JP2019192717A - Method of processing wafer - Google Patents
Method of processing wafer Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019192717A JP2019192717A JP2018081725A JP2018081725A JP2019192717A JP 2019192717 A JP2019192717 A JP 2019192717A JP 2018081725 A JP2018081725 A JP 2018081725A JP 2018081725 A JP2018081725 A JP 2018081725A JP 2019192717 A JP2019192717 A JP 2019192717A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- division
- line
- sheet
- frame
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 44
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 claims abstract description 33
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims abstract description 30
- -1 polyethylene Polymers 0.000 claims description 47
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 claims description 44
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 claims description 44
- 230000010354 integration Effects 0.000 claims description 16
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- 238000002679 ablation Methods 0.000 claims description 7
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 claims description 5
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 claims description 5
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 claims description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 claims description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 25
- 230000006835 compression Effects 0.000 abstract 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 107
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 16
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 15
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 15
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 14
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 11
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 8
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 4
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 3
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000003331 infrared imaging Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/38—Removing material by boring or cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02118—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer carbon based polymeric organic or inorganic material, e.g. polyimides, poly cyclobutene or PVC
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/185—Joining of semiconductor bodies for junction formation
- H01L21/187—Joining of semiconductor bodies for junction formation by direct bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Dicing (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Perforating, Stamping-Out Or Severing By Means Other Than Cutting (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
Abstract
Description
本発明は、ウエーハを個々のデバイスに分割するウエーハの加工方法に関する。 The present invention relates to a wafer processing method for dividing a wafer into individual devices.
ＩＣ、ＬＳＩ、ＬＥＤ等の複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され、表面に形成されたウエーハは、ダイシング装置、レーザー加工装置等によって個々のデバイスに分割され携帯電話、パソコン等の電気機器に利用される。 A plurality of devices such as IC, LSI, LED, etc. are partitioned by the division lines, and the wafer formed on the surface is divided into individual devices by dicing equipment, laser processing equipment, etc., and used for electric devices such as mobile phones and personal computers. Is done.
レーザー加工装置は、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を分割予定ラインの内部に位置付けて照射し、改質層を形成して分割の起点とするタイプのものと（例えば、特許文献１を参照。）、ウエーハに対して吸収性を有する波長のレーザー光線の集光点を分割予定ラインの上面に位置付けて照射し、アブレーションにより表面に溝を形成して分割の起点とするタイプのものと（例えば、特許文献２を参照。）が存在する。 The laser processing apparatus is of a type in which a condensing point of a laser beam having a wavelength that is transmissive to the wafer is positioned and irradiated within the division planned line, and a modified layer is formed as a division starting point (for example, , See Patent Document 1), a laser beam condensing point having a wavelength that is absorptive with respect to the wafer is positioned and irradiated on the upper surface of the line to be divided, and a groove is formed on the surface by ablation to be a starting point of the division. There are types (see, for example, Patent Document 2).
ウエーハは、上記したレーザー加工装置によって分割予定ラインに沿って分割の起点が形成された後、外力を付与する等の分割工程を施されて個々のデバイスに分割される。分割工程を経たウエーハは、個々のデバイスに分割された後、ダイシングテープに保持されてウエーハの形態を保ったままピックアップ工程に搬送されることから、レーザー加工装置に投入されるウエーハは、ウエーハを収容する開口を有したフレームの該開口に位置付けられ、糊剤等が塗布される等して粘着層が形成されたダイシングテープの粘着層側にウエーハの裏面及びフレームを貼着することにより、ダイシングテープ及びフレームと一体化された状態とされる。これにより、分割工程を経たウエーハは、個々に分割されたデバイスがダイシングテープから脱離せず、ウエーハの形態を保ったままピックアップ工程に搬送することができる。 The wafer is divided into individual devices after a division starting point is formed along the division line by the laser processing apparatus described above and then subjected to a division step such as applying an external force. The wafer that has undergone the division process is divided into individual devices, and then is held on a dicing tape and conveyed to the pickup process while maintaining the wafer form. Dicing by attaching the back surface of the wafer and the frame to the adhesive layer side of the dicing tape that is positioned in the opening of the frame having the opening to be accommodated and the adhesive layer is formed by applying glue or the like. It is made into the state integrated with the tape and the frame. As a result, the wafer that has undergone the dividing step can be transported to the pick-up step while maintaining the form of the wafer without the individual divided devices being detached from the dicing tape.
ダイシングテープの粘着層側にウエーハの裏面とフレームとを位置付けて貼着し、ダイシングテープを介してフレームに支持されたウエーハを、分割起点が形成された分割予定ラインに押圧刃を位置付けて外力を付与することにより分割する場合、第一の方向に形成された第一の分割予定ラインに対して押圧刃を位置付けて外力を付与して分割した後、第一の方向と交差する第二の方向に形成された第二の分割予定ラインに対して押圧刃を位置付けて外力を付与して分割する。この際、先に分割される第一の分割予定ラインは綺麗に分割することができる。しかし、第一の分割予定ラインの分割起点に沿って分割して分割線を形成する際に、該分割線に粘着層が入り込む等して、まだ分割されていない第二の分割予定ラインが僅かに蛇行してしまい、第二の分割予定ラインに沿って押圧刃を精密に位置付けることが困難となり、そのまま押圧刃を位置付けて外力を付与して第二の分割予定ラインを分割すると、デバイスの欠け等が生じ、品質の低下を招くという問題がある。近年では、デバイスの小サイズ（２ｍｍ四方以下）化が要望されており、特に０．５ｍｍ四方、０．２５ｍｍ四方、０．１５ｍｍ四方等、デバイスのサイズが小さくなる程、この第二の分割予定ラインの僅かな蛇行の影響が顕著となってきている。 Position the back of the wafer and the frame on the adhesive layer side of the dicing tape and attach them, and place the pressing blade on the planned division line where the division starting point is formed and apply external force to the wafer supported by the frame via the dicing tape. When dividing by providing, the second direction intersecting the first direction after positioning by applying the external force and dividing the pressing blade with respect to the first planned division line formed in the first direction The pressing blade is positioned with respect to the second scheduled dividing line formed in the above, and an external force is applied to divide the line. At this time, the first division line to be divided first can be divided neatly. However, when the dividing line is formed by dividing along the dividing starting point of the first planned dividing line, the second dividing planned line that has not yet been divided is slightly caused by an adhesive layer entering the dividing line. It is difficult to precisely position the pressing blade along the second scheduled dividing line, and if the second dividing scheduled line is divided by positioning the pressing blade and applying external force as it is, the chip of the device is missing. There arises a problem that quality is deteriorated. In recent years, there has been a demand for smaller devices (2 mm square or less), and this second division is planned as the device size becomes smaller, especially 0.5 mm square, 0.25 mm square, 0.15 mm square, etc. The effect of slight meandering of the line has become remarkable.
本発明は、上記事実に鑑みなされたものであり、その主たる技術課題は、押圧刃を分割予定ラインに位置付けて外力を付与してウエーハを個々のデバイスに分割しても、デバイスの品質の低下を招かないウエーハの加工方法を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above-mentioned facts, and the main technical problem thereof is that the quality of the device is deteriorated even if the wafer is divided into individual devices by applying the external force by positioning the pressing blade on the planned dividing line. It is to provide a method of processing a wafer that does not invite the wafer.
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、複数のデバイスが第一の方向に形成された第一の分割予定ラインと該第一の方向と交差する第二の方向に形成された第二の分割予定ラインとによって区画され表面に形成されたウエーハを個々のデバイスに分割するウエーハの加工方法であって、ウエーハを収容する開口を有するフレームの該開口にウエーハを位置付けてウエーハの裏面とフレームの外周にポリオレフィン系シートを敷設するポリオレフィン系シート敷設工程と、ポリオレフィン系シートを加熱し熱圧着してウエーハとフレームとをポリオレフィン系シートによって一体化する一体化工程と、レーザー光線の集光点を第一の分割予定ライン及び第二の分割予定ラインに位置付けて照射して分割起点を形成する分割起点形成工程と、第一の分割予定ラインに押圧刃を位置付けて外力を付与し第一の分割予定ラインを分割する第一の分割工程と、第二の分割予定ラインに押圧刃を位置付けて外力を付与し第二の分割予定ラインを分割する第二の分割工程と、から少なくとも構成され、該第一の分割工程と該第二の分割工程とによってウエーハを個々のデバイスに分割するウエーハの加工方法が提供される。 In order to solve the above main technical problem, according to the present invention, a plurality of devices are formed in a second direction intersecting the first division line formed in the first direction and the first direction. A wafer processing method for dividing a wafer formed on a surface and partitioned by a second scheduled division line into individual devices, wherein the wafer is positioned at the opening of a frame having an opening for accommodating the wafer, and the rear surface of the wafer. A polyolefin sheet laying process for laying a polyolefin sheet on the outer periphery of the frame, an integration process for heating and thermocompression bonding the polyolefin sheet to integrate the wafer and the frame with the polyolefin sheet, and a focusing point of the laser beam A split starting point shape that forms a split starting point by irradiating the first split planned line and the second planned split line with irradiation A first dividing step in which a pressing blade is positioned on the first scheduled dividing line and an external force is applied to divide the first scheduled dividing line; and a pressing blade is positioned on the second scheduled dividing line and an external force is applied. And a second dividing step for dividing the second division line, and a wafer processing method for dividing the wafer into individual devices by the first dividing step and the second dividing step. Provided.
該分割起点形成工程において照射されるレーザー光線の波長を、ウエーハに対して透過性を有するようにし、該レーザー光線の集光点を、第一の分割予定ライン及び第二の分割予定ラインの内部に位置付けられて分割の起点となる改質層を形成するようにすることができる。また、該分割起点形成工程において照射されるレーザー光線の波長を、ウエーハに対して吸収性を有するようにし、該レーザー光線の集光点を、第一の分割予定ライン及び第二の分割予定ラインの上面に位置付けてアブレーションにより分割の起点となる溝を形成するようにしてもよい。 The wavelength of the laser beam irradiated in the division starting point forming step is made transparent to the wafer, and the condensing point of the laser beam is positioned inside the first division planned line and the second division planned line. Thus, a modified layer serving as a starting point of the division can be formed. Further, the wavelength of the laser beam irradiated in the division starting point forming step is made to be absorbable to the wafer, and the condensing point of the laser beam is set to the upper surface of the first division planned line and the second division planned line. It is also possible to form a groove serving as a starting point of division by ablation.
好ましくは、該ポリオレフィン系シートは、ポリエチレンシート、ポリプロピレンシート、ポリスチレンシートのいずれかから選択される。また、該ウエーハは、シリコン基板、サファイア基板、炭化珪素基板、ガラス基板のいずれかで構成することができる。 Preferably, the polyolefin-based sheet is selected from a polyethylene sheet, a polypropylene sheet, and a polystyrene sheet. The wafer can be composed of any of a silicon substrate, a sapphire substrate, a silicon carbide substrate, and a glass substrate.
本発明のウエーハの加工方法は、複数のデバイスが第一の方向に形成された第一の分割予定ラインと該第一の方向と交差する第二の方向に形成された第二の分割予定ラインとによって区画され表面に形成されたウエーハを個々のデバイスに分割するウエーハの加工方法であって、ウエーハを収容する開口を有するフレームの該開口にウエーハを位置付けてウエーハの裏面とフレームの外周にポリオレフィン系シートを敷設するポリオレフィン系シート敷設工程と、ポリオレフィン系シートを加熱し熱圧着してウエーハとフレームとをポリオレフィン系シートによって一体化する一体化工程と、レーザー光線の集光点を第一の分割予定ライン及び第二の分割予定ラインに位置付けて照射して分割起点を形成する分割起点形成工程と、第一の分割予定ラインに押圧刃を位置付けて外力を付与し第一の分割予定ラインを分割する第一の分割工程と、第二の分割予定ラインに押圧刃を位置付けて外力を付与し第二の分割予定ラインを分割する第二の分割工程と、から少なくとも構成され、該第一の分割工程と該第二の分割工程とによってウエーハを個々のデバイスに分割するようにしていることから、粘着層を有するダイシングテープを用いてウエーハを貼着した場合のように、第一の分割予定ラインを分割した領域に粘着層の一部が入り込んでずれを誘発することがなく、第一の分割予定ラインを分割した後、第二の分割予定ラインに押圧刃を精密に位置付けることができ、デバイスの品質を低下させるという問題が解消する。 The wafer processing method of the present invention includes a first division planned line in which a plurality of devices are formed in a first direction and a second division planned line formed in a second direction intersecting the first direction. Is a wafer processing method for dividing a wafer formed on the surface and divided into individual devices, and positioning the wafer in the opening of the frame having an opening for accommodating the wafer, and polyolefin on the back surface of the wafer and the outer periphery of the frame Polyolefin sheet laying process for laying a plastic sheet, an integration process in which the polyolefin sheet is heated and thermocompression bonded to integrate the wafer and the frame with the polyolefin sheet, and the condensing point of the laser beam is scheduled to be divided first A split starting point forming step of forming a split starting point by positioning and irradiating a line and a second scheduled split line; and a first split A first dividing step in which the pressing blade is positioned on the fixed line and external force is applied to divide the first scheduled dividing line, and a pressing blade is positioned on the second scheduled dividing line and external force is applied and the second scheduled dividing line. A second dividing step for dividing the wafer, and dividing the wafer into individual devices by the first dividing step and the second dividing step. Like the case where a wafer is attached using a tape, a part of the adhesive layer does not enter the area where the first division line is divided, and the first division line is divided without causing a shift. After that, the pressing blade can be precisely positioned on the second scheduled division line, and the problem of reducing the quality of the device is solved.
以下、本発明に基づき構成されたウエーハの加工方法の各工程について、順を追って説明する。 Hereafter, each process of the processing method of the wafer comprised based on this invention is demonstrated later on.
（ポリオレフィン系シート敷設工程）
図１、及び図２を参照しながら、ポリオレフィン系シート敷設工程について説明する。図１には、ポリオレフィン系シート敷設工程の実施態様を示す斜視図が示されている。ポリオレフィン系シート敷設工程を実施するに際し、まず、図１に示すように、加工対象物であるウエーハ１０と、ウエーハ１０を収容可能な開口Ｆａを有する環状のフレームＦと、ポリオレフィン系シート敷設工程を実施するためのチャックテーブル２０とを用意する。ウエーハ１０は、たとえば、シリコン（Ｓｉ）基板からなり、デバイス１４が、矢印Ｘで示す第一の方向に形成された第一の分割予定ライン１２Ａと、第一の方向と直角に交差する矢印Ｙで示す第二の方向に形成された第二の分割予定ライン１２Ｂとによって区画された表面１０ａに形成されている。
(Polyolefin sheet laying process)
The polyolefin sheet laying step will be described with reference to FIGS. 1 and 2. The perspective view which shows the embodiment of the polyolefin-type sheet | seat laying process is shown by FIG. In carrying out the polyolefin-based sheet laying step, first, as shown in FIG. 1, the wafer 10 that is the object to be processed, the annular frame F having the opening Fa that can accommodate the wafer 10, and the polyolefin-based sheet laying step are performed. A chuck table 20 is prepared for implementation. The wafer 10 is made of, for example, a silicon (Si) substrate, and the device 14 has an arrow Y that intersects the first division planned line 12A formed in the first direction indicated by the arrow X at a right angle with the first direction. Is formed on the surface 10a partitioned by the second scheduled dividing line 12B formed in the second direction.
チャックテーブル２０は、通気性を有する多孔質のポーラスセラミックからなる円盤形状の吸着チャック２１と、吸着チャック２１の外周を囲繞する円形枠部２２とからなり、チャックテーブル２０は、図示しない吸引手段に接続され、吸着チャック２１の上面（保持面）に載置されるウエーハ１０を吸引保持することができる。 The chuck table 20 includes a disk-shaped suction chuck 21 made of porous porous ceramic having air permeability, and a circular frame portion 22 surrounding the outer periphery of the suction chuck 21. The chuck table 20 serves as a suction means (not shown). The wafer 10 that is connected and placed on the upper surface (holding surface) of the suction chuck 21 can be sucked and held.
ウエーハ１０と、フレームＦと、チャックテーブル２０とを用意したならば、図に示すように、吸着チャック２１の保持面に対して、ウエーハ１０の表面１０ａ側を下にして、吸着チャック２１の中心に載置する。吸着チャック２１上にウエーハ１０を載置したならば、フレームＦを、ウエーハ１０が開口Ｆａの中心に位置付けながら吸着チャック２１上に載置する。図から理解されるように、フレームＦの開口Ｆａのサイズは、ウエーハ１０が収容されるようにウエーハ１０よりも大きく形成され、さらに、吸着チャック２１の保持面のサイズは、フレームＦの外形よりも若干大きく形成されており、フレームＦの外側に、吸着チャック２１の保持面が露出する大きさに設定される。 If the wafer 10, the frame F, and the chuck table 20 are prepared, as shown in the figure, the center of the suction chuck 21 with the surface 10a side of the wafer 10 facing down from the holding surface of the suction chuck 21 is shown. Placed on. If the wafer 10 is placed on the suction chuck 21, the frame F is placed on the suction chuck 21 while the wafer 10 is positioned at the center of the opening Fa. As can be seen from the figure, the size of the opening Fa of the frame F is larger than the wafer 10 so that the wafer 10 can be accommodated, and the size of the holding surface of the suction chuck 21 is larger than the outer shape of the frame F. Is formed so as to be slightly larger, and is set to a size such that the holding surface of the suction chuck 21 is exposed outside the frame F.
図２に示すように、ウエーハ１０の裏面１０ｂ、フレームＦ、及び吸着チャック２１を覆うように設定された円形のポリオレフィン系シート、たとえば、ポリエチレン（ＰＥ）シート３０を用意して吸着チャック２１上に載置する。ポリオレフィン系シートは、好ましくは２０〜１００μｍの厚みで形成される。図２から理解されるように、本実施例のポリエチレンシート３０は、少なくとも吸着チャック２１の直径よりも大きく、好ましくはチャックテーブル２０の円形枠部２２の外形よりも僅かに小さい直径で形成される。これにより、吸着チャック２１の保持面は、ポリエチレンシート３０で全体が覆われる。なお、ポリエチレンシート３０のウエーハ１０及びフレームＦに載置される載置面側には糊剤等の粘着層は形成されない。 As shown in FIG. 2, a circular polyolefin-based sheet set to cover the back surface 10 b of the wafer 10, the frame F, and the suction chuck 21, for example, a polyethylene (PE) sheet 30, is prepared on the suction chuck 21. Place. The polyolefin-based sheet is preferably formed with a thickness of 20 to 100 μm. As can be understood from FIG. 2, the polyethylene sheet 30 of the present embodiment is formed with a diameter that is at least larger than the diameter of the suction chuck 21 and preferably slightly smaller than the outer shape of the circular frame portion 22 of the chuck table 20. . Thereby, the holding surface of the suction chuck 21 is entirely covered with the polyethylene sheet 30. Note that an adhesive layer such as glue is not formed on the surface of the polyethylene sheet 30 placed on the wafer 10 and the frame F.
チャックテーブル２０の吸着チャック２１上にウエーハ１０、フレームＦ、及びポリエチレンシート３０を載置したならば、吸引ポンプ等を含む図示しない吸引手段を作動させて、吸引力Ｖｍを吸着チャック２１に作用させ、ウエーハ１０、フレームＦ、及びポリエチレンシート３０を吸引する。上記したように、ポリエチレンシート３０によって、吸着チャック２１の上面（保持面）全面が覆われているため、吸引力Ｖｍは、ウエーハ１０、フレームＦ、及びポリエチレンシート３０の全体に作用し、これらを吸着チャック２１上に吸引保持すると共に、ウエーハ１０、フレームＦ、及びポリエチレンシート３０との間に残存していた空気を吸引して密着させる。以上により、ポリオレフィン系シート敷設工程が完了する。 If the wafer 10, the frame F, and the polyethylene sheet 30 are placed on the suction chuck 21 of the chuck table 20, a suction means (not shown) including a suction pump is operated to apply a suction force Vm to the suction chuck 21. The wafer 10, the frame F, and the polyethylene sheet 30 are sucked. As described above, since the entire upper surface (holding surface) of the suction chuck 21 is covered with the polyethylene sheet 30, the suction force Vm acts on the entire wafer 10, the frame F, and the polyethylene sheet 30. While sucking and holding on the suction chuck 21, the air remaining between the wafer 10, the frame F, and the polyethylene sheet 30 is sucked and brought into close contact. The polyolefin sheet laying process is thus completed.
（一体化工程）
上記したポリオレフィン系シート敷設工程を実施したならば、次いで、一体化工程を実施する。一体化工程について、図３を参照しながら説明する。
(Integration process)
If the polyolefin sheet laying step described above is performed, then an integration step is performed. The integration process will be described with reference to FIG.
図３（ａ）には、一体化工程を実施するための一つ目の実施形態が示されている。一体化工程を実施するに際し、図に示すように、ウエーハ１０、フレームＦ及びポリエチレンシート３０に対して吸引力Ｖｍを作用させて吸引保持した状態のチャックテーブル２０の上方に、ポリエチレンシート３０を加熱するための熱風吹付け手段４０（一部のみ示す。）を位置付ける。詳細は省略するが、熱風吹付け手段４０は、チャックテーブル２０側と対面する出口側（図中下側）にサーモスタット等の温度調整手段を備えたヒータ部を配設し、反対側（図中上側）にモータ等により駆動されるファン部を配設し、該ヒータ部、及びファン部を駆動することによりチャックテーブル２０に向けて熱風Ｌを吹き付けるように構成される。熱風吹付け手段４０をチャックテーブル２０の上方に位置付けたならば、熱風吹付け手段４０によって、少なくともポリエチレンシート３０が覆うウエーハ１０、及びフレームＦが載置された領域全体に熱風Ｌを吹き付け、ポリエチレンシート３０が融点近傍の１２０〜１４０℃、又は、該融点近傍の温度から該融点近傍の温度よりも５０℃程度低い温度までの範囲で加熱する。この加熱により、ポリエチレンシート３０が軟化して、ウエーハ１０の裏面１０ｂ、及びフレームＦにポリエチレンシート３０が密着した状態で熱圧着されて、ウエーハ１０、フレームＦ、及びポリエチレンシート３０が一体化する。なお、ポリエチレンシート３０を加熱してウエーハ１０と熱圧着する一体化工程を実施する手段は、図３（ａ）に示す熱風吹付け手段４０に限定されず、他の手段を選択することも可能である。図３（ｂ）を参照しながら、他の手段（二つ目の実施形態）について説明する。 FIG. 3A shows a first embodiment for performing the integration process. When performing the integration step, as shown in the figure, the polyethylene sheet 30 is heated above the chuck table 20 in a state where the wafer 10, the frame F and the polyethylene sheet 30 are sucked and held by the suction force Vm. The hot-air spraying means 40 (only one part is shown) for doing this is positioned. Although not described in detail, the hot air spraying means 40 is provided with a heater portion provided with temperature adjusting means such as a thermostat on the outlet side (lower side in the figure) facing the chuck table 20 side, and on the opposite side (in the figure). A fan unit driven by a motor or the like is disposed on the upper side, and the heater unit and the fan unit are driven to blow hot air L toward the chuck table 20. If the hot air blowing means 40 is positioned above the chuck table 20, the hot air blowing means 40 blows hot air L over at least the entire area where the wafer 10 covered by the polyethylene sheet 30 and the frame F are placed. The sheet 30 is heated in a range from 120 to 140 ° C. near the melting point, or from a temperature near the melting point to a temperature lower by about 50 ° C. than a temperature near the melting point. By this heating, the polyethylene sheet 30 is softened and thermocompression bonded with the polyethylene sheet 30 in close contact with the back surface 10b of the wafer 10 and the frame F, so that the wafer 10, the frame F, and the polyethylene sheet 30 are integrated. The means for performing the integration step of heating the polyethylene sheet 30 and thermocompression bonding with the wafer 10 is not limited to the hot air blowing means 40 shown in FIG. 3A, and other means can be selected. It is. Other means (second embodiment) will be described with reference to FIG.
上記一体化工程を実施する他の手段として、図３（ｂ）に示す加熱ローラ手段５０（一部のみ示す。）が選択されてもよい。より具体的には、ウエーハ１０、フレームＦ及びポリエチレンシート３０に吸引力Ｖｍを作用させて吸引保持した状態のチャックテーブル２０の上方に、ポリエチレンシート３０を加熱し押圧するための加熱ローラ手段５０を位置付ける。詳細は省略するが、加熱ローラ手段５０は、図示しないヒータを内蔵する加熱ローラ５２と、加熱ローラ５２を回転させるための図示しない回転軸とを備え、加熱ローラ５２の表面には、フッ素樹脂加工が施されている。加熱ローラ５２をチャックテーブル２０の上方に位置付けたならば、加熱ローラ５２に内蔵された該ヒータを作動し、ポリエチレンシート３０が覆うウエーハ１０の裏面１０ｂ、及びフレームＦ側全体を押圧して加熱ローラ５２を矢印Ｒ１で示す方向に回転させながら、矢印Ｘ方向に移動させる。加熱ローラ５２に内蔵された該ヒータは、ポリエチレンシート３０が融点近傍の１２０〜１４０℃、又は、該融点近傍の温度から該融点近傍の温度よりも５０℃程度低い温度までの範囲になるように調整される。この加熱及び押圧により、上記熱風吹付け手段４０と同様に、ウエーハ１０の裏面１０ｂ、及びフレームＦにポリエチレンシート３０を密着させた状態で熱圧着することができ、ウエーハ１０、フレームＦ及びポリエチレンシート３０とが一体化される。なお、一体化工程を実施する加熱ローラ手段５０の変形例として、上記した加熱ローラ５２に代えて、ヒータを備えた平板状の押圧部材を採用し、ポリエチレンシート３０を加熱、押圧し、ポリエチレンシート３０を、ウエーハ１０、及びフレームＦに熱圧着することもできる。また、熱圧着する手段は上記した各手段に限定されず、たとえば、赤外線を照射することによってポリエチレンシート３０を加熱して、フレーム１０、及びフレームＦと熱圧着してもよい。 As another means for performing the integration step, a heating roller means 50 (only a part is shown) shown in FIG. 3B may be selected. More specifically, a heating roller means 50 for heating and pressing the polyethylene sheet 30 is provided above the chuck table 20 in a state where the wafer 10, the frame F and the polyethylene sheet 30 are sucked and held by applying a suction force Vm. Position. Although not described in detail, the heating roller means 50 includes a heating roller 52 incorporating a heater (not shown) and a rotating shaft (not shown) for rotating the heating roller 52, and the surface of the heating roller 52 is processed with a fluorine resin. Is given. If the heating roller 52 is positioned above the chuck table 20, the heater incorporated in the heating roller 52 is operated to press the back surface 10b of the wafer 10 covered by the polyethylene sheet 30 and the entire frame F side to heat the heating roller. 52 is moved in the direction of arrow X while rotating in the direction indicated by arrow R1. The heater built in the heating roller 52 is such that the polyethylene sheet 30 is in a range from 120 to 140 ° C. near the melting point or from a temperature near the melting point to a temperature about 50 ° C. lower than the temperature near the melting point. Adjusted. By this heating and pressing, similarly to the hot air spraying means 40, the back surface 10b of the wafer 10 and the frame F can be thermocompression bonded, and the wafer 10, the frame F and the polyethylene sheet can be bonded. 30 is integrated. As a modification of the heating roller means 50 for performing the integration step, a flat plate-like pressing member provided with a heater is employed instead of the heating roller 52 described above, and the polyethylene sheet 30 is heated and pressed to form a polyethylene sheet. 30 may be thermocompression bonded to the wafer 10 and the frame F. The means for thermocompression bonding is not limited to each of the above-described means. For example, the polyethylene sheet 30 may be heated by infrared irradiation to be thermocompression bonded to the frame 10 and the frame F.
本実施例では、上記した一体化工程に続き、後工程に配慮して、ポリエチレンシート３０をフレームＦに沿って切断する切断工程を実施する。なお、この切断工程は、必ずしも必須の工程ではないが、実施した方がポリエチレンシート３０と一体化されたウエーハ１０及びフレームＦが扱い易くなり、後工程にとって好都合である。以下に、図４を参照しながら切断工程について説明する。 In the present embodiment, following the integration process described above, a cutting process for cutting the polyethylene sheet 30 along the frame F is performed in consideration of subsequent processes. Although this cutting step is not necessarily an essential step, it is easier for the wafer 10 and the frame F integrated with the polyethylene sheet 30 to be handled, which is convenient for the subsequent step. Below, a cutting process is demonstrated, referring FIG.
（切断工程）
図４に示すように、一体化工程によって一体化されたウエーハ１０、フレームＦ、及びポリエチレンシート３０を吸引保持したチャックテーブル２０上に、切断手段６０（一部のみ示す。）を位置付ける。切断手段６０は、ポリエチレンシート３０を切断するための円盤形状のブレードカッター６２（２点鎖線で示す。）と、ブレードカッター６２を矢印Ｒ２で示す方向に回転駆動するための図示しないモータとを備え、ブレードカッター６２の刃先を、フレームＦ上の幅方向における略中央に位置付ける。ブレードカッター６２がフレームＦ上に位置付けられたならば、ブレードカッター６２をポリエチレンシート３０の厚みだけ切込み送りし、チャックテーブル２０を矢印Ｒ２で示す方向に回転させる。これにより、ポリエチレンシート３０が、フレームＦに沿った切断ラインＣに沿って切断され、切断ラインＣからはみ出したポリエチレンシート３０の外周を切り離すことができる。なお、ポリエチレンシート３０は、ウエーハ１０の裏面１０ｂとフレームＦとに熱圧着されており、ウエーハ１０、フレームＦ、及びポリエチレンシート３０が一体化された状態は維持される。以上により、切断工程が完了する。
(Cutting process)
As shown in FIG. 4, the cutting means 60 (only a part is shown) is positioned on the chuck table 20 that sucks and holds the wafer 10, the frame F, and the polyethylene sheet 30 that are integrated by the integration process. The cutting means 60 includes a disk-shaped blade cutter 62 (indicated by a two-dot chain line) for cutting the polyethylene sheet 30 and a motor (not shown) for rotationally driving the blade cutter 62 in the direction indicated by the arrow R2. The blade edge of the blade cutter 62 is positioned substantially at the center in the width direction on the frame F. When the blade cutter 62 is positioned on the frame F, the blade cutter 62 is cut and fed by the thickness of the polyethylene sheet 30, and the chuck table 20 is rotated in the direction indicated by the arrow R2. Thereby, the polyethylene sheet 30 is cut along the cutting line C along the frame F, and the outer periphery of the polyethylene sheet 30 protruding from the cutting line C can be cut off. The polyethylene sheet 30 is thermocompression bonded to the back surface 10b of the wafer 10 and the frame F, and the state where the wafer 10, the frame F, and the polyethylene sheet 30 are integrated is maintained. Thus, the cutting process is completed.
（分割起点形成工程）
該切断工程によりポリエチレンシート３０の外周が切断されたならば、レーザー加工装置を利用して、分割起点形成工程を実施する。分割起点形成工程を実施するレーザー加工方法としては、たとえば、レーザー光線の波長をウエーハに対して透過性を有する波長とし、レーザー光線の集光点を第一の分割予定ライン１２Ａ及び第二の分割予定ライン１２Ｂの内部に位置付けて分割の起点となる改質層を形成する方法、又は、レーザー光線の波長をウエーハに対して吸収性を有する波長とし、レーザー光線の集光点を第一の分割予定ライン１２Ａ及び第二の分割予定ライン１２Ｂの上面に位置付けてアブレーションにより分割の起点となる溝を形成する方法を選択することができる。
(Division start point formation process)
If the outer periphery of the polyethylene sheet 30 is cut by the cutting step, a split starting point forming step is performed using a laser processing apparatus. As a laser processing method for carrying out the division starting point forming step, for example, the wavelength of the laser beam is set to a wavelength having transparency to the wafer, and the condensing point of the laser beam is set to the first division planned line 12A and the second division planned line. A method of forming a modified layer that is positioned inside 12B to be the starting point of splitting, or the wavelength of the laser beam is set to a wavelength that is absorptive with respect to the wafer, and the condensing point of the laser beam is set to the first splitting line 12A and It is possible to select a method of forming a groove serving as a starting point of the division by ablation by being positioned on the upper surface of the second scheduled division line 12B.
図５を参照しながら、ウエーハ１０の第一の分割予定ライン１２Ａ及び第二の分割予定ライン１２Ｂの内部に分割の起点となる改質層を形成するレーザー加工の実施態様について説明する。 With reference to FIG. 5, a description will be given of an embodiment of laser processing in which a modified layer serving as a starting point of division is formed inside the first division planned line 12 </ b> A and the second division planned line 12 </ b> B of the wafer 10.
第一の分割予定ライン１２Ａ及び第二の分割予定ライン１２Ｂの内部に分割の起点となる改質層を形成する際は、ウエーハ１０の裏面１０ｂ側からレーザー光線を照射する。そこで、図５（ａ）に示すように、上記一体化工程でフレームＦと一体化されたウエーハ１０の裏面１０ｂ側を上方に向け、ポリエチレンシート３０側が上方になるようにして、図５（ｂ）に示すレーザー加工装置７０（一部のみ示す。）に搬送する。 When forming a modified layer serving as a starting point of division inside the first planned division line 12A and the second planned division line 12B, a laser beam is irradiated from the back surface 10b side of the wafer 10. Therefore, as shown in FIG. 5A, the back surface 10b side of the wafer 10 integrated with the frame F in the integration step is directed upward, and the polyethylene sheet 30 side is upward, so that FIG. ) To the laser processing apparatus 70 (only a part is shown).
図５（ｂ）に示すレーザー加工装置７０は、周知のレーザー加工装置であり、詳細については省略するが、図示しないチャックテーブル、集光器７２を含むレーザー光線照射手段等を備えている。レーザー加工装置７０に搬送されたウエーハ１０は、該チャックテーブルにポリエチレンシート３０が上方になるように載置され保持される。次いで、図示しない赤外線撮像手段を備えたアライメント手段によって、該レーザー光線照射手段の集光器７２によるレーザー光線ＬＢの照射位置と、ウエーハ１０の被加工位置、すなわち、第一の分割予定ライン１２Ａ、及び第二の分割予定ライン１２Ｂとの位置合わせ（アライメント工程）を行う。このアライメント工程を終えたならば、図５（ｂ）に示すように、レーザー光線ＬＢの集光点をウエーハ１０の内部に位置付け、集光器７２とウエーハ１０を矢印Ｘで示す方向で相対的に移動してポリエチレンシート３０越しに照射し、分割の起点となる改質層１００を第一の分割予定ライン１２Ａに沿って形成する。該チャックテーブルを適宜移動することにより、全ての第一の分割予定ライン１２Ａに沿って改質層１００を形成したならば、該チャックテーブルを９０度回転して、第一の分割予定ライン１２Ａと同様に、第二の分割予定ライン１２Ｂに沿ってウエーハ１０の内部に改質層１００を形成する。以上のレーザー加工を実施することにより、分割起点形成工程が完了する。 A laser processing apparatus 70 shown in FIG. 5B is a well-known laser processing apparatus, and includes a chuck table (not shown), laser beam irradiation means including a condenser 72, and the like, although details are omitted. The wafer 10 transported to the laser processing apparatus 70 is placed and held on the chuck table so that the polyethylene sheet 30 faces upward. Next, by an alignment means having an infrared imaging means (not shown), the irradiation position of the laser beam LB by the condenser 72 of the laser beam irradiation means, the processing position of the wafer 10, that is, the first division line 12A and the first Alignment (alignment process) with the second scheduled division line 12B is performed. When this alignment process is completed, as shown in FIG. 5B, the condensing point of the laser beam LB is positioned inside the wafer 10, and the condenser 72 and the wafer 10 are relatively moved in the direction indicated by the arrow X. It moves and irradiates through the polyethylene sheet 30, and the modified layer 100 used as the starting point of a division | segmentation is formed along the 1st division | segmentation planned line 12A. When the modified layer 100 is formed along all the first planned dividing lines 12A by appropriately moving the chuck table, the chuck table is rotated by 90 degrees, Similarly, the modified layer 100 is formed inside the wafer 10 along the second scheduled division line 12B. By carrying out the above laser processing, the division starting point forming step is completed.
なお、上記した分割の起点となる改質層１００を形成するレーザー加工装置７０のレーザー加工条件は、たとえば以下のように設定される。
レーザー光線の波長 ：１０６４ｎｍ
繰り返し周波数 ：８０ｋＨｚ
平均出力 ：０．５Ｗ
加工送り速度 ：８００ｍｍ／秒
In addition, the laser processing conditions of the laser processing apparatus 70 which forms the modified layer 100 used as the above-mentioned division | segmentation starting point are set as follows, for example.
Laser beam wavelength: 1064 nm
Repetition frequency: 80 kHz
Average output: 0.5W
Processing feed rate: 800 mm / sec
本発明の分割起点形成工程は、上記した手段に限定されず、たとえば図６に示すレーザー加工装置７０’を用いて実施してもよい。以下に、図６を参照しながら、レーザー加工装置７０’を用いて分割起点形成工程を実施する別の実施形態について説明する。 The division starting point forming step of the present invention is not limited to the above-described means, and may be performed using, for example, a laser processing apparatus 70 'shown in FIG. Hereinafter, another embodiment in which the division start point forming step is performed using the laser processing apparatus 70 ′ will be described with reference to FIG. 6.
分割起点形成工程を実施する別の実施形態としては、図６に示すような、ウエーハ１０に対して吸収性を有する波長のレーザー光線ＬＢ’を照射し、レーザー光線ＬＢ’の集光点を第一の分割予定ライン１２Ａ、及び第二の分割予定ライン１２Ｂに沿って、ウエーハ１０の上面（表面１０ａ側）に位置付けてアブレーションにより分割の起点となる溝を形成する。 As another embodiment for carrying out the division starting point forming step, as shown in FIG. 6, the wafer 10 is irradiated with a laser beam LB ′ having an absorptive wavelength, and the condensing point of the laser beam LB ′ is set to the first point. A groove that is positioned on the upper surface (side of the surface 10a) of the wafer 10 along the planned division line 12A and the second planned division line 12B and is a starting point of the division is formed by ablation.
第一の分割予定ライン１２Ａ及び第二の分割予定ライン１２Ｂに沿ってウエーハ１０の表面１０ａ上に分割の起点となる溝を形成する際は、図６（ａ）に示すように、上記した一体化工程でフレームＦと一体化されたウエーハ１０の表面１０ａ側が上方になるようにして、図６（ｂ）に示すレーザー加工装置７０’（一部のみ示す。）に搬送する。 When forming a groove to be a starting point of division on the surface 10a of the wafer 10 along the first division line 12A and the second division line 12B, as shown in FIG. The wafer 10 integrated with the frame F in the forming step is transferred to a laser processing apparatus 70 ′ (only a part is shown) shown in FIG.
レーザー加工装置７０’は、周知のレーザー加工装置であり、詳細については省略するが、図示しないチャックテーブル、集光器７２’を含むレーザー光線照射手段等を備え、レーザー加工装置７０’に搬送されたウエーハ１０は、該チャックテーブルにウエーハ１０の表面１０ａが上方になるように載置され吸引保持される。次いで、図示しない撮像手段を備えたアライメント手段によって、該レーザー光線照射手段の集光器７２’による照射位置と、ウエーハ１０の加工位置、すなわち、第一の分割予定ライン１２Ａ、及び第二の分割予定ライン１２Ｂとの位置合わせ（アライメント工程）を行う。アライメント工程を終えたならば、図６（ｂ）に示すように、レーザー光線ＬＢ’の集光点をウエーハ１０の表面１０ａ上に位置付け、集光器７２’とウエーハ１０を矢印Ｘで示す方向で相対的に移動させながらレーザー光線ＬＢ’を照射してアブレーション加工を施す。該チャックテーブルを適宜移動させることにより、分割の起点となる溝１１０を第一の分割予定ライン１２Ａ及び第二の分割予定ライン１２Ｂに沿って形成する。以上のレーザー加工によって、分割起点形成工程が完了する。 The laser processing apparatus 70 ′ is a well-known laser processing apparatus, and although not described in detail, the laser processing apparatus 70 ′ includes a chuck table (not shown), laser beam irradiation means including a condenser 72 ′, and the like, and is conveyed to the laser processing apparatus 70 ′. The wafer 10 is placed and sucked and held on the chuck table so that the surface 10a of the wafer 10 faces upward. Next, an irradiation position by the condenser 72 'of the laser beam irradiation means and a processing position of the wafer 10, that is, the first division planned line 12A and the second division schedule, by an alignment means having an imaging means (not shown). Position alignment (alignment process) with the line 12B is performed. When the alignment process is completed, as shown in FIG. 6B, the condensing point of the laser beam LB ′ is positioned on the surface 10a of the wafer 10, and the condenser 72 ′ and the wafer 10 are arranged in the direction indicated by the arrow X. Ablation is performed by irradiating the laser beam LB ′ while relatively moving. By appropriately moving the chuck table, a groove 110 serving as a starting point of division is formed along the first planned division line 12A and the second planned division line 12B. The division starting point forming step is completed by the above laser processing.
なお、上記した分割の起点となる溝１１０を形成するレーザー加工装置７０’のレーザー加工条件は、たとえば以下のように設定される。
レーザー光線の波長 ：３５５ｎｍ
繰り返し周波数 ：８０ｋＨｚ
平均出力 ：２．５Ｗ
加工送り速度 ：８００ｍｍ／秒
In addition, the laser processing conditions of the laser processing apparatus 70 ′ that forms the groove 110 serving as the starting point of the division are set as follows, for example.
Laser beam wavelength: 355 nm
Repetition frequency: 80 kHz
Average output: 2.5W
Processing feed rate: 800 mm / sec
本発明の分割起点形成工程は、上記したレーザー加工方法を実施することに限定されず、他の手段を選択することもできる。例えば、ウエーハ１０に対して裏面１０ｂ側から透過性を有する波長のレーザー光線の集光点をウエーハ１０の内部に位置付けて照射し、第一の分割予定ライン１２Ａ、及び第二の分割予定ライン１２Ｂに沿って細孔と細孔を囲繞する非晶質とからなるシールドトンネルを形成して分割の起点としてもよい。 The division starting point forming step of the present invention is not limited to performing the laser processing method described above, and other means can be selected. For example, a condensing point of a laser beam having a wavelength having transparency with respect to the wafer 10 is irradiated from the back surface 10b side so as to be positioned inside the wafer 10 and applied to the first scheduled division line 12A and the second scheduled division line 12B. It is also possible to form a shield tunnel made of pores and amorphous surrounding the pores as a starting point of the division.
（分割工程）
上記したように、分割起点形成工程を実施したならば、分割工程を実施する。なお、以下に説明する分割工程は、上記した分割起点形成工程を実施することにより、第一の分割予定ライン１２Ａ、及び第二の分割予定ライン１２Ｂに沿ってウエーハ１０の内部に分割の起点となる改質層１００を形成した後に実施されるものとして説明する。
(Division process)
As described above, when the division start point forming step is performed, the division step is performed. In addition, the division | segmentation process demonstrated below carries out the above-mentioned division | segmentation start point formation process, and the division | segmentation start point is set inside the wafer 10 along the 1st division | segmentation line 12A and the 2nd division | segmentation line 12B. It demonstrates as what is implemented after forming the modified layer 100 which becomes.
本実施例の分割工程は、第一の分割予定ライン１２Ａに外力を付与し第一の分割予定ラインを分割する第一の分割工程と、第二の分割予定ライン１２Ｂに外力を付与し第二の分割予定ライン１２Ｂを分割する第二の分割工程と、から少なくとも構成される。図７を参照しながら、分割装置８０を用いて実施される分割工程について説明する。 In the dividing step of the present embodiment, an external force is applied to the first planned dividing line 12A to divide the first scheduled dividing line, and an external force is applied to the second scheduled dividing line 12B. And a second dividing step for dividing the scheduled dividing line 12B. With reference to FIG. 7, the dividing process performed using the dividing device 80 will be described.
図７に示す分割装置８０は、少なくとも押圧刃８２、一対の支持部８３、及び図示しない撮像手段を備える。第一の分割工程を実施するに際し、ウエーハ１０の表面１０ａを下方に向けて一対の支持部８３にウエーハ１０を載置する。該撮像手段は、一対の支持部８３に載置されたウエーハ１０の表面１０ａ側、すなわち下方側からウエーハ１０を撮像することが可能に構成されており、該線撮像手段によってウエーハ１０の第一の分割予定ライン１２Ａを撮像することにより、一対の支持部８３の間、且つ押圧刃８２の直下に、改質層１００が形成された第一の分割予定ライン１２Ａを正確に位置付ける。一対の支持部８３は、一方向（図７で紙面に垂直なＹ方向）に延在しており、平面視で該一方向に沿うように位置付けられた第一の分割予定ライン１２Ａを挟むように位置付けられる。一対の支持部８３の上方に位置付けられる押圧刃８２も、一対の支持部８３と同様に該一方向に延在しており、図示しない押圧機構によって矢印Ｚで示す上下方向に動かされる。 A dividing device 80 shown in FIG. 7 includes at least a pressing blade 82, a pair of support portions 83, and an imaging unit (not shown). When performing the first dividing step, the wafer 10 is placed on the pair of support portions 83 with the surface 10a of the wafer 10 facing downward. The imaging means is configured to be able to take an image of the wafer 10 from the surface 10a side of the wafer 10 placed on the pair of support portions 83, that is, the lower side. By imaging the planned division line 12A, the first planned division line 12A in which the modified layer 100 is formed is accurately positioned between the pair of support portions 83 and directly below the pressing blade 82. The pair of support portions 83 extend in one direction (Y direction perpendicular to the paper surface in FIG. 7), and sandwich the first scheduled division line 12A positioned along the one direction in plan view. Positioned on. The pressing blade 82 positioned above the pair of support portions 83 also extends in the same direction as the pair of support portions 83, and is moved in the vertical direction indicated by the arrow Z by a pressing mechanism (not shown).
図７に示すように、押圧刃８２をウエーハ１０側に矢印Ｚに沿って下降させることで、改質層１００を分割起点として、第一の分割予定ライン１２Ａに沿ってウエーハ１０を分割し、分割線１３０を形成する。これに続き、矢印Ｘで示す方向で押圧刃８２、及び一対の支持部８３とウエーハ１０とを相対的に移動させ加工送りすることで、未分割の第一の分割予定ライン１２Ａを、押圧刃８２の直下で且つ一対の支持部８３間に移動して、同様の分割加工を繰り返し、第一の分割予定ライン１２Ａの全てに押圧刃８２を押し当てて外力を付与し分割線１３０を形成する。そして、ウエーハ１０を９０度回転して、該撮像手段を用いて、改質層１００が形成された第二の分割予定ライン１２Ｂを押圧刃８２の直下で且つ一対の支持部８３の間に正確に位置付け、上記第一の分割予定ライン１２Ａを分割したのと同様の工程により分割して分割線１３０を形成する。以上により、ウエーハ１０が、個々のデバイス１４に分割され、分割工程が完了する。なお、上記した分割工程は、第一の分割予定ライン１２Ａ、及び第二の分割予定ライン１２Ｂに沿ってウエーハ１０の内部に分割の起点となる改質層１００を形成した後に実施されるものとして説明したが、分割起点形成工程において、第一の分割予定ライン１２Ａ、及び第二の分割予定ライン１２Ｂの表面１０ａにアブレーションにより分割の起点となる溝１１０を形成した場合も、上記と同様の手段により分割することができる。 As shown in FIG. 7, by lowering the pressing blade 82 along the arrow Z toward the wafer 10, the wafer 10 is divided along the first division planned line 12A using the modified layer 100 as a division starting point. A dividing line 130 is formed. Following this, the pressing blade 82 and the pair of support portions 83 and the wafer 10 are moved relative to each other in the direction indicated by the arrow X, and processed to feed the undivided first division line 12A into the pressing blade. It moves directly under 82 and between the pair of support parts 83, and repeats the same division processing, presses the pressing blade 82 to all of the first division planned lines 12A, and applies external force to form the division line 130. . Then, the wafer 10 is rotated by 90 degrees, and the second dividing line 12B on which the modified layer 100 is formed is accurately positioned directly below the pressing blade 82 and between the pair of support portions 83 using the imaging unit. The dividing line 130 is formed by dividing by the same process as the dividing of the first scheduled dividing line 12A. Thus, the wafer 10 is divided into the individual devices 14 and the dividing process is completed. The above-described dividing step is performed after the reformed layer 100 serving as a starting point of the division is formed inside the wafer 10 along the first planned division line 12A and the second planned division line 12B. As described above, in the division start point forming step, the same means as described above can be used when the groove 110 serving as the division start point is formed by ablation on the surface 10a of the first planned division line 12A and the second planned division line 12B. Can be divided.
該分割工程が完了したならば、ウエーハ１０を保持するフレームＦと共に、ピックアップ工程に搬送して、個々のデバイス１４がポリエチレンシート３０からピックアップされ、ボンディング工程に搬送されるか、又は収容トレー等に収容されて、後工程に搬送される。 When the dividing process is completed, the wafers 10 are transported to the pickup process together with the frame F holding the wafer 10, and the individual devices 14 are picked up from the polyethylene sheet 30 and transported to the bonding process, or stored in a storage tray or the like. It is accommodated and conveyed to the subsequent process.
上記した本実施例に係るウエーハの加工方法によれば、ウエーハ１０と、フレームＦと、ポリオレフィン系シート（ポリエチレンシート３０）とを、ポリオレフィン系シート表面に糊剤等を塗布して形成される粘着層によって一体化するのではなく、少なくともポリオレフィン系シートを加熱し熱圧着してウエーハ１０とフレームＦとを一体化する。これにより、粘着層を有するダイシングテープの場合のように、分割された領域（分割線）に粘着層の一部が入り込むことによってズレを誘発する等の問題が発生せず、第一の分割予定ライン１２Ａを分割した後、第二の分割予定ライン１２Ｂに押圧刃８２を精密に位置付けることができ、デバイスの品質を低下させることがない。 According to the wafer processing method of the present embodiment described above, the adhesive formed by applying the wafer 10, the frame F, and the polyolefin sheet (polyethylene sheet 30) to the polyolefin sheet surface with a paste or the like. The wafer 10 and the frame F are integrated by heating and thermocompression bonding at least the polyolefin-based sheet, instead of integrating the layers. As a result, as in the case of a dicing tape having an adhesive layer, there is no problem of inducing a shift by part of the adhesive layer entering the divided area (partition line), and the first division is scheduled. After dividing the line 12A, the pressing blade 82 can be precisely positioned on the second scheduled division line 12B, and the quality of the device is not deteriorated.
なお、本発明によれば上記実施の形態に限定されず、種々の変形例が提供される。上記した実施例では、ポリオレフィン系シートとして、ポリエチレンシート３０を選択したが、本発明はこれに限定されず、ポリオレフィン系シートの中から適宜選択することができる。他のポリオレフィン系シートとしては、たとえば、ポリプロピレン（ＰＰ）シート、又はポリスチレン（ＰＳ）シートのいずれかであってもよい。 In addition, according to this invention, it is not limited to the said embodiment, A various modification is provided. In the above-described embodiments, the polyethylene sheet 30 is selected as the polyolefin sheet, but the present invention is not limited to this, and can be appropriately selected from the polyolefin sheets. The other polyolefin-based sheet may be, for example, either a polypropylene (PP) sheet or a polystyrene (PS) sheet.
上記した実施例では、一体化工程における加熱温度を融点近傍の１２０〜１４０℃、又は、該融点近傍の温度から該融点近傍の温度よりも５０℃程度低い温度までの範囲になるように設定したが、本発明はこれに限定されず、選択したポリオレフィン系シートの種類に応じて加熱温度を設定することが好ましい。例えば、ポリオレフィン系シートとしてポリプロピレンシートを選択した場合は、加熱温度を融点近傍の１６０〜１８０℃、又は、該融点近傍の温度から該融点近傍の温度よりも５０℃程度低い温度までの範囲に設定することが好ましい。また、ポリオレフィン系シートとしてポリスチレンシートを選択した場合は、加熱温度を融点近傍の２２０〜２４０℃、又は、該融点近傍の温度から該融点近傍の温度よりも５０℃程度低い温度までの範囲に設定することが好ましい。 In the embodiment described above, the heating temperature in the integration step was set to be 120 to 140 ° C. near the melting point, or a range from the temperature near the melting point to a temperature about 50 ° C. lower than the temperature near the melting point. However, this invention is not limited to this, It is preferable to set heating temperature according to the kind of selected polyolefin-type sheet | seat. For example, when a polypropylene sheet is selected as the polyolefin-based sheet, the heating temperature is set to 160 to 180 ° C. near the melting point, or a range from the temperature near the melting point to a temperature about 50 ° C. lower than the temperature near the melting point. It is preferable to do. In addition, when a polystyrene sheet is selected as the polyolefin sheet, the heating temperature is set to 220 to 240 ° C. near the melting point, or a range from the temperature near the melting point to a temperature about 50 ° C. lower than the temperature near the melting point. It is preferable to do.
上記した実施例では、加工対象物とするウエーハをシリコン（Ｓｉ）基板としたが、本発明はこれに限定されず、他の素材、たとえば、サファイア（Ａｌ２Ｏ２）基板、炭化珪素（ＳｉＣ）基板、ガラス（ＳｉＯ２）基板からなるように構成してもよい。 In the above-described embodiments, the wafer to be processed is a silicon (Si) substrate, but the present invention is not limited to this, and other materials such as a sapphire (Al 2 O 2 ) substrate, silicon carbide (SiC). ) A substrate and a glass (SiO 2 ) substrate may be used.
１０：ウエーハ
１２Ａ：第一の分割予定ライン
１２Ｂ：第二の分割予定ライン
１４：デバイス
２０：チャックテーブル
２１：吸着チャック
３０：ポリエチレンシート
４０：熱風吹付け手段
５０：加熱ローラ手段
５２：加熱ローラ
６０：切断手段
６２：ブレードカッター
７０、７０’：レーザー加工装置
７２：集光器
８０：分割装置
８２：押圧刃
８３：一対の支持部
１００：改質層
１１０：溝
１３０：分割線
10: wafer 12A: first division planned line 12B: second division planned line 14: device 20: chuck table 21: suction chuck 30: polyethylene sheet 40: hot air spraying means 50: heating roller means 52: heating roller 60 : Cutting means 62: Blade cutter 70, 70 ': Laser processing device 72: Light collector 80: Dividing device 82: Pressing blade 83: A pair of support portions 100: Modified layer 110: Groove 130: Dividing line
Claims (5)
ウエーハを収容する開口を有するフレームの該開口にウエーハを位置付けてウエーハの裏面とフレームの外周にポリオレフィン系シートを敷設するポリオレフィン系シート敷設工程と、
ポリオレフィン系シートを加熱し熱圧着してウエーハとフレームとをポリオレフィン系シートによって一体化する一体化工程と、
レーザー光線の集光点を第一の分割予定ライン及び第二の分割予定ラインに位置付けて照射して分割起点を形成する分割起点形成工程と、
第一の分割予定ラインに押圧刃を位置付けて外力を付与し第一の分割予定ラインを分割する第一の分割工程と、
第二の分割予定ラインに押圧刃を位置付けて外力を付与し第二の分割予定ラインを分割する第二の分割工程と、
から少なくとも構成され、
該第一の分割工程と該第二の分割工程とによってウエーハを個々のデバイスに分割するウエーハの加工方法。 A plurality of devices are defined by a first division line formed in a first direction and a second division line formed in a second direction intersecting the first direction and formed on the surface. A wafer processing method for dividing a wafer into individual devices,
A polyolefin sheet laying step in which a wafer is positioned in the opening of a frame having an opening for accommodating a wafer, and a polyolefin sheet is laid on the back surface of the wafer and the outer periphery of the frame;
An integration process in which the polyolefin sheet is heated and thermocompression bonded to integrate the wafer and the frame with the polyolefin sheet;
A split starting point forming step of forming a split starting point by irradiating a laser beam condensing point on the first split planned line and the second planned split line,
A first dividing step of positioning the pressing blade on the first division line and applying an external force to divide the first division line;
A second dividing step of positioning the pressing blade on the second scheduled division line and applying an external force to divide the second scheduled division line;
Consisting of at least
A wafer processing method in which a wafer is divided into individual devices by the first dividing step and the second dividing step.
The wafer processing method according to claim 1, wherein the wafer is formed of any one of a silicon substrate, a sapphire substrate, a silicon carbide substrate, and a glass substrate.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018081725A JP2019192717A (en) | 2018-04-20 | 2018-04-20 | Method of processing wafer |
| KR1020190037341A KR20190122551A (en) | 2018-04-20 | 2019-03-29 | Wafer processing method |
| CN201910283541.2A CN110391182B (en) | 2018-04-20 | 2019-04-10 | Wafer processing method |
| TW108113334A TWI785231B (en) | 2018-04-20 | 2019-04-17 | Wafer Processing Method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018081725A JP2019192717A (en) | 2018-04-20 | 2018-04-20 | Method of processing wafer |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2019192717A true JP2019192717A (en) | 2019-10-31 |
Family
ID=68284289
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2018081725A Pending JP2019192717A (en) | 2018-04-20 | 2018-04-20 | Method of processing wafer |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2019192717A (en) |
| KR (1) | KR20190122551A (en) |
| CN (1) | CN110391182B (en) |
| TW (1) | TWI785231B (en) |
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10985067B2 (en) | 2019-04-10 | 2021-04-20 | Disco Corporation | Wafer processing method using a laser beam dividing step |
| US10998232B2 (en) | 2019-03-05 | 2021-05-04 | Disco Corporation | Wafer processing method of uniting a wafer and a ring frame using a polyolefin sheet |
| US11004744B2 (en) | 2019-02-15 | 2021-05-11 | Disco Corporation | Wafer processing method for dividing a wafer along predefined division lines |
| JP2021077720A (en) * | 2019-11-07 | 2021-05-20 | 株式会社ディスコ | Wafer processing method |
| US11024543B2 (en) | 2019-04-10 | 2021-06-01 | Disco Corporation | Wafer processing method including applying a polyester sheet to a wafer |
| US11049757B2 (en) | 2019-02-15 | 2021-06-29 | Disco Corporation | Wafer processing method including applying a polyester sheet to a wafer |
| US11049772B2 (en) | 2019-03-05 | 2021-06-29 | Disco Corporation | Wafer processing method including applying a polyester sheet to a wafer |
| US11251082B2 (en) | 2019-05-10 | 2022-02-15 | Disco Corporation | Wafer processing method |
| US11289379B2 (en) | 2019-08-07 | 2022-03-29 | Disco Corporation | Wafer processing method |
| US11302578B2 (en) | 2019-05-10 | 2022-04-12 | Disco Corporation | Wafer processing method |
| US11322407B2 (en) | 2019-10-10 | 2022-05-03 | Disco Corporation | Wafer processing method including applying a polyester sheet to a wafer |
| US11361997B2 (en) | 2019-06-07 | 2022-06-14 | Disco Corporation | Wafer processing method including uniting a wafer, ring frame and a polyolefin sheet without using an adhesive layer |
| US11380587B2 (en) | 2019-06-07 | 2022-07-05 | Disco Corporation | Wafer processing method including uniting a wafer, a ring frame and a polyester sheet without using an adhesive layer |
| US11380588B2 (en) | 2019-10-17 | 2022-07-05 | Disco Corporation | Wafer processing method including uniting a wafer, a ring frame and a polyester sheet without using an adhesive layer |
| US11393721B2 (en) | 2019-09-11 | 2022-07-19 | Disco Corporation | Wafer processing method |
| US11476161B2 (en) | 2019-09-11 | 2022-10-18 | Disco Corporation | Wafer processing method including applying a polyolefin sheet to a wafer |
| US11587832B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-02-21 | Disco Corporation | Wafer processing method including uniting wafer, ring frame and polyolefin sheet without using an adhesive layer |
| US11594454B2 (en) | 2019-08-07 | 2023-02-28 | Disco Corporation | Wafer processing method including uniting wafer, ring frame and polyolefin sheet without using an adhesive layer |
| US11610815B2 (en) | 2019-10-10 | 2023-03-21 | Disco Corporation | Wafer processing method including uniting wafer, ring frame, and polyolefin sheet without using an adhesive layer |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7430515B2 (en) * | 2019-11-06 | 2024-02-13 | 株式会社ディスコ | Wafer processing method |
| CN111516161A (en) * | 2020-04-13 | 2020-08-11 | 江苏高照新能源发展有限公司 | Preparation method of pulley sheet of diamond wire cutting machine |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58153352A (en) * | 1982-03-09 | 1983-09-12 | Toshiba Corp | Manufacture of semiconductor device |
| JPS59152639A (en) * | 1983-02-21 | 1984-08-31 | Nec Home Electronics Ltd | Method for provisional fixing of semiconductor wafer |
| JP2005191297A (en) * | 2003-12-25 | 2005-07-14 | Jsr Corp | Dicing film and cutting method of semiconductor wafer |
| JP2007165636A (en) * | 2005-12-14 | 2007-06-28 | Nippon Zeon Co Ltd | Method for manufacturing semiconductor element |
| JP2012119670A (en) * | 2010-11-12 | 2012-06-21 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Method and apparatus for dividing semiconductor wafer |
| JP2012124199A (en) * | 2010-12-06 | 2012-06-28 | Disco Abrasive Syst Ltd | Method for processing plate-like object |
| JP2014165436A (en) * | 2013-02-27 | 2014-09-08 | Disco Abrasive Syst Ltd | Processing method of wafer |
| JP2017147361A (en) * | 2016-02-18 | 2017-08-24 | 株式会社ディスコ | Wafer processing method |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3276506B2 (en) * | 1994-03-16 | 2002-04-22 | 株式会社日立製作所 | Method for manufacturing semiconductor device |
| JPH10305420A (en) | 1997-03-04 | 1998-11-17 | Ngk Insulators Ltd | Method for fabricating matrix made up of oxide single crystal and method for manufacturing functional device |
| JP3408805B2 (en) | 2000-09-13 | 2003-05-19 | 浜松ホトニクス株式会社 | Cutting origin region forming method and workpiece cutting method |
-
2018
- 2018-04-20 JP JP2018081725A patent/JP2019192717A/en active Pending
-
2019
- 2019-03-29 KR KR1020190037341A patent/KR20190122551A/en not_active Application Discontinuation
- 2019-04-10 CN CN201910283541.2A patent/CN110391182B/en active Active
- 2019-04-17 TW TW108113334A patent/TWI785231B/en active
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58153352A (en) * | 1982-03-09 | 1983-09-12 | Toshiba Corp | Manufacture of semiconductor device |
| JPS59152639A (en) * | 1983-02-21 | 1984-08-31 | Nec Home Electronics Ltd | Method for provisional fixing of semiconductor wafer |
| JP2005191297A (en) * | 2003-12-25 | 2005-07-14 | Jsr Corp | Dicing film and cutting method of semiconductor wafer |
| JP2007165636A (en) * | 2005-12-14 | 2007-06-28 | Nippon Zeon Co Ltd | Method for manufacturing semiconductor element |
| JP2012119670A (en) * | 2010-11-12 | 2012-06-21 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Method and apparatus for dividing semiconductor wafer |
| JP2012124199A (en) * | 2010-12-06 | 2012-06-28 | Disco Abrasive Syst Ltd | Method for processing plate-like object |
| JP2014165436A (en) * | 2013-02-27 | 2014-09-08 | Disco Abrasive Syst Ltd | Processing method of wafer |
| JP2017147361A (en) * | 2016-02-18 | 2017-08-24 | 株式会社ディスコ | Wafer processing method |
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11004744B2 (en) | 2019-02-15 | 2021-05-11 | Disco Corporation | Wafer processing method for dividing a wafer along predefined division lines |
| US11049757B2 (en) | 2019-02-15 | 2021-06-29 | Disco Corporation | Wafer processing method including applying a polyester sheet to a wafer |
| US10998232B2 (en) | 2019-03-05 | 2021-05-04 | Disco Corporation | Wafer processing method of uniting a wafer and a ring frame using a polyolefin sheet |
| US11049772B2 (en) | 2019-03-05 | 2021-06-29 | Disco Corporation | Wafer processing method including applying a polyester sheet to a wafer |
| US10985067B2 (en) | 2019-04-10 | 2021-04-20 | Disco Corporation | Wafer processing method using a laser beam dividing step |
| US11024543B2 (en) | 2019-04-10 | 2021-06-01 | Disco Corporation | Wafer processing method including applying a polyester sheet to a wafer |
| US11302578B2 (en) | 2019-05-10 | 2022-04-12 | Disco Corporation | Wafer processing method |
| US11251082B2 (en) | 2019-05-10 | 2022-02-15 | Disco Corporation | Wafer processing method |
| US11380587B2 (en) | 2019-06-07 | 2022-07-05 | Disco Corporation | Wafer processing method including uniting a wafer, a ring frame and a polyester sheet without using an adhesive layer |
| US11361997B2 (en) | 2019-06-07 | 2022-06-14 | Disco Corporation | Wafer processing method including uniting a wafer, ring frame and a polyolefin sheet without using an adhesive layer |
| US11289379B2 (en) | 2019-08-07 | 2022-03-29 | Disco Corporation | Wafer processing method |
| US11594454B2 (en) | 2019-08-07 | 2023-02-28 | Disco Corporation | Wafer processing method including uniting wafer, ring frame and polyolefin sheet without using an adhesive layer |
| US11393721B2 (en) | 2019-09-11 | 2022-07-19 | Disco Corporation | Wafer processing method |
| US11476161B2 (en) | 2019-09-11 | 2022-10-18 | Disco Corporation | Wafer processing method including applying a polyolefin sheet to a wafer |
| US11322407B2 (en) | 2019-10-10 | 2022-05-03 | Disco Corporation | Wafer processing method including applying a polyester sheet to a wafer |
| US11610815B2 (en) | 2019-10-10 | 2023-03-21 | Disco Corporation | Wafer processing method including uniting wafer, ring frame, and polyolefin sheet without using an adhesive layer |
| US11380588B2 (en) | 2019-10-17 | 2022-07-05 | Disco Corporation | Wafer processing method including uniting a wafer, a ring frame and a polyester sheet without using an adhesive layer |
| US11587832B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-02-21 | Disco Corporation | Wafer processing method including uniting wafer, ring frame and polyolefin sheet without using an adhesive layer |
| JP2021077720A (en) * | 2019-11-07 | 2021-05-20 | 株式会社ディスコ | Wafer processing method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN110391182B (en) | 2024-08-20 |
| TW201944485A (en) | 2019-11-16 |
| CN110391182A (en) | 2019-10-29 |
| KR20190122551A (en) | 2019-10-30 |
| TWI785231B (en) | 2022-12-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN110391182B (en) | Wafer processing method | |
| CN110391139B (en) | Wafer processing method | |
| JP7286245B2 (en) | Wafer processing method | |
| JP7246825B2 (en) | Wafer processing method | |
| JP7330616B2 (en) | Wafer processing method | |
| JP7282456B2 (en) | Wafer processing method | |
| CN110429062B (en) | Wafer processing method | |
| JP7305268B2 (en) | Wafer processing method | |
| JP7277019B2 (en) | Wafer processing method | |
| JP7301480B2 (en) | Wafer processing method | |
| JP7383338B2 (en) | Wafer processing method | |
| JP7286247B2 (en) | Wafer processing method | |
| JP7282455B2 (en) | Wafer processing method | |
| JP7330615B2 (en) | Wafer processing method | |
| JP7387228B2 (en) | Wafer processing method | |
| JP7313767B2 (en) | Wafer processing method | |
| JP7305270B2 (en) | Wafer processing method | |
| JP7305269B2 (en) | Wafer processing method | |
| JP7277020B2 (en) | Wafer processing method | |
| JP7305261B2 (en) | Wafer processing method | |
| JP7171136B2 (en) | Wafer processing method | |
| JP7350431B2 (en) | Wafer processing method | |
| JP7305259B2 (en) | Wafer processing method | |
| JP7286241B2 (en) | Wafer processing method | |
| JP7317445B2 (en) | Wafer processing method |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210203 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220113 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220301 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220425 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220913 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20230307 |