JP3282686B2 - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JP3282686B2 JP3282686B2 JP04468893A JP4468893A JP3282686B2 JP 3282686 B2 JP3282686 B2 JP 3282686B2 JP 04468893 A JP04468893 A JP 04468893A JP 4468893 A JP4468893 A JP 4468893A JP 3282686 B2 JP3282686 B2 JP 3282686B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高周波電力が供給され
ている半導体製造装置に於ける高周波電極の温度測定装
置に関するものである。
ている半導体製造装置に於ける高周波電極の温度測定装
置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造装置の１つであるＣＶＤ（Ｃ
ｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｉｐｏｓｉｔ）装置等
は、高周波電力が供給されている。このＣＶＤ装置を図
１に於いて説明する。
ｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｉｐｏｓｉｔ）装置等
は、高周波電力が供給されている。このＣＶＤ装置を図
１に於いて説明する。
【０００３】図中、１は真空容器本体、２は真空容器蓋
であり、該真空容器蓋２に絶縁材３を介してカソード４
が設けられ、該カソード４の下方に昇降可能にアノード
５が設けられている。
であり、該真空容器蓋２に絶縁材３を介してカソード４
が設けられ、該カソード４の下方に昇降可能にアノード
５が設けられている。
【０００４】前記真空容器蓋２の下面、前記カソード４
を囲む様に内室枠６が設けられ、又該内室枠６で囲まれ
る前記カソード４、絶縁材３の下面は、シャワー板７で
覆われている。前記アノード５の上面には前記内室枠６
の下面に当接するサセプタ８を設け、該サセプタ８は前
記内室枠６と前記シャワー板７とで反応室を形成する。
を囲む様に内室枠６が設けられ、又該内室枠６で囲まれ
る前記カソード４、絶縁材３の下面は、シャワー板７で
覆われている。前記アノード５の上面には前記内室枠６
の下面に当接するサセプタ８を設け、該サセプタ８は前
記内室枠６と前記シャワー板７とで反応室を形成する。
【０００５】前記サセプタ８に被処理基板が載置され、
該被処理基板が載置された状態で前記サセプタ８が前記
内室枠６に密着され、前記カソード４と前記アノード５
との間に高周波電力が印加され、又前記カソード４と前
記アノード５が加熱された状態で前記カソード４、前記
シャワー板７を経て前記反応室に反応ガスが導入されて
前記被処理基板の処理が成される。
該被処理基板が載置された状態で前記サセプタ８が前記
内室枠６に密着され、前記カソード４と前記アノード５
との間に高周波電力が印加され、又前記カソード４と前
記アノード５が加熱された状態で前記カソード４、前記
シャワー板７を経て前記反応室に反応ガスが導入されて
前記被処理基板の処理が成される。
【０００６】この被処理基板の処理品質は温度により大
きく影響されるので、前記カソード４には熱電対９が設
けられ、該熱電対９の温度が測定され、この測定結果に
よって処理温度の制御がなされる様になっている。
きく影響されるので、前記カソード４には熱電対９が設
けられ、該熱電対９の温度が測定され、この測定結果に
よって処理温度の制御がなされる様になっている。
【０００７】ところが前記した様に、両電極４，５間に
は高周波電力が印加されているので、高周波が前記熱伝
対９のリード線に結合し、該熱電対９の信号に影響す
る。従って熱電対９はフィルタ１０を介して制御器１１
に接続され、該制御器１１には高周波成分が消去された
信号が入力される様になっている。該制御器１１は前記
熱電対９の電気信号を処理し、温度の測定をし、測定結
果は表示器により表示される。
は高周波電力が印加されているので、高周波が前記熱伝
対９のリード線に結合し、該熱電対９の信号に影響す
る。従って熱電対９はフィルタ１０を介して制御器１１
に接続され、該制御器１１には高周波成分が消去された
信号が入力される様になっている。該制御器１１は前記
熱電対９の電気信号を処理し、温度の測定をし、測定結
果は表示器により表示される。
【０００８】従来の温度測定装置のフィルタ１０につい
て図５により説明する。
て図５により説明する。
【０００９】フィルタ１０はインダクタンス部と静電容
量部によって構成され、熱電対のリード線１６をコイル
状に巻きインダクタンス部１２とし、又静電容量部とし
てリード形コンデンサ１３を用い該リード形コンデンサ
１３を前記リード線１６に接続したものである。
量部によって構成され、熱電対のリード線１６をコイル
状に巻きインダクタンス部１２とし、又静電容量部とし
てリード形コンデンサ１３を用い該リード形コンデンサ
１３を前記リード線１６に接続したものである。
【００１０】又、図６で示される従来の温度測定装置の
フィルタ１０は静電容量部として貫通形コンデンサ１４
を用いたものである。該フィルタ１０はリード線１６を
貫通形コンデンサ１４の内部端子１５に接続し、更に該
内部端子１５にインダクタンス部１２を接続したもので
ある。
フィルタ１０は静電容量部として貫通形コンデンサ１４
を用いたものである。該フィルタ１０はリード線１６を
貫通形コンデンサ１４の内部端子１５に接続し、更に該
内部端子１５にインダクタンス部１２を接続したもので
ある。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】ところが、前記図５で
示した従来例では、リード形コンデンサ１３のリード部
のインダクタンスによって高い周波数の減衰量が少な
く、前記制御器１１に高周波電流が流れる。この為、温
度測定表示がランダムとなり、正確な温度測定ができな
い。又、温度の測定結果を基に温度制御を行っている場
合は制御が乱れ、熱源をオーバヒートさせ、熔解事故を
起こす虞れもある。これは、制御器１１内の電子回路が
高周波を整流し、前記熱電対の信号に整流分を加算、減
算し、その結果前記制御器１１が実際の検出温度よりも
高温、或は低温であると判断する為であると考えられ
る。
示した従来例では、リード形コンデンサ１３のリード部
のインダクタンスによって高い周波数の減衰量が少な
く、前記制御器１１に高周波電流が流れる。この為、温
度測定表示がランダムとなり、正確な温度測定ができな
い。又、温度の測定結果を基に温度制御を行っている場
合は制御が乱れ、熱源をオーバヒートさせ、熔解事故を
起こす虞れもある。これは、制御器１１内の電子回路が
高周波を整流し、前記熱電対の信号に整流分を加算、減
算し、その結果前記制御器１１が実際の検出温度よりも
高温、或は低温であると判断する為であると考えられ
る。
【００１２】又、図６で示した従来例では、熱電対のリ
ード線１６の一端を前記内部端子１５に接続する構成で
あるので、熱電対の信号経路に異種金属の接続部が生
じ、該接続部が温度変化に応じた熱起電力を生じて正確
な温度の測定ができないという問題がある。
ード線１６の一端を前記内部端子１５に接続する構成で
あるので、熱電対の信号経路に異種金属の接続部が生
じ、該接続部が温度変化に応じた熱起電力を生じて正確
な温度の測定ができないという問題がある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、熱電対を用い
て高周波電極の温度を測定する温度測定装置を具備した
半導体製造装置に於いて、前記温度測定装置が熱電対の
リード線を貫通形コンデンサの端子内部を貫通させ、貫
通させたリード線の所要位置を前記貫通形コンデンサの
端子に接続すると共に前記リード線を巻いてインダクタ
ンス部を形成した半導体製造装置に係り、前記温度測定
装置は、シャーシの内部を金属製仕切り板で仕切り、該
仕切り板に貫通形コンデンサを設けると共に前記仕切り
板で画成された空間にインダクタンス部を形成した半導
体製造装置に係るものである。
て高周波電極の温度を測定する温度測定装置を具備した
半導体製造装置に於いて、前記温度測定装置が熱電対の
リード線を貫通形コンデンサの端子内部を貫通させ、貫
通させたリード線の所要位置を前記貫通形コンデンサの
端子に接続すると共に前記リード線を巻いてインダクタ
ンス部を形成した半導体製造装置に係り、前記温度測定
装置は、シャーシの内部を金属製仕切り板で仕切り、該
仕切り板に貫通形コンデンサを設けると共に前記仕切り
板で画成された空間にインダクタンス部を形成した半導
体製造装置に係るものである。
【００１４】
【作用】コンデンサとインダクタンス部でフィルタが構
成され、該フィルタにより高周波が除去され、高周波を
取扱う装置での正確な温度測定が可能で、貫通形コンデ
ンサであるので測定ラインへの高周波の流入がなく、又
熱電対のリード線は異種金属との接合がなく連続してい
るので温度変化に伴う誤差も生じることがない。
成され、該フィルタにより高周波が除去され、高周波を
取扱う装置での正確な温度測定が可能で、貫通形コンデ
ンサであるので測定ラインへの高周波の流入がなく、又
熱電対のリード線は異種金属との接合がなく連続してい
るので温度変化に伴う誤差も生じることがない。
【００１５】
【実施例】以下、図面を参照しつつ本発明の一実施例を
説明する。
説明する。
【００１６】図２は本実施例に係る温度測定装置のフィ
ルタユニット１７を示し、図中１８は金属製のシャー
シ、該シャーシ１８の両側には温度補償付き端子台１
９、温度補償付き端子台２０が設けられている。又、前
記シャーシ１８の内部は金属製の仕切り板２１、仕切り
板２２によって仕切られ、前記シャーシ１８の左側板と
前記仕切り板２１で画成された空間に第１段フィルタ２
３、更に前記仕切り板２１と前記仕切り板２２とで画成
される空間には第２段フィルタ２４が設けられる。
ルタユニット１７を示し、図中１８は金属製のシャー
シ、該シャーシ１８の両側には温度補償付き端子台１
９、温度補償付き端子台２０が設けられている。又、前
記シャーシ１８の内部は金属製の仕切り板２１、仕切り
板２２によって仕切られ、前記シャーシ１８の左側板と
前記仕切り板２１で画成された空間に第１段フィルタ２
３、更に前記仕切り板２１と前記仕切り板２２とで画成
される空間には第２段フィルタ２４が設けられる。
【００１７】前記温度補償付き端子台１９に熱電対が接
続され、温度補償付き端子台２０に前記制御器１１が接
続される。又、フィルタユニット１７のリード線２５，
２６は温度補償導線を用いる。
続され、温度補償付き端子台２０に前記制御器１１が接
続される。又、フィルタユニット１７のリード線２５，
２６は温度補償導線を用いる。
【００１８】前記仕切り板２１、前記仕切り板２２にそ
れぞれ２個宛ての貫通形コンデンサ２７を設け、前記リ
ード線２５，２６を前記貫通形コンデンサ２７の内部端
子に貫通させて接続し、更に前記リード線２５，２６を
より線としてトロイド状に巻いてインダクタンス部２
８、２９を形成する。
れぞれ２個宛ての貫通形コンデンサ２７を設け、前記リ
ード線２５，２６を前記貫通形コンデンサ２７の内部端
子に貫通させて接続し、更に前記リード線２５，２６を
より線としてトロイド状に巻いてインダクタンス部２
８、２９を形成する。
【００１９】而して、前記仕切り板２１の貫通形コンデ
ンサ２７と前記インダクタンス部２８で第１段フィルタ
２３が構成され、又前記仕切り板２２の貫通形コンデン
サ２７と前記インダクタンス部２９とで第２段フィルタ
２４が構成される。
ンサ２７と前記インダクタンス部２８で第１段フィルタ
２３が構成され、又前記仕切り板２２の貫通形コンデン
サ２７と前記インダクタンス部２９とで第２段フィルタ
２４が構成される。
【００２０】次に、前記貫通形コンデンサ２７とリード
線２５，２６について説明する。
線２５，２６について説明する。
【００２１】金属製内部端子１５の１端側に円板状の電
極３０が埋設された磁器３１が設けられ、前記内部端子
１５の他端には螺子部３２が形成されている。
極３０が埋設された磁器３１が設けられ、前記内部端子
１５の他端には螺子部３２が形成されている。
【００２２】貫通形コンデンサ２７の仕切り板２１，２
２への取付けは、前記内部端子１５が仕切り板２１，２
２から絶縁される様に該仕切り板２１，２２貫通させ、
前記磁器３１と絶縁碍子３３で前記仕切り板２１，２２
を挾持し、ナット３４を前記螺子部３２に螺着する。
２への取付けは、前記内部端子１５が仕切り板２１，２
２から絶縁される様に該仕切り板２１，２２貫通させ、
前記磁器３１と絶縁碍子３３で前記仕切り板２１，２２
を挾持し、ナット３４を前記螺子部３２に螺着する。
【００２３】前記内部端子１５は中空となっており、前
記リード線２５，２６を前記内部端子１５に貫通させ、
更に前記内部端子１５の両端側に配設した２つの端子固
定螺子３５を貫通させる。前記リード線２５，２６の前
記端子固定螺子３５より露出した所要位置に、圧着端子
３６を固着する。
記リード線２５，２６を前記内部端子１５に貫通させ、
更に前記内部端子１５の両端側に配設した２つの端子固
定螺子３５を貫通させる。前記リード線２５，２６の前
記端子固定螺子３５より露出した所要位置に、圧着端子
３６を固着する。
【００２４】該圧着端子３６をワッシャ３７を介在させ
て前記端子固定螺子３５により前記内部端子１５の両端
に固着することで、前記リード線２５，２６へ貫通形コ
ンデンサ２７を接続することができる。而して、前記リ
ード線２５，２６の途中に該リード線２５，２６を切断
することなく、前記貫通形コンデンサ２７を接続するこ
とができる。
て前記端子固定螺子３５により前記内部端子１５の両端
に固着することで、前記リード線２５，２６へ貫通形コ
ンデンサ２７を接続することができる。而して、前記リ
ード線２５，２６の途中に該リード線２５，２６を切断
することなく、前記貫通形コンデンサ２７を接続するこ
とができる。
【００２５】上記構成であるので、リード形コンデンサ
１３の様なリード部がなく、又リード線２５，２６と貫
通形コンデンサ２７との接続部で異種金属接合もないの
で、前記制御器１１に高周波電流が流入することがな
く、又温度変化があってもリード線２５，２６と貫通形
コンデンサ２７との接続部で熱起電力が発生することも
なく、正確な温度測定が行え、又温度表示も安定させる
ことができる。更に、正確な温度測定が可能になること
から、温度制御が安定確実に行われ、熱源の熔損事故を
防止できる。
１３の様なリード部がなく、又リード線２５，２６と貫
通形コンデンサ２７との接続部で異種金属接合もないの
で、前記制御器１１に高周波電流が流入することがな
く、又温度変化があってもリード線２５，２６と貫通形
コンデンサ２７との接続部で熱起電力が発生することも
なく、正確な温度測定が行え、又温度表示も安定させる
ことができる。更に、正確な温度測定が可能になること
から、温度制御が安定確実に行われ、熱源の熔損事故を
防止できる。
【００２６】尚、上記実施例ではフィルタを２段構成と
したが要求される減衰特性に合わせ、１段又は３段以上
としてもよいことは勿論である。
したが要求される減衰特性に合わせ、１段又は３段以上
としてもよいことは勿論である。
【００２７】図４は他の実施例を示すものであり、温度
検出の為に前記熱電対の他に放射温度計を設けたのもで
ある。
検出の為に前記熱電対の他に放射温度計を設けたのもで
ある。
【００２８】ファイバー管３８の先端を前記カソード４
に当接させ、該ファイバー管３８内に図示しない光ファ
イバを挿入し、該光ファイバにより前記カソード４の表
面からの赤外線或は温度に起因し発せられる光線を放射
温度計測器３９に導く。該放射温度計測器３９では入射
する光線を光電変換して温度を計測する。
に当接させ、該ファイバー管３８内に図示しない光ファ
イバを挿入し、該光ファイバにより前記カソード４の表
面からの赤外線或は温度に起因し発せられる光線を放射
温度計測器３９に導く。該放射温度計測器３９では入射
する光線を光電変換して温度を計測する。
【００２９】上記した放射温度計は、光線により温度状
態を検出するので高周波電流に影響されることなく温度
の計測を行うことができる。
態を検出するので高周波電流に影響されることなく温度
の計測を行うことができる。
【００３０】更に、特に図示してないが、放射温度計測
器３９からの温度検出信号と制御器１１からの温度検出
信号とを比較することで、熱電対９による温度検出結
果、放射温度計測器３９による温度検出結果とを相互に
監視することができ、温度測定の信頼性を向上させるこ
とができると共に比較結果が所定の値を越えた場合は、
いずれかの温度検出器に異常があったと判断され、ヒー
タへの給電を停止する等所要の措置を講ずることがで
き、ヒータの熔損等事故の発生を未然に防ぐことができ
る。
器３９からの温度検出信号と制御器１１からの温度検出
信号とを比較することで、熱電対９による温度検出結
果、放射温度計測器３９による温度検出結果とを相互に
監視することができ、温度測定の信頼性を向上させるこ
とができると共に比較結果が所定の値を越えた場合は、
いずれかの温度検出器に異常があったと判断され、ヒー
タへの給電を停止する等所要の措置を講ずることがで
き、ヒータの熔損等事故の発生を未然に防ぐことができ
る。
【００３１】
【発明の効果】以上述べた如く本発明に係る温度測定装
置によれば、半導体製造装置の高周波電力が供給されて
いる高周波電極の温度計測に於いて、高周波に影響され
ることなく、又測定時の環境温度の変化に影響されるこ
となく正確な温度の測定を行うことができ、更に放射温
度計を併せて設けることにより、温度測定の信頼性が向
上する。
置によれば、半導体製造装置の高周波電力が供給されて
いる高周波電極の温度計測に於いて、高周波に影響され
ることなく、又測定時の環境温度の変化に影響されるこ
となく正確な温度の測定を行うことができ、更に放射温
度計を併せて設けることにより、温度測定の信頼性が向
上する。
【図１】本発明の一実施例を示す概略断面図である。
【図２】該実施例のフィルタユニットを示す説明図であ
る。
る。
【図３】該実施例の貫通形コンデンサの説明図である。
【図４】本発明の他の実施例を示す説明図である。
【図５】従来例の温度測定装置のフィルタを示す説明図
である。
である。
【図６】他の従来例の温度測定装置のフィルタを示す説
明図である。
明図である。
９ 熱電対 １５ 内部端子 １８ シャーシ ２１ 仕切り板 ２２ 仕切り板 ２５ リード線 ２６ リード線 ２８ インダクタンス部 ２９ インダクタンス部 ３８ ファイバー管
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 村松 文雄 東京都港区虎ノ門二丁目３番13号 国際 電気株式会社内 (56)参考文献 特開 平１−92384（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−129373（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−78135（ＪＰ，Ａ) 実開 平２−81037（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01K 7/00 - 7/02 C23F 4/00 H01L 21/302 H01L 21/66
Claims (2)
- 【請求項１】 熱電対を用いて高周波電極の温度を測定
する温度測定装置を具備した半導体製造装置に於いて、
前記温度測定装置が熱電対のリード線を貫通形コンデン
サの端子内部を貫通させ、貫通させたリード線の所要位
置を前記貫通形コンデンサの端子に接続すると共に前記
リード線を巻いてインダクタンス部を形成したことを特
徴とする半導体製造装置。 - 【請求項２】 前記温度測定装置は、シャーシの内部を
金属製仕切り板で仕切り、該仕切り板に貫通形コンデン
サを設けると共に前記仕切り板で画成された空間にイン
ダクタンス部を形成した請求項１の半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04468893A JP3282686B2 (ja) | 1993-02-09 | 1993-02-09 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04468893A JP3282686B2 (ja) | 1993-02-09 | 1993-02-09 | 半導体製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06235665A JPH06235665A (ja) | 1994-08-23 |
| JP3282686B2 true JP3282686B2 (ja) | 2002-05-20 |
Family
ID=12698372
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04468893A Expired - Fee Related JP3282686B2 (ja) | 1993-02-09 | 1993-02-09 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3282686B2 (ja) |
-
1993
- 1993-02-09 JP JP04468893A patent/JP3282686B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06235665A (ja) | 1994-08-23 |
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