JP3259844B2 - Anisotropic nanocomposite and method for producing the same - Google Patents

Anisotropic nanocomposite and method for producing the same

Info

Publication number
JP3259844B2
JP3259844B2 JP8788591A JP8788591A JP3259844B2 JP 3259844 B2 JP3259844 B2 JP 3259844B2 JP 8788591 A JP8788591 A JP 8788591A JP 8788591 A JP8788591 A JP 8788591A JP 3259844 B2 JP3259844 B2 JP 3259844B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substance
anisotropic
substances
semiconductor
nanoparticles
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP8788591A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH04218662A (en
Inventor
友美 元廣
康彦 竹田
佳英 渡▲辺▼
正治 野田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toyota Central R&D Labs Inc
Original Assignee
Toyota Central R&D Labs Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toyota Central R&D Labs Inc filed Critical Toyota Central R&D Labs Inc
Priority to JP8788591A priority Critical patent/JP3259844B2/en
Publication of JPH04218662A publication Critical patent/JPH04218662A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3259844B2 publication Critical patent/JP3259844B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】 本発明は非線形光学効果、偏光
特性、光起電力効果等を有する異方性ナノ複合材料およ
びその製造方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an anisotropic nanocomposite having a non-linear optical effect, a polarization characteristic, a photovoltaic effect, and the like, and a method for producing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】ナノメートルオーダーの構造単位(金属
粒子や半導体微結晶等)を分散させた複合材料は、非線
形光学効果や偏光特性を利用した応用が検討されてい
る。
2. Description of the Related Art Composite materials in which nanometer-order structural units (metal particles, semiconductor microcrystals, and the like) are dispersed have been studied for applications utilizing nonlinear optical effects and polarization characteristics.

【0003】ここで、非線形光学効果とは次のような現
象をいう。電場E、振動数ωの光が物質に入射すると、
物質内に電場Eに比例して誘起された振動数ωの正負の
電荷が分離した分極状態の波、すなわち分極波が生じ、
これが波源となって振動数ωの光が発生する。これが通
常の光と物質との相互作用であり、入射光と出射光の振
動数は同じである。ところが、物質によっては電場E、
振動数ωの入射光に対して電場En に比例して誘起され
た分極波がかなり強く発生する場合がある。このような
物質を非線形光学媒質という。この場合、入射した光の
振動数のn倍の光(入射光とは色の異なる光)が発生し
たり、光の強さ(電場)の自乗によって屈折率が変化し
たりするなど、特異な現象が起きる。これらを総称して
非線形光学効果という。非線形光学効果は、レーザー光
の波長変換や光論理素子への応用が検討されている。こ
のような非線形光学効果は、以下に記載する量子閉じ込
め効果と深く関連している。すなわち、金属や半導体の
微粒子のサイズがナノメートルオーダーになってくると
(以後ナノ粒子と記載する)、電子や正孔、励起子な
ど、光と物質との相互作用に関係する物質中の量子の自
由な行動が妨げられ、バルク状態とは異なった特異な現
象が生じる。これを量子閉じ込め効果という。このよう
な量子閉じ込め効果が発生すると、強い非線形光学効果
が発現することが知られている。このため、上記のよう
な微粒子の分散された媒質や、ナノメートルオーダーの
構造特徴を有する物質が非線形光学材料として有望視さ
れ、検討が進められている。
Here, the nonlinear optical effect refers to the following phenomenon. When an electric field E and light having a frequency ω enter a substance,
A polarized wave in which positive and negative charges having a frequency ω induced in proportion to the electric field E are separated in the substance, that is, a polarized wave is generated,
This serves as a wave source to generate light having a frequency ω. This is the normal interaction between light and a substance, and the incident light and the output light have the same frequency. However, depending on the substance, the electric field E,
Sometimes polarized waves induced in proportion to the electric field E n with respect to the incident light of frequency [ω is quite strongly generated. Such a substance is called a nonlinear optical medium. In this case, light having n times the frequency of the incident light (light having a different color from the incident light) is generated, or the refractive index is changed by the square of the light intensity (electric field). A phenomenon occurs. These are collectively called nonlinear optical effects. The nonlinear optical effect is being studied for application to wavelength conversion of laser light and optical logic elements. Such a nonlinear optical effect is closely related to the quantum confinement effect described below. In other words, when the size of metal or semiconductor fine particles becomes on the order of nanometers (hereinafter referred to as nanoparticles), quantum particles in a substance related to the interaction between light and a substance, such as electrons, holes, excitons, etc. The free behavior of the person is hindered, and a peculiar phenomenon different from the bulk state occurs. This is called the quantum confinement effect. It is known that when such a quantum confinement effect occurs, a strong nonlinear optical effect appears. Therefore, a medium in which fine particles are dispersed as described above and a substance having a structural characteristic on the order of nanometers are regarded as promising as a nonlinear optical material, and are being studied.

【0004】例えば、非線形光学効果を有するナノ粒子
分散複合材料が、ガラスとナノ粒子原料を混ぜ合わせて
溶かした後、適当な温度での再熱処理によりガラス中に
ナノ粒子を析出させて製造され(NEW GLASS
Vol.3,No.4,41(1989))、あるいは
ガラスとナノ粒子原料を同時に蒸着し、基板上に両物質
を堆積させると、ガラスからなる薄膜中にナノ粒子が析
出することがあり、この現象のみ、あるいはさらに再熱
処理を組み合わせてナノ粒子分散複合材料を製造したり
している。(光技術コンタクト Vol.27,No.
7 389(1989))。
[0004] For example, a nanoparticle-dispersed composite material having a nonlinear optical effect is produced by mixing glass and a nanoparticle raw material and dissolving them, and then re-heating at an appropriate temperature to precipitate the nanoparticles in the glass ( NEW GLASS
Vol. 3, No. 4, 41 (1989)), or when glass and a nanoparticle raw material are simultaneously vapor-deposited and both substances are deposited on a substrate, nanoparticles may be precipitated in a thin film made of glass. For example, nanoparticle-dispersed composite materials are manufactured by combining reheat treatments. (Optical Technology Contact Vol. 27, No.
7 389 (1989)).

【0005】ところで、このようなナノメートルオーダ
ーの構造単位、例えば微粒子が分散された媒質において
は、各微粒子が発現する非線形光学効果が互いに強め合
うように働かなければ、全体として強い非線形光学効果
が発現しない。例えば、上記のような手法で製造されて
いるナノ粒子分散複合材料では、ナノ粒子のサイズのバ
ラツキが大きく、結晶軸も揃っていない。このため、非
線形光学効果等の特性にもバラツキが生じている(科学
技術庁研究開発局総合研究課監修、昭和63年度科学技
術庁委託調査研究報告「物質・材料の極微少領域におけ
る素機能の計測・評価・制御技術に関する調査」)。
[0005] In such a medium in which structural units on the order of nanometers, for example, fine particles are dispersed, a strong nonlinear optical effect as a whole is obtained as long as the nonlinear optical effects exhibited by the fine particles do not act to reinforce each other. Not expressed. For example, in a nanoparticle-dispersed composite material manufactured by the above-described method, the size of the nanoparticles varies widely and the crystal axes are not uniform. For this reason, the characteristics such as the nonlinear optical effect also vary (supervised by the Research and Development Bureau, Research and Development Bureau, Science and Technology Agency; Survey on measurement, evaluation and control technologies ”).

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】少なくとも1種以上の
ナノメートルオーダーの物質を、その配向方向を揃えて
間隔をおいて多数分散させた複合材料およびその製造方
法を提供することを課題とする。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a composite material in which at least one or more substances of the order of nanometers are dispersed in a large number at equal intervals in the orientation direction, and a method for producing the same.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】(第1発明の構成) 本発明は、基板と該基板上に形成された膜とからなり、
該膜は少なくとも1種のナノ粒子で構成され、該ナノ粒
子は該基板表面より立ち上がり、その断面形状の短径部
の距離(厚さ)の平均が1〜9nmの間にありかつ長径
部の距離(長さ)の平均が10〜90nmの間にある断
面異方的であり、該ナノ粒子は互いに該長径部の方向に
配向するとともに該長径部の方向及び該短径部の方向に
間隙をおいて分散していることを特徴とする異方性ナノ
複合材料に関するものである。
Means for Solving the Problems (Constitution of the First Invention) The present invention comprises a substrate and a film formed on the substrate,
The membrane is composed of at least one type of nanoparticles,
The element rises from the surface of the substrate, and the short diameter portion of the cross-sectional shape
The average of the distance (thickness) is between 1 and 9 nm and the major axis
When the average of the distance (length) of the part is between 10 and 90 nm,
The nanoparticles are mutually anisotropic in the direction of the major axis
Orientation and in the direction of the major axis and the minor axis
The present invention relates to an anisotropic nanocomposite material characterized by being dispersed with gaps .

【0008】(第2発明の構成) 本発明は、減圧容器内において、基板の面法線に対し3
0〜89度傾斜した方向を中心とする方向から一方の物
質を、それと30度以上異なる方向を中心とする方向か
ら他方の物質を該基板面上に同時に蒸着することを特徴
とする異方性ナノ複合材料の製造方法に関するものであ
る。
[0008] (Configuration of Second Invention) The present invention, the vacuum container odor Te, 3 to the surface normal of the base plate
Anisotropically depositing one substance from a direction centered on a direction inclined from 0 to 89 degrees and another substance from a direction centered on a direction different from the direction by 30 degrees or more on the substrate surface at the same time. The present invention relates to a method for producing a nanocomposite material.

【発明の効果】(第1発明の効果)(Effect of the first invention)

【0009】本発明に係るナノ複合材料は、少なくとも
1種以上のナノメートルオーダーの微細な物質(ナノ粒
子)が三次元領域(三次元空間)に間隔を置いて多数分
散し、しかもそれらの物質が異方的で(その断面形状の
方向で距離が異なり)、その配列方向が揃っている(一
方向に配向している)ので、ナノ粒子に基づく非線形光
学効果を強調することができる。この結果、光双安定
性、位相共役波発生等の高効率な材料として用いること
も可能である。
The nanocomposite material according to the present invention comprises at least one kind of fine substance (nanoparticles) on the order of nanometers.
Are dispersed in a three-dimensional area (three-dimensional space) at intervals, and their materials are anisotropic (distances differ in the direction of their cross-sectional shapes) and their arrangement directions are aligned (one).
Orientation), so that nonlinear optical effects based on nanoparticles can be emphasized. As a result, it can be used as a highly efficient material such as optical bistability and phase conjugate wave generation.

【0010】また本複合材料は優れた偏光特性を示す。
従来の平行に配列した導体ワイヤーより構成される(ワ
イヤー)グリッド偏光子では、ワイヤーの間隔が入射光
の波長より短い時、偏光子として作用し、ワイヤーに対
して平行な偏光成分は反射し、垂直な偏光成分は透過す
るという原理を用いている。しかし、上記ワイヤー間隔
は、レーザーの2光束干渉により形成される干渉縞をフ
ォトレジストに記録するホログラフィック露光法とイオ
ンビームエッチング法を用いてもせいぜい数100nm
オーダーであり、使用できる波長範囲は近赤外領域まで
で、可視光領域にすることは難しい。本複合材料は、ナ
ノメートルオーダーの構造のため、グリット偏光子と同
じ原理に基づき、より短波長まで使用できる偏光板とす
ることができる。
[0010] The composite material exhibits excellent polarization characteristics.
In conventional (wire) grid polarizers composed of parallel-arranged conductor wires, when the distance between the wires is shorter than the wavelength of the incident light, the wire acts as a polarizer, and the polarized component parallel to the wires is reflected, The principle that a vertically polarized light component is transmitted is used. However, the distance between the wires is at most several hundred nm by using a holographic exposure method and an ion beam etching method in which interference fringes formed by two-beam interference of a laser are recorded on a photoresist.
It is on the order, and the wavelength range that can be used is up to the near infrared region, and it is difficult to make it into the visible light region. Since this composite material has a structure on the order of nanometers, it can be used as a polarizing plate that can be used for shorter wavelengths based on the same principle as a grit polarizer.

【0011】また、ナノメートルオーダーの厚さの、2
種類の半導体を用いて本発明に係るナノ複合材料を構成
した場合、偏平なナノメートルオーダーの異方性粒子が
交互に密接して光起電力素子を構成し、丁度微細なヘテ
ロ接合太陽電池が無数に直列接続したような効果を生
じ、電流出力を落とさずに、大電圧を発生できる高出力
太陽電池を構成できる。また、本複合材料は複屈折性を
発現することもできる。(第2発明の効果)
In addition, the thickness of the nanometer order 2
When the nanocomposite material according to the present invention is constituted by using different kinds of semiconductors, flat nanometer-order anisotropic particles alternately and closely constitute a photovoltaic element, and a fine heterojunction solar cell is produced. An effect as if innumerable connected in series is produced, and a high-output solar cell that can generate a large voltage without reducing the current output can be configured. In addition, the present composite material can also exhibit birefringence. (Effect of the second invention)

【0012】本発明の製造方法によれば、従来不可能で
あった異方性を有するナノメートルオーダーの寸法がほ
ぼ揃った粒子を配向性を持たせて多数分散させた異方性
ナノ複合材料を製造することができる。また、本製造方
法は、複雑な工程によらず気相から膜として基板上に析
出させた時点で異方性ナノ複合材料を形成でき、簡易で
ある。また、大面積化も可能である。
According to the production method of the present invention, an anisotropic nanocomposite material in which a large number of particles having anisotropy in the order of nanometers having anisotropy, which has heretofore been impossible, is dispersed in a large number with orientation. Can be manufactured. In addition, the present production method is simple, since an anisotropic nanocomposite material can be formed at the time of depositing a film from a gas phase on a substrate without complicated steps. In addition, the area can be increased.

【実施例】(第1発明の具体例)Embodiment (Specific Example of First Invention)

【0013】前記第1発明をさらに具体化した具体例に
ついて説明する。本具体例に係る異方性ナノ複合材料
は、少なくとも1種以上の物質を用いる。その組織は、
無機質の酸化物質、(MgO、Al2 3 、SiO、S
iO2 TiO2 、V2 5 、CuO、ZnO、Ge
2 、ZnO2 、Nb2 5 、MoO3 、In2 3
SnO2 、HfO2 、Ta2 5 、WO3 、Bi
2 3 、La2 3 、CeO2 等)フッ化物質(CaF
2 、CeF2 、MgF2 等)、半導体(CdS、CdS
e、CdTe、GaAs、Ge、ZnTe、ZnS
等)、金属(Fe、Co、Ni、Au、Ag、Al、P
t、Ca等)から構成される。通常は、これら各組成の
2種類の物質を次に例示するように組み合わせて用い
る。 一つの物質が酸化物又はフッ化物であり、他の物質
が半導体又は金属である場合。かかる組成の複合材料は
非線形光学効果等を示す。 一つの物質が半導体であり、他の物質も同様に半導
体であるが初めの物質とは異なる半導体である場合。か
かる組成の複合材料は、光起電力素子等として用いるこ
とができる。 一つの物質が酸化物又はフッ化物であり、他の物質
が金属である場合。この組み合わせの複合材料は偏光板
等として用いることができる。 一つの物質が酸化物又はフッ化物であり、他の物質
が一の物質と同様の酸化物又はフッ化物であるが、一の
物質として使用したものとは異なる酸化物又はフッ化物
である場合。この様な組成の2種類のナノメートルオー
ダーの物質が三次元領域に多数分散した複合材料は、複
屈折性を示し、位相板等に用いることができる。
A specific example of the first invention will be described. The anisotropic nanocomposite according to this example uses at least one or more substances. The organization
Inorganic oxides (MgO, Al 2 O 3 , SiO, S
iO 2 TiO 2 , V 2 O 5 , CuO, ZnO, Ge
O 2 , ZnO 2 , Nb 2 O 5 , MoO 3 , In 2 O 3 ,
SnO 2 , HfO 2 , Ta 2 O 5 , WO 3 , Bi
2 O 3 , La 2 O 3 , CeO 2, etc.) Fluoride (CaF
2 , CeF 2 , MgF 2 etc.), semiconductors (CdS, CdS
e, CdTe, GaAs, Ge, ZnTe, ZnS
Etc.), metals (Fe, Co, Ni, Au, Ag, Al, P
t, Ca, etc.). Usually, two kinds of substances having these compositions are used in combination as exemplified below. When one substance is an oxide or a fluoride and the other substance is a semiconductor or a metal. A composite material having such a composition exhibits a nonlinear optical effect and the like. One substance is a semiconductor and the other substance is also a semiconductor, but a semiconductor different from the first substance. The composite material having such a composition can be used as a photovoltaic element or the like. One substance is an oxide or fluoride and the other substance is a metal. The composite material of this combination can be used as a polarizing plate or the like. One substance is an oxide or a fluoride, and the other substance is the same oxide or fluoride as the one substance, but is different from the one used as the one substance. A composite material in which a large number of two types of nanometer-order substances having such a composition are dispersed in a three-dimensional region exhibits birefringence and can be used for a phase plate or the like.

【0014】また、前記物質は、基板面上に形成され
る。この物質の形態は、異方的であって、その寸法は、
厚さすなわち基板に平行に切断した断面の短辺の寸法の
平均が1〜9nmの間にあり、長さすなわち基板に平行に切
断した断面の長辺の寸法の平均が10〜90nmの間にあるこ
とが必要である。また、この異方性物質は、その配向方
向が揃っていなければならない。配向していなければ偏
光特性、非線形光学効果を発現させることができない。
その構造の代表例を模式的に図1〜3に、また写真で図8
〜10、図13に示す。
Further, the material is formed on the substrate surface
You. The form of this substance is anisotropic, its dimensions are:
Thickness, ie the dimension of the short side of the cross section cut parallel to the substrate
The average is between 1 and 9 nm and the length is cut parallel to the substrate
It is necessary that the average of the long side dimensions of the cut cross section is between 10 and 90 nm . In addition, this anisotropic substance must have a uniform orientation direction. If they are not oriented, the polarization characteristics and the nonlinear optical effect cannot be exhibited.
A typical example of the structure is schematically shown in FIGS.
To 10, and shown in FIG.

【0015】図1は2種類の物質(ナノ粒子を形成する
黒色部2と白色部3で表現)が密接して多数分散し、黒
色部のナノ粒子の平均的厚さが数nm、平均的長さが数
10nmである場合である。1は基板である。
FIG. 1 shows that two kinds of substances (expressed by a black portion 2 and a white portion 3 forming nanoparticles ) are closely dispersed in a large number, and the average thickness of the nanoparticles in the black portion is several. nm, and the average length is several tens of nm. 1 is a substrate.

【0016】図2はナノ粒子を形成する平均的厚さ数n
m、平均的長さ数10nm、高さは基板面から膜表面に
至る物質が空隙を介して多数分散している。ナノ粒子
が、2種類の板状の物質が対向して貼り合わされた状態
となっている場合である。
FIG. 2 shows the average number of thicknesses n for forming nanoparticles .
m, the average length is several tens of nm, and the height is such that a large number of substances from the substrate surface to the film surface are dispersed via voids . Nanoparticles
However, this is the case where two types of plate-like substances are bonded to face each other.

【0017】図3はナノ粒子を形成する平均的厚さ数n
m、平均的長さ10nm、高さは基板面から膜表面に至
る物質が互いにその一部が密接して基板面法線に対し傾
斜して多数分散している場合である。また、各ナノ粒子
2種類の板状の物質が互いに対向して貼り合わされた
1対の形となっており、長さ方向において隣合った一対
の物質からなるナノ粒子間に間隔が形成されている
FIG. 3 shows the average number n of the nanoparticles forming the nanoparticles .
m, an average length of 10 nm, and a height in the case where a large number of substances from the substrate surface to the film surface are dispersed with a part of the materials being in close contact with each other and being inclined with respect to the substrate surface normal. In addition, each nanoparticle
Is a pair of two types of plate-like substances that are bonded together facing each other, and an interval is formed between nanoparticles composed of a pair of substances that are adjacent in the length direction.

【0018】また、図8〜10および図13は膜面の構
造を示したものであり、比較的暗い部分として見えるナ
ノ粒子と、比較的明るい部分として見えるナノ粒子が交
互に基板面上を埋め尽くしている。各ナノ粒子からなる
各領域は種々の形状を有しており、それらの形状を全体
的に平均して捉えると縦方向に延びた平均的厚さが数n
m、平均的長さが数10nmである。また、前記各領域
を個々に捉えた場合、大部分その形状は平均的厚さが数
nm、平均的長さが数10nmである。
[0018] Figures 8-10 and 13, is shown the structure of the film surface, Na appear as relatively darker portion
Particles and nanoparticles that appear as relatively bright parts alternately fill the substrate surface. Each region composed of each nanoparticle has various shapes, and when those shapes are averaged as a whole, the average thickness extended in the vertical direction is several n.
m, the average length is several tens nm. In addition, when each of the regions is individually captured, most of the shape has an average thickness of several nm and an average length of several tens nm.

【0019】前記第2発明をさらに具体化した具体例に
ついて説明する。
A specific example which further embodies the second invention will be described.

【0020】本具体例に係る異方性ナノ複合材料の製造
方法は、図4に示すような装置を用いて実施する。
The method for producing an anisotropic nanocomposite according to this example is carried out using an apparatus as shown in FIG.

【0021】減圧容器8のほぼ中央に基板1が設置され
る。該基板は、加熱装置11によって適宜加熱される。
ナノメートルオーダーの複合構造を持つ物質の蒸着は、
小型スパッタ蒸発源4および7によって行う。
The substrate 1 is placed substantially at the center of the vacuum container 8. The substrate is appropriately heated by the heating device 11.
The deposition of a substance with a composite structure on the order of nanometers
This is performed by the small sputter evaporation sources 4 and 7.

【0022】小型スパッタ蒸発源4は、基板の面法線2
0に対し30〜89度傾斜した方向30に設置され、そ
の方向30と基板面内方位で30度以上異なり、基板面
法線20に対し−89〜89度傾斜した方向6に小型ス
パッタ蒸発源7を設置する。例えば、スパッタ蒸発源7
は基板の面法線20と方向30の張る平面上でスパッタ
蒸発源4と反対側に基板面法線20に対し0〜89度傾
けて設置する。両スパッタ蒸発源で放電を行って、ター
ゲット12から三次元物質を基板面上に同時に蒸着し、
膜を形成する。スパッタ蒸発源4および7の投入電力比
を変えると形成されるナノメートルオーダーの複合構造
を持つ物質の数密度を変えずに厚さを変化させることが
できる。また、両スパッタ蒸発源への投入電力比を変え
ると蒸着物質の傾斜角度を変化させることもできる。そ
の際、両スパッタ蒸発源の間の角度を変えずに基板面法
線を基板面法線20と方向30の張る平面内で傾けると
ナノメートルオーダーの複合構造の傾斜角度をゼロにす
ることができる。
The small sputter evaporation source 4 has a surface normal 2
A small sputter evaporation source is installed in a direction 30 inclined at 30 to 89 degrees with respect to 0, differs from the direction 30 by 30 degrees or more in the in-plane direction of the substrate, and is inclined at −89 to 89 degrees with respect to the substrate surface normal 20. 7 is installed. For example, the sputter evaporation source 7
Is installed on a plane extending in the direction 30 from the surface normal 20 of the substrate, at an angle of 0 to 89 degrees with respect to the substrate surface normal 20 on the side opposite to the sputter evaporation source 4. By performing discharge in both sputter evaporation sources, a three-dimensional substance is simultaneously deposited on the substrate surface from the target 12,
Form a film. By changing the input power ratio of the sputter evaporation sources 4 and 7, the thickness can be changed without changing the number density of the substance having a composite structure on the order of nanometers formed. Further, by changing the ratio of the power supplied to the two evaporation sources, the inclination angle of the deposition material can be changed. At this time, if the substrate surface normal is inclined in a plane extending in the direction 30 from the substrate surface normal 20 without changing the angle between the two sputter evaporation sources, the inclination angle of the nanometer-order composite structure can be made zero. it can.

【0023】基板は2種類の蒸着物質の融点の低い方の
1/3以下の温度に加熱する。この範囲内の高い温度で加
熱すると蒸着物質が基板上で移動し易くなり、ナノメー
トルオーダーの物質はお互いに密接しやすくなる。逆に
低い温度で蒸着を行うと図2の如く空隙が多くなる。
The substrate has the lower melting point of the two kinds of deposition materials.
Heat to 1/3 or less. Heating at a high temperature within this range makes it easier for the deposited material to move on the substrate, and that materials on the order of nanometers are more likely to be in close contact with each other. Conversely, when vapor deposition is performed at a low temperature, the number of voids increases as shown in FIG.

【0024】また、両スパッタ蒸発源から同一の物質を
蒸着した場合は図6に示すように該物質からナノメート
ルオーダーの物質が空隙を介して多数分散した構造とな
る。(実施例1)
When the same material is vapor-deposited from both sputtering evaporation sources, a structure in which a large number of nanometer-order materials are dispersed through voids from the material as shown in FIG. (Example 1)

【0025】本発明に係る異方性ナノ複合材料を製造
し、その特性を調べた。
An anisotropic nanocomposite according to the present invention was manufactured and its properties were examined.

【0026】異方性ナノ複合材料は図4に示した装置を
用いて製造した。減圧容器8内の中央部に設けた基板1
の面法線20に対し70度傾斜した方向30にSiO2
ターゲットを搭載した小型スパッタ蒸発源4を設置し、
20と30の張る平面上で基板の面法線20に対し方向
30と反対側に70度傾斜した方向6にCdTeターゲ
ットを搭載した小型スパッタ蒸発源7を設置する。密閉
容器内のAr濃度を5×10-3mmHgとし、両スパッ
タ蒸発源で放電を開始した。SiO2 ターゲットへの投
入電力を220W、CdTeターゲットへの投入電力を
180Wとし、10分間の蒸着を行い、加熱装置11に
よって150℃に加熱した基板面上にSiO2 とCdT
eを同時に蒸着した。
The anisotropic nanocomposite was manufactured using the apparatus shown in FIG. Substrate 1 provided at the center in decompression container 8
SiO 2 in a direction 30 inclined 70 degrees with respect to the surface normal 20 of
A small sputter evaporation source 4 equipped with a target is installed,
A small sputter evaporation source 7 on which a CdTe target is mounted is installed in a direction 6 inclined 70 degrees to the opposite side to the direction 30 with respect to the surface normal 20 of the substrate on the plane between 20 and 30. The Ar concentration in the closed vessel was set to 5 × 10 −3 mmHg, and discharge was started from both sputtering evaporation sources. The input power to the SiO 2 target was 220 W, the input power to the CdTe target was 180 W, deposition was performed for 10 minutes, and SiO 2 and CdT were deposited on the substrate surface heated to 150 ° C. by the heating device 11.
e was co-evaporated.

【0027】形成された膜を走査電顕(SEM)、透過
電顕(TEM)によって観察したところ、異方性ナノ複
合構造が形成されており、それを模式的に図1に示し
た。黒色で示した部分は偏平で、平均的厚さは3nm、
平均的な幅は20nm、高さは約500nmで、膜厚全
体を貫通している。この黒色の物質は、入射方向に直角
に配向し、かつ基板面法線に対し、蒸着源4側に6度傾
斜していた。
When the formed film was observed with a scanning electron microscope (SEM) and a transmission electron microscope (TEM), an anisotropic nanocomposite structure was formed, which is schematically shown in FIG. The part shown in black is flat, the average thickness is 3 nm,
The average width is 20 nm and the height is about 500 nm, and penetrates the entire film thickness. This black substance was oriented at right angles to the incident direction, and was inclined 6 degrees toward the evaporation source 4 with respect to the normal to the substrate surface.

【0028】この膜表面からのX線回析によってその組
成を調べたところ、CdTeに対応する回折線が検出さ
れた。
When the composition was examined by X-ray diffraction from the film surface, a diffraction line corresponding to CdTe was detected.

【0029】該異方性ナノ複合材料の表面から、プロー
ブ光を入射し、直線偏光として光吸収スペクトルを測定
した。結果を図5に示す。プローブ光の偏光方向と、C
dTeからなる三次元領域に存在する物質の配向方向
が、一致する場合の透過光強度が曲線1、直交する場合
の透過光強度が曲線2である。比較のためにCdTe多
結晶体の吸収スペクトルを曲線3に示す。
Probe light was incident on the surface of the anisotropic nanocomposite material, and the light absorption spectrum was measured as linearly polarized light. FIG. 5 shows the results. The polarization direction of the probe light and C
The transmitted light intensity is curve 1 when the orientation directions of the substances existing in the three-dimensional region made of dTe coincide, and the transmitted light intensity is curve 2 when they are orthogonal. Curve 3 shows the absorption spectrum of the CdTe polycrystal for comparison.

【0030】図から明らかなように曲線1は多結晶体の
曲線3に近いが、曲線2の吸収端は曲線1のそれよりも
高エネルギー側にシフトしている。これは本実施例に係
る異方性ナノ複合構造による量子閉じ込め効果の異方性
を反映したものである。このように本異方性ナノ複合材
料の寸法がほぼ揃いかつ、結晶軸の方向が揃っているの
で高い効果の非線形光学効果の発現が可能となり、この
材料にレーザー光を入射したところ各ナノ粒子から発生
した高調波の間に位相差がほとんど生じないため高調波
を高い効率で発生させることができた。(実施例2)
As is clear from the figure, curve 1 is close to curve 3 of the polycrystal, but the absorption edge of curve 2 is shifted to a higher energy side than that of curve 1. This reflects the anisotropy of the quantum confinement effect by the anisotropic nanocomposite structure according to the present embodiment. As described above, since the dimensions of the anisotropic nanocomposite material are almost uniform and the directions of the crystal axes are uniform, it is possible to develop a high-efficiency nonlinear optical effect. Since there was almost no phase difference between the harmonics generated from the, the harmonics could be generated with high efficiency. (Example 2)

【0031】本実施例は異方性ナノ複合材料を光学偏光
板、すなわちランダムな偏光の光から直線偏光を取り出
す基本的光学要素に適用した例を示す。
The present embodiment shows an example in which an anisotropic nanocomposite material is applied to an optical polarizing plate, that is, a basic optical element for extracting linearly polarized light from randomly polarized light.

【0032】実施例1と同一の装置を用い小型スパッタ
蒸発源4にSiO2ターゲットを用い、小型スパッタ蒸
発源7にAlターゲットを搭載し、両ターゲットへの投
入電力をそれぞれ200W、基板を室温に保った以外は
実施例1と同一条件で基板上にSiO2 およびAlを同
時蒸着した。
Using the same apparatus as in Example 1, an SiO 2 target was used for the small sputter evaporation source 4, an Al target was mounted on the small sputter evaporation source 7, the power supplied to both targets was 200 W, and the substrate was cooled to room temperature. SiO 2 and Al were co-deposited on the substrate under the same conditions as in Example 1 except that the temperature was kept.

【0033】形成された膜の構造をSEMならびにTE
Mで調べたところ異方性ナノ複合構造を有しており、そ
の構造を模式的に図2に示した。該構造は平均的な厚さ
が5nm、平均的長さが30nm、高さは約1,500
nmで基板面から膜表面に到る物質が三次元領域に存在
し、その物質が平均的幅5nmの空隙を介して多数分散
していた。この物質の各々はほぼ同一厚さの板状のSi
2 とAlが貼り合わされた形となっている。また、入
射方向に直角な方向に配向している。異方性ナノメート
ルオーダーの物質が配向しているため、可視光に対し優
れた偏光特性を示した。
The structure of the formed film was determined by SEM and TE
When examined by M, it had an anisotropic nanocomposite structure, and the structure is schematically shown in FIG. The structure has an average thickness of 5 nm, an average length of 30 nm and a height of about 1,500
A substance extending from the substrate surface to the film surface in nm was present in a three-dimensional region, and the substance was dispersed in large numbers through voids having an average width of 5 nm. Each of this material is a plate-like Si of approximately the same thickness.
O 2 and Al are bonded together. Also, they are oriented in a direction perpendicular to the incident direction. Since the material of the anisotropic nanometer order is oriented, it showed excellent polarization characteristics with respect to visible light.

【0034】従来、偏光板としては、ポリビニルアルコ
ール等の高分子の膜を一方向へ引張、径をnm以下とし
ランダムな方向に向いていたこの高分子をその方向に並
ばせ異方性を持たせ、これをヨード、メチレンブルー等
の二色性をもつ染料で染め、ガラス又はプラスチックの
板に貼り付けたもの(二色性型偏光子)がある。この二
色性型偏光子は偏光特性がそれほど良くなく、また熱に
弱い上、紫外線劣化等の樹脂特有の問題を有していた。
Conventionally, as a polarizing plate, a film of a polymer such as polyvinyl alcohol is pulled in one direction, the diameter of which is less than nm, and this polymer is oriented in a random direction. And dyed with a dichroic dye such as iodine or methylene blue and affixed to a glass or plastic plate (dichroic polarizer). This dichroic type polarizer has not so good polarization characteristics, is weak to heat, and has a problem peculiar to the resin such as ultraviolet ray deterioration.

【0035】また、半導体微細加工技術を用い、SiO
2 等の基板表面に数100nm周期の周期的条溝を蝕刻
し、その溝の側面に斜めから数nmの厚さのAl等の金
属を蒸着した後、溝以外の平面に付着したAlをイオン
ミリングを用いて除去し、アスペクト比の大きな偏光子
(グレーティング型偏光素子)を製造している。このグ
レーティング型偏光素子は、周期的条溝を、光の干渉縞
を利用してフォトレジストをホログラフィック露光して
作るため、大面積化は困難である。また、プロセスが複
雑なため、コストが高く、ディスプレイなどへの応用に
は向かない。さらに条溝の周期と近い可視光の短波長領
域では、光が散乱してしまい、効率が落ちる。
In addition, using a semiconductor fine processing technique,
After etching a periodic groove with a period of several 100 nm on the surface of the substrate such as 2 and depositing a metal such as Al with a thickness of several nm obliquely on the side surface of the groove, the Al attached to the plane other than the groove is ionized. By using milling, a polarizer (grating type polarizing element) having a large aspect ratio is manufactured. In this grating type polarizing element, it is difficult to increase the area because periodic grooves are formed by holographic exposure of a photoresist using interference fringes of light. In addition, since the process is complicated, the cost is high and it is not suitable for application to a display or the like. Further, in the short wavelength region of visible light which is close to the period of the groove, light is scattered and efficiency is reduced.

【0036】本実施例に係る異方性ナノ複合材料は、優
れた偏光特性を示し、無機物質を使用しているため耐久
性にも優れている。また、偏光板を本実施例に係る製造
方法で製造すると、従来の寸法の場合に比較し、一回の
成膜で薄膜型偏光板が形成でき、低コストで簡易である
とともに、大面積化にも問題がない。(実施例3)
The anisotropic nanocomposite material according to the present example exhibits excellent polarization characteristics, and also has excellent durability because it uses an inorganic substance. In addition, when the polarizing plate is manufactured by the manufacturing method according to the present embodiment, a thin film type polarizing plate can be formed by one film formation compared to the case of the conventional size, which is low cost, simple, and has a large area. There is no problem. (Example 3)

【0037】本実施例は、異方性ナノ複合材料を光の照
射によって起電力を発生する光起電力素子に適用した例
を示す。
This embodiment shows an example in which an anisotropic nanocomposite material is applied to a photovoltaic element that generates an electromotive force by light irradiation.

【0038】実施例1と同一の装置を用い、小型スパッ
タ蒸発源4にCdSターゲットを、他の小型スパッタ蒸
発源7にCdTeターゲットを搭載し、基板を室温に保
持し、CdSターゲットの投入電力を220W、CdT
eターゲットの投入電力を180Wとした以外は、実施
例1と同一条件で基板上にCdSとCdTeを同時に蒸
着した。
Using the same apparatus as in Example 1, a CdS target is mounted on the small sputter evaporation source 4 and a CdTe target is mounted on the other small sputter evaporation source 7, the substrate is kept at room temperature, and the input power of the CdS target is reduced. 220W, CdT
CdS and CdTe were simultaneously deposited on the substrate under the same conditions as in Example 1 except that the input power of the e target was set to 180 W.

【0039】形成された膜の構造をSEMならびにTE
Mで調べたところ、異方性ナノ複合構造を有しており、
その構造を模式的に図3に示した。この構造は平均的厚
さ5nm、平均的長さ30nm、高さは約500nmで
基板面から膜表面にわたり三次元領域に多数分散してお
り、該物質はその偏平な方向が入射方向に直角な方向に
なるように配列し、かつ基板面法線に対し、蒸発源4側
に5度傾斜していた。また、該物質は蒸着粒子の入射面
に直角な方向に互いにその一部が密接して連なってい
る。この物質はほぼ同じ厚さの板状のCdSとCdTe
が貼り合わさった形を呈する。
The structure of the formed film was changed by SEM and TE.
When examined by M, it has an anisotropic nanocomposite structure,
FIG. 3 schematically shows the structure. This structure has an average thickness of 5 nm, an average length of 30 nm, and a height of about 500 nm, and is dispersed in a large number in a three-dimensional region from the substrate surface to the film surface. The material has a flat direction perpendicular to the incident direction. And was inclined at 5 degrees toward the evaporation source 4 with respect to the normal to the substrate surface. Part of the substance is closely connected to each other in a direction perpendicular to the incident surface of the deposition particles. This material consists of plate-like CdS and CdTe of almost the same thickness.
Has a shape in which they are stuck together.

【0040】本実施例に係る異方性ナノ複合材料を用い
た光起電力素子は、非常に大きな短絡電流を取り出すこ
とができた。
The photovoltaic device using the anisotropic nanocomposite according to the present example was able to extract a very large short-circuit current.

【0041】従来、光起電力素子として、特開昭59−
129479公報には、ガラス基板上に透明電極、Cd
S、CdTe、対電極の各薄膜を上記順序で積層し、ガ
ラス側からの光照射により光起電力を発生する光電池が
提案されている。この光電池は、開路起電圧が750m
Vと小さく、電圧を得るためには多数の積層板を直列接
続しなければならず、大面積が必要となる欠点があっ
た。また、特公昭60−9179公報には、ガラス基板
上に厚さ数100nmのCdTeを斜め蒸着した異方性
ナノ複合材料を用いた光起電力素子が提案されている。
この斜め蒸着して配向性を持たせたCdTe膜表面
に、基板法線と蒸着粒子の入射方向を含む平面(入射
面)に直角な方向に伸びた金電極を任意の間隔で2本蒸
着した基本構成で、電極間隔1cmあたり100V以上の
光起電力を発生させ得るが、大電流を取り出せない欠点
があった。
Conventionally, a photovoltaic element has been disclosed in
129479 discloses that a transparent electrode, Cd
A photovoltaic cell has been proposed in which thin films of S, CdTe, and a counter electrode are laminated in the above order, and a photovoltaic power is generated by light irradiation from the glass side. This photovoltaic cell has an open circuit electromotive voltage of 750 m.
V, and a large number of laminated plates must be connected in series in order to obtain a voltage. Japanese Patent Publication No. 60-9179 proposes a photovoltaic device using an anisotropic nanocomposite material in which CdTe having a thickness of several hundred nm is obliquely deposited on a glass substrate.
Two gold electrodes extending in a direction perpendicular to a plane (incident surface) including the normal of the substrate and the incident direction of the deposited particles were vapor-deposited at an arbitrary interval on the surface of the CdTe film having the orientation by the oblique vapor deposition. With the basic configuration, a photovoltaic power of 100 V or more can be generated per 1 cm electrode spacing, but there is a drawback that a large current cannot be taken out.

【0042】本実施例によって製造した膜に、従来のC
dTe光起電力素子と同様な構成で電極を配置し、光起
電力素子とし、光を照射したところ、開路電圧は電極間
隔1cm当たり約40V、短絡電流は同じ形状のCdT
e起電力素子の約200倍となった。その機構は不明で
あるが、CdTe起電力素子と同様、CdS/CdTe
型光電池が直列接続された形となったためと考えられ、
短絡電流が大きくとれる理由はCdSの光導電性のため
と考えられる。(実施例4)
The film manufactured according to the present embodiment is replaced with a conventional C
When the electrodes were arranged in the same configuration as the dTe photovoltaic element to form a photovoltaic element, and light was irradiated, the open circuit voltage was about 40 V per 1 cm between the electrodes, and the short circuit current was CdT of the same shape.
It was about 200 times that of the e-electromotive element. The mechanism is unknown, but like the CdTe electromotive element, CdS / CdTe
It is considered that the type photovoltaic cells were connected in series,
The reason why the short-circuit current can be increased is considered to be due to the photoconductivity of CdS. (Example 4)

【0043】本実施例4は、異方性ナノ複合材料を光学
位相板、すなわち、物質の複屈折性を利用し、〔直線偏
光→円偏光(特に 1/4波長板と呼ばれる)〕、あるい
は、〔直線偏光→それと相直交する直線偏光(特に 1/2
波長板と呼ばれる)〕など光の偏光状態の変換を行う基
本光学要素に適用した例を示す。
In the fourth embodiment, an anisotropic nanocomposite material is converted into an optical phase plate, that is, [linearly polarized light → circularly polarized light (especially, a 波長 wavelength plate)] using the birefringence of a substance, or , [Linearly polarized light → linearly orthogonal to it (especially 1/2
An example in which the present invention is applied to a basic optical element that converts the polarization state of light will be described.

【0044】実施例1と同一の装置を用い、小型スパッ
タ蒸発源4および7ともにTa2 5 のターゲットを搭
載し、基板を室温に保持し、両ターゲットへの投入電力
を200Wとし、放電時間を30分とした以外は、実施
例と同一の条件で基板上にTa2 5 膜を蒸着した。
Using the same apparatus as in Example 1, a target of Ta 2 O 5 was mounted on both the small sputter evaporation sources 4 and 7, the substrate was kept at room temperature, the power supplied to both targets was 200 W, and the discharge time was A Ta 2 O 5 film was vapor-deposited on the substrate under the same conditions as in the example except that the time was changed to 30 minutes.

【0045】形成された膜の構造をSEMおよびTEM
で調べたところ、異方性ナノ複合構造を有しており、そ
の構造を模式的に図6に示した。すなわち、平均的厚さ
5nm、平均的長さ30nm、膜厚に相当する高さは
1,500nmである物質が基板に垂直に平均的幅3n
mの空隙を介して多数分散していた。また、この異方性
を有する物質はその偏平な方向が蒸着物質の入射方向に
直角になるように配向していた。
The structure of the formed film was determined by SEM and TEM.
As a result, it was found that it had an anisotropic nanocomposite structure, and the structure is schematically shown in FIG. That is, a substance having an average thickness of 5 nm, an average length of 30 nm, and a height corresponding to the film thickness of 1,500 nm is perpendicular to the substrate and has an average width of 3 n.
Many were dispersed through the voids of m. The anisotropic substance was oriented so that its flat direction was perpendicular to the direction of incidence of the deposited substance.

【0046】本実施例に係る異方性ナノ複合材料薄膜
は、良好な複屈折性を示し、単層でもその複屈折性は基
板面法線方向に最大であった。
The anisotropic nanocomposite thin film according to the present example exhibited good birefringence, and even in a single layer, the birefringence was maximum in the direction normal to the substrate surface.

【0047】従来の無機複屈折薄膜は、基板表面に斜め
に蒸着した第1層を形成後、蒸発源に対して基板を反転
した後、第2の斜めの蒸着層を形成しており、工程が複
雑になる欠点があったが、本実施例では1回の成膜で簡
易に製造できる。(実施例5)
In the conventional inorganic birefringent thin film, after forming the first layer obliquely deposited on the substrate surface, inverting the substrate with respect to the evaporation source, and forming the second obliquely deposited layer, However, this embodiment can be easily manufactured by one film formation. (Example 5)

【0048】本実施例は図4に示した装置を一部改良し
た装置を用い、量子サイズ効果及び光学異方性を期待で
きる異方性ナノ複合構造の形成例を示す。
This embodiment shows an example of forming an anisotropic nanocomposite structure that can be expected to have a quantum size effect and optical anisotropy by using a device obtained by partially improving the device shown in FIG.

【0049】本実施例5の異方性ナノ複合構造は、図7
に示した装置を用いて作製した。図7の装置に於いて
は、図1の装置に比べターゲットを基板に近づけ、成膜
効率の向上を図った。しかしこれにより基板に入射する
蒸着物質の入射角の広がりが大きくなってしまう。そこ
で、基板設置位置をA位置からB位置に変更し、基板位
置から見込むターゲットの見込み角を最小限に抑えるよ
うにしてある。
The anisotropic nanocomposite structure of the fifth embodiment is shown in FIG.
Was manufactured using the apparatus shown in FIG. In the apparatus shown in FIG. 7, the target is brought closer to the substrate as compared with the apparatus shown in FIG. However, this increases the spread of the incident angle of the deposition material incident on the substrate. Therefore, the substrate installation position is changed from the position A to the position B, and the expected angle of the target viewed from the substrate position is minimized.

【0050】スパッタ蒸着源7にZnTeターゲット
を、スパッタ蒸着源4にSiO2 ターゲットを搭載す
る。減圧容器8内のAr濃度を5×10-3mmHgと
し、両スパッタ蒸発源で放電を開始した。ZnTeター
ゲットへの投入電力を10W、SiO2 ターゲットへの
投入電力を300Wとし、室温に保った基板面上にZn
TeとSiO2 を同時に蒸着した。蒸着量はZnTeと
SiO2 が重量比で1:1となるようにし、入射角はそ
れぞれ55度とした。
A ZnTe target is mounted on the sputter deposition source 7, and a SiO 2 target is mounted on the sputter deposition source 4. The Ar concentration in the depressurized container 8 was set to 5 × 10 −3 mmHg, and discharge was started from both sputter evaporation sources. The power input to the ZnTe target was 10 W, the power input to the SiO 2 target was 300 W, and Zn was placed on the substrate surface kept at room temperature.
Te and SiO 2 were simultaneously deposited. The deposition amount was such that the weight ratio of ZnTe and SiO 2 was 1: 1 and the incident angles were 55 degrees.

【0051】図8、図9、図10は形成された膜の透過
電子顕微鏡(TEM)像を3段階の観察倍率で示したも
のである。観察は膜面法線方向からなされており、蒸着
方位は各図とも水平方向であり、ZnTeが左側から、
SiO2 が右側から入射している。図8は膜面が特徴あ
る微細な構造で一様に埋め尽くされていることを示して
おり、更に拡大した図9では、比較的暗い部分と比較的
明るい部分とが交互に基板面上を埋め尽くしていること
が明確に示されていて、前記各領域は種々の形状を呈し
ているが、全体的に見たそれらの形状並びに個々に捉え
た場合の大部分の形状は共に縦方向に延びた平均的幅が
数nm、平均的長さが数10nmであり、本発明に係る
異方性ナノ複合構造が実現していることを示している。
更に拡大した図10では、上記縦方向に延びた平均的厚
さが数nm、平均的長さが数10nmの比較的暗い領域
及びその周囲に格子像が観察され、その格子間隔がZn
Teのそれに対応することから、この領域はナノメート
ルオーダーのZnTe微結晶から構成されていることが
わかる。
FIGS. 8, 9 and 10 show transmission electron microscope (TEM) images of the formed film at three observation magnifications. Observation is made from the normal direction of the film surface, the deposition direction is horizontal in each drawing, and ZnTe is
SiO 2 is incident from the right side. FIG. 8 shows that the film surface is evenly filled with a characteristic fine structure, and in FIG. 9 which is further enlarged, relatively dark portions and relatively bright portions are alternately formed on the substrate surface. It is clearly shown that the area is filled up, and each of the regions has a different shape, but those shapes as a whole and most of the shapes when taken individually are both in the vertical direction. The extended average width is several nm and the average length is several tens nm, which indicates that the anisotropic nanocomposite structure according to the present invention has been realized.
In FIG. 10 which is further enlarged, a lattice image is observed in a relatively dark region having an average thickness of several nm and an average length of several tens nm extending in the vertical direction and its periphery, and the lattice spacing is Zn.
Since it corresponds to that of Te, it can be seen that this region is composed of ZnTe microcrystals on the order of nanometers.

【0052】一方、比較的明るい領域の中心部には格子
像が観察されず、非結晶質に典型的な像であり、SiO
2 に対応している。このような構造では、半導体微粒子
ZnTe内で量子閉じ込め効果が生じ、非線形光学効果
の発現が期待される。図11はこの試料内で量子閉じ込
め効果が生じ、分光透過スペクトルが正面から蒸着(基
板温度250℃)したバルクのZnTeより光子のエネ
ルギーで高エネルギー側にシフトしていることを示す実
測データである。縦軸は透過率Tと光子のエネルギーh
ωの積の自乗、横軸はhωである。バルク実測値が実線
のカーブであるのに対し、本実施例に係るZnTe−S
iO2 異方性ナノ複合材料の実測値は高エネルギー側に
シフトしている。さらに、異方性ナノ複合構造の偏平な
方向にプローブ光の直線偏光を平行になるようにして測
定した破線のカーブより、プローブ光の直線偏光方向を
垂直になるようにして測定した一点鎖線のカーブの方が
シフト量が大きく、量子閉じ込め効果に異方性が反映さ
れていることを示している。図12は同試料の分光透過
率を、図8の縦方向に直線偏光した入射光で測定した場
合と、図8の横方向に直接偏光した入射光で測定した場
合とで、別々に示したものである。図8に示された構造
異方性を反映し、前者の方が透過率が低い。このよう
に、マクロ的な特性も本実施例に係る異方性ナノ複合構
造が実現していることを示している。(実施例6)
On the other hand, no lattice image is observed at the center of a relatively bright region, and this is a typical image of an amorphous material.
It corresponds to 2 . In such a structure, a quantum confinement effect occurs in the semiconductor fine particles ZnTe, and the development of a nonlinear optical effect is expected. FIG. 11 is actually measured data showing that a quantum confinement effect occurs in this sample, and the spectral transmission spectrum is shifted to a higher energy side by photon energy than bulk ZnTe deposited from the front (at a substrate temperature of 250 ° C.). . The vertical axis represents the transmittance T and the photon energy h.
The square of the product of ω, and the horizontal axis is hω. While the measured bulk value is the curve of the solid line, the ZnTe-S
The measured value of the iO 2 anisotropic nanocomposite has shifted to the higher energy side. Furthermore, from the dashed curve measured by making the linear polarization of the probe light parallel to the flat direction of the anisotropic nanocomposite structure, the dashed line The curve shows a larger shift amount, indicating that the quantum confinement effect reflects anisotropy. FIG. 12 separately shows the spectral transmittance of the same sample when measured with the incident light linearly polarized in the vertical direction in FIG. 8 and the case where the spectral transmittance was measured with the incident light directly polarized in the horizontal direction in FIG. Things. Reflecting the structural anisotropy shown in FIG. 8, the former has a lower transmittance. As described above, the macro characteristics also indicate that the anisotropic nanocomposite structure according to the present example has been realized. (Example 6)

【0053】図7の装置を用いてWとSiの同時蒸着膜
を実施例5と同様にして基板面上に形成した。得られた
膜のTEM像を図13に示す。
A co-evaporated film of W and Si was formed on the substrate surface in the same manner as in Example 5 using the apparatus shown in FIG. FIG. 13 shows a TEM image of the obtained film.

【0054】この図では、Wは下方から、Siは上方か
ら蒸着されている。図8とは多少異なるが、やはり本発
明に係る異方性ナノ複合構造が実現していることを示し
ている。同様にしてPtとSiの系や、CuとSiO2
の系等、多くの物質の組み合わせにおいて実現できた。
In this figure, W is deposited from below and Si is deposited from above. Although slightly different from FIG. 8, it also shows that the anisotropic nanocomposite structure according to the present invention has been realized. Similarly, a system of Pt and Si, or Cu and SiO 2
And many other combinations of substances.

【0055】図14、図15はCuとSiO2 の系にお
いて実現した本実施例に係る異方性ナノ複合構造による
複屈折特性(図14)、偏光特性(図15)を示す。図
14は相直交する二つの偏光板間で試料を面内回転させ
透過率の変化を回転角に対してプロットしたものであ
る。各点と原点を結ぶ直線の絶対値が透過光強度を、該
直線とx軸とのなす角度が回転角を示す。
FIGS. 14 and 15 show the birefringence characteristics (FIG. 14) and the polarization characteristics (FIG. 15) of the anisotropic nanocomposite structure according to the present embodiment realized in the system of Cu and SiO 2 . FIG. 14 is a graph in which the sample is rotated in-plane between two polarizing plates orthogonal to each other and the change in transmittance is plotted against the rotation angle. The absolute value of a straight line connecting each point and the origin indicates the transmitted light intensity, and the angle between the straight line and the x axis indicates the rotation angle.

【0056】試料に複屈折性が無ければ、直交する二つ
の偏光板の効果により透過光は無くなるはずであるが、
試料に複屈折性があると、第1の偏光板で直線偏光にさ
れた入射光は、もし試料の複屈折性の起因となっている
光学異方性の主軸方向が、直線偏光の方向からずれてい
る場合には、その直線偏光が楕円偏光に変換されるた
め、第2の偏光板を透過するようになる。この効果は上
記光学異方性の主軸の方向と直線偏光の方向のずれが4
5度となったときに最大となるので、透過光強度は試料
の回転角の45度毎に最大、最小を繰り返し、極座標表
示では四葉のクローバ型になる。図15は波長が63
2.8nmの直線偏光による透過率測定に於いて試料を
面内回転させ透過率の変化を回転角に対してプロットし
たものである。各点と原点を結ぶ直線の絶対値が透過光
強度を、該直線とx軸とのなす角度が回転角を示す。こ
れらのマクロな特性も円にならず、瓢箪形を示し、本実
施例に係る異方性を有するナノ複合材料が実現している
ことを示している。
If the sample does not have birefringence, transmitted light should disappear due to the effect of two orthogonal polarizing plates.
If the sample has birefringence, the incident light that has been linearly polarized by the first polarizing plate will have its principal axis direction of the optical anisotropy, which is the cause of the birefringence of the sample, shifted from the direction of the linearly polarized light. In the case of deviation, the linearly polarized light is converted into elliptically polarized light, so that the light is transmitted through the second polarizing plate. This effect is obtained when the deviation between the direction of the main axis of the optical anisotropy and the direction of the linearly polarized light is 4%.
The transmitted light intensity becomes maximum at 5 degrees, and the transmitted light intensity repeats maximum and minimum every 45 degrees of the rotation angle of the sample, and becomes a four-leaf clover type in polar coordinate display. FIG. 15 shows that the wavelength is 63.
In the transmittance measurement with 2.8 nm linearly polarized light, the sample is rotated in-plane and the change in transmittance is plotted against the rotation angle. The absolute value of a straight line connecting each point and the origin indicates the transmitted light intensity, and the angle between the straight line and the x axis indicates the rotation angle. These macro characteristics are not circular, but show a gourd shape, indicating that the nanocomposite material having anisotropy according to the present example has been realized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の実施例1において形成された異方性
ナノ複合材料の構造を示す模式図である。
FIG. 1 is a schematic diagram showing the structure of an anisotropic nanocomposite formed in Example 1 of the present invention.

【図2】 本発明の実施例2において形成された異方性
ナノ複合材料の構造を示す模式図である。
FIG. 2 is a schematic diagram showing a structure of an anisotropic nanocomposite material formed in Example 2 of the present invention.

【図3】 本発明の実施例3において形成された異方性
ナノ複合材料の構造を示す模式図である。
FIG. 3 is a schematic diagram showing a structure of an anisotropic nanocomposite formed in Example 3 of the present invention.

【図4】 本発明の異方性ナノ複合材料を製造するため
の装置の一具体例を示す図である。
FIG. 4 is a view showing one specific example of an apparatus for producing the anisotropic nanocomposite material of the present invention.

【図5】 光子のエネルギーと透過光強度の関係を示す
図である。
FIG. 5 is a diagram showing a relationship between photon energy and transmitted light intensity.

【図6】 本発明の実施例4において形成された異方性
ナノ複合材料の構造を示す模式図である。
FIG. 6 is a schematic diagram showing a structure of an anisotropic nanocomposite material formed in Example 4 of the present invention.

【図7】 本発明の異方性ナノ複合材料を製造するため
の装置の一具体例を示す図である。
FIG. 7 is a view showing a specific example of an apparatus for producing the anisotropic nanocomposite material of the present invention.

【図8】 本発明の実施例5において形成された異方性
ナノ複合材料の粒子構造を示す図である。
FIG. 8 is a view showing a particle structure of an anisotropic nanocomposite material formed in Example 5 of the present invention.

【図9】 本発明の実施例5において形成された異方性
ナノ複合材料の粒子構造を示す図である。
FIG. 9 is a diagram showing a particle structure of an anisotropic nanocomposite formed in Example 5 of the present invention.

【図10】 本発明の実施例5において形成された異方
性ナノ複合材料の粒子構造を示す図である。
FIG. 10 is a view showing a particle structure of an anisotropic nanocomposite material formed in Example 5 of the present invention.

【図11】 本発明の実施例5において形成された異方
性ナノ複合材料の光子のエネルギーと、透過率と光子の
エネルギーの積の自乗との関係を示す図である。
FIG. 11 is a diagram showing the relationship between the photon energy of the anisotropic nanocomposite material formed in Example 5 of the present invention and the square of the product of the transmittance and the photon energy.

【図12】 本発明の実施例5において形成された異方
性ナノ複合材料の光子のエネルギーと分光透過率との関
係を示す図である。
FIG. 12 is a diagram showing the relationship between the energy of photons and the spectral transmittance of the anisotropic nanocomposite formed in Example 5 of the present invention.

【図13】 本発明の実施例6において形成された異方
性ナノ複合材料の粒子構造を示す図である。
FIG. 13 is a view showing a particle structure of an anisotropic nanocomposite material formed in Example 6 of the present invention.

【図14】 本発明の実施例6において形成された異方
性ナノ複合材料の複屈折特性を示す図である。
FIG. 14 is a diagram showing the birefringence characteristics of the anisotropic nanocomposite formed in Example 6 of the present invention.

【図15】 本発明の実施例6において形成された異方
性ナノ複合材料の偏光特性を示す図である。
FIG. 15 is a diagram showing polarization characteristics of the anisotropic nanocomposite material formed in Example 6 of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ・・・ 基板 2 ・・・ CdTe、Al、CdS、空隙 3 ・・・ SiO2 、CdTe、Ta2 5 4、7 ・・・ 小型スパッタ蒸発源 5 ・・・ 真空計 8 ・・・ 減圧容器 9 ・・・ 真空ポンプ 10 ・・・ シャッタ 11 ・・・ 加熱装置 12 ・・・ ターゲット1 ... substrate 2 ··· CdTe, Al, CdS, voids 3 ··· SiO 2, CdTe, Ta 2 O 5 4,7 ··· compact sputtering evaporation source 5 ... gauge 8 ... vacuum Vessel 9 ・ ・ ・ Vacuum pump 10 ・ ・ ・ Shutter 11 ・ ・ ・ Heating device 12 ・ ・ ・ Target

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 野田 正治 愛知県愛知郡長久手町大字長湫字横道41 番地の1株式会社 豊田中央研究所内 (56)参考文献 特開 昭57−117225(JP,A) 特開 昭63−465(JP,A) 特開 昭63−255359(JP,A) 特開 昭64−17859(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C23C 14/00 - 14/58 JICSTファイル(JOIS)──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (72) Inventor: Masaharu Noda 41-cho, Yokomichi, Nagakute-cho, Aichi-gun, Aichi, Japan 1 Toyota Central Research Laboratory Co., Ltd. (56) References JP-A-63-465 (JP, A) JP-A-63-255359 (JP, A) JP-A-64-17859 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) C23C 14/00-14/58 JICST file (JOIS)

Claims (13)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 基板と該基板上に形成された膜とからな
り、 該膜は少なくとも1種のナノ粒子で構成され、 該ナノ粒子は該基板表面より立ち上がり、その断面形状
の短径部の距離( 厚さの平均が1〜9nmの間にあり
かつ長径部の距離(長さの平均が10〜90nmの間
ある断面異方的であり、 該ナノ粒子は互いに該長径部の方向に配向するとともに
該長径部の方向及び該短径部の方向に間隙をおいて分散
している ことを特徴とする異方性ナノ複合材料。
1. A semiconductor device comprising a substrate and a film formed on the substrate.
The film is composed of at least one kind of nanoparticles, and the nanoparticles rise from the surface of the substrate and have a cross-sectional shape.
The average of the distance ( thickness ) of the minor axis part of is between 1 and 9 nm
In addition, the average of the distance ( length ) of the major axis is 10 to 90 nm in cross section and the nanoparticles are oriented in the direction of the major axis with respect to each other.
Dispersed with a gap in the direction of the major axis and the direction of the minor axis
Anisotropic nanocomposite material, characterized by that.
【請求項2】 前記ナノ粒子は前記短径部の方向に重な2. The method according to claim 1, wherein the nanoparticles overlap in the direction of the minor axis.
った2種類の物質で形成されている請求項1記載の異方2. The anisotropic material according to claim 1, wherein the anisotropic material is formed of only two kinds of substances.
性ナノ複合材料。Nanocomposites.
【請求項3】 前記ナノ粒子間の間隙は空間である請求3. The space between the nanoparticles is a space.
項1又は2記載の異方性ナノ複合材料。Item 3. An anisotropic nanocomposite according to item 1 or 2.
【請求項4】 前記ナノ粒子間の間隙には前記ナノ粒子4. The method according to claim 1, wherein the gap between said nanoparticles is
を形成する以外の物質が介在する請求項1又は2記載のThe substance according to claim 1 or 2, wherein a substance other than the substance forming the substance is interposed.
異方性ナノ複合材料。Anisotropic nanocomposites.
【請求項5】 前記ナノ粒子は無機質の酸化物質、フッ5. The method according to claim 1, wherein the nanoparticles are inorganic oxidized substances,
化物質、半導体又は金属で形成されている請求項1、31 and 3 are formed of an oxide, a semiconductor or a metal.
又は4記載の異方性ナノ複合材料。Or the anisotropic nanocomposite material according to 4.
【請求項6】 前記2種類の物質の組合せは、1つの物6. The combination of the two substances is one substance
質が酸化物質又はフッ化物質であり他の物質が半導体又The substance is an oxidized or fluorinated substance and the other substance is a semiconductor or
は金属である組合せ、一つの物質が半導体であり、他のIs a combination of metals, one substance is a semiconductor and the other is
物質が異なる半導体である組合せ、又は一つの物質が酸A combination in which the substances are different semiconductors, or one substance is an acid
化物又はフッ化物であり、他の物質が金属である組合Is a fluoride or fluoride and the other substance is a metal
せ、である請求項2記載の異方性ナノ複合材料。3. The anisotropic nanocomposite material according to claim 2, wherein
【請求項7】 前記ナノ粒子を形成する物質と前記間隙7. The material forming the nanoparticles and the gap
に介在する物質の2種類の物質の組合せは、1つの物質Combination of two kinds of substances that intervene in one is one substance
が酸化物質又はフッ化物質であり他の物質が半導体又はAre oxidized or fluorinated substances and other substances are semiconductors or
金属である組合せ、一つの物質が半導体であり、他の物Combinations that are metals, one substance is a semiconductor, the other is
質が異なる半導体である組合せ、又は一つの物質が酸化A combination of semiconductors of different qualities, or one substance is oxidized
物又はフッ化物であり、他の物質が金属である組合せ、A substance or fluoride and the other substance is a metal,
である請求項4記載の異方性ナノ複合材料。The anisotropic nanocomposite material according to claim 4, wherein
【請求項8】 前記酸化物質はMgO、Al8. The oxidizing substance is MgO, Al 2Two  O 3Three 、S , S
iO、SiOiO, SiO 2Two 、TiO , TiO 2Two 、V , V 2Two  O 5Five 、CuO、Zn , CuO, Zn
O、GeOO, GeO 2Two 、ZnO , ZnO 2Two 、Nb , Nb 2Two  O 5Five 、MoO , MoO 3Three 、In , In
2Two  O 3Three 、SnO , SnO 2Two 、HfO , HfO 2Two 、Ta , Ta 2Two  O 5Five 、WO , WO 3Three 、B , B
i 2Two  O 3Three 、La , La 2Two  O 3Three 、CeO , CeO 2Two の1種又は2種以上で One or more of
あり、前記フッ化物質はCaFAnd the fluorinated substance is CaF 2Two 、CeF , CeF 2Two 、MgF , MgF 2Two
の1種又は2種以上であり、前記半導体はCdS、CdWherein the semiconductor is CdS, CdS
Se、CdTe、GaAs、Ge、ZnTe、ZnSのSe, CdTe, GaAs, Ge, ZnTe, ZnS
1種又は2種以上であり、前記金属はFe、Co、NOne or more kinds, and the metal is Fe, Co, N
i、Au、Ag、Al、Pt、Caの1種又は2種以上one or more of i, Au, Ag, Al, Pt, and Ca
である請求項5、6又は7記載の異方性ナノ複合材料。The anisotropic nanocomposite material according to claim 5, 6 or 7, wherein
【請求項9】 減圧容器内において、基板の面法線に対9. In a decompression container, the substrate normal to the surface normal
し30〜89度傾斜した方向を中心とする方向から一方From a direction centered on a direction inclined by 30 to 89 degrees.
の物質を、それと30度以上異なる方向を中心とする方A substance whose center is in a direction different from the substance by 30 degrees or more
向から他方の物質を該基板面上に同時に蒸着することをSimultaneously depositing the other substance on the substrate surface from the
特徴とする異方性ナノ複合材料の製造方法。A method for producing an anisotropic nanocomposite material.
【請求項10】 前記一方の物質と前記他方の物質とは10. The one substance and the other substance
同一物質である請求項9記載の異方性ナノ複合材料の製The production of the anisotropic nanocomposite material according to claim 9, which is the same substance.
造方法。Construction method.
【請求項11】 前記物質は無機質の酸化物質、フッ化11. The substance is an inorganic oxidized substance, fluorinated substance.
物質、半導体又は金属である請求項104記載の異方性105. The anisotropic material according to claim 104, wherein the material is a substance, a semiconductor, or a metal.
ナノ複合材料の製造方法。Manufacturing method of nanocomposite material.
【請求項12】 前記一方の物質と前記他方の物質の組12. A set of the one substance and the other substance
合せは、一方の物質が酸化物質又はフッ化物質であり他Combination is when one substance is an oxidized substance or a fluorinated substance and
方の物質が半導体又は金属である組合せ、一方の物質がOne of the substances is a semiconductor or metal, and one is
半導体であり、他方の物質が異なる半導体である組合Unions that are semiconductors and the other substance is a different semiconductor
せ、又は一方の物質が酸化物又はフッ化物であり、他方Or one of the substances is an oxide or fluoride and the other is
の物質が金属である組合せ、である請求項9記載の異方10. The anisotropic composition of claim 9, wherein the substance is a metal.
性ナノ複合材料の製造方法。For producing conductive nanocomposites.
【請求項13】 前記酸化物質はMgO、Al13. The oxidizing substance is MgO, Al 2Two  O 3Three  ,
SiO、SiOSiO, SiO 2Two 、TiO , TiO 2Two 、V , V 2Two  O 5Five 、CuO、Zn , CuO, Zn
O、GeOO, GeO 2Two 、ZnO , ZnO 2Two 、Nb , Nb 2Two  O 5Five 、MoO , MoO 3Three 、In , In
2Two  O 3Three 、SnO , SnO 2Two 、HfO , HfO 2Two 、Ta , Ta 2Two  O 5Five 、WO , WO 3Three 、B , B
i 2Two  O 3Three 、La , La 2Two  O 3Three 、CeO , CeO 2Two の1種又は2種以上で One or more of
あり、前記フッ化物質はCaFAnd the fluorinated substance is CaF 2Two 、CeF , CeF 2Two 、MgF , MgF 2Two
の1種又は2種以上であり、前記半導体はCdS、CdWherein the semiconductor is CdS, CdS
Se、CdTe、GaAs、Ge、ZnTe、ZnSのSe, CdTe, GaAs, Ge, ZnTe, ZnS
1種又は2種以上であり、前記金属はFe、Co、NOne or more kinds, and the metal is Fe, Co, N
i、Au、Ag、Al、Pt、Caの1種又は2種以上one or more of i, Au, Ag, Al, Pt, and Ca
である請求項11又は12記載の異方性ナノ複合材料のThe anisotropic nanocomposite according to claim 11 or 12,
製造方法。Production method.
JP8788591A 1990-03-27 1991-03-26 Anisotropic nanocomposite and method for producing the same Expired - Fee Related JP3259844B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8788591A JP3259844B2 (en) 1990-03-27 1991-03-26 Anisotropic nanocomposite and method for producing the same

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8025990 1990-03-27
JP2-80259 1990-03-27
JP8788591A JP3259844B2 (en) 1990-03-27 1991-03-26 Anisotropic nanocomposite and method for producing the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH04218662A JPH04218662A (en) 1992-08-10
JP3259844B2 true JP3259844B2 (en) 2002-02-25

Family

ID=26421296

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8788591A Expired - Fee Related JP3259844B2 (en) 1990-03-27 1991-03-26 Anisotropic nanocomposite and method for producing the same

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3259844B2 (en)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6243199B1 (en) * 1999-09-07 2001-06-05 Moxtek Broad band wire grid polarizing beam splitter for use in the visible wavelength region
WO2004023527A2 (en) * 2002-09-05 2004-03-18 Nanosys, Inc. Nanostructure and nanocomposite based compositions and photovoltaic devices
CN1621866A (en) 2003-11-28 2005-06-01 日本板硝子株式会社 Thin-film structure and method for producing the same
US7442320B2 (en) * 2004-06-18 2008-10-28 Ultradots, Inc. Nanostructured materials and photovoltaic devices including nanostructured materials
JP2006165014A (en) * 2004-12-02 2006-06-22 Toppan Printing Co Ltd Method of forming metal oxide film and method of manufacturing dye-sensitized solar cell
JP4634220B2 (en) * 2005-05-23 2011-02-16 株式会社リコー Polarization control element and optical element
US9105776B2 (en) * 2006-05-15 2015-08-11 Stion Corporation Method and structure for thin film photovoltaic materials using semiconductor materials
KR101468395B1 (en) 2007-04-02 2014-12-04 렌슬러 폴리테크닉 인스티튜트 Ultrathin magnesium nanoblades
JP5019964B2 (en) * 2007-06-15 2012-09-05 株式会社リコー Polarization conversion element and laminated polarization conversion element
JP5048436B2 (en) * 2007-09-25 2012-10-17 日東電工株式会社 Manufacturing method of adhesive tape
JP5153271B2 (en) * 2007-09-11 2013-02-27 日東電工株式会社 Adhesive tape
JP5480956B2 (en) * 2012-12-04 2014-04-23 日東電工株式会社 Adhesive tape
JP6380932B2 (en) * 2014-10-21 2018-08-29 株式会社日立製作所 Method and apparatus for manufacturing nano-order structure
SG11202101302TA (en) * 2018-08-09 2021-03-30 Jx Nippon Mining & Metals Corp Sputtering target, magnetic film, and perpendicular magnetic recording medium

Also Published As

Publication number Publication date
JPH04218662A (en) 1992-08-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5571612A (en) Anisotropic nanophase composite material and method of producing same
JP3259844B2 (en) Anisotropic nanocomposite and method for producing the same
Zhao et al. Chiral 2D-perovskite nanowires for stokes photodetectors
Guo et al. Hyperbolic dispersion arising from anisotropic excitons in two-dimensional perovskites
Tubbs MoO3 layers—optical properties, colour centres, and holographic recording
Zeyada et al. Role of annealing temperatures on structure polymorphism, linear and nonlinear optical properties of nanostructure lead dioxide thin films
Irimpan et al. Effect of annealing on the spectral and nonlinear optical characteristics of thin films of nano-ZnO
Shi et al. Structural and optical characteristics of SiO2 thin film containing GaAs microcrystallites
Yang et al. Optical limiting in SrBi 2 Ta 2 O 9 and PbZr x Ti 1− x O 3 ferroelectric thin films
Ganesh et al. The detailed calculations of optical properties of indium-doped CdO nanostructured films using Kramers-Kronig relations
KM et al. Defect assisted saturable absorption characteristics in Al and Li doped ZnO thin films
AlAbdulaal et al. Investigating the structural morphology, linear/nonlinear optical characteristics of Nd2O3 doped PVA polymeric composite films: Kramers-Kroning approach
Chouhan et al. Effects of oxygen partial pressure and annealing on dispersive optical nonlinearity in NiO thin films
EP0431973B1 (en) Nonlinear optical device and method of manufacturing
Wang et al. Structural, optical and half-metallic properties of Mn and As co-implanted ZnO thin films
Suzuki et al. Antireflection coatings with FeSi2 layer: Application to low-reflectivity wire grid polarizers
Guo et al. Modulation of epsilon-near-zero wavelength and enhancement of third-order optical nonlinearity in ITO/Au multilayer films
Usha et al. Influence of substrate temperature on the optical and vibrational properties of RF sputter coated NiO: WO3 thin films for optoelectronic applications
Abdi et al. Structural, electrical, and magnetic characterization of nickel-doped tin oxide film by a sol–gel method
Foumani et al. Optical and surface properties of Gd-doped ZnO thin films deposited by thermionic vacuum arc deposition technology
Kumar et al. Target-to-substrate distance influenced linear and nonlinear optical properties of a-plane oriented ZnO: Al thin films
Weng et al. Comparison of measurement results of MgF2–Nb2O5 distributed Bragg reflectors with different periods
Sharma et al. Light soaking and annealing induced modification of non-linear and linear optical absorption of nanocrystalline CdTe (nc-CdTe) thin films
DATTA Study of 1D Photonic crystals incorporated with thermochromic materials for energy efficient smart window applications
Nadafan et al. Assessment of the third order nonlinear optical susceptibility of V2− xCoxO5 (x= 0.0, 0.05, 0.10, 0.20) thin film via Z-scan technique

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081214

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091214

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Year of fee payment: 9

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101214

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees