JP3255204B2 - Optical information recording method - Google Patents

Optical information recording method

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JP3255204B2
JP3255204B2 JP20175993A JP20175993A JP3255204B2 JP 3255204 B2 JP3255204 B2 JP 3255204B2 JP 20175993 A JP20175993 A JP 20175993A JP 20175993 A JP20175993 A JP 20175993A JP 3255204 B2 JP3255204 B2 JP 3255204B2
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【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、基板上に相変化形記録
材料からなる記録層が形成された光情報記録媒体にパル
ス状の電磁波を照射し、該電磁波の照射による記録層の
光学定数の変化を利用して情報の記録を行う光情報記録
方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for irradiating a pulsed electromagnetic wave to an optical information recording medium having a recording layer made of a phase-change recording material formed on a substrate and irradiating the recording layer with an optical constant. The present invention relates to an optical information recording method for recording information using a change in the information.

【0002】[0002]

【従来の技術】電磁波、特にレーザービームの照射によ
り情報の記録、再生及び消去が可能な光情報記録媒体の
一つとして、結晶−非結晶相間あるいは結晶−結晶相間
の転移を利用する、いわゆる相変化形記録媒体がよく知
られている。この相変化形記録媒体は、特に光磁気記録
媒体で困難な単一ビームによるオーバーライトが可能で
あり、ドライブ側の光学系もより単純であることなどか
ら、最近その研究開発が活発になっている。相変化形記
録媒体に使用される代表的な材料例としては、米国特許
第3530441号明細書に開示されているように、G
e−Te、Ge−Te−Sn、Ge−Te−S、Ge−
Se−S、Ge−Se−Sb、Ge−As−Se、In
−Te、Se−Te、Se−Asなどのいわゆるカルコ
ゲン系合金材料が挙げられる。また、安定性、高速結晶
化などの向上を目的に、Ge−Te系にAu(特開昭6
1−219692号公報)、Sn及びAu(特開昭61
−270190号公報)、Pd(特開昭62−1949
0号公報)などを添加した材料の提案や、記録/消去の
繰り返し性能向上を目的にGe−Te−Se−Sb、G
e−Te−Sbの組成比を特定した材料(特開昭62−
73438号公報)の提案などもなされている。しかし
ながら、いずれも、書換可能な相変化形記録媒体として
要求される諸特性のすべてを満足しうるものとはいえな
い。特にオーバーライト時の消し残りによる消去比低下
の防止及び繰り返し記録回数の向上荷ついてはが解決さ
れるべき最重要課題であるといえる。
2. Description of the Related Art As one of optical information recording media on which information can be recorded, reproduced and erased by irradiation of electromagnetic waves, particularly laser beams, a so-called phase utilizing a transition between a crystal and an amorphous phase or a crystal and a crystal phase. Variants are well known. This phase-change recording medium can be overwritten by a single beam, which is particularly difficult for magneto-optical recording media, and the drive-side optical system is simpler. I have. As a typical example of the material used for the phase change recording medium, as disclosed in US Pat. No. 3,530,441, G
e-Te, Ge-Te-Sn, Ge-Te-S, Ge-
Se-S, Ge-Se-Sb, Ge-As-Se, In
And so-called chalcogen-based alloy materials such as -Te, Se-Te, and Se-As. For the purpose of improving stability, high-speed crystallization, etc., Au was added to Ge-Te system (Japanese Patent Laid-Open No.
No. 1-219692), Sn and Au (Japanese Patent Application Laid-Open No. SHO 61-61).
-270190), Pd (JP-A-62-1949).
No. 0 publication) or the like, and Ge-Te-Se-Sb, G
A material having a specified e-Te-Sb composition ratio (Japanese Unexamined Patent Publication No.
No. 73438). However, none of them can satisfy all the characteristics required as a rewritable phase-change recording medium. In particular, it can be said that prevention of a reduction in the erasing ratio due to unerased data during overwriting and improvement in the number of repetitive recordings are the most important issues to be solved.

【0003】特開昭63−251290号公報では、実
質的に三元以上の多元化合物単相の結晶構造を持つ記録
層を具備した記録媒体が提案されている。ここで実質的
に三元以上の多元化合物単層とは三元以上の化学量論組
成を持った化合物(たとえばIn3SbTe2)を記録層
中に90原子%以上含むものとされている。この記録層
を用いることにより記録、消去特性の向上が図れるもの
としている。しかしながら、この記録媒体は、消去比が
低いなどの欠点を有している。これらの事情から消去比
が高く、繰り返し特性の優れた光情報記録媒体の開発が
望まれていた。このため、記録層材料に適した保護層材
料の開発が進められて、ZnSSiO2、Al23、T
25、SiN、AlNなどの材料が用いられている。
しかし特定の記録層材料とこれらの保護層材料との組み
合わせによっても光情報記録媒体として要求される諸特
性のすべてを満足するものは得られていない。
Japanese Patent Application Laid-Open No. 63-251290 proposes a recording medium provided with a recording layer having a crystal structure of a ternary or higher compound single phase. Here, the ternary or higher multi-component compound monolayer is defined as a recording layer containing 90 atomic% or more of a compound having a ternary or higher stoichiometric composition (eg, In 3 SbTe 2 ). By using this recording layer, the recording and erasing characteristics can be improved. However, this recording medium has disadvantages such as a low erasing ratio. Under these circumstances, development of an optical information recording medium having a high erasing ratio and excellent repetition characteristics has been desired. For this reason, the development of a protective layer material suitable for the recording layer material has been advanced, and ZnSSiO 2 , Al 2 O 3 , T
Materials such as a 2 O 5 , SiN, and AlN are used.
However, even with a combination of a specific recording layer material and these protective layer materials, a material that satisfies all of the various characteristics required for an optical information recording medium has not been obtained.

【0004】一方、従来の相変化形記録媒体に従来方法
で記録されたマーク部をTEM(透過型電子顕微鏡)で
観察すると、記録マークは理想的には図7のようなマー
ク形状になるべきはずのものが、実際は図8のようなマ
ーク後端部が広がった形状となっている。これは特に長
いマークを記録しようとする場合に顕著で、極端な場合
には涙滴型に近い形状を示すことさえあり、記録再生特
性の向上に対して大きな障害となっている。記録マーク
がこのような形状となる原因の一つとして、長いマーク
を記録しようとするマークの後端部付近では、照射され
ている高出力のレーザービームによる蓄熱効果により記
録層の温度が上昇しすぎてマーク部の幅が広くなりすぎ
ることがあげられる。上記のような現象は反射放熱層の
熱伝導率が不足気味な場合にも生ずる。
On the other hand, when a mark recorded on a conventional phase-change recording medium by a conventional method is observed with a TEM (transmission electron microscope), the recording mark should ideally have a mark shape as shown in FIG. The thing which should be, in fact, has a shape in which the rear end of the mark is widened as shown in FIG. This is particularly remarkable when a long mark is to be recorded. In an extreme case, the shape may be close to a teardrop shape, which is a major obstacle to improving the recording and reproducing characteristics. One of the causes of the recording mark having such a shape is that near the rear end of the mark where a long mark is to be recorded, the temperature of the recording layer rises due to the heat storage effect of the irradiated high-power laser beam. The width of the mark portion is too large. The above-mentioned phenomenon also occurs when the thermal conductivity of the reflection heat radiation layer is slightly insufficient.

【0005】そこでマーク後端部の広がりを防止するた
めに、反射放熱層に熱伝導率の大きな材料を用いること
が考えられるが、その場合、感度の低下を招き好ましく
なく、その上、逆に長いマークの後端部付近でマーク幅
が狭くなる現象が生じてしまう。また、記録材料として
Ag−In−Sb−Te系のようにマーク形成に対して
冷却速度が大きく寄与する材料を用いて記録層を構成し
た場合、マークの前側では後端部に比べ冷却速度が小さ
く、マーク幅が挟くなるという問題がある。どちらにし
ても層構成だけではマーク形状の制御は非常に難かしい
というのが実情である。
In order to prevent the rear end of the mark from spreading, it is conceivable to use a material having a high thermal conductivity for the reflective heat dissipation layer. In that case, however, the sensitivity is lowered, which is not preferable. A phenomenon that the mark width becomes narrow near the rear end of a long mark occurs. When the recording layer is made of a recording material such as Ag-In-Sb-Te, which greatly contributes to the formation of the mark, such as an Ag-In-Sb-Te system, the cooling rate at the front of the mark is lower than that at the rear end. There is a problem that the mark width is small and the mark width becomes narrow. In any case, it is actually difficult to control the mark shape only with the layer configuration.

【0006】これらのことから、記録波形による記録マ
ーク形状の補償の必要性が生じるが、その従来例とし
て、JJAP Vol.31(1992)p653−6
58、JJAP Vol.30(1991)p677−
681、第四回相変化記録研究会(1992)p76−
81及びp99−104等の記録波形による記録マーク
形状の補償方法の例がある。しかしこれらの方法は、複
雑な制御機構を必要とする上、あらゆる構成のメディア
に対応し得るものではなかった。
[0006] For these reasons, it is necessary to compensate the recording mark shape by the recording waveform. 31 (1992) p653-6
58, JJP Vol. 30 (1991) p677-
681, 4th Phase Change Recording Research Group (1992) p76-
There is an example of a method of compensating a recording mark shape by a recording waveform such as 81 and p99-104. However, these methods require a complicated control mechanism and cannot be applied to media of all configurations.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来技術
の実情に鑑み、複雑な制御機構を必要とせず、記録波形
による記録マーク形状の補償をあらゆる構成のメディア
に対応して行うことのできる光情報記録方法を提供する
ことをその課題とする。
SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above-mentioned circumstances of the prior art, the present invention does not require a complicated control mechanism, and can compensate for the shape of a recording mark by a recording waveform for any type of media. It is an object to provide an optical information recording method.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明によれば、上記課
題を解決するため、基板上に相変化形記録材料からなる
記録層が形成された光情報記録媒体にパルス状の電磁波
を照射し、該電磁波の照射による記録層の光学定数の変
化を利用して情報の記録を行う光情報記録方法におい
て、記録パルス波形の立ち下がりを鈍らせてパルス状の
電磁波の照射を行うことを特徴とする光情報記録方法が
提供される。また、本発明によれば、上記において、記
録パルス波形としてマルチパルス波形を用い、マルチパ
ルス列の各々の波形の立ち下がりを鈍らせることを特徴
とする光情報記録方法が提供される。また、本発明によ
れば、上記において、特に長い記録マークの記録時に該
記録マークの最後部を記録するパルス波形のみの立ち下
がりを鈍らせることを特徴とする光情報記録方法が提供
される。さらに、本発明によれば、上記において、前記
光情報記録媒体として、基板上に記録層と保護層と反射
放熱層が形成され、該記録層が構成元素として少なくと
もAg、In、Sb及びTeを含み、かつ安定状態にお
いて主として下記一般式(I)で表される組成及び構造
の相変化形記録材料からなる光情報記録媒体を用いるこ
とを特徴とする光情報記録方法が提供される。
According to the present invention, in order to solve the above-mentioned problems, a pulse-like electromagnetic wave is applied to an optical information recording medium having a recording layer made of a phase-change recording material formed on a substrate. In an optical information recording method for recording information using a change in an optical constant of a recording layer due to irradiation of the electromagnetic wave, irradiation of a pulse-like electromagnetic wave is performed by slowing down a falling edge of a recording pulse waveform. An optical information recording method is provided. Further, according to the present invention, there is provided an optical information recording method according to the above, wherein a multi-pulse waveform is used as a recording pulse waveform, and a falling edge of each waveform of the multi-pulse train is blunted. Further, according to the present invention, there is provided an optical information recording method as described above, characterized in that when recording a particularly long recording mark, the falling edge of only the pulse waveform for recording the last part of the recording mark is blunted. Further, according to the present invention, in the above, as the optical information recording medium, a recording layer, a protective layer, and a reflective heat dissipation layer are formed on a substrate, and the recording layer contains at least Ag, In, Sb, and Te as constituent elements. There is provided an optical information recording method comprising using an optical information recording medium comprising a phase-change recording material having a composition and a structure mainly represented by the following general formula (I) in a stable state.

【化1】 (AgSbTe(2+σ/Δ)x(InSbz1-x ・・・(I) (ただし、0.4≦x≦0.55、0.5≦z≦2.
5、−0.15≦σ≦0.1、Δ=(1−σ)x/(1+
3x+z(1−x))である)
(AgSbTe (2 + σ / Δ) ) x (InSb z ) 1-x (I) (where 0.4 ≦ x ≦ 0.55, 0.5 ≦ z ≦ 2.
5, −0.15 ≦ σ ≦ 0.1, Δ = (1−σ) x / (1+
3x + z (1-x)).

【0009】以下本発明の方法を詳述する。本発明は相
変化形記録媒体にパルス状の電磁波を照射して記録を行
う光情報記録方法において、マーク記録時のパルス波形
を工夫することにより記録マーク形状の歪みを補償しよ
うとするものであり、具体的には図1に示すように、記
録パルス波形の立ち下がりを鈍らせることにより、記録
マーク形状を適正化するものである。このような記録パ
ルス波形を採用することにより、照射電磁波のエネルギ
ーによる蓄熱効果により記録層の温度が過度に上昇する
のを防ぎ、長いマークの後端部でのマーク幅の広がりが
抑制されるため、図7のような適正化された形状のマー
クが得られるようになる。
Hereinafter, the method of the present invention will be described in detail. The present invention is directed to an optical information recording method for performing recording by irradiating a pulse-shaped electromagnetic wave to a phase-change recording medium, in which an attempt is made to compensate for distortion of a recording mark shape by devising a pulse waveform at the time of mark recording. Specifically, as shown in FIG. 1, the shape of the recording mark is optimized by slowing down the fall of the recording pulse waveform. By adopting such a recording pulse waveform, it is possible to prevent the temperature of the recording layer from excessively rising due to the heat storage effect by the energy of the irradiation electromagnetic wave, and to suppress the spread of the mark width at the rear end of a long mark. 7, a mark having an optimized shape as shown in FIG. 7 can be obtained.

【0010】本発明では、記録レーザパルスの駆動方式
としては、図1に示すような1パルス記録方式或いは図
2に示すようなマルチパルス記録方式を用いることがで
きる。1パルス記録方式を用いる場合、特に長い記録マ
ークの記録時に使用するパルス波形のみその立ち下がり
部分を鈍らせてもよい。マルチパルス記録方式を用いる
場合には、図2のようにマルチパルス列の各々の波形の
立ち下がりを鈍らせてもよいし、特に長い記録マークの
記録時に該記録マークの最後部を記録するパルス波形の
みその立ち下がりを鈍らせてもよい。
In the present invention, as the driving method of the recording laser pulse, a one-pulse recording method as shown in FIG. 1 or a multi-pulse recording method as shown in FIG. 2 can be used. When the one-pulse recording method is used, only the pulse waveform used when recording a long recording mark may be blunted at the falling portion. In the case of using the multi-pulse recording method, the falling edge of each waveform of the multi-pulse train may be blunted as shown in FIG. Only the fall may be blunted.

【0011】記録パルス波形の立ち下がりを鈍らせるた
めの駆動回路の概念図を図3に示すとともにその動作タ
イミングチャートを図4に示す。また、本発明の方法を
実現するための装置構成を図5にブロック図で示す。こ
の装置は、記録信号発生器11、駆動パルス発生回路1
2、立ち上がり駆動回路13、立ち下がり駆動回路1
4、LD駆動回路15及びLD(レーザーダイオード)
16から構成される。
FIG. 3 is a conceptual diagram of a drive circuit for slowing down the fall of the recording pulse waveform, and FIG. 4 is an operation timing chart thereof. FIG. 5 is a block diagram showing an apparatus configuration for implementing the method of the present invention. This apparatus comprises a recording signal generator 11, a driving pulse generation circuit 1
2, rising drive circuit 13, falling drive circuit 1
4. LD drive circuit 15 and LD (laser diode)
16 is comprised.

【0012】本発明の方法はあらゆる構成の相変化形記
録媒体に対応し得るが、特に他の記録材料と比較して高
感度なAg−In−Sb−Teの4元系の記録材料を用
いた相変化形記録媒体に対して特に有効である。以下本
発明の方法に好適な光情報記録媒体について図6の構成
例に基づき説明する。
The method of the present invention can be applied to a phase-change type recording medium having any structure, but particularly uses a quaternary recording material of Ag-In-Sb-Te which is more sensitive than other recording materials. This is particularly effective for a phase change type recording medium. Hereinafter, an optical information recording medium suitable for the method of the present invention will be described based on the configuration example of FIG.

【0013】図6に示す記録媒体は、基板1上に下部耐
熱性保護層2、記録層3、上部耐熱性保護層4及び反射
放熱層5を設けて構成される。下部耐熱性保護層2は必
ずしも設ける必要はないが、基板1がポリカーボネート
樹脂のように耐熱性が低い材料の場合には設けることが
望ましい。
The recording medium shown in FIG. 6 comprises a substrate 1 on which a lower heat-resistant protective layer 2, a recording layer 3, an upper heat-resistant protective layer 4, and a reflective heat dissipation layer 5 are provided. The lower heat-resistant protective layer 2 is not necessarily provided, but is preferably provided when the substrate 1 is made of a material having low heat resistance such as a polycarbonate resin.

【0014】記録層3は、電磁波の照射時に光学定数の
変化を生じるものであり、好ましくは相変化形材料、特
に好ましくは構成元素としてAg、In、Sb、Teを
含むものであり、さらにその組成及び化学構造が主とし
て下記一般式(I)で表される相変化形材料が好適であ
る。
The recording layer 3 changes the optical constant when irradiated with an electromagnetic wave, and is preferably a phase-change material, particularly preferably containing Ag, In, Sb or Te as a constituent element. A phase-change material whose composition and chemical structure are mainly represented by the following general formula (I) is preferable.

【化1】 (AgSbTe(2+σ/Δ)x(InSbz1-x ・・・(I) (ただし、0.4≦x≦0.55、0.5≦z≦2.
5、−0.15≦σ≦0.1、Δ=(1−σ)x/(1+
3x+z(1−x))である)また未記録部及び消去時
に化学量論組成又はそれに近いAgSbTe2微結晶が
存在することが好ましい。記録層3は各種気相成長法、
例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマCVD
法、光CVD法、イオンプレーティング法、電子ビーム
蒸着法などによって形成できる。気相成長法以外にゾル
ゲル法のような湿式プロセスも使用可能である。記録層
3の膜厚としては100〜10000Å、好ましくは2
00〜2000Åとするのがよい。膜厚が100Åより
薄いと光吸収能が著しく低下し、記録層としての役割を
はたさなくなる。また膜厚が10000Åより厚いと高
速で均一な相変化が起こりにくくなる。
(AgSbTe (2 + σ / Δ) ) x (InSb z ) 1-x (I) (where 0.4 ≦ x ≦ 0.55, 0.5 ≦ z ≦ 2.
5, −0.15 ≦ σ ≦ 0.1, Δ = (1−σ) x / (1+
3x + z (1-x))) It is preferable that AgSbTe 2 microcrystals having a stoichiometric composition or a similar stoichiometric composition exist at the unrecorded portion and at the time of erasing. The recording layer 3 is formed by various vapor deposition methods,
For example, vacuum deposition, sputtering, plasma CVD
, An optical CVD method, an ion plating method, an electron beam evaporation method, or the like. In addition to the vapor phase growth method, a wet process such as a sol-gel method can be used. The thickness of the recording layer 3 is 100 to 10,000 °, preferably 2 to 100 °.
It is good to be 00-2000 degrees. When the film thickness is less than 100 °, the light absorbing ability is remarkably reduced, and the film does not function as a recording layer. On the other hand, when the film thickness is more than 10,000 °, uniform phase change at high speed becomes difficult to occur.

【0015】上耐熱性保護層4の構成材料としては、S
iO2、SiO、ZnO、Al23などの酸化物、Si3
4、AlN、BNなどの窒化物、ZnS、TaS4など
の硫化物あるいはこれらの混合物が適している。特に媒
体の回転線速度が低い(1.2〜5.6m/s)用途の
場合にはAlN、BN、SiCなどの熱伝導率が1W/
cm・K以上の材料が好適である。このような材料は、
急冷条件とすることにより記録層3の状態変化を促進さ
せる。このような耐熱性保護層は各種気相成長法、たと
えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマCVD
法、光CVD法、イオンプレーティング法、電子ビーム
蒸着法などによって形成できる。耐熱性保護層の膜厚は
100〜5000Å、好ましくは200〜2000Åで
ある。膜厚が100Åよりも薄くなると耐熱性保護層と
しての機能をはたさなくなり、逆に5000Åよりも厚
くなると感度の低下をきたしたり、界面剥離を生じやす
くなる。また必要に応じて該耐熱性保護層を多層化する
こともできる。
The constituent material of the upper heat-resistant protective layer 4 is S
oxides such as iO 2 , SiO, ZnO, Al 2 O 3 , Si 3
Nitride such as N 4 , AlN and BN, sulfide such as ZnS and TaS 4 or a mixture thereof is suitable. In particular, when the medium has a low rotational linear velocity (1.2 to 5.6 m / s), the thermal conductivity of AlN, BN, SiC, etc. is 1 W /
Materials of cm · K or more are preferred. Such materials are
The rapid cooling condition promotes a change in the state of the recording layer 3. Such a heat-resistant protective layer can be formed by various vapor deposition methods, for example, a vacuum deposition method, a sputtering method, and a plasma CVD method.
, An optical CVD method, an ion plating method, an electron beam evaporation method, or the like. The thickness of the heat-resistant protective layer is 100 to 5000 °, preferably 200 to 2000 °. When the thickness is less than 100 °, the function as a heat-resistant protective layer is not achieved. Conversely, when the thickness is more than 5000 °, the sensitivity is lowered and interface peeling is liable to occur. If necessary, the heat-resistant protective layer may have a multilayer structure.

【0016】反射放熱層5には、Al、Ag、Auなど
の金属材料、またはそれらの合金などを用いることがで
きる。反射放熱層は必ずしも必要ではないが、過剰な熱
を放出しディスクへの熱負担を軽減するために設けるほ
うが望ましい。このような反射放熱層は各種気相成長
法、たとえば真空蒸着法、スパッタリング法、プラスマ
CVD法、光CVD法、イオンプレーティング法、電子
ビーム蒸着法などによって形成できる。反射放熱層の膜
厚としては100〜3000Å、好適には500〜20
00Åとするのがよい。100Åよりも薄くなると反射
放熱層としての機能をはたさなくなり、逆に2000Å
よりも厚くなると感度の低下をきたしたり、界面剥離を
生じやすくなる。
The reflective heat radiation layer 5 can be made of a metal material such as Al, Ag, Au, or an alloy thereof. Although the reflective heat radiation layer is not always necessary, it is preferable to provide the heat radiation layer so as to release excessive heat and reduce the heat load on the disk. Such a reflective heat dissipation layer can be formed by various vapor deposition methods, for example, a vacuum evaporation method, a sputtering method, a plasma CVD method, a photo CVD method, an ion plating method, an electron beam evaporation method, and the like. The thickness of the reflective heat dissipation layer is 100 to 3000 °, preferably 500 to 20 °.
It is good to be 00 °. When the thickness is less than 100 °, the function as a reflective heat dissipation layer is not achieved, and conversely, 2000 °.
If the thickness is larger than that, the sensitivity is lowered or the interface is easily peeled.

【0017】基板1の材料は、通常はガラス、セラミッ
クス、あるいは樹脂であり、樹脂基板が成形性、コスト
の点で好適である。樹脂の代表例としてはポリカーボネ
ート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン
樹脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリ
エチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコン系樹脂、
フッ素系樹脂、ABS樹脂、ウレタン樹脂などがあげら
れるが、加工性、光学特性などの点でポリカーボネート
樹脂、アクリル系樹脂が好ましい。また基板1の形状デ
ィスク状でも、カード状あるいはシート状であってもよ
い。
The material of the substrate 1 is usually glass, ceramics or resin, and a resin substrate is suitable in terms of moldability and cost. Representative examples of the resin include polycarbonate resin, acrylic resin, epoxy resin, polystyrene resin, acrylonitrile-styrene copolymer resin, polyethylene resin, polypropylene resin, silicone resin,
Examples thereof include a fluorine resin, an ABS resin, and a urethane resin, and a polycarbonate resin and an acrylic resin are preferable in view of workability and optical characteristics. The substrate 1 may have a disk shape, a card shape or a sheet shape.

【0018】上記相変化形記録媒体は、Arレーザー又
は半導体レーザーにより初期化されていることが望まし
い。半導体レーザーを用いる場合、レーザーの媒体面上
パワー密度は5×107〜1×1010W/m2の範囲、媒
体の線速は1m/s〜30m/s、レーザーの送り速度
は1μm/回転〜100μm/回転の範囲が適してい
る。
It is preferable that the phase change recording medium is initialized by an Ar laser or a semiconductor laser. When a semiconductor laser is used, the power density of the laser on the surface of the medium is in the range of 5 × 10 7 to 1 × 10 10 W / m 2 , the linear velocity of the medium is 1 m / s to 30 m / s, and the feed speed of the laser is 1 μm / A range of rotation to 100 μm / rotation is suitable.

【0019】本発明において、記録、再生及び消去に用
いる電磁波としてはレーザ光、電子線、X線、紫外線、
可視光線、赤外線、マイクロ波など種々のものが採用可
能であるが、ドライブに取付ける際、小型でコンパクト
な半導体レーザーが最適である。
In the present invention, the electromagnetic waves used for recording, reproducing and erasing include laser light, electron beam, X-ray, ultraviolet light,
Various types of light, such as visible light, infrared light, and microwave, can be used, but when mounted on a drive, a small and compact semiconductor laser is optimal.

【0020】[0020]

【実施例】以下、実施例によって本発明を具体的に説明
する。 実施例1 ピッチ約1.6μm、深さ約700Åの溝付きで、厚さ
1.2mm、直径120mmのポリカーボネート基板上
にRFスパッタリング法によりZnSSiO2保護層2
000Å、Ag−In−Sb−Te記録層(組成比はA
g:In:Sb:Te=12:13:51:24)20
0Å、AlN保護層300Å、Ag反射層700Åを順
次積層し、光ディスクを作製した。光ディスクの初期化
は半導体レーザーによりパワー10mW、線速1.3m
/sで行った。上記の方法により作成した光ディスク
へ、図3にその概念を示す駆動回路を用いて図4に示す
ようなタイミングで各スイッチSW1、SW2をON/
OFFすることによって、図1に示すように、立ち下が
りの鈍った1パルス駆動方式の光出力パルス波形を得
た。このパルス波形によるレーザー照射で形成されたマ
ークは後端部の広がりが改善され、第二次高調波歪が3
〜5dB向上した。
The present invention will be specifically described below with reference to examples. Example 1 A ZnSSiO 2 protective layer 2 was formed on a polycarbonate substrate having a pitch of about 1.6 μm and a depth of about 700 ° and a thickness of 1.2 mm and a diameter of 120 mm by RF sputtering.
Ag-In-Sb-Te recording layer (composition ratio is A
g: In: Sb: Te = 12: 13: 51: 24) 20
An optical disk was manufactured by sequentially laminating 0%, an AlN protective layer 300%, and an Ag reflective layer 700%. Initialization of the optical disk is performed by a semiconductor laser with a power of 10 mW and a linear velocity of 1.3 m.
/ S. The switches SW1 and SW2 are turned ON / OFF at the timing shown in FIG. 4 by using the drive circuit having the concept shown in FIG. 3 on the optical disk created by the above method.
By turning it off, as shown in FIG. 1, an optical output pulse waveform of a one-pulse drive system with a slow fall was obtained. Marks formed by laser irradiation with this pulse waveform have an improved rear end spread, and a second harmonic distortion of 3
Up to 5 dB.

【0021】実施例2 実施例1と同様な光ディスクを用い、実施例1と同様な
1パルス記録方式であるが、長い記録マークの記録に用
いるパルス波形のみその立ち下がりが鈍ったものとし
た。その結果、全体として、実施例1と同様にマーク形
状を改善することができた。
Example 2 An optical disk similar to that of Example 1 was used, and a one-pulse recording method similar to that of Example 1 was used, but only the pulse waveform used for recording a long recording mark had a slow fall. As a result, as a whole, the mark shape could be improved as in the first embodiment.

【0022】実施例1と同様な光ディスクを用い、マル
チパルス2段階変調記録方式を用い、実施例1で用いた
のと同じように、図3にその概念を示す駆動回路を用い
て図4に示すようなタイミングで各スイッチSW1、S
W2をON/OFFすることによってLDを駆動するこ
とでマルチパルスの各パルスの立ち下がりを鈍らせるこ
とにより記録を行った。その結果、マーク形状が改善さ
れ、第二次高調波歪が3〜5dB向上した。
Using the same optical disk as in the first embodiment, using a multi-pulse two-step modulation recording method, and using a driving circuit whose concept is shown in FIG. At the timing shown, each switch SW1, S
Recording was performed by driving the LD by turning on / off W2 to slow down the falling edge of each pulse of the multi-pulse. As a result, the mark shape was improved, and the second harmonic distortion was improved by 3 to 5 dB.

【0023】[0023]

【発明の効果】本発明によれば、記録パルス波形の立ち
下がりを鈍らせてパルス状の電磁波の照射を行うように
したので、複雑な制御機構を必要とせずに、記録パルス
波形による記録マーク形状の補償をあらゆる構成のメデ
ィアに対応して行うことができるようになり、相変化形
記録媒体の記録再生特性のより一層の向上が計れる。
According to the present invention, a pulse-like electromagnetic wave is emitted by slowing down the falling edge of a recording pulse waveform, so that a recording mark using a recording pulse waveform can be obtained without requiring a complicated control mechanism. Shape compensation can be performed for media of any configuration, and the recording / reproducing characteristics of the phase change recording medium can be further improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明による1パルス記録方式における記録パ
ルス波形の説明図である。
FIG. 1 is an explanatory diagram of a recording pulse waveform in a one-pulse recording method according to the present invention.

【図2】本発明によるマルチパルス記録方式における記
録パルス波形の説明図である。
FIG. 2 is an explanatory diagram of a recording pulse waveform in a multi-pulse recording method according to the present invention.

【図3】立ち下がりを鈍らせた記録パルス波形を形成す
るための駆動回路の概念図である。
FIG. 3 is a conceptual diagram of a drive circuit for forming a recording pulse waveform with a falling edge.

【図4】図3の駆動回路の動作タイミングチャートであ
る。
FIG. 4 is an operation timing chart of the drive circuit of FIG. 3;

【図5】本発明の方法を実現するための装置構成を示す
ブロック図である。
FIG. 5 is a block diagram showing an apparatus configuration for realizing the method of the present invention.

【図6】本発明の方法が好適に適用される記録媒体の層
構成を示す断面図である。
FIG. 6 is a sectional view showing a layer structure of a recording medium to which the method of the present invention is suitably applied.

【図7】理想的な記録マーク形状を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing an ideal recording mark shape.

【図8】後端部のマーク幅が広がった記録マーク形状を
示す図である。
FIG. 8 is a diagram illustrating a recording mark shape in which a mark width at a rear end is widened.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板 2 下部耐熱性
保護層 3 記録層 4 上部耐熱性
保護層 5 反射放熱層 11 記録信号発
生器 12 駆動パルス発生回路 13 立ち上が
り駆動回路 14 立ち下がり駆動回路 15 LD駆動
回路 16 LD(レーザーダイオード)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Lower heat-resistant protective layer 3 Recording layer 4 Upper heat-resistant protective layer 5 Reflective heat dissipation layer 11 Recording signal generator 12 Drive pulse generation circuit 13 Rise drive circuit 14 Fall drive circuit 15 LD drive circuit 16 LD (laser diode)

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 影山 喜之 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株 式会社リコー内 (72)発明者 岩崎 博子 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株 式会社リコー内 (72)発明者 山田 勝幸 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株 式会社リコー内 (72)発明者 高橋 正悦 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株 式会社リコー内 (72)発明者 出口 浩司 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株 式会社リコー内 (56)参考文献 特開 昭62−170035(JP,A) 特開 平1−107335(JP,A) 特開 平2−64927(JP,A) 特開 平3−9880(JP,A) 特開 平4−78031(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G11B 7/00 - 7/013 G11B 7/125 G11B 7/24 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Yoshiyuki Kageyama 1-3-6 Nakamagome, Ota-ku, Tokyo Inside Ricoh Co., Ltd. (72) Hiroko Iwasaki 1-3-6 Nakamagome, Ota-ku, Tokyo Inside Ricoh Company, Ltd. (72) Katsuyuki Yamada, Inventor 1-3-6 Nakamagome, Ota-ku, Tokyo Stock Company Ricoh Company (72) Masayoshi Takahashi 1-3-6, Nakamagome, Ota-ku, Tokyo Stock Company In Ricoh Company (72) Inventor Koji Deguchi 1-3-6 Nakamagome, Ota-ku, Tokyo Inside Ricoh Company Limited (56) References JP-A-62-170035 (JP, A) JP-A-1-107335 ( JP, A) JP-A-2-64927 (JP, A) JP-A-3-9880 (JP, A) JP-A-4-78031 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) G11B 7/00-7/013 G11B 7/125 G11B 7/24

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 基板上に相変化形記録材料からなる記録
層が形成された光情報記録媒体にパルス状の電磁波を照
射し、該電磁波の照射による記録層の光学定数の変化を
利用して情報の記録を行う光情報記録方法において、記
録パルス波形の立ち下がりを鈍らせてパルス状の電磁波
の照射を行うことを特徴とする光情報記録方法。
An optical information recording medium in which a recording layer made of a phase-change recording material is formed on a substrate is irradiated with a pulsed electromagnetic wave, and a change in the optical constant of the recording layer due to the irradiation of the electromagnetic wave is used. 1. An optical information recording method for recording information, comprising: irradiating a pulse-like electromagnetic wave by slowing down a falling edge of a recording pulse waveform.
【請求項2】 記録パルス波形としてマルチパルス波形
を用い、マルチパルス列の各々の波形の立ち下がりを鈍
らせることを特徴とする請求項1に記載の光情報記録方
法。
2. The optical information recording method according to claim 1, wherein a multi-pulse waveform is used as a recording pulse waveform, and a falling edge of each waveform of the multi-pulse train is blunted.
【請求項3】 記録マークの記録時に該記録マークの最
後部を記録するパルス波形のみの立ち下がりを鈍らせる
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の光情報記録方
法。
3. An optical information recording method according to claim 1 or 2, characterized in that blunt end portion fall of only a pulse waveform for recording of the recording marks when recording the recording mark.
【請求項4】 前記光情報記録媒体として、基板上に記
録層と保護層と反射放熱層が形成され、該記録層が構成
元素として少なくともAg、In、Sb及びTeを含
み、かつ安定状態において主として下記一般式(I)で
表される組成及び構造の相変化形記録材料からなる光情
報記録媒体を用いることを特徴とする請求項1〜3のい
ずれか一項に記載の光情報記録方法。 【化1】 (AgSbTe(2+σ/Δ)x(InSbz1-x ・・・(I) (ただし、0.4≦x≦0.55、0.5≦z≦2.
5、−0.15≦σ≦0.1、Δ=(1−σ)x/(1+
3x+z(1−x))である)
4. As the optical information recording medium, a recording layer, a protective layer, and a reflective heat radiation layer are formed on a substrate, and the recording layer contains at least Ag, In, Sb, and Te as constituent elements, and is in a stable state. The optical information recording method according to any one of claims 1 to 3, wherein an optical information recording medium mainly comprising a phase-change recording material having a composition and a structure represented by the following general formula (I) is used. . (AgSbTe (2 + σ / Δ) ) x (InSb z ) 1-x (I) (where 0.4 ≦ x ≦ 0.55, 0.5 ≦ z ≦ 2.
5, −0.15 ≦ σ ≦ 0.1, Δ = (1−σ) x / (1+
3x + z (1-x)).
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