JP3264995B2 - Liquid crystal display - Google Patents

Liquid crystal display

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JP3264995B2
JP3264995B2 JP25693992A JP25693992A JP3264995B2 JP 3264995 B2 JP3264995 B2 JP 3264995B2 JP 25693992 A JP25693992 A JP 25693992A JP 25693992 A JP25693992 A JP 25693992A JP 3264995 B2 JP3264995 B2 JP 3264995B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、一対の電極間に液晶組
成物が保持された液晶表示装置に係り、特にその電極構
造に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device in which a liquid crystal composition is held between a pair of electrodes, and more particularly to an electrode structure thereof.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、液晶表示装置は、小型、軽量、低
消費電力の特徴を生かして、テレビ表示、グラフィック
表示用として種々の分野で利用されるようになってき
た。
2. Description of the Related Art In recent years, liquid crystal display devices have been used in various fields for television display and graphic display, taking advantage of their features of small size, light weight and low power consumption.

【0003】液晶表示装置としては、例えば液晶組成物
を一対のマトリクス状に配置されるストライプ状電極の
間に挾持して成る単純マトリクス型の他に、各表示画素
毎にスイッチング素子が設けられて成るアクティブマト
リクス型等の種々のものがある。
As a liquid crystal display device, for example, in addition to a simple matrix type in which a liquid crystal composition is sandwiched between a pair of striped electrodes arranged in a matrix, a switching element is provided for each display pixel. There are various types such as an active matrix type.

【0004】しかし、これら液晶表示装置のいずれにも
要求されることは、少なくとも一方の電極基板を透明に
形成することである。即ち、基板は勿論のこと、電極を
透光性にする必要がある。
However, what is required for any of these liquid crystal display devices is that at least one of the electrode substrates is formed to be transparent. That is, it is necessary to make the electrodes as well as the substrate light-transmitting.

【0005】一般に、透明な電極材料としては、例えば
NESA(酸化スズ)膜、I.T.O.(Indium Tin O
xide)膜等が良く知られている。特にI.T.O.膜
は、フォトエッチングプロセス等によるパターニングが
他の透明電極材料に比べて容易であることに加え、光透
過率、導電率が共に高いことから、透明電極材料として
の需要は増加の一途をたどっている。
[0005] In general, transparent electrode materials include, for example, NESA (tin oxide) film, I.O. T. O. (Indium Tin O
xide) Films and the like are well known. In particular, I. T. O. The demand for a transparent electrode material is steadily increasing because the film is easier to pattern by a photo-etching process and the like, and also has a higher light transmittance and higher conductivity than other transparent electrode materials. I have.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した
I.T.O.膜にはインジウム(In)が使用されてい
るが、このインジウム(In)は非常に希少な金属であ
り、また回収も困難であることから、近年ではI.T.
O.膜に代わる透明電極材料の開発が盛んに進められて
いる。
The above-mentioned I.D. T. O. Indium (In) is used for the film. However, indium (In) is a very rare metal and is difficult to recover. T.
O. The development of transparent electrode materials in place of films has been actively pursued.

【0007】本発明は、上記した課題に鑑がみなされた
もので、光透過率に優れたI.T.O.膜に代わる電極
を備えた液晶表示装置を提供することを目的としたもの
である。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-described problems, and has been made in consideration of the problems described above. T. O. It is an object of the present invention to provide a liquid crystal display device having an electrode instead of a film.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明は、第1の電極が
形成された第1の電極基板と、第2の電極が形成された
第2の電極基板と、前記第1の電極と前記第2の電極と
の間に保持された液晶組成物とを備え、前記第1の電極
と前記第2の電極との交差部分を表示画素と成す液晶表
示装置において、前記表示画素における前記第1の電極
と前記第2の電極の少なくとも一方は、インジウムを含
まない材料からなり、5乃至40ミクロンのピッチで形
成され且つ少なくとも2辺が前記第1の電極基板と前記
第2の電極基板の対角線方向に略平行に配置された複数
の透光孔を有する遮光性導電体からなることを特徴とし
ている。
The present invention provides a first electrode substrate on which a first electrode is formed, a second electrode substrate on which a second electrode is formed, A liquid crystal display device comprising: a liquid crystal composition held between the first electrode and the second electrode; and a liquid crystal display device having a display pixel at an intersection of the first electrode and the second electrode. At least one of the first electrode and the second electrode is made of a material that does not contain indium, is formed at a pitch of 5 to 40 microns, and has at least two sides of the first electrode substrate and the second electrode.
The second electrode substrate is made of a light-shielding conductor having a plurality of light-transmitting holes arranged substantially parallel to a diagonal direction of the second electrode substrate .

【0009】また、本発明は、第1の電極が形成された
第1の電極基板と、第2の電極が形成された第2の電極
基板と、前記第1の電極と前記第2の電極との間に保持
された液晶組成物とを備え、前記第1の電極と前記第2
の電極との交差部分を表示画素と成す液晶表示装置にお
いて、前記表示画素における前記第1の電極と前記第2
の電極の少なくとも一方は、インジウムを含まない材料
からなり、5乃至40ミクロンのピッチで形成され且つ
少なくとも2辺が前記第1の電極基板と前記第2の電極
基板の対角線方向に略平行に配置された複数の透光用ス
リットを有する遮光性導電体からなることを特徴として
いる。
Further, the present invention provides a first electrode substrate on which a first electrode is formed, a second electrode substrate on which a second electrode is formed, the first electrode and the second electrode. And a liquid crystal composition held between the first electrode and the second electrode.
In a liquid crystal display device in which a display pixel is formed at an intersection with an electrode of the first electrode and the second electrode of the display pixel,
At least one of the electrodes is made of an indium-free material, is formed at a pitch of 5 to 40 microns, and
At least two sides have the first electrode substrate and the second electrode
It is characterized by comprising a light-shielding conductor having a plurality of light-transmitting slits arranged substantially parallel to the diagonal direction of the substrate .

【0010】[0010]

【作用】上記したように、本発明の液晶表示装置は、一
対の電極の少なくとも一方が透光孔あるいは透光用スリ
ットを有する遮光性導電体を備えている。
As described above, the liquid crystal display of the present invention has a light-shielding conductor in which at least one of the pair of electrodes has a light-transmitting hole or a light-transmitting slit.

【0011】電極に透光孔あるいは透光用スリットを設
けることにより、遮光性導電体で電極を構成した場合で
あっても、十分な光透過率が得られる。そして、電極に
透光孔あるいは透光用スリットを設けても、電極の透光
孔あるいは透光用スリット内部の液晶組成物も十分に応
答することが確認された。
By providing a light-transmitting hole or a light-transmitting slit in the electrode, a sufficient light transmittance can be obtained even when the electrode is made of a light-shielding conductor. Then, it was confirmed that even when the light transmitting hole or the light transmitting slit was provided in the electrode, the liquid crystal composition inside the light transmitting hole or the light transmitting slit of the electrode responded sufficiently.

【0012】このように電極に透光孔あるいは透光用ス
リットを設けた場合、透光孔あるいは透光用スリット内
部の液晶組成物が応答する原理については定かではない
が、電極からの電気力線および電荷の蓄積によるものと
考えられる。
When the electrode is provided with the light-transmitting hole or the light-transmitting slit, the principle of the response of the liquid crystal composition inside the light-transmitting hole or the light-transmitting slit is not clear, but the electric force from the electrode is not clear. It is thought to be due to line and charge accumulation.

【0013】図11は、縦軸に四角形状に形成された透
光孔内部の絶縁領域に接する液晶組成物の光学応答の割
合をとり、横軸に透光孔ピッチをとり示したものであ
る。そして、図中曲線(a)は応答速度50msecで駆動さ
せた場合を、図中曲線(b)は応答速度100msec で駆動
させた場合を、図中曲線(c)は応答速度200msec で駆
動させた場合をそれぞれ示している。尚、本明細書にお
ける透光孔ピッチあるいは透光用スリットピッチとは、
隣接する透光孔あるいは透光用スリットの重心間距離を
示すものとする。
FIG. 11 shows the ratio of the optical response of the liquid crystal composition in contact with the insulating region inside the rectangular light-transmitting hole on the vertical axis, and the light-transmitting hole pitch on the horizontal axis. . The curve (a) in the figure shows the case where the motor was driven at a response speed of 50 msec, the curve (b) in the diagram shows the case where the motor was driven at a response speed of 100 msec, and the curve (c) in the diagram shows the case where the motor was driven at a response speed of 200 msec. Each case is shown. Incidentally, the light transmission hole pitch or light transmission slit pitch in the present specification,
It indicates the distance between the centers of gravity of adjacent light transmitting holes or light transmitting slits.

【0014】この図から、特に透光孔ピッチを15ミクロ
ン以下とすることにより、応答速度50msecといった高速
駆動した場合であっても、60%以上の液晶組成物の応答
が可能であることが理解できる。
From this figure, it can be understood that the response of the liquid crystal composition can be 60% or more even when the light-transmitting hole pitch is set to 15 μm or less, even when driven at a high response speed of 50 msec. it can.

【0015】このようなことから、実用上では透光孔ピ
ッチあるいは透光用スリットピッチは、 5〜40ミクロン
とすると良く、5 〜15ミクロンがより好ましい。このピ
ッチが 5ミクロンよりも小さいと、遮光性導電体のパタ
ーニング精度が低下し、断線、孔明け不良等を引き起こ
す恐れがある。また、ピッチが40ミクロンよりも大きい
と、液晶組成物の光学応答の割合が低下し、良好な表示
画像が得られなくなる恐れがある。
In view of the above, the pitch of the light-transmitting holes or the pitch of the light-transmitting slits is practically preferably 5 to 40 microns, more preferably 5 to 15 microns. If the pitch is smaller than 5 microns, the patterning accuracy of the light-shielding conductor is reduced, and there is a possibility that disconnection, poor drilling and the like may occur. On the other hand, if the pitch is larger than 40 microns, the ratio of the optical response of the liquid crystal composition decreases, and a good display image may not be obtained.

【0016】そして、上述した透光孔あるいは透光用ス
リットを有する遮光性導電体の隣接する透光孔あるいは
透光用スリット間の線幅としては、液晶表示装置として
の開口率が最大となるように調整すると良い。尚、透光
用スリット間の線幅としては、 5ミクロン以下とすれ
ば、比較的容易に液晶表示装置の開口率を60%以上とす
ることができる。
As for the line width between the adjacent light-transmitting holes or light-transmitting slits of the light-shielding conductor having the light-transmitting holes or the light-transmitting slits, the aperture ratio of the liquid crystal display device is maximized. Should be adjusted as follows. If the line width between the light-transmitting slits is 5 μm or less, the aperture ratio of the liquid crystal display device can be relatively easily increased to 60% or more.

【0017】また、透光孔あるいは透光用スリットの配
置としては、ラビング処理方向と少なくとも2辺が略平
行となるように透光孔を配置する、あるいはラビング処
理方向と略平行となるように透光用スリットを配置する
と良い。このように透光孔あるいは透光用スリットを配
置させることにより、ラビング処理方向に対して角度を
もって接する遮光性導電体の輪郭を低減させることがで
きるため、配向不良が生じることがない。
The light-transmitting holes or the light-transmitting slits may be arranged such that at least two sides are substantially parallel to the rubbing direction or to be substantially parallel to the rubbing direction. It is good to arrange a slit for light transmission. By arranging the light-transmitting holes or the light-transmitting slits as described above, the contour of the light-shielding conductor that is in contact with the rubbing direction at an angle can be reduced, so that poor alignment does not occur.

【0018】この作用について、図12,図13を参照
して更に詳細に説明する。液晶表示装置のマトリクスア
レイ基板に設置される画素電極を図13に示すような正
方形の透光孔(611) を有する遮光性導電体(601) で構成
し、透光孔(611) の対角線がラビング処理方向と一致す
るように配置した場合、ラビング処理方向に対して角度
をもって接する遮光性導電体(601) の輪郭近傍部分(62
1) で配向不良が生じる。これは、遮光性導電体(601)
の存在する領域と、遮光性導電体(601) の存在しない領
域とでは配向膜の高さが異なることから、ラビング処理
方向に対して角度をもって接する遮光性導電体(601) の
輪郭近傍部分(621) では、配向膜に十分配向処理が施さ
れないためと考えられる。
This operation will be described in more detail with reference to FIGS. The pixel electrodes provided on the matrix array substrate of the liquid crystal display device are composed of a light-shielding conductor (601) having a square light-transmitting hole (611) as shown in FIG. 13, and the diagonal line of the light-transmitting hole (611) is When arranged so as to coincide with the rubbing processing direction, a portion (62) near the contour of the light-shielding conductor (601) that contacts the rubbing processing direction at an angle
Poor alignment occurs in 1). This is a light-shielding conductor (601)
And the region where the light-shielding conductor (601) does not exist, the height of the alignment film is different. In 621), it is considered that the alignment film is not sufficiently subjected to the alignment treatment.

【0019】これに対して、図12に示すように、少な
くとも透光孔(711) の2辺がラビング処理方向に対して
略平行となるように透光孔(711) を有する遮光性導電体
(701) を構成すれば、ラビング処理方向に対して角度を
もって接する遮光性導電体(701) の輪郭近傍部分(721)
を低減させることができ、これにより配向不良を抑える
ことができる。
On the other hand, as shown in FIG. 12, a light-shielding conductor having a light transmitting hole (711) such that at least two sides of the light transmitting hole (711) are substantially parallel to the rubbing direction.
If (701) is configured, a portion (721) near the contour of the light-shielding conductor (701) contacting at an angle to the rubbing direction
Can be reduced, whereby poor alignment can be suppressed.

【0020】また、液晶表示装置の少なくとも一方の電
極を、透光孔あるいは透光用スリットを有する遮光性導
電体と、遮光性導電体よりも高抵抗の透明抵抗体とで構
成しても良い。このような積層構造とすることにより、
透光孔あるいは透光用スリットを40ミクロン程度にまで
大きなものにできるため、液晶表示装置として十分な応
答速度を確保しつつ、一層開口率を向上させることがで
きる。
Further, at least one electrode of the liquid crystal display device may be constituted by a light-shielding conductor having a light-transmitting hole or a light-transmitting slit, and a transparent resistor having a higher resistance than the light-shielding conductor. . With such a laminated structure,
Since the light-transmitting hole or the light-transmitting slit can be made as large as about 40 microns, the aperture ratio can be further improved while securing a sufficient response speed as a liquid crystal display device.

【0021】本発明における遮光性導電体としては、例
えば金属、合金、非晶質体もしくは多結晶体等が挙げら
れる。金属としては、特に導電率が高くパターニングが
容易なアルミニウム(Al),タンタル(Ta)等が、
非晶質体あるいは多結晶体としては均一に容易に製造す
ることができるアモルファスシリコン(a−Si)、ポ
リシリコン(p−Si)等が挙げられる。
As the light-shielding conductor in the present invention, for example, a metal, an alloy, an amorphous body, a polycrystal, or the like can be used. Examples of the metal include aluminum (Al) and tantalum (Ta), which have particularly high conductivity and are easy to pattern.
Examples of the amorphous body or the polycrystalline body include amorphous silicon (a-Si) and polysilicon (p-Si) which can be easily and uniformly manufactured.

【0022】本発明における透明抵抗体としては、例え
ば酸化タンタル,酸化タングステン,酸化モリブデン、
酸化亜鉛等が使用可能であり、体積抵抗値としては10〜
106Ω・cm程度が好ましい。以下、本発明について実施
例を参照して詳細に説明する。
As the transparent resistor in the present invention, for example, tantalum oxide, tungsten oxide, molybdenum oxide,
Zinc oxide etc. can be used, and the volume resistance value is 10 ~
It is preferably about 106 Ω · cm. Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to examples.

【0023】[0023]

【実施例】図1は、本発明の第1の実施例の液晶表示装
置(1) のマトリクスアレイ基板(71)の概略構成図を示
し、図2は図1におけるAA’線に沿って切断した液晶
表示装置(1) の概略断面図を示している。
FIG. 1 is a schematic structural view of a matrix array substrate (71) of a liquid crystal display (1) according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a sectional view taken along the line AA 'in FIG. 1 shows a schematic cross-sectional view of a liquid crystal display device (1).

【0024】透明なガラス基板(11)上には複数本の信号
電極(21)と走査電極(31)とがマトリクス状に設置されて
おり、各交点部分にはチャンネル領域(41a) がアモルフ
ァスシリコン(a-Si)膜から成る薄膜トランジスタ(41)
を介して、透光孔(52)を有する遮光性導電体(53)から成
る画素電極(51)に接続されている。遮光性導電体(53)は
光線を遮光する材料或は、光線を減衰させる導電性の材
料から作られた膜、例えば、a-Si膜から成り、透光孔(5
2)は四角形状で、透光孔ピッチ(P1)15ミクロンで構成
されると共に、 4ミクロンの線幅で複数が配置されて成
っている。そして、この上に、所定方向にラビング処理
された配向膜(61)が設置されてマトリクスアレイ基板(7
1)は構成されている。また、透明なガラス基板(111) 上
にI.T.O.膜から成る共通電極(151) 、配向膜(16
1) が順次設置されて対向電極基板(171) は構成されて
いる。
A plurality of signal electrodes (21) and scanning electrodes (31) are arranged in a matrix on a transparent glass substrate (11), and a channel region (41a) is formed of amorphous silicon at each intersection. Thin film transistor composed of (a-Si) film (41)
Is connected to a pixel electrode (51) made of a light-shielding conductor (53) having a light-transmitting hole (52). The light-shielding conductor (53) is made of a film made of a material that blocks light or a conductive material that attenuates light, for example, an a-Si film, and has a light-transmitting hole (5).
2) is a square shape having a light transmission hole pitch (P1) of 15 microns and a plurality of lines arranged at a line width of 4 microns. Then, on this, an alignment film (61) rubbed in a predetermined direction is provided, and a matrix array substrate (7
1) is composed. I.I. on a transparent glass substrate (111). T. O. Film common electrode (151), alignment film (16
The counter electrode substrate (171) is configured by sequentially installing 1).

【0025】このような構成の画素電極(51)と共通電極
(151) との間には、15ミクロンピッチで液晶組成物(10
1) が挾持され、更にマトリクスアレイ基板(71)および
対向電極基板(171) 外表面には偏光板(81),(181)がそれ
ぞれ設置されて液晶表示装置(1) は構成されている。液
晶組成物(101) が挾持されるピッチとしては、特に 5〜
10ミクロンピッチとすることにより、透光孔(52)内の液
晶組成物(101) をも十分に応答させることができる。
The pixel electrode (51) having such a structure and the common electrode
(151) and the liquid crystal composition (10
The liquid crystal display device (1) is constructed by sandwiching the first and second polarizers (81) and (181) on the outer surfaces of the matrix array substrate (71) and the counter electrode substrate (171). The pitch at which the liquid crystal composition (101) is sandwiched is preferably 5 to
By setting the pitch to 10 microns, the liquid crystal composition (101) in the light transmitting hole (52) can also respond sufficiently.

【0026】次に、図3を参照して、本実施例の液晶表
示装置(1) の製造方法について説明する。まず、図3
(a)に示すように、透明なガラス基板(11)上にタンタ
ル(Ta)膜をスパッタリングにより3000オングストロ
ームの膜厚で成膜し、フォトエッチングプロセスにより
複数本の走査電極(31)および走査電極(31)に接続される
ゲート電極(31a) を形成する。
Next, a method of manufacturing the liquid crystal display device (1) of this embodiment will be described with reference to FIG. First, FIG.
As shown in (a), a tantalum (Ta) film is formed on a transparent glass substrate (11) to a thickness of 3000 angstroms by sputtering, and a plurality of scan electrodes (31) and scan electrodes are formed by a photoetching process. A gate electrode (31a) connected to (31) is formed.

【0027】次に、SiOxから成る絶縁膜(35)を3500
オングストロームの膜厚で成膜し、更に薄膜トランジス
タ(41)のチャンネル領域(41a) となるa-Si膜をプラズマ
CVD法によって2000オングストロームの膜厚となるよ
うに順次形成し、パターニングすることにより、図3
(b)に示すような薄膜トランジスタ(41)のチャンネル
領域(41a) 、および透光孔ピッチ(P1)が15ミクロン、
4ミクロンの線幅で透光孔(52)を有する遮光性導電体(5
3)を画素電極(51)として形成する。この際、a-Si膜から
成る遮光性導電体(53)の膜厚としては、抵抗値の低減を
考慮して2000オングストローム以上とすることが特に好
ましい。
Next, an insulating film (35) made of SiOx is
By forming a film of Å in thickness, and further forming an a-Si film to be a channel region (41a) of the thin film transistor (41) to a thickness of 2,000 Å by plasma CVD, and patterning the film. 3
The channel region (41a) of the thin film transistor (41) as shown in (b), and the light transmission hole pitch (P1) is 15 microns,
A light-shielding conductor (5) having a light transmitting hole (52) with a line width of 4 microns
3) is formed as a pixel electrode (51). At this time, the thickness of the light-shielding conductor (53) made of an a-Si film is particularly preferably 2000 Å or more in consideration of a reduction in resistance.

【0028】次に、アルミニウム(Al)膜をスパッタ
リングにより5000オングストロームの膜厚となるように
被着させ、図3(c)に示す如くパターニングすること
により、信号電極(21)と薄膜トランジスタ(41)のチャン
ネル領域(41a) とを接続するためのドレイン電極(21a)
、画素電極(51)と薄膜トランジスタ(41)のチャンネル
領域(41a) とを接続するためのソース電極(51a) を形成
する。そして、図3(d)に示すように、配向膜(61)を
設置し、所定方向にラビング処理を施してマトリクスア
レイ基板(71)を構成することができる。
Next, an aluminum (Al) film is deposited by sputtering so as to have a thickness of 5000 angstroms, and is patterned as shown in FIG. 3 (c) to form a signal electrode (21) and a thin film transistor (41). Drain electrode (21a) for connecting to the channel region (41a) of the
Then, a source electrode (51a) for connecting the pixel electrode (51) and the channel region (41a) of the thin film transistor (41) is formed. Then, as shown in FIG. 3D, an orientation film (61) is provided, and a rubbing process is performed in a predetermined direction to form a matrix array substrate (71).

【0029】このような本発明の第1の実施例の液晶表
示装置(1) によれば、画素電極(51)が複数の透光孔(52)
を所定ピッチで有するa-Si膜から成る遮光性導電体(53)
によって構成されているため、希少な金属であるインジ
ウム(In)の使用量を低減させることができた。ま
た、白黒液晶表示装置(1) としての光透過率も17%であ
り、画素電極(51)をI.T.O.膜で構成した場合に比
べて遜色がなかった。特に、遮光性導電体(53)としてa-
Si膜を用いることにより、光照射時には抵抗値が大幅に
低減するため、電極材料としては非常に有用である。
According to the liquid crystal display device (1) of the first embodiment of the present invention, the pixel electrode (51) has a plurality of light transmitting holes (52).
Light-shielding conductor made of a-Si film having a predetermined pitch
Therefore, the amount of indium (In), which is a rare metal, can be reduced. The light transmittance of the black-and-white liquid crystal display device (1) is also 17%, and the pixel electrode (51) is set to I.D. T. O. There was no inferiority to the case where the film was used. In particular, a-
The use of a Si film greatly reduces the resistance value during light irradiation, and is therefore very useful as an electrode material.

【0030】更に、上述した実施例の液晶表示装置(1)
によれば、薄膜トランジスタ(41)のチャンネル領域(41
a) 形成時に同一工程にて製造することができるため、
画素電極(51)を個別に形成する場合に比べて製造工程を
低減させることもできる。
Further, the liquid crystal display device (1) of the embodiment described above
According to the channel region (41) of the thin film transistor (41)
a) Because it can be manufactured in the same process at the time of formation,
The number of manufacturing steps can be reduced as compared with the case where the pixel electrodes (51) are individually formed.

【0031】上述した第1の実施例では、配向膜(61)の
ラビング処理方向と遮光性導電体(53)に設けられた透光
孔(52)の配置とは、透光孔(52)のいずれの辺もラビング
処理方向と平行でないが、図4に示すように透光孔(52)
を配列させてマトリクスアレイ基板(72)を構成すること
により一層の効果が得られる。
In the first embodiment described above, the rubbing direction of the alignment film (61) and the arrangement of the light-transmitting holes (52) provided in the light-shielding conductor (53) are the same as those of the light-transmitting holes (52). Is not parallel to the rubbing direction, but as shown in FIG.
Are arranged to form a matrix array substrate (72), whereby a further effect can be obtained.

【0032】即ち、マトリクスアレイ基板(72)は、四角
形状の透光孔(52)の2辺が配向膜(61)のラビング処理方
向と一致する方向に配列されて成る画素電極(51)を備え
ている。
That is, the matrix array substrate (72) is provided with a pixel electrode (51) in which two sides of a rectangular light-transmitting hole (52) are arranged in a direction coinciding with the rubbing direction of the alignment film (61). Have.

【0033】このようなマトリクスアレイ基板(72)を用
いて液晶表示装置を構成することにより、上述した実施
例に加え、更に、ラビング処理方向に対して角度をもっ
て接する透光孔(52)の輪郭を低減させることができ、こ
れにより配向不良が解消され、実効的にコントラスト比
の大きな表示画像を得ることができる。
By constructing a liquid crystal display device using such a matrix array substrate (72), in addition to the above-described embodiment, the outline of the light-transmitting hole (52) contacting at an angle to the rubbing direction is further improved. Can be reduced, whereby defective alignment is eliminated, and a display image with a large contrast ratio can be obtained effectively.

【0034】遮光性導電体(53)に設けられる透光孔(52)
形状としては、上述した実施例にあるような四角形状以
外にも、図5に示すような六角形状の透光孔(52)として
も良く、このような形状としても、配向不良を解消し、
実効的なコントラスト比を大きくすることができる。
Light-transmitting hole (52) provided in light-shielding conductor (53)
As the shape, in addition to the square shape in the above-described embodiment, a hexagonal light-transmitting hole (52) as shown in FIG. 5 may be used.
The effective contrast ratio can be increased.

【0035】上述した実施例は、遮光性導電体(53)に透
光孔(52)が設けられて成る画素電極(51)が用いられた場
合を示したが、図6に示すような遮光性導電体(53)に透
光スリット(55)が設けられて成る画素電極(51)によって
マトリクスアレイ基板(73)を構成しても良い。
In the above-described embodiment, the case where the pixel electrode (51) in which the light-transmitting hole (52) is provided in the light-shielding conductor (53) is used is shown. The matrix array substrate (73) may be configured by the pixel electrode (51) in which the transparent conductor (53) is provided with the light-transmitting slit (55).

【0036】この画素電極(51)は、a-Si膜から成る遮光
性導電体(53)にラビング処理方向に沿ったスリットピッ
チ(P2)15ミクロンの複数の透光スリット(54)が設けら
れて成っており、ソース電極(51a) に電気的に接続され
ている。そして、この画素電極(51)を構成する遮光性導
電体(53)の線幅は 4ミクロンで構成されている。
In the pixel electrode (51), a plurality of light-transmitting slits (54) having a slit pitch (P2) of 15 microns along a rubbing direction are provided on a light-shielding conductor (53) made of an a-Si film. And is electrically connected to the source electrode (51a). The line width of the light-shielding conductor (53) constituting the pixel electrode (51) is 4 microns.

【0037】このようにして構成されたマトリクスアレ
イ基板(73)が用いられて成る液晶表示装置では、遮光性
導電体(53)間の液晶組成物は良好に光学応答し、上述し
た実施例と同様に優れた表示画像を得ることができた。
In the liquid crystal display device using the matrix array substrate (73) configured as described above, the liquid crystal composition between the light-shielding conductors (53) gives a good optical response, and the liquid crystal display device according to the above-described embodiment is different from the embodiment described above. Similarly, excellent display images could be obtained.

【0038】また、上述したように、a-Si膜から成る遮
光性導電体(53)に透光孔(52)を網目状に設ける場合に比
べて、画素電極(51)の開口率を向上させることができ、
これにより液晶表示装置の開口率を17%から25%に向上
させることができた。
Also, as described above, the aperture ratio of the pixel electrode (51) is improved as compared with the case where the light-transmitting holes (52) are provided in a mesh shape in the light-shielding conductor (53) made of an a-Si film. Can be
As a result, the aperture ratio of the liquid crystal display device could be improved from 17% to 25%.

【0039】ところで、本実施例では、いずれも画素電
極(51)を構成する遮光性導電体(53)としてa-Si膜を用い
る場合を示したが、このa-Si膜は赤色光を透過する性質
を有していることから、表示画像が全体として赤みを帯
びることがある。しかし、このような場合、光源の波長
を調整すること、あるいはフィルタ等を設けて赤色光を
抑えることにより、良好な表示画像を確保することがで
きる。
In this embodiment, the case where an a-Si film is used as the light-shielding conductor (53) constituting the pixel electrode (51) has been described, but this a-Si film transmits red light. Therefore, the displayed image may be reddish as a whole. However, in such a case, by adjusting the wavelength of the light source, or by providing a filter or the like to suppress the red light, a favorable display image can be secured.

【0040】また、遮光性導電体(53)として、上述した
a-Si膜以外の種々の遮光性導電体で構成することができ
るが、例えば薄膜トランジスタ(41)のソース電極(51a)
と一体に構成しても良い。このようにすれば、製造工程
を増加させることなく液晶表示装置を構成することがで
きる。次に、本発明の第2の実施例の液晶表示装置(3)
について、上述した第1の実施例と同一箇所には同一符
号を付して説明する。
The light-shielding conductor (53) is described above.
Although it can be composed of various light-shielding conductors other than the a-Si film, for example, the source electrode (51a) of the thin film transistor (41)
And may be configured integrally. With this configuration, the liquid crystal display device can be configured without increasing the number of manufacturing steps. Next, the liquid crystal display device (3) of the second embodiment of the present invention
In the following description, the same parts as those in the first embodiment will be denoted by the same reference numerals.

【0041】図7は、第2の実施例の液晶表示装置(3)
のマトリクスアレイ基板(74)の概略構成図を示し、図8
は図7におけるBB’線に沿って切断した液晶表示装置
(3)の概略断面図を示している。
FIG. 7 shows a liquid crystal display device (3) of the second embodiment.
FIG. 8 shows a schematic configuration diagram of a matrix array substrate (74) of FIG.
Is a liquid crystal display device cut along the line BB 'in FIG.
FIG. 3 shows a schematic sectional view of (3).

【0042】透明なガラス基板(11)上には複数本の信号
電極(21)と走査電極(31)とがマトリクス状に設置されて
いる。そして、これら各交点部分には、薄膜トランジス
タ(41)を介して画素電極(51)が接続設置されている。こ
の画素電極(51)は、酸化タンタル膜から成る透明抵抗体
(55)と、この透明抵抗体(55)上に略正方形状の複数の透
光孔(52)が配設されたアルミニウム(Al)から成る遮
光性導電体(53)とによって構成されている。透光孔(52)
は、透光孔ピッチが20ミクロン、遮光性導電体(53)の線
幅が 5ミクロンで構成され、配向膜(61)のラビング処理
方向と透光孔(52)の2辺が平行となるように配置されて
いる。また、透明なガラス基板(11)上にI.T.O.膜
から成る共通電極(151) 、配向膜(161) が順次設置され
て対向電極基板(171) は構成されている。
A plurality of signal electrodes (21) and scanning electrodes (31) are arranged in a matrix on a transparent glass substrate (11). A pixel electrode (51) is connected to each of these intersections via a thin film transistor (41). This pixel electrode (51) is a transparent resistor made of a tantalum oxide film.
(55) and a light-shielding conductor (53) made of aluminum (Al) in which a plurality of substantially square light-transmitting holes (52) are disposed on the transparent resistor (55). . Translucent hole (52)
Has a light-transmitting hole pitch of 20 microns and a light-shielding conductor (53) having a line width of 5 microns, and the rubbing direction of the alignment film (61) is parallel to two sides of the light-transmitting hole (52). Are arranged as follows. I.I. on a transparent glass substrate (11). T. O. A common electrode (151) made of a film and an alignment film (161) are sequentially provided to constitute a counter electrode substrate (171).

【0043】そして、このような構成の画素電極(51)と
共通電極(151) との間には、10ミクロンのピッチで液晶
組成物(101) が挾持され、更にマトリクスアレイ基板(7
4)および対向電極基板(171) 外表面には偏光板(81),(18
1)がそれぞれ設置されて液晶表示装置(3) は構成されて
いる。
A liquid crystal composition (101) is sandwiched between the pixel electrode (51) having such a configuration and the common electrode (151) at a pitch of 10 μm.
4) and counter electrode substrate (171) Polarizing plates (81), (18)
The liquid crystal display device (3) is configured by each of the devices 1).

【0044】次に、本実施例の液晶表示装置(3) の製造
方法について簡単に説明する。まず、図9(a)に示す
ように、透明なガラス基板(11)上にタンタル(Ta)膜
をスパッタリングにより3000オングストロームの膜厚で
成膜し、フォトエッチングプロセスにより複数本の走査
電極(31)および走査電極(31)に接続されるゲート電極(3
1a) を形成する。
Next, a method of manufacturing the liquid crystal display device (3) of this embodiment will be briefly described. First, as shown in FIG. 9A, a tantalum (Ta) film is formed on a transparent glass substrate (11) to a thickness of 3000 angstroms by sputtering, and a plurality of scanning electrodes (31) are formed by a photo-etching process. ) And the gate electrode (3
1a) is formed.

【0045】次に、同図中(b)に示すようにゲート絶
縁膜(35)としてSiOxを3500オングストロームの膜厚
で成膜し、更に薄膜トランジスタ(41)のチャンネル領域
(40)となるa-Si膜をプラズマCVD法によって2000オン
グストロームの膜厚となるように順次形成し、パターニ
ングすることにより、薄膜トランジスタ(41)のチャンネ
ル領域(41a) を形成する。
Next, as shown in FIG. 3B, SiOx is formed to a thickness of 3500 Å as a gate insulating film (35), and further, a channel region of the thin film transistor (41) is formed.
An a-Si film serving as (40) is formed sequentially by a plasma CVD method so as to have a thickness of 2000 Å, and is patterned to form a channel region (41a) of the thin film transistor (41).

【0046】そして、同図中(c)に示すように、画素
電極(51)を構成するため酸化タンタル膜をスパッタリン
グによって1000オングストロームの膜厚で形成し、島状
にパターニングして透明抵抗体(55)を形成する。更に、
Al膜をスパッタリングにより5000オングストロームの膜
厚となるように被着させ、パターニングして信号電極(2
1)と薄膜トランジスタ(41)とを接続するためのドレイン
電極(21a) を形成すると共に、薄膜トランジスタ(41)に
接続されたソース電極(51a) と一体の透光孔(52)を有す
る遮光性導電体(53)を形成する。
Then, as shown in FIG. 2C, a tantalum oxide film is formed to a thickness of 1000 Å by sputtering to form the pixel electrode (51), and is patterned in an island shape to form a transparent resistor ( 55). Furthermore,
An Al film is deposited by sputtering to a thickness of 5000 angstroms, patterned, and signal electrodes (2
1) forming a drain electrode (21a) for connecting the thin film transistor (41) to the thin film transistor (41), and having a light transmitting hole (52) integral with the source electrode (51a) connected to the thin film transistor (41). Forming the body (53).

【0047】そして、図示しないが、この上に配向膜(6
1)を設置し、透光孔(52)の2辺に略平行な方向に沿って
配向膜(61)にラビング処理を施してマトリクスアレイ基
板(74)を構成する。
Although not shown, an alignment film (6
1) is provided, and a rubbing process is performed on the alignment film (61) along a direction substantially parallel to two sides of the light transmitting hole (52) to form a matrix array substrate (74).

【0048】このような液晶表示装置(3) によれば、画
素電極(51)が酸化タンタル膜から成る透明抵抗体(55)と
アルミニウム(Al)膜から成り複数の透光孔(52)を備
えた遮光性導電体(53)との積層構造で構成されているた
め、希少な金属であるインジウム(In)の使用量を大
幅に低減させることができた。
According to such a liquid crystal display device (3), the pixel electrode (51) is made of a transparent resistor (55) made of a tantalum oxide film and a plurality of light transmitting holes (52) made of an aluminum (Al) film. Because of the laminated structure with the provided light-shielding conductor (53), the amount of indium (In), which is a rare metal, could be significantly reduced.

【0049】そして、本実施例の液晶表示装置(3) は、
上述した第1の実施例の液晶表示装置(1) の光透過率が
17%であったのに対して、透光孔ピッチを15ミクロンか
ら20ミクロンと大きくすることができたため、光透過率
も17%から25%と向上させることができた。
The liquid crystal display device (3) of this embodiment is
The light transmittance of the liquid crystal display device (1) of the first embodiment described above is
In contrast to 17%, the pitch of the light transmitting holes could be increased from 15 microns to 20 microns, so that the light transmittance could be improved from 17% to 25%.

【0050】この第2の実施例では、遮光性導電体(53)
を複数の透光孔(52)を備えたアルミニウム(Al)膜で
構成したが、図10に示すように複数の透光スリット(5
4)を備えたアルミニウム(Al)膜から成る遮光性導電
体(53)を有する画素電極(51)でマトリクスアレイ基板(7
5)をで構成しても良い。
In the second embodiment, the light-shielding conductor (53)
Is composed of an aluminum (Al) film having a plurality of light transmitting holes (52), but as shown in FIG.
A pixel electrode (51) having a light-shielding conductor (53) composed of an aluminum (Al) film having
5) may be configured.

【0051】このようにすれば、上述した実施例に比べ
て一層開口率を向上させることがてき、光透過率も25%
から33%へと大きく向上させることができた。そして、
この透光スリット(54)の延長方向に沿って配向膜(61)に
ラビング処理を施しておくことにより、配向不良を解消
し、優れた表示特性を確保することができる。この第2
の実施例によれば、遮光性導電体(53)をアルミニウム
(Al)膜によって構成したが、第1の実施例の如くa-
Si膜によって構成しても良い。
By doing so, the aperture ratio can be further improved as compared with the above-described embodiment, and the light transmittance can be increased by 25%.
To 33%. And
By performing a rubbing process on the alignment film (61) along the extending direction of the light-transmitting slit (54), poor alignment can be eliminated and excellent display characteristics can be secured. This second
According to the third embodiment, the light-shielding conductor (53) is made of an aluminum (Al) film.
It may be constituted by a Si film.

【0052】また、本実施例では透明抵抗体(55)として
酸化タンタル膜を用いたが、各種光透過性の金属酸化物
を用いることができ、例えば酸化亜鉛、酸化モリブデ
ン、酸化タングステン等が利用でき、その体積抵抗とし
ては1MΩ・cm程度あれば十分な効果が得られる。
In this embodiment, a tantalum oxide film is used as the transparent resistor (55). However, various light-transmitting metal oxides can be used. For example, zinc oxide, molybdenum oxide, tungsten oxide, etc. are used. A sufficient effect can be obtained if the volume resistance is about 1 MΩ · cm.

【0053】更に、第2の実施例によれば、透明抵抗体
(55)上に遮光性導電体(53)を積層させて画素電極(51)を
構成したが、この積層順序は逆であっても良く、遮光性
導電体(53)上に透明抵抗体(55)を積層する方が画素電極
(51)上の凹凸を低減させ、配向膜(61)に配向不良などが
生じることを低減させることができる。
Further, according to the second embodiment, the transparent resistor
Although the pixel electrode (51) is formed by laminating the light-shielding conductor (53) on the (55), the order of lamination may be reversed, and the transparent resistor (53) is disposed on the light-shielding conductor (53). 55)
The unevenness on (51) can be reduced, and the occurrence of poor alignment or the like in the alignment film (61) can be reduced.

【0054】上述した実施例は、いずれもアクティブマ
トリックスタイプの液晶表示装置に於ける画素電極に光
線を通過させる透光孔 (52) あるいは透光スリット(54)
を備えた遮光電極について記述したが、画素電極に対向
して配置される共通電極が透光孔 あるいは透光スリッ
トを備え、この共通電極が遮光性或は、光減衰性の材料
で作られても良い。
In each of the above-described embodiments, a light-transmitting hole (52) or a light-transmitting slit (54) through which a light beam passes through a pixel electrode in an active matrix type liquid crystal display device.
A light-shielding electrode having a light-transmitting hole or a light-transmitting slit, and the common electrode is made of a light-shielding or light-attenuating material. Is also good.

【0055】例えば、図14に示すように対向電極基板
が構成されても良い。即ち、この対向電極基板において
は、共通電極(161) がCrから作られ、画素電極に対向
する画素領域には、既に述べた画素電極と同様に四角形
状の透光孔(162) が形成配列されている。このように共
通電極を構成することによって透光孔(162) 間の部分
は、不透明となり、いわゆるブラックマトリックスとし
ての機能を有することとなる。従って、別途ブラックマ
トリックスとしての部材を設けることなく、薄膜トラン
ジスタへの不所望な光線の入射を抑制し、良好な表示画
像を得ることができる。
For example, a counter electrode substrate may be configured as shown in FIG. That is, in this counter electrode substrate, the common electrode (161) is made of Cr, and a rectangular light transmitting hole (162) is formed and arranged in the pixel region facing the pixel electrode in the same manner as the pixel electrode described above. Have been. By configuring the common electrode in this manner, the portion between the light transmitting holes (162) becomes opaque, and has a function as a so-called black matrix. Therefore, it is possible to suppress the incidence of an undesired light beam on the thin film transistor without providing a separate member as a black matrix, and obtain a good display image.

【0056】また、共通電極を遮光導体で作る場合に
は、遮光導体の表面で光反射が生じ、薄膜トランジスタ
に不所望な光線の入射が考えられる。この為、遮光導体
の表面を黒化処理するか或は、、カラー表示の場合に
は、色フイルターを共通電極上に配置することが好まし
い。
When the common electrode is made of a light-shielding conductor, light reflection occurs on the surface of the light-shielding conductor, and it is considered that an undesired light beam enters the thin film transistor. For this reason, it is preferable to blacken the surface of the light-shielding conductor, or to arrange a color filter on the common electrode in the case of color display.

【0057】ところで、上述した実施例は、いずれもア
クティブマトリクス型液晶表示装置について示したが、
本発明は、図15に示すように一方のガラス基板 (11)
上にX ーY 座標系におけるY 方向にストライプ電極(22
0) が互いに略平行に延出され、これに対向して他方の
ガラス基板 (111)上にX 方向に互いに略平行にストライ
プ電極(222) が延出されている単純マトリクス型液晶表
示装置にも適用することができる。即ち、単純マトリク
ス型液晶表示装置の少なくとも一方のストライプ電極
(220, 222) を、透光孔 (52) あるいは透光スリット(5
4)を有するストライプ状の導電体で構成することによ
り、光透過率を損なうことなく希少な金属であるインジ
ウム(In)の使用量を低減させることができる。尚、
この透光孔あるいは透光スリットを設ける場所は、一対
のストライプ電極が重複して表示画素を構成する領域に
のみ設けることが、電極の抵抗値等を考慮すると好まし
い。これは、アクティブマトリクス型液晶表示装置にお
ける共通電極の場合も同様である。尚、図15において
他の図面に付したと同一符号は、同一部分及び同一箇所
を示すものとしてその詳細な説明は省略する。
In each of the above embodiments, an active matrix type liquid crystal display device has been described.
As shown in FIG. 15, the present invention relates to one glass substrate (11).
On the top, stripe electrodes (22
0) extend substantially parallel to each other, and opposite thereto, stripe electrodes (222) extend substantially parallel to each other in the X direction on the other glass substrate (111). Can also be applied. That is, at least one stripe electrode of the simple matrix type liquid crystal display device
(220, 222) into the light transmitting hole (52) or light transmitting slit (5
By using a stripe-shaped conductor having 4), the amount of rare metal indium (In) can be reduced without impairing light transmittance. still,
It is preferable that the light-transmitting hole or the light-transmitting slit is provided only in a region where a pair of stripe electrodes overlap to form a display pixel in consideration of the resistance value of the electrode. This is the same in the case of the common electrode in the active matrix type liquid crystal display device. In FIG. 15, the same reference numerals as in the other drawings denote the same parts and the same portions, and a detailed description thereof will be omitted.

【0058】上述したアクティブマトリックスタイプの
液晶表示装置、或は、単純マトリックスタイプの液晶表
示装置においては、いずれもいっっていのピッチで一定
の大きさの透光孔、或は、スリットが規則正しく配列さ
れた例を示したが、例えば、図16に示すように1つの
画素電極内でスリットの配列方向が異なっても良い。
In the above-described active matrix type liquid crystal display device or simple matrix type liquid crystal display device, light-transmitting holes or slits of a certain size are regularly arranged at any pitch. However, for example, the arrangement direction of the slits in one pixel electrode may be different as shown in FIG.

【0059】このように構成することによって1つの画
素電極上で液晶の配列状態が異なることになることか
ら、画素毎に液晶動作に相違が生じ、視野角の改善を図
ることができる。
With this configuration, the arrangement state of the liquid crystal is different on one pixel electrode, so that the liquid crystal operation differs for each pixel, and the viewing angle can be improved.

【0060】[0060]

【発明の効果】以上詳述したように、本発明の液晶表示
装置によれば、希少な金属であるインジウム(In)の
使用量を低減させ、且つ良好な光透過率を確保すること
ができる。
As described above in detail, according to the liquid crystal display device of the present invention, the amount of indium (In), which is a rare metal, can be reduced, and good light transmittance can be secured. .

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施例の液晶表示装置のマトリ
クスアレイ基板の概略正面図である。
FIG. 1 is a schematic front view of a matrix array substrate of a liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】図1におけるAA’線に沿って切断した第1の
実施例の液晶表示装置の概略断面図である。
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of the liquid crystal display device of the first embodiment, taken along the line AA ′ in FIG.

【図3】図1における第1の実施例の液晶表示装置の製
造プロセスを示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing a manufacturing process of the liquid crystal display device of the first embodiment in FIG.

【図4】本発明の第1の実施例の液晶表示装置の変形例
のマトリクスアレイ基板の概略正面図である。
FIG. 4 is a schematic front view of a matrix array substrate according to a modified example of the liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第1の実施例の液晶表示装置の他の変
形例のマトリクスアレイ基板の要部拡大図である。
FIG. 5 is an enlarged view of a main part of a matrix array substrate according to another modification of the liquid crystal display device of the first embodiment of the present invention.

【図6】本発明の第1の実施例の液晶表示装置の他の変
形例のマトリクスアレイ基板の概略正面図である。
FIG. 6 is a schematic front view of a matrix array substrate according to another modification of the liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention.

【図7】本発明の第2の実施例の液晶表示装置のマトリ
クスアレイ基板の概略正面図である。
FIG. 7 is a schematic front view of a matrix array substrate of a liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention.

【図8】図7におけるBB’線に沿って切断した第2の
実施例の液晶表示装置の概略断面図である。
8 is a schematic cross-sectional view of the liquid crystal display device of the second embodiment, taken along the line BB ′ in FIG.

【図9】図7における第2の実施例の液晶表示装置の製
造プロセスを示す図である。
FIG. 9 is a diagram showing a manufacturing process of the liquid crystal display device of the second embodiment in FIG.

【図10】本発明の第2の実施例の液晶表示装置の他の
変形例のマトリクスアレイ基板の概略正面図である。
FIG. 10 is a schematic front view of a matrix array substrate according to another modification of the liquid crystal display device according to the second embodiment of the present invention.

【図11】縦軸に網目内部の絶縁領域に接する液晶組成
物の応答の割合をとり、横軸に網目ピッチをとり、液晶
組成物の応答の透光ピッチ依存性を示す図である。
FIG. 11 is a graph showing the dependence of the response of the liquid crystal composition on the insulating region inside the mesh on the vertical axis, and the mesh pitch on the horizontal axis, and the light transmission pitch dependence of the response of the liquid crystal composition.

【図12】本発明の一液晶表示装置の作用を説明するた
めの図である。
FIG. 12 is a diagram for explaining the operation of one liquid crystal display device of the present invention.

【図13】本発明の一液晶表示装置の作用を説明するた
めの図である。
FIG. 13 is a diagram for explaining the operation of the liquid crystal display device of the present invention.

【図14】本発明の他の実施例に係る液晶表示装置に係
る対向電極の構造を概略的に示す斜視図である。
FIG. 14 is a perspective view schematically showing a structure of a counter electrode of a liquid crystal display according to another embodiment of the present invention.

【図15】本発明のまた他の実施例に係る単純マトリッ
クスタイプの液晶表示装置を概略的に示す断面図であ
る。
FIG. 15 is a cross-sectional view schematically illustrating a simple matrix type liquid crystal display according to another embodiment of the present invention.

【図16】本発明の変形実施に係る液晶表示装置のマト
リクスアレイ基板を概略的に示す正面図である。
FIG. 16 is a front view schematically showing a matrix array substrate of a liquid crystal display according to a modified embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

(1),(3) …液晶表示装置 (51)…画素電極 (52)…透光孔 (53)…遮光性導電体 (54)…透光スリット (55)…透明抵抗体 (71),(73),(74),(75) …マトリクスアレイ基板 (101) …液晶組成物 (171) …対向電極基板 (1), (3) ... liquid crystal display device (51) ... pixel electrode (52) ... translucent hole (53) ... light-shielding conductor (54) ... translucent slit (55) ... transparent resistor (71), (73), (74), (75) ... Matrix array substrate (101) ... Liquid crystal composition (171) ... Counter electrode substrate

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−69238(JP,A) 特開 昭56−46289(JP,A) 特開 平3−264929(JP,A) 特開 平3−293639(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G02F 1/1343 G02F 1/1362 G02F 1/1333 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of front page (56) References JP-A-62-69238 (JP, A) JP-A-56-46289 (JP, A) JP-A-3-264929 (JP, A) JP-A-3- 293639 (JP, A) (58) Field surveyed (Int. Cl. 7 , DB name) G02F 1/1343 G02F 1/1362 G02F 1/1333

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】第1の電極が形成された第1の電極基板
と、第2の電極が形成された第2の電極基板と、前記第
1の電極と前記第2の電極との間に保持された液晶組成
物とを備え、前記第1の電極と前記第2の電極との交差
部分を表示画素と成す液晶表示装置において、前記表示
画素における前記第1の電極と前記第2の電極の少なく
とも一方は、インジウムを含まない材料からなり、5乃
至40ミクロンのピッチで形成され且つ少なくとも2辺
が前記第1の電極基板と前記第2の電極基板の対角線方
向に略平行に配置された複数の透光孔を有する遮光性導
電体からなることを特徴とした液晶表示装置。
A first electrode substrate on which a first electrode is formed, a second electrode substrate on which a second electrode is formed, and between the first electrode and the second electrode. A liquid crystal display device comprising a held liquid crystal composition, wherein a display pixel is formed at an intersection of the first electrode and the second electrode, wherein the first electrode and the second electrode in the display pixel are provided. At least one is made of an indium-free material, is formed at a pitch of 5 to 40 microns, and has at least two sides.
Is a diagonal line between the first electrode substrate and the second electrode substrate
A liquid crystal display device comprising a light-shielding conductor having a plurality of light-transmitting holes arranged substantially in parallel to each other .
【請求項2】請求項1記載の第1の電極と第2の電極の
少なくとも一方の電極は、透光孔を有する遮光性導電体
と、この遮光性導電体よりも高抵抗であり、インジウム
を含まない材料からなる透明抵抗体とからなることを特
徴とした液晶表示装置。
2. A light-shielding conductor having a light-transmitting hole and at least one of the first electrode and the second electrode according to claim 1 having a higher resistance than the light-shielding conductor, and indium. A liquid crystal display device comprising: a transparent resistor made of a material containing no.
【請求項3】第1の電極が形成された第1の電極基板
と、第2の電極が形成された第2の電極基板と、前記第
1の電極と前記第2の電極との間に保持された液晶組成
物とを備え、前記第1の電極と前記第2の電極との交差
部分を表示画素と成す液晶表示装置において、前記表示
画素における前記第1の電極と前記第2の電極の少なく
とも一方は、インジウムを含まない材料からなり、5乃
至40ミクロンのピッチで形成され且つ少なくとも2辺
が前記第1の電極基板と前記第2の電極基板の対角線方
向に略平行に配置された複数の透光用スリットを有する
遮光性導電体からなることを特徴とした液晶表示装置。
3. A first electrode substrate on which a first electrode is formed.
And a second electrode substrate on which a second electrode is formed;
Liquid crystal composition held between one electrode and the second electrode
And an intersection between the first electrode and the second electrode.
In a liquid crystal display device comprising a portion as a display pixel,
Less of the first electrode and the second electrode in a pixel
The other is made of a material that does not contain indium, and
Formed at a pitch of 40 microns to at least two sides
Is a diagonal line between the first electrode substrate and the second electrode substrate
Has a plurality of light-transmitting slits arranged substantially parallel to the
A liquid crystal display device comprising a light-shielding conductor.
【請求項4】請求項3記載の第1の電極と第2の電極の
少なくとも一方の電極は、透光用スリットを有する遮光
性導電体と、この遮光性導電体よりも高抵抗であり、イ
ンジウムを含まない材料からなる透明抵抗体とからなる
ことを特徴とした液晶表示装置。
4. The first electrode and the second electrode according to claim 3,
At least one electrode has a light-transmitting slit and is light-shielded
And a higher resistance than the light-shielding conductor,
Consisting of a transparent resistor made of a material that does not contain indium
A liquid crystal display device characterized by the above.
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