JP3279268B2 - マイクロストリップアレーアンテナ - Google Patents
マイクロストリップアレーアンテナInfo
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、小型、薄型、軽
量かつ簡単な構成で、固定ビームを発生するマイクロス
トリップアレーアンテナに関するものである。
量かつ簡単な構成で、固定ビームを発生するマイクロス
トリップアレーアンテナに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】通常、マイクロストリップアレーアンテ
ナは、各放射素子を所望の励振振幅・位相（以下「励振
分布」という）で給電して所望の放射特性を得ている。
各放射素子を所望の励振分布とするための１つの手法と
して、各放射素子のそれぞれに移相器および高出力増幅
器（送受信モジュール）を直結接続して、各放射素子の
振幅・位相を制御するアクティブフェーズドアレー方
式、別の手法として各放射素子のそれぞれに移相器を接
続して、各放射素子の位相を制御するパッシブフェーズ
ドアレー方式があるが、これらの２つの給電回路は主と
して、ビーム走査を行うための回路であり、移相器や送
受信モジュールを含み全体構成が複雑となるため、固定
ビームを発生するアンテナには通常は用いられないの
で、以下の説明からは省略する。
ナは、各放射素子を所望の励振振幅・位相（以下「励振
分布」という）で給電して所望の放射特性を得ている。
各放射素子を所望の励振分布とするための１つの手法と
して、各放射素子のそれぞれに移相器および高出力増幅
器（送受信モジュール）を直結接続して、各放射素子の
振幅・位相を制御するアクティブフェーズドアレー方
式、別の手法として各放射素子のそれぞれに移相器を接
続して、各放射素子の位相を制御するパッシブフェーズ
ドアレー方式があるが、これらの２つの給電回路は主と
して、ビーム走査を行うための回路であり、移相器や送
受信モジュールを含み全体構成が複雑となるため、固定
ビームを発生するアンテナには通常は用いられないの
で、以下の説明からは省略する。
【０００３】固定ビームを発生するマイクロストリップ
アレーアンテナの給電回路の構成の一例としては、放射
素子と同一平面上にマイクロストリップ線路を設け、マ
イクロストリップ線路により電力合成・分配回路を構成
する共平面給電方式がある。また、別の例としては、放
射素子と地導体とで構成される第１の誘電体基板の背面
に第２の誘電体基板を設け、第２の誘電体基板にマイク
ロストリップ線路またはトリプレート線路等を設けて電
力合成・分配回路を構成し、放射素子と給電回路とを給
電ピンで直接接続、または、スロット等を設けて放射素
子と給電回路とを電磁結合する、等の方法により放射素
子を励振する多層給電方式とがある。しかし、多層給電
方式は構成が複雑で製造が容易でなく、また、薄型化・
軽量化が困難であるなどの問題点があるのに対し、一方
の共平面給電方式では、１度のエッチングで加工ができ
製造が容易で低コスト化が図れ、薄型化・軽量化が容易
である等の利点がある。以下共平面給電方式のマイクロ
ストリップアレーアンテナについて説明する。
アレーアンテナの給電回路の構成の一例としては、放射
素子と同一平面上にマイクロストリップ線路を設け、マ
イクロストリップ線路により電力合成・分配回路を構成
する共平面給電方式がある。また、別の例としては、放
射素子と地導体とで構成される第１の誘電体基板の背面
に第２の誘電体基板を設け、第２の誘電体基板にマイク
ロストリップ線路またはトリプレート線路等を設けて電
力合成・分配回路を構成し、放射素子と給電回路とを給
電ピンで直接接続、または、スロット等を設けて放射素
子と給電回路とを電磁結合する、等の方法により放射素
子を励振する多層給電方式とがある。しかし、多層給電
方式は構成が複雑で製造が容易でなく、また、薄型化・
軽量化が困難であるなどの問題点があるのに対し、一方
の共平面給電方式では、１度のエッチングで加工ができ
製造が容易で低コスト化が図れ、薄型化・軽量化が容易
である等の利点がある。以下共平面給電方式のマイクロ
ストリップアレーアンテナについて説明する。
【０００４】図５にマイクロストリップアレーアンテナ
の一例を示す。図において１は地導体、２は誘電体基
板、３は放射素子であり、これらよりマイクロストリッ
プアンテナ４が構成される。５はストリップ導体であ
り、地導体１と誘電体基板２とによりマイクロストリッ
プ線路６が構成される。７は電力合成・分配回路の一例
としてのＴ分岐線路である。８は給電点であり、同軸コ
ネクタを用いて背面からピンで給電する場合を想定して
いる。あるいは導波管から導波管／マイクロストリップ
線路変換器を経由して給電しても良い。
の一例を示す。図において１は地導体、２は誘電体基
板、３は放射素子であり、これらよりマイクロストリッ
プアンテナ４が構成される。５はストリップ導体であ
り、地導体１と誘電体基板２とによりマイクロストリッ
プ線路６が構成される。７は電力合成・分配回路の一例
としてのＴ分岐線路である。８は給電点であり、同軸コ
ネクタを用いて背面からピンで給電する場合を想定して
いる。あるいは導波管から導波管／マイクロストリップ
線路変換器を経由して給電しても良い。
【０００５】次に動作について説明する。ここでは送信
アンテナの場合を考える。アンテナに入力された電波は
給電点８において同軸コネクタからマイクロストリップ
線路６にモード変換され、マイクロストリップ線路６に
より構成されるＴ分岐線路７により、所望の励振分布で
共平面上に構成されたそれぞれのマイクロストリップア
ンテナ４に給電される。マイクロストリップ線路６の端
部をマイクロストリップアンテナ４端部に直接接続する
ことで、その端部の電界によりマイクロストリップアン
テナ４が励振される。励振されたマイクロストリップア
ンテナ４はアンテナ長さを約半波長とすることで共振現
象をおこし、放射される。
アンテナの場合を考える。アンテナに入力された電波は
給電点８において同軸コネクタからマイクロストリップ
線路６にモード変換され、マイクロストリップ線路６に
より構成されるＴ分岐線路７により、所望の励振分布で
共平面上に構成されたそれぞれのマイクロストリップア
ンテナ４に給電される。マイクロストリップ線路６の端
部をマイクロストリップアンテナ４端部に直接接続する
ことで、その端部の電界によりマイクロストリップアン
テナ４が励振される。励振されたマイクロストリップア
ンテナ４はアンテナ長さを約半波長とすることで共振現
象をおこし、放射される。
【０００６】マイクロストリップアレーアンテナの給電
回路としては、直列給電方式、トーナメント給電方式等
があるが、その両者に良く使われる電力合成・分配回路
の一例として図６にＴ分岐線路を示す。図において、９
は入力端子、１０は強分配側出力端子、１１は弱分配側
出力端子、１２ａ，ｂは１／４波長線路であり、これは
強分配側と弱分配側との並列回路のインピーダンス比に
よる電力分配であり、１／４波長線路によるインピーダ
ンス変成器を用いて整合をとるものである。一般にアレ
ーアンテナではグレーティングローブが発生しないよう
な素子間隔とするために、素子間隔をあまり大きくする
ことができず、通常０．５〜０．９波長程度となってい
るが、このＴ分岐線路は設計が容易で比較的コンパクト
に構成することができるため、共平面給電方式のマイク
ロストリップアレーアンテナの給電回路では一般的な電
力合成・分配回路としてよく使用されている。
回路としては、直列給電方式、トーナメント給電方式等
があるが、その両者に良く使われる電力合成・分配回路
の一例として図６にＴ分岐線路を示す。図において、９
は入力端子、１０は強分配側出力端子、１１は弱分配側
出力端子、１２ａ，ｂは１／４波長線路であり、これは
強分配側と弱分配側との並列回路のインピーダンス比に
よる電力分配であり、１／４波長線路によるインピーダ
ンス変成器を用いて整合をとるものである。一般にアレ
ーアンテナではグレーティングローブが発生しないよう
な素子間隔とするために、素子間隔をあまり大きくする
ことができず、通常０．５〜０．９波長程度となってい
るが、このＴ分岐線路は設計が容易で比較的コンパクト
に構成することができるため、共平面給電方式のマイク
ロストリップアレーアンテナの給電回路では一般的な電
力合成・分配回路としてよく使用されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来の共平面給電マイ
クロストリップアレーアンテナは上記のように構成され
ていたため、給電点８と放射素子３とはＴ分岐線路７と
マイクロストリップ線路６を介して接続されている。こ
こで、Ｔ分岐線路７は入力端子９からみたインピーダン
ス整合がとれているが、強分配側出力端子１０または弱
分配側出力端子１１からみるとインピーダンス整合がと
れないため、出力端子側では電力の反射が必ず発生し、
特に電力分配比が大きい場合の弱分配側出力端子の反射
はかなり大きなものとなる。従って、例えば第一のＴ分
岐線路の弱分配側出力端子と第二のＴ分岐線路の入力端
子とがマイクロストリップ線路で接続されている場合、
このマイクロストリップ線路上に多重反射波が存在する
ことになる。同様にして各所に配置されたＴ分岐線路周
辺の給電回路の各部分に多重反射波が発生し、給電回路
の構成上、反射波を吸収し得る部分が無いために反射波
が累積して、電磁界分布の乱れが大きくなる。そのため
に所望の電力分配特性が得られなくなり、所望の励振分
布が得られなくなる問題点があった。
クロストリップアレーアンテナは上記のように構成され
ていたため、給電点８と放射素子３とはＴ分岐線路７と
マイクロストリップ線路６を介して接続されている。こ
こで、Ｔ分岐線路７は入力端子９からみたインピーダン
ス整合がとれているが、強分配側出力端子１０または弱
分配側出力端子１１からみるとインピーダンス整合がと
れないため、出力端子側では電力の反射が必ず発生し、
特に電力分配比が大きい場合の弱分配側出力端子の反射
はかなり大きなものとなる。従って、例えば第一のＴ分
岐線路の弱分配側出力端子と第二のＴ分岐線路の入力端
子とがマイクロストリップ線路で接続されている場合、
このマイクロストリップ線路上に多重反射波が存在する
ことになる。同様にして各所に配置されたＴ分岐線路周
辺の給電回路の各部分に多重反射波が発生し、給電回路
の構成上、反射波を吸収し得る部分が無いために反射波
が累積して、電磁界分布の乱れが大きくなる。そのため
に所望の電力分配特性が得られなくなり、所望の励振分
布が得られなくなる問題点があった。
【０００８】このような給電回路の反射による励振分布
の乱れを低減するための方法として、入出力端子の全て
でインピーダンス整合をとることができるような反射の
少ない電力合成・分配回路を用いる給電方法がある。例
えば、反射の少ない電力合成・分配回路としては、ウィ
ルキンソン分配器、フォーク形分配器、ブランチライン
１／４波長側結合形方向性結合器、ラットレースハイブ
リッド等があるが、それぞれの構成がやや大きくなる問
題点があり、放射素子と同一平面上にレイアウトするこ
とが困難である点と、仮にレイアウトできたとしても上
記の各種分配回路、給電線路および放射素子の間隔が小
さくなってしまい、それらの相互結合により励振分布が
乱れて所望の放射特性が得られにくい点との２つの問題
点があった。上記問題点を解決するために、放射素子を
構成した第１の誘電体基板のほかに第２の誘電体基板を
設けて、放射素子と給電回路とを別々の平面上に構成し
て相互結合の悪影響を低減していたが、アンテナの構成
が複雑化し、低コスト化が図れない問題点と薄型軽量化
が図れない問題点があった。
の乱れを低減するための方法として、入出力端子の全て
でインピーダンス整合をとることができるような反射の
少ない電力合成・分配回路を用いる給電方法がある。例
えば、反射の少ない電力合成・分配回路としては、ウィ
ルキンソン分配器、フォーク形分配器、ブランチライン
１／４波長側結合形方向性結合器、ラットレースハイブ
リッド等があるが、それぞれの構成がやや大きくなる問
題点があり、放射素子と同一平面上にレイアウトするこ
とが困難である点と、仮にレイアウトできたとしても上
記の各種分配回路、給電線路および放射素子の間隔が小
さくなってしまい、それらの相互結合により励振分布が
乱れて所望の放射特性が得られにくい点との２つの問題
点があった。上記問題点を解決するために、放射素子を
構成した第１の誘電体基板のほかに第２の誘電体基板を
設けて、放射素子と給電回路とを別々の平面上に構成し
て相互結合の悪影響を低減していたが、アンテナの構成
が複雑化し、低コスト化が図れない問題点と薄型軽量化
が図れない問題点があった。
【０００９】また、通常よく使用されるアンテナ放射特
性であるペンシルビームを形成する励振分布は各放射素
子間の振幅テーパは滑らかになっているため、電力合成
・分配回路の電力分配比は数ｄＢ程度であるが、ファン
ビームあるいはセクタービーム等の成形ビームを形成す
る場合の励振分布は隣接する放射素子間の振幅テーパを
急峻に変化させる必要があるため、電力分配比が１０ｄ
Ｂ以上となる電力合成・分配回路を給電回路の各所に用
いざるを得ず、このため、特に反射による電磁界分布の
乱れが大きくなり、所望の励振分布を得ることが困難で
あった。
性であるペンシルビームを形成する励振分布は各放射素
子間の振幅テーパは滑らかになっているため、電力合成
・分配回路の電力分配比は数ｄＢ程度であるが、ファン
ビームあるいはセクタービーム等の成形ビームを形成す
る場合の励振分布は隣接する放射素子間の振幅テーパを
急峻に変化させる必要があるため、電力分配比が１０ｄ
Ｂ以上となる電力合成・分配回路を給電回路の各所に用
いざるを得ず、このため、特に反射による電磁界分布の
乱れが大きくなり、所望の励振分布を得ることが困難で
あった。
【００１０】この発明はこのような課題を解決するため
のものであり、以下に詳述する。
のものであり、以下に詳述する。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記の問題点を解決する
ために、第１の発明によるマイクロストリップアレーア
ンテナは、地導体と、上記地導体上に設けた誘電体基板
と、上記誘電体基板上に設けたストリップ導体による複
数のマイクロストリップ線路と、上記マイクロストリッ
プ線路と同一平面上に配置されかつ上記マイクロストリ
ップ線路と接続されることにより給電される複数個の放
射導体とを備えたマイクロストリップアレーアンテナに
おいて、上記それぞれの放射導体に接続される上記それ
ぞれのマイクロストリップ線路に対して、互いにほぼ１
／４波長となる所定の線路長にわたり他の上記マイクロ
ストリップ線路を所定の間隔に近接させ、この互いに近
接したマイクロストリップ線路のアイソレーション端子
に無反射終端手段を接続して成る１／４波長側結合形方
向性結合器を具備したものである。 また、第２の発明に
よるマイクロストリップアレーアンテナは、上記無反射
終端手段が、抵抗膜を接合して成るものである。 また、
第３の発明によるマイクロストリップアレーアンテナ
は、上記無反射終端手段が、互いに離間した銅箔から成
る上記マイクロストリップ線路の一端に銀を有した電極
を接合し、この電極間をポリマー膜厚抵抗で接続して成
るものである。 また、第４の発明によるマイクロストリ
ップアレーアンテナは、地導体と、上記地導体上に設け
た誘電体基板と、上記誘電体基板上に設けたストリップ
導体による複数のマイクロストリップ線路と、上記マイ
クロストリップ線路と同一平面上に配置されかつ上記マ
イクロストリップ線路と接続されたことにより給電され
る複数個の放射導体とによりマイクロストリップアンテ
ナを構成し、上記複数個のマイクロストリップアンテナ
を平面上に配置したことでアレーアンテナを構成したマ
イクロストリップアレーアンテナにおいて、上記複数個
の放射素子をそれぞれ所定の励振振幅・位相で励振する
ための給電回路を上記マイクロストリップ線路を用いて
上記放射素子と同一平面上に構成し、上記給電回路を構
成する電力合成・分配回路を２本の上記マイクロストリ
ップ線路をほぼ１／４波長側結合性方向性結合器により
構成し、更に上記１／４波長側結合形方向性結合器のア
イソ レーション端子に抵抗膜を用いた無反射終端手段を
具備したものである。
ために、第１の発明によるマイクロストリップアレーア
ンテナは、地導体と、上記地導体上に設けた誘電体基板
と、上記誘電体基板上に設けたストリップ導体による複
数のマイクロストリップ線路と、上記マイクロストリッ
プ線路と同一平面上に配置されかつ上記マイクロストリ
ップ線路と接続されることにより給電される複数個の放
射導体とを備えたマイクロストリップアレーアンテナに
おいて、上記それぞれの放射導体に接続される上記それ
ぞれのマイクロストリップ線路に対して、互いにほぼ１
／４波長となる所定の線路長にわたり他の上記マイクロ
ストリップ線路を所定の間隔に近接させ、この互いに近
接したマイクロストリップ線路のアイソレーション端子
に無反射終端手段を接続して成る１／４波長側結合形方
向性結合器を具備したものである。 また、第２の発明に
よるマイクロストリップアレーアンテナは、上記無反射
終端手段が、抵抗膜を接合して成るものである。 また、
第３の発明によるマイクロストリップアレーアンテナ
は、上記無反射終端手段が、互いに離間した銅箔から成
る上記マイクロストリップ線路の一端に銀を有した電極
を接合し、この電極間をポリマー膜厚抵抗で接続して成
るものである。 また、第４の発明によるマイクロストリ
ップアレーアンテナは、地導体と、上記地導体上に設け
た誘電体基板と、上記誘電体基板上に設けたストリップ
導体による複数のマイクロストリップ線路と、上記マイ
クロストリップ線路と同一平面上に配置されかつ上記マ
イクロストリップ線路と接続されたことにより給電され
る複数個の放射導体とによりマイクロストリップアンテ
ナを構成し、上記複数個のマイクロストリップアンテナ
を平面上に配置したことでアレーアンテナを構成したマ
イクロストリップアレーアンテナにおいて、上記複数個
の放射素子をそれぞれ所定の励振振幅・位相で励振する
ための給電回路を上記マイクロストリップ線路を用いて
上記放射素子と同一平面上に構成し、上記給電回路を構
成する電力合成・分配回路を２本の上記マイクロストリ
ップ線路をほぼ１／４波長側結合性方向性結合器により
構成し、更に上記１／４波長側結合形方向性結合器のア
イソ レーション端子に抵抗膜を用いた無反射終端手段を
具備したものである。
【００１２】また、第５の発明によるマイクロストリッ
プアレーアンテナは、上記給電回路を構成する電力合成
・分配回路の幾つかは抵抗膜を用いないT分岐線路また
は３分配回路等を用いて構成し、その他の電力合成・分
配回路は上記抵抗膜を用いた無反射終端手段を具備した
上記１／４波長側結合形方向性結合器により構成したも
のである。
プアレーアンテナは、上記給電回路を構成する電力合成
・分配回路の幾つかは抵抗膜を用いないT分岐線路また
は３分配回路等を用いて構成し、その他の電力合成・分
配回路は上記抵抗膜を用いた無反射終端手段を具備した
上記１／４波長側結合形方向性結合器により構成したも
のである。
【００１３】また、第６の発明によるマイクロストリッ
プアレーアンテナは、上記放射素子を配列した平面内に
設けた任意の直交する２軸に対して、その一方の軸方向
に沿って配列された上記放射素子群間の電力分配を行う
箇所に設ける電力分配・合成回路は、抵抗膜を用いない
T分岐線路または３分配回路等を用いて構成し、もう一
方の軸方向に沿って配列された上記放射素子群間の電力
分配を行う箇所に設ける電力分配・合成回路は、上記抵
抗膜を用いた無反射終端手段を具備した上記１／４波長
側結合形方向性結合器により構成したものである。 ま
た、第７の発明によるマイクロストリップアレーアンテ
ナは、地導体と、上記地導体上に設けた誘電体基板と、
上記誘電体基板上に設けたストリップ導体による複数の
マイクロストリップ線路と、上記マイクロストリップ線
路と同一平面上に配置されかつ上記マイクロストリップ
線路と接続されることにより給電される複数個の放射導
体とを備えたマイクロストリップアレーアンテナにおい
て、上記複数のマイクロストリップ線路は電力分配・合
成回路を形成し、この電力分配・合成回路の分岐点にお
ける電力分配比の大きなところを１／４波長側結合形方
向性結合器で接続し、この電力分配・合成回路の分岐点
における電力分配比の小さなところをT分岐線路で接続
して成るものである。
プアレーアンテナは、上記放射素子を配列した平面内に
設けた任意の直交する２軸に対して、その一方の軸方向
に沿って配列された上記放射素子群間の電力分配を行う
箇所に設ける電力分配・合成回路は、抵抗膜を用いない
T分岐線路または３分配回路等を用いて構成し、もう一
方の軸方向に沿って配列された上記放射素子群間の電力
分配を行う箇所に設ける電力分配・合成回路は、上記抵
抗膜を用いた無反射終端手段を具備した上記１／４波長
側結合形方向性結合器により構成したものである。 ま
た、第７の発明によるマイクロストリップアレーアンテ
ナは、地導体と、上記地導体上に設けた誘電体基板と、
上記誘電体基板上に設けたストリップ導体による複数の
マイクロストリップ線路と、上記マイクロストリップ線
路と同一平面上に配置されかつ上記マイクロストリップ
線路と接続されることにより給電される複数個の放射導
体とを備えたマイクロストリップアレーアンテナにおい
て、上記複数のマイクロストリップ線路は電力分配・合
成回路を形成し、この電力分配・合成回路の分岐点にお
ける電力分配比の大きなところを１／４波長側結合形方
向性結合器で接続し、この電力分配・合成回路の分岐点
における電力分配比の小さなところをT分岐線路で接続
して成るものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】実施の形態１．図１はこの発明の
実施の形態１を示す概略構成図であり、図において１〜
６及び８は前記従来例と全く同一のものであり、１３は
２本のマイクロストリップ線路を所定の間隔を保ち、所
定の線路長（およそ１／４波長）だけ近接させて配置し
た１／４波長側結合形方向性結合器、１４は抵抗膜（例
えばポリマー厚膜抵抗を用いる）、１５は一端を開放端
とした所定の長さ（およそ１／４波長）のマイクロスト
リップ線路で構成したオープンスタブである。また図２
（ａ）は１／４波長側結合形方向性結合器とオープンス
タブとで構成した電力合成・分配回路の詳細を示す平面
図であり、図２（ｂ）はその断面図である。図におい
て、９から１１は前記従来例と全く同一のものであり、
１６はアイソレーション端子を示す。１７はストリップ
導体５と抵抗膜１４との接合をよくするための電極（例
えば、銀ペーストを用いる）であり、通常誘電体基板の
ストリップ導体は銅箔で構成されているため、銅とポリ
マー厚膜抵抗を直接接合させた場合に、その接触界面に
銅化合物が生成され、この銅化合物による接触不良現象
を防止するために設けたものである。１８は抵抗膜の保
護を目的とした保護コートを示すが、保護コートはこの
発明には必ずしも必要なものではなく省略しても良い
が、ストリップ導体及び抵抗膜を外部からの化学的、物
理的な影響から保護するオーバーコートとして良く用い
られるものである。
実施の形態１を示す概略構成図であり、図において１〜
６及び８は前記従来例と全く同一のものであり、１３は
２本のマイクロストリップ線路を所定の間隔を保ち、所
定の線路長（およそ１／４波長）だけ近接させて配置し
た１／４波長側結合形方向性結合器、１４は抵抗膜（例
えばポリマー厚膜抵抗を用いる）、１５は一端を開放端
とした所定の長さ（およそ１／４波長）のマイクロスト
リップ線路で構成したオープンスタブである。また図２
（ａ）は１／４波長側結合形方向性結合器とオープンス
タブとで構成した電力合成・分配回路の詳細を示す平面
図であり、図２（ｂ）はその断面図である。図におい
て、９から１１は前記従来例と全く同一のものであり、
１６はアイソレーション端子を示す。１７はストリップ
導体５と抵抗膜１４との接合をよくするための電極（例
えば、銀ペーストを用いる）であり、通常誘電体基板の
ストリップ導体は銅箔で構成されているため、銅とポリ
マー厚膜抵抗を直接接合させた場合に、その接触界面に
銅化合物が生成され、この銅化合物による接触不良現象
を防止するために設けたものである。１８は抵抗膜の保
護を目的とした保護コートを示すが、保護コートはこの
発明には必ずしも必要なものではなく省略しても良い
が、ストリップ導体及び抵抗膜を外部からの化学的、物
理的な影響から保護するオーバーコートとして良く用い
られるものである。
【００１５】図１のマイクロストリップアレーアンテナ
はまず、放射素子、マイクロストリップ線路、１／４波
長側結合形方向性結合器及びオープンスタブをエッチン
グにより形成し、次に、図２（ｂ）に示す電極１７を例
えば銀ペーストを印刷する等により形成し、次に、抵抗
膜１４を例えばポリマー厚膜抵抗ペーストをスクリーン
印刷する等により形成する。その後、必要に応じて印刷
抵抗値を所定の抵抗値偏差内に入れるためにトリミング
により抵抗値調整を行う。さらに、必要に応じて保護コ
ート１８をコーティングする。以上のように通常の両面
銅箔の誘電体基板を用いて、その片面に対する工程が主
であり、比較的容易に製造することができる。
はまず、放射素子、マイクロストリップ線路、１／４波
長側結合形方向性結合器及びオープンスタブをエッチン
グにより形成し、次に、図２（ｂ）に示す電極１７を例
えば銀ペーストを印刷する等により形成し、次に、抵抗
膜１４を例えばポリマー厚膜抵抗ペーストをスクリーン
印刷する等により形成する。その後、必要に応じて印刷
抵抗値を所定の抵抗値偏差内に入れるためにトリミング
により抵抗値調整を行う。さらに、必要に応じて保護コ
ート１８をコーティングする。以上のように通常の両面
銅箔の誘電体基板を用いて、その片面に対する工程が主
であり、比較的容易に製造することができる。
【００１６】次に動作について説明する。１／４波長側
結合形方向性結合器は入力端子、強分配側出力端子、弱
分配側出力端子の全てでインピーダンス整合がとること
ができるような反射の少ない電力合成・分配回路であ
り、不要反射波をアイソレーション端子で吸収すること
により、従来のＴ分岐線路を用いて給電回路を構成した
場合と比較して多重反射波の発生が少なく、反射による
悪影響が累積することが少なくなる。このため、アレー
アンテナの各素子をほぼ所望の励振分布とすることがで
き、所望の放射特性が得られ易くなる。また、１／４波
長側結合形方向性結合器は通常２本のマイクロストリッ
プ線路を約１／４波長の線路長だけ近接させて配置し、
上記２本のマイクロストリップ線路の間隔を所定の値と
することにより、所望の電力分配特性を得るものであ
る。一方、従来のＴ分岐線路でもインピーダンス整合の
ために１／４波長線路を挿入するのが通常であったか
ら、特に１／４波長側結合形方向性結合器がＴ分岐線路
よりも外形が大きくなることはなく、従来とほぼ同様に
コンパクトに配置することができる。
結合形方向性結合器は入力端子、強分配側出力端子、弱
分配側出力端子の全てでインピーダンス整合がとること
ができるような反射の少ない電力合成・分配回路であ
り、不要反射波をアイソレーション端子で吸収すること
により、従来のＴ分岐線路を用いて給電回路を構成した
場合と比較して多重反射波の発生が少なく、反射による
悪影響が累積することが少なくなる。このため、アレー
アンテナの各素子をほぼ所望の励振分布とすることがで
き、所望の放射特性が得られ易くなる。また、１／４波
長側結合形方向性結合器は通常２本のマイクロストリッ
プ線路を約１／４波長の線路長だけ近接させて配置し、
上記２本のマイクロストリップ線路の間隔を所定の値と
することにより、所望の電力分配特性を得るものであ
る。一方、従来のＴ分岐線路でもインピーダンス整合の
ために１／４波長線路を挿入するのが通常であったか
ら、特に１／４波長側結合形方向性結合器がＴ分岐線路
よりも外形が大きくなることはなく、従来とほぼ同様に
コンパクトに配置することができる。
【００１７】また、この発明の実施の形態１では１／４
波長側結合形方向性結合器のアイソレーション端子を抵
抗膜により構成しているため、チップ抵抗等の取付が不
要で、スクリーン印刷等により簡単に抵抗体を生成する
ことができる。また、オープンスタブを用いたことで、
地導体とストリップ導体との間のスルーホール加工また
は金リボン等による接続が不要となり、構成が簡単とな
り、製造が容易となる。なお、オープンスタブは図２
（ａ）に示したような長方形形状でなくても良く、開放
端側に向かって円弧状に広がっていくラジアルスタブを
用いても、この発明の効果には全く変わるところが無
い。同様に抵抗膜の形状も長方形に限定されるものでは
なく、終端側に向かって徐々に幅が広がっていく台形形
状としても良い。また、オープンスタブが比較的狭帯域
であることが問題になる場合は、抵抗膜の一端をスルー
ホール加工または金リボン等により地導体と接続して設
置する、ショートエンド形の無反射終端器としても同様
の効果が得られる。
波長側結合形方向性結合器のアイソレーション端子を抵
抗膜により構成しているため、チップ抵抗等の取付が不
要で、スクリーン印刷等により簡単に抵抗体を生成する
ことができる。また、オープンスタブを用いたことで、
地導体とストリップ導体との間のスルーホール加工また
は金リボン等による接続が不要となり、構成が簡単とな
り、製造が容易となる。なお、オープンスタブは図２
（ａ）に示したような長方形形状でなくても良く、開放
端側に向かって円弧状に広がっていくラジアルスタブを
用いても、この発明の効果には全く変わるところが無
い。同様に抵抗膜の形状も長方形に限定されるものでは
なく、終端側に向かって徐々に幅が広がっていく台形形
状としても良い。また、オープンスタブが比較的狭帯域
であることが問題になる場合は、抵抗膜の一端をスルー
ホール加工または金リボン等により地導体と接続して設
置する、ショートエンド形の無反射終端器としても同様
の効果が得られる。
【００１８】実施の形態２．図３はこの発明の実施の形
態２を示す概略構成図であり、給電回路を構成する電力
合成・分配回路の一部は抵抗膜を用いないＴ分岐線路を
用いて構成し、その他の電力分配・合成回路は１／４波
長側結合形方向性結合器と抵抗膜を形成した無反射終端
器とにより構成したことを特徴とする。１／４波長側結
合形方向性結合器は２本のマイクロストリップ線路を近
接させて構成しており、その間隔が狭くなるほど結合量
が大きく、言い換えれば、電力分配比が小さくなる。エ
ッチング等によりマイクロストリップ線路を製造する構
成上、その間隔には限度（例えば、５０μｍ）があり、
あまり小さな電力分配比の１／４波長側結合形方向性結
合器を同一平面上に構成することはできない。このた
め、電力分配比の小さな箇所にはＴ分岐線路を用い、電
力分配比の大きな箇所には１／４波長側結合形方向性結
合器を用いるものである。従来例で説明したようにＴ分
岐線路では電力分配比が大きいほど出力端子の反射が大
きくなるので、電力分配比の大きい箇所には反射の小さ
な１／４波長側結合形方向性結合器を用い、一方、電力
分配比が小さい箇所には比較的反射特性が良好となるＴ
分岐線路を用いることで、給電回路全体の反射を小さく
することができる。また、Ｔ分岐線路と１／４波長側結
合形方向性結合器とを組み合わせて用いることで、Ｔ分
岐線路で発生した反射波の一部を１／４波長側結合形方
向性結合器に接続した抵抗膜で構成した無反射終端器で
吸収することができ、反射波の悪影響を累積させること
も無い。以上の理由で、従来のマイクロストリップアレ
ーアンテナよりも誘電回路の反射を抑制することがで
き、ひいては、所望の励振分布が得られ、所望の放射パ
ターンが得られる効果がある。また、電力合成・分配回
路を適宜使い分けることにより給電回路配線に余裕がで
き、相互結合による性能劣化を少なくできる効果があ
り、かつ、素子間隔の小さなアレーアンテナにも適用で
きる効果がある。
態２を示す概略構成図であり、給電回路を構成する電力
合成・分配回路の一部は抵抗膜を用いないＴ分岐線路を
用いて構成し、その他の電力分配・合成回路は１／４波
長側結合形方向性結合器と抵抗膜を形成した無反射終端
器とにより構成したことを特徴とする。１／４波長側結
合形方向性結合器は２本のマイクロストリップ線路を近
接させて構成しており、その間隔が狭くなるほど結合量
が大きく、言い換えれば、電力分配比が小さくなる。エ
ッチング等によりマイクロストリップ線路を製造する構
成上、その間隔には限度（例えば、５０μｍ）があり、
あまり小さな電力分配比の１／４波長側結合形方向性結
合器を同一平面上に構成することはできない。このた
め、電力分配比の小さな箇所にはＴ分岐線路を用い、電
力分配比の大きな箇所には１／４波長側結合形方向性結
合器を用いるものである。従来例で説明したようにＴ分
岐線路では電力分配比が大きいほど出力端子の反射が大
きくなるので、電力分配比の大きい箇所には反射の小さ
な１／４波長側結合形方向性結合器を用い、一方、電力
分配比が小さい箇所には比較的反射特性が良好となるＴ
分岐線路を用いることで、給電回路全体の反射を小さく
することができる。また、Ｔ分岐線路と１／４波長側結
合形方向性結合器とを組み合わせて用いることで、Ｔ分
岐線路で発生した反射波の一部を１／４波長側結合形方
向性結合器に接続した抵抗膜で構成した無反射終端器で
吸収することができ、反射波の悪影響を累積させること
も無い。以上の理由で、従来のマイクロストリップアレ
ーアンテナよりも誘電回路の反射を抑制することがで
き、ひいては、所望の励振分布が得られ、所望の放射パ
ターンが得られる効果がある。また、電力合成・分配回
路を適宜使い分けることにより給電回路配線に余裕がで
き、相互結合による性能劣化を少なくできる効果があ
り、かつ、素子間隔の小さなアレーアンテナにも適用で
きる効果がある。
【００１９】実施の形態３．図４はこの発明の実施の形
態３を示す概略構成図であり、放射素子を配列した平面
内に設けた任意の直交する２軸に対して、その一方の軸
（図における縦軸）方向に沿って配列された放射素子群
間の電力分配を行う箇所に設ける電力分配・合成回路
は、抵抗膜を用いないＴ分岐線路を用いて構成し、もう
一方の軸（図における横軸）方向に沿って配列された放
射素子群間の電力分配を行う箇所に設ける電力分配・合
成回路は、１／４波長側結合形方向性結合器と抵抗膜を
形成した無反射終端器とにより構成したことを特徴とす
る。一般に２次元アレーアンテナの各軸方向の指向特性
は、その軸方向に配列された放射素子の励振分布によっ
て定まるため、第一の軸方向の電力分配は簡易な構成の
Ｔ分岐線路等で構成し、第一の軸と直交する第二の軸方
向の電力分配は１／４波長側結合形方向性結合器で構成
したことで、第一の軸方向の励振分布には若干の乱れを
許容する一方で、第二の軸方向の励振分布はほぼ設計値
どおりとなるようにしたものである。これは、垂直面と
水平面とで放射特性の要求性能に顕著な差のある場合、
例えば、垂直面はサイドローブ−１０ｄＢ以下、水平面
はサイドローブ−２５ｄＢ以下というような要求性能の
アンテナの場合、垂直面の励振分布における所望の設計
値とのずれはある程度許容できるが、水平面の励振分布
におけるずれは垂直面に比べてかなり精度良く制御する
必要がある。このような場合に、この発明の実施の形態
３のマイクロストリップアレーアンテナを用いること
で、容易に上述のような給電回路が構成でき、少なくと
も１軸方向についてはほぼ所望の放射特性を得ることが
できる。また、Ｔ分岐線路等と１／４波長側結合形方向
性結合器とを併用することで、給電回路をコンパクトに
でき、相互結合による性能劣化を少なくできる効果があ
り、かつ、素子間隔の小さなアレーアンテナにも適用で
きる効果がある。また、Ｔ分岐線路等で発生した反射波
の一部を１／４波長側結合形方向性結合器に接続した抵
抗膜で構成した無反射終端器で吸収することができ、反
射波の悪影響を累積させることも無いため、Ｔ分岐線路
等を用いて電力分配した軸方向の励振分布は、全ての電
力合成・分配回路をＴ分岐線路等で構成した場合よりも
所望の設計値に近づけることができ、従来のアンテナよ
りも放射特性を改善することができる。
態３を示す概略構成図であり、放射素子を配列した平面
内に設けた任意の直交する２軸に対して、その一方の軸
（図における縦軸）方向に沿って配列された放射素子群
間の電力分配を行う箇所に設ける電力分配・合成回路
は、抵抗膜を用いないＴ分岐線路を用いて構成し、もう
一方の軸（図における横軸）方向に沿って配列された放
射素子群間の電力分配を行う箇所に設ける電力分配・合
成回路は、１／４波長側結合形方向性結合器と抵抗膜を
形成した無反射終端器とにより構成したことを特徴とす
る。一般に２次元アレーアンテナの各軸方向の指向特性
は、その軸方向に配列された放射素子の励振分布によっ
て定まるため、第一の軸方向の電力分配は簡易な構成の
Ｔ分岐線路等で構成し、第一の軸と直交する第二の軸方
向の電力分配は１／４波長側結合形方向性結合器で構成
したことで、第一の軸方向の励振分布には若干の乱れを
許容する一方で、第二の軸方向の励振分布はほぼ設計値
どおりとなるようにしたものである。これは、垂直面と
水平面とで放射特性の要求性能に顕著な差のある場合、
例えば、垂直面はサイドローブ−１０ｄＢ以下、水平面
はサイドローブ−２５ｄＢ以下というような要求性能の
アンテナの場合、垂直面の励振分布における所望の設計
値とのずれはある程度許容できるが、水平面の励振分布
におけるずれは垂直面に比べてかなり精度良く制御する
必要がある。このような場合に、この発明の実施の形態
３のマイクロストリップアレーアンテナを用いること
で、容易に上述のような給電回路が構成でき、少なくと
も１軸方向についてはほぼ所望の放射特性を得ることが
できる。また、Ｔ分岐線路等と１／４波長側結合形方向
性結合器とを併用することで、給電回路をコンパクトに
でき、相互結合による性能劣化を少なくできる効果があ
り、かつ、素子間隔の小さなアレーアンテナにも適用で
きる効果がある。また、Ｔ分岐線路等で発生した反射波
の一部を１／４波長側結合形方向性結合器に接続した抵
抗膜で構成した無反射終端器で吸収することができ、反
射波の悪影響を累積させることも無いため、Ｔ分岐線路
等を用いて電力分配した軸方向の励振分布は、全ての電
力合成・分配回路をＴ分岐線路等で構成した場合よりも
所望の設計値に近づけることができ、従来のアンテナよ
りも放射特性を改善することができる。
【００２０】また、この発明の実施の形態３によるマイ
クロストリップアレーアンテナは上記のような直交２軸
での要求性能が異なるようなアンテナに限って適用する
だけでない。通常のペンシルビームアンテナでは、各放
射素子の振幅テーパは比較的滑らかになっている反面、
ファンビームまたはセクタービーム等の成形ビームを形
成するときの励振分布は電力分配比が大きくなることが
多い。このような直交２軸でビーム形状が異なるような
アンテナに適用することで、同様の効果を得ることがで
きる。
クロストリップアレーアンテナは上記のような直交２軸
での要求性能が異なるようなアンテナに限って適用する
だけでない。通常のペンシルビームアンテナでは、各放
射素子の振幅テーパは比較的滑らかになっている反面、
ファンビームまたはセクタービーム等の成形ビームを形
成するときの励振分布は電力分配比が大きくなることが
多い。このような直交２軸でビーム形状が異なるような
アンテナに適用することで、同様の効果を得ることがで
きる。
【００２１】
【発明の効果】第１、第４の発明によれば、各放射素子
を所定の励振振幅・位相で励振するための電力合成・分
配回路に１／４波長側結合形方向性結合器を用いること
で、放射素子または給電線路の反射が大きいような給電
回路においても、ほぼ所望の励振分布で各放射素子を励
振することができ、所望のアンテナ放射特性が得られ易
い効果がある。また、多層基板を用いずに、共平面給電
方式としたことで、薄型化・軽量化及び低コスト化が図
れ、製造が容易になるとともに信頼性が向上する効果が
ある。 また、第２、第３の発明によれば、１／４波長側
結合形方向性結合器のアイソレーション端子には抵抗膜
を用いたことで、平面アンテナの加工が容易となる効果
がある。
を所定の励振振幅・位相で励振するための電力合成・分
配回路に１／４波長側結合形方向性結合器を用いること
で、放射素子または給電線路の反射が大きいような給電
回路においても、ほぼ所望の励振分布で各放射素子を励
振することができ、所望のアンテナ放射特性が得られ易
い効果がある。また、多層基板を用いずに、共平面給電
方式としたことで、薄型化・軽量化及び低コスト化が図
れ、製造が容易になるとともに信頼性が向上する効果が
ある。 また、第２、第３の発明によれば、１／４波長側
結合形方向性結合器のアイソレーション端子には抵抗膜
を用いたことで、平面アンテナの加工が容易となる効果
がある。
【００２２】また、第５の発明によれば、電力合成・分
配回路に抵抗膜を用いないT分岐線路等と抵抗膜を用い
た無反射終端器を有する１／４波長側結合性方向性結合
器とを組み合わせて使用することで、給電回路配線に余
裕ができ、素子間隔の小さなアレーアンテナにも適用で
きる効果がある。また、大きな電力分配比が要求される
電力分配・合成回路を１／４波長側結合形方向性結合器
により構成するため、給電回路の反射が蓄積しないた
め、所望の放射特性が得られ易い効果がある。
配回路に抵抗膜を用いないT分岐線路等と抵抗膜を用い
た無反射終端器を有する１／４波長側結合性方向性結合
器とを組み合わせて使用することで、給電回路配線に余
裕ができ、素子間隔の小さなアレーアンテナにも適用で
きる効果がある。また、大きな電力分配比が要求される
電力分配・合成回路を１／４波長側結合形方向性結合器
により構成するため、給電回路の反射が蓄積しないた
め、所望の放射特性が得られ易い効果がある。
【００２３】また、第６の発明によれば、電力合成・分
配回路をアレーを構成する素子群の電力分配方向に応じ
て直交する２軸についてT分岐線路等と１／４波長側結
合形方向性結合器とを使い分けることで、特に１／４波
長側結合形方向性結合器を用いて電力分配した軸方向の
励振分布が、ほぼ設計値どおりとなり所望の放射特性が
得られ、一方、T分岐線路等を用いて電力分配した軸方
向では、途中に接続された１／４波長側結合形方向性結
合器により、反射波を吸収することができるため、ほぼ
所望の放射特性が得られ易い効果がある。特に直交２軸
でサイドローブ要求の異なるアンテナ、または直交２軸
でビーム形状が異なり振幅テーパが異なるアンテナ等に
有効である。
配回路をアレーを構成する素子群の電力分配方向に応じ
て直交する２軸についてT分岐線路等と１／４波長側結
合形方向性結合器とを使い分けることで、特に１／４波
長側結合形方向性結合器を用いて電力分配した軸方向の
励振分布が、ほぼ設計値どおりとなり所望の放射特性が
得られ、一方、T分岐線路等を用いて電力分配した軸方
向では、途中に接続された１／４波長側結合形方向性結
合器により、反射波を吸収することができるため、ほぼ
所望の放射特性が得られ易い効果がある。特に直交２軸
でサイドローブ要求の異なるアンテナ、または直交２軸
でビーム形状が異なり振幅テーパが異なるアンテナ等に
有効である。
【図１】 この発明によるマイクロストリップアレーア
ンテナの実施の形態１を示す概略構成図である。
ンテナの実施の形態１を示す概略構成図である。
【図２】 １／４波長側結合形方向性結合器とオープン
スタブとで構成した電力合成・分配回路を示す図であ
る。
スタブとで構成した電力合成・分配回路を示す図であ
る。
【図３】 この発明によるマイクロストリップアレーア
ンテナの実施の形態２を示す概略構成図である。
ンテナの実施の形態２を示す概略構成図である。
【図４】 この発明によるマイクロストリップアレーア
ンテナの実施の形態３を示す概略構成図である。
ンテナの実施の形態３を示す概略構成図である。
【図５】 従来のマイクロストリップアレーアンテナを
示す概略構成図である。
示す概略構成図である。
【図６】 Ｔ分岐線路を示す図である。
１ 地導体、２ 誘電体基板、３ 放射素子、４ マイ
クロストリップアンテナ、５ ストリップ導体、６ マ
イクロストリップ線路、７ Ｔ分岐線路、８給電点、９
入力端子、１０ 強分配側出力端子、１１ 弱分配側
出力端子、１２ １／４波長線路、１３ １／４波長側
結合形方向性結合器、１４ 抵抗膜、１５ オープンス
タブ、１６ アイソレーション端子、１７ 電極、１８
保護コート。
クロストリップアンテナ、５ ストリップ導体、６ マ
イクロストリップ線路、７ Ｔ分岐線路、８給電点、９
入力端子、１０ 強分配側出力端子、１１ 弱分配側
出力端子、１２ １／４波長線路、１３ １／４波長側
結合形方向性結合器、１４ 抵抗膜、１５ オープンス
タブ、１６ アイソレーション端子、１７ 電極、１８
保護コート。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 古屋 輝雄 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三菱電機株式会社内 (56)参考文献 特開 平３−297207（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01Q 21/06 H01P 5/12 H01P 5/18 H01Q 13/08
Claims (7)
- 【請求項１】 地導体と、上記地導体上に設けた誘電体
基板と、上記誘電体基板上に設けたストリップ導体によ
る複数のマイクロストリップ線路と、上記マイクロスト
リップ線路と同一平面上に配置されかつ上記マイクロス
トリップ線路と接続されることにより給電される複数個
の放射導体とを備えたマイクロストリップアレーアンテ
ナにおいて、上記それぞれの放射導体に接続される上記
それぞれのマイクロストリップ線路に対して、互いにほ
ぼ１／４波長となる所定の線路長にわたり他の上記マイ
クロストリップ線路を所定の間隔に近接させ、この互い
に近接したマイクロストリップ線路のアイソレーション
端子に無反射終端手段を接続して成る１／４波長側結合
形方向性結合器を具備したことを特徴とするマイクロス
トリップアレーアンテナ。 - 【請求項２】 上記無反射終端手段は、抵抗膜を接合し
て成ることを特徴とした請求項１記載のマイクロストリ
ップアレーアンテナ。 - 【請求項３】 上記無反射終端手段は、互いに離間した
銅箔から成る上記マイクロストリップ線路の一端に銀を
有した電極を接合し、この電極間をポリマー膜厚抵抗で
接続して成ることを特徴とした請求項１記載のマイクロ
ストリップアレーアンテナ。 - 【請求項４】 地導体と、上記地導体上に設けた誘電体
基板と、上記誘電体基板上に設けたストリップ導体によ
る複数のマイクロストリップ線路と、上記マイクロスト
リップ線路と同一平面上に配置されかつ上記マイクロス
トリップ線路と接続されたことにより給電される複数個
の放射導体とによりマイクロストリップアンテナを構成
し、上記複数個のマイクロストリップアンテナを平面上
に配置したことでアレーアンテナを構成したマイクロス
トリップアレーアンテナにおいて、上記複数個の放射素
子をそれぞれ所定の励振振幅・位相で励振するための給
電回路を上記マイクロストリップ線路を用いて上記放射
素子と同一平面上に構成し、上記給電回路を構成する電
力合成・分配回路を２本の上記マイクロストリップ線路
をほぼ１／４波長側結合性方向性結合器により構成し、
更に上記１／４波長側結合形方向性結合器のアイソレー
ション端子に抵抗膜を用いた無反射終端手段を具備した
ことを特徴とするマイクロストリップアレーアンテナ。 - 【請求項５】 上記給電回路を構成する電力合成・分配
回路の幾つかは抵抗膜を用いないT分岐線路または３分
配回路等を用いて構成し、その他の電力合成・分配回路
は上記抵抗膜を用いた無反射終端手段を具備した上記１
／４波長側結合形方向性結合器により構成したことを特
徴とする請求項４に記載のマイクロストリップアレーア
ンテナ。 - 【請求項６】 上記放射素子を配列した平面内に設けた
任意の直交する２軸に対して、その一方の軸方向に沿っ
て配列された上記放射素子群間の電力分配を行う箇所に
設ける電力分配・合成回路は、抵抗膜を用いないT分岐
線路または３分配回路等を用いて構成し、もう一方の軸
方向に沿って配列された上記放射素子群間の電力分配を
行う箇所に設ける電力分配・合成回路は、上記抵抗膜を
用いた無反射終端手段を具備した上記１／４波長側結合
形方向性結合器により構成したことを特徴とする請求項
４に記載のマイクロストリップアレーアンテナ。 - 【請求項７】 地導体と、上記地導体上に設けた誘電体
基板と、上記誘電体基板上に設けたストリップ導体によ
る複数のマイクロストリップ線路と、上記マイクロスト
リップ線路と同一平面上に配置されかつ上記マイクロス
トリップ線路と接続されることにより給電される複数個
の放射導体とを備えたマイクロストリップアレーアンテ
ナにおいて、上記複数のマイクロストリップ線路は電力
分配・合成回路を形成し、この線路の分岐点における電
力分配比の大きなところを１／４波長側結合形方向性結
合器で接続し、この線路の分岐点における電力分配比の
小さなところをT分岐線路で接続して成ることを特徴と
したマイクロストリップアレーアンテナ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26922898A JP3279268B2 (ja) | 1998-09-24 | 1998-09-24 | マイクロストリップアレーアンテナ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26922898A JP3279268B2 (ja) | 1998-09-24 | 1998-09-24 | マイクロストリップアレーアンテナ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000101341A JP2000101341A (ja) | 2000-04-07 |
| JP3279268B2 true JP3279268B2 (ja) | 2002-04-30 |
Family
ID=17469455
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26922898A Expired - Lifetime JP3279268B2 (ja) | 1998-09-24 | 1998-09-24 | マイクロストリップアレーアンテナ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3279268B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20150086604A (ko) * | 2014-01-20 | 2015-07-29 | 엘지이노텍 주식회사 | 레이더 시스템의 안테나 장치 |
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|---|---|---|---|---|
| JP3600181B2 (ja) * | 2001-03-09 | 2004-12-08 | 株式会社日立国際電気 | Ｉｔｓ用基地局アンテナ装置及びアンテナの形成方法 |
| JP2004056204A (ja) * | 2002-07-16 | 2004-02-19 | Alps Electric Co Ltd | パッチアンテナ |
| JP4691048B2 (ja) * | 2007-01-11 | 2011-06-01 | 株式会社日立プラントテクノロジー | 物品管理システム |
| CN102934531A (zh) | 2010-06-04 | 2013-02-13 | 古河电气工业株式会社 | 印刷电路基板、天线、无线通信装置及其制造方法 |
| JP5729184B2 (ja) * | 2011-07-11 | 2015-06-03 | 住友電気工業株式会社 | 放送用アンテナシステム |
| JP5697052B2 (ja) | 2012-11-23 | 2015-04-08 | 古河電気工業株式会社 | アレーアンテナ装置 |
| KR101881308B1 (ko) * | 2018-04-13 | 2018-07-24 | 한화시스템(주) | 피아식별장치 안테나용 전력분배기 |
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1998
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