JP3283847B2 - Rubbing cleaning apparatus and rubbing cleaning method - Google Patents
Rubbing cleaning apparatus and rubbing cleaning methodInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示パネルの
製造に適したラビング洗浄装置及びラビング洗浄方法に
関する。The present invention relates to a rubbing cleaning apparatus and a rubbing cleaning method suitable for manufacturing a liquid crystal display panel.
【0002】[0002]
【従来の技術】液晶表示パネルは、電圧により液晶分子
の配列を変化させ、液晶内を通過する光を制御すること
で、表示を行わせるものである。液晶を配列させるため
には、基板上に配向膜を塗布し、配向膜の分子と液晶分
子の長軸方向を合わせる必要がある。2. Description of the Related Art A liquid crystal display panel performs display by changing the arrangement of liquid crystal molecules by a voltage and controlling light passing through the liquid crystal. In order to align liquid crystals, it is necessary to apply an alignment film on a substrate and align the molecules of the alignment film with the long axes of the liquid crystal molecules.
【0003】この配向膜の分子に方向性を持たせる工程
がラビング工程である。ラビング工程では、配向膜が形
成されたTFT基板及びカラーフィルター(以下CFと
いう)基板が、ラビング布を円筒状に巻付けたロール
(以下、ラビングロールという)で擦られる。[0003] The step of giving directionality to the molecules of the alignment film is a rubbing step. In the rubbing step, the TFT substrate and the color filter (hereinafter, referred to as CF) substrate on which the alignment film is formed are rubbed with a roll (hereinafter, referred to as a rubbing roll) obtained by winding a rubbing cloth into a cylindrical shape.
【0004】ラビング工程は、物理的に擦る工程である
ため、TFT基板及びCF基板上を擦ることにより発生
する配向膜の屑やラビングロールの布(以下、ラビング
布という)の屑が発生する。Since the rubbing step is a physical rubbing step, rubbing of the alignment film and rubbing roll cloth (hereinafter referred to as rubbing cloth) generated by rubbing the TFT substrate and the CF substrate are generated.
【0005】ラビング中に発生する屑等がTFT基板及
びCF基板に付着すると、表示品質が著しく低下してし
まう。そこで、これらTFT基板及びCF基板に付着し
た屑は、ラビング工程後の洗浄で除去されるようになっ
ている。[0005] If dust generated during rubbing adheres to the TFT substrate and the CF substrate, the display quality is significantly reduced. Therefore, dust adhering to the TFT substrate and the CF substrate is removed by cleaning after the rubbing step.
【0006】ところが、ラビングロールにもゴミや屑が
付着しているため、そのゴミや屑の除去を怠ると、ラビ
ング工程時に配向膜にキズを与えてしまうことになる。
この場合、配向膜の配向が乱れてしまい、液晶表示パネ
ルの表示不良を招いてしまう。However, dust and debris also adhere to the rubbing roll, and if the dust and debris are not removed, the alignment film will be damaged during the rubbing process.
In this case, the alignment of the alignment film is disturbed, and display defects of the liquid crystal display panel are caused.
【0007】ラビングロールに付着したゴミや屑等を除
去する方法として、たとえば特開平8−87014号公
報に示されたものがある。これは、ラビング時にTFT
基板やCF基板とともにステンレス板を流し、ラビング
ロールに付着したゴミや屑等をステンレス板によって除
去するようにしたものである。[0007] As a method for removing dust, debris and the like adhering to the rubbing roll, there is a method disclosed in, for example, JP-A-8-87014. This is because the TFT
A stainless plate is flowed together with the substrate and the CF substrate, and dust and debris attached to the rubbing roll are removed by the stainless plate.
【0008】また、他の方法として、たとえば特開昭6
3−151925号公報に示されたものもある。これ
は、ラビング装置のラビングローラー及びラビングする
基板の近傍に放電機を設置し、ラビング前の基板にラビ
ング時に発生する静電気電荷と反対極性の電荷を放電す
るようにしたものである。これにより、基板表面の帯電
が無くされるようになっている。Another method is disclosed in, for example,
There is also one disclosed in JP-A-3-151925. In this technique, a discharge machine is provided in the vicinity of a rubbing roller of a rubbing device and a substrate to be rubbed, and discharges a charge of a polarity opposite to an electrostatic charge generated during rubbing to a substrate before rubbing. As a result, the charge on the substrate surface is eliminated.
【0009】[0009]
【発明が解決しようとする課題】ところが、上述した前
者の先行技術では、ラビングロールに付着したゴミや屑
等をステンレス板によって除去するとき、ステンレス板
が削られることから、ラビングロールの清浄化が完全に
行われないという不具合がある。However, in the above-mentioned prior art, when the stainless steel plate is used to remove dust, debris and the like adhering to the rubbing roll, the stainless steel plate is shaved. There is a defect that it is not performed completely.
【0010】また、TFT基板又はCF基板1枚に対
し、ステンレス板が1回擦られるようになっているた
め、ラビングロール1本当たりの処理できるTFT基板
及びCF基板の数が半減してしまい、液晶表示パネルの
製造コスト削減の妨げとなるという不具合もある。Further, since the stainless steel plate is rubbed once against one TFT substrate or one CF substrate, the number of TFT substrates and CF substrates that can be processed per rubbing roll is reduced by half. There is also a problem that it hinders the reduction of the manufacturing cost of the liquid crystal display panel.
【0011】後者の先行技術では、基板表面の異物付着
は改善されるものの、ラビング布への清浄化処理を直接
行わない方法である。このため、ラビング布が擦ること
により物理的な力で剥がされた配向膜の屑やラビング布
の屑がラビングロールに絡まってしまい、ラビング工程
時に配向膜にキズを与えてしまうことになる。この場
合、配向膜の配向が乱れてしまい、液晶表示パネルの表
示不良を招いてしまう。In the latter prior art, although the adhesion of foreign substances on the substrate surface is improved, the cleaning treatment is not directly performed on the rubbing cloth. For this reason, rubbing of the rubbing cloth causes the scraps of the alignment film or the rubbing cloth scraped off by the physical force to become entangled with the rubbing roll, thereby giving a scratch to the alignment film during the rubbing step. In this case, the alignment of the alignment film is disturbed, and display defects of the liquid crystal display panel are caused.
【0012】本発明は、このような状況に鑑みてなされ
たものであり、液晶表示パネルの製造コストをアップさ
せることなく、液晶表示パネルの表示品質を向上させる
ことができるラビング洗浄装置及びラビング洗浄方法を
提供することができるようにするものである。The present invention has been made in view of such circumstances, and a rubbing cleaning apparatus and rubbing cleaning capable of improving the display quality of a liquid crystal display panel without increasing the manufacturing cost of the liquid crystal display panel. A method can be provided.
【0013】[0013]
【課題を解決するための手段】請求項1に記載のラビン
グ洗浄装置は、配向膜が形成されたTFT基板及びCF
基板並びに洗浄用基板を載置するステージと、ステージ
の上方に配置され、洗浄用基板の表面に+又は−のイオ
ンを当てて、洗浄用基板の表面を帯電させるイオナイザ
ーとTFT基板及びCF基板に対してラビング処理を施
すラビングロールとを備え、ラビングロールの洗浄時に
おいては、帯電された洗浄用基板の電荷とラビングロー
ルに付着した異物間のクーロン力及び洗浄用基板を擦る
物理的な力により、異物を洗浄用基板の表面に移動させ
ることを特徴とする。また、洗浄用基板は、ガラス基板
であるようにすることができる。また、洗浄用基板によ
るラビングロールの洗浄は、TFT基板及びCF基板が
ステージによって流される合間に、ある頻度で流される
ことで行われるようにすることができる。請求項4に記
載のラビング洗浄方法は、配向膜が形成されたTFT基
板及びCF基板並びに洗浄用基板を載置する第1の工程
と、洗浄用基板の表面に+又は−のイオンを当てて、洗
浄用基板の表面を帯電させる第2の工程と、TFT基板
及びCF基板に対してラビング処理を施す第3の工程
と、ラビングロールの洗浄時において、帯電された洗浄
用基板の電荷とラビングロールに付着した異物間のクー
ロン力及び洗浄用基板を擦る物理的な力により、異物を
洗浄用基板の表面に移動させる第4の工程とを備えるこ
とを特徴とする。また、第2の工程には、ガラス基板の
表面に+又は−のイオンを当てる工程が含まれるように
することができる。また、第4の工程には、洗浄用基板
によるラビングロールの洗浄を、TFT基板及びCF基
板がラビングロール側に流される合間に、ある頻度で流
すことで行う工程が含まれるようにすることができる。
本発明に係るラビング洗浄装置及びラビング洗浄方法に
おいては、ステージの上方に配置されるイオナイザーに
より、洗浄用基板の表面に+又は−のイオンを当てて、
洗浄用基板の表面を帯電させ、ラビングロールの洗浄時
においては、帯電された洗浄用基板の電荷とラビングロ
ールに付着した異物間のクーロン力及び洗浄用基板を擦
る物理的な力により、異物を洗浄用基板の表面に移動さ
せるようにし、ラビング工程時に配向膜にキズを与えな
いようにする。According to a first aspect of the present invention, there is provided a rubbing cleaning apparatus comprising: a TFT substrate on which an alignment film is formed;
A stage on which the substrate and the cleaning substrate are placed; and an ionizer, a TFT substrate, and a CF substrate that are disposed above the stage and charge the surface of the cleaning substrate by applying + or-ions to the surface of the cleaning substrate. A rubbing roll that performs a rubbing process on the rubbing roll, and at the time of cleaning the rubbing roll, the Coulomb force between the charged charge of the cleaning substrate and the foreign matter attached to the rubbing roll and the physical force of rubbing the cleaning substrate. And moving foreign matter to the surface of the cleaning substrate. Further, the cleaning substrate can be a glass substrate. Further, the cleaning of the rubbing roll by the cleaning substrate can be performed by flowing the TFT substrate and the CF substrate at a certain frequency during the flow by the stage. The rubbing cleaning method according to claim 4, wherein the first step of mounting the TFT substrate, the CF substrate, and the cleaning substrate on which the alignment film is formed, and applying + or-ions to the surface of the cleaning substrate. A second step of charging the surface of the cleaning substrate, a third step of performing a rubbing process on the TFT substrate and the CF substrate, and a step of cleaning the rubbing roll and charging and rubbing the charged cleaning substrate. And a fourth step of moving the foreign matter to the surface of the cleaning substrate by the Coulomb force between the foreign matter attached to the roll and the physical force of rubbing the cleaning substrate. Further, the second step may include a step of applying + or − ions to the surface of the glass substrate. Further, the fourth step may include a step of cleaning the rubbing roll with the cleaning substrate by flowing the TFT substrate and the CF substrate at a certain frequency while the TFT substrate and the CF substrate are flowed to the rubbing roll side. it can.
In the rubbing cleaning device and the rubbing cleaning method according to the present invention, the ionizer disposed above the stage applies positive or negative ions to the surface of the cleaning substrate,
The surface of the cleaning substrate is charged, and when cleaning the rubbing roll, foreign matter is removed by the Coulomb force between the charged charge of the cleaning substrate and the foreign material attached to the rubbing roll and the physical force of rubbing the cleaning substrate. The alignment film is moved to the surface of the cleaning substrate so that the alignment film is not damaged during the rubbing step.
【0014】[0014]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。Embodiments of the present invention will be described below.
【0015】図1は、本発明のラビング洗浄装置の一実
施の形態を示す図、図2及び図3は、図1のラビング洗
浄装置の動作を説明するための図である。FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of the rubbing cleaning device of the present invention, and FIGS. 2 and 3 are diagrams for explaining the operation of the rubbing cleaning device of FIG.
【0016】図1に示すラビング洗浄装置は、矢印方向
に移動するステージ1が設けられている。ステージ1に
は、図示しない配向膜が形成されたTFT基板及びCF
基板が載置されるようになっている。これら図示しない
TFT基板及びCF基板は、ラビング布を円筒状に巻付
けたラビングロール4で擦られるようになっている。The rubbing cleaning apparatus shown in FIG. 1 is provided with a stage 1 which moves in the direction of the arrow. The stage 1 has a TFT substrate on which an alignment film (not shown) is formed and a CF.
The substrate is to be placed. The TFT substrate and the CF substrate (not shown) are rubbed by a rubbing roll 4 in which a rubbing cloth is wound in a cylindrical shape.
【0017】また、ステージ1には、ラビングロール4
に付着したゴミや屑等を除去するための洗浄用基板2が
載置されるようになっている。この洗浄用基板2は、T
FT基板及びCF基板が流される合間に、ある頻度で流
されるようになっている。The stage 1 has a rubbing roll 4
A cleaning substrate 2 for removing dust, debris, and the like attached to the device is placed. This cleaning substrate 2 is made of T
It is made to flow at a certain frequency while the FT substrate and the CF substrate flow.
【0018】また、洗浄用基板2としては、たとえばガ
ラス基板を用いることができる。洗浄用基板2を流す頻
度は、ラビング布の使用回数の制限もあるため、後述す
る異物7の発生量(配向膜、ラビングロールの種類、ラ
ビング条件、ラビング前の基板の清浄度により異なる)
により適正な回数とする。Further, as the cleaning substrate 2, for example, a glass substrate can be used. Since the frequency of flowing the cleaning substrate 2 is limited by the number of times the rubbing cloth is used, the amount of foreign matter 7 to be described later (depending on the orientation film, the type of rubbing roll, rubbing conditions, and the cleanness of the substrate before rubbing)
To make the number of times appropriate.
【0019】ステージ1の上方には、+又は−のイオン
6を洗浄用基板2に当てるためのイオナイザー3が設け
られている。イオナイザー3によって、たとえば+のイ
オン6が当てられると、洗浄用基板2の表面には、+の
電荷5が帯電する。Above the stage 1, an ionizer 3 for applying + or-ions 6 to the cleaning substrate 2 is provided. When, for example, + ions 6 are applied by the ionizer 3, + electric charges 5 are charged on the surface of the cleaning substrate 2.
【0020】次に、このような構成のラビング洗浄装置
の動作について説明する。Next, the operation of the rubbing cleaning apparatus having such a configuration will be described.
【0021】まず、図1のように、ステージ1に載置し
た洗浄用基板2に対してイオナイザー3からの+又は−
のイオン6を当てる。ここでは、洗浄用基板2の表面
に、+のイオン6が当てられている。First, as shown in FIG. 1, the cleaning substrate 2 placed on the stage 1 is subjected to + or-from the ionizer 3.
Is applied to the ion 6. Here, + ions 6 are applied to the surface of the cleaning substrate 2.
【0022】次いで、イオン6を当てた洗浄用基板2
を、図2に示すように、ステージ1の移動によりラビン
グロール4の下まで流す。ラビングロール4には、TF
T基板やCF基板のラビング時に生じたゴミや屑等の異
物7が付着している。そして、洗浄用基板2がラビング
ロール4によって擦られる。Next, the cleaning substrate 2 to which the ions 6 have been applied
Is caused to flow below the rubbing roll 4 by moving the stage 1 as shown in FIG. The rubbing roll 4 has TF
Foreign matter 7 such as dust or debris generated during rubbing of the T substrate or the CF substrate is attached. Then, the cleaning substrate 2 is rubbed by the rubbing roll 4.
【0023】このとき、図3に示すように、+に帯電さ
れた洗浄用基板2の電荷5と異物7間のクーロン力及び
洗浄用基板2を擦る物理的な力により、異物7が洗浄用
基板2の表面に移動する。これにより、ラビングロール
4に付着している異物7がクリーニングされる。At this time, as shown in FIG. 3, the foreign matter 7 is cleaned by the Coulomb force between the charge 5 of the cleaning substrate 2 charged to + and the foreign matter 7 and the physical force of rubbing the cleaning substrate 2. Move to the surface of the substrate 2. As a result, the foreign matter 7 attached to the rubbing roll 4 is cleaned.
【0024】このように、本実施の形態では、イオナイ
ザー3から洗浄用基板2の表面に+又は−のイオン6を
当てて、洗浄用基板2の表面を帯電させた後、洗浄用基
板2をTFT基板もしくはCF基板を流す合間に、ある
頻度で流し、帯電させた洗浄用基板2の表面をラビング
ロール4で擦るようにした。As described above, in this embodiment, the surface of the cleaning substrate 2 is charged by applying + or-ions 6 to the surface of the cleaning substrate 2 from the ionizer 3 and then the cleaning substrate 2 is removed. During the flow of the TFT substrate or the CF substrate, the surface of the charged cleaning substrate 2 was rubbed with a rubbing roll 4 at a certain frequency.
【0025】これにより、ラビングロール4の使用回数
制限を著しく低下させずに、静電気と擦ることによる物
理的な力でラビングロール4に付着した異物7を除去す
ることができる。Thus, the foreign matter 7 adhered to the rubbing roll 4 can be removed by a physical force caused by rubbing against static electricity without significantly reducing the number of times the rubbing roll 4 is used.
【0026】その結果、ラビングロール4の異物7が除
去されるので、TFT基板やCF基板のラビング時にお
いて、TFT基板やCF基板の配向膜が傷つけられるこ
となく処理されるため、液晶表示パネルの表示品質が改
善される。As a result, the foreign substances 7 on the rubbing roll 4 are removed, and the rubbing of the TFT substrate or the CF substrate is processed without damaging the alignment film of the TFT substrate or the CF substrate. The display quality is improved.
【0027】[0027]
【発明の効果】以上の如く本発明に係るラビング洗浄装
置及びラビング洗浄方法によれば、ステージの上方に配
置されるイオナイザーにより、洗浄用基板の表面に+又
は−のイオンを当てて、洗浄用基板の表面を帯電させ、
ラビングロールの洗浄時においては、帯電された洗浄用
基板の電荷とラビングロールに付着した異物間のクーロ
ン力及び洗浄用基板を擦る物理的な力により、異物を洗
浄用基板の表面に移動させるようにし、ラビング工程時
に配向膜にキズを与えないようにしたので、液晶表示パ
ネルの製造コストをアップさせることなく、液晶表示パ
ネルの表示品質を向上させることができる。As described above, according to the rubbing cleaning device and the rubbing cleaning method according to the present invention, the ionizer disposed above the stage impinges + or-ions on the surface of the cleaning substrate to clean the substrate. Charge the surface of the substrate,
At the time of cleaning the rubbing roll, the foreign matter is moved to the surface of the cleaning substrate by the Coulomb force between the charge of the charged cleaning substrate and the foreign material attached to the rubbing roll and the physical force of rubbing the cleaning substrate. In addition, since the alignment film is prevented from being damaged during the rubbing step, the display quality of the liquid crystal display panel can be improved without increasing the manufacturing cost of the liquid crystal display panel.
【図1】本発明のラビング洗浄装置の一実施の形態を示
す図である。FIG. 1 is a diagram showing one embodiment of a rubbing cleaning device of the present invention.
【図2】図1のラビング洗浄装置の動作を説明するため
の図である。FIG. 2 is a diagram for explaining the operation of the rubbing cleaning device of FIG.
【図3】図1のラビング洗浄装置の動作を説明するため
の図である。FIG. 3 is a diagram for explaining the operation of the rubbing cleaning device of FIG. 1;
1 ステージ 2 洗浄用基板 3 イオナイザー 4 ラビングロール 5 電荷 6 イオン 7 異物 Reference Signs List 1 stage 2 cleaning substrate 3 ionizer 4 rubbing roll 5 charge 6 ion 7 foreign matter
Claims (6)
ーフィルター基板並びに洗浄用基板を載置するステージ
と、 前記ステージの上方に配置され、前記洗浄用基板の表面
に+又は−のイオンを当てて、前記洗浄用基板の表面を
帯電させるイオナイザーと、 前記TFT基板及びカラーフィルター基板に対してラビ
ング処理を施すラビングロールとを備え、 前記ラビングロールの洗浄時においては、前記帯電され
た洗浄用基板の電荷と前記ラビングロールに付着した異
物間のクーロン力及び前記洗浄用基板を擦る物理的な力
により、前記異物を前記洗浄用基板の表面に移動させる
ことを特徴とするラビング洗浄装置。A stage for mounting a TFT substrate, a color filter substrate, and a cleaning substrate on which an alignment film is formed; and a stage disposed above the stage, wherein + or-ions are applied to the surface of the cleaning substrate. An ionizer for charging the surface of the cleaning substrate; and a rubbing roll for performing a rubbing process on the TFT substrate and the color filter substrate. When the rubbing roll is cleaned, the charged cleaning substrate is provided. A rubbing cleaning apparatus, wherein the foreign matter is moved to the surface of the cleaning substrate by the electric charge of the substrate and the Coulomb force between the foreign matter attached to the rubbing roll and the physical force of rubbing the cleaning substrate.
とを特徴とする請求項1に記載のラビング洗浄装置。2. The rubbing cleaning apparatus according to claim 1, wherein the cleaning substrate is a glass substrate.
ルの洗浄は、前記TFT基板及びカラーフィルター基板
が前記ステージによって流される合間に、ある頻度で流
されることで行われることを特徴とする請求項1に記載
のラビング洗浄装置。3. The cleaning of the rubbing roll by the cleaning substrate is performed by flowing the TFT substrate and the color filter substrate at a certain frequency during the period of being flowed by the stage. A rubbing cleaning device according to item 1.
ーフィルター基板並びに洗浄用基板を載置する第1の工
程と、 前記洗浄用基板の表面に+又は−のイオンを当てて、前
記洗浄用基板の表面を帯電させる第2の工程と、 前記TFT基板及びカラーフィルター基板に対してラビ
ング処理を施す第3の工程と、 ラビングロールの洗浄時において、前記帯電された洗浄
用基板の電荷と前記ラビングロールに付着した異物間の
クーロン力及び前記洗浄用基板を擦る物理的な力によ
り、前記異物を前記洗浄用基板の表面に移動させる第4
の工程とを備えることを特徴とするラビング洗浄方法。4. A first step of mounting a TFT substrate, a color filter substrate, and a cleaning substrate on which an alignment film is formed, and applying + or − ions to a surface of the cleaning substrate to perform the cleaning. A second step of charging the surface of the substrate; a third step of performing a rubbing process on the TFT substrate and the color filter substrate; and A fourth step of moving the foreign matter to the surface of the cleaning substrate by the Coulomb force between the foreign matter attached to the rubbing roll and the physical force of rubbing the cleaning substrate;
A rubbing cleaning method comprising the steps of:
に+又は−のイオンを当てる工程が含まれることを特徴
とする請求項4に記載のラビング洗浄方法。5. The rubbing cleaning method according to claim 4, wherein the second step includes a step of applying + or − ions to the surface of the glass substrate.
よる前記ラビングロールの洗浄を、前記TFT基板及び
カラーフィルター基板が前記ラビングロール側に流され
る合間に、ある頻度で流すことで行う工程が含まれるこ
とを特徴とする請求項4に記載のラビング洗浄方法。6. The cleaning of the rubbing roll by the cleaning substrate in the fourth step by flowing the TFT substrate and the color filter substrate at a certain frequency between the rubbing rolls. The rubbing cleaning method according to claim 4, comprising a step.
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- 1999-04-06 JP JP9836199A patent/JP3283847B2/en not_active Expired - Lifetime
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