JP3283866B2 - Circuit pattern defect inspection method and apparatus - Google Patents

Circuit pattern defect inspection method and apparatus

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JP3283866B2 JP2000280117A JP2000280117A JP3283866B2 JP 3283866 B2 JP3283866 B2 JP 3283866B2 JP 2000280117 A JP2000280117 A JP 2000280117A JP 2000280117 A JP2000280117 A JP 2000280117A JP 3283866 B2 JP3283866 B2 JP 3283866B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、プリント基板回路
パターン、セラミック上回路パターン、ハイブリッド回
路パターン、ファックス用電極回路パターン、薄膜回路
パターン、液晶表示素子用回路パターン、及びLSI回
路パターン等の電子回路(配線)パターンの欠陥を画像
処理により自動的に検査する回路パターン欠陥検査方法
及びその装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electronic circuit such as a printed circuit board circuit pattern, a circuit pattern on a ceramic, a hybrid circuit pattern, a facsimile electrode circuit pattern, a thin film circuit pattern, a liquid crystal display element circuit pattern, and an LSI circuit pattern. The present invention relates to a circuit pattern defect inspection method and an apparatus for automatically inspecting (wiring) pattern defects by image processing.

【0002】[0002]

【従来の技術】回路パターンの外観検査装置について
は、従来多くの事例がある。例えば、特公昭59−24
361号公報等がある。この場合は、2組の回路パター
ンを互いに比較し、互いに一致しない部分を欠陥として
検出するものである。欠陥検査は、高速を要するため、
回路パターンの比較処理回路は、回路パターン検出器の
速度に同期して処理を行うように構成されている。具体
的には、シフトレジスタを多数用いた「パイプライン処
理」と言われる論理回路によって構成される。
2. Description of the Related Art There have been many cases of appearance inspection apparatuses for circuit patterns. For example, Japanese Patent Publication No. 59-24
No. 361 and the like. In this case, two sets of circuit patterns are compared with each other, and a portion that does not match each other is detected as a defect. Defect inspection requires high speed,
The circuit pattern comparison processing circuit is configured to perform processing in synchronization with the speed of the circuit pattern detector. Specifically, it is constituted by a logic circuit called "pipeline processing" using a large number of shift registers.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】上記従来技術では、パ
イプライン処理は高速に画像処理を行えるが、画像処理
の内容は単純であり、複雑な欠陥判定を高速で行うこと
ができないという課題を有していた。
In the above prior art, the pipeline processing can perform image processing at high speed, but the content of the image processing is simple, and there is a problem that complicated defect determination cannot be performed at high speed. Was.

【0004】本発明の目的は、高速で、しかも人間の目
が判定できる複雑な欠陥の導通上の有害性の判定を画像
処理によって行うことができるようにした回路パターン
欠陥検査方法及びその装置を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a circuit pattern defect inspection method and an apparatus therefor which are capable of determining, by image processing, the harmfulness of conduction of a complex defect which can be judged at high speed by the human eye. To provide.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】即ち、本発明では、上記
目的を達成するために、欠陥検査方法において、所定の
撮像信号で動作する撮像手段と試料とを相対的に移動さ
せながら撮像手段で表面にパターンが形成された試料を
撮像してこの試料の画像を得、試料を撮像しながら撮像
信号と同期して第1の処理速度で画像から欠陥候補を含
む部分画像を抽出して記憶手段に記憶し、この記憶した
部分画像を第1の処理速度よりも遅い第2の処理速度で処
理して欠陥候補を抽出し、この抽出した欠陥候補の大き
さまたは形状、または、抽出した欠陥候補とパターンと
の位置関係に基づいて抽出した欠陥候補の有害性を判定
するようにした。
That is, according to the present invention, in order to achieve the above-mentioned object, in a defect inspection method, an image pickup device operated by a predetermined image pickup signal and a sample are relatively moved by an image pickup device. An image of a sample having a pattern formed on the surface is obtained to obtain an image of the sample, and a partial image including a defect candidate is extracted from the image at a first processing speed in synchronization with an imaging signal while imaging the sample, and stored. And processing the stored partial image at a second processing speed lower than the first processing speed to extract a defect candidate, and the size or shape of the extracted defect candidate, or the extracted defect candidate. The harmfulness of the extracted defect candidate is determined based on the positional relationship between the defect candidate and the pattern.

【0006】また、本発明では、上記目的を達成するた
めに、欠陥検査方法において、所定の撮像信号と同期さ
せて試料を撮像して試料の画像を得、この画像を撮像信
号と同期させて第1の処理速度で処理することにより欠
陥候補を含む部分画像を順次抽出し、この抽出した欠陥
候補を含む部分画像を記憶手段に順次記憶し、この記憶
した欠陥候補を含む部分画像を第1の処理速度よりも遅
い第2の処理速度で順次処理して欠陥を分類するように
した。
According to the present invention, in order to achieve the above object, in a defect inspection method, an image of a sample is obtained by imaging a sample in synchronization with a predetermined imaging signal, and this image is synchronized with the imaging signal. The partial images including the defect candidates are sequentially extracted by processing at the first processing speed, the partial images including the extracted defect candidates are sequentially stored in the storage unit, and the partial images including the stored defect candidates are stored in the first image. Defects are classified by sequentially processing at a second processing speed lower than the processing speed of.

【0007】また、本発明では、上記目的を達成するた
めに、欠陥検査方法において、所定のクロック周波数の
信号と同期させて試料を撮像して試料の画像を得、この
画像を信号と同期させて処理することにより欠陥候補を
含む部分画像を順次抽出し、この抽出した欠陥候補を含
む部分画像を記憶手段に順次記憶し、この記憶した欠陥
候補を含む部分画像を前記信号の所定のクロック周波数
よりも小さいクロック周波数の信号と同期させて順次処
理することにより抽出した欠陥候補を分類するようにし
た。
According to the present invention, in order to achieve the above object, in a defect inspection method, an image of a sample is obtained by imaging a sample in synchronization with a signal of a predetermined clock frequency, and the image is synchronized with the signal. To sequentially extract partial images including defect candidates, sequentially store the extracted partial images including defect candidates in storage means, and store the stored partial images including defect candidates at a predetermined clock frequency of the signal. Defect candidates extracted by sequentially processing in synchronization with a signal having a lower clock frequency are classified.

【0008】また、本発明では、上記目的を達成するた
めに、欠陥検査装置を、表面にパターンが形成された試
料を載置して平面内で移動可能なテーブル手段と、所定
の撮像信号で動作してテーブル手段に載置した試料を撮
像してこの試料の画像を得る撮像手段と、この撮像手段
で試料を撮像しながら前記得た試料の画像から欠陥候補
を含む部分画像を所定の撮像信号と同期して抽出する部
分画像抽出手段と、この部分画像抽出手段で抽出した欠
陥候補を含む部分画像を所定の撮像信号と同期して記憶
する記憶手段と、記憶した部分画像を所定の撮像信号よ
りも低い周波数の信号に同期処理して欠陥候補を抽出す
る欠陥候補抽出手段と、この欠陥候補抽出手段で抽出し
た欠陥候補の大きさまたは形状、または、抽出した欠陥
候補とパターンとの位置関係に基づいて抽出した欠陥候
補の有害性を判定する判定手段とを備えて構成した。
According to the present invention, in order to achieve the above object, a defect inspection apparatus includes a table means on which a sample having a pattern formed on a surface is mounted and which can be moved in a plane, and a predetermined imaging signal. An imaging unit that operates to capture an image of a sample placed on a table unit to obtain an image of the sample; and a predetermined imaging of a partial image including a defect candidate from the obtained image of the sample while imaging the sample with the imaging unit. A partial image extracting unit that extracts in synchronization with a signal, a storage unit that stores a partial image including a defect candidate extracted by the partial image extracting unit in synchronization with a predetermined imaging signal, and a predetermined imaging unit that captures the stored partial image. A defect candidate extracting means for synchronizing with a signal having a lower frequency than the signal to extract a defect candidate; and a size or shape of the defect candidate extracted by the defect candidate extracting means, or the extracted defect candidate and pattern. Position was constructed and a determining means for determining hazards of the extracted defect candidate based on the relationship.

【0009】また、本発明では、上記目的を達成するた
めに、欠陥検査装置を、所定の撮像信号と同期させて試
料を撮像する撮像手段と、この撮像手段で試料を撮像し
て得た試料の画像を撮像信号と同期させて処理すること
により欠陥候補を含む部分画像を順次抽出する部分画像
抽出手段と、この部分画像抽出手段で抽出した欠陥候補
を含む部分画像を撮像信号と同期させて順次記憶する記
憶手段と、この記憶手段に記憶した欠陥候補を含む部分
画像を所定の撮像信号よりも低い周波数の信号に同期し
て順次処理して欠陥を分類する欠陥分類手段とを備えて
構成した。
According to the present invention, in order to achieve the above object, an image pickup means for picking up an image of a sample in synchronization with a predetermined image pickup signal, and a sample obtained by picking up an image of the sample with the image pickup means. A partial image extraction unit for sequentially extracting partial images including defect candidates by processing the image in synchronization with the imaging signal, and synchronizing the partial image including the defect candidates extracted by the partial image extraction unit with the imaging signal. Storage means for sequentially storing, and defect classification means for sequentially processing a partial image including a defect candidate stored in the storage means in synchronization with a signal of a lower frequency than a predetermined imaging signal to classify defects did.

【0010】また、本発明では、上記目的を達成するた
めに、欠陥検査装置を、所定のクロック周波数の信号と
同期させて試料を撮像して試料の画像を得る撮像手段
と、この撮像手段で得た画像を所定のクロック周波数の
信号と同期させて処理することにより欠陥候補を含む部
分画像を順次抽出する部分画像抽出手段と、この部分画
像抽出手段で抽出した欠陥候補を含む部分画像を順次記
憶する記憶手段と、この記憶手段に記憶した欠陥候補を
含む部分画像を信号の所定のクロック周波数よりも小さ
いクロック周波数の信号と同期させて順次処理すること
により抽出した欠陥候補を分類する分類手段とを備えて
構成した。
According to the present invention, in order to achieve the above object, an image pickup means for picking up an image of a sample by synchronizing with a signal of a predetermined clock frequency to obtain an image of the sample is provided. A partial image extracting means for sequentially extracting partial images including defect candidates by processing the obtained image in synchronization with a signal of a predetermined clock frequency; and sequentially outputting partial images including the defect candidates extracted by the partial image extracting means. Storage means for storing, and classification means for classifying defect candidates extracted by sequentially processing a partial image including a defect candidate stored in the storage means in synchronization with a signal having a clock frequency lower than a predetermined clock frequency of the signal. And was configured.

【0011】上記構成により電気的な導通上有害な欠陥
とそうでない非有害欠陥とを、特に高密度で大形な基板
回路パターンに対して高速度で検査することができる。
With the above configuration, it is possible to inspect a defect which is harmful in terms of electrical conduction and a non-harmful defect which is not so particularly at a high speed with respect to a high-density and large-sized substrate circuit pattern.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】以下本発明を図面に示す実施例に
基いて具体的に説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be specifically described below based on embodiments shown in the drawings.

【0013】まず、本発明の原理について図1、及び図
2に基いて説明する。図1において破線で囲った検査シ
ステムIは撮像装置(パターン検出装置)1、1’が出
力する画像信号を欠陥判定装置3で画像処理し、欠陥候
補を検出するものである。同図で撮像装置(パターン検
出装置)1、1’とは、例えばCCDリニアイメージセ
ンサ、あるいはレーザ光点を走査し反射光を検出する方
式等の走査形の光電変換装置である。通常回路パターン
AおよびBは図3に示すように同一のXYステージ15
上に乗せられ、対応部分を撮像装置1および1’で検出
する。図1において、XYステージ15および、照明装
置は省略されている。検査システムIとしては、図1に
示す他に、様々な形態が考えられる。即ち図2に示すよ
うに、検査システムIは、1台の撮像装置(パターン検
出装置)1と欠陥判定装置3からなる(例えば昭48年
電気学会全国大会No.1347に示されている。)。
First, the principle of the present invention will be described with reference to FIGS. In FIG. 1, an inspection system I surrounded by a broken line is a system in which image signals output from the imaging devices (pattern detection devices) 1 and 1 'are subjected to image processing by a defect determination device 3 to detect defect candidates. In FIG. 1, the imaging devices (pattern detection devices) 1 and 1 ′ are, for example, a CCD linear image sensor or a scanning photoelectric conversion device such as a system that scans a laser beam spot and detects reflected light. Normal circuit patterns A and B have the same XY stage 15 as shown in FIG.
The corresponding part is put on the top and detected by the imaging devices 1 and 1 ′. In FIG. 1, the XY stage 15 and the lighting device are omitted. As the inspection system I, various forms other than those shown in FIG. 1 can be considered. That is, as shown in FIG. 2, the inspection system I includes one imaging device (pattern detection device) 1 and a defect determination device 3 (for example, shown in the IEEJ National Convention No. 1347 in 1973). .

【0014】図2において破線で囲った検査システムI
は、撮像装置(パターン検出装置)1が出力する画像信
号8と、基準パターン発生装置7が出力する基準画像信
号9'を欠陥判定装置3により画像処理し、欠陥候補を
検出する。基準パターン発生装置7としては、例えば、
図面に詳述されていないが、パターン記憶装置にあらか
じめ基準パターンを圧縮して記憶し、記憶したデータか
ら基準パターンを発生するものがある(例えば特開昭6
2−247498号公報に記されている。)。また、回
路パターンを描くのに用いた設計データを元に基準パタ
ーンを発生するものがある(例えば、計測自動制御学会
論文集vol.20,No.12.63〜70ページに
記されている。)。
Inspection system I surrounded by a broken line in FIG.
The defect determination device 3 performs image processing on the image signal 8 output from the imaging device (pattern detection device) 1 and the reference image signal 9 ′ output from the reference pattern generation device 7 to detect a defect candidate. As the reference pattern generator 7, for example,
Although not described in detail in the drawings, there is a type in which a reference pattern is compressed and stored in a pattern storage device in advance and a reference pattern is generated from the stored data (for example, see Japanese Unexamined Patent Application Publication No.
No. 2-247498. ). In addition, there is one that generates a reference pattern based on design data used to draw a circuit pattern (for example, it is described in the Transactions of the Society of Instrument and Control Engineers vol. 20, No. 12.63-70). ).

【0015】本発明は、検査システムIの構成には依存
せずに、図1、及び図2に示すように検査システムI
に、部分画像検査システムIIを付属し、組み合わせるこ
とにより複雑な検査ができるようにしたことに特徴があ
る。部分画像検査システムIIにおいて部分画像処理装置
13は装置そのものが画像メモリを持っており、画像メ
モリに書き込まれた画像信号(例えば256×256画
素の画像)を適宜取りだして画像処理し、再び処理後の
画像信号を画像メモリに書き込むことを繰り返すことに
よって複雑な画像処理を実行することができる装置であ
る。個々の画像処理のアルゴリズムはソフトウェアによ
って指定できるが、装置によっては、この部分を論理回
路で組み、(部分的にパイプライン回路で組み)、高速
化を図ったものもある。この場合も画像信号は、一旦画
像メモリに書き込まれた後、処理が行われるので、検査
システムIの欠陥判定装置3のように高速な画像処理は
行えない。部分画像処理装置13の例として、文献映像
情報(I)1984年6月25〜31ぺ一ジがある。
The present invention does not depend on the configuration of the inspection system I, as shown in FIGS.
In addition, a feature is that a complicated inspection can be performed by attaching a partial image inspection system II and combining them. In the partial image inspection system II, the partial image processing apparatus 13 itself has an image memory, and appropriately takes out an image signal (for example, an image of 256 × 256 pixels) written in the image memory, performs image processing, and performs processing again. It is a device that can execute complicated image processing by repeating writing of the image signal into the image memory. The algorithm of each image processing can be specified by software. However, depending on the device, this part is assembled by a logic circuit (partially by a pipeline circuit) to achieve high speed. Also in this case, the image signal is once written in the image memory and then processed, so that high-speed image processing cannot be performed as in the defect determination device 3 of the inspection system I. An example of the partial image processing device 13 is document image information (I), June 25-31, 1984.

【0016】ここで図1および図2の、検査システムI
において1画素あたりの検出、画像処理時間は0.1μ
s程度と(クロック周波数f=10MHz)高速に処理で
きるが、部分画像処理装置13は、例えば256×25
6=6.6×10個の画素の画像を0.1(s)程度
で処理するため、1画素当りの処理時間は0.1/
(6.6×104)=1.5μs程度かかる。このため
インターフェース11により検査システムIが出力する
画像信号から欠陥の周辺の部分画像信号をとりだして部
分画像メモリ12に記憶し、記憶した部分画像信号を部
分画像処理装置13に入力して複雑な画像処理を行い、
欠陥の有害性を判定をすることができる。
The inspection system I shown in FIGS.
, Detection and image processing time per pixel is 0.1μ
s (clock frequency f 0 = 10 MHz), but the partial image processing device 13 may be, for example, 256 × 25
To process 6 = 6.6 × 10 4 pieces of the image pixel at 0.1 (s) degree, the processing time per pixel is 0.1 /
(6.6 × 104) = approximately 1.5 μs. For this reason, a partial image signal around the defect is extracted from the image signal output by the inspection system I by the interface 11 and stored in the partial image memory 12, and the stored partial image signal is input to the partial image processing device 13 to generate a complex image. Do the processing,
The harmfulness of the defect can be determined.

【0017】図4は図1の撮像装置(パターン検出装
置)1または1’が出力する回路パターンAの画像信号
8又は基準回路パターンBの画像信号9からの部分画像
信号Ip、欠陥判定装置3が処理結果として出力する欠
陥パターン画像信号10の部分画像信号Dpを1組とし
て部分画像メモリ12に記憶する概要を示している。図
1の撮像装置(パターン検出装置)1、1’の検出画素
数を例えば1024とすると、回路パターンAの画像信
号8、基準回路パターンBの画像信号9、欠陥パターン
画像信号10の水平画素数nは1024となる。この中
から欠陥を含むN×N画素(例えばN=256)の矩形
の部分画像信号Ip、Dpを部分画像メモリ12に記憶
する。なお部分画像信号Ipとしては回路パターン画像
信号8の部分画像信号Ipと基準回路パターン画像信号
9の部分画像信号Ipを部分画像メモリ12に記憶する
か、もしくは回路パターン画像信号9、基準回路パター
ン画像信号9のうち欠陥候補を含む部分画像信号Ipを
部分画像メモリ12に記憶することができる。
FIG. 4 shows a partial image signal Ip from the image signal 8 of the circuit pattern A or the image signal 9 of the reference circuit pattern B output by the imaging device (pattern detection device) 1 or 1 'of FIG. 1 shows an outline in which the partial image signal Dp of the defect pattern image signal 10 output as a processing result is stored in the partial image memory 12 as one set. Assuming that the number of detected pixels of the imaging devices (pattern detection devices) 1 and 1 ′ in FIG. 1 is, for example, 1024, the number of horizontal pixels of the image signal 8 of the circuit pattern A, the image signal 9 of the reference circuit pattern B, and the defect pattern image signal 10 n becomes 1024. From among these, rectangular partial image signals Ip and Dp of N × N pixels (for example, N = 256) including a defect are stored in the partial image memory 12. As the partial image signal Ip, the partial image signal Ip of the circuit pattern image signal 8 and the partial image signal Ip of the reference circuit pattern image signal 9 are stored in the partial image memory 12, or the circuit pattern image signal 9, the reference circuit pattern image The partial image signal Ip including the defect candidate among the signals 9 can be stored in the partial image memory 12.

【0018】図5は図2の撮像装置(パターン検出装
置)1が出力する回路パターン画像信号8からの部分画
像信号Ip、基準パターン発生装置7が出力する基準回
路パターン画像9’からの部分画像信号Rp、欠陥判定
装置3が処理結果として出力する欠陥パターン画像信号
10の部分画像信号Dpを1組として部分画像メモリ1
2に記憶する概要を示している。図2の撮像装置(パタ
ーン検出装置)1の検出画素数を例えば1024とし、
基準パターン発生装置7からは同じ画素数で基準回路パ
ターンを発生すると、回路パターン画像信号8、基準回
路パターン画像信号9’、欠陥パターン画像信号10の
水平画素数nは1024となる。この中から欠陥(候
補)点の座標を含むN×N画素(例えばN=256)の
矩形の部分画像信号Ip、Rp、Dpをとりだして図2
の部分画像メモリ12に記憶する。複数の欠陥がある場
合にも、複数の部分画像信号Ip、Rp、Dpを部分画
像メモリ12に記憶する。
FIG. 5 shows a partial image signal Ip from the circuit pattern image signal 8 output by the imaging device (pattern detection device) 1 of FIG. 2, and a partial image from the reference circuit pattern image 9 'output by the reference pattern generator 7. The signal Rp and the partial image signal Dp of the defect pattern image signal 10 output as a processing result by the defect determination device 3 as one set
2 shows the outline stored in FIG. The number of pixels detected by the imaging device (pattern detection device) 1 in FIG.
When the reference circuit pattern is generated from the reference pattern generator 7 with the same number of pixels, the horizontal pixel number n of the circuit pattern image signal 8, the reference circuit pattern image signal 9 ', and the defect pattern image signal 10 becomes 1024. From these, rectangular partial image signals Ip, Rp, and Dp of N × N pixels (for example, N = 256) including the coordinates of the defect (candidate) point are taken out and shown in FIG.
In the partial image memory 12. Even when there are a plurality of defects, the plurality of partial image signals Ip, Rp, and Dp are stored in the partial image memory 12.

【0019】図6は図5における部分画像信号の部分画
像メモリ12への記憶方法を改善したものであり、欠陥
代表点4の座標を中心として、部分画像Ip’、R
p’、Dp’を部分画像メモリ12に記憶する。
FIG. 6 shows an improved method of storing the partial image signals in the partial image memory 12 in FIG. 5. The partial images Ip ′, R
p ′ and Dp ′ are stored in the partial image memory 12.

【0020】図7は図6における部分画像信号の部分画
像メモリ12への記憶方法を改善したものであり、近接
して複数の欠陥代表点4がある場合も、重複した複数の
部分(重複部分)15についての部分画像信号画像I
p”、Rp”、Dp”を部分画像メモリ12に記憶す
る。
FIG. 7 shows an improved method of storing the partial image signal in FIG. 6 in the partial image memory 12. Even when there are a plurality of defect representative points 4 close to each other, a plurality of overlapping portions (overlapping portions) ) 15 for the partial image signal image I
p ″, Rp ″ and Dp ″ are stored in the partial image memory 12.

【0021】次に部分画像処理装置13による欠陥の有
害判定について示す。図8及び図9は回路パターンの導
通上欠陥において有害欠陥と非有害欠陥の例をしめすも
のである。図8イは線状回路パターンに欠けの欠陥が有
る場合であるが、欠けの部分の回路パターンに対して長
手方向の長さvが検査基準値より大きいと有害欠陥と
なり、それ以下の場合は有害欠陥とならない。図8ロは
線状回路パターンの中にピンホールが有る場合であり、
ピンホールの回路パターンに対して長手方向の長さv
が検査基準値より大きいと有害欠陥となり、それ以下の
場合は有害欠陥とならない。図8ハは線状回路パターン
に突起がある場合であるが、線状回路パターンの周囲の
正常回路パターンから突起までのパターン間隔の最少値
が検査基準値より小さい場合有害欠陥となり、以上
の場合は有害欠陥とならない。図8ニは孤立パターンが
有る場合で、孤立パターンから周囲の正常回路パターン
までのパターン間隔の最少値nが検査基準値より小さ
い場合有害欠陥となり、以上の場合は有害欠陥とならな
い。図9ホは大きな回路パターン上に欠けがある場合で
あるが、欠けの面積の合計ΣSiが検査基準値より大き
いばあい有害欠陥となり、それ以下の場合は有害欠陥と
ならない。図9へは大きな回路パターンの中にピンホー
ルがある場合であるが、ピンホールの最大径の合計Σl
iが検査基準値より大きい場合有害欠陥となり、それ以
下の場合は有害欠陥とならない。図9トは大きな回路パ
ターン上に突起がある場合であるが、周囲の正常回路パ
ターンから突起までのパターン間隔nが検査基準値よ
り小さい場合有害欠陥となり、それ以上の場合は有害欠
陥とならない。
Next, the harmful judgment of a defect by the partial image processing device 13 will be described. FIG. 8 and FIG. 9 show examples of harmful defects and non-harmful defects in conduction defects of the circuit pattern. Although Figure 8 b is a case where there is a defect of lacking in the linear circuit pattern, the longitudinal length v 1 becomes larger than harmful defect inspection reference value with respect to the circuit pattern of the missing portion, in the case of less than Is not a harmful defect. FIG. 8B shows a case where there is a pinhole in the linear circuit pattern.
The length v 2 in the longitudinal direction with respect to the pinhole circuit pattern
Is larger than the inspection standard value, it is a harmful defect. Although Figure 8 c shows a case where there is a projection on the linear circuit pattern, if be harmful least defective value n 1 of the pattern interval from the normal circuit pattern around the linear circuit pattern to protrusion is smaller than the inspection reference value, or Is not a harmful defect. 8 d in the case where the isolated pattern there, if minimum values n 2 of the pattern interval from the isolated pattern to normal circuit pattern around is smaller than the inspection reference value becomes harmful defects, in the case of more not harmful defects. FIG. 9E shows a case where there is a chip on a large circuit pattern. If the total area of the chip ΔSi is larger than the inspection reference value, the chip becomes a harmful defect. FIG. 9 shows a case where a pinhole is present in a large circuit pattern.
If i is greater than the inspection reference value, it is a harmful defect, and if i is less than that, it is not a harmful defect. Figure 9 DOO is a case where there is a protrusion on the large circuit pattern, but if the pattern spacing n 1 to projections from the normal circuit pattern around is smaller than the inspection reference value becomes harmful defects, not in the case of more harmful defects .

【0022】検査システムIの場合は、図8及び図9に
おける有害欠陥と非有害欠陥を区別することはできな
い。このため作業者は、検査装置が指摘した全てのパタ
ーンを見て有害欠陥と非有害欠陥を区別する作業をしい
られていた。
In the case of the inspection system I, the harmful defect and the non-harmful defect in FIGS. 8 and 9 cannot be distinguished. For this reason, the operator has to work to distinguish harmful defects from non-harmful defects by looking at all the patterns pointed out by the inspection device.

【0023】本発明における、図8イの場合について
は、部分画像処理装置13でtほかにvを計測する
ことにより有害欠陥と非有害欠陥を区別している。図8
ロの場合については、tほかにvを計測することに
より有害欠陥と非有害欠陥を区別している。また図8ハ
の場合については、mとnを計測し有害欠陥と非有
害欠陥を区別している。図8ニの場合については、pと
を計測し有害欠陥と非有害欠陥を区別している。図
9ホの場合については、ΣSiを計測することにより有
害欠陥と非有害欠陥を区別している。図9への場合につ
いては、Σliを計測することにより有害欠陥と非有害
欠陥を区別している。また図9トの場合については、m
とnを計測し有害欠陥と非有害欠陥を区別してい
る。
[0023] In the present invention, for the case of FIG. 8 b are distinguished harmful defects and non-harmful defect by measuring v 1 to t 1 addition in partial image processing apparatus 13. FIG.
For the case of B are distinguished harmful defects and non-harmful defect by measuring v 2 to t 2 addition. For the case of FIG. 8 c also measures the m 1 and n 1 are distinguished harmful defects and non-harmful defect. In the case of FIG. 8, p and n 2 are measured to distinguish harmful defects from non-harmful defects. In the case of FIG. 9E, harmful defects and non-harmful defects are distinguished by measuring ΔSi. In the case of FIG. 9, harmful defects and non-harmful defects are distinguished by measuring Δli. In the case of FIG.
2 and n 3 is measured distinguishes harmful defects and non-harmful defect.

【0024】このように本発明は、図1及び図2に示す
ように検査システムIと、部分画像検査システムIIを組
み合わせることによって検査システムIと同じ高速度で
検査を実行し、かつ部分画像処理装置13による詳細な
画像処理の利点を兼ね備えて図8及び図9に示す有害欠
陥と、非有害欠陥を区別することができる。すなわち、
図1及び図2において、検査システムIでパターンの検
査を実行し、欠陥候補を判定する。欠陥判定装置3から
は、欠陥代表点信号4が出力されるが、この欠陥代表点
信号4は図8及び図9に示す有害欠陥と非有害欠陥から
なる全ての欠陥候補を検出したことを示す出力信号であ
る。本発明のシステムでは、欠陥代表点信号4は、次の
ように用いられる。すなわち、欠陥代表点信号4を、部
分画像信号Ip、Rp、Dpを記憶するための制御信号
として用いることにより、図8及び図9に示す欠陥代表
点4の周囲の部分画像を部分画像メモリ12に記憶す
る。そして部分画像を部分画像処理装置13で処理する
ことにより、図8及び図9における導通上有害な欠陥と
非有害な欠陥とを区別する。本システムによれば、検査
システムIは、検査対象回路パターン全面の検査を高速
に行う。例えば検査対象回路パターンの大きさを300
×600mmとする。検出画素の大きさを0.01mmとす
ると、このときの処理画素数は、300×600/
(0.01×0.01)=1.8×10個であり、1
画素当りの検出、処理時間を0.1μsとすると、検査
システムIは、1.8×10×10=180(s)
で全面を検査をする。一方部分画像処理装置13は、1
枚の基板で欠陥候補が10点ある場合、平均180
(s)/10=18(s)かけて部分画像信号を処理し
て、導通上有害な欠陥と非有害な欠陥とを判別する。こ
のように本システムによって、検査システムI(パイプ
ライン形画像処理装置)の高速性と、部分画像処理装置
13が持っている詳細画像処理能力の両方の特性を生か
すことが可能となる。欠陥の判定基準も目視作業による
基準に合致させることが可能となる。
As described above, according to the present invention, as shown in FIGS. 1 and 2, by combining the inspection system I and the partial image inspection system II, the inspection is executed at the same high speed as the inspection system I, and the partial image processing is performed. The harmful defect shown in FIGS. 8 and 9 can be distinguished from the non-harmful defect by combining the advantages of the detailed image processing by the device 13. That is,
1 and 2, a pattern inspection is performed by the inspection system I to determine a defect candidate. A defect representative point signal 4 is output from the defect determination device 3, and this defect representative point signal 4 indicates that all the defect candidates including the harmful defect and the non-harmful defect shown in FIGS. 8 and 9 have been detected. Output signal. In the system of the present invention, the defect representative point signal 4 is used as follows. That is, by using the defect representative point signal 4 as a control signal for storing the partial image signals Ip, Rp, and Dp, the partial image around the defect representative point 4 shown in FIGS. To memorize. Then, the partial image is processed by the partial image processing device 13 to discriminate the harmful defect and the non-harmful defect in conduction in FIGS. 8 and 9. According to this system, the inspection system I performs the inspection of the entire inspection target circuit pattern at high speed. For example, if the size of the circuit pattern to be inspected is 300
X 600 mm. Assuming that the size of the detection pixel is 0.01 mm, the number of processing pixels at this time is 300 × 600 /
(0.01 × 0.01) = 1.8 × 10 9 and 1
Assuming that the detection and processing time per pixel is 0.1 μs, the inspection system I is 1.8 × 10 9 × 10 7 = 180 (s)
Inspect the entire surface. On the other hand, the partial image processing device 13
If there are 10 defect candidates on one substrate, the average is 180
The partial image signal is processed by (s) / 10 = 18 (s) to determine a defect that is harmful to conduction and a non-harmful defect. As described above, this system makes it possible to take advantage of both the high-speed characteristics of the inspection system I (pipeline image processing device) and the detailed image processing capability of the partial image processing device 13. The criterion for determining the defect can be made to match the criterion based on the visual inspection work.

【0025】次に本発明の実施例を更に詳述する。即
ち、検査システムIと部分画像処理装置13については
公知のものを使うので、両者のインターフェース11の
部分がハードウェア回路として意味がある。以下インタ
ーフェース11の内容について記す。図1及び図2にお
いて、インターフェース11に撮像装置(パターン検出
装置)1から入力される回路パターン画像信号8は、図
10(a)に示すような得られるの時系列走査信号を2
値化回路(2値化回路は図1及び図2では省略されてい
る。)で2値化して得られる図10(b)に示すような
2値絵素化画像信号である。またインターフェース11
に入力される基準回路パターン画像信号9、9’は、図
1においては撮像装置(パターン検出装置)1’から入
力される2値化した2値絵素化画像信号であり、図2に
おいては基準パターン発生装置7から入力される基準と
なる2値絵素化時系列信号である。またインターフェー
ス11に入力される欠陥判定装置3からの欠陥パターン
画像信号10は、回路パターン画像信号8と基準回路パ
ターン画像信号9、9’を信号処理することによって得
られる時系列信号である。
Next, embodiments of the present invention will be described in more detail. That is, since the known system is used for the inspection system I and the partial image processing apparatus 13, the interface 11 of both has a meaning as a hardware circuit. The contents of the interface 11 will be described below. 1 and 2, a circuit pattern image signal 8 input from an imaging device (pattern detection device) 1 to an interface 11 is obtained by converting a time-series scanning signal obtained as shown in FIG.
This is a binary picture element image signal as shown in FIG. 10B obtained by binarization by a binarizing circuit (a binarizing circuit is omitted in FIGS. 1 and 2). Interface 11
The reference circuit pattern image signals 9 and 9 ′ input to the image forming apparatus are binarized binary picture elementary image signals input from the imaging device (pattern detection device) 1 ′ in FIG. This is a binary pixelized time-series signal serving as a reference input from the reference pattern generator 7. The defect pattern image signal 10 from the defect determination device 3 input to the interface 11 is a time-series signal obtained by performing signal processing on the circuit pattern image signal 8 and the reference circuit pattern image signals 9 and 9 ′.

【0026】図11はインターフェース11の回路例で
ある。図7に示すような水平画素数が例えばn=102
4の画像(回路パターン画像信号8、基準回路パターン
画像信号9(9’)、欠陥パターン画像信号10)をイ
ンターフェース11に入力し、欠陥代表点信号4に用い
てN×N画素(例えばN=256)の部分画像信号Ip
(Ip’、Ip”)、Rp(Rp’、Rp”)、Dp
(Dp’、Dp”)を部分画像メモリ12に記憶し、記
憶した部分画像信号Ip(Ip’、Ip”)、Rp(R
p’、Rp”)、Dp(Dp’、Dp”)を部分画像処
理装置13に入力する動作について示す(ただし、この
動作は部分画像信号Ipと部分画像信号Rpと部分画像
信号Dpとも同じであるため、図11はいずれか1つの
部分画像をとりだす回路例を示している。)。欠陥判定
装置3(図2)からの欠陥代表点信号4は欠陥を検出し
た時点t0にパルスを発生している。このためt0より
以前のN×N画像に含まれる画像をとりだすことができ
るように、回路パターン画像信号8、9(9’)、10
をN/2ライン分に対応した時間だけ遅延61により遅
延する。一方、欠陥代表点信号4をゲート発生62に入
力し、欠陥代表点信号4に基づきN画素に対応した期間
有効なゲート信号63をNライン回繰返し発生する。ゲ
ートの有効な期間に、書き込みアドレス発生64から書
き込みアドレス65を発生することにより欠陥代表点の
座標を中心としてN×N画素の画像を部分画像メモリ1
2に記憶できる。以上の処理は、撮像装置(パターン検
出装置)1の走査速度と同期して高速(クロック周波数
f0)に行われる。部分画像メモリ12は複数の欠陥が
ある場合に備え、複数の部分画像信号Ip”、Rp”、
Dp”が記憶できる。
FIG. 11 is a circuit example of the interface 11. The number of horizontal pixels as shown in FIG.
4 (circuit pattern image signal 8, reference circuit pattern image signal 9 (9 '), defect pattern image signal 10) is input to the interface 11, and is used as the defect representative point signal 4 to obtain N × N pixels (for example, N = N). 256) partial image signal Ip
(Ip ′, Ip ″), Rp (Rp ′, Rp ″), Dp
(Dp ', Dp ") is stored in the partial image memory 12, and the stored partial image signals Ip (Ip', Ip"), Rp (R
p ′, Rp ″) and Dp (Dp ′, Dp ″) are input to the partial image processing device 13 (however, this operation is the same for the partial image signal Ip, the partial image signal Rp, and the partial image signal Dp). For this reason, FIG. 11 shows an example of a circuit that takes out any one of the partial images.) The defect representative point signal 4 from the defect determination device 3 (FIG. 2) generates a pulse at the time point t0 when a defect is detected. For this reason, the circuit pattern image signals 8, 9 (9 '), and 10 are obtained so that the images included in the N × N images before t0 can be taken out.
Is delayed by a delay 61 by a time corresponding to N / 2 lines. On the other hand, the defect representative point signal 4 is input to the gate generator 62, and based on the defect representative point signal 4, a gate signal 63 valid for a period corresponding to N pixels is repeatedly generated N lines. By generating the write address 65 from the write address generation 64 during the valid period of the gate, an image of N × N pixels centering on the coordinates of the defect representative point is stored in the partial image memory 1.
2 can be stored. The above processing is performed at high speed (clock frequency f0) in synchronization with the scanning speed of the imaging device (pattern detection device) 1. The partial image memory 12 prepares a plurality of partial image signals Ip ″, Rp ″,
Dp "can be stored.

【0027】次に、部分画像メモリ12に記憶した部分
画像信号Ip、Rp、Dpを部分画像処理装置13に入
力する。通常部分画像処理装置13はTVの画像入力用
に作られているので、N×N画像を1/60(s)程度
の速度で入力することになる。部分画像処理装置13か
らの水平同期信号69を読みだしアドレス発生67に入
力し、読みだしアドレス発生67から読みだしアドレス
66を出力する。読みだしアドレス発生67では水平同
期信号69を、読みだしアドレス66を強制的に発生す
るためのスタート信号として用いている。読みだしアド
レス66に同期して、部分画像信号Ip、Rp、Dpを
部分画像処理装置13に入力する。
Next, the partial image signals Ip, Rp, and Dp stored in the partial image memory 12 are input to the partial image processing device 13. Since the partial image processing device 13 is usually made for inputting a TV image, an N × N image is input at a speed of about 1/60 (s). The horizontal synchronizing signal 69 from the partial image processing device 13 is input to the read address generator 67, and the read address 66 is output from the read address generator 67. In the read address generation 67, the horizontal synchronization signal 69 is used as a start signal for forcibly generating the read address 66. The partial image signals Ip, Rp, and Dp are input to the partial image processing device 13 in synchronization with the read address 66.

【0028】書き込みアドレステーブル68は近接して
複数の欠陥代表点があり、部分画像信号Ip、Rp、D
pが重複する場合をサポートするために設けられたもの
である。重複する複数の部分画像信号Ip、Rp、Dp
を同時に部分画像メモリ12に書き込むことができない
ため、重複している箇所の画像は複数の部分画像信号I
p、Rp、Dpが共用する形式で部分画像メモリ12に
記憶する。部分画像メモリ12に記憶すると同時に、書
き込みアドレステーブル68に重複する複数の部分画像
信号Ip、Rp、Dpの各々について書き込みアドレス
65を記憶する。部分画像メモリ12から部分画像信号
Ip、Rp、Dpを読み出す場合はこの書き込みアドレ
ステーブル68を参照する。
The write address table 68 has a plurality of defect representative points in the vicinity, and the partial image signals Ip, Rp, D
This is provided to support the case where p overlaps. A plurality of overlapping partial image signals Ip, Rp, Dp
Cannot be written to the partial image memory 12 at the same time.
It is stored in the partial image memory 12 in a format shared by p, Rp, and Dp. At the same time as storing in the partial image memory 12, a write address 65 is stored for each of the plurality of overlapping partial image signals Ip, Rp, Dp in the write address table 68. When reading out the partial image signals Ip, Rp, Dp from the partial image memory 12, the write address table 68 is referred to.

【0029】以上のように、検査システムIによって欠
陥代表点を高速に検出し、検出した欠陥代表点を中心と
した周囲の部分画像信号を部分画像処理装置13に入力
することができる。
As described above, the defect representative point can be detected at high speed by the inspection system I, and a partial image signal around the detected defect representative point can be input to the partial image processing device 13.

【0030】次に欠陥代表点周囲の部分画像信号を部分
画像処理装置13によって画像処理をして、欠陥の有害
性を判別する。図1において図4に示す部分画像信号I
p、Dpから欠陥の導通上有害性を判別する例を示す。
最初に欠陥が線状回路パターンにあるのか(または線状
回路パターンの中にあるのか)、大きな回路パターンに
あるのかを判別する。次に欠陥の有害性を判別する時間
を短縮化するため、部分画像信号Ipと部分画像信号D
pに(または部分画像信号Ipのみに)ウィンドウを設
定し、部分画像信号の1部のみ画像処理するようにす
る。さらに導通上の欠陥の種類には欠け、ピンホール、
突起、孤立パターンの欠陥があるため、欠陥がピンホー
ルもしくは孤立パターンであるか判別する。以上の実行
をした後、図8及び図9に示すような、各欠陥に対応し
て欠陥の導通上の有害性を判別する。
Next, the partial image signal around the defect representative point is subjected to image processing by the partial image processing device 13 to determine the harmfulness of the defect. In FIG. 1, the partial image signal I shown in FIG.
An example will be described in which the harmfulness of defects in conduction is determined from p and Dp.
First, it is determined whether the defect is in the linear circuit pattern (or in the linear circuit pattern) or in a large circuit pattern. Next, in order to reduce the time for determining the harmfulness of the defect, the partial image signal Ip and the partial image signal D
A window is set for p (or only for the partial image signal Ip), and only a part of the partial image signal is processed. Furthermore, the types of defects on continuity are missing, pinholes,
Since there is a defect in the projection or the isolated pattern, it is determined whether the defect is a pinhole or an isolated pattern. After the above-mentioned execution, as shown in FIGS. 8 and 9, the harmfulness of the defect in conduction is determined for each defect.

【0031】図12は欠陥が線状回路パターンにあるの
か(または線状回路パターンの中にあるのか)、大きな
回路パターンにあるのかを判別する例を示している。部
分画像信号Ipを線状回路パターンの画像信号vpと大
きな回路パターンの画像信号Vpに分割処理手段16に
より分割し、また部分画像信号Dpを拡大処理手段17
により拡大し、線状回路パターンの画像信号vpと大き
な回路パターンの画像信号Vpと部分画像信号Dpの拡
大画像信号LpをAND回路19a、19bを有する画
像間演算処理手段18により画像間演算処理し、欠け欠
陥の画像信号20と欠け欠陥のない画像信号21とが得
られる。図13(a)は線状回路パターンに(または線
状回路パターンの中に)欠陥がある場合のウィンドウの
設定例を示している。部分画像信号Ip、Ip’、I
p”と部分画像信号Dp、Dp’、Dp”の同じ位置
に、同じ大きさのウィンドウを設定している。ウィンド
ウは、欠陥から周囲に一定の距離(検査基準値であるパ
ターン幅の最大値とパターン間隔の最小値のうち大きい
値)以内の領域を含むように大きさと位置を設定してい
る。すなわち部分画像Dp、Dp’、Dp”から欠陥を
含む矩形の対角線上の座標(xmin,ymin)、(xma
x,ymax)をもとめ、ウィンドウの始点xs=xmin−
△w,ys=ymin−△w,終点xe=xmax+△w
,ye=ymax+△wを算出している。△wは欠
陥の有害性を判別するために必要な一定距離を示す値で
あり、検査基準値であるパターン幅の最大値とパターン
間隔の最小値のうち大きい値である。
FIG. 12 shows an example of determining whether a defect exists in a linear circuit pattern (or in a linear circuit pattern) or a large circuit pattern. The partial image signal Ip is divided by the division processing means 16 into an image signal vp of a linear circuit pattern and an image signal Vp of a large circuit pattern.
The image signal vp of the linear circuit pattern, the image signal Vp of the large circuit pattern, and the enlarged image signal Lp of the partial image signal Dp are subjected to inter-image arithmetic processing by the inter-image arithmetic processing means 18 having AND circuits 19a and 19b. Thus, an image signal 20 having a chipped defect and an image signal 21 having no chipped defect are obtained. FIG. 13A shows an example of setting a window when there is a defect in the linear circuit pattern (or in the linear circuit pattern). Partial image signals Ip, Ip ', I
A window of the same size is set at the same position of p "and the partial image signals Dp, Dp ', Dp". The size and position of the window are set so as to include an area within a certain distance (larger value between the maximum value of the pattern width and the minimum value of the pattern interval, which are inspection reference values), around the defect. That is, coordinates (xmin, ymin) and (xma) on the diagonal line of the rectangle including the defect from the partial images Dp, Dp ', and Dp ".
x, ymax), and the starting point of the window xs = xmin−
Δw 1 , ys = ymin−Δw 1 , end point xe = xmax + Δw
And calculates the 1, ye = ymax + △ w 1. △ w 1 is a value indicating the predetermined distance required to determine the hazard of defects, a larger value of the minimum value of the maximum value and the pattern interval of the pattern width is the inspection standard value.

【0032】図13(b)は、大きな回路パターンに
(または大きな回路パターンの中に)欠陥がある場合の
ウインドウの設定例を示している。部分画像信号Ip、
Ip’、Ip”と部分画像信号Dp、Dp’、Dp”の
同じ位置に、同じ大きさのウィンドウを設定している。
ウィンドウは、大きな回路パターンから周囲に一定の距
離△w(検査基準値であるパターン間隔の最小値)以
内の領域を含むように大きさと位置を設定している。す
なわち部分画像1から大きなパターンを含む矩形の対角
線上の座標(xmin,ymin)、(xmax,ymax)をもと
め、ウィンドウの始点xs=xmin−△w,ys=ym
in−△w,終点xe=xmax+△w,ye=ymax+
△wを算出している。△wは欠陥の有害性を判別す
るために必要な値であり、検査基準値であるパターン間
隔の最小値である。
FIG. 13B shows an example of setting a window when there is a defect in a large circuit pattern (or in a large circuit pattern). The partial image signal Ip,
Windows of the same size are set at the same positions of Ip ′, Ip ″ and the partial image signals Dp, Dp ′, Dp ″.
The size and position of the window are set so as to include an area within a certain distance Δw 2 (the minimum value of the pattern interval, which is the inspection reference value), from the large circuit pattern. That rectangle diagonal coordinates including large patterns from the partial image 1 (xmin, ymin), ( xmax, ymax) determine the window of the start point xs = xmin- △ w 2, ys = ym
in- △ w 2 , end point xe = xmax + △ w 2 , ye = ymax +
△ and calculates the w 2. Δw 2 is a value required to determine the harmfulness of a defect, and is the minimum value of the pattern interval that is the inspection reference value.

【0033】図14は、欠陥がピンホールであることを
判別する例を示している。図13に示した部分画像信号
Ip、Ip’、Ip”のウィンドウ内画像28の穴の数
を計測し(ピンホール数計測29)、29’で示すよう
に穴の数>0(≠0)ならばピンホールの欠陥があり、
30で示すように穴の数=0であればピンホール以外の
欠陥である。
FIG. 14 shows an example of determining that a defect is a pinhole. The number of holes in the in-window image 28 of the partial image signals Ip, Ip ′, Ip ″ shown in FIG. 13 is measured (pinhole number measurement 29), and the number of holes> 0 (≠ 0) as indicated by 29 ′. If there is a pinhole defect,
If the number of holes = 0 as indicated by 30, it is a defect other than a pinhole.

【0034】図15は、欠陥が孤立パターンであること
を判別する例を示している。図13に示した部分画像信
号Ip、Ip’、Ip”の白と黒を反転し、部分画像信
号Ip、Ip’、Ip”のウィンドウ内画像31の穴の
数を32に示すように計測する。33で示すように穴の
数>0(≠0)ならば孤立パターンの欠陥があり、34
に示すように穴の数=0であれば孤立パターン以外の欠
陥である。
FIG. 15 shows an example of determining that a defect is an isolated pattern. The white and black of the partial image signals Ip, Ip ′, Ip ″ shown in FIG. 13 are inverted, and the number of holes in the in-window image 31 of the partial image signals Ip, Ip ′, Ip ″ is measured as indicated by 32. . If the number of holes is greater than 0 (≠ 0) as indicated by 33, there is an isolated pattern defect, and 34
If the number of holes = 0 as shown in FIG.

【0035】次に図2において図7に示す部分画像信号
Ip”、Rp”、Dp”から欠陥の導通上有害性を判別
する例を示す。最初に欠陥が線状回路パターンにあるの
か(または線状回路パターンの中にあるのか)、大きな
回路パターンにあるのかを判別する。次に欠陥の導通上
有害性を判別する時間を短縮化するため、部分画像信号
Ip”と部分画像信号Rp”と部分画像信号Dp”に
(または部分画像信号Ip”と部分画像信号Rp”に)
ウィンドウを設定し、部分画像信号の1部のみ画像処理
するようにする。さらに導通上の欠陥の種類には欠け、
ピンホール、突起、孤立パターンの欠陥があるため、欠
陥がピンホールもしくは孤立パターンであるか判別す
る。以上の実行をした後、図8、図9に示すような、各
欠陥に対応して欠陥の有害性を判別する。図16は欠陥
が線状回路パターンにあるのか(または線状回路パター
ンの中にあるのか)、大きな回路パターンにあるのかを
判別する例を示している。部分画像信号Rp、Rp’、
Rp”を拡大処理手段33により拡大して拡大画像信号
34を得、この拡大画像信号34に対して分割処理手段
35により線状回路パターンの画像信号36と大きな回
路パターンの画像信号37とに分割し、線状回路パター
ンの画像信号36と大きな回路パターンの画像信号37
と部分画像信号Dp、Dp’、Dp”について、AND
回路39a,39bを有する画像間演算処理手段18に
より画像間演算処理して欠陥画像信号40と欠陥のない
画像信号41を得る。図17(a)は線状回路パターン
に(または線状回路パターンの中に)欠陥がある場合の
ウインドウの設定例を示している。部分画像信号Ipと
部分画像信号Rpと部分画像信号Dpの同じ位置に、同
じ大きさのウィンドウを設定している。ウィンドウの大
きさと位置の算出方法は、図13(a)の場合と同じで
ある。図17(b)は大きな回路パターンに(または大
きな回路パターンの中に)欠陥がある場合のウィンドウ
の設定例を示している。部分画像信号Ipと部分画像信
号Rpと部分画像信号Dpの同じ位置に、同じ大きさの
ウィンドウを設定している。ウィンドウは、大きな回路
パターンから周囲に一定の距離(検査基準値である回路
パターン間隔の最小値)以内の領域を含むように大きさ
と位置を設定している。すなわち部分画像Rpから大き
な回路パターンを含む矩形の対角線上の座標(Xmin,
ymin)、(xmax,ymax)をもとめているほかは、図
13(b)の場合と同じである。欠陥がピンホールであ
ることを判別する例は図14と同じである。欠陥が孤立
パターンであることを判別する例は図15と同じであ
る。
2 shows an example of determining the harmfulness of the defect from the partial image signals Ip ", Rp", Dp "shown in FIG. 7. First, is the defect present in the linear circuit pattern (or?). (A linear circuit pattern) or a large circuit pattern.To shorten the time required to determine the harmfulness of the defect on conduction, the partial image signal Ip "and the partial image signal Rp" To the partial image signal Dp "(or to the partial image signal Ip" and the partial image signal Rp ")
A window is set, and only one part of the partial image signal is processed. In addition, the types of defects on continuity are lacking,
Since there is a defect in the pinhole, the protrusion, or the isolated pattern, it is determined whether the defect is a pinhole or an isolated pattern. After the above-described execution, the harmfulness of the defect is determined for each defect as shown in FIGS. FIG. 16 shows an example of determining whether a defect exists in a linear circuit pattern (or in a linear circuit pattern) or in a large circuit pattern. The partial image signals Rp, Rp ′,
Rp "is enlarged by the enlargement processing means 33 to obtain an enlarged image signal 34, and the enlarged image signal 34 is divided by the division processing means 35 into an image signal 36 of a linear circuit pattern and an image signal 37 of a large circuit pattern. The image signal 36 of the linear circuit pattern and the image signal 37 of the large circuit pattern
And the partial image signals Dp, Dp ′, Dp ″
The inter-image operation processing unit 18 having the circuits 39a and 39b performs inter-image operation processing to obtain a defective image signal 40 and an image signal 41 having no defect. FIG. 17A shows an example of setting a window when there is a defect in the linear circuit pattern (or in the linear circuit pattern). A window having the same size is set at the same position of the partial image signal Ip, the partial image signal Rp, and the partial image signal Dp. The method of calculating the size and position of the window is the same as in the case of FIG. FIG. 17B shows an example of setting a window when there is a defect in a large circuit pattern (or in a large circuit pattern). A window having the same size is set at the same position of the partial image signal Ip, the partial image signal Rp, and the partial image signal Dp. The size and position of the window are set so as to include an area within a certain distance (the minimum value of the circuit pattern interval, which is an inspection reference value), from the large circuit pattern. In other words, the coordinates (Xmin, Xmin,
13 (b), except that ymin) and (xmax, ymax) are obtained. An example of determining that the defect is a pinhole is the same as in FIG. An example of determining that a defect is an isolated pattern is the same as in FIG.

【0036】図18に図8イに示す線状回路パターンに
欠けがある場合の、欠陥の導電上有害性を判定するアル
ゴリズム例をしめす。ウィンドウ48(部分画像信号I
p)は欠けの欠陥を含んでいる部分画像信号Ipのウィ
ンドウ内の画像信号である。またウィンドウ49(部分
画像信号Rp)は基準パターン画像の部分画像信号Rp
のウィンドウ内画像信号である。最初にウィンドウ48
(部分画像信号Ip)の境界座標52(xi,yi)を
境界座標抽出手段50により抽出する。境界の座標を求
めるアルゴリズムはウィンドウ内の走査を行い、最初に
パターンにぶつかる点を求めた後、3×3のマスクパタ
ーンを利用する方法が良く知られている。
FIG. 18 shows an example of an algorithm for judging the conductive harmfulness of a defect when the linear circuit pattern shown in FIG. Window 48 (partial image signal I
p) is the image signal in the window of the partial image signal Ip including the missing defect. The window 49 (partial image signal Rp) is a partial image signal Rp of the reference pattern image.
Is the image signal in the window. First window 48
The boundary coordinates 52 (xi, yi) of the (partial image signal Ip) are extracted by the boundary coordinate extraction means 50. It is well known that an algorithm for finding the coordinates of the boundary scans the window, first finds a point that hits the pattern, and then uses a 3 × 3 mask pattern.

【0037】次にウィンドウ49(部分画像信号Rp)
から角度θ抽出手段51により各境界の座標における
『境界面の方向に垂直な角度θ』53を求める。角度θ
については3×3のマスクパターン54から求めること
ができる。求めることができる方向は55で示すように
16方向(360°を22.5゜で等分)である。ウィ
ンドウ49(部分画像信号Rp)から『境界面の方向に
垂直な角度θ』を求めるのはウィンドウ48(部分画像
信号Ip)には欠陥や凹凸があるためである。
Next, window 49 (partial image signal Rp)
The angle θ extraction means 51 calculates the “angle θ perpendicular to the direction of the boundary surface” 53 at the coordinates of each boundary. Angle θ
Can be obtained from the 3 × 3 mask pattern 54. There are 16 directions (360 ° is equally divided by 22.5 °) as indicated by 55. The reason for obtaining the “angle θ perpendicular to the boundary surface direction” from the window 49 (partial image signal Rp) is that the window 48 (partial image signal Ip) has defects and irregularities.

【0038】以上のようにして求めた境界の座標(x
i,yi)から、56で示すように角度θ方向に検査基
準値である回路パターン幅t1の最小値だけ離れた点の
座標(xj,yj)を求め、その座標の画素の色を調べ
る。白画素が1個でもあれば導電上有害欠陥、全て黒画
素の場合導電上非有害欠陥である。
The coordinates of the boundary (x
From (i, yi), the coordinates (xj, yj) of a point separated by the minimum value of the circuit pattern width t1, which is the inspection reference value, in the direction of the angle θ as shown by 56 are determined, and the color of the pixel at that coordinate is examined. If there is at least one white pixel, it is a conductive harmful defect, and if it is all black pixels, it is a conductive non-hazardous defect.

【0039】同様に境界の座標(xi,yi)から、5
7で示すように角度θ方向に最少パターン幅Cwだけ離
れた点の座標(xk,yk)の画素の色を求め、白画素
の連続する長さをもとめる。白画素の連続する長さv1
が検査基準値より大きい場合導通上有害欠陥で、検査基
準値以下の場合は導通上非有害欠陥である。
Similarly, from the boundary coordinates (xi, yi), 5
As shown by 7, the color of the pixel at the coordinates (xk, yk) of the point separated by the minimum pattern width Cw in the angle θ direction is obtained, and the continuous length of the white pixel is obtained. Continuous length v1 of white pixels
Is larger than the inspection reference value, it is a harmful defect on conduction, and if less than the inspection reference value, it is a non-hazardous defect on conduction.

【0040】図19に図8ロに示す線状回路パターンの
中にピンホールがある場合の、欠陥の導通上有害性を判
別するアルゴリズム例を示す。ウィンドウ61(部分画
像信号Ip)はピンホールの欠陥を含んでいる部分画像
信号Ipのウィンドウ内の画像である。ウィンドウ61
(部分画像信号Ip)において線状回路パターンが傾い
ているため、回路パターン傾度測定・回転手段62によ
り線状回路パターンを回転し、計測しやすいような向き
にし、63で示す線状回路パターンを得る。回転の角度
は、回路パターン傾度測定・回転手段62により慣性主
軸の角度θを求めることにより得られる。回転はアフィ
ン変換を利用すればよく、回転パターン63を得ること
ができる。回転パターン63に対して白黒反転(NO
T)手段64により白黒反転(NOT)して65の画像
信号を得、ピンホール抽出手段68によりピンホール抽
出の処理を行い、ピンホール欠陥だけとりだした計測パ
ターン69を得る。ここでx(パターンの存在する最
少x座標)、y(パターンの存在する最少y座標)、
(パターンの存在する最大x座標)、y(パター
ンの存在する最大y座標)を求める。ピンホールのパタ
ーンに対して長手方向の長さvはx−xである。
が検査基準値より大きい場合は導通上有害欠陥、v
が検査基準値以下の場合は導通上非有害欠陥である。
FIG. 19 shows an example of an algorithm for discriminating the harmfulness of a defect when the pinhole is present in the linear circuit pattern shown in FIG. The window 61 (partial image signal Ip) is an image in the window of the partial image signal Ip including the pinhole defect. Window 61
Since the linear circuit pattern is inclined in the (partial image signal Ip), the linear circuit pattern is rotated by the circuit pattern gradient measurement / rotation means 62 so that the linear circuit pattern is easily measured. obtain. The rotation angle can be obtained by obtaining the angle θ of the inertia main axis by the circuit pattern inclination measurement / rotation means 62. The rotation may use the affine transformation, and the rotation pattern 63 can be obtained. Black and white reversal for rotation pattern 63 (NO
T) A black and white reversal (NOT) is performed by the means 64 to obtain 65 image signals, and a pinhole extraction processing is performed by the pinhole extraction means 68 to obtain a measurement pattern 69 in which only pinhole defects are taken out. Here, x 1 (the minimum x coordinate where the pattern exists), y 1 (the minimum y coordinate where the pattern exists),
x 2 (the maximum x coordinate where the pattern exists) and y 2 (the maximum y coordinate where the pattern exists) are obtained. Longitudinal length v 2 relative to the pattern of the pinhole is x 2 -x 1.
If v 2 is larger than the inspection reference value, harmful defects on conduction, v
If 2 is less than the inspection reference value, it is a non-harmful defect in conduction.

【0041】次にピンホールから線状パターンの境界ま
での最短距離の和tはパターン幅をlとするとl−
(y−y)であるため、回転パターン63のピンホ
ールの穴埋めを穴埋め手段66により行い、計測パター
ン67を得る。この計測パターン67についてパターン
幅lを計測する。。穴埋めは回転パターン63と計測パ
ターン69のORをとればよく計測パターン67を得る
ことができる。計測パターン67において(x
)−(x,y)を結ぶ線上で線状パターンの長
手方向に対して垂直にパターンの幅lを計測すればよ
い。tが検査基準値より小さい場合は導通上有害欠
陥、検査基準値以上の場合は導通上非有害欠陥である。
[0041] Then the sum t 2 of the shortest distance from the pinhole to the boundary of the linear pattern when the pattern width and l l-
Since (y 2 −y 1 ), the pinhole of the rotation pattern 63 is filled by the hole filling means 66 to obtain the measurement pattern 67. The pattern width 1 is measured for the measurement pattern 67. . To fill in the gaps, the OR of the rotation pattern 63 and the measurement pattern 69 may be obtained, and the measurement pattern 67 can be obtained. In the measurement pattern 67, (x 1 ,
y 1) - (x 2, y 2) can be measured width l of the pattern perpendicular to the longitudinal direction of the linear pattern line connecting. If t 2 is less than the inspection standard value conducting injurious defects, in the case of more inspection reference value is a non-toxic defects on conduction.

【0042】図20に図8ハに示す線状回路パターンに
突起がある場合の、欠陥の導通上有害性を判定するアル
ゴリズム例を示す。ウィンドウ70(部分画像信号I
p)は突起の欠陥がある部分画像信号Ipのウィンドウ
内の画像である。またウィンドウ71(部分画像信号R
p)は基準回路パターン画像の部分画像信号Rpのウィ
ンドウ内画像である。最初はウィンドウ70(部分画像
信号Ip)から周囲パターン手段72により周囲パター
ン74を抽出する。次に境界座標抽出手段76により周
囲パターン74の境界座標(xi,yi)78を抽出す
る。境界の座標を求めるアルゴリズムは欠けの場合と同
様である。一方ウィンドウ71(部分画像信号Rp)か
ら周囲パターン手段73により周囲パターン75を抽出
し、角度θ抽出手段77により周囲パターン75から各
境界の座標における『境界面の方向に垂直な角度θ』7
9を求める。角度θを求めるアルゴリズムは欠けの場合
と同様である。3×3マスクパターンを80で示す。
FIG. 20 shows an example of an algorithm for judging the conduction harmfulness of a defect when the linear circuit pattern shown in FIG. Window 70 (partial image signal I
p) is an image in the window of the partial image signal Ip having a projection defect. The window 71 (partial image signal R
p) is an in-window image of the partial image signal Rp of the reference circuit pattern image. First, a surrounding pattern 74 is extracted from the window 70 (partial image signal Ip) by the surrounding pattern means 72. Next, the boundary coordinate extracting means 76 extracts the boundary coordinates (xi, yi) 78 of the surrounding pattern 74. The algorithm for obtaining the coordinates of the boundary is the same as that for the case of lack. On the other hand, the surrounding pattern 75 is extracted from the window 71 (partial image signal Rp) by the surrounding pattern means 73, and the angle θ extracting means 77 determines the “angle θ perpendicular to the direction of the boundary surface” at the coordinates of each boundary from the surrounding pattern 75.
Ask for 9. The algorithm for obtaining the angle θ is the same as that in the case of lack. The 3 × 3 mask pattern is shown at 80.

【0043】以上のようにして78で求めた境界の座標
(xi,yi)から角度θ方向に検査基準値であるパタ
ーン間隔の最小値n1だけ離れた点の座標(xj,y
j)を81で求め、その座標の画素の色を調べる。黒画
素が1個でもあれば導通上有害欠陥、全て白画素の場合
導通上非有害欠陥である。
The coordinates (xj, y) of the point separated from the coordinates (xi, yi) of the boundary obtained at 78 by the minimum value n1 of the pattern interval, which is the inspection reference value, in the angle θ direction.
j) is obtained at 81, and the color of the pixel at that coordinate is examined. If there is at least one black pixel, it is a harmful defect in conduction, and if all the pixels are white, it is a non-harmful defect in conduction.

【0044】同様に境界の座標(xi,yi)から82
で示すように角度θ方向に最少パターン間隔Ciだけ離
れた点の座標(xk,yk)の画素の色を求め、黒画素
の連続する長さをもとめる。黒画素の連続する長さm1
が検査基準値より大きい場合導通上有害欠陥で、検査基
準値以下の場合は導通上非有害欠陥である。
Similarly, from the coordinates (xi, yi) of the boundary, 82
As shown by, the color of the pixel at the coordinates (xk, yk) of the point separated by the minimum pattern interval Ci in the angle θ direction is obtained, and the continuous length of the black pixel is obtained. Continuous length m1 of black pixels
Is larger than the inspection reference value, it is a harmful defect on conduction, and if less than the inspection reference value, it is a non-hazardous defect on conduction.

【0045】図21に図8ニに示す孤立パターン欠陥が
ある場合の、欠陥の導通上有害性を判別するアルゴリズ
ム例を示す。ウィンドウ83(部分画像信号Ip)は孤
立パターンと周囲の正常回路パターンを含む部分画像信
号Ipのウィンドウ内の画像である。最初に、ウィンド
ウ83(部分画像信号Ip)を分割手段84により孤立
パターン85と周囲パターン86に分割する。分割の手
法としてはラベリングと呼ばれる方法が一般に知られて
いる。孤立パターンの最大径pは孤立パターン85から
同一2次モーメントを持つ楕円87を求め、計測パター
ン91を得、この計測パターンの楕円の長軸の長さpを
計測してもとめる。pが検査基準値より大きい場合は導
通上有害欠陥、検査基準値以下の場合は導通上非有害欠
陥である。
FIG. 21 shows an example of an algorithm for determining the harmfulness of the defect when the isolated pattern defect shown in FIG. 8D exists. The window 83 (partial image signal Ip) is an image in the window of the partial image signal Ip including the isolated pattern and the surrounding normal circuit pattern. First, the window 83 (partial image signal Ip) is divided by the dividing means 84 into an isolated pattern 85 and a surrounding pattern 86. As a dividing method, a method called labeling is generally known. The maximum diameter p of the isolated pattern is obtained by obtaining an ellipse 87 having the same second moment from the isolated pattern 85, obtaining a measurement pattern 91, and measuring the length p of the major axis of the ellipse of the measurement pattern. If p is greater than the inspection reference value, it is a harmful defect on conduction, and if p is less than or equal to the inspection reference value, it is a non-hazardous defect on conduction.

【0046】次に孤立パターンから周囲の正常パターン
までのパターン間隔n2計測するために、88により孤
立パターン85の境界の座標(xi,yi)を中心とし
てパターン間隔nの検査基準値を半径とした円を描き
ながら境界を一周し描画パターン89を得、さらに描画
パターン89と周囲パターン86のAND手段90によ
りANDをとり計測パターン92を得る。計測パターン
92においてパターン数≠0のときはパターン間隔n
は検査基準値より小さく導通上有害欠陥である。またパ
ターン数=0の場合、パターン間隔nが検査基準値以
上で導通上非有害欠陥である。
[0046] From then isolated pattern to pattern spacing n2 measurements to normal pattern around the boundary coordinates of the isolated pattern 85 by 88 (xi, yi) radius and the inspection standard value of the pattern spacing n 2 about the The drawing pattern 89 is obtained by making a round around the boundary while drawing a circle, and the AND operation of the drawing pattern 89 and the surrounding pattern 86 is performed by AND means 90 to obtain a measurement pattern 92. When the number of patterns ≠ 0 in the measurement pattern 92, the pattern interval n 2
Is a harmful defect in conduction smaller than the inspection reference value. In the case of the pattern number = 0, the pattern spacing n 2 is a non-toxic defects on conduction inspection standard value or more.

【0047】図22に図9ホに示す欠けが大きなパター
ンにある場合のパターンの欠陥の導通上有害性を判定す
るアルゴリズム例をしめす。ウィンドウ93(部分画像
信号Ip)は欠けがある部分画像信号Ipのウィンドウ
内の画像である。またウィンドウ94(部分画像信号R
p)は基準回路パターン画像の部分画像信号Rpのウィ
ンドウ内画像である。最初にウィンドウ93(部分画像
信号Ip)から欠陥のあるパターンの面積Sを求め
る。次にウィンドウ94(部分画像信号Rp)から欠陥
のないパターンの面積SをもとめΣSi=S−S
を算出する。面積ΣSiが検査基準値より大きい場合導
通上有害欠陥で、検査基準値以下の場合は導通上非有害
欠陥である。
FIG. 22 shows an example of an algorithm for judging the conductive harmfulness of a pattern defect when the pattern shown in FIG. The window 93 (partial image signal Ip) is an image in the window of the partial image signal Ip having a lack. The window 94 (partial image signal R
p) is an in-window image of the partial image signal Rp of the reference circuit pattern image. First window 93 determine the area S 1 of the pattern from (partial image signals Ip) defective. Then the window 94 (partial image signal Rp) determined the area S 2 of the non-defective patterns from ΣSi = S 2 -S 1
Is calculated. If the area ΣSi is larger than the inspection reference value, it is a harmful defect on conduction, and if it is less than the inspection reference value, it is a non-hazardous defect on conduction.

【0048】図23に図9へに示すピンホールが大きな
回路パターンの中に有る場合の導通上有害性を判別する
アルゴリズム例を示す。ウィンドウ95(部分画像信号
Ip)はピンホールがある部分画像信号Ipのウィンド
ウ内の画像である。ウィンドウ95(部分画像信号I
p)に対してピンホール抽出手段96によるピンホール
抽出の処理を行い、ピンホールだけとりだしたピンホー
ル画像信号97を得る。ここで各ピンホールに対して9
8により同一2次モーメントを持つ楕円(計測画像9
9)をもとめ、楕円の長軸の長さliを計測し、Σli
を算出する。Σliが検査基準値より大きい場合は導通
上有害欠陥、検査基準値以下の場合は導通上非有害欠陥
である。
FIG. 23 shows an example of an algorithm for determining the harmfulness of conduction when the pinhole shown in FIG. 9 is present in a large circuit pattern. The window 95 (partial image signal Ip) is an image in the window of the partial image signal Ip having a pinhole. Window 95 (partial image signal I
For p), the pinhole extraction processing by the pinhole extraction means 96 is performed to obtain a pinhole image signal 97 obtained by extracting only the pinhole. Where 9 for each pinhole
The ellipse having the same second moment by 8 (measurement image 9
9), measure the length li of the major axis of the ellipse, and
Is calculated. If Σli is greater than the inspection reference value, it is a harmful defect on conduction, and if Σli is less than the inspection reference value, it is a non-hazardous defect on conduction.

【0049】図9トに示す突起が大きな回路パターンに
ある場合の導通上有害性を判定するアルゴリズム例は、
図20の線状回路パターンに突起がある場合のアルゴリ
ズムと同様である。
An example of an algorithm for judging harmfulness in conduction when the protrusion is in a large circuit pattern shown in FIG.
The algorithm is the same as the algorithm in FIG. 20 when the linear circuit pattern has a protrusion.

【0050】[0050]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
プリント基板等の回路パターンに対して目視による複雑
な検査基準に合致させて回路パターンの導通上有害な欠
陥と非有害な欠陥とに高速度で判別検査することがで
き、従来作業者が確認していた導通上本当の欠陥である
か否かの作業を省略することができる効果を奏する。特
に本発明によれば、上記回路パターンの導通上の欠陥検
査作業の合理化とこの欠陥検査の信頼性を向上させるこ
とができる。
As described above, according to the present invention,
Circuit patterns such as printed circuit boards can be visually inspected at high speed by matching complex inspection criteria with visual inspection to determine harmful defects and non-harmful defects in circuit pattern continuity. There is an effect that the operation of determining whether or not the defect is a true defect in the conduction can be omitted. In particular, according to the present invention, it is possible to rationalize the work of inspecting defects in the conduction of the circuit pattern and improve the reliability of the defect inspection.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】図1は、本発明による回路パターンの欠陥検査
装置の一実施例の概略構成を示すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing a schematic configuration of an embodiment of a circuit pattern defect inspection apparatus according to the present invention.

【図2】図2は、本発明による回路パターンの欠陥検査
装置の一実施例の概略構成を示すブロック図である。
FIG. 2 is a block diagram showing a schematic configuration of an embodiment of a circuit pattern defect inspection apparatus according to the present invention.

【図3】図3は、従来の回路パターンの欠陥検査装置の
一例の概略構成を示す斜視図である。
FIG. 3 is a perspective view showing a schematic configuration of an example of a conventional circuit pattern defect inspection apparatus.

【図4】図4は、回路パターン画像信号、基準回路パタ
ーン画像信号、欠陥パターン画像信号に対する部分画像
信号を示す図である。
FIG. 4 is a diagram illustrating a partial image signal corresponding to a circuit pattern image signal, a reference circuit pattern image signal, and a defect pattern image signal.

【図5】図5は、回路パターン画像信号、基準回路パタ
ーン画像信号、欠陥パターン画像信号に対する部分画像
信号を示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing partial image signals corresponding to a circuit pattern image signal, a reference circuit pattern image signal, and a defect pattern image signal.

【図6】図6は、回路パターン画像信号、基準回路パタ
ーン画像信号、欠陥パターン画像信号に対する部分画像
信号を示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing a partial image signal corresponding to a circuit pattern image signal, a reference circuit pattern image signal, and a defect pattern image signal.

【図7】図7は、回路パターン画像信号、基準回路パタ
ーン画像信号、欠陥パターン画像信号に対する部分画像
信号を示す図である。
FIG. 7 is a diagram illustrating partial image signals corresponding to a circuit pattern image signal, a reference circuit pattern image signal, and a defect pattern image signal.

【図8】図8は、回路パターンに対する導通上有害な欠
陥と非有害な欠陥の形状を示した回路パターンの平面図
である。
FIG. 8 is a plan view of a circuit pattern showing shapes of a harmful defect and a non-harmful defect in conduction with respect to the circuit pattern.

【図9】図9は、回路パターンに対する導通上有害な欠
陥と非有害な欠陥の形状を示した回路パターンの平面図
である。
FIG. 9 is a plan view of a circuit pattern showing shapes of harmful defects and non-harmful defects in conduction with respect to the circuit pattern.

【図10】図10は、撮像装置から得られる画像信号と
2値絵素化画像信号とを示す図である。
FIG. 10 is a diagram showing an image signal and a binary picture element image signal obtained from the imaging device.

【図11】図11は、インターフェース回路の一実施例
を示すブロック図である。
FIG. 11 is a block diagram illustrating an embodiment of an interface circuit.

【図12】図12は、本発明における導通上有害な欠陥
と非有害な欠陥とを判定するアルゴリズムの例を示すブ
ロック図である。
FIG. 12 is a block diagram illustrating an example of an algorithm for determining a harmful defect and a non-harmful defect in conduction according to the present invention.

【図13】図13は、本発明における導通上有害な欠陥
と非有害な欠陥とを判定するアルゴリズムの例を示すブ
ロック図である。
FIG. 13 is a block diagram showing an example of an algorithm for determining a harmful defect and a non-harmful defect in conduction according to the present invention.

【図14】図14は、本発明における導通上有害な欠陥
と非有害な欠陥とを判定するアルゴリズムの例を示すブ
ロック図である。
FIG. 14 is a block diagram illustrating an example of an algorithm for determining a harmful defect and a non-harmful defect in conduction according to the present invention.

【図15】図15は、本発明における導通上有害な欠陥
と非有害な欠陥とを判定するアルゴリズムの例を示すブ
ロック図である。
FIG. 15 is a block diagram showing an example of an algorithm for determining a harmful defect and a non-harmful defect in conduction according to the present invention.

【図16】図16は、本発明における導通上有害な欠陥
と非有害な欠陥とを判定するアルゴリズムの例を示すブ
ロック図である。
FIG. 16 is a block diagram illustrating an example of an algorithm for determining a harmful defect and a non-harmful defect in conduction according to the present invention.

【図17】図17は、本発明における導通上有害な欠陥
と非有害な欠陥とを判定するアルゴリズムの例を示すブ
ロック図である。
FIG. 17 is a block diagram illustrating an example of an algorithm for determining a harmful defect and a non-harmful defect in conduction according to the present invention.

【図18】図18は、本発明における導通上有害な欠陥
と非有害な欠陥とを判定するアルゴリズムの例を示すブ
ロック図である。
FIG. 18 is a block diagram illustrating an example of an algorithm for determining a harmful defect and a non-harmful defect in conduction according to the present invention.

【図19】図19は、本発明における導通上有害な欠陥
と非有害な欠陥とを判定するアルゴリズムの例を示すブ
ロック図である。
FIG. 19 is a block diagram showing an example of an algorithm for determining a harmful defect and a non-harmful defect in conduction according to the present invention.

【図20】図20は、本発明における導通上有害な欠陥
と非有害な欠陥とを判定するアルゴリズムの例を示すブ
ロック図である。
FIG. 20 is a block diagram illustrating an example of an algorithm for determining a harmful defect and a non-harmful defect in conduction according to the present invention.

【図21】図21は、本発明における導通上有害な欠陥
と非有害な欠陥とを判定するアルゴリズムの例を示すブ
ロック図である。
FIG. 21 is a block diagram showing an example of an algorithm for determining a harmful defect and a non-harmful defect in conduction according to the present invention.

【図22】図22は、本発明における導通上有害な欠陥
と非有害な欠陥とを判定するアルゴリズムの例を示すブ
ロック図である。
FIG. 22 is a block diagram showing an example of an algorithm for determining a harmful defect and a non-harmful defect in conduction according to the present invention.

【図23】図23は、本発明における導通上有害な欠陥
と非有害な欠陥とを判定するアルゴリズムの例を示すブ
ロック図である。
FIG. 23 is a block diagram illustrating an example of an algorithm for determining a harmful defect and a non-harmful defect in conduction according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

I…検査システム II…部分画像検査システム A
…回路パターン B…基準回路パターン 1,1’
…撮像装置 3…欠陥判定装置 4…欠陥(候補)
代表点信号 7…基準パターン発生装置 8…回路
パターン画像信号 9,9’…基準回路パターン画像信号 10…欠陥パ
ターン画像信号 11…インターフェース12…部分画像メモリ 13
…部分画像処理装置 Ip,Ip’,Ip”,Rp,Rp’,Rp”,Dp,
Dp’,Dp”…部分画像信号
I: Inspection system II: Partial image inspection system A
... Circuit pattern B ... Reference circuit pattern 1,1 '
... Imaging device 3 ... Defect determination device 4 ... Defect (candidate)
Representative point signal 7 ... Reference pattern generator 8 ... Circuit pattern image signal 9, 9 '... Reference circuit pattern image signal 10 ... Defect pattern image signal 11 ... Interface 12 ... Partial image memory 13
... Partial image processing devices Ip, Ip ', Ip ", Rp, Rp', Rp", Dp,
Dp ', Dp "... Partial image signal

フロントページの続き (72)発明者 北村 茂樹 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株式会社日立画像情報システム内 (56)参考文献 特開 昭59−149570(JP,A) 特開 昭50−131469(JP,A)Continuation of the front page (72) Inventor Shigeki Kitamura 292 Yoshida-cho, Totsuka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture Inside Hitachi Image Information System Co., Ltd. (56) References JP-A-59-149570 (JP, A) JP-A-50-131469 (JP, A)

Claims (12)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】所定の撮像信号で動作する撮像手段と試料
とを相対的に移動させながら前記撮像手段で表面にパタ
ーンが形成された試料を撮像して該試料の画像を得、前
記試料を撮像しながら前記撮像信号と同期して第1の処
理速度で前記画像から欠陥候補を含む部分画像を抽出し
て記憶手段に記憶し、該記憶した部分画像を前記第1の
処理速度よりも遅い第2の処理速度で処理して欠陥候補
を抽出し、該抽出した欠陥候補の大きさまたは形状、ま
たは、該抽出した欠陥候補と前記パターンとの位置関係
に基づいて前記抽出した欠陥候補の有害性を判定するこ
とを特徴とする欠陥検査方法。
1. An image pickup device, wherein an image of a sample having a pattern formed on a surface thereof is obtained by relatively moving an image pickup device operated by a predetermined image pickup signal and a sample, and an image of the sample is obtained. While imaging, a partial image including a defect candidate is extracted from the image at a first processing speed in synchronization with the imaging signal and stored in a storage unit, and the stored partial image is slower than the first processing speed. Processing at a second processing speed to extract defect candidates, and the size or shape of the extracted defect candidates or the harmfulness of the extracted defect candidates based on the positional relationship between the extracted defect candidates and the pattern. A defect inspection method characterized by determining a defect.
【請求項2】前記欠陥候補の有害性の判定を、前記欠陥
候補を含む部分画像の抽出よりも遅いクロック周波数で
処理することを特徴とする請求項1記載の欠陥検査方
法。
2. The defect inspection method according to claim 1, wherein the determination of the harmfulness of the defect candidate is performed at a clock frequency slower than the extraction of the partial image including the defect candidate.
【請求項3】所定の撮像信号と同期させて試料を撮像し
て前記試料の画像を得、前記画像を前記撮像信号と同期
させて第1の処理速度で処理することにより欠陥候補を
含む部分画像を順次抽出し、該抽出した欠陥候補を含む
部分画像を記憶手段に順次記憶し、該記憶した欠陥候補
を含む部分画像を前記第1の処理速度よりも遅い第2の処
理速度で順次処理して前記欠陥候補を分類することを特
徴とする欠陥検査方法。
3. A portion including a defect candidate by capturing an image of a sample in synchronization with a predetermined imaging signal to obtain an image of the sample, and processing the image at a first processing speed in synchronization with the imaging signal. The images are sequentially extracted, the partial images including the extracted defect candidates are sequentially stored in a storage unit, and the partial images including the stored defect candidates are sequentially processed at a second processing speed lower than the first processing speed. A defect inspection method, wherein the defect candidate is classified.
【請求項4】前記欠陥候補を分類することが、前記抽出
した欠陥候補の特徴量の情報を用いて分類することであ
ることを特徴とする請求項記載の欠陥検査方法。
4. The defect inspection method according to claim 3 , wherein said classifying said defect candidate is to classify said defect candidate by using information of the feature amount of said extracted defect candidate.
【請求項5】前記特徴量の情報が、前記抽出した欠陥候
補の寸法に関する情報であることを特徴とする請求項
記載の欠陥検査方法。
5. The method according to claim 4 , wherein the information on the feature amount is information on a size of the extracted defect candidate.
Described defect inspection method.
【請求項6】前記欠陥候補を分類することが、導通上の
有害欠陥と非有害欠陥とに分類することであることを特
徴とする請求項記載の欠陥検査方法。
6. The defect inspection method according to claim 3, wherein the classification of the defect candidates is classified into harmful defects and non-harmful defects in conduction.
【請求項7】所定のクロック周波数の信号と同期させて
試料を撮像して前記試料の画像を得、該画像を前記信号
と同期させて処理することにより欠陥候補を含む部分画
像を順次抽出し、該抽出した欠陥候補を含む部分画像を
記憶手段に順次記憶し、該記憶した欠陥候補を含む部分
画像を前記信号の所定のクロック周波数よりも小さいク
ロック周波数の信号と同期させて順次処理することによ
り前記抽出した欠陥候補を分類することを特徴とする欠
陥検査方法。
7. An image of a sample is taken by synchronizing with a signal of a predetermined clock frequency to obtain an image of the sample, and the image is processed in synchronization with the signal to sequentially extract partial images including defect candidates. Sequentially storing the partial images including the extracted defect candidates in a storage unit, and sequentially processing the partial images including the stored defect candidates in synchronization with a signal having a clock frequency lower than a predetermined clock frequency of the signal. A defect inspection method, wherein the extracted defect candidates are classified according to:
【請求項8】前記画像を前記信号と同期させて処理する
ことにより欠陥候補を含む部分画像を順次抽出すること
を、パイプライン型画像処理により行うことを特徴とす
る請求項記載の欠陥検査方法。
8. The defect inspection according to claim 7 , wherein the partial image including the defect candidate is sequentially extracted by processing the image in synchronization with the signal, by pipeline image processing. Method.
【請求項9】前記欠陥候補を分類することが、導通上の
有害欠陥と非有害欠陥とに分類することであることを特
徴とする請求項記載の欠陥検査方法。
9. The defect inspection method according to claim 7, wherein said classifying said defect candidates is classified into harmful defects and non-harmful defects in conduction.
【請求項10】表面にパターンが形成された試料を載置
して平面内で移動可能なテーブル手段と、所定の撮像信
号で動作して前記テーブル手段に載置した前記試料を撮
像して該試料の画像を得る撮像手段と、該撮像手段で前
記試料を撮像しながら前記得た試料の画像から欠陥候補
を含む部分画像を前記所定の撮像信号と同期して抽出す
る部分画像抽出手段と、該部分画像抽出手段で抽出した
欠陥候補を含む部分画像を前記所定の撮像信号と同期し
て記憶する記憶手段と、該記憶した部分画像を前記所定
の撮像信号よりも低い周波数の信号に同期処理して欠陥
候補を抽出する欠陥候補抽出手段と、該欠陥候補抽出手
段で抽出した欠陥候補の大きさまたは形状、または、該
抽出した欠陥候補と前記パターンとの位置関係に基づい
て前記抽出した欠陥候補の有害性を判定する判定手段と
を備えたことを特徴とする欠陥検査装置。
10. A table means on which a sample having a pattern formed on a surface is mounted and movable in a plane, and said sample mounted on said table means is operated by a predetermined imaging signal to image said sample. Imaging means for obtaining an image of a sample, and partial image extraction means for extracting a partial image including a defect candidate from the obtained image of the sample in synchronization with the predetermined imaging signal while imaging the sample with the imaging means, Storage means for storing a partial image including a defect candidate extracted by the partial image extraction means in synchronization with the predetermined imaging signal; and synchronizing the stored partial image with a signal having a lower frequency than the predetermined imaging signal Defect candidate extracting means for extracting a defect candidate by extracting the defect candidate based on the size or shape of the defect candidate extracted by the defect candidate extracting means or the positional relationship between the extracted defect candidate and the pattern. Defect inspection apparatus characterized by comprising a determining means for determining hazard candidates.
【請求項11】所定の撮像信号と同期させて試料を撮像
する撮像手段と、該撮像手段で試料を撮像して得た該試
料の画像を前記撮像信号と同期させて処理することによ
り欠陥候補を含む部分画像を順次抽出する部分画像抽出
手段と、該部分画像抽出手段で抽出した前記欠陥候補を
含む部分画像を前記撮像信号と同期させて順次記憶する
記憶手段と、該記憶手段に記憶した前記欠陥候補を含む
部分画像を前記所定の撮像信号よりも低い周波数の信号
に同期して順次処理して前記欠陥を分類する欠陥分類手
段とを備えたことを特徴とする欠陥検査装置。
11. An image pickup means for picking up an image of a sample in synchronism with a predetermined image pickup signal, and an image of the sample obtained by picking up an image of the sample by said image pickup means is processed in synchronization with said image pickup signal, thereby providing a defect candidate. A partial image extracting unit for sequentially extracting partial images including: a storage unit for sequentially storing partial images including the defect candidates extracted by the partial image extracting unit in synchronization with the imaging signal; A defect classification device for sequentially processing the partial image including the defect candidate in synchronization with a signal having a frequency lower than the predetermined imaging signal and classifying the defect;
【請求項12】所定のクロック周波数の信号と同期させ
て試料を撮像して前記試料の画像を得る撮像手段と、該
撮像手段で得た前記画像を前記所定のクロック周波数の
信号と同期させて処理することにより欠陥候補を含む部
分画像を順次抽出する部分画像抽出手段と、該部分画像
抽出手段で抽出した欠陥候補を含む部分画像を順次記憶
する記憶手段と、該記憶手段に記憶した前記欠陥候補を
含む部分画像を前記信号の所定のクロック周波数よりも
小さいクロック周波数の信号と同期させて順次処理する
ことにより前記抽出した欠陥候補を分類する分類手段と
を備えたことを特徴とする欠陥検査装置。
12. An imaging means for capturing an image of a sample in synchronization with a signal of a predetermined clock frequency to obtain an image of the sample, and synchronizing the image obtained by the imaging means with a signal of the predetermined clock frequency. Partial image extraction means for sequentially extracting partial images containing defect candidates by processing; storage means for sequentially storing partial images containing defect candidates extracted by said partial image extraction means; and said defect stored in said storage means. Defect inspection means for classifying the extracted defect candidates by sequentially processing the partial image including the candidate in synchronization with a signal having a clock frequency lower than a predetermined clock frequency of the signal, and classifying the extracted defect candidates. apparatus.
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