP 27901293A JP 27901293 A JP27901293 A JP 27901293A JP 3316977 B2 JP3316977 B2 JP 3316977B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は,フィルムキャリア等
により形成されたパタ−ンを自動的に検査する方法に関
するもので,特に,不良品の不良部位における不良状態
を判定する検査方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for automatically inspecting a pattern formed by a film carrier or the like, and more particularly to an inspection method for judging a defective state in a defective portion of a defective product. is there.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来,IC,LSIの実装に用いられる
フィルムキャリアは,厚さ75〜125μm程度のポリ
イミドフィルムの上に,銅箔を接着剤で貼り付け,両面
にフォトレジストを塗布し,マスク露光,現像,エッチ
ングを行ってリ−ドのパタ−ンを形成している。
2. Description of the Related Art Conventionally, a film carrier used for mounting ICs and LSIs is a polyimide film having a thickness of about 75 to 125 μm, a copper foil is adhered with an adhesive, a photoresist is applied to both sides, and a mask is applied. Exposure, development and etching are performed to form a lead pattern.

【0003】このようにしてパタ−ンを形成後,フォト
レジストが除去され,リ−ドの表面にSn,Au,半田
メッキ処理を行ってフィルムキャリア工程が終了する。
この工程終了後,顕微鏡を用いて人間により目視でパタ
−ンの検査が行われている。このように,微細なパタ−
ンを目視で検査するには,熟練を要するとともに,目を
酷使する結果となる等の問題があった。
After the pattern is formed in this manner, the photoresist is removed, and the surface of the lead is plated with Sn, Au, and solder to complete the film carrier process.
After the completion of this step, the pattern is visually inspected by a human using a microscope. Thus, the fine pattern
Inspection of the eye visually requires skill and results in the abuse of eyes.

【0004】一方,目視検査に代わるものとして,パタ
−ンをTVカメラで撮像し,基準パタ−ンとして被測定
パタ−ンとの一致率をもとにして検査を行うパタ−ンマ
ッチング手法によることも考えられる。しかしながら,
一致率は下式で表されるように,画素単位の計測であ
り,フィルムキャリアのような微細なパタ−ンの検査に
は不向きである。 一致率={(全体の画素−一致していない画素)/(全
体の画素)}×100% 又,同一形状のリ−ドが連続するようなパタ−ンの場合
には,リ−ドが1本分ずれて位置合わせしてしまう場合
もあり,同一形状のパタ−ンの繰り返しの場合には問題
があった。
On the other hand, as an alternative to the visual inspection, a pattern matching method is used in which a pattern is imaged by a TV camera and an inspection is performed as a reference pattern based on the coincidence rate with the pattern to be measured. It is also possible. However,
As shown by the following equation, the coincidence rate is a measurement in pixel units, and is not suitable for inspection of a fine pattern such as a film carrier. Matching rate = {(whole pixel−unmatched pixel) / (whole pixel)} × 100% Also, in the case of a pattern in which leads of the same shape are continuous, the lead is In some cases, the positions may be shifted by one line, and there is a problem in the case of repeating patterns of the same shape.

【0005】そこで,上記の問題点を解決するために,
発明者は先に,以下のような方法を出願した。即ち,良
品と判定されている被測定パタ−ンをマスタパタ−ンと
し,その濃淡画像を画像メモリに記憶するとともに,こ
の画像メモリに記憶されたマスタパタ−ンの濃淡ヒスト
グラムから,これを二値化処理して,マスタパタ−ンの
エッジデ−タを求め,このエッジデ−タから最小二乗法
により直線化して登録するとともに,互いに対向して位
置する両直線の中心線LM と幅Wとを求めてこれをマス
タパタ−ン情報として登録し,これを基準パタ−ンとす
る。一方,被測定パタ−ンのエッジデ−タは,マスタパ
タ−ンの各直線に対応付けされ,両者が比較照合され,
誤差が検査され,良品,不良品の判定がなされる方法で
ある。
Therefore, in order to solve the above problems,
The inventor has previously filed the following method. That is, the pattern to be measured which is determined to be non-defective is defined as a master pattern, and its grayscale image is stored in an image memory, and is binarized from the grayscale histogram of the master pattern stored in this image memory. processed to Masutapata - down of Ejjide - seeking data, the Ejjide - and registers was linearized by the least square method from the data, seeking and centerline L M and width W of the two straight lines that are located opposite each other This is registered as master pattern information, and this is used as a reference pattern. On the other hand, the edge data of the pattern to be measured is associated with each straight line of the master pattern, and the two are compared and collated.
This is a method in which errors are inspected and non-defective and defective products are determined.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする問題点】しかしながら,上記
の方法では,被測定パタ−ンに沿って求められたエッジ
デ−タとマスタパタ−ンのデ−タとを比較して良品,不
良品の判断をしていたため,パタ−ン全体が位置ずれし
ている場合には,求められたエッジデ−タはマスタパタ
−ンのデ−タと一致してしまい,位置ずれがあることを
誤認してしまうという問題があった。即ち,被測定パタ
−ンに沿った片側だけのエッジデ−タからは,不良部位
がずれているのか,又,不良部位が突起状であるのかあ
るいは細りであるか認識出来ず,不良状態を正確に判定
することができないという問題があった。
However, according to the above method, the edge data obtained along the pattern to be measured and the data of the master pattern are compared to determine a good or defective product. Therefore, if the entire pattern is misaligned, the obtained edge data matches the data of the master pattern, and it is erroneously recognized that there is a misalignment. There was a problem. That is, from the edge data on only one side along the pattern to be measured, it is not possible to recognize whether the defective portion is displaced, or whether the defective portion is protruding or thin, so that the defective state can be accurately determined. Cannot be determined.

【0007】[0007]

【問題点を解決するための手段】この発明は,被測定パ
タ−ンのエッジデ−タから,対応付けされたマスタパタ
−ンの直線へ垂線を降ろし,この垂線までの長さΔdを
誤差量とし,この誤差量Δdが大の時,マスタパタ−ン
の中心線LM に被測定パタ−ンの互いに対向するエッジ
デ−タから垂線を降ろし,この互いに対向するエッジデ
−タから中心線LM までの距離を求めることにより,不
良部位におけるエッジデ−タの幅wを求め,この不良部
位におけるエッジデ−タとマスタパタ−ンのエッジデ−
タとから被測定パタ−ンの不良部位の長さXを求め,こ
の不良部位の長さXが,X>kWあるいはX<kWを不
良部位の長さXの判定基準とするとともに,被測定パタ
−ンの幅wが,yW>wあるいはw<zWを不良部位の
幅wの判定基準とすることにより,k,y,zを初期設
定して被測定パタ−ンの不良部位における不良状態を判
定するようにしたものである。
According to the present invention, a perpendicular line is dropped from the edge data of a pattern to be measured to a straight line of a master pattern corresponding thereto, and the length Δd to the perpendicular line is defined as an error amount. when the error amount Δd is large, Masutapata - measured at the center line L M of the emission pattern - emissions of opposing Ejjide - Lower the perpendicular from data, the mutually facing Ejjide - from data to the center line L M By obtaining the distance, the width w of the edge data at the defective part is obtained, and the edge data at the defective part and the edge data of the master pattern are obtained.
The length X of the defective portion of the pattern to be measured is determined from the data, and the length X of the defective portion is used as a criterion for determining the length X of X> kW or X <kW. When the width w of the pattern is determined to be yW> w or w <zW as a criterion for determining the width w of the defective portion, k, y, and z are initially set and the defective state at the defective portion of the pattern to be measured is set. Is determined.

【0008】[0008]

【作用】良品と判定されている被測定パタ−ンをマスタ
パタ−ンとし,その濃淡画像を画像メモリに記憶すると
ともに,この画像メモリに記憶されたマスタパタ−ンの
濃淡ヒストグラムから,これを二値化処理して,マスタ
パタ−ンのエッジデ−タを求め,このエッジデ−タから
マスタパタ−ンを直線の集合に変換して直線化して登録
するとともに,互いに対向位置する両直線の中心線LM
と幅Wとを求めてこれをマスタパタ−ン情報として登録
し,これを基準パタ−ンとする。
The pattern to be measured which is determined to be non-defective is defined as a master pattern, its grayscale image is stored in an image memory, and a binary histogram is obtained from the grayscale histogram of the master pattern stored in this image memory. The edge data of the master pattern is obtained by performing the conversion process, the master pattern is converted into a set of straight lines based on the edge data and registered as a straight line, and the center line L M of the two straight lines facing each other is registered.
And the width W are obtained and registered as master pattern information, and this is used as a reference pattern.

【0009】被測定パタ−ンのエッジデ−タから,不良
部位におけるエッジデ−タの幅wを求め,この不良部位
におけるエッジデ−タとマスタパタ−ンのエッジデ−タ
とから被測定パタ−ンの不良部位の長さXを求め,この
不良部位の長さXが,X>kWあるいはX<kWを不良
部位の長さXの判定基準とするとともに,被測定パタ−
ンの幅wが,yW>wあるいはw<zWを不良部位の幅
wの判定基準とする。
The width w of the edge data at the defective portion is determined from the edge data of the pattern to be measured, and the defect of the pattern to be measured is determined from the edge data at the defective portion and the edge data of the master pattern. The length X of the defective portion is determined, and the length X of the defective portion is determined using X> kW or X <kW as a criterion for determining the length X of the defective portion.
The width w of the defective portion is determined as yW> w or w <zW as a criterion for determining the width w of the defective portion.

【0010】このk,y,zの値を初期設定して,マス
タパタ−ンの幅Wと被測定パタ−ンの幅とを基準にし
て,不良部位における不良状態を判定することにより,
不良部位が位置ずれしている場合でも位置補正して,不
良状態を検査出来る。
The values of k, y, and z are initialized, and a defective state at a defective portion is determined based on the width W of the master pattern and the width of the pattern to be measured.
Even when the defective part is displaced, the position can be corrected and the defective state can be inspected.

【0011】[0011]

【発明の実施例】この発明の実施例を,図1〜図18に
基づいて詳細に説明する。図1はこの発明の実施例を示
す処理フロ−,図2〜図4は先に出願した発明の実施例
を示すマスタパタ−ンの処理フロ−,パタ−ン検査装置
の基本動作図,システム構成図,図5〜図13は先の発
明の実施例をパタ−ンの検査方法を説明するための説明
図,図14〜図18は発明の実施例を示す説明図であ
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. FIG. 1 is a processing flow showing an embodiment of the present invention, and FIGS. 2 to 4 are processing flows of a master pattern and a basic operation diagram of a pattern inspection apparatus showing an embodiment of the present invention, and a system configuration. FIGS. 5 to 13 are explanatory views for explaining a pattern inspection method according to the embodiment of the present invention, and FIGS. 14 to 18 are explanatory views showing an embodiment of the invention.

【0012】まず,この発明を実施する具体的なパタ−
ン検査装置について,図3に示す基本動作図および図4
に示すシステム構成図に基づいて説明する。なお,この
実施例では,被測定パタ−ンmとしてTABテ−プのパ
タ−ンを例にとり,そのパタ−ンを検査する場合につい
て説明する。
First, a specific pattern embodying the present invention will be described.
The basic operation diagram shown in FIG. 3 and FIG.
A description will be given based on the system configuration diagram shown in FIG. In this embodiment, a case where a pattern of a TAB tape is used as an example of the pattern to be measured m and the pattern is inspected will be described.

【0013】図3において,パタ−ン検査装置は,リ−
ルに巻かれているTABテ−プ(図示せず)のフィルム
を送り出す巻出し部1,定寸送り・位置決め部2,良品
不良品を判定処理する検出部3,判定処理が終了したテ
−プを次に切断工程に送る定寸送り・位置決め部4,不
良品のテ−プを切断する打ち抜き部5,再度リ−ルにテ
−プを巻取るための巻取り部6とにより構成されてい
る。
In FIG. 3, a pattern inspection device is
Unwinding unit 1 for feeding out a TAB tape (not shown) film wound on a table 1, fixed-size feeding / positioning unit 2, detecting unit 3 for judging non-defective products, and 3 A feeder for positioning and feeding the tape to the next cutting step; a punching section for cutting the tape of defective products; and a winding section 6 for winding the tape on the reel again. ing.

【0014】図4は,システム構成図を示すもので,シ
ステム制御部7はこのシステム全体を制御し,メニュ−
や結果を表示するカラ−CRT8,品種の設定,登録,
操作メニュ−の選択を行うキ−ボ−ド9,シ−ケンサ部
10,プリンタ11,画像メモリ12,CPU(計測ユ
ニット)13,信号セレクタ14等が制御されている。
FIG. 4 shows a system configuration diagram. A system control unit 7 controls the entire system, and
And CRT8 for displaying results and product types, setting, registration,
A keyboard 9 for selecting an operation menu, a sequencer unit 10, a printer 11, an image memory 12, a CPU (measurement unit) 13, a signal selector 14, and the like are controlled.

【0015】シ−ケンサ部10は,システム制御部7の
制御のもとに,操作スイッチ・表示ランプ15,テ−プ
ランナ部16,テ−プパンチャ部17,X−Yテ−ブル
18等を制御している。19はフロッピ−ディスクであ
る。
The sequencer unit 10 controls an operation switch / display lamp 15, a taper unit 16, a tape puncher unit 17, an XY table 18, and the like under the control of the system control unit 7. are doing. 19 is a floppy disk.

【0016】ドライバ20によりX方向のモ−タ21,
シ−ケンサ部10を介してテ−ブルコントロ−ラ(3
軸)22とY−S−Pドライバ23とによりY方向のモ
−タ24およびスパン軸用モ−タ25が制御されて,X
−Yテ−ブル18は,それぞれX方向,Y方向およびス
パン軸方向に駆動制御される。従って,TABテ−プ
は,X−Yテ−ブル18上のカメラ26,27で撮像さ
れ,その画像はA/D変換器28によりデジタル変換さ
れ,画像メモリ12に画素単位で記憶される。検出部3
は,カメラ26,27とこの移動機構部分,X−Yテ−
ブル18,CPU13,A/D変換器28,画像メモリ
12により構成されている。
The motor 20 in the X direction is
A table controller (3) via the sequencer unit 10
Axis) 22 and the Y-S-P driver 23 control the motor 24 in the Y direction and the motor 25 for the span axis.
The drive of the -Y table 18 is controlled in the X direction, the Y direction, and the span axis direction, respectively. Therefore, the TAB tape is picked up by the cameras 26 and 27 on the XY table 18 and the image is digitally converted by the A / D converter 28 and stored in the image memory 12 in pixel units. Detector 3
Are the cameras 26 and 27 and the moving mechanism, XY
And an A / D converter 28, and the image memory 12.

【0017】次に,このパタ−ン検査装置の作用動作に
ついて説明する。リ−ルに巻き取られているTABテ−
プは,シ−ケンサ部10の制御のもとに,テ−プランナ
部16に1コマづつX−Yテ−ブル18上のカメラ2
6,27の所定位置に送り出され位置決めされる。X−
Yテ−ブル18はYおよびX軸方向の駆動モ−タ24,
21,スパン軸方向モ−タ25により3軸方向を制御す
ることにより,それぞれ位置決めされる。
Next, the operation of the pattern inspection apparatus will be described. TAB tape wound on reel
Under the control of the sequencer unit 10, the camera 2 on the XY table 18 is transferred to the tape planner unit 16 frame by frame.
It is sent out to predetermined positions of 6, 27 and positioned. X-
The Y table 18 includes drive motors 24 in the Y and X axis directions,
21, the positioning is performed by controlling the three axial directions by the span axial direction motor 25.

【0018】所定位置に位置決めされた1コマのTAB
テ−プのパタ−ンは,2台のカメラ26,27により撮
像され,その濃淡画像はA/D変換器28によりデジタ
ル信号に変換され,画素単位で画像メモリ12に記憶さ
れる。一方,画像メモリ12には,検査の開始に当たっ
て,良品と判定されたTABテ−プのマスタパタ−ン情
報が作成され記憶される。このマスタパタ−ンMとTA
Bパタ−ン(被測定パタ−ンm)とが検出部3におい
て,後述するような方法で比較され,良品,不良品の判
定処理がなされる。
One frame of TAB positioned at a predetermined position
The pattern of the tape is picked up by two cameras 26 and 27, and the grayscale image is converted into a digital signal by an A / D converter 28 and stored in the image memory 12 in pixel units. On the other hand, in the image memory 12, at the start of the inspection, master pattern information of the TAB tape determined to be non-defective is created and stored. This master pattern M and TA
The B pattern (measured pattern m) is compared in the detection unit 3 by a method described later, and a process for determining a good product or a defective product is performed.

【0019】このようにして,各コマ毎に良品,不良品
の判定処理がなされたTABテ−プは,順次各コマ毎に
テ−プパンチャ部17に送り込まれ,不良品が打ち抜か
れた後,巻取り部6において,再度リ−ルに巻き取ら
れ,検査が終了する。
The TAB tape which has been subjected to the process of judging a non-defective product or a defective product for each frame in this way is sequentially sent to the tape puncher unit 17 for each frame, and after the defective product is punched out, The take-up unit 6 takes up the reel again to complete the inspection.

【0020】次に,検出部3においてTABパタ−ンが
良品,不良品と判定処理されるためのTABパタ−ンの
検査方法について,図1に基づいて説明する。検査に先
立って,良品と判定されているTABテ−プから,基準
となるマスタパタ−ンMを作成して,マスタパタ−ン情
報として画像メモリ12に登録しておかねばならない。
Next, a method of inspecting the TAB pattern so that the detection unit 3 determines that the TAB pattern is a good product or a defective product will be described with reference to FIG. Prior to the inspection, a master pattern M serving as a reference must be created from a TAB tape determined to be non-defective, and registered in the image memory 12 as master pattern information.

【0021】以下,マスタパタ−ンMの作成方法につい
て,図2に基づいて説明する。白黒のカメラ26,27
で撮像され,良品と判定されたTABテ−プのパタ−ン
の濃淡画像は,図5にそのパタ−ンの一部が示され,図
6,図7にその拡大図が示されているが,それは,ま
ず,一旦画像メモリ12に登録される(ステップ4
0)。次いで,そのエッジ座標(エッジデ−タ)が,図
5,図6に示されるように,濃淡画像が白→黒,黒→白
と変化している点の中点において,しきい値SL と交叉
するものと仮定して抽出される(ステップ41)。
Hereinafter, a method of creating the master pattern M will be described with reference to FIG. Black and white cameras 26, 27
5A and 5B show a part of the pattern, and FIG. 6 and FIG. 7 are enlarged views of the gray-scale image of the pattern of the TAB tape determined as non-defective. However, it is first registered once in the image memory 12 (step 4
0). Then, the edge coordinates (Ejjide - data) is 5, as shown in FIG. 6, the grayscale image is white → black, at the midpoint of points has changed black → white, and the threshold value S L It is extracted assuming that they intersect (step 41).

【0022】マスタパタ−ンMのエッジデ−タの抽出
は,全体画像の濃淡ヒストグラムからこれを二値化処理
し,しきい値SL の両隣の白,黒の画素において比例配
分(即ち,中点を求めることになる)で,しきい値SL
をよぎるX又はY座標値(以下,エッジデ−タと記す)
1 (4.5,2),N2 (5,2.5),N3 (5.
5,3)・・・・が求められる(ステップ41)。
[0022] Masutapata - Ejjide of emissions M - the data extraction processes binarized it from the density histogram of the entire image, white on both sides of the threshold S L, prorated in black pixels (i.e., the midpoint ), And the threshold value S L
X or Y coordinate value (hereinafter referred to as edge data)
N 1 (4.5, 2 ), N 2 (5, 2.5), N 3 (5.
5, 3) are obtained (step 41).

【0023】次に,図8に示すように,このようにして
求められた点の集合であるマスタパタ−ンMの各エッジ
デ−タN1 ,N2 ,N3 ・・・は最小二乗法により直線
1,A2 ,A3 ・・として直線化される(ステップ4
2)。なお,この場合,各エッジデ−タN1 ,N2 ,N
3 ・・・から直線A1 ,A2,A3 ・・・に垂線を下
し,それぞれ各エッジデ−タN1 ,N2 ,N3 ・・・か
ら直線A1 .A2 ・・までの距離ΔN1 ,ΔN2 ,ΔN
3 ・・・が,0.3画素以下の場合には,これは直線化
可能なエッジデ−タとして直線A1 ,A2 ・・・に含め
られる。このようにして,点の集合として抽出されてい
るマスタパタ−ンMのエッジデ−タN1 ,N2 ,N3
・・を直線化して,最終的にはマスタパタ−ンMは直線
1 ,A2 ,A3 ・・の集合に変換される(ステップ4
2)。
Next, as shown in FIG. 8, each of the edge data N 1 , N 2 , N 3 ... Of the master pattern M, which is a set of points obtained in this manner, is calculated by the least square method. Are linearized as straight lines A 1 , A 2 , A 3.
2). In this case, the edge data N 1 , N 2 , N
3 ... beat perpendicular to a straight line A 1, A 2, A 3, ... from each respective Ejjide - data N 1, N 2, N linear A 1 from 3 .... Distance to A 2 ··· ΔN 1 , ΔN 2 , ΔN
3 ... are, in the case of 0.3 pixel or less, this linearized possible Ejjide - included in the straight line A 1, A 2, ... as data. In this way, Masutapata are extracted as a set of points - Ejjide of emissions M - data N 1, N 2, N 3 ·
.. Are linearized, and finally the master pattern M is converted into a set of straight lines A 1 , A 2 , A 3.
2).

【0024】次に,マスタパタ−ンMの幅Wが求められ
る。図9に示すように,互いに対向する直線A1 と直線
n ,直線A2 と直線An-1 ・・・から中心線LM を求
め,この中心線デ−タは,マスタパタ−ン情報として登
録される(ステップ43)。なお,この情報は,被測定
パタ−ンmを検査する場合にリ−ドの方向性を調べるの
に使用される。
Next, the width W of the master pattern M is determined. As shown in FIG. 9, obtains a center line L M from the straight line A 1 and the straight line A n, a straight line A 2 and the line A n-1 ··· which face each other, the center line de - data is Masutapata - down information (Step 43). This information is used to check the direction of the lead when checking the pattern to be measured m.

【0025】求められた中心線LM に垂直な直線HM
引いた時,この直線HM が直線A1とAN ,A2 とAN-1
・・・と交叉する点までの幅がマスタパタ−ンMの幅
Wと等しくなる。即ち,中心線LM は両直線A1 とA
n-1 との距離を直径とする内接円の中心の軌跡となると
ともに,直径がマスタパタ−ンMの幅Wとなる(ステッ
プ44)。このようにして順次求められたマスタパタ−
ンMの直線A1 ,A2 ,A3 ・・・,中心線LM は,マ
スタパタ−ン情報として登録されて,基準となるマスタ
パタ−ンMが作成される(ステップ45)。
When a straight line H M perpendicular to the obtained center line L M is drawn, the straight line H M becomes straight lines A 1 and A N , A 2 and A N-1.
Are equal to the width W of the master pattern M. That is, the center line L M both linear A 1 and A
The trajectory becomes the center locus of the inscribed circle whose diameter is the distance from n-1 and the diameter becomes the width W of the master pattern M (step 44). The master pattern obtained sequentially in this way
The center lines L M of the straight lines A 1 , A 2 , A 3 ... Of the pattern M are registered as master pattern information, and a master pattern M as a reference is created (step 45).

【0026】このようにして,図2に示す手順でマスタ
パタ−ンMが作成されると,次には,実際にTABテ−
プの被測定パタ−ンmが,図1に示す手順で検査され
る。TABテ−プは,図3,図4に示すように,リ−ル
に巻き取られており,巻出し部1から,1コマずつ送り
出され,カメラ26,27により被測定パタ−ンmが撮
像される。この時,撮像された画像は,図5に示すよう
な濃淡画像となり,A/D変換器28でデジタル化され
て,画像メモリ12に一旦記憶される。画像メモリ12
に記憶されているマスタパタ−ンMとこの被測定パタ−
ンmとは,検出部3のCPU13で読み出され,位置合
わせした後,比較,照合されて,被測定パタ−ンmが検
査される(ステップ46)。
When the master pattern M is created in the procedure shown in FIG. 2 in the manner described above, the next step is to actually execute the TAB pattern.
The pattern m to be measured is inspected according to the procedure shown in FIG. As shown in FIGS. 3 and 4, the TAB tape is wound around a reel, sent out from the unwinding unit 1 frame by frame, and the pattern to be measured m is measured by the cameras 26 and 27. It is imaged. At this time, the captured image becomes a grayscale image as shown in FIG. 5, is digitized by the A / D converter 28, and is temporarily stored in the image memory 12. Image memory 12
The master pattern M stored in the memory and the measured pattern
The pattern m is read out by the CPU 13 of the detection section 3, and after alignment, comparison and collation are performed, and the pattern to be measured m is inspected (step 46).

【0027】ここで,被測定パタ−ンmをマスタパタ−
ンMと比較,照合して検査する場合の前提条件を,図1
0に基づいて説明する。 (1)マスタパタ−ンMおよび被測定パタ−ンmのエッ
ジデ−タn1 ,n2 ,n3 ・・・は,例えば,検査範囲
を設定する一つの手法として,ウインド30によってマ
スクされ,ウインド30の中のパタ−ンのみが検査の対
象となる(ステップ47)。 (2)ウインド30によって一部分切り出された被測定
パタ−ンmは,図10に示すように,必ずウインド30
の4辺のいづれかに接しており,パタ−ン31で示され
る形状のパタ−ン部分は,エッジデ−タとしては認識し
ない。 (3)検査は,必ず出発点Sからウインド30の4辺を
一定方向に回って進められ,最後に出発点Sに戻り,画
面の検査が完了する。
Here, the pattern to be measured m is defined as a master pattern.
Figure 1 shows the prerequisites for comparing and checking with
Description will be made based on 0. (1) The edge data n 1 , n 2 , n 3 ... Of the master pattern M and the pattern to be measured m are masked by the window 30 as one method for setting an inspection range, for example. Only patterns in 30 are to be inspected (step 47). (2) The pattern m to be measured partially cut out by the window 30 must be the window 30 as shown in FIG.
And the pattern portion having the shape shown by pattern 31 is not recognized as edge data. (3) The inspection always proceeds from the starting point S around the four sides of the window 30 in a certain direction, and finally returns to the starting point S, completing the screen inspection.

【0028】このような前提条件のもとに,以下の手順
で被測定パタ−ンmの検査が行われる。図11は,検査
時の状態を示すもので,マスタパタ−ンMのエッジデ−
タは最小二乗法により直線化されて,直線A1 ,A2
3 ・・・で示されており,抽出された被測定パタ−ン
mのエッジデ−タn1 ,n2 ,n3 ・・・が黒丸で示さ
れている(ステップ48)。
Under such preconditions, the pattern to be measured m is inspected in the following procedure. FIG. 11 shows the state at the time of inspection, and the edge data of the master pattern M is shown.
Are linearized by the least squares method, and the straight lines A 1 , A 2 ,
A 3 are indicated by.., Extracted the measured pattern - Ejjide of emissions m - data n 1, n 2, n 3 ··· are indicated by black dots (step 48).

【0029】そこで,まず,被測定パタ−ンmのエッジ
デ−タn1 ,n2 ,n3 ・・・が,マスタパタ−ンMの
どの直線と対応するかの対応付けが行われなければなら
ない。この対応付けを行うために,図11,図12に示
すように,マスタパタ−ンMの互いに隣接する直線A1
と直線A2 ,直線A2 と直線A3 ・・・が持つ角度a,
b・・・をそれぞれ2等分する直線A2',A3'・・・を
算出する。
Therefore, first, it is necessary to make correspondence between the edge data n 1 , n 2 , n 3 ... Of the pattern to be measured m and the straight line of the master pattern M. . In order to make this association, as shown in FIGS. 11 and 12, the straight lines A 1 adjacent to each other in the master pattern M are adjacent to each other.
And the straight line A 2 , and the angle a, which the straight line A 2 and the straight line A 3 have,
Calculate straight lines A 2 ′, A 3 ′.

【0030】従って,マスタパタ−ンMは,この直線A
2',A3'・・・で区分され,各直線A1 ,A2 ,A3
・に対応する領域(以下,領域A1 ,A2 ,A3 ・・・
と記す)に分割されることになるので,被測定パタ−ン
mのエッジデ−タn1 ,n2,n3 ・・・は,すべて領
域A1 ,A2 ,A3 ・・・に対応付けされる(ステップ
49)。
Therefore, the master pattern M is represented by the straight line A
2 ′, A 3 ′..., And each straight line A 1 , A 2 , A 3.
Area (hereinafter, areas A 1 , A 2 , A 3 ...)
), The edge data n 1 , n 2 , n 3 ... Of the pattern to be measured m all correspond to the regions A 1 , A 2 , A 3. (Step 49).

【0031】次に,マスタパタ−ンMと被測定パタ−ン
mとの誤差量(ずれ)Δdが測定されなければならな
い。このためには,図13に示すように,被測定パタ−
ンmのエッジデ−タn1 ,n2 ,n3 ・・・から直線A
1 ,A2 ・・・にそれぞれ垂線h1 ,h2 ,h3 ・・・
を降ろし,この垂線h1 ,h2 ,h3 ・・・が,それぞ
れ直線A1 ,A2 ・・・と交叉する距離Δd(Δd1
Δd2 ・・・)を求めると,この距離Δdが誤差量,即
ち,マスタパタ−ンMと被測定パタ−ンmとのずれ量と
なる(ステップ50)。
Next, the amount of error (difference) Δd between the master pattern M and the pattern to be measured m must be measured. For this purpose, as shown in FIG.
From the edge data n 1 , n 2 , n 3.
1 , A 2 ... Are perpendicular to h 1 , h 2 , h 3.
The down distance [Delta] d ([Delta] d 1 this perpendicular line h 1, h 2, h 3 ··· is, crossing the straight line A 1, A 2 · · · respectively,
When determining the [Delta] d 2 · · ·), the amount of this distance [Delta] d is an error, i.e., Masutapata - emission M and the measured pattern - a shift amount between the emission m (step 50).

【0032】次に,実際に各種の検査をする場合につい
て説明する。実際の検査をする場合には,被測定パタ−
ンmの幅wを求め,この幅wと基準となるマスタパタ−
ンMの幅WとがCPU13において比較演算され,良
品,不良品の判定がなされる。この際,良品,不良品の
判定基準値として,不良部位の長さXの判定基準として
X=kW,および被測定パタ−ンの幅wが,yW>wあ
るいはw<zWを不良部位の幅wの判定基準としてCP
U13に初期条件として設定されている(ステップ5
1)。この実施例の場合には,k=2,y=2/3,z
=4/3として初期設定されている。
Next, the case where various kinds of inspections are actually performed will be described. When performing an actual inspection, the measured pattern
The width w of the reference m is determined, and this width w is used as a reference master pattern.
The CPU 13 compares the width W of the pattern M with the width W of the non-defective product. At this time, X = kW as a criterion for judging the length X of the defective part as a criterion value for judging a good part and a defective part, and the width w of the pattern to be measured is yW> w or w <zW, CP as a criterion for w
U13 is set as an initial condition (step 5).
1). In the case of this embodiment, k = 2, y = 2, z
= 4/3 is initially set.

【0033】従って,一般には,判定係数をyおよびz
(但し,y<z)とした時,被測定パタ−ンmの幅wと
マスタパタ−ンMの幅Wとが, yW<w<zW となる時,良品と判定し,幅wがこの範囲外にある時を
パタ−ンの幅不適として不良品と判定される。
Therefore, generally, the judgment coefficients are defined as y and z.
When y <z, the width w of the pattern to be measured m and the width W of the master pattern M satisfy yW <w <zW. When it is outside, the pattern width is determined to be inappropriate and it is determined to be defective.

【0034】そこで,まず,被測定パタ−ンmの幅wを
求める場合について説明する。図14は,被測定パタ−
ンmの幅wを求める状態を示すもので,図13に示すよ
うに,被測定パタ−ンmのエッジデ−タn1 ,n2 ,n
3 ・・・から,マスタパタ−ンMの直線A1 ,A2 ・・
・に垂線を下し,この垂線までの長さΔd(誤差量)
(Δd1 ,Δd2 ・・・)を求め,この誤差量Δdが小
さい場合には,そのまま良品として判定される。
First, the case where the width w of the pattern to be measured m is determined will be described. FIG. 14 shows the pattern to be measured.
13 shows a state in which the width w of the pattern m is obtained. As shown in FIG. 13, the edge data n 1 , n 2 , n
From 3 ..., the straight lines A 1 , A 2 ... of the master pattern M
・ A vertical line is drawn, and the length to this vertical line Δd (error amount)
(Δd 1 , Δd 2 ...) Are obtained, and if the error amount Δd is small, it is determined as a good product as it is.

【0035】誤差量Δdが大きいエッジデ−タn(n
1 ,n2 ,・・nn )に対しては,マスタパタ−ンMの
中心線LM に対してそれぞれ垂線を下ろして,その距離
を求め,互いに対向する被測定パタ−ンmのエッジデ−
タn(n1 ,n2 ,・・nn )から幅w(w1 ,w2
・nn )が求められる。
Edge data n (n
1, n 2, for the · · n n), Masutapata - Lower the respective perpendicular to the center line L M of the emission M, the distance determined, the measured pattern opposing - the emissions m Ejjide -
N (n 1 , n 2 ,... N n ) to width w (w 1 , w 2.
Nn ) is required.

【0036】この求められた被測定パタ−ンmの幅w
が,CPU13において,マスタパタ−ンMの幅Wと比
較,演算される。CPU13には初期条件が設定されて
おり,この実施例の場合には,マスタパタ−ンMの幅を
Wとした時,被測定パタ−ンの幅wの判定基準値が設定
されている。即ち, (2/3)W<w<(4/3)W の範囲内に入っているか否かを見て(ステップ51),
この範囲内に入っている場合には,良品と判定され,範
囲外の場合には細り,太り,突起,欠けのいずれかに対
応する不良品と判定されるように設定されている。
The obtained width w of the pattern to be measured m
Is compared and calculated by the CPU 13 with the width W of the master pattern M. Initial conditions are set in the CPU 13, and in this embodiment, when the width of the master pattern M is W, a reference value for determining the width w of the pattern to be measured is set. That is, it is determined whether or not it is within the range of (2/3) W <w <(4/3) W (step 51),
If it is within this range, it is determined that it is a good product, and if it is out of the range, it is determined that it is a defective product corresponding to any of thin, thick, protrusion, or chipped.

【0037】次に,不良品と判定された場合,不良部位
における不良状態を実際に判定する場合について説明す
る。 (1).「細り」の検査 図15は,不良品と判定された被測定パタ−ンmが,
「細り」と判定される検査時の状態を示すもので,上記
図14のようにして求められた被測定パタ−ンmのエッ
ジデ−タnの誤差量Δdが,1画素分以上ずれが発生し
ているエッジデ−タn1 からチェックを開始し,エッジ
デ−タn1 ,n2 ,n3 ・・・とチェックして最終のエ
ッジデ−タnn までチェックしてそのずれが発生してい
る長さXを求める。
Next, a description will be given of a case where a defective state is actually determined when a defective product is determined. (1). Inspection of “thinning” FIG. 15 shows that the pattern to be measured m determined to be defective is
This indicates a state at the time of inspection determined to be "thin", and the error amount Δd of the edge data n of the measured pattern m obtained as shown in FIG. and it has Ejjide and - starts checking the data n 1, Ejjide - data n 1, n 2, n 3 ··· and the check and final Ejjide - the deviation check to data n n is occurring Find the length X.

【0038】次いで,上記のように,マスタパタ−ンM
の中心線LM に対してそれぞれ垂線を下ろして,その距
離を求め,互いに対向する被測定パタ−ンmのエッジデ
−タn(n1 ,n2 ,・・nn )から幅w(w1 ,w2
・・wn )が求められる。
Next, as described above, the master pattern M
Lower the perpendicular respectively to the center line L M of the distance determined, the measured pattern opposing - the emissions m Ejjide - data n (n 1, n 2, ·· n n) the width w (w 1 , w 2
.. Wn ) are required.

【0039】このようにして求められた被測定パタ−ン
mのずれの長さXおよび幅w(w1,w2 ・・wn
は,CPU13においてマスタパタ−ンMのデ−タと比
較演算される。その結果,マスタパタ−ンMの幅W,被
測定パタ−ンmのずれの長さX,幅wとした時,ずれの
長さX>2W(ステップ52),且つ,幅w<2W/3
の時(ステップ53)のみ,「細り」と判定されて不良
品と判定される(ステップ54)。
The length X and width w (w 1 , w 2 ... W n ) of the displacement of the measured pattern m thus obtained.
Is compared with the data of the master pattern M in the CPU 13. As a result, assuming that the width W of the master pattern M and the length X and the width w of the deviation of the pattern to be measured m, the deviation length X> 2W (step 52) and the width w <2W / 3.
Only at the time (step 53), it is determined to be "thin" and is determined to be defective (step 54).

【0040】(2).「太り」の検査 図16は,不良品と判定された被測定パタ−ンmが,
「太り」と判定される検査時の状態を示すもので,上記
細りを検査したと同様に,被測定パタ−ンmのエッジデ
−タnの誤差量Δdが,1画素分以上ずれが発生してい
るエッジデ−タn1 からチェックを開始し,エッジデ−
タn1 ,n2 ,n3 ・・・とチェックして最終のエッジ
デ−タnn までチェックしてそのずれが発生している長
さXを求める。
(2). FIG. 16 shows that the measured pattern m determined to be defective is
This indicates the state at the time of the inspection determined to be "fat". In the same manner as in the inspection of the thinning, the error amount Δd of the edge data n of the pattern to be measured m is shifted by one pixel or more. and are Ejjide - to start the check from the data n 1, Ejjide -
Data n 1, n 2, n 3 ··· and the check and final Ejjide - checks to data n n by determining the length X of the deviation occurs.

【0041】次いで,上記のように,マスタパタ−ンM
の中心線LM に対してそれぞれ垂線を下ろして,その距
離を求め,互いに対向する被測定パタ−ンmのエッジデ
−タn(n1 ,n2 ,・・nn )から幅w(w1 ,w2
・・wn )が求められる。
Next, as described above, the master pattern M
Lower the perpendicular respectively to the center line L M of the distance determined, the measured pattern opposing - the emissions m Ejjide - data n (n 1, n 2, ·· n n) the width w (w 1 , w 2
.. Wn ) are required.

【0042】このようにして求められた被測定パタ−ン
mのずれの長さXおよび幅w(w1,w2 ・・wn
は,CPU13においてマスタパタ−ンMのデ−タと比
較演算される。その結果,マスタパタ−ンMの幅W,被
測定パタ−ンmのずれの長さX,幅wとした時,ずれの
長さX>2W(ステップ52),且つ,幅w>4W/3
の時(ステップ55)のみ,「太り」と判定されて不良
品と判定される(ステップ56)。
The length X and width w (w 1 , w 2 ... W n ) of the displacement of the pattern to be measured m obtained in this manner.
Is compared with the data of the master pattern M in the CPU 13. As a result, when the width W of the master pattern M and the length X and the width w of the deviation of the pattern to be measured m, the deviation length X> 2W (step 52) and the width w> 4W / 3.
Only at the time (step 55), it is determined to be "fat" and is determined to be defective (step 56).

【0043】(3).「欠け」の検査 図17は,不良品と判定された被測定パタ−ンmが,
「欠け」と判定される検査時の状態を示すもので,上記
細りや太りを検査したと同様にして,被測定パタ−ンm
のずれが発生している長さXを求める。
(3). FIG. 17 shows that the measured pattern m determined to be defective is
This indicates the state at the time of the inspection that is determined to be "chipped", and the pattern to be measured m
The length X at which the displacement occurs is determined.

【0044】次いで,上記と同様にして,被測定パタ−
ンmのエッジデ−タn(n1 ,n2,・・nn )から幅
w(w1 ,w2 ・・wn )が求められる。
Next, in the same manner as above, the pattern to be measured is
Of emissions m Ejjide - data n (n 1, n 2, ·· n n) the width w (w 1, w 2 ·· w n) is obtained.

【0045】このようにして求められた被測定パタ−ン
mのずれの長さXおよび幅w(w1,w2 ・・wn
は,CPU13においてマスタパタ−ンMのデ−タと比
較演算される。その結果,マスタパタ−ンMの幅W,被
測定パタ−ンmのずれの長さX,幅wとした時,ずれの
長さX<2W(ステップ57),且つ,幅w<2W/3
の時(ステップ58)のみ,「欠け」と判定されて不良
品と判定される(ステップ59)。
The length X and width w (w 1 , w 2 ... W n ) of the displacement of the measured pattern m thus obtained.
Is compared with the data of the master pattern M in the CPU 13. As a result, assuming that the width W of the master pattern M and the length X and the width w of the deviation of the pattern to be measured m, the deviation length X <2W (step 57) and the width w <2W / 3.
Only in the case of (step 58), it is determined that the chip is "missing" and is determined to be defective (step 59).

【0046】(4).「突起」の検査 図18は,不良品と判定された被測定パタ−ンmが,
「突起」と判定される検査時の状態を示すもので,上記
(1)〜(3)において検査したと同様に,被測定パタ
−ンmのずれが発生している長さXが求められる。
(4). Inspection of “protrusion” FIG. 18 shows that the measured pattern m determined to be defective is
This indicates the state at the time of inspection determined to be "projection", and the length X at which the pattern to be measured m is displaced is obtained in the same manner as in the inspection in the above (1) to (3). .

【0047】次いで,上記と同様にして,被測定パタ−
ンmのエッジデ−タn(n1 ,n2,・・nn )から幅
w(w1 ,w2 ・・wn )が求められる。
Next, in the same manner as above, the pattern to be measured is
Of emissions m Ejjide - data n (n 1, n 2, ·· n n) the width w (w 1, w 2 ·· w n) is obtained.

【0048】このようにして求められた被測定パタ−ン
mのずれの長さXおよび幅w(w1,w2 ・・wn
は,同様にCPU13においてマスタパタ−ンMのデ−
タと比較演算される。その結果,マスタパタ−ンMの幅
W,被測定パタ−ンmのずれの長さX,幅wとした時,
ずれの長さX<2W(ステップ57),且つ,幅w>4
W/3の時(ステップ60)のみ,「突起」と判定され
て不良品と判定される(ステップ61)。
The length X and width w (w 1 , w 2 ... W n ) of the displacement of the measured pattern m thus obtained.
Is the data of the master pattern M in the CPU 13 as well.
Is compared with the data. As a result, when the width W of the master pattern M and the length X and the width w of the deviation of the pattern to be measured m,
Shift length X <2W (step 57) and width w> 4
Only at the time of W / 3 (step 60), it is determined to be "projection" and to be defective (step 61).

【0049】[0049]

【発明の効果】この発明は,被測定パタ−ンのエッジデ
−タから,対応付けされたマスタパタ−ンの直線へ垂線
を降ろし,この垂線までの長さΔdを誤差量とし,この
誤差量Δdが大の時,マスタパタ−ンの中心線LM に被
測定パタ−ンの互いに対向するエッジデ−タから垂線を
降ろし,この互いに対向するエッジデ−タから中心線L
M までの距離を求めることにより,不良部位におけるエ
ッジデ−タの幅wを求め,この不良部位におけるエッジ
デ−タとマスタパタ−ンのエッジデ−タとから被測定パ
タ−ンの不良部位の長さXを求め,この不良部位の長さ
Xが,X>kWあるいはX<kWを不良部位の長さXの
判定基準とするとともに,被測定パタ−ンの幅wが,y
W>wあるいはw<zWを不良部位の幅wの判定基準と
することにより,k,y,zを初期設定して被測定パタ
−ンの不良部位における不良状態を判定するようにし
て,マスタパタ−ンの幅を検査の基準としているので,
被測定パタ−ンが全体的に位置ずれしている場合でも位
置補正した状態で検査することができ,いかなる形状の
ものでも正確にその不良品の不良部位における不良状態
を検査することが出来る。
According to the present invention, a perpendicular line is dropped from the edge data of the pattern to be measured to a straight line of the master pattern corresponding thereto, and the length Δd to this perpendicular line is defined as an error amount. Is large, a perpendicular is dropped from the opposing edge data of the pattern to be measured to the center line LM of the master pattern, and the center line L is moved from the opposing edge data to the center line L M.
By obtaining the distance to M , the width w of the edge data at the defective portion is obtained, and the length X of the defective portion of the measured pattern is obtained from the edge data at the defective portion and the edge data of the master pattern. The length X of the defective portion is determined by using X> kW or X <kW as a criterion for determining the length X of the defective portion, and the width w of the pattern to be measured is defined as y
By using W> w or w <zW as a criterion for determining the width w of the defective portion, k, y, and z are initialized to determine a defective state in the defective portion of the pattern to be measured. -The width of the line is used as the inspection standard.
Even if the pattern to be measured is displaced as a whole, the inspection can be performed with the position corrected, and the defective state of the defective part in any defective shape can be inspected accurately.

【0050】特に,従来のように,パタ−ンに沿って求
めた片側だけのエッジデ−タだけから判断していた場合
には,突起,細り,太り,欠け等は,一義的に定義する
ことが不可能であったが,これらの状態を正確に定義付
けすることが出来る。
In particular, as in the prior art, when judging only from one side edge data obtained along a pattern, the projection, thinning, fattening, chipping, etc. must be uniquely defined. Was impossible, but we can define these states exactly.

【0051】検査条件は,初期条件として任意に設定す
ることが出来るから,必要に応じて検査条件を変更する
ことが出来るとともに,すべての不良品の不良部位にお
ける不良状態を同一の検査条件で判断することが出来る
から,正確な検査結果が得られる。
Since the inspection conditions can be arbitrarily set as the initial conditions, the inspection conditions can be changed as necessary, and the defect states of the defective portions of all the defective products are judged under the same inspection conditions. And accurate test results can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明の実施例を示す処理フロ−である。FIG. 1 is a processing flow showing an embodiment of the present invention.

【図2】マスタパタ−ンの処理フロ−である。FIG. 2 is a processing flow of a master pattern.

【図3】パタ−ン検査装置の基本動作図である。FIG. 3 is a basic operation diagram of the pattern inspection apparatus.

【図4】システム構成図である。FIG. 4 is a system configuration diagram.

【図5】被測定パタ−ンの一部である。FIG. 5 is a part of a pattern to be measured.

【図6】マスタパタ−ンのエッジデ−タを求めるための
説明図で,図5の拡大図である。
FIG. 6 is an explanatory view for obtaining edge data of a master pattern, and is an enlarged view of FIG. 5;

【図7】図6の拡大図である。FIG. 7 is an enlarged view of FIG. 6;

【図8】マスタパタ−ンを直線化するための説明図であ
る。
FIG. 8 is an explanatory diagram for linearizing a master pattern.

【図9】マスタパタ−ンの幅Wを求めるための説明図で
ある。
FIG. 9 is an explanatory diagram for obtaining a width W of a master pattern.

【図10】ウインドに表示された被測定パタ−ンであ
る。
FIG. 10 is a pattern to be measured displayed in a window.

【図11】マスタパタ−ンの直線と被測定パタ−ンのエ
ッジデ−タとの関係を示す図である。
FIG. 11 is a diagram showing a relationship between a straight line of a master pattern and edge data of a pattern to be measured.

【図12】マスタパタ−ンの領域を区分するための説明
図である。
FIG. 12 is an explanatory diagram for dividing an area of a master pattern.

【図13】ずれ(誤差量)を求めるための説明図であ
る。
FIG. 13 is an explanatory diagram for determining a shift (error amount).

【図14】この発明の実施例を示すもので,パタ−ン幅
の検査の説明図である。
FIG. 14 shows an embodiment of the present invention and is an explanatory view of a pattern width inspection.

【図15】この発明の実施例を示すもので,細りの検査
の説明図である。
FIG. 15 shows an embodiment of the present invention and is an explanatory view of thinning inspection.

【図16】この発明の実施例を示すもので,太りの検査
の説明図である。
FIG. 16 shows an embodiment of the present invention and is an explanatory diagram of an inspection for fattening.

【図17】この発明の実施例を示すもので,欠けの検査
の説明図である。
FIG. 17 shows an embodiment of the present invention and is an explanatory diagram of chipping inspection.

【図18】この発明の実施例を示すもので,突起の検査
の説明図である。
FIG. 18 shows an embodiment of the present invention and is an explanatory view of inspection of a projection.

【符号の説明】 M マスタパタ−ン A1 ,A2 ・・・マスタパタ−ンMの直線 N1 ,N2 ・・・マスタパタ−ンのエッジデ−タ HM マスタパタ−ンの直線 LM マスタパタ−ンの中心線 W マスタパタ−ンの幅 Δd 誤差量(ずれ) m 被測定パタ−ン w 被測定パタ−ンの幅 n1 ,n2 ・・・被測定パタ−ンのエッジデ−タ X ずれの長さ 12 画像メモリ 13 CPU[EXPLANATION OF SYMBOLS] M Masutapata - emission A 1, A 2 ··· Masutapata - linear N 1 of emissions M, N 2 · · · Masutapata - down of Ejjide - motor H M Masutapata - down of the straight line L M Masutapata - down center line W Masutapata of - width Δd error amount of emissions (deviation) m to be measured patterns - down w measured pattern - emission width n 1, n 2 ··· measured pattern of - emissions of Ejjide - the data X displacement length 12 Image memory 13 CPU

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G06T 7/00 - 7/60 G06T 1/00 H01L 21/66 G01B 11/00 - 11/30 G01N 21/84 - 21/958 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) G06T 7 /00-7/60 G06T 1/00 H01L 21/66 G01B 11/00-11/30 G01N 21 / 84-21/958

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 被測定パタ−ンの良品をマスタパタ−ン
の濃淡画像として画像メモリに記憶し,この画像メモリ
に記憶された前記マスタパタ−ンの濃淡ヒストグラムか
らこれを二値化処理して前記マスタパタ−ンのエッジデ
−タを求め,このエッジデ−タから最小二乗法により前
記マスタパタ−ンを直線の集合に変換し,これらの直線
から互いに対向して位置する両直線の中心線LM を求め
て前記マスタパタ−ン情報として登録し,この中心線L
M に直角に交わる線と前記両直線とが交わる点までの長
さから前記互いに対向する直線の幅Wを求めて前記マス
タパタ−ン情報として登録することにより,被測定パタ
−ンと比較するための基準となる前記マスタパタ−ンを
作成し,前記被測定パタ−ンを画像メモリに記憶し,前
記マスタパタ−ンと前記被測定パタ−ンとを位置合わせ
するとともに,検査範囲を設定し,この検査範囲の周辺
に,前記被測定パタ−ンのエッジデ−タが存在し,前記
検査範囲の周辺を一定方向に検査して前記被測定パタ−
ンのエッジデ−タを抽出し,前記マスタパタ−ンの互い
に隣接する直線が持つ角度を2等分する直線を算出し,
この直線により前記マスタパタ−ンを前記各直線にそれ
ぞれ対応する領域に分割し,この各領域内に存在する被
測定パタ−ンのエッジデ−タを前記マスタパタ−ンの直
線にそれぞれ対応付けし,それぞれ対応付けされた前記
被測定パタ−ンのエッジデ−タと前記マスタパタ−ンの
エッジデ−タとの誤差を検出して良品,不良品の判定を
するパタ−ンの検査方法において,前記被測定パタ−ン
のエッジデ−タから前記対応付けされた前記マスタパタ
−ンの直線へ垂線を降ろし,この垂線までの長さΔdを
誤差量とし,この誤差量Δdが大の時,前記マスタパタ
−ンの中心線LM に前記被測定パタ−ンの互いに対向す
るエッジデ−タから垂線を降ろし,この互いに対向する
エッジデ−タから前記中心線LM までの距離を求めるこ
とにより,不良部位における前記エッジデ−タの幅wを
求め,この不良部位におけるエッジデ−タと前記マスタ
パタ−ンのエッジデ−タとから前記被測定パタ−ンの不
良部位の長さXを求め,この不良部位の長さXが,X>
kWあるいはX<kWを前記不良部位の長さXの判定基
準とするとともに,前記被測定パタ−ンの幅wが,yW
>wあるいはw<zWを前記不良部位の幅wの判定基準
とすることにより,前記k,y,zを初期設定して前記
被測定パタ−ンの不良部位における不良状態を判定する
ことを特徴とするパタ−ンの検査方法。
1. A non-defective pattern to be measured is stored in an image memory as a gray image of a master pattern, and is binarized from a gray histogram of the master pattern stored in the image memory. Masutapata - down of Ejjide - seeking data, the Ejjide - the method of least squares from the data Masutapata - converts in to a set of straight lines, find the center line L M of both straight lines lying opposite each other from these lines The center line L is registered as the master pattern information.
To determine the width W of the straight lines facing each other from the length to the point where the straight line intersects at right angles with M and the two straight lines and register the width W as the master pattern information, to compare with the pattern to be measured. The master pattern which is a reference of the above is prepared, the pattern to be measured is stored in an image memory, the master pattern and the pattern to be measured are aligned, and an inspection range is set. The edge data of the pattern to be measured exists around the inspection range, and the periphery of the inspection range is inspected in a certain direction to check the pattern to be measured.
The edge data of the master pattern is extracted, and a straight line that bisects the angle of the straight lines adjacent to each other in the master pattern is calculated.
The straight line divides the master pattern into regions respectively corresponding to the straight lines, and associates the edge data of the pattern to be measured present in each region with the straight line of the master pattern. In the pattern inspection method for detecting an error between the associated edge data of the pattern to be measured and the edge data of the master pattern to determine a non-defective product or a defective product, A perpendicular line is dropped from the edge data of the pattern to the straight line of the master pattern associated with the pattern, and a length Δd to the perpendicular line is defined as an error amount. When the error amount Δd is large, the center of the master pattern is determined. Ejjide opposing the emission - - the measured pattern line L M down the perpendicular from data, Ejjide this opposing - by obtaining the distance from the other to the center line L M, defect sites The width w of the edge data at the defective portion is determined, and the length X of the defective portion of the pattern to be measured is determined from the edge data at the defective portion and the edge data of the master pattern. X is X>
kW or X <kW is used as a criterion for determining the length X of the defective portion, and when the width w of the pattern to be measured is yW
By setting> w or w <zW as a criterion for determining the width w of the defective portion, k, y, and z are initially set to determine a defective state in the defective portion of the pattern to be measured. Inspection method of pattern.
【請求項2】 前記k=2,y=2/3と初期設定し
て,前記不良部位の長さX>2Wであるとともに,w<
2W/3となる時,前記被測定パタ−ンの前記不良部位
における不良状態を細りと判定することを特徴とする請
求項1に記載のパタ−ンの検査方法。
2. Initially setting k = 2 and y = 2, the length of the defective portion is X> 2W and w <2.
2. The pattern inspection method according to claim 1, wherein when the value becomes 2W / 3, the defective state in the defective portion of the pattern to be measured is determined to be thin.
【請求項3】 前記k=2,y=2/3と初期設定し
て,前記不良部位の長さX<2Wであるとともに,w<
2W/3となる時,前記被測定パタ−ンの前記不良部位
における不良状態を欠けと判定することを特徴とする請
求項1に記載のパタ−ンの検査方法。
3. Initially setting k = 2 and y = 2/3, the length X of the defective portion is smaller than 2W, and w <
2. The pattern inspection method according to claim 1, wherein when the value becomes 2W / 3, the defective state in the defective portion of the pattern to be measured is determined to be missing.
【請求項4】 前記k=2,z=4/3と初期設定し
て,前記不良部位の長さX>2Wであるとともに,w>
4W/3となる時,前記被測定パタ−ンの前記不良部位
における不良状態を太りと判定することを特徴とする請
求項1に記載のパタ−ンの検査方法。
4. Initially setting k = 2 and z = 4/3, the length X of the defective portion is greater than 2W and w>
2. The pattern inspection method according to claim 1, wherein when the value becomes 4W / 3, the failure state at the defective portion of the pattern to be measured is determined to be fat.
【請求項5】 前記k=2,z=4/3と初期設定し
て,前記不良部位の長さX<2Wであるとともに,w>
4W/3となる時,前記被測定パタ−ンの前記不良部位
における不良状態を突起と判定することを特徴とする請
求項1に記載のパタ−ンの検査方法。
5. Initially setting k = 2 and z = 4/3, the length X of the defective portion is X <2W and w>
2. The pattern inspection method according to claim 1, wherein when the value becomes 4W / 3, the defective state at the defective portion of the pattern to be measured is determined to be a protrusion.
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