JP3281470B2 - Optical device manufacturing method - Google Patents

Optical device manufacturing method

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JP3281470B2
JP3281470B2 JP31972793A JP31972793A JP3281470B2 JP 3281470 B2 JP3281470 B2 JP 3281470B2 JP 31972793 A JP31972793 A JP 31972793A JP 31972793 A JP31972793 A JP 31972793A JP 3281470 B2 JP3281470 B2 JP 3281470B2
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智明 山岸
範 佐々木
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日立化成工業株式会社
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、フッ素を含むポリイミ
ド系樹脂を用いた光学装置の製造法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing an optical device using a polyimide resin containing fluorine.

【0002】[0002]

【従来の技術】フッ素を含むポリイミド系樹脂は、フッ
素を含まないものに比べ、光の透過性が高い、屈折率が
低いなどの特徴を有するために、光学装置に適用されて
いる。例えば、特開平4−235506号公報には、表
面が酸化シリコン膜で被覆されたシリコン基板の上に屈
折率の異なる2種類のフッ素を含むポリイミド膜を形成
してパターニングを行い光導波路を作製し光学装置を製
造する方法が示されている。
2. Description of the Related Art Fluorine-containing polyimide resins have been applied to optical devices because they have characteristics such as higher light transmittance and lower refractive index than those containing no fluorine. For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 4-235506 discloses that an optical waveguide is manufactured by forming a polyimide film containing two kinds of fluorines having different refractive indexes on a silicon substrate whose surface is covered with a silicon oxide film and performing patterning. A method for manufacturing an optical device is shown.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】このようにフッ素を含
むポリイミドを用いることにより、ガラスなどの無機材
料を用いるものに比べて簡便なプロセスで光学特性に優
れた光学装置を得ることができる。しかしながら、フッ
素を含むポリイミドは、膜を形成する基板表面のガラ
ス、石英、シリコン、酸化シリコン、窒化シリコン、ア
ルミニウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸
化タンタル、ガリウムヒ素などに対する接着性が低く長
時間の使用における信頼性に問題があった。本発明は、
この問題点を解決し接着性に優れ、長時間使用しても安
定な光学装置の製造法を提供するものである。
By using a polyimide containing fluorine as described above, an optical device having excellent optical characteristics can be obtained by a simpler process as compared with a device using an inorganic material such as glass. However, polyimide containing fluorine has low adhesion to glass, quartz, silicon, silicon oxide, silicon nitride, aluminum, aluminum oxide, aluminum nitride, tantalum oxide, gallium arsenide, etc. on the substrate surface on which the film is formed, and is used for a long time. Had a problem with reliability. The present invention
An object of the present invention is to provide a method for manufacturing an optical device which solves this problem and has excellent adhesiveness and is stable even when used for a long time.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】本発明は、無機材料、半
導体材料、金属材料及びこれらの材料を複合化した材料
からなる群から選ばれた材料からなる基板表面上に、ト
ブトキシアセチルアセトネートジルコニウムの膜厚3
000Å以下の被膜を形成する工程、及び該被膜上に、
フッ素を含むポリイミド系樹脂被膜を形成する工程を含
光学装置の製造法に関する。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention relates to an inorganic material,
Conductive materials, metallic materials, and composite materials of these materials
A film of tributoxyacetylacetonate zirconium on a substrate surface made of a material selected from the group consisting of
Forming a film having a thickness of not more than 2,000 mm , and on the film,
Including the step of forming a polyimide resin film containing fluorine.
A method for manufacturing an optical device.

【0005】本発明における光学装置とは、基板とし
て、ガラス、石英等の無機材料、シリコン、ガリウムヒ
素、アルミニウム、チタン等の半導体や金属材料、また
はこれらの材料を複合化した材料を用いて、これら基板
の上に、光導波路、光合波器、光分波、光減衰器、光
回折器、光増幅器、光干渉器、光フィルタ、光スイッ
チ、波長変換器、発光素子、受光素子あるいはこれらが
複合化されたものなどを形成したものを指す。上記の基
板上には、発光ダイオード、フォトダイオード等の半導
体装置や電極用の金属膜が形成されることもあり、更に
基板の保護や屈折率調整などのために、基板上に酸化シ
リコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミ
ニウム、酸化タンタルなどの被膜が形成されることもあ
る。
The optical device according to the present invention uses an inorganic material such as glass or quartz, a semiconductor or a metal material such as silicon, gallium arsenide, aluminum or titanium, or a composite material of these materials as a substrate. on these substrates, an optical waveguide, an optical multiplexer, an optical demultiplexer, an optical attenuator, optical diffraction device, an optical amplifier, an optical interferometer, an optical filter, an optical switch, wavelength converter, the light-emitting element, a light receiving element or they Indicates a compound formed as a composite. A semiconductor device such as a light emitting diode or a photodiode or a metal film for an electrode may be formed on the substrate, and silicon oxide, nitride, or the like may be formed on the substrate to protect the substrate or adjust the refractive index. A film of silicon, aluminum oxide, aluminum nitride, tantalum oxide, or the like may be formed.

【0006】本発明では、基板表面上にトリブトキシア
セチルアセトネートジルコニウムの膜厚3000Å以下
の被膜が形成される。
According to the present invention, tributoxya
Cetyl acetonate zirconium film thickness less than 3000mm
Is formed.

【0007】トリブトキシアセチルアセトネートジルコ
ニウムは、メタノール、エタノール、ブタノール、ベン
ゼン、トルエン、N−メチル−2−ピロリドン、N,N
−ジメチルアセトアミド、γ−ブチロラクトン等の有機
溶剤、水などに溶解され、溶液としてスピン塗布法など
により基板表面上に塗布され、70〜400℃で乾燥し
て被膜形成が行われる。トリブトキシアセチルアセトネ
ートジルコニウムの膜厚は、厚すぎると膜がもろくなる
ため3000Å以下とされる。本発明で用いられるフッ
素を含むポリイミド系樹脂としては、フッ素を有するポ
リイミド樹脂、フッ素を有するポリ(イミド・イソイン
ドロキナゾリンジオンイミド)樹脂、フッ素を有するポ
リエーテルイミド樹脂、フッ素を有するポリアミドイミ
ド樹脂などが挙げられる。
Tributoxyacetylacetonate zircon
Nium is methanol, ethanol, butanol, benzene, toluene, N-methyl-2-pyrrolidone, N, N
-Dissolved in an organic solvent such as dimethylacetamide, γ-butyrolactone, water, or the like, applied as a solution on the substrate surface by a spin coating method or the like, and dried at 70 to 400 ° C. to form a film. Tributoxyacetylacetone
If the zirconium zirconium film is too thick, the film becomes brittle and the thickness is set to 3000 ° or less. Examples of the fluorine-containing polyimide resin used in the present invention include a fluorine-containing polyimide resin, a fluorine-containing poly (imide / isoindoloquinazolinedionimide) resin, a fluorine-containing polyetherimide resin, and a fluorine-containing polyamideimide resin. And the like.

【0008】ポリイミド系樹脂の前駆体溶液は、N−メ
チル−2−ピロリドン,N,N−ジメチルアセトアミ
ド、γ−ブチロラクトン、ジメチルスルホキシドなどの
極性溶媒中で、テトラカルボン酸二無水物とジアミンの
反応により得られる。フッ素は、テトラカルボン酸二無
水物とジアミンの両者に含まれてもいずれかのみに含ま
れてもよい。
A precursor solution of a polyimide resin is prepared by reacting a tetracarboxylic dianhydride with a diamine in a polar solvent such as N-methyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylacetamide, γ-butyrolactone, and dimethyl sulfoxide. Is obtained by Fluorine may be contained in both the tetracarboxylic dianhydride and the diamine, or may be contained only in either of them.

【0009】フッ素を有する酸二無水物の例としては、
(トリフルオロメチル)ピロメリット酸二無水物、ジ
(トリフルオロメチル)ピロメリット酸二無水物、ジ
(ヘプタフルオロプロピル)ピロメリット酸二無水物、
ペンタフルオロエチルピロメリット酸二無水物、ビス
{3,5−ジ(トリフルオロメチル)フェノキシ}ピロ
メリット酸二無水物、2,2−ビス(3,4−ジカルボ
キシフェニル)ヘキサフルオロプロパン二無水物、5,
5′−ビス(トリフルオロメチル)−3,3′,4,
4′−テトラカルボキシビフェニル二無水物、2,
2′,5,5′−テトラキス(トリフルオロメチル)−
3,3′,4,4′−テトラカルボキシビフェニル二無
水物、5,5′−ビス(トリフルオロメチル)−3,
3′,4,4′−テトラカルボキシジフェニルエーテル
二無水物、5,5′−ビス(トリフルオロメチル)−
3,3′,4,4′−テトラカルボキシベンゾフェノン
二無水物、ビス{(トリフルオロメチル)ジカルボキシ
フェノキシ}ベンゼン二無水物、ビス{(トリフルオロ
メチル)ジカルボキシフェノキシ}(トリフルオロメチ
ル)ベンゼン二無水物、ビス(ジカルボキシフェノキ
シ)(トリフルオロメチル)ベンゼン二無水物、ビス
(ジカルボキシフェノキシ)ビス(トリフルオロメチ
ル)ベンゼン二無水物、ビス(ジカルボキシフェノキ
シ)テトラキス(トリフルオロメチル)ベンゼン二無水
物、2,2−ビス{(4−(3,4−ジカルボキシフェ
ノキシ)フェニル}ヘキサフルオロプロパン二無水物、
ビス{(トリフルオロメチル)ジカルボキシフェノキ
シ}ビフェニル二無水物、ビス{(トリフルオロメチ
ル)ジカルボキシフェノキシ}ビス(トリフルオロメチ
ル)ビフェニル二無水物、ビス{(トリフルオロメチ
ル)ジカルボキシフェノキシ}ジフェニルエーテル二無
水物、ビス(ジカルボキシフェノキシ)ビス(トリフル
オロメチル)ビフェニル二無水物などが挙げられる。
Examples of acid dianhydrides having fluorine include:
(Trifluoromethyl) pyromellitic dianhydride, di (trifluoromethyl) pyromellitic dianhydride, di (heptafluoropropyl) pyromellitic dianhydride,
Pentafluoroethyl pyromellitic dianhydride, bis {3,5-di (trifluoromethyl) phenoxy} pyromellitic dianhydride, 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoropropane dianhydride Thing, 5,
5'-bis (trifluoromethyl) -3,3 ', 4
4'-tetracarboxybiphenyl dianhydride, 2,
2 ', 5,5'-tetrakis (trifluoromethyl)-
3,3 ', 4,4'-tetracarboxybiphenyl dianhydride, 5,5'-bis (trifluoromethyl) -3,
3 ', 4,4'-tetracarboxydiphenyl ether dianhydride, 5,5'-bis (trifluoromethyl)-
3,3 ', 4,4'-tetracarboxybenzophenone dianhydride, bis {(trifluoromethyl) dicarboxyphenoxy} benzene dianhydride, bis {(trifluoromethyl) dicarboxyphenoxy} (trifluoromethyl) benzene Dianhydride, bis (dicarboxyphenoxy) (trifluoromethyl) benzene dianhydride, bis (dicarboxyphenoxy) bis (trifluoromethyl) benzene dianhydride, bis (dicarboxyphenoxy) tetrakis (trifluoromethyl) benzene Dianhydride, 2,2-bis {(4- (3,4-dicarboxyphenoxy) phenyl} hexafluoropropane dianhydride,
Bis {(trifluoromethyl) dicarboxyphenoxy} biphenyl dianhydride, bis {(trifluoromethyl) dicarboxyphenoxy} bis (trifluoromethyl) biphenyl dianhydride, bis {(trifluoromethyl) dicarboxyphenoxy} diphenyl ether Dianhydride, bis (dicarboxyphenoxy) bis (trifluoromethyl) biphenyl dianhydride and the like.

【0010】フッ素を有するジアミンとしては、例えば
次のものが挙げられる。4−(1H,1H,11H−エ
イコサフルオロウンデカノキシ)−1,3−ジアミノベ
ンゼン、4−(1H,1H−パ−フルオロ−1−ブタノ
キシ)−1,3−ジアミノベンゼン、4−(1H,1H
−パーフルオロ−1−ヘプタノキシ)−1,3−ジアミ
ノベンゼン、4−(1H,1H−パーフルオロ−1−オ
クタノキシ)−1,3−ジアミノベンゼン、4−ペンタ
フルオロフェノキシ−1,3−ジアミノベンゼン、4−
(2,3,5,6−テトラフルオロフェノキシ)−1,
3−ジアミノベンゼン、4−(4−フルオロフェノキ
シ)−1,3−ジアミノベンゼン、4−(1H,1H,
2H,2H−パーフルオロ−1−ヘキサノキシ)−1,
3−ジアミノベンゼン、4−(1H,1H,2H,2H
−パーフルオロ−1−ドデカノキシ)−1,3−ジアミ
ノベンゼン、(2,5−)ジアミノベンゾトリフルオラ
イド、ビス(トリフルオロメチル)フェニレンジアミ
ン、ジアミノテトラ(トリフルオロメチル)ベンゼン、
ジアミノ(ペンタフルオロエチル)ベンゼン、2,5−
ジアミノ(パーフルオロヘキシル)ベンゼン、2,5−
ジアミノ(パーフルオロブチル)ベンゼン、2,2′−
ビス(トリフルオロメチル)−4,4′−ジアミノビフ
ェニル、3,3′−ビス(トリフルオロメチル)−4,
4′−ジアミノビフェニル、オクタフルオロベンジジ
ン、4,4′−ジアミノジフェニルエーテル、2,2−
ビス(p−アミノフェニル)ヘキサフルオロプロパン、
1,3−ビス(アニリノ)ヘキサフルオロプロパン、
1,4−ビス(アニリノ)オクタフルオロブタン、1,
5−ビス(アニリノ)デカフルオロペンタン、1,7−
ビス(アニリノ)テトラデカフルオロヘプタン、2,
2′−ビス(トリフルオロメチル)−4,4′−ジアミ
ノジフェニルエーテル、3,3′−ビス(トリフルオロ
メチル)−4,4′−ジアミノジフェニルエーテル、
3,3′,5,5′−テトラキス(トリフルオロメチ
ル)−4,4′−ジアミノジフェニルエーテル、3,
3′−ビス(トリフルオロメチル)−4,4′−ジアミ
ノベンゾフェノン、4,4′−ジアミノ−p−テルフェ
ニル、1,4−ビス(p−アミノフェニル)ベンゼン、
p−ビス(4−アミノ−2−トリフルオロメチルフェノ
キシ)ベンゼン、ビス(アミノフェノキシ)ビス(トリ
フルオロメチル)ベンゼン、ビス(アミノフェノキシ)
テトラキス(トリフルオロメチル)ベンゼン、2,2−
ビス{4−(4−アミノフェノキシ)フェニル}ヘキサ
フルオロプロパン、2,2−ビス{4−(3−アミノフ
ェノキシ)フェニル}ヘキサフルオロプロパン、2,2
−ビス{4−(2−アミノフェノキシ)フェニル}ヘキ
サフルオロプロパン、2,2−ビス{4−(4−アミノ
フェノキシ)−3,5−ジメチルフェニル}ヘキサフル
オロプロパン、2,2−ビス{4−(4−アミノフェノ
キシ)−3,5−ジトリフルオロメチルフェニル}ヘキ
サフルオロプロパン、4,4′−ビス(4−アミノ−2
−トリフルオロメチルフェノキシ)ビフェニル、4,
4′−ビス(4−アミノ−3−トリフルオロメチルフェ
ノキシ)ビフェニル、4,4′−ビス(4−アミノ−2
−トリフルオロメチルフェノキシ)ジフェニルスルホ
ン、4,4′−ビス(3−アミノ−5−トリフルオロメ
チルフェノキシ)ジフェニルスルホン、2,2−ビス
{4−(4−アミノ−3−トリフルオロメチルフェノキ
シ)フェニル}ヘキサフルオロプロパン、ビス{(トリ
フルオロメチル)アミノフェノキ}ビフェニル、ビス
〔{(トリフルオロメチル)アミノフェノキシ}フェニ
ル〕ヘキサフルオロプロパン、ビス{2−〔(アミノフ
ェノキシ)フェニル〕ヘキサフルオロイソプロピル}ベ
ンゼンなどが挙げられる。
The following are examples of the diamine having fluorine. 4- (1H, 1H, 11H-eicosafluoroundecanooxy) -1,3-diaminobenzene, 4- (1H, 1H-perfluoro-1-butanoxy) -1,3-diaminobenzene, 4- ( 1H, 1H
-Perfluoro-1-heptanoxy) -1,3-diaminobenzene, 4- (1H, 1H-perfluoro-1-octanoxy) -1,3-diaminobenzene, 4-pentafluorophenoxy-1,3-diaminobenzene , 4-
(2,3,5,6-tetrafluorophenoxy) -1,
3-diaminobenzene, 4- (4-fluorophenoxy) -1,3-diaminobenzene, 4- (1H, 1H,
2H, 2H-perfluoro-1-hexanoxy) -1,
3-diaminobenzene, 4- (1H, 1H, 2H, 2H
-Perfluoro-1-dodecanoxy) -1,3-diaminobenzene, (2,5-) diaminobenzotrifluoride, bis (trifluoromethyl) phenylenediamine, diaminotetra (trifluoromethyl) benzene,
Diamino (pentafluoroethyl) benzene, 2,5-
Diamino (perfluorohexyl) benzene, 2,5-
Diamino (perfluorobutyl) benzene, 2,2'-
Bis (trifluoromethyl) -4,4'-diaminobiphenyl, 3,3'-bis (trifluoromethyl) -4,
4'-diaminobiphenyl, octafluorobenzidine, 4,4'-diaminodiphenyl ether, 2,2-
Bis (p-aminophenyl) hexafluoropropane,
1,3-bis (anilino) hexafluoropropane,
1,4-bis (anilino) octafluorobutane, 1,
5-bis (anilino) decafluoropentane, 1,7-
Bis (anilino) tetradecafluoroheptane, 2,
2'-bis (trifluoromethyl) -4,4'-diaminodiphenyl ether, 3,3'-bis (trifluoromethyl) -4,4'-diaminodiphenyl ether,
3,3 ', 5,5'-tetrakis (trifluoromethyl) -4,4'-diaminodiphenyl ether, 3,
3'-bis (trifluoromethyl) -4,4'-diaminobenzophenone, 4,4'-diamino-p-terphenyl, 1,4-bis (p-aminophenyl) benzene,
p-bis (4-amino-2-trifluoromethylphenoxy) benzene, bis (aminophenoxy) bis (trifluoromethyl) benzene, bis (aminophenoxy)
Tetrakis (trifluoromethyl) benzene, 2,2-
Bis {4- (4-aminophenoxy) phenyl} hexafluoropropane, 2,2-bis {4- (3-aminophenoxy) phenyl} hexafluoropropane, 2,2
-Bis {4- (2-aminophenoxy) phenyl} hexafluoropropane, 2,2-bis {4- (4-aminophenoxy) -3,5-dimethylphenyl} hexafluoropropane, 2,2-bis} 4 -(4-aminophenoxy) -3,5-ditrifluoromethylphenyl @ hexafluoropropane, 4,4'-bis (4-amino-2
-Trifluoromethylphenoxy) biphenyl, 4,
4'-bis (4-amino-3-trifluoromethylphenoxy) biphenyl, 4,4'-bis (4-amino-2
-Trifluoromethylphenoxy) diphenylsulfone, 4,4'-bis (3-amino-5-trifluoromethylphenoxy) diphenylsulfone, 2,2-bis {4- (4-amino-3-trifluoromethylphenoxy) Phenyl {hexafluoropropane, bis (trifluoromethyl) aminophenoxybiphenyl, bis [{(trifluoromethyl) aminophenoxy} phenyl] hexafluoropropane, bis {2-[(aminophenoxy) phenyl] hexafluoroisopropyl} Benzene is exemplified.

【0011】フッ素を有しないテトラカルボン酸二無水
物の例としては、酸無水物としてp−ターフェニル−
3,4,3″,4″−テトラカルボン酸二無水物、ピロ
メリット酸二無水物、3,3′,4,4′−ベンゾフェ
ノンテトラカルボン酸二無水物、3,3′−4,4′−
ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,3′,4,
4′−ビフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物、
1,2,5,6−ナフタレンテトラカルボン酸二無水
物、2,3,6,7−ナフタレンテトラカルボン酸二無
水物、2,3,5,6−ピリジンテトラカルボン酸二無
水物、1,4,5,8−ナフタレンテトラカルボン酸二
無水物、3,4,9,10−ペリレンテトラカルボン酸
二無水物、4,4′−スルホニルジフタル酸二無水物、
3,3′,4,4′−テトラフェニルシランテトラカル
ボン酸二無水物、メタ−ターフェニル3,4,3″,
4″−テトラカルボン酸二無水物、3,3′−4,4′
−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物、1,
3−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)−1,1,
3,3−テトラメチルジシロキサン二無水物、1−
(2,3−ジカルボキシフェニル)−3−(3,4−ジ
カルボキシフェニル)−1,1,3,3−テトラメチル
ジシロキサン二無水物などが挙げられる。ポリアミドイ
ミド樹脂を得る場合には、塩化無水トリメリット酸など
が用いられる。
Examples of tetracarboxylic dianhydrides having no fluorine include p-terphenyl-anhydride as an acid anhydride.
3,4,3 ″, 4 ″ -tetracarboxylic dianhydride, pyromellitic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 3,3′-4,4 '-
Biphenyltetracarboxylic dianhydride, 3,3 ', 4
4'-biphenyl ether tetracarboxylic dianhydride,
1,2,5,6-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 2,3,6,7-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 2,3,5,6-pyridinetetracarboxylic dianhydride, 1, 4,5,8-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 3,4,9,10-perylenetetracarboxylic dianhydride, 4,4'-sulfonyldiphthalic dianhydride,
3,3 ′, 4,4′-tetraphenylsilanetetracarboxylic dianhydride, meta-terphenyl 3,4,3 ″,
4 "-tetracarboxylic dianhydride, 3,3'-4,4 '
-Diphenyl ether tetracarboxylic dianhydride, 1,
3-bis (3,4-dicarboxyphenyl) -1,1,
3,3-tetramethyldisiloxane dianhydride, 1-
(2,3-Dicarboxyphenyl) -3- (3,4-dicarboxyphenyl) -1,1,3,3-tetramethyldisiloxane dianhydride and the like. When a polyamideimide resin is obtained, trimellitic anhydride chloride or the like is used.

【0012】フッ素を有しないジアミンとしては、4,
4′−ジアミノジフェニルエーテル、4,4′−ジアミ
ノジフェニルメタン、4,4′−ジアミノジフェニルス
ルホン、4,4′−ジアミノジフェニルスルフィド、ベ
ンジジン、メタフェニレンジアミン、パラフェニレンジ
アミン、2,2−ビス−(4−アミノフェノキシフェニ
ル)プロパン、1,5−ナフタレンジアミン、2,6−
ナフタレンジアミン、ビス−(4−アミノフェノキシフ
ェニル)スルホン、ビス−(4−アミノフェノキシフェ
ニル)スルフィド、ビス−(4−アミノフェノキシフェ
ニル)ビフェニル、1,4−ビス−(4−アミノフェノ
キシ)ベンゼン、1,3−ビス−(4−アミノフェノキ
シ)ベンゼン、3,4′−ジアミノジフェニルエーテ
ル、3,3′−ジメチル−4,4′−ジアミノビフェニ
ル、3,3′−ジメトキシ−4,4′−ジアミノビフェ
ニル、4,4′−ジアミノジフェニルエーテル−3−ス
ルホンアミド、3,4′−ジアミノジフェニルエーテル
−4−スルホンアミド、3,4′−ジアミノジフェニル
エーテル−3′−スルホンアミド、3,3′−ジアミノ
ジフェニルエーテル−4−スルホンアミド、4,4′−
ジアミノジフェニルメタン−3−スルホンアミド、3,
4′−ジアミノジフェニルメタン−4−スルホンアミ
ド、3,4′−ジアミノジフェニルメタン−3′−スル
ホンアミド3,3′−ジアミノジフェニルメタン−4−
スルホンアミド、4,4′−ジアミノジフェニルスルホ
ン−3−スルホンアミド、3,4′−ジアミノジフェニ
ルスルホン−4−スルホンアミド、3,4′−ジアミノ
ジフェニルスルホン−3′−スルホンアミド、3,3′
−ジアミノジフェニルスルホン−4−スルホンアミド、
4,4′−ジアミノジフェニルサルファイド−3−スル
ホンアミド、3,4′−ジアミノジフェニルサルファイ
ド−4−スルホンアミド、3,3′−ジアミノジフェニ
ルサルファイド−4−スルホンアミド、3,4′−ジア
ミノジフェニルサルファイド−3′−スルホンアミド、
1,4−ジアミノベンゼン−2−スルホンアミド、4,
4′−ジアミノジフェニルエーテル−3−カルボンアミ
ド、3,4′−ジアミノジフェニルエーテル−4−カル
ボンアミド、3,4′−ジアミノジフェニルエーテル−
3′−カルボンアミド、3,3′−ジアミノジフェニル
エーテル−4−カルボンアミド、4,4′−ジアミノジ
フェニルメタン−3−カルボンアミド、3,4′−ジア
ミノジフェニルメタン−4−カルボンアミド、3,4′
−ジアミノジフェニルメタン−3′−カルボンアミド、
3,3′−ジアミノジフェニルメタン−4−カルボンア
ミド、4,4′−ジアミノジフェニルスルホン−3−カ
ルボンアミド、3,4′−ジアミノジフェニルスルホン
−4−カルボンアミド、3,4′−ジアミノジフェニル
スルホン−3′−カルボンアミド、3,3′−ジアミノ
ジフェニルスルホン−4−カルボンアミド、4,4′−
ジアミノジフェニルサルファイド−3−カルボンアミ
ド、3,4′−ジアミノジフェニルサルファイド−4−
カルボンアミド、3,3′−ジアミノジフェニルサルフ
ァイド−4−カルボンアミド、3,4′−ジアミノジフ
ェニルサルファイド−3′−スルホンアミド、1,4−
ジアミノベンゼン−2−カルボンアミドなどが挙げられ
る。
As the diamine having no fluorine, 4,4
4'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenylsulfone, 4,4'-diaminodiphenylsulfide, benzidine, metaphenylenediamine, paraphenylenediamine, 2,2-bis- (4 -Aminophenoxyphenyl) propane, 1,5-naphthalenediamine, 2,6-
Naphthalenediamine, bis- (4-aminophenoxyphenyl) sulfone, bis- (4-aminophenoxyphenyl) sulfide, bis- (4-aminophenoxyphenyl) biphenyl, 1,4-bis- (4-aminophenoxy) benzene, 1,3-bis- (4-aminophenoxy) benzene, 3,4'-diaminodiphenyl ether, 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 3,3'-dimethoxy-4,4'-diamino Biphenyl, 4,4'-diaminodiphenylether-3-sulfonamide, 3,4'-diaminodiphenylether-4-sulfonamide, 3,4'-diaminodiphenylether-3'-sulfonamide, 3,3'-diaminodiphenylether- 4-sulfonamide, 4,4'-
Diaminodiphenylmethane-3-sulfonamide, 3,
4'-diaminodiphenylmethane-4-sulfonamide, 3,4'-diaminodiphenylmethane-3'-sulfonamide 3,3'-diaminodiphenylmethane-4-
Sulfonamide, 4,4'-diaminodiphenylsulfone-3-sulfonamide, 3,4'-diaminodiphenylsulfone-4-sulfonamide, 3,4'-diaminodiphenylsulfone-3'-sulfonamide, 3,3 '
-Diaminodiphenylsulfone-4-sulfonamide,
4,4'-diaminodiphenylsulfide-3-sulfonamide, 3,4'-diaminodiphenylsulfide-4-sulfonamide, 3,3'-diaminodiphenylsulfide-4-sulfonamide, 3,4'-diaminodiphenylsulfide -3'-sulfonamide,
1,4-diaminobenzene-2-sulfonamide, 4,
4'-diaminodiphenylether-3-carbonamide, 3,4'-diaminodiphenylether-4-carbonamide, 3,4'-diaminodiphenylether-
3'-carbonamide, 3,3'-diaminodiphenylether-4-carbonamide, 4,4'-diaminodiphenylmethane-3-carbonamide, 3,4'-diaminodiphenylmethane-4-carbonamide, 3,4 '
-Diaminodiphenylmethane-3'-carbonamide,
3,3'-diaminodiphenylmethane-4-carbonamide, 4,4'-diaminodiphenylsulfone-3-carbonamide, 3,4'-diaminodiphenylsulfone-4-carbonamide, 3,4'-diaminodiphenylsulfone- 3'-carbonamide, 3,3'-diaminodiphenylsulfone-4-carbonamide, 4,4'-
Diaminodiphenyl sulfide-3-carbonamide, 3,4'-diaminodiphenyl sulfide-4-
Carbonamide, 3,3'-diaminodiphenylsulfide-4-carbonamide, 3,4'-diaminodiphenylsulfide-3'-sulfonamide, 1,4-
And diaminobenzene-2-carbonamide.

【0013】上記のテトラカルボン酸二無水物およびジ
アミンは二種以上を併用してもよい。ポリイミド系樹脂
の前駆体溶液として、感光性を有するものを使用するこ
ともできる。
The above tetracarboxylic dianhydride and diamine may be used in combination of two or more. A photosensitive solution may be used as the precursor solution of the polyimide resin.

【0014】ポリイミド前駆体溶液は、スピナあるいは
印刷などによる方法により基板表面上に塗布され、最終
温度200〜400℃で熱処理し硬化されてポリイミド
系樹脂被膜とされる。
The polyimide precursor solution is applied on the substrate surface by a method such as spinner or printing, and is heat-treated at a final temperature of 200 to 400 ° C. to be cured to form a polyimide resin film.

【0015】本発明の実施例を説明する。An embodiment of the present invention will be described.

【実施例】【Example】

実施例 有機ジルコニウム化合物溶液として、トリブトキシアセ
チルアセトネートジルコニウムをブタノールに溶解し
て、1重量%の溶液を調合した。フッ素を含むポリイミ
ド前駆体溶液は、2,2−ビス(4−アミノフェニル)
ヘキサフルオロプロパン21.47gをN,N−ジメチ
ルアセトアミド450gに溶解した後に、2,2′−ビ
ス(3,4−ジカルボキシフェニルヘキサフルオロプロ
パン酸二無水物28.53gを添加し、室温で20時間
撹拌することにより得た。基板は、表面に2μm厚のS
iO2膜を形成した5インチのシリコンウエハを使用し
た。基板上に上記の有機ジルコニウム化合物溶液を滴下
しスピン塗布(3000rpm/30秒)を行った後にホ
ットプレート(200℃/5分)で乾燥して有機ジルコ
ニウム化合物の被膜(膜厚約200Å)を形成した。そ
の上に上記ポリイミド前駆体溶液を滴下しスピン塗布
(2000rpm/30秒)を行った後にオーブン(10
0℃/30分+200℃/30分+350℃/60分)
で硬化してフッ素を含むポリイミド膜を形成した。ま
た、比較例として、有機ジルコニウム化合物の被膜を形
成しないで、基板上に上記の直接フッ素を含むポリイミ
ド被膜を同じ条件で形成した試料を作製した。接着性の
試験は、JIS K5400の碁盤目試験法に準じて、
ポリイミド膜をカッターナイフにより1×1mmの正方形
100個に切りその部分にセロハンテープを密着させた
後に引き剥がし、テープ剥離後の接着残数により評価し
た。また、水分による接着性の低下を調べるために、プ
レッシャークッカー試験(121℃、2気圧)を行っ
た。接着性評価結果を図1に示す。実施例においては比
較例に比べ接着性が向上することが示される。
Example As an organic zirconium compound solution, tributoxyacetylacetonate zirconium was dissolved in butanol to prepare a 1% by weight solution. The polyimide precursor solution containing fluorine is 2,2-bis (4-aminophenyl)
After dissolving 21.47 g of hexafluoropropane in 450 g of N, N-dimethylacetamide, 28.53 g of 2,2'-bis (3,4-dicarboxyphenylhexafluoropropanoic acid dianhydride was added, and the solution was added at room temperature for 20 minutes. The substrate was coated with a 2 μm thick S
A 5-inch silicon wafer on which an iO 2 film was formed was used. The above organic zirconium compound solution is dropped on the substrate, spin-coated (3000 rpm / 30 seconds), and then dried on a hot plate (200 ° C./5 minutes) to form an organic zirconium compound film (thickness: about 200 °). did. The polyimide precursor solution was dropped thereon and spin-coated (2000 rpm / 30 seconds).
(0 ° C / 30 minutes + 200 ° C / 30 minutes + 350 ° C / 60 minutes)
To form a polyimide film containing fluorine. Further, as a comparative example, a sample was prepared in which the above-mentioned polyimide film directly containing fluorine was formed on a substrate under the same conditions without forming a film of the organic zirconium compound. The adhesion test is performed according to the grid test method of JIS K5400.
The polyimide film was cut into 100 squares of 1 × 1 mm using a cutter knife, and a cellophane tape was adhered to the square, and then peeled off. In addition, a pressure cooker test (121 ° C., 2 atm) was performed to examine a decrease in adhesion due to moisture. FIG. 1 shows the results of the evaluation of the adhesiveness. The examples show that the adhesiveness is improved as compared with the comparative example.

【0016】[0016]

【発明の効果】本発明によれば、基板に対するフッ素を
含むポリイミド膜の接着性を上げ、光学装置の信頼性を
向上させることができる。
According to the present invention, the adhesiveness of the polyimide film containing fluorine to the substrate can be improved, and the reliability of the optical device can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施例および比較例の接着性試験の結
果を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing the results of an adhesion test of Examples and Comparative Examples of the present invention.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平4−235506(JP,A) 特開 昭55−99728(JP,A) 特開 昭56−131949(JP,A) 特開 昭57−30335(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G02B 6/12 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-4-235506 (JP, A) JP-A-55-99728 (JP, A) JP-A-56-131949 (JP, A) JP-A-57-997 30335 (JP, A) (58) Field surveyed (Int. Cl. 7 , DB name) G02B 6/12

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 無機材料、半導体材料、金属材料及びこ
れらの材料を複合化した材料からなる群から選ばれた材
料からなる基板表面上に、トリブトキシアセチルアセト
ネートジルコニウムの膜厚3000Å以下の被膜を形成
する工程、及び該被膜上に、フッ素を含むポリイミド系
樹脂被膜を形成する工程を含む光学装置の製造法。
An inorganic material, a semiconductor material, a metal material, and an inorganic material.
Materials selected from the group consisting of composite materials of these materials
On a substrate surface made of charges, form a thickness 3000Å or less of the coating tri butoxy acetylacetonate zirconium
To process, and on the coating film, method of producing the optical device comprising the steps of forming a polyimide resin coating film containing fluorine.
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