JP3276506B2 - Method for manufacturing semiconductor device - Google Patents

Method for manufacturing semiconductor device

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JP3276506B2
JP3276506B2 JP7164394A JP7164394A JP3276506B2 JP 3276506 B2 JP3276506 B2 JP 3276506B2 JP 7164394 A JP7164394 A JP 7164394A JP 7164394 A JP7164394 A JP 7164394A JP 3276506 B2 JP3276506 B2 JP 3276506B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造技
術、特に、ウエハ固定シートが貼着された半導体ウエハ
を複数の半導体ペレット(以下、ペレットという。)に
分割するブレーキング技術に関し、例えば、半導体装置
の製造工程において、半導体ウエハを複数のペレットに
分割するのに利用して有効な技術に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to a semiconductor device manufacturing technique.
In particular, the present invention relates to a breaking technique for dividing a semiconductor wafer to which a wafer fixing sheet is attached into a plurality of semiconductor pellets (hereinafter, referred to as pellets). For example, in a semiconductor device manufacturing process, a semiconductor wafer is divided into a plurality of pellets. It relates to technology that is effective to use for dividing.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体装置の製造工程は、半導体ウエハ
の表面(上面)に半導体集積回路や光半導体回路等が作
り込まれる前工程と、半導体ウエハが各ペレット毎に分
割されてリードフレーム等に組み付けられペレットに電
気的接続が行われて樹脂封止等が行われる後工程と、に
大別される。一般に、前記半導体装置の製造工程におけ
る後工程において、半導体ウエハを各ペレット毎に分割
する分割工程は、次のような作業によって実施される。
2. Description of the Related Art The manufacturing process of a semiconductor device includes a pre-process in which a semiconductor integrated circuit and an optical semiconductor circuit are formed on the surface (upper surface) of a semiconductor wafer, and a process in which the semiconductor wafer is divided into pellets to form a lead frame. It is roughly divided into a post-process in which the assembled pellets are electrically connected to each other to perform resin sealing and the like. Generally, in a post-process of the semiconductor device manufacturing process, a dividing process of dividing a semiconductor wafer into individual pellets is performed by the following operation.

【0003】まず、分割された各ペレットが離散しない
ようにするために、半導体ウエハの裏面(下面)に合成
樹脂製のウエハ固定シートが貼着される。次に、この半
導体ウエハの表面における各ペレット間の分割ライン上
に、次のようにして切り欠きが形成される。ダイヤモン
ドブレードを用い、次の、あるいはの方法で切り
欠きを形成する。 半導体ウエハの厚さの半分程度まで切り込みを入れ
るハーフダイシング方法。 半導体ウエハの厚さ方向に若干切り残すセミフルダ
イシング方法。 完全に切断分離するフルダイシング方法。
First, a wafer fixing sheet made of synthetic resin is attached to the back surface (lower surface) of a semiconductor wafer in order to prevent the divided pellets from being separated. Next, a notch is formed on the division line between the pellets on the surface of the semiconductor wafer as follows. Using a diamond blade, a notch is formed by the following or another method. A half dicing method in which a cut is made to about half the thickness of a semiconductor wafer. A semi-full dicing method that leaves a slight cut in the thickness direction of the semiconductor wafer. Full dicing method that cuts and separates completely.

【0004】または、ダイヤモンド工具を用い、次の方
法で切り欠きを形成する。 半導体ウエハ表面に比較的浅い切り欠きを直線状に
付加するスクライブ方法。
Alternatively, a notch is formed by the following method using a diamond tool. A scribing method in which a relatively shallow notch is linearly added to a semiconductor wafer surface.

【0005】上記方法において、フルダイシング方法は
ブレーキング工程を必要としない。しかし、この方法は
他に比べて切削時間が長いという欠点があり、依然他の
方法が多用されているのが実状である。
In the above method, the full dicing method does not require a breaking step. However, this method has a disadvantage that the cutting time is longer than other methods, and in fact, other methods are still frequently used.

【0006】次に、上記方法で半導体ウエハの表面に付
加された切り欠きを起点として、半導体ウエハのペレッ
ト間を結晶軸方向に劈開させ、各ペレット毎に分離する
ブレーキング作業が実施される。
Next, starting from the notch added to the surface of the semiconductor wafer by the above-described method, a breaking operation is performed in which the space between the pellets of the semiconductor wafer is cleaved in the crystal axis direction and separated for each pellet.

【0007】従来、このブレーキング作業は適当な硬度
を有するステージ上に半導体ウエハを切り欠きを付加し
た面を下にして載せ、半導体ウエハの裏面方向からゴム
等の材質からなるローラを押し付け、適当な圧力を加え
ながら擦るようにして行われている。
Conventionally, in this braking operation, a semiconductor wafer is placed on a stage having an appropriate hardness with its cutout side down, and a roller made of a material such as rubber is pressed from the back side of the semiconductor wafer. This is done by rubbing while applying a great pressure.

【0008】なお、この種のブレーキング方法を述べて
ある例としては、特公平2−59636号公報、特公平
2−60076号公報、がある。
[0008] Japanese Patent Publication No. 2-59636 and Japanese Patent Publication No. 2-60076 describe examples of this type of braking method.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ブレーキング方法においては、次のような問題点が生じ
ることが本発明者によって明らかにされた。
However, the inventors have found that the following problems occur in the conventional braking method.

【0010】 半導体ウエハをブレーキングするステ
ージと、電子回路等が形成された半導体ウエハの表面と
は面接触しているため、ブレーキング作業時に半導体ウ
エハの表面に傷が発生することがある。また、劈開時
に、半導体ウエハから発生する導電性の屑が半導体ウエ
ハの表面に付着する。
[0010] Since the stage for breaking the semiconductor wafer is in surface contact with the surface of the semiconductor wafer on which electronic circuits and the like are formed, the surface of the semiconductor wafer may be damaged during the braking operation. Further, at the time of cleavage, conductive debris generated from the semiconductor wafer adheres to the surface of the semiconductor wafer.

【0011】 従来、上記の問題点を解決するため
に、半導体ウエハをブレーキングするステージと、半導
体ウエハ表面との間にシート状の保護テープを介在させ
る必要があった。この保護テープは作業性および経済性
の観点から省略することが望ましい。
Conventionally, in order to solve the above problems, it has been necessary to interpose a sheet-shaped protective tape between a stage for breaking a semiconductor wafer and the surface of the semiconductor wafer. It is desirable to omit this protective tape from the viewpoint of workability and economy.

【0012】 半導体ウエハを裏返して半導体ウエハ
の裏面方向からローラを押し付け劈開する際、半導体ウ
エハ表面の切り欠き方向とローラがけする方向とが直角
になるように合わせる必要がある。しかし、半導体ウエ
ハの切り欠きが見えないために、ローラがけ方向を正確
に合わせることが困難である。
When the semiconductor wafer is turned upside down and pressed against the roller from the back side of the semiconductor wafer to cleave the semiconductor wafer, it is necessary to align the notch direction on the surface of the semiconductor wafer with the direction in which the roller is cut at a right angle. However, since the notch of the semiconductor wafer cannot be seen, it is difficult to accurately match the roller running direction.

【0013】 ローラにより劈開する方法では、真に
力を加えるべき切り欠き部に対し力が効率的に伝わらな
いため、無理な力を加えることによってペレットに損傷
を与えるおそれがある。
In the method of cleaving with a roller, the force is not efficiently transmitted to the notch to which a true force is to be applied, so that the pellet may be damaged by applying an excessive force.

【0014】 上記の傾向は、ペレット寸法が小さ
くなるほど、ローラが複数のペレットにわたって押し付
けられるようになるため、顕著に現れ、場合によっては
割れ残りが生じる。これを完全に分割するため、さらに
ローラがけを継続すると、既に割れたペレット同志が接
触し、チッピングや割れ欠け等の損傷が多発する傾向に
ある。
[0014] The above tendency is remarkable because the roller is pressed over a plurality of pellets as the pellet size decreases, and in some cases, cracks remain. If rollering is continued to completely divide the pellets, the already broken pellets come into contact with each other, and the damage such as chipping and cracking tends to occur frequently.

【0015】 ダイシングまたはスクライブによる切
り欠きは、通常、半導体ウエハの表面に格子状に付加さ
れており、ローラにより一方向の劈開を行った後、作業
者は、ウエハを正確に90°回転させて、もう一方向の
劈開を行う必要がある。しかし、この位置合わせミスに
よる歩留り低下も少なく無かった。
The notch due to dicing or scribing is usually added in a lattice shape to the surface of the semiconductor wafer, and after performing cleavage in one direction by a roller, an operator turns the wafer exactly 90 ° to perform cleavage. It is necessary to cleave in another direction. However, there was no small decrease in yield due to the misalignment.

【0016】本発明の目的は、ペレットに損傷を与えず
に正確かつ作業性および経済性よくブレーキングするこ
とにある。
An object of the present invention is the accuracy and workability and economical efficiency brake down Holdings Rukoto without damaging the pellets.

【0017】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of the present specification and the accompanying drawings.

【0018】[0018]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、次の通り
である。
The outline of a typical invention among the inventions disclosed in the present application is as follows.

【0019】すなわち、半導体ウエハの表面に形成され
ペレット間の分割ライン上に沿って切り欠きを形成す
る工程と、前記半導体ウエハの裏面に貼着されたウエハ
固定シートによって前記半導体ウエハを保持する工程
と、前記半導体ウエハを劈開する箇所の周辺の前記ウエ
ハ固定シートを真空吸着する工程と、前記ウエハ固定シ
ートを介して前記半導体ウエハの前記切り欠き位置に対
応した裏面を突き上げ部材によって突き上げて前記半導
体ウエハを劈開する工程と、を有することを特徴とす
That is, it is formed on the surface of the semiconductor wafer.
To form a notch along on the division line between the pellets
And holding the semiconductor wafer by a wafer fixing sheet attached to the back surface of the semiconductor wafer
And the wafer around a location where the semiconductor wafer is cleaved.
(C) vacuum-adsorbing the fixing sheet;
To the notch position of the semiconductor wafer
The corresponding back surface is pushed up by a push-up member to
Cleaving the body wafer.
You .

【0020】[0020]

【作用】前記した手段によれば、半導体ウエハに貼着し
たウエハ固定シートの周辺部を真空吸着して半導体ウエ
ハを固定するため、ウエハを固定するステージを省略す
ることができる。その結果、半導体ウエハの表面が従来
のようにステージに面接触されることがなくなるため、
半導体表面への擦り傷や導電性異物の付着を防止するこ
とができ、かつ、従来使用されている保護テープは使用
せずに済む。
According to the above-mentioned means, since the semiconductor wafer is fixed by vacuum-adsorbing the peripheral portion of the wafer fixing sheet attached to the semiconductor wafer, the stage for fixing the wafer can be omitted. As a result, the surface of the semiconductor wafer does not come into surface contact with the stage as in the related art,
Scratches and adhesion of conductive foreign matter to the semiconductor surface can be prevented, and a conventionally used protective tape can be omitted.

【0021】半導体ウエハの表面に付加された切り欠き
位置を検出し、半導体ウエハを劈開させる突き上げ手段
の突き上げ部材の位置を、切り欠き位置に正確に位置合
わせすることにより、半導体ウエハの無用な位置に余分
な力を加えることなく、正確に劈開することができる。
The unnecessary position of the semiconductor wafer is detected by detecting the notch position added to the surface of the semiconductor wafer and accurately aligning the position of the push-up member of the push-up means for cleaving the semiconductor wafer with the notch position. It is possible to cleave accurately without applying extra force to the substrate.

【0022】[0022]

【実施例】図1は本発明の一実施例である半導体装置の
製造方法に使用される半導体ウエハのブレーキング装置
を示し、(a)は平面図、(b)は(a)のb−b線断
面図である。図2はブレーキング時の拡大部分図であ
る。
FIG. 1 shows a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
3A and 3B illustrate a semiconductor wafer breaking device used in the manufacturing method, wherein FIG. 3A is a plan view and FIG. 3B is a cross-sectional view taken along line bb of FIG. FIG. 2 is an enlarged partial view at the time of braking.

【0023】半導体ウエハは前工程において次のような
作業によって製造される。まず、半導体ウエハ30(図
1(a)において、半導体ウエハは上半分のみが表示さ
れている。)は略円板形状に形成され、各ペレット31
毎に、トランジスタやダイオード、半導体集積回路、光
半導体回路等が作り込まれる。
The semiconductor wafer is manufactured in the preceding process by the following operation. First, the semiconductor wafer 30 (only the upper half of the semiconductor wafer is shown in FIG. 1A) is formed in a substantially disk shape, and each pellet 31 is formed.
Each time, a transistor, a diode, a semiconductor integrated circuit, an optical semiconductor circuit, or the like is manufactured.

【0024】次に、半導体ウエハ30にはウエハ固定シ
ート32が裏面に貼着される。ウエハ固定シート32は
合成樹脂等のような伸縮性を有する材料を用いられて、
半導体ウエハ30よりも大径の円形薄膜形状に形成され
ており、片側表面に適当な接着剤が塗布されている。シ
ート基材としては、例えば、塩化ビニールシートやポリ
エステルシート等が一般に使用されている。
Next, a wafer fixing sheet 32 is attached to the back surface of the semiconductor wafer 30. The wafer fixing sheet 32 is made of a material having elasticity such as a synthetic resin.
It is formed in a circular thin film shape larger in diameter than the semiconductor wafer 30, and an appropriate adhesive is applied to one surface. As the sheet base material, for example, a vinyl chloride sheet, a polyester sheet and the like are generally used.

【0025】続いて、ダイシングあるいはスクライブ等
の方法が使用されて、半導体ウエハ30の表面の各ペレ
ット31間の分割ライン上に切り欠き33が形成され
る。本実施例においては、切り欠き33の深さは半導体
ウエハ30の厚さの略半分に設定されている。
Subsequently, a notch 33 is formed on the dividing line between the pellets 31 on the surface of the semiconductor wafer 30 by using a method such as dicing or scribing. In the present embodiment, the depth of the notch 33 is set to approximately half the thickness of the semiconductor wafer 30.

【0026】次に、上記半導体ウエハ30をブレーキン
グする装置を説明する。ブレーキング装置はウエハ保持
ユニット1を備えており、ユニット本体2は環状の円盤
部材で構成されている。ユニット本体2には真空吸着用
の孔3が円周方向に等間隔をおいて複数個、肉厚方向に
貫通するように開設されており、これらの孔3は真空源
4に接続されている。また、ユニット本体2の下面には
吸着パッド5が環状に埋設固定されており、この吸着パ
ッド5を介して、半導体ウエハ30の周辺のウエハ固定
シート32部分が真空吸着されるように構成されてい
る。なお、ウエハ保持ユニット1は適当な回転支持装置
(図示せず)により90°回転可能なように支持されて
いる。
Next, an apparatus for breaking the semiconductor wafer 30 will be described. The breaking device includes a wafer holding unit 1, and the unit main body 2 is formed of an annular disk member. A plurality of vacuum suction holes 3 are formed in the unit body 2 at equal intervals in the circumferential direction so as to penetrate in the thickness direction, and these holes 3 are connected to a vacuum source 4. . A suction pad 5 is annularly buried and fixed on the lower surface of the unit main body 2, and a portion of the wafer fixing sheet 32 around the semiconductor wafer 30 is vacuum-sucked through the suction pad 5. I have. The wafer holding unit 1 is supported by a suitable rotation support device (not shown) so as to be rotatable by 90 °.

【0027】ウエハ保持ユニット1内の上方位置には、
光反射形センサ6が設置されている。センサ6は一定間
隔を保って2個、設けられており、半導体ウエハ30の
表面に一直線上に形成されている切り欠き33を検出す
るように構成されている。なお、これらのセンサ6は平
行移動するように構成されている。
At an upper position in the wafer holding unit 1,
A light reflection type sensor 6 is provided. The two sensors 6 are provided at regular intervals, and are configured to detect a notch 33 formed in a straight line on the surface of the semiconductor wafer 30. Note that these sensors 6 are configured to move in parallel.

【0028】ウエハ保持ユニット1内の下方位置には突
き上げユニット7が設けられており、突き上げユニット
7は突き上げ部材8を有している。この突き上げ部材8
は本体8aと、この本体8aに垂直に支持されている突
き上げ板体8bとを備えている。突き上げ板体8bの上
端の先端部は長手方向の全長にわたって幅方向断面がV
字形の尖った形状に形成されており、その峰部の長さは
半導体ウエハ30の切り欠き33の長さよりも若干長い
長さに設定されている。突き上げ部材8は突き上げ板体
8bの峰部が、上記2つのセンサ6の光軸の中心を結ん
だ線に平行になるように予め調整されている。
A push-up unit 7 is provided below the wafer holding unit 1, and the push-up unit 7 has a push-up member 8. This push-up member 8
Has a main body 8a and a push-up plate 8b vertically supported by the main body 8a. The tip of the upper end of the push-up plate 8b has a V-shaped cross section over the entire length in the longitudinal direction.
It is formed in a pointed shape having a character shape, and the length of the peak is set to be slightly longer than the length of the notch 33 of the semiconductor wafer 30. The push-up member 8 is adjusted in advance so that the peak of the push-up plate 8 b is parallel to a line connecting the centers of the optical axes of the two sensors 6.

【0029】突き上げ部材8の周囲は四角い筒状のガイ
ド体9によって閉じられており、突き上げ部材8はガイ
ド体9にガイドされながら適当な手段(図示せず)によ
って上下動可能に構成されている。ガイド体9の側壁に
は真空吸引孔11が開設されており、この孔11はウエ
ハ保持ユニット1に接続されている真空源4とは別の独
立した真空源10に接続されている。したがって、ガイ
ド体9内に吸引孔11を介して真空源10によって真空
状態にされるように構成されている。ガイド体9の上面
には吸着パッド12が環状に埋設固定されており、この
吸着パッド12を介して、突き上げ部材8の周囲におけ
る半導体ウエハ30のウエハ固定シート32部分が真空
吸着されるように構成されている。突き上げ部材8によ
るブレーキング時、半導体ウエハ30の劈開しようとす
る切り欠き33の周辺が吸着されて保持されることが好
ましく、本実施例においては、ガイド体9の幅はペレッ
ト31の2倍程度に形成されており、長さは半導体ウエ
ハ30の外径寸法よりも若干長めに形成されている。
The periphery of the push-up member 8 is closed by a rectangular tubular guide body 9, and the push-up member 8 is configured to be vertically movable by appropriate means (not shown) while being guided by the guide body 9. . A vacuum suction hole 11 is formed in the side wall of the guide body 9, and this hole 11 is connected to a vacuum source 10 independent of the vacuum source 4 connected to the wafer holding unit 1. Accordingly, the guide body 9 is configured to be evacuated by the vacuum source 10 through the suction hole 11. A suction pad 12 is annularly embedded and fixed on the upper surface of the guide body 9, and a portion of the wafer fixing sheet 32 of the semiconductor wafer 30 around the push-up member 8 is vacuum-sucked through the suction pad 12. Have been. At the time of breaking by the push-up member 8, it is preferable that the periphery of the notch 33 to be cleaved of the semiconductor wafer 30 is sucked and held, and in this embodiment, the width of the guide body 9 is about twice the width of the pellet 31. The length is formed slightly longer than the outer diameter of the semiconductor wafer 30.

【0030】突き上げユニット7は移動テーブル13上
に搭載されており、この移動テーブル13によって突き
上げ板体8bの幅方向に直線上を移動し得るように構成
されている。そして、突き上げユニット7は光反射形セ
ンサ6の検出信号に基づいて半導体ウエハ30の切り欠
き33の位置との位置ずれをフィードバック制御手段に
より補正され、突き上げ部材8の突き上げ板体8bの先
端部が半導体ウエハ30の切り欠き33の直下位置に配
置するように移動テーブル13が動かされるように構成
されている。
The push-up unit 7 is mounted on a movable table 13, and is configured to be able to move on the straight line in the width direction of the push-up plate 8b by the movable table 13. Then, the push-up unit 7 corrects the positional deviation from the position of the notch 33 of the semiconductor wafer 30 based on the detection signal of the light reflection type sensor 6 by feedback control means, and the tip of the push-up plate 8 b of the push-up member 8 is moved. The moving table 13 is configured to be moved so as to be disposed immediately below the notch 33 of the semiconductor wafer 30.

【0031】次に、前記構成に係る半導体ウエハのブレ
ーキング装置が使用されて、前記のように製造されたワ
ークとしての半導体ウエハ30を個々のペレット31に
分割する本発明の一実施例である半導体装置の製造方法
における半導体ウエハのブレーキング方法について説明
する。
Next, an embodiment of the present invention will be described in which the semiconductor wafer braking device having the above-described configuration is used to divide the semiconductor wafer 30 as a work manufactured as described above into individual pellets 31. Method for manufacturing semiconductor device
The method of breaking the semiconductor wafer in the above will be described.

【0032】まず、半導体ウエハ30が切り欠き33が
上側になるようにしてウエハ保持ユニット1の下面に配
され、半導体ウエハ30の周辺のウエハ固定シート32
部分が吸着パッド5を介してウエハ保持ユニット1の下
面に真空吸着される。
First, the semiconductor wafer 30 is disposed on the lower surface of the wafer holding unit 1 with the notch 33 facing upward, and the wafer fixing sheet 32 around the semiconductor wafer 30 is provided.
The portion is vacuum-sucked to the lower surface of the wafer holding unit 1 via the suction pad 5.

【0033】次に、一対の光反射形センサ6のいずれも
が半導体ウエハ30の切り欠き33を検出するように配
置される。続いて、両センサ6の検出に基づいてウエハ
保持ユニット1が回転され、θアライメントが実施され
る。このとき、突き上げ部材8の突き上げ板体8bの先
端部が半導体ウエハ30の切り欠き33の直下位置に配
置するように、突き上げユニット7を搭載した移動テー
ブル13が光反射形センサ6の出力に基づいて移動され
て位置合わせされる。
Next, each of the pair of light reflection type sensors 6 is arranged so as to detect the notch 33 of the semiconductor wafer 30. Subsequently, the wafer holding unit 1 is rotated based on the detection of both sensors 6, and the θ alignment is performed. At this time, the moving table 13 on which the push-up unit 7 is mounted is controlled based on the output of the light reflection type sensor 6 so that the tip of the push-up plate 8b of the push-up member 8 is located immediately below the notch 33 of the semiconductor wafer 30. To be moved and aligned.

【0034】この位置合わせ状態で、半導体ウエハ30
の劈開しようとする切り欠き33の周辺に相当するウエ
ハ固定シート32の部分が、突き上げユニット7のガイ
ド体9の上面の吸着パッド12を介して突き上げユニッ
ト7に真空吸着される。
In this alignment state, the semiconductor wafer 30
A portion of the wafer fixing sheet 32 corresponding to the periphery of the notch 33 to be cleaved is vacuum-sucked to the push-up unit 7 via the suction pad 12 on the upper surface of the guide body 9 of the push-up unit 7.

【0035】そして、図2に示されているように、突き
上げユニット7の突き上げ部材8が上昇され、突き上げ
板体8bの先端部が半導体ウエハ30の裏面から半導体
ウエハ30の切り欠き33部分を突き上げる。このと
き、突き上げ板体8bの先端部は半導体ウエハ30の厚
さの半分程度まで上昇される。この突き上げ部材8の突
き上げによって、半導体ウエハ30は切り欠き33位置
を起点として劈開される。
Then, as shown in FIG. 2, the push-up member 8 of the push-up unit 7 is raised, and the tip of the push-up plate 8b pushes up the notch 33 of the semiconductor wafer 30 from the back surface of the semiconductor wafer 30. . At this time, the tip of the push-up plate 8b is raised to about half the thickness of the semiconductor wafer 30. By pushing up the push-up member 8, the semiconductor wafer 30 is cleaved from the position of the notch 33 as a starting point.

【0036】ちなみに、突き上げ部材8の突き上げ量が
過多であると、劈開されたペレット31が隣のペレット
に接衝することにより、チッピングを発生する。また、
突き上げ量が不足すると、劈開しない。半導体ウエハが
突き上げられる際に、突き上げられる領域が突き上げユ
ニット7に真空吸着されることにより、突き上げられる
半導体ウエハ30と、突き上げ部材8との関係が各突き
上げ作動間で常に一定に維持されているため、常に定量
制御を確保することができる。
If the pushing-up amount of the pushing-up member 8 is excessive, the cleaved pellet 31 comes into contact with an adjacent pellet, thereby causing chipping. Also,
If the amount of thrust is insufficient, it will not be cleaved. When the semiconductor wafer is pushed up, the area to be pushed up is vacuum-sucked to the push-up unit 7, so that the relationship between the semiconductor wafer 30 to be pushed up and the push-up member 8 is always kept constant between each push-up operation. , Quantitative control can always be ensured.

【0037】次に、突き上げ部材8は下降され、突き上
げユニット7による真空吸着が解除された後、突き上げ
ユニット7は次列の切り欠き位置に移動される。この
際、突き上げユニット7は突き上げ部材8が次列の切り
欠き33の直下位置に配置されるように、光反射形セン
サ6による切り欠き33位置の検出によって移動され
る。そして、前記動作が繰り返されることにより、切り
欠き33位置を起点として半導体ウエハ30は劈開され
る。
Next, the push-up member 8 is lowered, and after the vacuum suction by the push-up unit 7 is released, the push-up unit 7 is moved to the cutout position in the next row. At this time, the push-up unit 7 is moved by detecting the position of the notch 33 by the light reflection type sensor 6 so that the push-up member 8 is disposed immediately below the notch 33 in the next row. By repeating the above operation, the semiconductor wafer 30 is cleaved from the position of the notch 33 as a starting point.

【0038】同一方向の切り欠き33について全て劈開
された後、ウエハ保持ユニット1は90°回転され、も
う一方向の切り欠き33群について前記と同様に順次劈
開される。
After all of the notches 33 in the same direction are cleaved, the wafer holding unit 1 is rotated by 90 °, and the group of notches 33 in the other direction is sequentially cleaved in the same manner as described above.

【0039】以上のようにして、半導体ウエハ30は全
ての切り欠き33を起点として劈開され、個々のペレッ
ト31に分割される。
As described above, the semiconductor wafer 30 is cleaved starting from all the notches 33 and divided into individual pellets 31.

【0040】前記実施例によれば次の効果が得られる。 半導体ウエハに貼着されているウエハ固定シートを
半導体ウエハ周辺部において真空吸着することによっ
て、半導体ウエハを固定するステージを省略することが
できるため、半導体ウエハの表面がステージに面接触す
ることがなくなる。これによって、半導体ウエハの表面
への擦り傷や、導電性異物の付着を防止することができ
る。
According to the above embodiment, the following effects can be obtained. By vacuum-sucking the wafer fixing sheet attached to the semiconductor wafer in the peripheral portion of the semiconductor wafer, the stage for fixing the semiconductor wafer can be omitted, so that the surface of the semiconductor wafer does not come into surface contact with the stage. . This can prevent abrasion on the surface of the semiconductor wafer and adhesion of conductive foreign matter.

【0041】 また、従来使用されていた保護テープ
も省略することができるようになるため、作業性、経済
性を向上させることができる。
Further, since a conventionally used protective tape can be omitted, workability and economy can be improved.

【0042】 半導体ウエハの切り欠き位置を検出
し、この検出信号に基づいて突き上げ部材を半導体ウエ
ハの切り欠きの直下位置に配置するため、所望の切り欠
き位置の劈開を正確に行うことができ、余分な力をペレ
ットに加えることがない。そのため、ペレットの割れや
欠けを防止でき、歩留りを向上させることができる。
Since the notch position of the semiconductor wafer is detected, and the push-up member is arranged immediately below the notch of the semiconductor wafer based on the detection signal, cleavage at a desired notch position can be performed accurately. No extra force is applied to the pellet. Therefore, cracking or chipping of the pellet can be prevented, and the yield can be improved.

【0043】図3は本発明の別の実施例2を示す。本実
施例2が上記実施例1と相違している点は次の通りであ
り、他の点は実施例1と同じである。
FIG. 3 shows another embodiment 2 of the present invention. The second embodiment is different from the first embodiment as follows, and the other points are the same as the first embodiment.

【0044】突き上げユニット17はX−Y移動テーブ
ル23に搭載されており、半導体ウエハ30の直交する
各切り欠き33の方向に沿って移動し得るように構成さ
れている。また、突き上げユニット17の突き上げ部材
18は本体18aと、この本体18aに垂直に支持され
ている突き上げ針体18bとを備えており、突き上げ針
体18bの上端の先端部は尖っている。また、突き上げ
部材18の周囲のガイド体19は長円形の筒形状に形成
されている。このガイド体19の上面には吸着パッド2
2が環状に埋設固定されており、また、側壁には真空源
10に接続されている孔21が開設されている。
The push-up unit 17 is mounted on the XY moving table 23, and is configured to be able to move along the direction of each of the notches 33 orthogonal to the semiconductor wafer 30. The push-up member 18 of the push-up unit 17 includes a main body 18a and a push-up needle 18b vertically supported by the main body 18a, and the tip of the upper end of the push-up needle 18b is pointed. The guide body 19 around the push-up member 18 is formed in an oval cylindrical shape. The suction pad 2 is provided on the upper surface of the guide body 19.
2 is buried and fixed in a ring shape, and a hole 21 connected to the vacuum source 10 is opened in the side wall.

【0045】半導体ウエハ30が劈開される際には、光
反射形センサ6の出力に応じて突き上げユニット17が
移動され、半導体ウエハ30の一端に配置されている切
り欠き33の一端部の周辺に相当するウエハ固定シート
32の部分が、突き上げユニット17のガイド体19の
上面の吸着パッド22を介して突き上げユニット17に
真空吸着される。
When the semiconductor wafer 30 is cleaved, the push-up unit 17 is moved in accordance with the output of the light reflection type sensor 6 and is moved around one end of the notch 33 arranged at one end of the semiconductor wafer 30. The corresponding portion of the wafer fixing sheet 32 is vacuum-sucked to the push-up unit 17 via the suction pad 22 on the upper surface of the guide body 19 of the push-up unit 17.

【0046】そして、突き上げユニット17の突き上げ
部材18が上昇され、突き上げ針体18bの先端部が半
導体ウエハ30の裏面から半導体ウエハ30の切り欠き
33の一端部を局所的に突き上げる。このとき、突き上
げ針体18bの先端部は半導体ウエハ30の厚さの半分
程度まで上昇される。この状態から、突き上げユニット
17は半導体ウエハ30の切り欠き33に沿って移動さ
れ、突き上げユニット17の突き上げ針体18bが半導
体ウエハ30の裏面を擦りながら移動する。この突き上
げ針体18bの動作によって、半導体ウエハ30は切り
欠き33位置を起点として劈開される。
Then, the push-up member 18 of the push-up unit 17 is raised, and the tip of the push-up needle 18 b locally pushes up one end of the notch 33 of the semiconductor wafer 30 from the back surface of the semiconductor wafer 30. At this time, the tip of the push-up needle 18b is raised to about half the thickness of the semiconductor wafer 30. From this state, the push-up unit 17 is moved along the notch 33 of the semiconductor wafer 30, and the push-up needle 18 b of the push-up unit 17 moves while rubbing the back surface of the semiconductor wafer 30. By the operation of the push-up needle 18b, the semiconductor wafer 30 is cleaved starting from the position of the notch 33.

【0047】そして、突き上げユニット17が次列の切
り欠き33位置の一端部に移動され、上記と同様にし
て、切り欠き33位置を起点として半導体ウエハ30は
劈開される。
Then, the push-up unit 17 is moved to one end of the notch 33 in the next row, and the semiconductor wafer 30 is cleaved starting from the notch 33 in the same manner as described above.

【0048】同一方向の切り欠き33について全て劈開
された後、上記と同様にして、もう一方向の切り欠き3
3についても半導体ウエハ30は劈開される。
After all of the notches 33 in the same direction are cleaved, the notches 3 in the other direction are processed in the same manner as described above.
The semiconductor wafer 30 is also cleaved for No. 3.

【0049】以上のようにして、半導体ウエハ30は全
ての切り欠き33を起点として劈開され、個々のペレッ
1に分割される。
As described above, the semiconductor wafer 30 is cleaved starting from all the notches 33 and divided into individual pellets 31 .

【0050】上記実施例2では、突き上げ針体18bを
一旦、突き上げて、その状態で半導体ウエハ30の裏面
を擦りながら切り欠き33に沿って移動させることによ
り半導体ウエハ30を劈開させるように操作したが、突
き上げ針体18bが切り欠き33部分を間隔をおいて複
数箇所、突き上げるように操作してもよい。
In the second embodiment, the push-up needle 18b is once pushed up and moved along the notch 33 while rubbing the back surface of the semiconductor wafer 30 in this state, so that the semiconductor wafer 30 is cleaved. However, the push-up needle 18b may be operated so as to push up a plurality of portions of the notch 33 at intervals.

【0051】図4は本発明のさらに別の実施例3を示
す。本実施例3は上記実施例1の構成から、ガイド体を
省略した例である。本例はペレット31の大きさが比較
的大きな場合に使用することができる。つまり、ペレッ
ト31が大きい場合には、突き上げ部材8の突き上げに
伴ってウエハ固定シート32の可撓性により半導体ウエ
ハ30が上方に若干逃げても切り欠き33を起点とする
モーメント力は大きく作用するため、半導体ウエハ30
は充分に劈開することができる。したがって、大きいペ
レットをブレーキングする場合には、突き上げユニット
7におけるガイド体9を省略することができる。
FIG. 4 shows still another embodiment 3 of the present invention. The third embodiment is an example in which the guide body is omitted from the configuration of the first embodiment. This example can be used when the size of the pellet 31 is relatively large. That is, when the pellet 31 is large, even if the semiconductor wafer 30 slightly escapes upward due to the flexibility of the wafer fixing sheet 32 as the pushing-up member 8 is pushed up, the moment force starting from the notch 33 acts greatly. Therefore, the semiconductor wafer 30
Can be cleaved sufficiently. Therefore, when breaking a large pellet, the guide body 9 in the push-up unit 7 can be omitted.

【0052】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない。
Although the invention made by the present inventors has been specifically described based on the embodiments, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made without departing from the gist of the invention. Needless to say.

【0053】例えば、突き上げ板体8bの先端は幅方向
になめらかな円弧状に形成してもよいし、突き上げ針体
18bの先端はなめらかな球面状に形成してもよい。
For example, the tip of the push-up plate 8b may be formed in a smooth circular arc shape in the width direction, or the tip of the push-up needle 18b may be formed in a smooth spherical shape.

【0054】切り欠き33を検出する手段としては、光
反射形センサに代えて、画像認識装置等の非接触形の位
置検出手段を使用することもできる。
As means for detecting the notch 33, a non-contact type position detecting means such as an image recognition device may be used instead of the light reflection type sensor.

【0055】また、上記実施例では、突き上げユニット
7、17をウエハ保持ユニット1に対して移動するよう
に構成したが、突き上げユニット7、17に対してウエ
ハ保持ユニット1を移動するように構成することもでき
る。
In the above embodiment, the push-up units 7 and 17 are configured to move with respect to the wafer holding unit 1, but the wafer holding unit 1 is configured to move with respect to the push-up units 7 and 17. You can also.

【0056】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野である円形の
半導体ウエハを縦横に分割する場合について説明した
が、本発明は特に小信号トランジスタ等の1mm以下の
ペレットが形成されている半導体ウエハの分割に利用し
て有効である。
In the above description, the invention made by the present inventor has been mainly described with respect to the case where a circular semiconductor wafer is divided vertically and horizontally, which is the field of application as the background. It is effective to use for dividing a semiconductor wafer on which the following pellets are formed.

【0057】[0057]

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次
の通りである。
The effects obtained by typical aspects of the invention disclosed in the present application will be briefly described as follows.

【0058】導体ウエハの表面が非接触の状態で保持
されるため、半導体ウエハの表面への擦り傷や、導電性
異物の付着を防止することができるとともに、従来使用
されていた保護テープを省略することができて作業性お
よび経済性を向上できる。また、半導体ウエハの切り欠
き位置に適正なブレーキング圧力を作用させることがで
きるため、半導体ウエハを各ペレット毎に良好に分割す
ることができる。
[0058] Since the surface of the semi-conductor wafer is held in a non-contact state, abrasions and to the surface of the semiconductor wafer, along with the deposition of the conductive foreign matter can be prevented, omit the protective tape which is conventionally used Can improve workability and economic efficiency. In addition, since an appropriate braking pressure can be applied to the cutout position of the semiconductor wafer, the semiconductor wafer can be divided well for each pellet.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施例である半導体装置の製造方法
に使用される半導体ウエハのブレーキング装置を示し、
(a)は平面図、(b)は(a)のb−b線断面図であ
る。
FIG. 1 is a method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention;
Shows a semiconductor wafer braking device used for
(A) is a top view, (b) is a bb line sectional view of (a).

【図2】ブレーキング時の拡大部分図である。FIG. 2 is an enlarged partial view at the time of braking.

【図3】本発明の別の実施例に係る半導体ウエハのブレ
ーキング装置を示し、(a)は平面図、(b)は(a)
のb−b線断面図である。
Figure 3 shows a braking apparatus for a semiconductor wafer according to another embodiment of the present invention, (a) is a plan view, (b) is (a)
FIG. 3 is a sectional view taken along line bb of FIG.

【図4】本発明のさらに別の実施例に係る半導体ウエハ
のブレーキング装置を示し、(a)は平面図、(b)は
(a)のb−b線断面図である。
Figure 4 shows a braking apparatus for a semiconductor wafer according to still another embodiment of the present invention, a line b-b sectional view of (a) is a plan view, (b) (a).

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…ウエハ保持ユニット、2…ユニット本体、3、1
1、21…孔、4、10…真空源、5、12、22…吸
着パッド、6…光反射形センサ、7、17…突き上げユ
ニット、8、18…突き上げ部材、8a、18a…本
体、8b…突き上げ板体、18b…突き上げ針体、9、
19…ガイド体、13、23…移動テーブル、30…半
導体ウエハ、31…ペレット、32…ウエハ固定シー
ト、33…切り欠き。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Wafer holding unit, 2 ... Unit body, 3, 1
1, 21: holes, 4, 10: vacuum source, 5, 12, 22: suction pad, 6: light reflection sensor, 7, 17: push-up unit, 8, 18: push-up member, 8a, 18a: body, 8b ... thrust plate, 18b ... thrust needle, 9,
19: guide body, 13, 23: moving table, 30: semiconductor wafer, 31: pellet, 32: wafer fixing sheet, 33: notch.

フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/301 Continuation of front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) H01L 21/301

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 半導体ウエハの表面に形成されたペレッ
ト間の分割ライン上に沿って切り欠きを形成する工程
と、 前記半導体ウエハの裏面に貼着された ウエハ固定シート
によって前記半導体ウエハを保持する工程と、 前記半導体ウエハを劈開する箇所の周辺の前記ウエハ固
定シート を真空吸着する工程と、前記ウエハ固定シートを介して前記半導体ウエハの前記
切り欠き位置に対応した裏面を突き上げ部材によって
き上げて前記半導体ウエハを劈開する工程と、 を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
1. A step of forming a notch along a dividing line between pellets formed on a surface of a semiconductor wafer.
When the a step of holding the semiconductor wafer by a wafer fixing sheet which is attached to the back surface of the semiconductor wafer, the solid said wafer around the location where cleaving the semiconductor wafer
A step of vacuum suction constant sheet, the said semiconductor wafer through the wafer fixing sheet
The method of manufacturing a semiconductor device, characterized in that it comprises a step of cleaving the semiconductor wafer push-up by member pushing up the backside corresponding to notch position.
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