JP3256204B2 - Heat treatment furnace for substrates - Google Patents
Heat treatment furnace for substratesInfo
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Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板やセラ
ミックス基板といった各種の基板に対して、酸化、アニ
ーリング、CVD(化学気相成長)、あるいは、拡散など
の各種の熱処理を行う基板用熱処理炉に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate heat treatment furnace for performing various heat treatments such as oxidation, annealing, CVD (chemical vapor deposition), or diffusion on various substrates such as semiconductor substrates and ceramic substrates. About.
【0002】[0002]
【従来の技術】基板用熱処理炉では、その炉内に挿入さ
れる基板群の全体を均一に加熱する必要があり、炉芯管
の周囲に設置した加熱手段は、炉芯管長手方向に区画さ
れた幾つかの部位ごとに調節して制御される。2. Description of the Related Art In a substrate heat treatment furnace, it is necessary to uniformly heat the entire substrate group inserted into the furnace, and a heating means provided around the furnace core tube is divided in the longitudinal direction of the furnace core tube. It is adjusted and controlled for each of several sites.
【0003】ところで、加熱している基板の温度を直接
に測ることが困難なため、例えば、炉芯管内で基板の炉
芯管の内周面と基板との間に、炉芯管の長手方向におけ
る熱分布を測定する温度センサ(以下、サイド用温度セ
ンサと称する)を挿入しておいて、基板群の近傍の温度
を測る等のように、加熱状況を測定できるようにしてお
いて、基板群を熱処理する際に、測定される加熱状況
が、基板群の全体を均一に加熱するのに適切な加熱条件
に合致するように、加熱手段を制御することが行われて
いる。However, since it is difficult to directly measure the temperature of the substrate being heated, for example, the longitudinal direction of the furnace core tube is placed between the inner peripheral surface of the furnace core tube and the substrate inside the furnace core tube. A temperature sensor (hereinafter referred to as a “side temperature sensor”) for measuring the heat distribution is inserted so that the heating state can be measured, for example, by measuring the temperature in the vicinity of the substrate group. When heat-treating the group, the heating means is controlled so that the measured heating condition matches heating conditions suitable for uniformly heating the entire substrate group.
【0004】例えば、基板群の全体を均一に加熱するよ
うな加熱状況では、サイド用温度センサが測定する熱分
布が、どのような熱分布であるのかを、予め、割り出し
ておいて、基板を熱処理する際に、サイド用温度センサ
によって測定される熱分布が、その予め割り出しておい
た熱分布に合致するように、加熱手段を制御する手法が
知られている。なお、この手法において、前記基板群の
全体を均一に加熱するのに適切な加熱条件に相当するの
は、予め割り出しておいた均一加熱の状況でのサイド用
温度センサで測定される温度分布のことである。[0004] For example, in a heating situation in which the entire substrate group is uniformly heated, the heat distribution measured by the side temperature sensor is determined in advance to determine the heat distribution. There is known a method of controlling a heating unit so that a heat distribution measured by a temperature sensor for a side at the time of heat treatment matches the heat distribution determined in advance. In this method, the heating conditions appropriate for uniformly heating the entire substrate group correspond to the temperature distribution of the temperature distribution measured by the side temperature sensor under the condition of uniform heating previously determined. That is.
【0005】ところで、基板群の全体を均一に加熱する
加熱条件は、次のようにして割り出される。基板を熱処
理する前準備として、基板ボートを炉芯管に挿入しな
い、いわゆる空炉状態または、加熱処理する基板と同種
の基板を収容した基板ボートを炉芯管に挿入した状態
で、炉芯管の周囲に設置した加熱手投を駆動する駆動設
定値(炉芯管長手方向におけるどの位置では加熱手段を
どのような出力で駆動するか等の値)を試行錯誤的に変
えて、プロファイルデー夕、すなわち、様々に変えた駆
動設定値ごとに対応して得られる加熱状況のデータ(例
えば、ザイド用温度センサで測定される温度分布のデー
タや、その駆動設定値で熱処理された基板の表面に形成
した膜の厚さや拡散深さ等のような熱処理の仕上がり具
合いのデー夕)を取る。[0005] The heating conditions for uniformly heating the entire substrate group are determined as follows. As a preparation before heat-treating the substrate, the core boat is not inserted into the furnace core tube, that is, in a so-called empty furnace state, or in a state where the substrate boat containing the same type of substrate as the substrate to be heat-treated is inserted into the furnace core tube, The drive set value (the value at the position in the longitudinal direction of the furnace core at which the heating means is to be driven and the output) is changed by trial and error to change the profile data. That is, the data of the heating condition obtained corresponding to each of the drive setting values changed variously (for example, the data of the temperature distribution measured by the temperature sensor for Zide or the surface of the substrate heat-treated with the drive setting value) Take the final condition of the heat treatment, such as the thickness and diffusion depth of the formed film.
【0006】そして、プロファイルデータを分析して、
基板群の全体を均一に加熱するのに適切な加熱条件を割
り出すのである。Then, the profile data is analyzed,
The heating conditions suitable for uniformly heating the entire substrate group are determined.
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
プロファイルデータを取る際の温度測定方法では、それ
で得たプロファイルデー夕中に基板群の温度分布を示す
データが無く、プロセスガスや炉端で冷却されたガス流
の影響を受けるので、プロファイルデータを分析して
も、基板群の全体を均一に加熱するのに適切な加熱条件
を割り出すことが困難である。あくまで、均一に加熱す
ると思われる適切な加熱条件を推測するにとどまる。However, according to the conventional method for measuring the temperature when taking profile data, there is no data indicating the temperature distribution of the substrate group in the profile data obtained by the method, and the profile data is cooled by the process gas or the furnace end. Therefore, even if the profile data is analyzed, it is difficult to determine an appropriate heating condition for uniformly heating the entire substrate group. It is only a matter of estimating appropriate heating conditions that are considered to be uniform.
【0008】このため、基板の熱処理時に、プロファイ
ルデータから割り出した適切な加熱条件に一致するよう
に加熱条件を制御しても、必ずしも、基板群の全体を均
一に加熱することが期待できなかった。したがって、基
板を熱処理する工程を立ち上げた後においても、試験的
な熱処理を幾度も行い、熱処理の仕上がり具合いに基づ
いて、加熱手段の制御をたびたび修正するといった面倒
なことがなされている。Therefore, even when the heating conditions are controlled so as to match the appropriate heating conditions determined from the profile data during the heat treatment of the substrate, it is not always possible to expect that the entire substrate group is uniformly heated. . Therefore, even after the step of heat-treating the substrate is started, it is troublesome to carry out the test heat-treatment many times and frequently correct the control of the heating means based on the finished condition of the heat treatment.
【0009】以上のような不都合が生じるのは、そもそ
も、従来のプロファイルデータを取る際の温度測定方法
では、測定して得たプロファイルデー夕中に基板群の温
度分布のデータが無いので、そのようなプロファイルデ
ータの中から、基板群の全体を均一に加熱するのに適切
な加熱条件を正確に割り出すことが困難であったからに
他ならない。The above-mentioned inconvenience occurs because, in the first place, in the conventional temperature measurement method for obtaining profile data, there is no data on the temperature distribution of the substrate group in the profile data obtained by measurement. This is because it was difficult to accurately determine appropriate heating conditions for uniformly heating the entire substrate group from such profile data.
【0010】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、プロファイルデータを取る際に、基板
群の温度分布に相当する温度分布のデータを入手するこ
とができる基板用熱処理炉を提供できるようにすること
を目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and has a heat treatment furnace for a substrate capable of obtaining data of a temperature distribution corresponding to a temperature distribution of a substrate group when obtaining profile data. The purpose is to be able to provide.
【0011】[0011]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る基板用熱処理炉は、基板に対して熱処
理を行う基板用熱処理炉において、基板を収納する炉芯
管と、前記炉芯管の周囲に配置された加熱手段と、前記
炉芯管に対して挿入及び抜き出し可能であり、前記炉芯
管内に基板が収納されていない状態で、前記炉芯管内に
挿入され、前記炉芯管の中心軸相当箇所に位置される第
1温度センサと、前記炉芯管に対して挿入及び抜き出し
可能であり、前記炉芯管内に基板が収納されていない状
態で、前記炉芯管内に挿入され、前記炉芯管の内周面に
近い箇所に位置される第2温度センサと、前記第1温度
センサによって検出された検出温度及び前記第2検出セ
ンサによって検出された検出温度に基づいて求められた
加熱条件を記憶する記憶手段と、を備えるものである。
なお、第1温度センサとして棒状のセンター用温度セン
サ、第2温度センサとして棒状のサイド用温度センサが
それぞれ考えられる。In order to achieve the above object, a heat treatment furnace for a substrate according to the present invention is a heat treatment furnace for a substrate for performing heat treatment on a substrate, comprising: a core tube for accommodating a substrate; Heating means disposed around the furnace core tube, and can be inserted and withdrawn from the furnace core tube, inserted into the furnace core tube in a state where the substrate is not stored in the furnace core tube, A first temperature sensor located at a position corresponding to the central axis of the furnace core tube, and a first temperature sensor which can be inserted into and removed from the furnace core tube, and wherein the substrate is not housed in the furnace core tube; And a second temperature sensor located at a location near the inner peripheral surface of the furnace core tube, based on a detected temperature detected by the first temperature sensor and a detected temperature detected by the second detection sensor. Memorized heating conditions Storage means, in which comprises a.
Note that a rod-shaped center temperature sensor can be considered as the first temperature sensor, and a rod-shaped side temperature sensor can be considered as the second temperature sensor.
【0012】また、本発明に係る基板用熱処理炉は、前
記第1温度センサでの検出温度が目標温度になるように
前記加熱手段を制御する制御手段をさらに備え、前記記
憶手段が、前記第1温度センサでの検出温度が目標温度
になった際における前記第2温度センサによる検出温度
を加熱条件として記憶するようにしてもよい。Further, the heat treatment furnace for a substrate according to the present invention further comprises control means for controlling the heating means so that the temperature detected by the first temperature sensor becomes a target temperature, and the storage means comprises: The temperature detected by the second temperature sensor when the temperature detected by the one temperature sensor reaches the target temperature may be stored as the heating condition.
【0013】また、本発明に係る基板用熱処理炉は、前
記炉芯管外に、前記加熱手段に付設させて設けられた第
3温度センサをさらに備え、前記記憶手段は、前記第1
温度センサでの検出温度が目標温度になった際における
前記第3温度センサによる検出温度を加熱条件としてさ
らに記憶するようにしてもよい。Further, the heat treatment furnace for a substrate according to the present invention further includes a third temperature sensor provided outside the furnace core tube and attached to the heating means, and the storage means includes the first temperature sensor.
The temperature detected by the third temperature sensor when the temperature detected by the temperature sensor reaches the target temperature may be further stored as a heating condition.
【0014】また、本発明に係る基板用熱処理炉は、前
記第1温度センサを前記炉芯管に対して挿入及び抜き出
させるとともに、前記第2温度センサを前記炉芯管に対
して挿入及び抜き出させる昇降支持手段をさらに備える
ようにしてもよい。Further, in the heat treatment furnace for a substrate according to the present invention, the first temperature sensor is inserted into and extracted from the furnace core tube, and the second temperature sensor is inserted into and removed from the furnace core tube. It may be further provided with a lifting support means for extracting.
【0015】また、本発明に係る基板用熱処理炉は、前
記炉芯管に対して着脱可能であり、基板を支持する基板
ボートをさらに備え、基板を支持していない状態の前記
基板ボートを前記炉芯管内へ挿入させた後、前記昇降支
持手段が、前記第1温度センサを前記炉芯管内へ挿入さ
せるとともに、前記第2温度センサを前記炉芯管へ挿入
させるようにしてもよい。Further, the substrate heat treatment furnace according to the present invention further includes a substrate boat detachably attached to the furnace core tube and supporting a substrate, wherein the substrate boat in a state where the substrate is not supported is mounted on the substrate boat. After being inserted into the furnace core tube, the elevating and lowering means may insert the first temperature sensor into the furnace core tube and insert the second temperature sensor into the furnace core tube.
【0016】[0016]
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る基板用熱処理
についての実施の形態を図面に基づいて詳細に説明す
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of a heat treatment for a substrate according to the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.
【0017】縦型の基板用熱処理炉の概略構成について
説明すれば、第1図の概略縦断面図に示すように、石英
材料によって透明に形成された炉芯管1の周囲に、管軸
芯方向に短い第1のヒータ2aと長い第2のヒータ2b
と短い第3のヒータ2cとから成る加熱手段2が備えら
れている。炉芯管1の上端には、反応ガスを導入するガ
ス導入管部1aが一体的に形成され、一方、下方の炉口
側には、排気筒3がパッキング4を介してシールした状
態で取り付けられている。排気筒3には排気管(図示せ
ず)に連通接続する排気口5が形成されている。The schematic structure of a vertical heat treatment furnace for a substrate will be described. As shown in a schematic vertical sectional view of FIG. 1, a tube core is formed around a furnace core tube 1 made of quartz material transparently. short direction first heater 2 a and a long second heater 2b
When the heating means 2 is provided consisting of short third heater 2 c. At the upper end of the furnace core tube 1, a gas introduction tube portion 1 a for introducing a reaction gas is integrally formed, while, on the lower furnace port side, an exhaust pipe 3 is attached in a state of being sealed via a packing 4. Have been. The exhaust pipe 3 is formed with an exhaust port 5 that communicates with an exhaust pipe (not shown).
【0018】次に、上述した基板用熱処理炉を運転する
に際しての温度条件を求める上で必要な温度測定方法に
ついて説明する。Next, a description will be given of a temperature measuring method necessary for obtaining the temperature conditions for operating the above-described substrate heat treatment furnace.
【0019】図2に示すように、炉芯管1内に、炉口か
ら、後述する基板ボート9を挿入し、基板ボート9に一
体的に取り付けた炉ロキャップ10によって炉口を閉塞
する。この際、基板ボート9には基板を支持しない。な
お、炉芯管1および加熱手段2は、基台(図示せず)に
組み付けられて固定され、炉ロキャップ10は、取り外
し可能に炉口を閉塞する位置にロックされている。As shown in FIG. 2, a substrate boat 9 described later is inserted into the furnace core tube 1 from a furnace port, and the furnace port is closed by a furnace cap 10 integrally attached to the substrate boat 9. At this time, the substrate boat 9 does not support the substrate. The furnace core tube 1 and the heating means 2 are assembled and fixed to a base (not shown), and the furnace cap 10 is removably locked at a position for closing the furnace port.
【0020】次いで、図3に示すように、昇降支持手段
に相当する昇降可能な昇降支持アーム11に、炉芯管1
内の中心軸芯相当箇所と炉芯管1の内周面に近い箇所そ
れぞれに位置させて、第1温度センサに相当するセンタ
ー用温度センサ12と第2温度センサに相当するサイド
用温度センサ13とを保持させ、昇降支持アーム11を
昇降することにより、炉口キャップ10、後述する断熱
板7、および、基板ボート9の下方側の後述する板体9
aそれぞれの中心箇所に形成した開口を通じてセンター
用温度センサ12を挿入するとともに、炉口キャップ1
0の周部近くに形成した開口を通じてサイド用温度セン
サ13を挿入する。Next, as shown in FIG. 3, the furnace core tube 1 is placed on a vertically movable support arm 11 which can be moved up and down corresponding to the vertically supported means.
And a temperature sensor 12 for the center corresponding to the first temperature sensor and a temperature sensor 13 for the side corresponding to the second temperature sensor, which are respectively located at a position corresponding to the center axis core and a position near the inner peripheral surface of the furnace core tube 1. Is lifted and lowered, the furnace support cap 11, a heat insulating plate 7 described later, and a plate body 9 described below below the substrate boat 9.
a The temperature sensor 12 for the center is inserted through the opening formed at the center of each
The side temperature sensor 13 is inserted through an opening formed near the periphery of the zero.
【0021】センタ用温度センサ12およびサイド用温
度センサ13それぞれは、図示しないが、石英製の透明
保護管内に、長さの異なる3本の熱電対(センター用温
度センサ12による温度検知部を上から順にA1,A
2,A3で示し、サイド用温度センサ13による温度検
知部を上から順にM1,M2,M3で示す)を挿入して
構成されていて、基板ボート9の長手方向両端と中央箇
所の3箇所の温度、すなわち、炉芯管1内の温度分布を
測定するようになっている。Although not shown, each of the center temperature sensor 12 and the side temperature sensor 13 is provided with three thermocouples having different lengths (a temperature detecting portion of the center temperature sensor 12 is disposed above a transparent protection tube made of quartz). A1, A in order from
2, A3, and temperature detection units by the side temperature sensor 13 are indicated by M1, M2, and M3 in order from the top). The temperature, that is, the temperature distribution in the furnace core tube 1 is measured.
【0022】前記第1ないし第3のヒータ2a,2b,
2cそれぞれに、熱電対などの第3温度センサに相当す
る温調用温度センサC1,C2,C3が付設されてい
る。センター用温度センサ12、サイド用温度センサ1
3および温調用温度センサC1,C2,C3それぞれ
は、制御手段に相当する温度制御部14に接続され、そ
の温度制御部14に、第1ないし第3のヒータ2a,2
b,2cそれぞれの電線15a,15b,15cと記憶
手段に相当するメモリ16とが接続されている。The first to third heaters 2a, 2b,
A temperature control temperature sensor C1, C2, C3 corresponding to a third temperature sensor such as a thermocouple is attached to each of the 2c. Center temperature sensor 12, side temperature sensor 1
3 and the temperature sensors C1, C2, C3 for temperature control are connected to a temperature control unit 14 corresponding to a control unit, and the temperature control unit 14 is provided with first to third heaters 2a, 2a, 2c.
The electric wires 15a, 15b and 15c of b and 2c are connected to a memory 16 corresponding to a storage means.
【0023】上記構成のもとで、温度制御部14におい
て、各プロセス条件[温度、反応ガスの種類、定常状態
(一定の加熱温度を維持する状態)、非定常状態(温度
上昇状態,温度下降状態)など]ごとに、センター用温
度センサ12による各温度検知部A1,A2,A3での
検出温度TA1,TA2,TA3のいずれもが所定の目
標温度TWになるように、第1ないし第3のヒータ2
a,2b,2cそれぞれの電源15a,15b,15c
に供給する電力を調整する。Under the above configuration, in the temperature control section 14, each process condition [temperature, type of reaction gas, steady state (state in which a constant heating temperature is maintained), unsteady state (temperature rising state, temperature falling) for each state), etc.], as both by the temperature sensor 12 for center of the detected temperature T A1, T A2, T A3 at each temperature sensing unit A1, A2, A3 becomes a predetermined target temperature T W, the 1st to 3rd heater 2
a, 2b, 2c power supplies 15a, 15b, 15c
Adjust the power supplied to the.
【0024】その調整の結果、TA1=TA2=TA3
=TWになったときに、サイド用温度センサ13による
検出温度TM1,TM2,TM3と温調用温度センサC
1,C2,C3による検出温度TC1,TC2,TC3
とを、目標温度TWとその他のプロセス条件とのデータ
に関連づけてメモリ16に記憶される。TA1=TA 2
=TA3=TWの状況下におけるTM1,TM2,T
M3が、基板群の全体を均一に加熱するのに適切な加熱
条件である。As a result of the adjustment, T A1 = T A2 = T A3
= When it is T W, the detection by the side temperature sensor 13 temperature T M1, T M2, T M3 temperature for temperature control sensor C
1, C2, C3 detected temperatures TC1 , TC2 , TC3
Are stored in the memory 16 in association with the data of the target temperature TW and other process conditions. T A1 = T A 2
= T A3 = T M1 , T M2 , T under the situation of T W
M3 is a heating condition suitable for uniformly heating the entire substrate group.
【0025】各種のプロセス条件についての測定された
データをすべてメモリ16に記憶させた後、センター用
温度センサ12とサイド用温度センサ13を炉芯管1か
ら抜き出すとともに、基板ボート9を抜き出し、実際の
熱処理に移行する。After all measured data on various process conditions are stored in the memory 16, the center temperature sensor 12 and the side temperature sensor 13 are extracted from the furnace core tube 1, and the substrate boat 9 is extracted. To heat treatment.
【0026】すなわち、基板ボート9に、熱処理しよう
とする実際の基板群を装填し、その基板ボート9を炉芯
管1内に挿入するとともに、監視用としてサイド用温度
センサ13を炉芯管1内に挿入する。そして、処理しよ
うとするプロセス条件を温度制御部14に入力して熱処
理を開始することにより、そのプロセス条件に対応する
データをメモリ16から読み出し、温調用温度センサC
1,C2,C3による検出温度Tc1,Tc2,Tc3
それぞれが、読み出されたデータ中の設定温度になるよ
うに第1ないし第3のヒータ2a,2b,2cそれぞれ
の電源15a,15b,15cに供給する電力を制御す
る。[0026] That is, the substrate baud preparative 9, loading the actual substrate group to be heat treated, is inserted the substrate baud preparative 9 to core tube 1, the side temperature sensor 13 for the monitoring It is inserted into the furnace core tube 1. Then, by inputting the process conditions to be processed into the temperature control unit 14 and starting the heat treatment, data corresponding to the process conditions is read out from the memory 16 and the temperature control temperature sensor C is read.
1, C2, C3 detects temperature Tc 1 by, Tc 2, Tc 3
The power supplied to the power supplies 15a, 15b, and 15c of the first to third heaters 2a, 2b, and 2c is controlled so that each becomes the set temperature in the read data.
【0027】このとき、サイド用温度センサ13による
検出温度TM1,TM2,TM3と、それに対応する設
定温度とを比較し、それらの相違に基づいて、センター
用温度センサ12、サイド用温度センサ13および温調
用温度センサC1,C2,C3あるいは、第1ないし第
3のヒー夕2a,2b,2cなどの劣化に伴う動作不良
を検出し、不測に不良品が発生することを早期に発見で
きるようになっている。At this time, the temperatures T M1 , T M2 , T M3 detected by the side temperature sensor 13 are compared with the corresponding set temperatures, and based on the difference between them, the center temperature sensor 12, the side temperature Detects malfunctions due to deterioration of the sensor 13 and the temperature sensors C1, C2, C3 for temperature control or the first to third heaters 2a, 2b, 2c, etc., and early discovers that a defective product occurs unexpectedly. I can do it.
【0028】次に、上記温度測定方法に用いる基板ボー
ト9について説明する。基板ボート9は、図4の斜視図
および図5の断面図それぞれに示すように、周方向に間
隔を隔てて設けた基板支持用の石英製で透明の3本の支
柱9cの長手方向両端それぞれに石英製の板体9a,9
bを一体的に設けて構成されている。支柱9cそれぞれ
には、長手方向に微小ピッチで基板挿入溝17が形成さ
れ、基板Wの半円部分を挿入して三点で支持できるよう
に構成されている。Next, the substrate boat 9 used in the above temperature measuring method will be described. As shown in the perspective view of FIG. 4 and the cross-sectional view of FIG. 5, respectively, the substrate boat 9 has three longitudinally transparent quartz supporting columns 9c for supporting the substrate, which are provided at intervals in the circumferential direction. Quartz plates 9a, 9
b is provided integrally. Substrate insertion grooves 17 are formed in each of the columns 9c at a fine pitch in the longitudinal direction, and are configured so that a semicircular portion of the substrate W can be inserted and supported at three points.
【0029】両板体9a,9bそれぞれの内部には、輻
射熱を遮蔽する遮蔽部材18が埋設され、輻射熱が炉芯
管1の長手方向両端から逃げることを防止できるように
構成されている。遮蔽部材18としては、1000〜2
000℃の輻射熱の中心波長の光に対して遮蔽性能を有
するものであれば良く、例えば、炭化珪素SiC、アル
ミナAl2O3、窒化ホウ素BN、セラミックスなどが用
いられるA shielding member 18 for shielding radiant heat is embedded in each of the two plates 9a and 9b so that the radiant heat can be prevented from escaping from both ends in the longitudinal direction of the furnace core tube 1. As the shielding member 18, 1000-2
Any material may be used as long as it has a shielding performance against light having a central wavelength of radiant heat of 000 ° C. For example, silicon carbide SiC, alumina Al 2 O 3 , boron nitride BN, ceramics, and the like are used.
【0030】一方の板体9aには、断熱支持部材8側に
突出する脚19が設けられ、その板体9aにおいて、基
板ボートに基板Wを支持する際に基板の中央が位置する
箇所、すなわち、板体9aの中心箇所に、センター用温
度センサ12を挿入する開口20が形成されている。ま
た、基板ボート9において、炉口キャップ10の近傍に
は、図2に示す如く、断熱板7が付設されている。One of the plate members 9a is provided with legs 19 projecting toward the heat insulating support member 8, and in the plate member 9a, a portion where the center of the substrate is positioned when the substrate W is supported on the substrate boat, that is, An opening 20 into which the center temperature sensor 12 is inserted is formed at the center of the plate 9a. Further, in the substrate baud preparative 9, in the vicinity of the furnace cap 10, as shown in FIG. 2, the heat insulating plate 7 is attached.
【0031】次に、比較実験結果について説明する。 (比較実験例1) 上記実施例における板体9a,9bを石英材料のみによ
って形成して基板ボートH1を構成し、その基板ボート
H1に基板Wを収容し、その基板ボートH1を炉芯管1
内に挿入するとともに、炉芯管1の内周面に近い箇所に
サイド用温度センサ13を挿入した。後述する特殊な手
法によって、予め求められている、実際の加熱処理時に
基板Wを炉芯管1の長手方向に関して均一な温度分布で
加熱するための電力を、第1、第2および第3のヒータ
2a,2b,2cの電源15a,15b,15cそれぞ
れに温度制御部14を通じて供給し、その状態(以下、
理想加熱状態と称する)での温度分布を、前記サイド用
温度センサ13で測定した。Next, the results of comparative experiments will be described. (Comparative Example 1) with a plate body 9a, 9 b in the above embodiment is formed by only a quartz material constituting the substrate boat H1, accommodating the substrate W to the substrate boat H1, furnace core tube and the substrate boat H1 1
And a temperature sensor 13 for the side was inserted at a position near the inner peripheral surface of the furnace core tube 1. The first, second, and third powers required to heat the substrate W with a uniform temperature distribution in the longitudinal direction of the furnace core tube 1 at the time of the actual heat treatment are determined in advance by a special method described later. Power is supplied to each of the power supplies 15a, 15b, and 15c of the heaters 2a, 2b, and 2c through the temperature control unit 14, and the state (hereinafter, referred to as the state)
The temperature distribution in an ideal heating state was measured by the side temperature sensor 13.
【0032】その結果、図9のグラフにおいて示すDS
の温度分布状態を得た。[0032] As a result, D S shown in graph of FIG. 9
Was obtained.
【0033】(実施例その1による実験例)前記基板ボ
ートH1を、それに基板Wを収容しないで炉芯管1内に
挿入するとともに、基板ボートH1に基板Wを支持する
際に基板中央が位置する箇所にセンター用温度センサ1
2を、炉芯管1の内周面に近い箇所にサイド用温度セン
サ13をそれぞれ挿入して、理想加熱状態で温度分布を
測定した。(Experimental Example of Example 1) The substrate boat H1 is inserted into the furnace core tube 1 without accommodating the substrate W, and the substrate center is positioned when the substrate W is supported by the substrate boat H1. Temperature sensor 1 for center
2 was inserted into the furnace core tube 1 at a position close to the inner peripheral surface thereof, and the temperature distribution was measured in an ideal heating state.
【0034】その結果、図8のグラフにおいて、センタ
ー用温度センサ12の温度分布をC Cで示し、サイド用
温度センサ13の温度分布をCSで示す。As a result, in the graph of FIG.
Temperature distribution of the temperature sensor 12 for CShown for side
The temperature distribution of the temperature sensor 13 is CSIndicated by
【0035】(比較実験例1と、実施例その1による実
験例とに対する考察)比較実験例1は、先に従来技術と
して記載した温度測定方法での実験例であり、理想加熱
状態にて測定されるのは、サイド用温度センサ13のデ
ータだけである。そのため、どのように第1,第2およ
ぴ第3のヒータ2a,2b,2cを制御すれば理想加熱
状態にできるのかが未知の状況下では、サイド用温度セ
ンサ13のデータがどのような温度分布であるならば、
基板群の全体が均一に加熱できるのかを、割り出すこと
は困難である。つまり、基板群の全体を均一に加熱する
のに適切な加熱条件を割り出すことが困難である。(Consideration of Comparative Experimental Example 1 and Experimental Example of Example 1) Comparative Experimental Example 1 is an experimental example using the temperature measuring method described as a prior art, and was measured in an ideal heating state. What is performed is only the data of the side temperature sensor 13. Therefore, under the situation where it is unknown how to control the first, second and third heaters 2a, 2b, 2c to achieve the ideal heating state, the data of the side temperature sensor 13 is If it is a temperature distribution,
It is difficult to determine whether the entire substrate group can be heated uniformly. That is, it is difficult to determine appropriate heating conditions for uniformly heating the entire substrate group.
【0036】実施例その1による実験例では、どのよう
に第1,第2およぴ第3のヒータ2a,2b,2cを制
御すれば理想加熱状態にできるのかが未知の状況下であ
っても、センター用温度センサ12の測定結果が均一な
分布である状態が理想加熱状態であると判断できるの
で、センター用温度センサ12の測定結果が均一な分布
である状態におけるサイド用温度センサ12のデータ
を、基板群の全体を均一に加熱するのに適切な加熱条件
と採用して支障無い。実際の加熱処理時には、前述のよ
うに、サイド用温度センサ13の検出値が、かかるプロ
ファイルデータにおけるサイド用温度センサ13のデー
タと一致するように、第1,第2およぴ第3のヒータ2
a,2b,2cを制御すれば、基板を理想加熱状態にで
きる。In the experimental example according to the first embodiment, it is unknown how to control the first, second and third heaters 2a, 2b and 2c to achieve the ideal heating state. Also, since the state where the measurement results of the center temperature sensor 12 have a uniform distribution can be determined to be the ideal heating state, the side temperature sensor 12 in the state where the measurement results of the center temperature sensor 12 have a uniform distribution can be determined. There is no problem if the data is adopted as appropriate heating conditions for uniformly heating the entire substrate group. During the actual heating process, as described above, the first, second, and third heaters are set so that the detection value of the side temperature sensor 13 matches the data of the side temperature sensor 13 in the profile data. 2
By controlling a, 2b and 2c, the substrate can be brought into an ideal heating state.
【0037】(比較実験例2)上記基板ボート9、すな
わち、基板ボート9における板体9a,9bに前記遮蔽
部材18を埋設した基板ボート9を用い、その基板ボー
ト9に基板Wを収容し、その基板ボート9を炉芯管1内
に挿入するとともに、炉芯管1の内周面に近い箇所にサ
イド用温度センサ13を挿入し、理想加熱状態での温度
分布を、前記サイド用温度センサ13で測定した。その
結果、図7のグラフにおいて示すBSの温度分布状態を
得た。(Comparative Experimental Example 2) The above-mentioned substrate boat 9, that is, the substrate boat 9 in which the shielding members 18 are embedded in the plate members 9a and 9b of the substrate boat 9, and the substrate W is accommodated in the substrate boat 9, The substrate boat 9 is inserted into the furnace core tube 1, and a side temperature sensor 13 is inserted at a position near the inner peripheral surface of the furnace core tube 1, so that the temperature distribution in an ideal heating state can be measured by the side temperature sensor. 13 was measured. As a result, to obtain a temperature distribution of B S shown in the graph of FIG.
【0038】(実施例2による実験例)基板ボート9
に、おける板体9a,9bに前記遮蔽部材18を埋設し
た基板ボート9を用い、その基板ボート9に、基板Wを
収容しないで炉芯管1内に挿入するとともに、基板ボー
トに基板を支持する際に基板中央が位置する箇所にセン
ター用温度センサ12を、炉芯管1の内周面に近い箇所
にサイド用温度センサ13をそれぞれ挿入して、理想加
熱状態で温度分布を測定した。(Experimental Example of Second Embodiment) Substrate Boat 9
A substrate boat 9 in which the shielding members 18 are embedded in plate bodies 9a and 9b is inserted into the furnace core tube 1 without accommodating the substrate W, and the substrate is supported by the substrate boat. At this time, the center temperature sensor 12 was inserted at a position where the center of the substrate was located, and the side temperature sensor 13 was inserted at a position near the inner peripheral surface of the furnace core tube 1, and the temperature distribution was measured in an ideal heating state.
【0039】その結果、図6のグラフに示す温度分布状
態を得た。ACはセンター用温度センサ12によって測
定された温度分布を示し、ASはサイド用温度センサ1
3によって測定された温度分布を示す。As a result, the temperature distribution shown in the graph of FIG. 6 was obtained. A C indicates the temperature distribution measured by the temperature sensor 12 for center, A S is the temperature sensor for side 1
3 shows the temperature distribution measured according to FIG.
【0040】(比較実験例2と、実施例その2による実
験例とに対する考察)比較実験例2は、先に従来技術と
して記載した温度測定方法での実験例であり、先の比較
実験例1と同様に、理想加熱状態にて測定されるのは、
サイド用温度センサ13のデータだけである。そのた
め、どのように第1,第2および第3のヒータ2a,2
b,2cを制御すれば理想加熱状態にできるのかが未知
の状況下では、サイド用温度センサ13のデータがどの
ような温度分布であるならば、基板群の全体が均一に加
熱できるのかを、割り出すことは困難である。つまり、
基板群の全体を均一に加熱するのに適切な加熱条件を割
り出すことが困難である。(Consideration of Comparative Experimental Example 2 and Experimental Example of Example 2) Comparative Experimental Example 2 is an experimental example using the temperature measuring method described as the prior art, and Comparative Experimental Example 1 was used. Similar to, what is measured in the ideal heating state is
Only the data of the side temperature sensor 13 is provided. Therefore, how the first, second and third heaters 2a, 2
Under the situation where it is unknown whether or not the ideal heating state can be achieved by controlling b and 2c, if the data of the side temperature sensor 13 has a temperature distribution, it is determined whether the entire substrate group can be uniformly heated. It is difficult to determine. That is,
It is difficult to determine appropriate heating conditions for uniformly heating the entire substrate group.
【0041】実施例その2による実験例は、最良の実施
の態様に該当する実施例での実験例であり、どのような
第1,第2および第3のヒータ2a,2b,2cを制御
すれば理想加熱状態にできるのかが未知の状況下であっ
ても、センター用温度センサ12の測定結果が均一な分
布である状態が理想加熱状態であると判断できるので、
センター用温度センサ12の測定結果が均一な分布であ
る状態におけるサイド用温度センサ13のデータを、基
板群の全体を均一に加熱するのに適切な加熱条件と採用
して支障無い。実際の加熱処理時には、前述のように、
サイド用温度センサ13の検出値が、かかるプロファイ
ルデータにおけるサイド用温度センサ13のデータと一
致するように、第1,第2および第3のヒータ2a,2
b,2cを制御すれば、基板を理想加熱状態にできる。The experimental example according to the embodiment 2 is an experimental example in the embodiment corresponding to the best mode, and what kind of the first, second and third heaters 2a, 2b, 2c are controlled. Even if it is unknown whether it can be set to the ideal heating state, the state where the measurement result of the center temperature sensor 12 has a uniform distribution can be determined to be the ideal heating state.
The data of the side temperature sensor 13 in a state where the measurement results of the center temperature sensor 12 have a uniform distribution may be adopted as appropriate heating conditions for uniformly heating the entire substrate group. During the actual heat treatment, as described above,
The first, second and third heaters 2a, 2a, 2b are arranged so that the detection value of the side temperature sensor 13 matches the data of the side temperature sensor 13 in the profile data.
By controlling b and 2c, the substrate can be brought into an ideal heating state.
【0042】(実施例その1による実験例と、実施例そ
の2による実験例とに対する考察)実施例その2による
実験例は、基板ボート9における板体9a,9bに前記
遮蔽部材18を埋設した基板ボート9を用いているの
で、基板ボート9に基板群を支持する熱処理時において
も、端の方に位置する基板も、熱平衡がとれている。(Consideration of the experimental example according to the first embodiment and the experimental example according to the second embodiment) In the experimental example according to the second embodiment, the shielding member 18 is embedded in the plates 9a and 9b of the substrate boat 9. Since the substrate boat 9 is used, even at the time of the heat treatment for supporting the substrate group on the substrate boat 9, the substrates located at the ends are also in thermal equilibrium.
【0043】したがって、かかる基板ボート9を用いて
取ったプロファイルデータに基づいて、熱処理時の温度
制御をすると、基板群の端の位置でも、プロファィルデ
ータを取った際の熱分布、すなわち、理想加熱状態での
熱分布にできる。Therefore, if the temperature control during the heat treatment is performed based on the profile data obtained by using the substrate boat 9, the heat distribution when the profile data is obtained, that is, the ideal temperature distribution can be obtained even at the end of the substrate group. Heat distribution can be achieved in the heated state.
【0044】実施例その1による実験例は、基板ボート
H1における板体9a,9bを石英材料のみによって形
成した構成したので、その基板ボートに基板群を支持す
る熱処理時には、端の方に位置する基板は、中程に位置
する基板のように、近くの基板との間で互いに輻射熱を
及ぼし合って基板相互間で輻射熱が平衡した関係にある
のと違って、他や基板から受ける輻射熱よりも放出する
輻射熱の方が多いので、熱平衡が成り立っていない。In the experimental example according to the first embodiment, since the plate members 9a and 9b of the substrate boat H1 are formed only of a quartz material, they are located at the ends during the heat treatment for supporting the substrate group on the substrate boat. Unlike a substrate located in the middle, a substrate exerts radiant heat on each other with a nearby substrate and the radiant heat is balanced between the substrates, unlike a radiant heat received from another or a substrate. Since more radiant heat is emitted, thermal equilibrium is not established.
【0045】このため、基板ボートH1に基板を支持し
ない状態で測定したプロファイルデータに基づいて、熱
処理時の温度制御をすると、熱処理時の温度分布は、基
板群の中程の位置では、プロファイルデータを取った際
の熱分布を再現できる。すなわち、理想加熱状態の温床
分布にできるが、しかし、基板群の端の方で温度が下が
った熱分布となる。Therefore, if the temperature control during the heat treatment is performed based on the profile data measured in a state where the substrate is not supported on the substrate boat H1, the temperature distribution at the time of the heat treatment shows that the profile data at the middle position of the substrate group The heat distribution at the time of taking can be reproduced. That is, a hotbed distribution can be obtained in the ideal heating state, but a heat distribution in which the temperature is lowered near the end of the substrate group is obtained.
【0046】なお、理想加熱状態を実現するには、次の
ようにした。比較実験例1と実施例その1による実験例
では、前記基板ボートH1に、また、比較実験例2と実
施例その2による実験例では、前記基板ボートH1に、
中央に孔を形成した孔空き基板Wを収容し、その基板ボ
ートH1ないし基板ボート9を炉芯管1内に挿入すると
ともに、孔空き基板Wの中央に形成された孔を通してセ
ンター用温度センサ12を挿入し、センター用温度セン
サ12で測定される炉芯管長手方向の温度分布が均一に
なるように、第1,第2および第3のヒータ2a,2
b,2cの駆動を制御した。In order to realize the ideal heating state, the following was carried out. In the experimental example according to the comparative experimental example 1 and the example 1, the substrate boat H1 was used. In the experimental example according to the comparative experimental example 2 and the example 2 was used, the substrate boat H1 was used.
A holed substrate W having a hole formed in the center is accommodated, the substrate boat H1 to the substrate boat 9 is inserted into the furnace core tube 1, and a center temperature sensor 12 is inserted through a hole formed in the center of the holed substrate W. So that the temperature distribution in the longitudinal direction of the furnace core tube measured by the center temperature sensor 12 becomes uniform, so that the first, second and third heaters 2a, 2
Drives b and 2c were controlled.
【0047】上記実施例では、縦型の基板用熱処理炉に
使用する縦型用基板ボートについて説明したが、横型の
基板用熱処理炉に使用する横型用基板ボートにも通用で
き、その模型用基板ボートの場合には、両板体9a,9
bそれぞれの中間の支柱9cを挟んだ両側それぞれに、
炉内で立設支持するための支持脚を連接して構成され
る。In the above embodiment, the vertical substrate boat used in the vertical substrate heat treatment furnace was described. However, the horizontal substrate boat used in the horizontal substrate heat treatment furnace can be used. In the case of a boat, both plates 9a, 9
b On both sides of each intermediate support 9c,
Support legs for standing and supporting in the furnace are connected.
【0048】上述した基板ボートは、温度分布の測定時
のみならず、実際に基板Wを加熱処理するときにも用い
ることができる。上記実施例では、センター用温度セン
サ12を炉芯管1の中心軸芯の箇所に挿入したが、上記
実施例の縦型熱処理炉では基板ボート9に支持された基
板Wの中央が炉芯管1の中心紬芯の箇所と一致する構造
であるから、その箇所へ挿入したが、例えば、一部の横
型熱処理炉にあるように、炉芯管の内周面に基板ボート
を載置する構造の熱処理炉では、基板ボートに支持され
る基板の中央が炉芯管の中心軸芯の箇所と一致しない場
合があるが、そのような場合には、センター用温度セン
サ12を挿入する箇所を、炉芯管1の中心軸芯の箇所で
は無く、基扱ボートに基板を支持する際に基板の中央が
位置する箇所にすればよい。The above-mentioned substrate boat can be used not only when measuring the temperature distribution but also when actually performing the heat treatment of the substrate W. In the above embodiment, the center temperature sensor 12 is inserted at the center axis of the furnace core tube 1. However, in the vertical heat treatment furnace of the above embodiment, the center of the substrate W supported by the substrate boat 9 is located at the center of the furnace core tube. Since it has a structure that coincides with the location of the center core of No. 1, it was inserted into that location. For example, as in some horizontal heat treatment furnaces, a substrate boat is placed on the inner peripheral surface of the furnace core tube. In the heat treatment furnace, the center of the substrate supported by the substrate boat may not coincide with the center axis of the furnace core tube. In such a case, the position where the center temperature sensor 12 is inserted is The center of the furnace core tube 1 may be set at a position where the center of the substrate is located when the substrate is supported on the base boat, not at the position of the center axis.
【0049】[0049]
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明に係
る基板用熱処理炉によれば、炉芯管内に基板が収納され
ていない状態で、炉芯管内に挿入され、炉芯管の中心軸
相当箇所に位置される第1温度センサによって検出され
た検出温度と、炉芯管内に基板が収納されていない状態
で、炉芯管内に挿入され、炉芯管の内周面に近い箇所に
位置される第2温度センサによって検出された検出温度
とに基づいて求められた加熱条件を記憶手段が記憶して
いるので、基板用熱処理炉におけるプロファイルデータ
を取る際に、基板群の温度分布に相当する温度分布のデ
ータを入手することができる。As described in detail above, according to the heat treatment furnace for a substrate according to the present invention, the substrate is inserted into the furnace core tube in a state where the substrate is not stored in the furnace core tube, and the center of the furnace core tube is The temperature detected by the first temperature sensor located at a position corresponding to the axis and the temperature which is inserted into the furnace core tube in a state where the substrate is not housed in the furnace core tube and is close to the inner peripheral surface of the furnace core tube Since the storage means stores the heating condition obtained based on the detected temperature detected by the second temperature sensor located, the temperature distribution of the substrate group is taken when taking profile data in the substrate heat treatment furnace. The corresponding temperature distribution data can be obtained.
【図1】基板用熱処理炉のプロファイルデータを取る際
の温度測定方法の手順を説明する図である。FIG. 1 is a diagram illustrating a procedure of a temperature measuring method when profile data of a substrate heat treatment furnace is obtained.
【図2】基板用熱処理炉のプロファイルデータを取る際
の温度測定方法の手順を説明する図である。FIG. 2 is a diagram illustrating a procedure of a temperature measuring method when profile data of a substrate heat treatment furnace is obtained.
【図3】基板用熱処理炉のプロファイルデータを取る際
の温度測定方法の手順を説明する図である。FIG. 3 is a diagram illustrating a procedure of a temperature measuring method when profile data of a substrate heat treatment furnace is obtained.
【図4】基板ボートの斜視図である。FIG. 4 is a perspective view of a substrate boat.
【図5】基板ボートの断面図である。FIG. 5 is a sectional view of a substrate boat.
【図6】比較実験結果を示すグラフである。FIG. 6 is a graph showing the results of a comparative experiment.
【図7】比較実験結果を示すグラフである。FIG. 7 is a graph showing the results of a comparative experiment.
【図8】比較実験結果を示すグラフである。FIG. 8 is a graph showing the results of a comparative experiment.
【図9】比較実験結果を示すグラフである。FIG. 9 is a graph showing the results of a comparative experiment.
1 炉芯管 2 加熱手段 2a 第1のヒータ 2b 第2のヒータ 2c 第3のヒータ 9 基板ボート 11 昇降支持アーム 12 センター用温度センサ 13 サイド用温度センサ 14 温度制御部 16 メモリ C1 温調用温度センサ C2 温調用温度センサ C3 温調用温度センサ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Furnace tube 2 Heating means 2a 1st heater 2b 2nd heater 2c 3rd heater 9 Substrate boat 11 Elevating support arm 12 Center temperature sensor 13 Side temperature sensor 14 Temperature controller 16 Memory C1 Temperature control temperature sensor C2 Temperature sensor for temperature control C3 Temperature sensor for temperature control
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き 審査官 河合 章 (56)参考文献 特開 昭63−311722(JP,A) 特開 昭63−211720(JP,A) 特開 平1−309318(JP,A) 特開 昭54−154376(JP,A) 実開 平1−174917(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/22 511 H01L 21/22 501 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page Examiner Akira Kawai (56) References JP-A-63-131722 (JP, A) JP-A-63-121720 (JP, A) JP-A-1-309318 (JP, A) 54-154376 (JP, A) Hira 1-174917 (JP, U) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H01L 21/22 511 H01L 21/22 501
Claims (5)
炉において、 基板を収納する炉芯管と、 前記炉芯管の周囲に配置された加熱手段と、 前記炉芯管に対して挿入及び抜き出し可能であり、前記
炉芯管内に基板が収納されていない状態で、前記炉芯管
内に挿入され、前記炉芯管の中心軸相当箇所に位置され
る第1温度センサと、 前記炉芯管に対し挿入及び抜き出し可能であり、前記炉
芯管の内周面に基板が収納されていない状態で、前記炉
芯管内に挿入され、前記炉芯管の内周面に近い箇所に位
置される第2温度センサと、 前記第1温度センサによって検出された検出温度及び前
記第2検出センサによって検出された検出温度に基づい
て求められた加熱条件を記憶する記憶手段と、を備えた
ことを特徴とする基板用熱処理炉。1. A substrate heat treatment furnace for performing heat treatment on a substrate, comprising: a furnace core tube for accommodating a substrate; heating means disposed around the furnace core tube; A first temperature sensor that can be withdrawn, is inserted into the furnace core tube in a state where the substrate is not stored in the furnace core tube, and is located at a position corresponding to a central axis of the furnace core tube; Can be inserted into and removed from the furnace core tube, and is inserted into the furnace core tube in a state where the substrate is not stored on the inner peripheral surface of the furnace core tube, and is located at a position near the inner peripheral surface of the furnace core tube. A second temperature sensor; and storage means for storing a heating condition obtained based on the detected temperature detected by the first temperature sensor and the detected temperature detected by the second detection sensor. Substrate heat treatment furnace.
て、 前記第1温度センサでの検出温度が目標温度になるよう
に前記加熱手段を制御する制御手段をさらに備え、 前記記憶手段は、前記第1温度センサによる検出温度を
加熱条件として記憶することを特徴とする基板熱処理
炉。2. The heat treatment furnace for a substrate according to claim 1, further comprising control means for controlling the heating means so that a temperature detected by the first temperature sensor becomes a target temperature, wherein the storage means comprises: A substrate heat treatment furnace, wherein a temperature detected by the first temperature sensor is stored as a heating condition.
て、 前記炉芯管外に、前記加熱手段に付設させて設けられた
第3温度センサをさらに備え、 前記記憶手段は、前記第1温度センサでの検出温度が目
標温度になった際における前記第3温度センサによる検
出温度を加熱条件としてさらに記憶することを特徴とす
る基板熱処理炉。3. The heat treatment furnace for a substrate according to claim 2, further comprising a third temperature sensor provided outside of the furnace core tube and attached to the heating means, wherein the storage means comprises a first temperature sensor. The substrate heat treatment furnace further stores a temperature detected by the third temperature sensor when the temperature detected by the temperature sensor reaches a target temperature as a heating condition.
の基板用熱処理炉において、 前記第1温度センサを前記炉芯管に対して挿入及び抜き
出させるとともに、前記第2温度センサを前記炉芯管に
対して挿入及び抜き出させる昇降支持手段をさらに備え
たことを特徴とする基板熱処理炉。4. The heat treatment furnace for a substrate according to claim 1, wherein the first temperature sensor is inserted into and removed from the furnace core tube, and the second temperature sensor is A substrate heat treatment furnace, further comprising elevating and lowering support means for inserting and extracting the furnace core tube.
て、 前記炉芯管に対して着脱可能であり、基板を支持する基
板ボートをさらに備え、 基板を支持していない状態の前記基板ボートを前記炉芯
管内へ挿入させた後、前記昇降支持手段は、前記第1温
度センサを前記炉芯管内へ挿入させるとともに、前記第
2温度センサを前記炉芯管へ挿入させることを特徴とす
る基板熱処理炉。5. The heat treatment furnace for a substrate according to claim 4, further comprising a substrate boat detachable to the furnace core tube and supporting a substrate, wherein the substrate boat does not support the substrate. Is inserted into the furnace core tube, and the elevating and lowering support means inserts the first temperature sensor into the furnace core tube and inserts the second temperature sensor into the furnace core tube. Substrate heat treatment furnace.
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