JP3259165B2 - Processing container with clamping mechanism for substrate to be processed - Google Patents

Processing container with clamping mechanism for substrate to be processed

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JP3259165B2
JP3259165B2 JP11116497A JP11116497A JP3259165B2 JP 3259165 B2 JP3259165 B2 JP 3259165B2 JP 11116497 A JP11116497 A JP 11116497A JP 11116497 A JP11116497 A JP 11116497A JP 3259165 B2 JP3259165 B2 JP 3259165B2
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processing container
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  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、気密状態に維持さ
れた処理容器内において被処理基板をステージ上に保持
して処理を行う処理装置に関し、特に被処理基板を加熱
しながらレーザ等による処理を行う処理装置用の処理容
器に関する。この種の処理容器は、特に、レーザアニー
リング装置のように、処理容器内の真空あるいは不活性
ガスの雰囲気中でアモルファスシリコンをポリシリコン
に変えるための熱処理を行う処理装置に適している。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a processing apparatus for performing processing while holding a substrate to be processed on a stage in a processing vessel maintained in an airtight state, and more particularly to processing using a laser or the like while heating the substrate to be processed. The present invention relates to a processing container for a processing apparatus for performing the above. This type of processing vessel is particularly suitable for a processing apparatus such as a laser annealing apparatus that performs a heat treatment for converting amorphous silicon into polysilicon in a vacuum or an inert gas atmosphere in the processing vessel.

【0002】[0002]

【従来の技術】この種の処理装置に適用される被処理基
板の一例として、液晶表示装置用の液晶基板を製造する
場合、ガラス基板が用いられる。このガラス基板には、
多数の画素を構成するための表示部とこの表示部の上下
左右において各画素をドライブするためのドライバとが
形成される。ドライバを形成するために、最近、ガラス
基板のドライバに対応する領域にアモルファスシリコン
を塗布し、これを加熱してポリシリコンに変える方法が
採用されている。上記のような加熱処理を行うために、
レーザアニーリング装置が用いられており、以下、この
レーザアニーリング装置について説明する。
2. Description of the Related Art As an example of a substrate to be processed applied to this type of processing apparatus, a glass substrate is used when a liquid crystal substrate for a liquid crystal display device is manufactured. This glass substrate has
A display unit for forming a large number of pixels and drivers for driving each pixel on the upper, lower, left and right sides of the display unit are formed. In order to form a driver, a method has recently been adopted in which amorphous silicon is applied to a region of a glass substrate corresponding to the driver, and this is heated to be converted to polysilicon. In order to perform the above heat treatment,
A laser annealing device is used. Hereinafter, this laser annealing device will be described.

【0003】レーザアニーリング装置によりレーザアニ
ールをおこなう際には、被処理基板をステージに載置し
て真空容器内に配置し、石英窓を通して被処理基板の処
理領域にレーザ光を照射する。真空容器内でステージを
一軸方向に移動させることにより、被処理基板の所望の
領域に順次レーザ光を照射することができる。
When laser annealing is performed by a laser annealing apparatus, a substrate to be processed is placed on a stage and placed in a vacuum vessel, and a processing region of the substrate to be processed is irradiated with laser light through a quartz window. By moving the stage in the uniaxial direction in the vacuum container, a desired region of the substrate to be processed can be sequentially irradiated with laser light.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ステージは、通常、真
空容器の外部まで導出された一軸方向の駆動軸により移
動可能にされている。なお、ガラス基板は、レーザ光を
照射する前にあらかじめ予熱されていることが好まし
く、このため真空容器内にはヒータが配設されている。
また、ガラス基板は、ステージに植設された複数のピン
上に載置されている。ガラス基板がその熱膨張を妨げる
ように保持されていると、膨張時の応力の逃げ場が無い
のでガラス基板が破損してしまう。このために、ガラス
基板はその自重による摩擦力のみで位置ずれを防ぐよう
にされている。
The stage is usually made movable by a uniaxial drive shaft extending to the outside of the vacuum vessel. It is preferable that the glass substrate is pre-heated before irradiation with the laser beam, and therefore, a heater is provided in the vacuum vessel.
Further, the glass substrate is placed on a plurality of pins implanted on the stage. If the glass substrate is held so as to hinder its thermal expansion, there is no place for stress to escape during expansion, and the glass substrate is damaged. For this reason, the glass substrate is prevented from being displaced only by the frictional force due to its own weight.

【0005】一方、ステージは、レーザ光を被処理基板
の所望の領域に照射するために、精密に位置決めされる
必要がある。ところが、ステージの位置決め制御が高速
で行われると、その移動時の加速度によりガラス基板が
ずれてしまうので、ある一定値以上の加速度を越えるよ
うな位置決め制御は困難である。また、ガラス基板の位
置ずれは、振動によって生じる場合もある。
On the other hand, the stage needs to be precisely positioned in order to irradiate a laser beam to a desired region of the substrate to be processed. However, when the positioning control of the stage is performed at a high speed, the glass substrate is displaced by the acceleration at the time of the movement, so that it is difficult to perform the positioning control to exceed the acceleration exceeding a certain fixed value. Further, the displacement of the glass substrate may be caused by vibration.

【0006】いずれにしても、これまでのレーザアニー
リング装置は、ガラス基板の位置ずれを防ぐ手段を持た
ないために、高速での位置決め制御が不可能であり、振
動により位置ずれを生じやすいという問題点がある。
In any case, since the conventional laser annealing apparatus does not have a means for preventing the displacement of the glass substrate, high-speed positioning control is impossible, and the displacement is likely to occur due to vibration. There is a point.

【0007】本発明の課題は、ステージ上の被処理基板
を、位置ずれを生じないように保持することのできるク
ランプ機構を備えた処理容器を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a processing container provided with a clamp mechanism capable of holding a substrate to be processed on a stage without causing a positional shift.

【0008】本発明の他の課題は、被処理基板に熱膨張
が生じたとしても、それを妨げること無く保持すること
のできるクランプ機構を備えた処理容器を提供すること
にある。
Another object of the present invention is to provide a processing container provided with a clamp mechanism capable of holding a substrate to be processed without obstructing the substrate even if the substrate undergoes thermal expansion.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明によれば、気密状
態を維持される処理容器と、前記処理容器内に配置さ
れ、被処理基板を載置するための複数のピンを植設した
ステージと、該ステージに載置された前記被処理基板の
少なくとも一つの側端において前記被処理基板をその上
側から押さえるクランプ機構と、該クランプ機構により
クランプされている前記被処理基板をクランプ状態から
解放するためのアンクランプ機構とを含み、該クランプ
機構は、水平軸を支点として回動可能であって一端側に
前記被処理基板の押さえ部を有するアームと、該アーム
の他端側に前記被処理基板をクランプするための付勢力
を付与するばね機構とを含み、前記アンクランプ機構
は、前記アームの他端側に前記ばね機構の付勢力より大
きな回動力を与えて該アームをアンクランプ状態にする
ものであって、該処理容器の外側からその上壁を貫通し
て設けられて前記アームの他端側に上方から回動力を与
えるためのアンクランプピンと、該アンクランプピンを
上下方向に駆動するためのシリンダ機構と、前記アンク
ランプピンにおける前記処理容器の外側部分を気密状態
に維持するためのベローズ機構とを含むことを特徴とす
る被処理基板のクランプ機構を備えた処理容器が提供さ
れる。
According to the present invention, there is provided a processing container maintained in an airtight state, and a stage disposed in the processing container and having a plurality of pins for mounting a substrate to be processed. And a clamp mechanism for pressing the substrate to be processed from above at at least one side end of the substrate to be mounted on the stage, and releasing the substrate being clamped by the clamp mechanism from a clamped state. An arm that is rotatable around a horizontal axis and has a holding portion for the substrate to be processed on one end side, and an arm on the other end side of the arm. A spring mechanism for applying an urging force for clamping the processing substrate, wherein the unclamping mechanism applies a turning force greater than the urging force of the spring mechanism to the other end side of the arm, and The over-time to unclamp state
And penetrating the upper wall from outside of the processing container.
To apply a rotating power to the other end of the arm from above.
And an unclamping pin
A cylinder mechanism for driving up and down;
The outer part of the processing container at the lamp pin is airtight.
And a bellows mechanism for maintaining the substrate in a processing container.

【0010】なお、前記ステージは、前記被処理基板の
下側に加熱用のヒータを備え、該ヒータに前記複数のピ
ンが植設されている。
The stage has a heater for heating below the substrate to be processed, and the plurality of pins are implanted in the heater.

【0011】[0011]

【0012】更に、前記クランプ機構及び前記アンクラ
ンプ機構は、前記被処理基板の少なくとも一つの側端に
おいて2箇所に設けられ、前記ヒータにおける前記アー
ムの被処理基板の押さえ部に対応する箇所にも前記被処
理基板を載置するための前記ピンが設けられていること
が好ましい。
Further, the clamp mechanism and the unclamping mechanism are provided at two positions on at least one side end of the substrate to be processed, and are also provided at positions corresponding to the pressing portions of the arm on the substrate in the heater. Preferably, the pins for mounting the substrate to be processed are provided.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】はじめに、本発明をレーザアニー
リング装置に適用する場合について、その装置の概略を
説明する。図4は、本発明が適用される処理装置のうち
処理容器の部分について概略平断面図を示し、図5は、
図4の線B−Bによる概略断面図を、図6は図4の線C
−Cによる概略断面図をそれぞれ示す。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS First, an outline of a case where the present invention is applied to a laser annealing apparatus will be described. FIG. 4 is a schematic plan cross-sectional view of a processing vessel in the processing apparatus to which the present invention is applied, and FIG.
FIG. 6 is a schematic sectional view taken along line BB in FIG. 4, and FIG.
FIG. 1C shows a schematic cross-sectional view, respectively.

【0014】内部を真空排気可能な処理容器1の内部
に、直動機構を構成するための駆動用支軸2a及び2b
が互いに平行に配置されている。駆動用支軸2a及び2
bの一端側は、処理容器1の側壁を貫通して外部まで導
出されている。処理容器1は真空排気され、場合によっ
てはその後に不活性ガスが導入される。
Driving support shafts 2a and 2b for forming a linear motion mechanism are provided in a processing container 1 capable of evacuating the inside.
Are arranged parallel to each other. Driving spindles 2a and 2
One end of “b” extends through the side wall of the processing container 1 to the outside. The processing vessel 1 is evacuated, and after that, an inert gas may be introduced in some cases.

【0015】駆動用支軸2a及び2bの一端部はそれぞ
れ、リニアガイド機構を備えたリニアモータ4a、4b
に連結されて、これらのリニアモータ4a、4bにより
駆動用支軸2a及び2bの軸方向に駆動される。リニア
モータ4a、4bを駆動することにより、駆動用支軸2
a及び2bを、その軸方向に並進移動させることができ
る。
One ends of the driving support shafts 2a and 2b are respectively connected to linear motors 4a and 4b having a linear guide mechanism.
And driven in the axial direction of the driving support shafts 2a and 2b by these linear motors 4a and 4b. By driving the linear motors 4a and 4b, the driving support shaft 2 is driven.
a and 2b can be translated in their axial direction.

【0016】駆動用支軸2a及び2bの各々の処理容器
1の外に導出された部分には、気密機構として真空ベロ
ーズ5a、5bが被せられている。真空ベローズ5a、
5bの一端はそれぞれ処理容器1の側壁に取り付けら
れ、他端はリニアモータ4a、4bに取り付けられてい
る。このような真空べローズ5a、5bにより、処理容
器1の気密性が保たれる。
A portion of each of the driving support shafts 2a and 2b extended out of the processing container 1 is covered with a vacuum bellows 5a, 5b as an airtight mechanism. Vacuum bellows 5a,
One end of 5b is attached to the side wall of the processing container 1, and the other end is attached to the linear motors 4a and 4b. The airtightness of the processing container 1 is maintained by such vacuum bellows 5a and 5b.

【0017】処理容器1内には保持台6が配置されてい
る。保持台6は、駆動用支軸2a及び2bの他端側に固
定され、いわゆる片持ち支持構造により支持されてい
る。保持台6の中央には開口6aが設けられ、この開口
6aの周囲の上面には複数のピン7が突出しており、ア
ニール処理されるガラス等の基板8が複数のピン7の上
に載置される。保持台6の移動する下部域にはヒータ9
aが、処理容器1の天井内壁にはヒータ9bがそれぞれ
配置されている。これらのヒータ9a、9bにより基板
8が加熱される。なお、ヒータは処理容器1の天井内壁
にのみ設けられる場合もある。処理容器1の上面には石
英窓1−1が設けられており、石英窓1−1を通して処
理容器1内に光学系10からのレーザ光が導入される。
A holding table 6 is arranged in the processing vessel 1. The holding table 6 is fixed to the other end side of the driving support shafts 2a and 2b, and is supported by a so-called cantilever support structure. An opening 6a is provided in the center of the holding table 6, and a plurality of pins 7 protrude from the upper surface around the opening 6a. A substrate 8 such as glass to be annealed is placed on the plurality of pins 7. Is done. A heater 9 is provided in the lower area where the holding table 6 moves.
a, heaters 9 b are arranged on the inner wall of the ceiling of the processing container 1. The substrate 8 is heated by these heaters 9a and 9b. The heater may be provided only on the inner wall of the ceiling of the processing container 1 in some cases. A quartz window 1-1 is provided on the upper surface of the processing chamber 1, and laser light from the optical system 10 is introduced into the processing chamber 1 through the quartz window 1-1.

【0018】リニアモータ4a、4bを駆動して駆動用
支軸2a及び2bをその軸方向に並進移動させることに
より、処理容器1内で基板8を移動させることができ
る。保持台6を移動させるためのリニアモータ4a、4
bの駆動制御については詳しい説明を省略するが、リニ
アモータ4a、4bの側面にはそれぞれリニアエンコー
ダ11a、11bが設けられる。これらのリニアエンコ
ーダ11a、11bからの位置検出信号をリニアモータ
4a、4bの駆動制御系にフィードバックし、保持台6
の位置目標値に追随するような制御を行う。
The substrate 8 can be moved in the processing chamber 1 by driving the linear motors 4a and 4b to translate the driving support shafts 2a and 2b in the axial direction. Linear motors 4a and 4 for moving the holding table 6
Although a detailed description of the drive control of b is omitted, linear encoders 11a and 11b are provided on the side surfaces of the linear motors 4a and 4b, respectively. The position detection signals from the linear encoders 11a and 11b are fed back to the drive control systems of the linear motors 4a and 4b,
Is controlled so as to follow the target position value.

【0019】本例では、上記のような直動機構に加え
て、基板8を水平状態で回転させるための回転駆動機構
を備えている。この回転駆動機構は、保持台6の下側に
あって、一端側が保持台6に設けられた開口6aを通し
て上下動かつ回転して基板8を上下動かつ回転させ、他
端側は処理容器1の底壁を貫通して外部まで導出された
回転駆動軸12を含む。
In this embodiment, a rotation drive mechanism for rotating the substrate 8 in a horizontal state is provided in addition to the above-described linear movement mechanism. This rotation drive mechanism is located below the holding table 6, and one end moves up and down and rotates through an opening 6 a provided in the holding table 6 to move the substrate 8 up and down and rotates, and the other end side holds the processing vessel 1. And a rotary drive shaft 12 extending to the outside through the bottom wall of the motor.

【0020】特に、本例では、この回転駆動軸12を、
シリンダ13により上下動可能な第1の軸12−1と、
この第1の軸12−1の周囲に配置されてモータ14に
より回転駆動される筒状の第2の軸12−2とで構成し
ている。すなわち、第1の軸12−1は上下動のみ可能
であり、第2の軸12−2は回転運動のみ可能である。
第1の軸12−1の上端側には基板8を搭載するための
支持板15が設けられており、この支持板15と第2の
軸12−2の上端との間には真空ベローズ16が設けら
れている。支持板15は、保持台6に設けられた開口6
aより小さいサイズであり、第1の軸12−1の上動と
共に保持台6の開口6aを通して上動して基板8を保持
台6から離間させる。支持板15はまた、第2の軸12
−2が回転すると真空ベローズ16と共に回転して基板
8を回転させる。真空ベローズ16は、第1の軸12−
1と第2の軸12−2との間の摩擦により生ずる微小な
ごみが処理容器1内に流出することを抑制する。
In particular, in this embodiment, this rotary drive shaft 12 is
A first shaft 12-1 movable up and down by the cylinder 13,
It comprises a cylindrical second shaft 12-2 which is arranged around the first shaft 12-1 and driven to rotate by the motor 14. That is, the first shaft 12-1 can only move up and down, and the second shaft 12-2 can only rotate.
A support plate 15 for mounting the substrate 8 is provided on the upper end side of the first shaft 12-1. A vacuum bellows 16 is provided between the support plate 15 and the upper end of the second shaft 12-2. Is provided. The support plate 15 is provided with an opening 6 provided in the holding table 6.
The substrate 8 is separated from the holding table 6 by moving upward through the opening 6a of the holding table 6 together with the upward movement of the first shaft 12-1. The support plate 15 is also provided with the second shaft 12.
When −2 rotates, it rotates together with the vacuum bellows 16 to rotate the substrate 8. The vacuum bellows 16 is connected to the first shaft 12-
It suppresses minute dust generated due to friction between the first shaft 12-2 and the second shaft 12-2 from flowing into the processing container 1.

【0021】なお、モータ14の回転力は、ここではス
ティールベルト17を介して第2の軸12−2に伝えら
れる。また、第2の軸12−2と処理容器1の底壁との
間には、磁性流体による回転導入部材18が設けられ
る。
The torque of the motor 14 is transmitted to the second shaft 12-2 via the steel belt 17 here. A rotation introducing member 18 made of a magnetic fluid is provided between the second shaft 12-2 and the bottom wall of the processing chamber 1.

【0022】この回転駆動機構は、基板8の加工形態に
応じて基板8を所望の角度だけ回転させる。すなわち、
支持板15は、通常は保持台6の下にある。基板8を回
転させる必要がある場合には、保持台6の開口6aが支
持板15の真上にある状態で行われる。はじめに、第1
の軸12−1を上動させて基板8を保持台6から離し、
次に第2の軸12−2を回転させて基板8を所望の角度
だけ回転させる。回転が終了したら第1の軸12−1を
下動させて基板8を再び保持台6上に載置する。
This rotation drive mechanism rotates the substrate 8 by a desired angle according to the processing mode of the substrate 8. That is,
The support plate 15 is usually below the holding table 6. When the substrate 8 needs to be rotated, the rotation is performed in a state where the opening 6 a of the holding table 6 is directly above the support plate 15. First, first
Is moved upward to separate the substrate 8 from the holding table 6,
Next, the second shaft 12-2 is rotated to rotate the substrate 8 by a desired angle. When the rotation is completed, the first shaft 12-1 is moved down, and the substrate 8 is mounted on the holding table 6 again.

【0023】なお、この回転駆動機構による回転では、
原理的に数ミクロンオーダでの角度の位置決めは困難で
あり、微小な回転角度補正は直動機構における2つのリ
ニアモータ4a、4bの差動動作により行われる。すな
わち、2つのリニアモータ4a、4bによる変位に微小
な差を与えることにより、保持台6を微小角度回転させ
ることができる。
In the rotation by the rotation drive mechanism,
In principle, it is difficult to position an angle on the order of several microns, and minute rotation angle correction is performed by the differential operation of the two linear motors 4a and 4b in the linear motion mechanism. That is, by giving a minute difference to the displacement by the two linear motors 4a and 4b, the holding table 6 can be rotated by a minute angle.

【0024】このような装置では、基板8の移動方向に
対して直交する方向に長い断面形状を有するレーザ光を
照射しながら、基板8を移動させることにより、基板8
の表面の広い領域をアニールすることができる。特に、
基板8を加熱しておくことにより、レーザアニールの効
果を安定させることができる。
In such an apparatus, the substrate 8 is moved while irradiating a laser beam having a long sectional shape in a direction perpendicular to the direction of movement of the substrate 8, whereby the substrate 8 is moved.
Can be annealed over a wide area of the surface. In particular,
By heating the substrate 8, the effect of laser annealing can be stabilized.

【0025】本例による直動機構及び回転駆動機構で
は、処理容器1内に摺動部が無い。このため、摺動部に
おける摩擦に起因した微小なごみによる処理容器1内の
汚染を防止することができる。また、保持台6が加熱さ
れて熱歪が生じたとしても、リニアガイド機構はリニア
モータ4a、4bに備えられており、処理容器1の外に
あるので熱歪の影響を受けない。このため、保持台6を
加熱した状態でも安定して保持台6を移動させることが
できる。
In the linear motion mechanism and the rotary drive mechanism according to the present embodiment, there is no sliding portion in the processing container 1. For this reason, it is possible to prevent the inside of the processing container 1 from being contaminated by minute dust caused by friction in the sliding portion. Further, even if the holding table 6 is heated and thermal distortion occurs, the linear guide mechanism is provided in the linear motors 4a and 4b and is outside the processing vessel 1 and is not affected by thermal distortion. Therefore, the holding table 6 can be stably moved even when the holding table 6 is heated.

【0026】図1〜図3を参照して、本発明の好ましい
実施の形態による処理容器について説明する。本形態に
よる処理容器は、ステージ60、クランプ機構70及び
アンクランプ機構80を除いて、図1〜図3に示された
処理容器とほぼ同じ構造であり、それゆえ直動機構や回
転駆動機構については図示説明を省略し、処理容器1に
ついても部分的に示している。簡単に言えば、図1〜図
3に示した例では、基板8自体を回転させるようにして
いるが、この形態では、前述した回転駆動機構によりス
テージ60全体を回転させるようにしている。このた
め、ステージ60は、駆動用支軸2a及び2bの他端側
に固定状態ではなく、移し替え可能に保持されている。
A processing container according to a preferred embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. The processing container according to the present embodiment has substantially the same structure as the processing container shown in FIGS. 1 to 3 except for the stage 60, the clamp mechanism 70, and the unclamping mechanism 80. The illustration is omitted, and the processing container 1 is also partially shown. Briefly, in the examples shown in FIGS. 1 to 3, the substrate 8 itself is rotated, but in this embodiment, the entire stage 60 is rotated by the above-described rotation drive mechanism. Therefore, the stage 60 is not fixed to the other end side of the driving support shafts 2a and 2b, but is held so as to be transferable.

【0027】ステージ60は、図1〜図3において説明
した駆動用支軸2a及び2bの他端側に載せられる正方
形の箱状のトロリー61と、このトロリー61内に互い
に間隔をおいて設けられた複数の熱シールド板62と、
トロリー61の内壁の3箇所に設けられた支持部61−
1にて支持されたヒータ63と、基板8を載置するため
にヒータ63の中央部及びコーナ寄りの位置に植設され
た5本のサポートピン64とを有している。
The stage 60 is provided with a square box-shaped trolley 61 mounted on the other end of the driving support shafts 2a and 2b described with reference to FIGS. A plurality of heat shield plates 62;
Support portions 61-provided at three places on the inner wall of the trolley 61-
The heater 63 includes a heater 63 supported by the support 1 and five support pins 64 planted at positions near the center and corners of the heater 63 for mounting the substrate 8.

【0028】クランプ機構70は、図3に詳しく示され
ているように、ベアリング機構71を有する水平軸72
を支点として回動可能であって一端側に基板8の押さえ
部73−1を有するアーム73と、このアーム73の他
端側に基板8をクランプするための付勢力を付与するば
ね機構74とを有する。
The clamping mechanism 70 includes a horizontal shaft 72 having a bearing mechanism 71 as shown in detail in FIG.
An arm 73 rotatable around the fulcrum and having a pressing portion 73-1 of the substrate 8 on one end side, and a spring mechanism 74 for applying an urging force for clamping the substrate 8 to the other end side of the arm 73. Having.

【0029】アンクランプ機構80は、アーム73の他
端側における受け部73−2に対してばね機構74の付
勢力より大きな回動力を与えてアーム73をアンクラン
プ状態にするためのものである。アンクランプ機構80
は、処理容器1の外側からその上壁を貫通して設けられ
てアーム73の他端の受け部73−2に上方から回動力
を与えるためのアンクランプピン81と、アンクランプ
ピン81を上下方向に駆動するためのシリンダ機構82
と、アンクランプピン81における処理容器1の外側部
分を気密状態に維持するためのベローズ機構83と、シ
リンダ機構82の支持部84とを有する。このベローズ
機構83はまた、アンクランプピン81の貫通している
処理容器1の上壁の孔からごみ等が侵入することを防止
する。
The unclamping mechanism 80 is for applying a turning force larger than the urging force of the spring mechanism 74 to the receiving portion 73-2 on the other end side of the arm 73 to put the arm 73 in an unclamped state. . Unclamp mechanism 80
An unclamping pin 81 is provided from the outside of the processing container 1 to penetrate the upper wall thereof and applies a turning power to the receiving portion 73-2 at the other end of the arm 73 from above. Cylinder mechanism 82 for driving in the direction
And a bellows mechanism 83 for maintaining the outside part of the processing container 1 in the unclamping pin 81 in an airtight state, and a support portion 84 for a cylinder mechanism 82. The bellows mechanism 83 also prevents dust and the like from entering through a hole in the upper wall of the processing container 1 through which the unclamping pin 81 passes.

【0030】本形態では、クランプ機構70は、基板8
の一つの側端における2箇所に対向するようにトロリー
61に設けられている。この場合、ヒータ63における
アーム73の押さえ部73−1に対応する箇所にも基板
8を載置するためのサポートピン65が設けられてい
る。また、クランプ機構70とアンクランプ機構80と
の位置関係は、ステージ60があらかじめ定められた初
期位置にある時に、アーム73の他端の受け部73−2
の真上にアンクランプ機構80のアンクランプピン81
が位置するようにされる。この初期位置というのは、ス
テージ60に対して基板8の移し替えを行う時の位置で
ある。
In the present embodiment, the clamp mechanism 70
The trolley 61 is provided so as to oppose two places on one side end of the trolley 61. In this case, a support pin 65 for mounting the substrate 8 is also provided at a position corresponding to the pressing portion 73-1 of the arm 73 in the heater 63. The positional relationship between the clamp mechanism 70 and the unclamping mechanism 80 is such that when the stage 60 is at a predetermined initial position, the receiving portion 73-2 at the other end of the arm 73 is used.
Unclamping pin 81 of unclamping mechanism 80 right above
Is located. The initial position is a position at which the transfer of the substrate 8 to the stage 60 is performed.

【0031】本形態によるクランプ機構70とアンクラ
ンプ機構80との作用について説明する。後述する搬送
チャンバから搬送ロボットにより処理容器1内に基板8
を搬入する場合、前述したリニアモータの制御により、
ステージ60は初期位置に置かれる。この時、アンクラ
ンプ機構80のアンクランプピン81が下動してアーム
73の他端の受け部73−2を押し下げ、押さえ部73
−1を上方に回動させる。この状態で基板8が処理容器
1の側面から内部に搬入され、サポートピン64、65
上に置かれる。搬入が終了すると、アンクランプピン8
1は上動しアーム73の受け部73−2はばね機構74
により上方に回動し、押さえ部73−1は下方に回動し
て基板8の側端をサポートピン65との間で保持する。
The operation of the clamp mechanism 70 and the unclamping mechanism 80 according to this embodiment will be described. A substrate 8 is placed in the processing chamber 1 by a transfer robot from a transfer chamber described later.
When carrying in, by the control of the linear motor described above,
Stage 60 is placed in the initial position. At this time, the unclamping pin 81 of the unclamping mechanism 80 moves down to push down the receiving portion 73-2 at the other end of the arm 73, and
Rotate -1 upward. In this state, the substrate 8 is carried into the processing container 1 from the side, and the support pins 64 and 65 are provided.
Put on top. When the loading is completed, the unclamping pins 8
1 moves upward and the receiving portion 73-2 of the arm 73 is
As a result, the holding portion 73-1 turns downward and holds the side end of the substrate 8 between the support pin 65 and the holding portion 73-1.

【0032】次に、リニアモータの制御により、ステー
ジ60の精密な位置決め制御が行われる。そして、ヒー
タ63による加熱を行い、基板8を図2中、矢印方向に
移動させながら基板8に対するレーザアニーリング処理
が行われる。ヒータ63による加熱は、前述した液晶表
示装置の製造工程の場合、400℃程度まで昇温され
る。このレーザアニーリング処理中、必要に応じて前述
した回転駆動機構によりステージ60全体が回転され
る。すなわち、回転駆動機構の支持板15を上動させて
ステージ60を駆動用支軸2a及び2bの他端側から浮
かせた状態で回転させる。レーザアニーリング処理が終
了したら、ステージ60を回転させた場合には、回転前
の状態に戻してから、初期位置に戻す。その結果、受け
部73−2の真上にアンクランプピン81が位置するこ
とになる。続いて、アンクランプピン81が下動してア
ーム73の受け部73−2を押し下げ、基板8をクラン
プ状態から解放する。この状態で処理済みの基板8が搬
送ロボットにより処理容器1の側面から外部に搬出され
る。搬出が終了すると、次の基板8が搬送ロボットによ
り処理容器1の側面から内部に搬入される。搬入が終了
すると、再びアンクランプピン81は上動しアーム73
の受け部73−2はばね機構74により上方に回動し、
押さえ部73−1は下方に回動して基板8の側端をサポ
ートピン65との間で保持する。
Next, precise positioning control of the stage 60 is performed by controlling the linear motor. Then, heating by the heater 63 is performed, and laser annealing is performed on the substrate 8 while moving the substrate 8 in the direction of the arrow in FIG. The heating by the heater 63 is increased to about 400 ° C. in the case of the above-described manufacturing process of the liquid crystal display device. During this laser annealing process, the entire stage 60 is rotated by the above-described rotation drive mechanism as needed. That is, the stage 60 is rotated while the support plate 15 of the rotary drive mechanism is moved upward to float the stage 60 from the other end of the driving support shafts 2a and 2b. When the laser annealing process is completed, when the stage 60 is rotated, the stage 60 is returned to the state before the rotation and then returned to the initial position. As a result, the unclamping pin 81 is located directly above the receiving portion 73-2. Subsequently, the unclamping pin 81 is moved down to push down the receiving portion 73-2 of the arm 73, thereby releasing the substrate 8 from the clamped state. In this state, the processed substrate 8 is carried out from the side surface of the processing container 1 by the transfer robot. When the unloading is completed, the next substrate 8 is loaded into the processing container 1 from the side by the transfer robot. When the loading is completed, the unclamping pin 81 moves up again to move the arm 73.
The receiving portion 73-2 is rotated upward by the spring mechanism 74,
The holding portion 73-1 rotates downward to hold the side end of the substrate 8 between the support pin 65 and the holding portion 73-1.

【0033】このようなクランプ機構70によれば、基
板8はその一側端のみで面に垂直な方向の力でクランプ
されており、ヒータ63の加熱による基板8の熱膨張は
面に平行な延びでしかもこの延びは時間的に緩やかであ
るので、この延びが妨げられることは少ない。なお、こ
のクランプ力は、アーム73の自重と、ばね機構74の
付勢力とで決まり、ばね機構74の付勢力を調整するこ
とで適切な値に設定できる。また、クランプ機構70
は、高温下にさらされるので、ベアリング機構71は総
セラミック製で、ばね機構74はインコネル等の材料を
使用することが好ましい。更に、クランプ機構70でク
ランプした状態でヒータ63による加熱を行うようにし
ているが、ヒータ63による加熱を行った後にクランプ
するようにしても良い。この場合、加熱による基板8の
伸びを考慮しなくて済む。
According to such a clamping mechanism 70, the substrate 8 is clamped only at one end by a force in a direction perpendicular to the surface, and the thermal expansion of the substrate 8 due to heating by the heater 63 is parallel to the surface. Since the elongation and the elongation are slow in time, the elongation is hardly hindered. The clamping force is determined by the weight of the arm 73 and the urging force of the spring mechanism 74, and can be set to an appropriate value by adjusting the urging force of the spring mechanism 74. Also, the clamp mechanism 70
Is exposed to high temperatures, it is preferable that the bearing mechanism 71 is made of all ceramics and the spring mechanism 74 is made of a material such as Inconel. Further, although the heating by the heater 63 is performed while being clamped by the clamp mechanism 70, the clamping may be performed after the heating by the heater 63. In this case, it is not necessary to consider the elongation of the substrate 8 due to heating.

【0034】ところで、本形態では、基板8が高温に予
熱されるような処理装置を想定しているので、クランプ
機構60によるクランプを基板8の一側端のみについて
行うようにしている。しかし、常温状態の基板8に対し
てレーザ照射による処理を行う場合もあり、この場合に
は基板8の熱膨張はあまり問題にはならないので、クラ
ンプ機構60を基板8の2側端以上に対応する箇所に設
けて保持を確実にするようにしても良い。
By the way, in the present embodiment, since a processing apparatus in which the substrate 8 is preheated to a high temperature is assumed, the clamping by the clamping mechanism 60 is performed only on one side end of the substrate 8. However, there is a case where the substrate 8 in the normal temperature state is subjected to the treatment by laser irradiation. In this case, the thermal expansion of the substrate 8 does not cause much problem. It may be provided at a location where it is to be held to ensure the holding.

【0035】また、図4〜図5で説明したように、本形
態においても、回転駆動機構により基板8のみを回転さ
せるようにしても良い。この場合、図4〜図5で説明し
たように、トロリー61、熱シールド板62、及びヒー
タ63に、支持板15の通過の可能な穴を設けるように
すれば良い。そして、ステージ60は駆動用支軸2a、
2bの他端側に固定される。
As described with reference to FIGS. 4 and 5, in this embodiment, only the substrate 8 may be rotated by the rotation driving mechanism. In this case, as described with reference to FIGS. 4 and 5, the trolley 61, the heat shield plate 62, and the heater 63 may be provided with holes through which the support plate 15 can pass. Then, the stage 60 includes a driving support shaft 2a,
2b is fixed to the other end side.

【0036】図7は、上記の処理容器を備えたレーザア
ニーリング装置全体の概略平面図を示す。レーザアニー
リング装置は、処理容器1に加えて、基板8の搬送チャ
ンバ22、搬入チャンバ23、搬出チャンバ24を有し
ている。光学系10は、ホモジナイザ41、CCDカメ
ラ42及びビデオモニタ43を含んで構成される。
FIG. 7 is a schematic plan view of the entire laser annealing apparatus provided with the above-mentioned processing container. The laser annealing apparatus has, in addition to the processing container 1, a transfer chamber 22 for the substrate 8, a carry-in chamber 23, and a carry-out chamber 24. The optical system 10 includes a homogenizer 41, a CCD camera 42, and a video monitor 43.

【0037】処理容器1と搬送チャンバ22はゲートバ
ルブ25を介して結合されている。同様に、搬送チャン
バ22と搬入チャンバ23、搬送チャンバ22と搬出チ
ャンバ24は、それぞれゲートバルブ26、27を介し
て結合されている。処理容器1、搬入チャンバ23及び
搬出チャンバ24には、それぞれ真空ポンプ31、32
及び33が設けられ、基板8の移し替えに際して各チャ
ンバの内部が真空排気される。搬送チャンバ22内に
は、搬送用ロボット28が収容されている。搬送用ロボ
ット28は、処理容器1、搬入チャンバ23及び搬出チ
ャンバ24の相互間で処理済みの基板あるいは処理前の
基板を移送する。
The processing chamber 1 and the transfer chamber 22 are connected via a gate valve 25. Similarly, the transfer chamber 22 and the carry-in chamber 23, and the transfer chamber 22 and the carry-out chamber 24 are connected via gate valves 26 and 27, respectively. Vacuum pumps 31, 32 are provided in the processing container 1, the carry-in chamber 23 and the carry-out chamber 24, respectively.
And 33 are provided, and the inside of each chamber is evacuated when the substrate 8 is transferred. A transfer robot 28 is accommodated in the transfer chamber 22. The transfer robot 28 transfers the processed substrate or the unprocessed substrate between the processing container 1, the loading chamber 23, and the unloading chamber 24.

【0038】光学系10においては、パルス発振したエ
キシマレーザ装置44から出力されたレーザビームがア
ッテネータ45を通ってホモジナイザ41に入射する。
ホモジナイザ41は、レーザビームの断面形状を細長い
形状にする。ホモジナイザ41を通過したレーザビーム
は、レーザ光の断面形状に対応した細長い石英窓1−1
を透過して処理容器1内の基板を照射する。基板の表面
がホモジナイズ面に一致するように、ホモジナイザ41
と基板との相対位置が調節されている。
In the optical system 10, the laser beam output from the excimer laser device 44 that has oscillated the pulse enters the homogenizer 41 through the attenuator 45.
The homogenizer 41 changes the cross-sectional shape of the laser beam into an elongated shape. The laser beam that has passed through the homogenizer 41 is an elongated quartz window 1-1 corresponding to the cross-sectional shape of the laser beam.
And irradiates the substrate in the processing container 1 with the light. Homogenizer 41 so that the surface of the substrate coincides with the homogenized surface.
The relative position between the substrate and the substrate is adjusted.

【0039】基板は、図1で説明した直動機構により石
英窓1−1の長軸方向に直交する向きに移動する。1シ
ョット分の照射領域の一部が前回のショットにおける照
射領域の一部と重なるような速さで基板を移動させるこ
とにより、基板表面の広い領域を照射することができ
る。基板表面はCCDカメラ42により撮影され、処理
中の基板表面をビデオモニタ43で観察することができ
る。
The substrate is moved in a direction orthogonal to the long axis direction of the quartz window 1-1 by the linear motion mechanism described with reference to FIG. By moving the substrate at such a speed that part of the irradiation area for one shot overlaps part of the irradiation area in the previous shot, a large area on the substrate surface can be irradiated. The substrate surface is photographed by the CCD camera 42, and the substrate surface being processed can be observed on the video monitor 43.

【0040】リニアモータ4a、4b、シリンダ13、
モータ14、ゲートバルブ25〜27、搬送用ロボット
28、ホモジナイザ41、エキシマレーザ装置44、及
びアンクランプ機構80の動作は、制御装置40によっ
て制御される。
The linear motors 4a, 4b, the cylinder 13,
The operations of the motor 14, the gate valves 25 to 27, the transfer robot 28, the homogenizer 41, the excimer laser device 44, and the unclamping mechanism 80 are controlled by the control device 40.

【0041】上記の例では、駆動源としてリニアモータ
を使用しているが、その他の直動駆動源、例えば回転モ
ータとボールねじの組み合わせが用いられる場合もあ
る。また、上記形態では、レーザアニール装置を例にし
て説明したが、図1〜図3に示された処理容器をその他
の装置に適用することも可能である。例えば、特殊な薬
品を使用する場合のように、外界と遮断する必要のある
環境下において被処理基板を保持することが必要な処理
容器の場合にも有効である。
In the above example, a linear motor is used as the drive source. However, another direct drive source, for example, a combination of a rotary motor and a ball screw may be used. In the above embodiment, the laser annealing apparatus has been described as an example. However, the processing container shown in FIGS. 1 to 3 can be applied to other apparatuses. For example, the present invention is also effective for a processing container that needs to hold a substrate to be processed in an environment that needs to be isolated from the outside world, such as when a special chemical is used.

【0042】上記の実施の形態では、保持台6を駆動用
支軸2a、2bにより片持ち式に支持するようにしてい
るが、本発明はこのような形態に限らず、保持台を2本
の駆動用支軸で、いわゆるおみこしのように支持する形
態でも適用可能である。この構造について簡単に言え
ば、処理容器と、処理容器内に配置され、両端が処理容
器の壁を貫通して外部まで導出された2本の駆動用支軸
と、駆動用支軸が処理容器の壁を貫通する箇所におい
て、駆動用支軸がその軸方向に並進移動可能なように、
かつ処理容器の内部の気密性が保たれるように、内部と
外部とを隔離する気密機構と、駆動用支軸の一方の端部
に取り付けられ、該駆動用支軸が処理容器に対して軸方
向に並進移動可能なように駆動用支軸を支持するリニア
ガイド機構と、駆動用支軸の他方の端部に取り付けら
れ、駆動用支軸を処理容器に対して軸方向に並進移動さ
せる駆動機構と、処理容器の内において、駆動用支軸に
取り付けられ、処理対象物を保持する保持手段とを有す
る。このような装置は、本出願人により出願された特願
平8−323049号に示されている。但し、この装置
では、2本の駆動用支軸が共通の駆動機構により一体的
に駆動されるので、微小な回転角度補正が困難である。
これは、図4に示されるように、2本の駆動用支軸を別
々の駆動源、すなわちリニアモータで個別に駆動するこ
とで実現できる。しかし、図4に示されるようにせずと
も、図7に示したホモジナイザ41により微小な回転角
度の補正を行うこともできる。
In the above-described embodiment, the holding table 6 is supported in a cantilever manner by the driving support shafts 2a and 2b. However, the present invention is not limited to such an embodiment, and two holding tables are used. The present invention is also applicable to a configuration in which the driving support shaft is supported like a so-called pestle. Briefly speaking of this structure, the processing vessel, two driving spindles disposed in the processing vessel, both ends of which are penetrated to the outside through the wall of the processing vessel, and At a point penetrating the wall of the drive shaft so that the driving support shaft can be translated in the axial direction,
And so that the inside of the processing container is kept airtight, an airtight mechanism that separates the inside and the outside is attached to one end of a driving support shaft, and the driving support shaft is attached to the processing container. A linear guide mechanism for supporting the driving support shaft so as to be able to translate in the axial direction; and a linear guide mechanism attached to the other end of the driving support shaft, for axially translating the driving support shaft with respect to the processing container. The apparatus includes a driving mechanism and a holding unit that is attached to a driving support shaft and holds an object to be processed in the processing container. Such an apparatus is disclosed in Japanese Patent Application No. 8-32349 filed by the present applicant. However, in this device, since the two driving support shafts are driven integrally by a common driving mechanism, it is difficult to make minute rotation angle corrections.
As shown in FIG. 4, this can be realized by separately driving the two drive shafts with separate drive sources, that is, linear motors. However, it is also possible to correct the minute rotation angle by the homogenizer 41 shown in FIG. 7 without using the configuration shown in FIG.

【0043】本発明はまた、図5に示されるような回転
駆動機構を持たない処理容器にも適用可能であることは
言うまでの無い。
It is needless to say that the present invention is also applicable to a processing container having no rotary drive mechanism as shown in FIG.

【0044】[0044]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ステージ上の被処理基板を、位置ずれを生じないように
保持することができ、しかも、被処理基板に熱膨張が生
じたとしても、それを妨げること無く保持することがで
きる。このことにより、ステージの位置決め制御を高速
で行っても被処理基板の位置がずれるようなことは無
く、振動による位置ずれも防止される。その結果、ステ
ージの位置決め制御を高速でしかも精密に行うことがで
きる。
As described above, according to the present invention,
The substrate to be processed on the stage can be held without causing displacement, and even if thermal expansion occurs in the substrate to be processed, it can be held without hindering it. As a result, the position of the substrate to be processed does not shift even when the positioning control of the stage is performed at high speed, and the position shift due to vibration is prevented. As a result, the positioning control of the stage can be performed at high speed and precisely.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の好ましい実施の形態による処理容器の
うちの主要部であるステージの平面図である。
FIG. 1 is a plan view of a stage that is a main part of a processing container according to a preferred embodiment of the present invention.

【図2】図1の線A−Aによる断面図であり、図1に示
されないアンクランプ機構をも示している。
FIG. 2 is a sectional view taken along line AA of FIG. 1 and also shows an unclamping mechanism not shown in FIG. 1;

【図3】図1に示されたクランプ機構の構成を示す側面
図である。
FIG. 3 is a side view showing the configuration of the clamp mechanism shown in FIG.

【図4】本発明が適用されるレーザアニーリング装置の
うちの処理容器の概略構成を示す平面図である。
FIG. 4 is a plan view showing a schematic configuration of a processing container in a laser annealing apparatus to which the present invention is applied.

【図5】図4の線B−Bによる断面図である。FIG. 5 is a sectional view taken along line BB in FIG. 4;

【図6】図4の線C−Cによる断面図である。FIG. 6 is a sectional view taken along line CC of FIG. 4;

【図7】図1の処理容器をレーザアニーリング装置に適
用した場合の概略構成を示す平面図である。
FIG. 7 is a plan view showing a schematic configuration when the processing container of FIG. 1 is applied to a laser annealing apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 処理容器 2a、2b 駆動用支軸 4a、4b リニアモータ 5a、5b、16 真空ベローズ 6 保持台 8 基板 9a、9b、63 ヒータ 10 光学系 11a、11b リニアエンコーダ 12 回転駆動軸 22 搬送チャンバ 23 搬入チャンバ 24 搬出チャンバ 25〜27 ゲートバルブ 28 搬送ロボット 31〜33 真空ポンプ 40 制御装置 41 ホモジナイザ 42 CCDカメラ 43 ビデオモニタ 44 エキシマレーザ装置 45 アッテネータ 60 ステージ 61 トロリー 62 熱シールド板 64、65 サポートピン 70 クランプ機構 71 ベアリング機構 73 アーム 74 ばね機構 80 アンクランプ機構 81 アンクランプピン 82 シリンダ機構 83 ベローズ機構 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Processing container 2a, 2b Driving support shaft 4a, 4b Linear motor 5a, 5b, 16 Vacuum bellows 6 Holder 8 Substrate 9a, 9b, 63 Heater 10 Optical system 11a, 11b Linear encoder 12 Rotary drive shaft 22 Transport chamber 23 Carry in Chamber 24 Unloading chamber 25-27 Gate valve 28 Transfer robot 31-33 Vacuum pump 40 Controller 41 Homogenizer 42 CCD camera 43 Video monitor 44 Excimer laser device 45 Attenuator 60 Stage 61 Trolley 62 Heat shield plate 64, 65 Support pin 70 Clamp mechanism 71 Bearing mechanism 73 Arm 74 Spring mechanism 80 Unclamp mechanism 81 Unclamp pin 82 Cylinder mechanism 83 Bellows mechanism

フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) B01J 3/00 - 3/02 H01L 21/68 B23Q 5/00 - 5/56 Continuation of the front page (58) Field surveyed (Int. Cl. 7 , DB name) B01J 3/00-3/02 H01L 21/68 B23Q 5/00-5/56

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 気密状態を維持される処理容器と、 前記処理容器内に配置され、被処理基板を載置するため
の複数のピンを植設したステージと、 該ステージに載置された前記被処理基板の少なくとも一
つの側端において前記被処理基板をその上側から押さえ
るクランプ機構と、 該クランプ機構によりクランプされている前記被処理基
板をクランプ状態から解放するためのアンクランプ機構
とを含み、 該クランプ機構は、水平軸を支点として回動可能であっ
て一端側に前記被処理基板の押さえ部を有するアーム
と、 該アームの他端側に前記被処理基板をクランプするため
の付勢力を付与するばね機構とを含み、 前記アンクランプ機構は、前記アームの他端側に前記ば
ね機構の付勢力より大きな回動力を与えて該アームをア
ンクランプ状態にするものであって、該処理容器の外側
からその上壁を貫通して設けられて前記アームの他端側
に上方から回動力を与えるためのアンクランプピンと、
該アンクランプピンを上下方向に駆動するためのシリン
ダ機構と、前記アンクランプピンにおける前記処理容器
の外側部分を気密状態に維持するためのベローズ機構と
を含むことを特徴とする被処理基板のクランプ機構を備
えた処理容器。
1. A processing container maintained in an airtight state, a stage disposed in the processing container and having a plurality of pins for mounting a substrate to be processed, and a stage mounted on the stage. A clamp mechanism for pressing the substrate to be processed from at least one side end of the substrate to be processed from above, and an unclamping mechanism for releasing the substrate to be processed clamped by the clamp mechanism from a clamped state; The clamp mechanism is rotatable about a horizontal axis, and has an arm having a pressing portion for the substrate to be processed at one end, and an urging force for clamping the substrate to be processed at the other end of the arm. The unclamping mechanism applies a turning force to the other end of the arm greater than the urging force of the spring mechanism to bring the arm into an unclamped state. It is one that, outside the treatment container
From the other end of the arm
An unclamping pin for applying rotational power to the
A syringe for driving the unclamping pin vertically
And a processing mechanism in the unclamping pin
Bellows mechanism to keep the outer part of the
A processing container provided with a clamp mechanism for a substrate to be processed , comprising:
【請求項2】 前記ステージは、前記被処理基板の下側
に加熱用のヒータを備え、該ヒータに前記複数のピンが
植設されていることを特徴とする請求項1記載の処理容
器。
2. The processing container according to claim 1, wherein the stage has a heater for heating below the substrate to be processed, and the plurality of pins are implanted in the heater.
【請求項3】 前記クランプ機構及び前記アンクランプ
機構は、前記被処理基板の少なくとも一つの側端におい
て2箇所に設けられ、前記ヒータにおける前記アームの
被処理基板の押さえ部に対応する箇所にも前記被処理基
板を載置するための前記ピンが設けられていることを特
徴とする請求項2記載の処理容器。
3. The clamping mechanism and the unclamping.
The mechanism is provided on at least one side edge of the substrate to be processed.
At two locations, and the arm of the heater
The substrate to be processed is also placed at a position corresponding to the holding portion of the substrate to be processed.
It is noted that the pins for mounting the plate are provided.
3. The processing container according to claim 2, wherein
JP11116497A 1997-04-28 1997-04-28 Processing container with clamping mechanism for substrate to be processed Expired - Fee Related JP3259165B2 (en)

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