JP3296528B2 - Semiconductor exposure apparatus and device manufacturing method - Google Patents

Semiconductor exposure apparatus and device manufacturing method

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JP3296528B2
JP3296528B2 JP33095694A JP33095694A JP3296528B2 JP 3296528 B2 JP3296528 B2 JP 3296528B2 JP 33095694 A JP33095694 A JP 33095694A JP 33095694 A JP33095694 A JP 33095694A JP 3296528 B2 JP3296528 B2 JP 3296528B2
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70066Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明はウエハ上にステップ・ア
ンド・リピート方式によって回路パターンを焼き付ける
半導体露光装置およびデバイス製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor exposure apparatus and a device manufacturing method for printing a circuit pattern on a wafer by a step-and-repeat method.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、レチクル上の回路パターンを半導
体ウエハ上にステップ・アンド・リピート方式により焼
き付ける半導体露光装置においては、露光ジョブを実行
するのに必要な種々のパラメータを補助記憶装置からロ
ードし、あるいはオペレータがこれらパラメータを入力
もしくは訂正し、そのパラメータに従ってジョブを実行
するが、その際、ウエハ上に各ショット位置がどのよう
に配置されるかを示す露光レイアウトをディスプレイ上
に表示し、これによってオペレータが露光レイアウトを
確認できるようになっている。そして、この露光レイア
ウトは、ジョブ・パラメータ中のウエハ・サイズ、Xお
よびY方向のステップ・ピッチ、ロー・コラム方向のシ
ョット数等に基づき、各ショットの配置が碁盤目状の図
形として表示される。
2. Description of the Related Art Conventionally, in a semiconductor exposure apparatus for printing a circuit pattern on a reticle onto a semiconductor wafer by a step-and-repeat method, various parameters necessary for executing an exposure job are loaded from an auxiliary storage device. Alternatively, the operator inputs or corrects these parameters and executes the job according to the parameters. At this time, an exposure layout showing how each shot position is arranged on the wafer is displayed on a display. Allows the operator to check the exposure layout. In this exposure layout, the arrangement of each shot is displayed as a grid pattern based on the wafer size, the step pitch in the X and Y directions, the number of shots in the low column direction, and the like in the job parameters. .

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、実際の
各ショットにおける露光領域は、マスキング・ブレード
の開口状態によって制限されるため、ステップ・ピッチ
により区画される上述の碁盤目状のものは、必ずしも各
露光領域を正しく反映したものとは言えない場合があ
る。したがって、ディスプレイ上に表示された露光レイ
アウトから予想されるものと、実際に焼き付けられるも
のとはかなり異なるといった事態が生じ得るという問題
がある。
However, since the actual exposure area in each shot is limited by the opening state of the masking blade, the above-mentioned grid pattern defined by the step pitch is not necessarily the same. In some cases, it cannot be said that the exposure area is correctly reflected. Therefore, there is a problem that a situation may occur in which what is expected from the exposure layout displayed on the display is considerably different from what is actually printed.

【0004】本発明の目的は、このような従来技術の問
題点に鑑み、半導体露光装置あるいはそれを用いたデバ
イス製造方法において、実際の露光領域を正確に示す露
光レイアウトを表示できるようにし、もって、半導体デ
バイス製造におけるより確実かつ効率的なオペレーショ
ンを可能にすることにある。
An object of the present invention is to provide a semiconductor exposure apparatus or a device manufacturing method using the same, which can display an exposure layout that accurately indicates an actual exposure area in view of the problems of the prior art. Another object of the present invention is to enable more reliable and efficient operation in semiconductor device manufacturing.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
本発明の装置は、ジョブ・パラメータに従い、露光範囲
をマスキング・ブレードにより制限しつつレチクル上の
パターンをステップ・アンド・リピート方式によってウ
エハ上の各露光領域に投影して露光する露光手段と、前
記ジョブ・パラメータに基づいて前記各露光領域の配置
を示す露光レイアウトを図形表示する表示手段とを備え
た半導体露光装置において、前記表示手段は前記マスキ
ング・ブレードにより露光範囲が制限された実露光領域
を示す図形を前記マスキング・ブレードの開口に関する
データに基づいて、前記露光レイアウトの前記各露光領
域毎に重ねて配列表示することを特徴とする。
In order to achieve this object, an apparatus according to the present invention uses a step-and-repeat method to pattern a pattern on a reticle on a wafer while limiting an exposure range with a masking blade in accordance with job parameters. A semiconductor exposure apparatus, comprising: an exposure unit that projects and exposes each of the exposure regions; and a display unit that graphically displays an exposure layout indicating an arrangement of each of the exposure regions based on the job parameters. based graphic showing the actual exposure light area exposure range is limited by the masking blade to the data relating to the opening of the masking blade, wherein each exposure territory of the exposure layout
And wherein the sequence view by overlapping each band.

【0006】また、本発明の方法は、ジョブ・パラメー
タに従い、露光範囲をマスキング・ブレードにより制限
しつつレチクル上のパターンをステップ・アンド・リピ
ート方式によってウエハ上の各露光領域に順次投影して
露光することにより半導体デバイスを製造するデバイス
製造方法において、前記各露光領域の配置を示す露光レ
イアウトを、前記ジョブ・パラメータに基づいて、前記
露光範囲が制限された実露光領域を示す図形を前記マス
キング・ブレードの開口に関するデータに基づいて、前
記露光レイアウトの前記各露光領域毎に重ねて配列表示
することにより表示し、これを確認した後あるいは確認
しつつ、前記露光を行なうことを特徴とする。
Further, according to the method of the present invention, a pattern on a reticle is sequentially projected onto each exposure region on a wafer by a step-and-repeat method while exposing an area by a masking blade in accordance with a job parameter. in the device manufacturing method of manufacturing a semiconductor device by an exposure layout showing the arrangement of the respective exposure regions, based on the job parameters, the masking figure indicating the actual exposure light region where the exposure range is limited・ Based on data on blade opening ,
The exposure layout is displayed by being superimposed and displayed for each of the exposure areas in the exposure layout, and the exposure is performed after or while confirming this.

【0007】ここで、前記実際の露光領域の露光レイア
ウトに対し、XおよびY方向のステップピッチに対応し
た繰返しピッチを有する格子状もしくは碁盤目状の露光
レイアウトを重ねて表示し、あるいはいずれかの露光レ
イアウトを選択的に表示するようにしてもよい。
Here, a grid-like or checkerboard-like exposure layout having a repetition pitch corresponding to the step pitch in the X and Y directions is superimposed on the exposure layout of the actual exposure area, or any one of them is displayed. The exposure layout may be selectively displayed.

【0008】[0008]

【作用】この構成において、露光ジョブを実行するため
に必要な各種ジョブ・パラメータは、補助記憶装置に記
憶されており、ジョブ実行時にロードされ、あるいはオ
ペレータがこれらパラメータをエディットしもしくは設
定することもできる。そして、これらジョブ・パラメー
タ中のステップ・ピッチ、ショット数等に関する情報に
基づいて格子状の露光レイアウトを表示することができ
るが、マスキング・ブレードにより制限された実際の露
光領域の状態を示す露光レイアウトは、例えば、ショッ
ト中心座標に対する各マスキング・ブレードの位置に関
する情報を用いて表示される。
In this configuration, various job parameters required for executing the exposure job are stored in the auxiliary storage device, and are loaded when the job is executed, or the operator can edit or set these parameters. it can. A grid-like exposure layout can be displayed based on information on the step pitch, the number of shots, and the like in the job parameters. However, the exposure layout showing the state of the actual exposure area limited by the masking blade Is displayed using information on the position of each masking blade with respect to the shot center coordinates, for example.

【0009】このようにして表示される露光レイアウト
の画面は、露光を開始する前に、あるいは露光開始後に
おいても、適宜参照され、それによりオペレータは実際
に露光される状態を正しく認識し、確実かつ効率的なオ
ペレーションによる半導体デバイスの製造を行なうこと
ができる。
The exposure layout screen displayed in this way is referred to before exposure is started or even after exposure is started, so that the operator can correctly recognize the state of actual exposure and ensure that In addition, semiconductor devices can be manufactured by efficient operations.

【0010】[0010]

【実施例】図1は本発明の一実施例に係る半導体露光装
置の外観を示す斜視図である。同図に示すように、この
半導体露光装置は、装置本体の環境温度制御を行なう温
調チャンバ101、その内部に配置され、装置本体の制
御を行うCPUを有するEWS本体106、ならびに、
装置における所定の情報を表示するEWS用ディスプレ
イ装置102、装置本体において撮像手段を介して得ら
れる画像情報を表示するモニタTV105、装置に対し
所定の入力を行うための操作パネル103、EWS用キ
ーボード104等を含むコンソール部を備えている。図
中、107はON−OFFスイッチ、108は非常停止
スイッチ、109は各種スイッチ、マウス等、110は
LAN通信ケーブル、111はコンソール機能からの発
熱の排気ダクト、そして112はチャンバの排気装置で
ある。半導体露光装置本体はチャンバ101の内部に設
置される。
FIG. 1 is a perspective view showing the appearance of a semiconductor exposure apparatus according to one embodiment of the present invention. As shown in the figure, the semiconductor exposure apparatus includes a temperature control chamber 101 for controlling an environmental temperature of the apparatus main body, an EWS main body 106 disposed therein and having a CPU for controlling the apparatus main body, and
An EWS display device 102 for displaying predetermined information in the device, a monitor TV 105 for displaying image information obtained via imaging means in the device main body, an operation panel 103 for performing predetermined input to the device, and an EWS keyboard 104 And a console unit including the same. In the figure, 107 is an ON-OFF switch, 108 is an emergency stop switch, 109 is various switches, a mouse, etc., 110 is a LAN communication cable, 111 is an exhaust duct for generating heat from the console function, and 112 is an exhaust device for the chamber. . The semiconductor exposure apparatus main body is installed inside the chamber 101.

【0011】EWS用ディスプレイ102は、EL、プ
ラズマ、液晶等の薄型フラットタイプのものであり、チ
ャンバ101前面に納められ、LANケーブル110に
よりEWS本体106と接続される。操作パネル10
3、キーボード104、モニタTV105等もチャンバ
101前面に設置し、チャンバ101前面から従来と同
様のコンソール操作が行なえるようにしてある。
The EWS display 102 is of a thin flat type such as EL, plasma, liquid crystal, etc., is housed in the front of the chamber 101, and is connected to the EWS main body 106 by a LAN cable 110. Operation panel 10
3. A keyboard 104, a monitor TV 105, and the like are also installed on the front surface of the chamber 101 so that a console operation similar to the conventional console operation can be performed from the front surface of the chamber 101.

【0012】図2は、図1の装置の内部構造を示す図で
ある。同図においては、半導体露光装置としてのステッ
パが示されている。図中、202はレチクル、203は
ウエハであり、光源装置204から出た光束が照明光学
系205を通ってレチクル202を照明するとき、投影
レンズ206によりレチクル202上のパターンをウエ
ハ203上の感光層に転写することができる。レチクル
202はレチクル202を保持、移動するためのレチク
ルステージ207により支持されている。ウエハ203
はウエハチャック291により真空吸着された状態で露
光される。ウエハチャック291はウエハステージ20
9により各軸方向に移動可能である。レチクル202の
上側にはレチクルの位置ずれ量を検出するためのレチク
ル光学系281が配置される。ウエハステージ209の
上方に、投影レンズ206に隣接してオフアクシス顕微
鏡282が配置されている。オフアクシス顕微鏡282
は内部の基準マークとウエハ203上のアライメントマ
ークとの相対位置検出を行なうのが主たる役割である。
また、これらステッパ本体に隣接して周辺装置であるレ
チクルライブラリ220やウエハキャリアエレベータ2
30が配置され、必要なレチクルやウエハはレチクル搬
送装置221およびウエハ搬送装置231によってステ
ッパ本体に搬送される。
FIG. 2 is a diagram showing the internal structure of the apparatus shown in FIG. FIG. 1 shows a stepper as a semiconductor exposure apparatus. In the figure, reference numeral 202 denotes a reticle, and 203 denotes a wafer. When a light beam emitted from a light source device 204 illuminates the reticle 202 through an illumination optical system 205, a pattern on the reticle 202 is exposed by a projection lens 206 to a photosensitive area on the wafer 203. Can be transferred to a layer. The reticle 202 is supported by a reticle stage 207 for holding and moving the reticle 202. Wafer 203
Is exposed while being vacuum-sucked by the wafer chuck 291. The wafer chuck 291 is mounted on the wafer stage 20.
9 allows movement in each axis direction. Above the reticle 202, a reticle optical system 281 for detecting the amount of displacement of the reticle is arranged. Above the wafer stage 209, an off-axis microscope 282 is arranged adjacent to the projection lens 206. Off-axis microscope 282
The main role is to detect the relative position between the internal reference mark and the alignment mark on the wafer 203.
In addition, the reticle library 220 and the wafer carrier elevator 2 which are peripheral devices are adjacent to the stepper body.
The reticle 30 and the necessary reticle and wafer are transferred to the stepper body by the reticle transfer device 221 and the wafer transfer device 231.

【0013】チャンバ101は、主に空気の温度調節を
行なう空調機室210および微小異物を濾過し清浄空気
の均一な流れを形成するフィルタボックス213、また
装置環境を外部と遮断するブース214で構成されてい
る。チャンバ101内では、空調機室210内にある冷
却器215および再熱ヒーター216により温度調節さ
れた空気が、送風機217によりエアフィルタgを介し
てブース214内に供給される。このブース214に供
給された空気はリターン口raより再度空調機室210
に取り込まれチャンバ101内を循環する。通常、この
チャンバ101は厳密には完全な循環系ではなく、ブー
ス214内を常時陽圧に保つため循環空気量の約1割の
ブース214外の空気を空調機室210に設けられた外
気導入口oaより送風機を介して導入している。このよ
うにしてチャンバ101は本装置の置かれる環境温度を
一定に保ち、かつ空気を清浄に保つことを可能にしてい
る。また光源装置204には超高圧水銀灯の冷却やレー
ザ異常時の有毒ガス発生に備えて吸気口saと排気口e
aが設けられ、ブース214内の空気の一部が光源装置
204を経由し、空調機室210に備えられた専用の排
気ファンを介して工場設備に強制排気されている。ま
た、空気中の化学物質を除去するための化学吸着フィル
タcfを、空調機室210の外気導入口oaおよびリタ
ーン口raにそれぞれ接続して備えている。
The chamber 101 is mainly composed of an air conditioner room 210 for controlling the temperature of air, a filter box 213 for filtering fine foreign matters to form a uniform flow of clean air, and a booth 214 for shutting off the environment of the apparatus from the outside. Have been. In the chamber 101, air whose temperature has been adjusted by the cooler 215 and the reheater 216 in the air conditioner room 210 is supplied into the booth 214 via the air filter g by the blower 217. The air supplied to the booth 214 is returned to the air conditioner room 210 from the return port ra.
And circulates in the chamber 101. Normally, this chamber 101 is not strictly a complete circulation system, and about 10% of the circulating air amount outside the booth 214 is supplied to the outside air provided in the air conditioner room 210 in order to always maintain a positive pressure inside the booth 214. It is introduced from the mouth oa via a blower. In this way, the chamber 101 enables the environment temperature where the apparatus is placed to be kept constant and the air to be kept clean. In addition, the light source device 204 has an intake port sa and an exhaust port e in preparation for cooling of the ultra-high pressure mercury lamp and generation of toxic gas when the laser is abnormal.
a is provided, and a part of the air in the booth 214 is forcibly exhausted to the factory equipment via the light source device 204 and the exclusive exhaust fan provided in the air conditioner room 210. Further, a chemical adsorption filter cf for removing chemical substances in the air is provided so as to be connected to the outside air introduction port oa and the return port ra of the air conditioner room 210, respectively.

【0014】図3は、図1の装置の電気回路構成を示す
ブロック図である。同図において、321は装置全体の
制御を司る、前記EWS本体106に内蔵された本体C
PUであり、マイクロコンピュータまたはミニコンピュ
ータ等の中央演算処理装置からなる。322はウエハス
テージ駆動装置、323は前記オフアクシス顕微鏡28
2等のアライメント検出系、324はレチクルステージ
駆動装置、325は前記光源装置204等の照明系、3
26はシャッタ駆動装置、327はフォーカス検出系、
328はZ駆動装置であり、これらは、本体CPU32
1により制御される。329は前記レチクル搬送装置2
21、ウエハ搬送装置231等の搬送系である。330
は前記ディスプレイ102、キーボード104等を有す
るコンソールユニットであり、本体CPU321にこの
露光装置の動作に関する各種のコマンドやパラメータを
与えるためのものである。すなわち、オペレータとの間
で情報の授受を行うためのものである。331はコンソ
ールCPU、332は各種ジョブのパラメータ等を記憶
する外部メモリである。ジョブパラメータには、使用す
るマスク、マスキングブレードの開口、露光量、レイア
ウトデータ等が含まれる。
FIG. 3 is a block diagram showing an electric circuit configuration of the apparatus shown in FIG. In the figure, reference numeral 321 denotes a main unit C built in the EWS main unit 106, which controls the entire apparatus.
It is a PU and comprises a central processing unit such as a microcomputer or a minicomputer. 322 is a wafer stage driving device, and 323 is the off-axis microscope 28.
2 is an alignment detection system, 324 is a reticle stage driving device, 325 is an illumination system such as the light source device 204, 3
26 is a shutter driving device, 327 is a focus detection system,
Reference numeral 328 denotes a Z drive, which is a main body CPU 32
1 is controlled. 329 is the reticle transport device 2
21, a transfer system such as a wafer transfer device 231. 330
Is a console unit having the display 102, the keyboard 104, etc., for giving various commands and parameters relating to the operation of the exposure apparatus to the main body CPU 321. That is, it is for exchanging information with the operator. Reference numeral 331 denotes a console CPU, and 332 denotes an external memory for storing various job parameters and the like. The job parameters include a mask to be used, an opening of a masking blade, an exposure amount, layout data, and the like.

【0015】図4は図1の装置におけるディスプレイ1
02上に表示されるジョブ選択画面での露光レイアウト
表示の概念を示す図であり、図5はジョブ選択コマンド
を実行した場合の処理を示すフローチャートである。こ
れらの図を参照してジョブ選択時の動作を説明する。
FIG. 4 shows a display 1 in the apparatus of FIG.
FIG. 5 is a diagram showing the concept of the exposure layout display on the job selection screen displayed on 02, and FIG. 5 is a flowchart showing processing when a job selection command is executed. The operation at the time of job selection will be described with reference to these drawings.

【0016】ディスプレイ102に表示された上位の操
作画面においてジョブ選択コマンドが指示されると、コ
ンソールCPU331は、ステップS501において、
ジョブ選択画面401に切り換え、ジョブA,B,C…
のリストを表示する。次に、ステップS502におい
て、リスト中のジョブA,B,C…のうちいずれかのジ
ョブの指示がなされるか、あるいはスクロールボタン4
10が指示されるかを判定し、ジョブの指示があるとス
テップS503へ移行する。スクロールボタン410が
指示された場合はステップS501へ戻り、ジョブリス
トをスクロールさせる。これらの指示はマウスやキーボ
ードにより、あるいはディスプレイがタッチスクリーン
を有する場合はタッチすることにより行なうことができ
る。
When a job selection command is instructed on a higher-level operation screen displayed on the display 102, the console CPU 331 proceeds to step S501.
Switching to the job selection screen 401, the jobs A, B, C,.
Display a list of. Next, in step S502, any one of the jobs A, B, C,.
It is determined whether or not 10 is instructed, and if there is a job instruction, the process proceeds to step S503. If the scroll button 410 has been instructed, the process returns to step S501 to scroll the job list. These instructions can be given by a mouse or keyboard, or by touching if the display has a touch screen.

【0017】ステップS503では、外部メモリ332
より読み出した、ステップS502において指示された
ジョブに対応するジョブ・パラメータ中のレイアウトデ
ータおよびマスキング・ブレードの開口に関するデータ
に基づいて、露光レイアウト405をジョブリストA,
B,C…の左方に表示する。レイアウトデータは、X,
Y方向のステップサイズ、トータルショット数、各ショ
ットの中心座標、ウエハサイズ等の情報を含むものであ
る。
In step S503, the external memory 332
The exposure layout 405 is stored in the job list A, based on the layout data in the job parameters corresponding to the job designated in step S502 and the data on the opening of the masking blade.
Displayed to the left of B, C ... The layout data is X,
The information includes information such as the step size in the Y direction, the total number of shots, the center coordinates of each shot, and the wafer size.

【0018】次に、ステップS504において、ロード
ボタン411が指示されるか否かを判定し、ロードボタ
ン411が指示された場合はステップS505へ移行
し、スクロールボタン410が操作された場合はステッ
プS501へ戻ってジョブリストのスクロールを行な
う。ステップS505では、ステップS502で指示さ
れたジョブのパラメータを外部メモリ332ハードデ
ィスクよりメモリ403へロードする。そして、ステッ
プS506では終了ボタン412が指示されるかを判定
し、これが指示された場合はジョブ選択コマンドを終了
して上位の操作画面へ戻る。スクロールボタン410が
操作された場合はステップS501へ戻る。このように
して、露光レイアウトを確認しながら複数のジョブパラ
メータ406,407…をロードすることができる。
Next, in step S504, it is determined whether or not the load button 411 is instructed. If the load button 411 is instructed, the process proceeds to step S505. If the scroll button 410 is operated, the process proceeds to step S501. Return to and scroll the job list. In step S505, the parameters of the job specified in step S502 are loaded from the hard disk of the external memory 332 to the memory 403. Then, in a step S506, it is determined whether or not the end button 412 is instructed. If this is instructed, the job selection command is ended and the process returns to the upper operation screen. If the scroll button 410 has been operated, the process returns to step S501. In this manner, a plurality of job parameters 406, 407,... Can be loaded while checking the exposure layout.

【0019】上位の操作画面では、ロードしたジョブパ
ラメータに基くジョブ(露光処理)の起動等のコマンド
を指示することができる。ジョブが起動されると、必要
なジョブパラメータが本体CPUのメモリ402に転送
される。
On the upper operation screen, a command for starting a job (exposure processing) based on the loaded job parameters can be instructed. When the job is started, necessary job parameters are transferred to the memory 402 of the main CPU.

【0020】図6は、図5のフローチャートのステップ
S503におけるレイアウト表示処理を示すフローチャ
ートである。レイアウト表示処理においては、図6に示
すように、まずステップS601において露光レイアウ
トをA,B,Cいずれの表示モードで表示するかを指定
するための入力を受け入れる。モードAは、図7に部分
的に示すように、XおよびY方向のステップ・ピッチに
対応した繰返しピッチを有する格子状の露光レイアウト
701を表示するモードである。モードBはマスキング
・ブレードにより露光範囲が制限された実際の露光領域
に対応する図形による露光レイアウト702を表示する
モードである。また、モードCはこれら露光レイアウト
701および702を重ねて表示するモードである。
FIG. 6 is a flowchart showing the layout display processing in step S503 of the flowchart of FIG. In the layout display processing, as shown in FIG. 6, first, in step S601, an input for designating any of the display modes A, B, and C for the exposure layout is received. Mode A is a mode for displaying a grid-like exposure layout 701 having a repetition pitch corresponding to the step pitch in the X and Y directions, as partially shown in FIG. The mode B is a mode for displaying an exposure layout 702 by a figure corresponding to an actual exposure area whose exposure range is limited by a masking blade. Mode C is a mode in which the exposure layouts 701 and 702 are displayed in an overlapping manner.

【0021】次に、ステップS602において、指定さ
れた表示モードがA,B,Cのいずれであるかを判定
し、モードAの場合は、ステップS603へ進み、ステ
ップ・サイズ、トータルショット数、ウエハ・サイズ等
に基づいて、露光レイアウト701を表示する。またモ
ードBの場合は、各ショットの中心座標、マスキング・
ブレードの開口に関するデータ等に基づき、露光レイア
ウト702を表示する。モードCの場合は、露光レイア
ウト701および702を重ねて表示する。マスキング
・ブレードの開口に関するデータとは例えば、矩形の開
口を形成してX,Y方向の露光範囲を制限する4つのブ
レードそれぞれへのショット中心からの距離を示すもの
である。
Next, in step S602, it is determined whether the designated display mode is A, B, or C. If the display mode is mode A, the process proceeds to step S603, where the step size, total shot number, wafer Display the exposure layout 701 based on the size and the like. In the case of mode B, the center coordinates of each shot,
An exposure layout 702 is displayed based on data on the opening of the blade. In the case of the mode C, the exposure layouts 701 and 702 are displayed in an overlapping manner. The data relating to the opening of the masking blade indicates, for example, the distance from the shot center to each of four blades that form a rectangular opening and limit the exposure range in the X and Y directions.

【0022】なお、露光レイアウト701および702
は、オペレータの指示に基づき、任意に切り替えて表示
するようにしても良い。また、カラー表示が可能な場合
は、露光レイアウト701および702を異なる色で重
ねて表示するようにしても良い。
The exposure layouts 701 and 702
May be arbitrarily switched and displayed based on an operator's instruction. If color display is possible, the exposure layouts 701 and 702 may be displayed in different colors.

【0023】[0023]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、マ
スキング・ブレードにより制限された実際の露光領域を
示す図形による露光レイアウトを表示するようにしたた
め、オペレータは実際の露光領域がどのように配置され
るかを容易に把握することができる。したがって、確実
かつ効率的なオペレーションを行うことができ、半導体
デバイス製造の効率を向上させることができる。
As described above, according to the present invention, an exposure layout is displayed by a graphic showing an actual exposure area limited by a masking blade. It can be easily grasped whether they are arranged. Therefore, reliable and efficient operation can be performed, and the efficiency of semiconductor device manufacturing can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の一実施例に係る半導体露光装置の外
観を示す斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view showing an appearance of a semiconductor exposure apparatus according to one embodiment of the present invention.

【図2】 図1の装置の内部構造を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing the internal structure of the device of FIG.

【図3】 図1の装置の電気回路構成を示すブロック図
である。
FIG. 3 is a block diagram showing an electric circuit configuration of the device shown in FIG.

【図4】 図1の装置におけるジョブ選択画面での露光
レイアウト表示の概念を示す図である。
4 is a diagram showing a concept of exposure layout display on a job selection screen in the apparatus of FIG.

【図5】 図1の装置においてジョブ選択コマンドを実
行した場合の処理を示すフローチャートである。
FIG. 5 is a flowchart showing processing when a job selection command is executed in the apparatus shown in FIG. 1;

【図6】 図5のフローチャートにおけるレイアウト表
示処理を示すフローチャートである。
FIG. 6 is a flowchart showing a layout display process in the flowchart of FIG. 5;

【図7】 図6の処理において表示される露光レイアウ
トの部分図である。
FIG. 7 is a partial view of an exposure layout displayed in the processing of FIG. 6;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

101:温調チャンバ、102:EWS用ディスプレイ
装置、103:操作パネル、104 EWS用キーボー
ド、105:モニタTV、106:EWS本体、10
7:ON−OFFスイッチ、108:非常停止スイッ
チ、109:各種スイッチ、マウス等、110:LAN
通信ケーブル、111:排気ダクト、112:排気装
置、202:レチクル、203:ウエハ、204:光源
装置、205:照明光学系、206:投影レンズ、20
7:レチクルステージ、209:ウエハステージ、28
1:レチクル顕微鏡、282:オフアクシス顕微鏡、2
10:空調機室、213:フィルタボックス、214:
ブース、217:送風機、g:エアフィルタ、cf:化
学吸着フィルタ、oa:外気導入口、ra:リターン
口、312:キーボード、321:本体CPU、33
0:コンソール、331:コンソールCPU、332:
外部メモリ、401:ジョブ選択画面、402,40
3:メモリ、405:露光レイアウト、406,40
7:ジョブパラメータ、410:スクロールボタン、4
11:ロードボタン、412:終了ボタン、701:ス
テップ・ピッチによる格子状露光レイアウト、702:
マスキング・ブレード対応露光レイアウト。
101: temperature control chamber, 102: display device for EWS, 103: operation panel, 104 keyboard for EWS, 105: monitor TV, 106: EWS body, 10
7: ON-OFF switch, 108: emergency stop switch, 109: various switches, mouse, etc. 110: LAN
Communication cable, 111: exhaust duct, 112: exhaust device, 202: reticle, 203: wafer, 204: light source device, 205: illumination optical system, 206: projection lens, 20
7: reticle stage, 209: wafer stage, 28
1: reticle microscope, 282: off-axis microscope, 2
10: air conditioner room, 213: filter box, 214:
Booth, 217: blower, g: air filter, cf: chemical adsorption filter, oa: outside air introduction port, ra: return port, 312: keyboard, 321: main body CPU, 33
0: console, 331: console CPU, 332:
External memory, 401: job selection screen, 402, 40
3: memory, 405: exposure layout, 406, 40
7: job parameter, 410: scroll button, 4
11: Load button, 412: End button, 701: Grid-shaped exposure layout with step pitch, 702:
Exposure layout for masking blades.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/027 G03F 7/20 521 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) H01L 21/027 G03F 7/20 521

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 ジョブ・パラメータに従い、露光範囲を
マスキング・ブレードにより制限しつつレチクル上のパ
ターンをステップ・アンド・リピート方式によってウエ
ハ上の各露光領域に投影して露光する露光手段と、 前記ジョブ・パラメータに基づいて前記各露光領域の配
置を示す露光レイアウトを図形表示する表示手段とを備
えた半導体露光装置において、 前記表示手段は前記マスキング・ブレードにより露光範
囲が制限された実露光領域を示す図形を前記マスキング
・ブレードの開口に関するデータに基づいて、前記露光
レイアウトの前記各露光領域毎に重ねて配列表示するこ
とを特徴とする半導体露光装置。
An exposure means for projecting a pattern on a reticle onto each exposure area on a wafer by a step-and-repeat method to expose the pattern while limiting an exposure range by a masking blade in accordance with a job parameter; parameter exposure layout showing the arrangement of the respective exposure regions on the basis of a semiconductor exposure apparatus and a display means for displaying graphics, the display means real eXPOSURE area exposure range is limited by the masking blade The exposure is performed based on data relating to the opening of the masking blade.
The layout display should be superimposed for each of the exposure areas in the layout .
And a semiconductor exposure apparatus.
【請求項2】 前記表示手段は、前記実露光領域の露光
レイアウトに対し、XおよびY方向のステップピッチに
対応した繰返しピッチを有する格子状もしくは碁盤目状
の露光レイアウトを重ねて表示し、あるいはいずれかの
露光レイアウトを選択的に表示するものであることを特
徴とする請求項1記載の半導体露光装置。
Wherein said display means, said relative exposure layout of the actual exposure light region, and displayed superimposed a grid-like or checkerboard-like exposure layout having a repetition pitch corresponding to the step pitch of the X and Y directions, 2. The semiconductor exposure apparatus according to claim 1, wherein one of the exposure layouts is selectively displayed.
【請求項3】 ジョブ・パラメータに従い、露光範囲を
マスキング・ブレードにより制限しつつレチクル上のパ
ターンをステップ・アンド・リピート方式によってウエ
ハ上の各露光領域に順次投影して露光することにより半
導体デバイスを製造するデバイス製造方法において、前
記各露光領域の配置を示す露光レイアウトを、前記ジョ
ブ・パラメータに基づいて、前記露光範囲が制限された
実露光領域を示す図形を前記マスキング・ブレードの開
口に関するデータに基づいて、前記露光レイアウトの前
記各露光領域毎に重ねて配列表示することにより表示
し、これを確認した後あるいは確認しつつ、前記露光を
行なうことを特徴とするデバイス製造方法。
3. A semiconductor device by sequentially projecting and exposing a pattern on a reticle to each exposure area on a wafer by a step-and-repeat method while limiting an exposure range with a masking blade in accordance with job parameters. In the device manufacturing method for manufacturing, an exposure layout indicating an arrangement of each of the exposure areas is limited based on the job parameter, and the exposure range is limited.
The figure shows the actual exposure light region on the basis of the data relating to the opening of the masking blade, prior to the exposure layout
A device manufacturing method characterized in that the exposure is performed after or while confirming and displaying the information by superimposing and displaying the respective exposure regions .
【請求項4】 前記露光レイアウトを表示するに際して
は、オペレータが表示モードを指示し、これに従って、
前記実露光領域の露光レイアウトに対し、XおよびY方
向のステップピッチに対応した繰返しピッチを有する格
子状もしくは碁盤目状の露光レイアウトを重ねて表示
し、あるいはいずれかの露光レイアウトを選択的に表示
するものであることを特徴とする請求項3記載のデバイ
ス製造方法。
4. When displaying the exposure layout, an operator instructs a display mode.
The relative exposure layout of the actual exposure light region, and displayed superimposed a grid-like or checkerboard-like exposure layout having a repetition pitch corresponding to the step pitch of the X and Y directions, or selectively either the exposed layout 4. The device manufacturing method according to claim 3, wherein the device is displayed.
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