JP3257064B2 - Low temperature processing apparatus and low temperature processing method - Google Patents
Low temperature processing apparatus and low temperature processing methodInfo
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Description
【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、低温処理装置に関す
る。本発明装置は、電子材料（半導体装置等）を形成す
る例えば低温ドライエッチング装置、低温ＣＶＤ装置等
に好適に用いられる。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a low-temperature processing apparatus. The apparatus of the present invention is suitably used in, for example, a low-temperature dry etching apparatus, a low-temperature CVD apparatus, and the like for forming electronic materials (semiconductor devices and the like).
【０００２】[0002]
【従来の技術】電子材料等、例えば半導体集積回路の微
細化・超高集積に伴い、プロセスの性能を向上させ、か
つ低ダメージ化をはかる技術が求められている。その一
つに、低温下での各種処理プロセス技術があり、例え
ば、低温ドライエッチング技術が知られている。2. Description of the Related Art With the miniaturization and ultra-high integration of electronic materials and the like, for example, semiconductor integrated circuits, there is a demand for a technique for improving process performance and reducing damage. One of them is various processing process technologies at a low temperature. For example, a low-temperature dry etching technology is known.
【０００３】低温ドライエッチング技術は、微細加工技
術における高異方性、高選択比、低ダメージというお互
いに相反する要請を満たし得る手段として注目されてい
る。この技術については、「応用物理」第５９巻第１１
号（１９９０年）の１４２８〜１４４０頁「低温ドライ
エッチング技術」に記載されておりまた、特開平１−２
５８４４４号、特開平１−２１１９２１号の各公報にも
提案がなされている。[0003] Low-temperature dry etching technology is attracting attention as a means for satisfying mutually contradictory demands for high anisotropy, high selectivity, and low damage in fine processing technology. This technology is described in "Applied Physics" Vol. 59, No. 11,
No. (1990), pp. 1428-1440, “Low-temperature dry etching technology”.
Also, proposals have been made in JP-A-58444 and JP-A-1-219921.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】低温処理技術は、種々
のメリットがあるが、解決すべき問題もある。第１の問
題点は、裏面パーティクルの汚染問題である。低温プロ
セスでは、ウェハーを効率よく冷却するため、充分に冷
却されたサセプターと、被処理体であるウェハーを強く
密着させる必要がある。従って、その密着の際、サセプ
ター上に予め付着していたパーティクルがウェハーの裏
面に転写され、ウェハー裏面のパーティクルが急増す
る。そのため後にこのウェハーを例えば洗浄したような
場合、ウェハーの裏面パーティクルが他のウェハーの表
面に転写されてしまうという問題がある。次に、第２の
問題点は、低温プロセス後の結露の問題である。すなわ
ち、低温では、水の飽和蒸気圧が低下するため、ウェハ
ーを低温のまま取り出すと結露が生じる場合がある。Although the low-temperature treatment technique has various advantages, there are also problems to be solved. The first problem is a problem of back surface particle contamination. In a low-temperature process, in order to efficiently cool a wafer, it is necessary to strongly adhere a sufficiently cooled susceptor to a wafer to be processed. Therefore, at the time of the close contact, particles that have previously adhered to the susceptor are transferred to the back surface of the wafer, and particles on the back surface of the wafer increase rapidly. Therefore, when this wafer is washed later, for example, there is a problem that the back surface particles of the wafer are transferred to the front surface of another wafer. Next, a second problem is a problem of dew condensation after a low-temperature process. That is, at a low temperature, the saturated vapor pressure of water decreases, so that if the wafer is taken out at a low temperature, dew condensation may occur.
【０００５】本発明は、いずれも低温処理技術の実用化
の際の上記問題点を解決するものである。第１の発明
は、前記第１の問題点を解決して、ウェハー面、特に裏
面のパーティクル（付着物）の持ち出し転移を防止し、
その後の処理プロセスの信頼性を高めた低温処理装置を
提供するものである。第２の発明は、前記第２の問題点
を解決する手法を、第１の問題を解決する手段と兼用す
ることによって、効率的な問題解決を行い、生産性の高
い低温処理装置を提供するものである。第３の発明は、
前記第２の問題点を解決する手法を低温で行うことによ
り、効率的な問題解決を行い、生産性の高い低温処理装
置を提供するものである。The present invention solves the above-mentioned problems when the low-temperature processing technology is put into practical use. The first invention solves the first problem, and prevents the transfer of particles (adhered matter) on the wafer surface, particularly on the back surface, which is carried out.
It is an object of the present invention to provide a low-temperature processing apparatus in which the reliability of the subsequent processing is improved. According to a second aspect of the present invention, a method for solving the second problem is also used as a means for solving the first problem, thereby efficiently solving the problem and providing a low-temperature processing apparatus with high productivity. Things. The third invention is
By performing the method for solving the second problem at a low temperature, an efficient problem is solved, and a low-temperature processing apparatus with high productivity is provided.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】上記課題は、温度を０℃
またはその近傍以下に被処理体を冷却して処理を行う低
温処理室と、前記低温処理室で処理された被処理体にパ
ーティクル除去用のガスを吹き付けるガス吹き付け室
と、前記低温処理室とガス吹き付け室との間に設けられ
たゲートバルブと、前記低温処理室からゲートバルブを
介して前記被処理体をガス吹き付け室へ搬送する搬送手
段とを備えることを特徴とする低温処理装置によって解
決される。本発明に係る低温処理装置において、前記ガ
ス吹き付け室に他のゲートバルブを介して設けられたス
クラブ室もしくは温水高圧スプレー室とを備えることを
特徴とするものである。The above object is achieved by setting the temperature to 0 ° C.
Or a low-temperature processing chamber for performing processing by cooling the object to be processed below or below, a gas blowing chamber for blowing a gas for removing particles to the object processed in the low-temperature processing chamber, and the low-temperature processing chamber and gas A low-temperature processing apparatus is provided, comprising: a gate valve provided between the low-temperature processing chamber and a transfer unit configured to transfer the workpiece to the gas blowing chamber from the low-temperature processing chamber via the gate valve. You. In the low-temperature processing apparatus according to the present invention, the gas spraying chamber is provided with a scrub chamber or a hot water high-pressure spray chamber provided via another gate valve.
【０００７】本発明に係る低温処理方法は、温度を０℃
またはその近傍以下に被処理体を冷却して処理をする工
程と、ここで冷却処理された前記被処理体をゲートバル
ブを介してガス吹き付け室に搬送する工程と、前記ガス
吹き付け室に搬送された前記被処理体にパーティクル除
去用のガスを吹き付ける工程とを含むことを特徴とする
ものである。[0007] In the low-temperature processing method according to the present invention, the temperature is set to 0 ° C.
Or a step of cooling and processing the object to be processed below the vicinity thereof, and a step of conveying the object to be cooled subjected to cooling processing to a gas blowing chamber via a gate valve, and a step of conveying the object to the gas blowing chamber. Spraying a gas for removing particles onto the object to be processed.
【０００８】本発明に係る低温処理方法において、前記
パーティクル除去用のガスを吹き付けられた後に、前記
被処理体をゲートバルブを介してスクラブ室もしくは温
水高圧スプレー室に搬送する工程と、前記スクラブ室に
搬送された前記被処理体をスクラブ処理もしくは前記温
水高圧スプレー室に搬送された前記被処理体を温水高圧
スプレー処理をする工程とを含むことを特徴とするもの
である。In the low-temperature processing method according to the present invention, after the gas for removing the particles is blown, the object to be processed is transferred to a scrub chamber or a hot water high-pressure spray chamber via a gate valve; And scrubbing the object transported to the hot water high pressure spray chamber or hot water high pressure spraying the object transported to the hot water high pressure spray chamber.
【０００９】[0009]
【作用】本発明に係る低温処理装置によれば、低温処理
室で温度を０℃またはその近傍以下に被処理体（以下で
半導体ウエハともいう）を冷却して処理が行われると、
低温処理室とガス吹き付け室との間に設けられたゲート
バルブを介して真空を破らず半導体ウェハを低温処理室
からガス吹き付け室へ搬送手段によって連続して搬送す
るようになされる。ガス吹き付け室では低温処理室で処
理された被処理体に大気下で強制的にパーティクル除去
用のガスが吹き付けられる。According to the low-temperature processing apparatus of the present invention, when an object to be processed (hereinafter also referred to as a semiconductor wafer) is cooled to a temperature of 0 ° C. or lower in a low-temperature processing chamber, the processing is performed.
The semiconductor wafer is continuously transferred from the low-temperature processing chamber to the gas blowing chamber without breaking the vacuum via a gate valve provided between the low-temperature processing chamber and the gas blowing chamber. In the gas blowing chamber, a gas for removing particles is forcibly blown in the atmosphere onto the object processed in the low-temperature processing chamber.
【００１０】従って、低温ドライエッチング等の低温プ
ロセスで、被処理体の裏面等にパーティクル（付着物）
が付いていても、ゲートバルブを介してその被処理体を
連続してガス吹き付け室へ搬送することができるので、
結露の問題を生せず、しかもその後に確実にガス吹き付
け室でパーティクルを除去できるため、製造プロセスの
信頼性が向上し、かつ良好なデバイスを歩留り良く製造
することができる。Therefore, particles (adhered matter) are formed on the back surface of the object to be processed by a low-temperature process such as low-temperature dry etching.
Even with, the object can be continuously transferred to the gas spraying chamber via the gate valve,
Since the problem of dew condensation does not occur, and the particles can be reliably removed in the gas blowing chamber thereafter, the reliability of the manufacturing process is improved, and a good device can be manufactured with good yield.
【００１１】[0011]
【００１２】また、本発明に係る低温処理方法によれ
ば、低温下では裏面パーティクルは残留水分などの媒体
が氷結した形で半導体ウェハと付着していると考えられ
るので、機械的な付着強度は弱い。そこでその状態のま
ま例えばガス吹き付けや裏面スクラバーなどで洗浄すれ
ば裏面パーティクルは効率良く除去できるのである。Further, according to the low-temperature treatment method of the present invention, at low temperatures, the back surface particles are considered to adhere to the semiconductor wafer in a form in which a medium such as residual moisture is frozen, so that the mechanical adhesion strength is low. weak. Therefore, the particles on the back surface can be efficiently removed if the state is followed by, for example, gas spraying or cleaning with a back surface scrubber.
【００１３】[0013]
【実施例】以下、本発明の実施例について、図面を参照
して詳細に説明する。但し、本発明は以下の実施例によ
り限定されるものではない。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. However, the present invention is not limited by the following examples.
【００１４】実施例１ 本実施例の低温処理装置は、低温ドライエッチング装置
である。図１にその構成模式図を示す。図１に示すよう
に、エッチング室は有磁場マイクロ波エッチング室であ
り、マイクロ波発生装置１と導波管２が備え付けられ、
更にマイクロ波引き出し窓３とソレノイドコイル４が備
え付けられＥＣＲ放電によるプラズマ５を発生させる。Embodiment 1 The low-temperature processing apparatus of this embodiment is a low-temperature dry etching apparatus. FIG. 1 shows a schematic diagram of the configuration. As shown in FIG. 1, the etching chamber is a magnetic field microwave etching chamber, and is provided with a microwave generator 1 and a waveguide 2,
Further, a microwave extraction window 3 and a solenoid coil 4 are provided to generate a plasma 5 by ECR discharge.
【００１５】被処理体としてのウェハー６は、サセプタ
ー７上に載置され、ＲＦバイアス８を印加できるように
なっている。また、サセプター７は−１２０℃まで冷却
できる能力を有している冷却手段９で冷却される。A wafer 6 to be processed is placed on a susceptor 7 so that an RF bias 8 can be applied. Further, the susceptor 7 is cooled by cooling means 9 having a capability of cooling to -120 ° C.
【００１６】ウェハー６は搬送手段（図示せず）によ
り、第１のゲートバルブ１０を介して、ホットＮ2（窒
素）ブロー室１１ａに搬送できるようになっている。更
に、同じように搬送手段により第２のゲートバルブ１２
を介して、裏面スクラブ室（大気圧）１３に搬送され、
そこで裏面スクラブシステム（ブラシ）１４にて裏面が
洗浄されるようになっている。この時、ウェハー表面は
Ｎ2でパージしておき、不要なパーティクルが付かない
ようにしてある。The wafer 6 can be transferred to the hot N 2 (nitrogen) blow chamber 11a by the transfer means (not shown) via the first gate valve 10. Further, the second gate valve 12 is similarly moved by the transport means.
Is transported to the back side scrub chamber (atmospheric pressure) 13 through
Therefore, the back surface is cleaned by a back surface scrub system (brush) 14. At this time, the wafer surface is purged with N 2 so that unnecessary particles do not adhere.
【００１７】このような低温処理装置を用いて、本実施
例では、シリコン半導体基板について、シリコントレン
チエッチング（溝形成エッチング）を下記条件で行っ
た。In this embodiment, silicon trench etching (groove formation etching) was performed on a silicon semiconductor substrate under the following conditions using such a low-temperature processing apparatus.
【００１８】使用ガス ：ＳＦ6＝３０sccm 圧力 ：１０-3 Ｔorr（０．１３Ｐａ） マイクロ波 ：８００Ｗ ＲＦバイアス：５００Ｗ 温度 ：−１２０℃ この結果、被処理体（ウェハー）に異方性で、均一で良
好なエッチングを行うことができた。Gas used: SF 6 = 30 sccm Pressure: 10 -3 Torr (0.13 Pa) Microwave: 800 W RF bias: 500 W Temperature: -120 ° C. As a result, the object to be processed (wafer) is anisotropic and uniform And good etching could be performed.
【００１９】ウェハー６を図示しない搬送手段にて、ウ
ェハー加熱用ホットＮ2ブロー室１１ａに搬送し、ウェ
ハー６を縁面で支えるサセプター７ｂによりウェハーを
支え、両面より７０℃のＮ2をブロー管１５ａを介して
吹き付ける。この形態を図３に示す。The wafer 6 is transferred to a hot N 2 blow chamber 11a for heating the wafer by a transfer means (not shown), the wafer is supported by a susceptor 7b which supports the wafer 6 on the edge, and N 2 at 70 ° C. is blown from both sides by a blow tube. Spray through 15a. This form is shown in FIG.
【００２０】この時、ウェハー６は少なくとも室温程度
に戻る時間を予め計測しておいて、吹き付け時間を決め
る。その時、Ｎ2ブローによって、逆にパーティクルを
まきあげないように、その吹き付け圧は低めにしてお
く。At this time, the time for returning the wafer 6 to at least about room temperature is measured in advance, and the spraying time is determined. At this time, the blowing pressure is kept low so that the particles are not blown up by N 2 blow.
【００２１】次に、ウェハー６を図示しない搬送手段に
よって、第２のゲートバルブ１２を介して、裏面スクラ
ブ室１３に搬送する。ここで、予め前段でウェハー６を
室温近くまで温めてあるので、ここで大気中に取り出し
てても結露の問題はない。従って、通常の条件で裏面ス
クラブ洗浄ができる。Next, the wafer 6 is transferred to the back surface scrub chamber 13 via the second gate valve 12 by the transfer means (not shown). Here, since the wafer 6 is preliminarily warmed to near room temperature in the previous stage, there is no problem of dew condensation even if it is taken out to the atmosphere here. Therefore, back surface scrub cleaning can be performed under normal conditions.
【００２２】実施例２ 本実施例の構成模式図を図２に示す。本実施例では、結
露防止の加熱と裏面パーティクル除去を兼用する方式で
ある。Embodiment 2 FIG. 2 shows a schematic diagram of the structure of this embodiment. In the present embodiment, a method is used in which both heating for preventing dew condensation and removal of particles on the back surface are used.
【００２３】本実施例２は図２に示すように、エッチン
グ室は実施例１と同一構成であり、このエッチング室で
低温処理されたウェハー６を、第１のゲートバルブ１０
を介して、ホットＮ2ジェット室１１ｂに図示しない搬
送手段により搬送し、ウェハー表面の端部を支えるサセ
プター７ｂでウェハー６を支えて、ウェハー裏面に７０
℃のホットＮ2ジェットをジェット管１５ｂを通してウ
ェハー裏面に吹き付ける。この時、ウェハー表面にも吹
き付け、裏面のパーティクルが回り込んで付着しないよ
うにする。従って、ウェハー６は、結露防止の加熱によ
り室温に戻ると共に、裏面のパーティクル（付着物）も
除去される。As shown in FIG. 2, in the second embodiment, the etching chamber has the same structure as in the first embodiment.
The wafer 6 is transferred to the hot N 2 jet chamber 11b by a transfer means (not shown), and the wafer 6 is supported by the susceptor 7b which supports the edge of the front surface of the wafer.
The ℃ hot N 2 jet blown onto the wafer backside through the jet pipe 15b. At this time, the particles are also sprayed on the front surface of the wafer to prevent the particles on the back surface from wrapping around and adhering. Accordingly, the wafer 6 is returned to room temperature by the heating for preventing dew condensation, and particles (adhering matter) on the back surface are also removed.
【００２４】実施例３ 本実施例の低温処理装置の構成模式図を図４に示す。本
装置は、図１に示した実施例１の構成の中でホットＮ2
ブロー室１１ａがクールＮ2ブロー室２１ａになってい
るだけで、その他は実施例１の構成と同様であるのでそ
の詳細な構成の説明は省略する。なお、図１に示した要
素と同一要素は同一符号で示す。本実施例でもまず上記
実施例と同様の下記条件でシリコントレンチエッチング
（溝形成エッチング）を行った。Embodiment 3 FIG. 4 shows a schematic diagram of the configuration of a low-temperature processing apparatus of this embodiment. The apparatus hot N 2 in the configuration of the first embodiment shown in FIG. 1
Only blow chamber 11a is in cool N 2 blow chamber 21a, others are the same as the configuration in Example 1 for a description of the detailed configuration is omitted. The same elements as those shown in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals. In this embodiment, silicon trench etching (groove formation etching) was first performed under the same conditions as in the above embodiment.
【００２５】使用ガス ：ＳＦ6＝３０ ｓｃｃｍ 圧力 ：１０-3 Ｔｏｒｒ（０．１３Ｐａ） マイクロ波 ：８００Ｗ ＲＦバイアス：５００Ｗ 温度 ：−１２０℃ この結果、被処理体（ウェハー）に結露のない、均一で
良好なエッチングが達成できた。次に、ウェハー６を図
示しない搬送手段により、クールＮ2ブロー室２１ａに
搬送し、ウェハー６を縁面で支えるサセプター７ｂによ
りウェハーを支え、両面より、−７０℃のＮ2をブロー
管１５ａを介して吹き付ける。この形態は図３に示した
構成と同様である。Gas used: SF 6 = 30 sccm Pressure: 10 -3 Torr (0.13 Pa) Microwave: 800 W RF bias: 500 W Temperature: -120 ° C. As a result, the object to be processed (wafer) is uniform without dew condensation And good etching was achieved. Then, by conveying means not shown wafer 6 is conveyed to cool N 2 blow chamber 21a, supporting the wafer by susceptor 7b supporting the wafer 6 at the edge surface, from both sides, a blow tube 15a to N 2 of -70 ° C. Spray through. This embodiment is the same as the configuration shown in FIG.
【００２６】その時、Ｎ2ブローによって、逆にパーテ
ィクルをまきあげないようにその吹き付け圧は、低めに
しておく。At this time, the blowing pressure is kept low so that the particles are not blown up by N 2 blow.
【００２７】次に、ウェハー６を図示しない搬送手段に
よって、第２のゲートバルブ１２を介して、裏面スクラ
ブ室１３に搬送する。Next, the wafer 6 is transferred to the back surface scrub chamber 13 through the second gate valve 12 by the transfer means (not shown).
【００２８】本実施例では、エッチング後にウェハーを
低温のまま、裏面に−７０℃の窒素ガスを吹き付けてい
るので前述の効果により裏面パーティクルが効率的に除
去できる。次に、ここで大気中にとりだしても結露の問
題はない。というのは、次に裏面スクラブ室１３でブラ
シ１４により洗浄するのでウェハーはウェット状態にな
るからである。従って、通常の条件で裏面スクラブ洗浄
ができる。このスクラブ洗浄により残っている裏面パー
ティクルを除去する。裏面パーティクルは、Ｎ 2吹き付
けで付着力が弱くなり、温度が多少上昇して、氷結され
た媒体がゆるむために除去し易くなる。In this embodiment, the wafer is removed after etching.
At low temperature, blow nitrogen gas at -70 ° C
Therefore, the above-described effect effectively removes the backside particles.
You can leave. Next, even if it is taken out to the atmosphere here, the question of condensation
There is no title. This is because the back side scrubbing room 13
Since the wafer is cleaned by the sieve 14, the wafer is in a wet state.
This is because that. Therefore, backside scrub cleaning under normal conditions
Can be. Back side par left by this scrub cleaning
Remove the tickle. Backside particles are N TwoSpraying
The adhesion weakens and the temperature rises slightly,
The medium becomes loose and easy to remove.
【００２９】実施例４ 本実施例の構成模式図を図５に示す。本実施例の構成は
図２に示した実施例２の構成の中でホットＮ2ジェット
室１１ｂがクールＮ2ジェット室２１ｂと異なっている
だけで他は同一である。本実施例では、裏面スクラバ
（ブラシ）を使用せず、結露防止の加熱と裏面パーティ
クル除去を兼用する方式である。Embodiment 4 FIG. 5 shows a schematic diagram of the structure of this embodiment. The configuration of the present embodiment is the same as the configuration of the second embodiment shown in FIG. 2 except that the hot N 2 jet chamber 11b is different from the cool N 2 jet chamber 21b. In this embodiment, the back scrubber (brush) is not used, and the heating for preventing dew condensation and the removal of the back surface particles are used.
【００３０】本実施例４は図５に示すように、エッチン
グ室は実施例１と同一構成であり、このエッチング室で
低温処理されたウェハー６を、第１のゲートバルブ１０
を介して、温度可変のクールＮ2ジェット室２１ｂに図
示しない搬送手段により搬送し、ウェハー表面の端部を
支えるサセプターでウェハー６を支え、ウェハー裏面に
−７０℃のＮ2ジェットをジェット管１５ｂを通してウ
ェハー裏面に吹き付ける。この時、ウェハー表面にも吹
き付けの裏面のパーティクルが回り込んで付着しないよ
うに構成されている。As shown in FIG. 5, in the fourth embodiment, the etching chamber has the same structure as in the first embodiment.
The wafer 6 is transported by a transport means (not shown) to a temperature-variable cool N 2 jet chamber 21b, the wafer 6 is supported by a susceptor that supports the edge of the wafer surface, and a −70 ° C. N 2 jet is jetted onto the back surface of the wafer by a jet tube 15b. Through the back of the wafer. At this time, it is configured such that the particles on the back surface of the spray are not wrapped around and adhere to the front surface of the wafer.
【００３１】その後、窒素の温度を徐々に室温近くまで
上げてゆくと、ウェハーは、室温に戻ると共に、裏面の
パーティクルも除去される。Thereafter, when the temperature of nitrogen is gradually raised to near room temperature, the wafer returns to room temperature and particles on the back surface are also removed.
【００３２】本発明は実施例に限ることなくその趣旨に
反しない限り、他の例も考えられる。例えば、実施例１
で裏面スクラバー（ブラシ）の替わりに、温水の高圧ス
プレーで洗浄する方法も用いられる。The present invention is not limited to the embodiments, and other examples are conceivable without departing from the spirit of the invention. For example, Embodiment 1
Instead of the back side scrubber (brush), a method of washing with hot water high pressure spray is also used.
【００３３】[0033]
【発明の効果】本発明に係る低温処理装置によれば、温
度を０℃またはその近傍以下に被処理体を冷却して処理
を行う低温処理室からゲートバルブを介して被処理体を
ガス吹き付け室へ搬送する搬送手段を備えるものであ
る。この構成によって、低温ドライエッチング等の低温
プロセスで、被処理体の裏面等にパーティクル（付着
物）が付いていても、ゲートバルブを介してその被処理
体を連続してガス吹き付け室へ搬送することができるの
で、結露の問題を生せず、しかもその後に確実にガス吹
き付け室でパーティクルを除去できるため、製造プロセ
スの信頼性が向上し、かつ良好なデバイスを歩留り良く
製造することができる。本発明に係る低温処理方法によ
れば、温度を０℃またはその近傍以下に被処理体を冷却
して処理し、その後、ここで冷却処理された被処理体を
ゲートバルブを介してガス吹き付け室に搬送し、更に、
ガス吹き付け室に搬送された被処理体にパーティクル除
去用のガスを吹き付けるようになされる。この構成によ
って、低温下で残留水分などの媒体が氷結した状態で付
着している半導体ウェハをそのまま状態でガス吹き付け
室に搬送してきて連続してガスを吹き付けることができ
るので、機械的な付着強度が弱い裏面パーティクルを容
易かつ効率良く除去することができる。According to the low-temperature processing apparatus of the present invention, the object to be processed is blown from the low-temperature processing chamber for cooling and processing the object to a temperature of 0.degree. It is provided with a transfer means for transferring to a room. With this configuration, even in a low-temperature process such as low-temperature dry etching, even if particles (adhering matter) are attached to the back surface or the like of the target object, the target object is continuously transferred to the gas blowing chamber via the gate valve. As a result, the problem of dew condensation does not occur, and the particles can be reliably removed in the gas blowing chamber thereafter, so that the reliability of the manufacturing process is improved and a good device can be manufactured with good yield. According to the low-temperature treatment method of the present invention, the object to be processed is cooled to a temperature of 0 ° C. or less, and then the object is cooled. Transported to
A gas for removing particles is blown onto the object transported to the gas blowing chamber. With this configuration, the semiconductor wafer to which a medium such as residual moisture is frozen at a low temperature can be transported as it is to the gas blowing chamber as it is, and the gas can be continuously blown, so that the mechanical bonding strength can be improved. Can easily and efficiently remove weak backside particles.
【図１】実施例１を示す構成模式図である。FIG. 1 is a schematic configuration diagram illustrating a first embodiment.
【図２】実施例２を示す構成模式図である。FIG. 2 is a schematic configuration diagram illustrating a second embodiment.
【図３】サセプターの要部斜視図である。FIG. 3 is a perspective view of a main part of a susceptor.
【図４】実施例３を示す構成模式図である。FIG. 4 is a schematic diagram illustrating a configuration according to a third embodiment.
【図５】実施例４を示す構成模式図である。FIG. 5 is a schematic diagram illustrating a configuration according to a fourth embodiment.
１ マイクロ波発生装置 ２ 導波管 ３ マイクロ波引き出し窓 ４ ソレノイドコイル ５ プラズマ ６ ウェハー（被処理体） ７ａ，７ｂ サセプター ８ ＲＦバイアス ９ 冷却手段 １０ 第１のゲートバルブ １１ａ ホットＮ2 ブロー室 １１ｂ ホットＮ2 ジェット室 １２ 第２のゲートバルブ １３ 裏面スクラブ室 １４ 裏面スクラブシステム（ブラシ） １５ａ ブロー管 １５ｂ ジェット管 ２１ａ クールＮ2ブロー室 ２１ｂ クールＮ2ジェット室1 microwave generator 2 waveguide 3 microwave drawer window 4 Solenoid coil 5 plasma 6 wafer (workpiece) 7a, 7b susceptor 8 RF bias 9 cooling means 10 first gate valve 11a hot N 2 blow chamber 11b Hot N 2 jet chamber 12 Second gate valve 13 Back face scrub chamber 14 Back face scrub system (brush) 15a Blow pipe 15b Jet pipe 21a Cool N 2 blow chamber 21b Cool N 2 jet chamber
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−143522（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−184831（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−167825（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−292826（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−313934（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−216534（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−152928（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/304 H01L 21/3065 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of front page (56) References JP-A-2-143522 (JP, A) JP-A-1-184831 (JP, A) JP-A-3-167825 (JP, A) JP-A-1- 292826 (JP, A) JP-A-1-313934 (JP, A) JP-A-1-216534 (JP, A) JP-A-3-152928 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H01L 21/304 H01L 21/3065
Claims (4)
体を冷却して処理を行う低温処理室と、 前記低温処理室で処理された被処理体にパーティクル除
去用のガスを吹き付けるガス吹き付け室と、 前記低温処理室とガス吹き付け室との間に設けられたゲ
ートバルブと、 前記低温処理室からゲートバルブを介して前記被処理体
をガス吹き付け室へ搬送する搬送手段とを備えることを
特徴とする低温処理装置。1. A low-temperature processing chamber that cools an object to be processed at a temperature of 0 ° C. or less or less, and performs a process by blowing a gas for removing particles to the object processed in the low-temperature processing chamber. Chamber, a gate valve provided between the low-temperature processing chamber and the gas blowing chamber, and transfer means for transferring the object to be processed from the low-temperature processing chamber to the gas blowing chamber via the gate valve. Characteristic low-temperature processing equipment.
を介して設けられたスクラブ室もしくは温水高圧スプレ
ー室とを備えることを特徴とする請求項１に記載の低温
処理装置。2. The low-temperature processing apparatus according to claim 1, further comprising a scrub chamber or a hot water high-pressure spray chamber provided in the gas blowing chamber via another gate valve.
体を冷却して処理をする工程と、 冷却処理された前記被処理体をゲートバルブを介してガ
ス吹き付け室に搬送する工程と、 前記ガス吹き付け室に搬送された前記被処理体にパーテ
ィクル除去用のガスを吹き付ける工程とを含むことを特
徴とする低温処理方法。3. A step of cooling the object to be processed to a temperature of 0 ° C. or lower, or lower, and transporting the object to be cooled through a gate valve to a gas blowing chamber. Blowing a gas for removing particles onto the object transported to the gas blowing chamber.
けられた後に、 前記被処理体をゲートバルブを介してスクラブ室もしく
は温水高圧スプレー室に搬送する工程と、 前記スクラブ室に搬送された前記被処理体をスクラブ処
理もしくは前記温水高圧スプレー室に搬送された前記被
処理体を温水高圧スプレー処理をする工程とを含むこと
を特徴とする請求項３に記載の低温処理方法。4. A step of transporting the object to be processed to a scrub chamber or a hot water high pressure spray chamber via a gate valve after the gas for removing particles is blown; and the step of transporting the object to be processed transported to the scrub chamber. 4. The low-temperature processing method according to claim 3, further comprising: performing a scrubbing process on the body or a hot-water high-pressure spraying process on the object transferred to the hot-water high-pressure spray chamber.
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- 1992-09-21 JP JP25149092A patent/JP3257064B2/en not_active Expired - Fee Related
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