JP3279753B2 - Method for forming barrier of plasma display panel - Google Patents
Method for forming barrier of plasma display panelInfo
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Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマディスプレイ
パネル(以下、PDPと記す)の製造工程に係わるもの
であり、詳しくはPDPにおけるライン状障壁の形成方
法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a process for manufacturing a plasma display panel (hereinafter, referred to as PDP), and more particularly, to a method for forming a linear barrier in a PDP.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、PDPにおける障壁の形成方法と
しては、ガラス基板上にガラスペーストをスクリーン印
刷によりパターン状に重ねて印刷を行い、このガラスペ
ーストを乾燥、焼成して所望の障壁を形成する方法が一
般的であったが、この方法は工程が複雑であるとともに
良好な線幅精度が得られ難いことから、最近では、ガラ
ス基板上にガラスペーストを所定の厚さで塗布して乾燥
させることでガラスペースト層を形成し、その上に耐サ
ブトラクティブ性を有するマスクをパターン状に形成し
てから、このマスクを介してサンドブラストや液体ホー
ニングにより所望パターンの障壁を形成する所謂サブト
ラクティブ加工法による障壁の形成方法が提案されてい
る。2. Description of the Related Art Conventionally, as a method of forming a barrier in a PDP, a glass paste is superposed in a pattern on a glass substrate by screen printing, and the glass paste is dried and fired to form a desired barrier. Although the method was general, since this method is complicated and it is difficult to obtain good line width accuracy, recently, a glass paste is applied to a glass substrate at a predetermined thickness and dried. A so-called subtractive processing method in which a glass paste layer is formed by this, a mask having subtractive resistance is formed on the glass paste layer in a pattern, and a barrier of a desired pattern is formed by sandblasting or liquid honing through the mask. Has been proposed.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】上記したサブトラクテ
ィブ加工法によりライン状の障壁を形成する場合、通常
は図1(a)に示すように、ガラス基板11上に障壁用
のガラスペーストを塗布して乾燥させることでガラスペ
ースト層12を形成し、その上に耐サブトラクティブ性
を有するマスク13をライン状に形成している。しかし
ながら、このライン状マスク13を介して図の矢印方向
にスキャンしながらサブトラクティブ加工を行うと、ラ
イン状マスク13の端部付近を除く部分ではガラスペー
スト層12が両サイドからしか研削されないのに比べ、
ライン状マスク13の端部付近では端面側からも研削さ
れることから、(b)に示すように障壁12aの端部付
近が逆台形状に研削されることになり、ついには(c)
に示すようにマスク13の剥離を起こした状態で研削が
進み、この部分が欠陥になってしまうという問題点があ
った。When a line-shaped barrier is formed by the above-described subtractive processing method, a glass paste for the barrier is usually applied on a glass substrate 11 as shown in FIG. The glass paste layer 12 is formed by drying with a mask 13 having a subtractive resistance in a line shape. However, when the subtractive processing is performed while scanning in the direction of the arrow through the line mask 13 through this line mask 13, the glass paste layer 12 is ground only from both sides except for the vicinity of the end of the line mask 13. compared,
Since the vicinity of the end of the line-shaped mask 13 is also ground from the end surface side, the vicinity of the end of the barrier 12a is ground in an inverted trapezoidal shape as shown in FIG.
As shown in (1), there is a problem that the grinding proceeds in a state where the mask 13 is peeled off, and this portion becomes a defect.
【0004】本発明は、上記のような問題点に鑑みなさ
れたものであり、その目的とするところは、端部付近に
欠陥を生じることなくサブトラクティブ加工により所望
のラインパターンの障壁を形成することのできるPDP
の障壁形成方法を提供することにある。The present invention has been made in view of the above problems, and has as its object to form a barrier of a desired line pattern by subtractive processing without generating a defect near an end. PDP that can do
And a barrier forming method.
【0005】[0005]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、ガラス基板上に障壁用のガラスペースト
を所定の厚さで塗布して乾燥させることでガラスペース
ト層を形成し、その上に耐サブトラクティブ性を有する
ライン状マスクを所定ピッチで形成した後、該ライン状
マスクを介してのサブトラクティブ加工によりガラスペ
ースト層の不要部分を除去する工程を含むPDPの障壁
形成方法において、前記ライン状マスクにおけるライン
端部の外側に所定間隔を置いて耐サブトラクティブ性を
有する保護用マスクを設けた状態でサブトラクティブ加
工を行うことを特徴としており、この場合のサブトラク
ティブ加工はサンドブラストを用いるものであっても液
体ホーニングを用いるものであってもよい。In order to achieve the above object, the present invention provides a method of forming a glass paste layer by applying a glass paste for a barrier to a predetermined thickness on a glass substrate and drying the glass paste. A method of forming a barrier for a PDP, comprising the steps of: forming a linear mask having subtractive resistance at a predetermined pitch thereon; and removing unnecessary portions of the glass paste layer by subtractive processing through the linear mask. In the above-mentioned line-shaped mask, a subtractive process is performed in a state where a protective mask having subtractive resistance is provided at predetermined intervals outside a line end portion, and the subtractive process in this case is sandblasting. Or a liquid honing.
【0006】そして、上記の耐サブトラクティブ性を有
するマスクはフォトレジストを用いてフォトリソ法によ
り形成することができる。The above-described mask having subtractive resistance can be formed by a photolithography method using a photoresist.
【0007】[0007]
【作用】上述の構成からなる障壁形成方法では、保護用
マスクがサブトラクティブ加工時における気流の流れを
堰き止める役目を果たし、これによりライン状マスクの
端部付近に流れる気流を減少させ、ライン状マスクの端
部下側にあるガラスペースト層が過大に研削されるのを
防止する。In the barrier forming method having the above-described structure, the protective mask plays the role of blocking the flow of airflow during the subtractive processing, thereby reducing the airflow flowing near the end of the linear mask, and The glass paste layer below the edge of the mask is prevented from being excessively ground.
【0008】[0008]
【実施例】以下、図2〜5を参照しながら本発明の実施
例を説明する。An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS.
【0009】まず、図2(a)に示すように、電極1を
形成したガラス基板2の上にブレードコーター或いはス
クリーン印刷により膜厚150μmで障壁用のガラスペ
ーストを塗布して乾燥させることでガラスペースト層3
を形成し、次いでその上にジアゾニウム塩添加PVAを
スピンナー、ローラーコーター、ブレードコーター等で
膜厚10μmに塗布し、室温で乾燥させてマスク層4を
形成する。そして、図3に示すマスクパターン5を介し
て図2(b)に示すように露光した後、水に1〜2分浸
漬してからスプレー現像を行った。露光条件は、365
nmで測定した時に強度700μW/cm2 、照射量4
00mJ/cm2 である。これにより、図2(c)及び
図4に示す如くガラスペースト層3上にライン状マスク
4aとそのライン端部の外側に所定間隔dを置いて幅W
の保護用マスク4bを形成した。本実施例では、ライン
状マスク4aを120μmピッチ(ライン幅50μm、
スペース幅70μm)で設けるとともに、ライン端部と
保護用マスク4bの間隔dを0.2mmとし、保護用マ
スク4bの幅Wを1mmとした。なお、図2(c)は図
4のA−A断面に対応している。First, as shown in FIG. 2 (a), a glass paste for a barrier having a thickness of 150 μm is applied on a glass substrate 2 on which an electrode 1 is formed by a blade coater or screen printing, and dried to dry the glass. Paste layer 3
Is formed, and then a PVA containing a diazonium salt is applied thereon to a film thickness of 10 μm using a spinner, a roller coater, a blade coater or the like, and dried at room temperature to form a mask layer 4. Then, after exposure as shown in FIG. 2B through the mask pattern 5 shown in FIG. 3, the film was immersed in water for 1 to 2 minutes and then spray-developed. Exposure conditions are 365
when measured in nm, intensity 700 μW / cm 2 , dose 4
00 mJ / cm 2 . As a result, as shown in FIGS. 2C and 4, the linear mask 4a is formed on the glass paste layer 3 and the width W is set at a predetermined distance d outside the line end.
Was formed. In this embodiment, the line-shaped mask 4a is formed at a pitch of 120 μm (line width 50 μm,
The space width was 70 μm), the distance d between the end of the line and the protection mask 4b was 0.2 mm, and the width W of the protection mask 4b was 1 mm. FIG. 2C corresponds to the AA cross section in FIG.
【0010】続いて、乾燥工程を経てから、図5(a)
に示すように、サンドブラスト加工を図4の矢印方向に
スキャンしながら行うことによりガラスペースト層3の
不要部分を除去し、図5(b)に示す如くライン状マス
ク4aの下に障壁パターン3aを形成した。ここでは、
研磨材としてアルミナ♯1000を用い、噴射圧力3k
gf/cm2 、ノズルと基板1の距離185mm、スキ
ャン速度30mm/secの条件でサンドブラスト加工
を行った。このサンドブラスト加工により、ライン状マ
スク4aにおける端部付近の下にあるガラスペースト層
3が研削されすぎることなく良好なエッジ形状が得られ
た。続いてライン状マスク4a及び保護用マスク4bを
剥離材で除去し、焼成工程を経て図5(c)に示すよう
にガラス基板1に密着した障壁3aを形成した。ここ
で、保護用マスク4cの下にあるガラスペースト層3は
土手3bとして残ることになる。以上のようにして形成
した背面板とは別に、電極及び蛍光層を設けた前面板を
準備し、両者を合わせてPDPを作製して良好な結果を
得た。Subsequently, after a drying step, FIG.
As shown in FIG. 5, unnecessary portions of the glass paste layer 3 are removed by performing sand blasting while scanning in the direction of the arrow in FIG. 4, and a barrier pattern 3a is formed below the linear mask 4a as shown in FIG. Formed. here,
Alumina # 1000 is used as abrasive, and injection pressure is 3k
Sandblasting was performed under the conditions of gf / cm 2 , a distance between the nozzle and the substrate 1 of 185 mm, and a scan speed of 30 mm / sec. By this sandblasting, a favorable edge shape was obtained without excessively grinding the glass paste layer 3 below the vicinity of the end of the line-shaped mask 4a. Subsequently, the linear mask 4a and the protective mask 4b were removed with a release material, and a baking process was performed to form a barrier 3a in close contact with the glass substrate 1 as shown in FIG. Here, the glass paste layer 3 under the protective mask 4c remains as the bank 3b. Aside from the back plate formed as described above, a front plate provided with an electrode and a fluorescent layer was prepared, and a PDP was produced by combining them to obtain good results.
【0011】本発明において、耐サブトラクティブ性を
有するライン状マスク及び保護用マスクを形成するフォ
トレジストとしては、上記実施例で挙げたものの他に、
OSBRと称されるネガ型の液体レジストをはじめとし
て以下に述べる種々の感光性樹脂を使用できる。In the present invention, as a photoresist for forming a line mask and a protective mask having subtractive resistance, in addition to those mentioned in the above embodiment,
Various photosensitive resins described below, including a negative type liquid resist called OSBR, can be used.
【0012】例えば、水溶性樹脂マトリックス及び光重
合性多官能モノマーを主成分として含有する感光性樹脂
を使用することができる。この水溶性樹脂マトリックス
としては、ポリビニールアルコール−ポリ酢酸ビニル−
クロトン酸共重合体の部分ケン化物、ポリビニールアル
コール−ポリ酢酸ビニル−メタクリル酸、アルコール可
溶性ナイロンを用いることができ、一方、光重合性多官
能モノマーとしては、ペンタエリスリトールトリアクリ
レート、テトラアクリレート、メタアクリレートを用い
ることができる。そして、この種の感光性樹脂を使用し
た場合には、サブトラクティブ加工後、過ヨウ素酸ナト
リウム水溶液でマスクを剥離するものである。For example, a photosensitive resin containing a water-soluble resin matrix and a photopolymerizable polyfunctional monomer as main components can be used. As the water-soluble resin matrix, polyvinyl alcohol-polyvinyl acetate-
Partially saponified crotonic acid copolymers, polyvinyl alcohol-polyvinyl acetate-methacrylic acid, and alcohol-soluble nylon can be used. On the other hand, pentaerythritol triacrylate, tetraacrylate, methacrylate Acrylates can be used. When this kind of photosensitive resin is used, the mask is removed with an aqueous solution of sodium periodate after the subtractive processing.
【0013】また、ポリビニールアルコール、ポリ酢酸
ビニルエマルジョン及びジアゾ樹脂を主成分として含有
する感光性樹脂、或いは、感光性ポリビニールアルコー
ル、ポリビニールアルコール及びポリ酢酸ビニルエマル
ジョンを主成分として含有する感光性樹脂を使用するこ
とができる。前者の場合、例えば、ポリビニールアルコ
ールを10重量部、ポリ酢酸ビニルエマルジョンを固形
分50%で20〜60重量部、ジアゾ樹脂を0.5〜
1.5重量部の割合で配合したものを用いるとよい。後
者の場合、感光性ポリビニールアルコールとしては、ポ
リアルコールの水酸基の一部にフォルミルスチリルピリ
ジニウム基(スチルバリゾリウム基)を有するものを用
いることができる。そして、これらの感光性樹脂を使用
した場合には、サブトラクティブ加工後、次亜塩素酸ソ
ーダ、過ハロゲン酸水溶液でマスクを剥離するものであ
る。Also, a photosensitive resin containing polyvinyl alcohol, polyvinyl acetate emulsion and diazo resin as main components, or a photosensitive resin containing photosensitive polyvinyl alcohol, polyvinyl alcohol and polyvinyl acetate emulsion as main components. Resins can be used. In the former case, for example, 10 parts by weight of polyvinyl alcohol, 20 to 60 parts by weight of a polyvinyl acetate emulsion at a solid content of 50%, and 0.5 to 50 parts by weight of a diazo resin are used.
It is advisable to use a mixture of 1.5 parts by weight. In the latter case, a photosensitive polyvinyl alcohol having a formylstyrylpyridinium group (stilvarizolium group) in a part of the hydroxyl group of the polyalcohol can be used. When these photosensitive resins are used, the mask is removed with a sodium hypochlorite solution and a perhalic acid aqueous solution after the subtractive processing.
【0014】また、ゼラチン、アクリルアミド誘導体及
びレドックス光重合開始剤を主成分として含有する感光
性樹脂を使用することができる。このアクリルアミド重
合体としては、アクリルアミド又はN,N’−メチレン
ビスアクリルアミドを用いることができ、レドックス光
重合開始剤としては、クエン酸鉄(III) アンモニウム又
はしゅう酸鉄(III) アンモニウムを用いることができ
る。そして、この感光性樹脂を使用した場合には、サブ
トラクティブ加工後、蛋白質分解酵素でマスクを剥離す
るものである。Further, a photosensitive resin containing gelatin, an acrylamide derivative and a redox photopolymerization initiator as main components can be used. As the acrylamide polymer, acrylamide or N, N'-methylenebisacrylamide can be used. As the redox photopolymerization initiator, iron (III) ammonium citrate or ammonium (III) ammonium oxalate can be used. it can. When this photosensitive resin is used, the mask is peeled off with a protease after the subtractive processing.
【0015】[0015]
【発明の効果】以上説明したように、本発明のPDPの
障壁形成方法は、ライン状マスクにおけるライン端部の
外側に所定間隔を置いて耐サブトラクティブ性を有する
保護用マスクを設けた状態でサブトラクティブ加工を行
うようにしたので、保護用マスクがサブトラクティブ加
工時における気流の流れを堰き止める役目を果たし、そ
の結果、ライン状マスクの端部下側に流れる気流を減少
させ、この部分にあるガラスペースト層の過大な研削を
防ぐことから、サブトラクティブ加工時にライン端部付
近に欠陥を生じることなく所望のラインパターンの障壁
を形成することができる。As described above, the method of forming a barrier of a PDP according to the present invention provides a method of forming a PDP with a protective mask having a subtractive resistance at predetermined intervals outside the line end of the line mask. Since the subtractive processing is performed, the protective mask plays a role of blocking the flow of airflow during the subtractive processing, and as a result, the airflow flowing below the end of the linear mask is reduced, and this part is provided. By preventing excessive grinding of the glass paste layer, it is possible to form a barrier of a desired line pattern without generating a defect near the end of the line during subtractive processing.
【図1】サブトラクティブ加工による従来の障壁形成方
法を示す工程図である。FIG. 1 is a process diagram showing a conventional barrier forming method by subtractive processing.
【図2】本発明に係る障壁形成方法の前半の工程を示す
図である。FIG. 2 is a diagram showing the first half of the steps of the barrier forming method according to the present invention.
【図3】マスクパターンを示す平面図である。FIG. 3 is a plan view showing a mask pattern.
【図4】ガラスペースト層上にライン状マスク及び保護
用マスクを形成した状態を示す平面図である。FIG. 4 is a plan view showing a state in which a linear mask and a protective mask are formed on a glass paste layer.
【図5】図2に続く後半の工程を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a latter half of the process following FIG. 2;
2 ガラス基板 3 ガラスペースト層 3a 障壁 4a ライン状マスク 4b 保護用マスク 2 Glass substrate 3 Glass paste layer 3a Barrier 4a Linear mask 4b Protective mask
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01J 9/02 H01J 11/02 Continuation of front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) H01J 9/02 H01J 11/02
Claims (4)
を所定の厚さで塗布して乾燥させることでガラスペース
ト層を形成し、その上に耐サブトラクティブ性を有する
ライン状マスクを所定ピッチで形成した後、該ライン状
マスクを介してのサブトラクティブ加工によりガラスペ
ースト層の不要部分を除去する工程を含むプラズマディ
スプレイパネルの障壁形成方法において、前記ライン状
マスクにおけるライン端部の外側に所定間隔を置いて耐
サブトラクティブ性を有する保護用マスクを設けた状態
でサブトラクティブ加工を行うことを特徴とするプラズ
マディスプレイパネルの障壁形成方法。1. A glass paste layer is formed on a glass substrate by applying a glass paste for barrier at a predetermined thickness and drying the glass paste layer, and a line mask having a subtractive resistance is formed on the glass paste layer at a predetermined pitch. After forming, the method for forming a barrier of a plasma display panel includes a step of removing an unnecessary portion of the glass paste layer by subtractive processing through the linear mask. A method of forming a barrier of a plasma display panel, wherein a subtractive process is performed with a protective mask having subtractive resistance placed thereon.
を用いることを特徴とする請求項1記載のプラズマディ
スプレイパネルの障壁形成方法。2. The method according to claim 1, wherein sandblasting is used for the subtractive processing.
を用いることを特徴とする請求項1記載のプラズマディ
スプレイパネルの障壁形成方法。3. The method according to claim 1, wherein liquid honing is used for the subtractive processing.
形成する材料としてフォトレジストを用いることを特徴
とする請求項1,2又は3記載のプラズマディスプレイ
パネルの障壁形成方法。4. The method for forming a barrier of a plasma display panel according to claim 1, wherein a photoresist is used as a material for forming a mask having subtractive resistance.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20696293A JP3279753B2 (en) | 1993-07-30 | 1993-07-30 | Method for forming barrier of plasma display panel |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP20696293A JP3279753B2 (en) | 1993-07-30 | 1993-07-30 | Method for forming barrier of plasma display panel |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JPH0745193A JPH0745193A (en) | 1995-02-14 |
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ID=16531892
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP20696293A Expired - Lifetime JP3279753B2 (en) | 1993-07-30 | 1993-07-30 | Method for forming barrier of plasma display panel |
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JP3701123B2 (en) * | 1998-06-24 | 2005-09-28 | 株式会社日立製作所 | Method for manufacturing original mold for partition transfer intaglio and method for forming partition for plasma display panel |
CN101075517B (en) * | 2001-04-09 | 2010-04-21 | 富士通株式会社 | Method for forming partitions of plasma display panel by using sandblasting process |
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1993
- 1993-07-30 JP JP20696293A patent/JP3279753B2/en not_active Expired - Lifetime
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