JP3251028B2 - Master slice type semiconductor integrated circuit and method of manufacturing the same - Google Patents

Master slice type semiconductor integrated circuit and method of manufacturing the same

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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、マスタースライス型半
導体集積回路に利用され、特に、ROM(リードオンリ
ーメモリ)およびRAM(ランダムアクセスメモリ)等
の大規模機能ブロック(以下、大規模マクロという。)
を内蔵したマスタースライス型半導体集積回路のマクロ
の構造およびその製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention is used for a master slice type semiconductor integrated circuit, and is particularly referred to as a large-scale function block (hereinafter, referred to as a large-scale macro) such as a ROM (Read Only Memory) and a RAM (Random Access Memory). )
The present invention relates to a macro structure of a master slice type semiconductor integrated circuit having a built-in structure and a method of manufacturing the same .

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の大規模マクロを内蔵したマスター
スライス型半導体集積回路は、図3に示すように、いく
つかのトランジスタおよび抵抗等の素子からなる内部基
本セル1を一方向に多数並べたセル列を複数個配置し、
ROM、RAMおよびALU等の大規模マクロ3、4お
よび5を、内部セルアレイに平行に配置し、さらに大規
模マクロ3、4および5ならびに内部セルアレイの周辺
をI/O(入出力回路)基本セル2よりなるセル列で取
り囲んだ構成となっていた。また、従来この種のマスタ
ースライス型半導体集積回路においては、その信号の流
れおよびCADによる自動配線における配線性を考慮
し、大規模マクロ3、4および5はI/O基本セル列に
隣接した位置に置かれていた。
2. Description of the Related Art As shown in FIG. 3, a conventional master slice type semiconductor integrated circuit incorporating a large-scale macro has a large number of internal basic cells 1 composed of several transistors and elements such as resistors arranged in one direction. Arrange multiple cell columns,
Large-scale macros 3, 4, and 5 such as ROM, RAM, and ALU are arranged in parallel with the internal cell array, and I / O (input / output circuit) basic cells around the large-scale macros 3, 4, and 5 and the internal cell array. In this configuration, the cell is surrounded by a cell row composed of two cells. Conventionally, in this type of master slice type semiconductor integrated circuit, the large-scale macros 3, 4, and 5 are positioned adjacent to the I / O basic cell column in consideration of the signal flow and the wiring property in automatic wiring by CAD. Was placed in

【0003】このようなマスタースライス型半導体集積
回路においては、一般に外部からI/O基本セル2を介
して集積回路内部に取り込まれた信号は、内部基本セル
1より構成される内部マクロによって一度処理されその
結果がRAM等の大規模マクロ3、4および5に入力さ
れ、さらにRAMおよびROM等に格納されたデータが
その内部で加工されて最終的にI/O基本セル2を介し
て集積回路の外部へ取り出される場合がほとんどであ
る。
In such a master slice type semiconductor integrated circuit, a signal taken into the integrated circuit from outside via the I / O basic cell 2 is generally processed once by an internal macro composed of the internal basic cell 1. The result is input to large-scale macros 3, 4, and 5, such as RAM, and the data stored in RAM, ROM, etc. are processed therein, and finally integrated circuit via I / O basic cell 2. In most cases, it is taken out of the device.

【0004】従って、図3のように、I/O基本セル2
の入出力端子6、7、8および9は、大規模マクロ3、
4および5とは接続されず、内部基本セル1で構成され
た内部マクロの入出力端子10、11、12および13と接続さ
れる。また、一般に、このようなROMおよびRAM等
の大規模マクロ3、4および5は、その構造が複雑であ
るためマクロ上を他の配線が自由に通過することはほと
んど不可能となっているため、I/O基本セル2と内部
基本セル1とを接続する配線は、図3のように大規模マ
クロ3、4および5同士のすきまでのみ行われていた。
Accordingly, as shown in FIG. 3, an I / O basic cell 2
Input / output terminals 6, 7, 8 and 9 are large-scale macro 3,
4 and 5 are not connected, but are connected to the input / output terminals 10, 11, 12 and 13 of the internal macro constituted by the internal basic cell 1. In general, the large-scale macros 3, 4, and 5 such as ROM and RAM have a complicated structure, so that it is almost impossible for other wires to freely pass through the macro. , The wiring connecting the I / O basic cell 2 and the internal basic cell 1 is provided only up to the gap between the large-scale macros 3, 4, and 5, as shown in FIG.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】この従来のマスタース
ライス型半導体集積回路では、内蔵された大規模マクロ
上を他の配線が通過することが不可能であるため、I/
O基本セルと内部基本セルとを接続する配線はすべてこ
の大規模マクロを避けた形で行われなければならず、そ
の結果大規模マクロ間配線長の増大ひいては信号の伝搬
遅延時間の増大を招く欠点があった。
In this conventional master-slice type semiconductor integrated circuit, it is impossible for other wirings to pass over a built-in large-scale macro.
All wiring connecting the O basic cell and the internal basic cell must be performed in such a manner as to avoid this large-scale macro. As a result, the wiring length between large-scale macros increases, and the signal propagation delay time increases. There were drawbacks.

【0006】また、通常マスタースライス型半導体集積
回路において、このような大規模マクロ間の配線処理は
CADを用いた自動化がはかられているが、前述したよ
うな配線制限のために、配線性の低下つまり多数の未配
線が発生する欠点もあった。
In a master-slice type semiconductor integrated circuit, wiring processing between such large-scale macros is usually automated using CAD. , That is, a large number of unwirings occur.

【0007】本発明の目的は、前記の欠点を除去するこ
とにより、大規模マクロを挟む内部基本セル間およびま
たは外部基本セル間の配線の配線長の短縮化および配線
性の向上化を図った、マスタースライス型半導体集積回
およびその製造方法を提供することにある。
An object of the present invention is to eliminate the above-mentioned drawbacks, thereby shortening the wiring length between internal basic cells and / or between external basic cells sandwiching a large-scale macro and improving the wiring property. To provide a master slice type semiconductor integrated circuit and a method of manufacturing the same.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明は、複数の基本セ
ルがアレイ状に配置された基本セル群と、前記基本セル
とは異なる構造を有する大規模機能ブロックとを備えた
マスタースライス型半導体集積回路において、前記大規
模機能ブロックは、それぞれ異なる配線層に設けられ、
かつ、前記大規模ブロックを貫通する複数の横方向およ
び縦方向の配線パターンを有し、クロックドライバの出
力端子からの信号線は、前記横方向および縦方向の配線
パターンを用いて大規模機能ブロック内で短絡させるこ
とによりトリー構造に配線されたことを特徴としてい
る。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a master slice type semiconductor device comprising a basic cell group in which a plurality of basic cells are arranged in an array, and a large-scale functional block having a structure different from the basic cells. In the integrated circuit, the rule
The functional blocks are provided on different wiring layers, respectively.
And a plurality of lateral directions and
And a signal line from an output terminal of the clock driver is connected to the horizontal and vertical wiring patterns.
Use a pattern to short circuit in a large-scale functional block.
Thus, it is characterized by being wired in a tree structure .

【0009】[0009]

【作用】大規模マクロは、そのマクロを構成するための
配線パターンとは電気的に絶縁され、かつその上下辺あ
るいは左右辺を貫通する1以上の貫通配線パターンを有
、かつこの配線の端子が設けられている。
The large-scale macro is electrically insulated from a wiring pattern for forming the macro, has one or more through wiring patterns penetrating the upper and lower sides or the left and right sides thereof , and has a terminal of this wiring. Is provided .

【0010】従って、例えば、大規模マクロの上辺およ
び下辺上に配置された内部基本セル同士を接続するとき
には、大規模マクロ端部の配線端子と内部基本セルとを
接続することにより、その大規模マクロの上下辺を貫通
する貫通配線パターンを用いて配線することができ、配
線長の短縮化と配線性の向上とを図ることができる。
Therefore, for example, when connecting the internal basic cells arranged on the upper side and the lower side of the large-scale macro, the wiring terminal at the end of the large-scale macro and the internal basic cell are connected.
By connecting, the upper and lower sides of the large-scale macro can you to interconnect with the through wiring pattern through the, it is possible to achieve the improvement of the wiring length shortening the wiring resistance.

【0011】[0011]

【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0012】図1は本発明の第一実施例の要部を示す模
式的レイアウト図である。本第一実施例は、集積回路内
部にアレイ状に配置された、トランジスタおよび抵抗等
の素子からなる複数の内部基本セル1と、集積回路の内
外部の信号のインタフェースを行うため集積回路の周囲
をとり囲むように配置された複数のI/O(入出力)基
本セル2と、内部基本セル1とI/O基本セル2との間
に配置されたROMおよびRAM等の大規模マクロ3、
4および5とを備えたマスタースライス型半導体集積回
路において、本発明の特徴とするところの、大規模マク
ロ3、4および5は、それぞれその内部に、マクロを構
成するための配線とは完全に独立したマクロの上下辺間
ならびに左右辺間を貫通する形で配置された貫通配線パ
ターン16a 〜16d ならびに19a 〜19d を含んでいる。な
お、14a 〜14d 、15a 〜15d 、17a 〜17d ならびに18a
〜18d は、それぞれの配線パターンが他のマクロの入出
力端子と接続される接続用の端子である。また、6、7
および8はI/O基本セル2からなるI/Oマクロの入
出力端子であり、10〜13は内部基本セル1からなる内部
マクロの入出力端子である。本第一実施例では、端子6
は10と、7は11と、8は12と、9は13とそれぞれ互いに
接続される関係にある。
FIG. 1 is a schematic layout diagram showing a main part of a first embodiment of the present invention. In the first embodiment, a plurality of internal basic cells 1 composed of elements such as transistors and resistors arranged in an array inside the integrated circuit and the periphery of the integrated circuit for interfacing signals inside and outside the integrated circuit. A plurality of I / O (input / output) basic cells 2 arranged so as to enclose a large scale macro 3, such as a ROM and a RAM, disposed between the internal basic cell 1 and the I / O basic cell 2.
In the master slice type semiconductor integrated circuit provided with the macros 4 and 5, the large scale macros 3, 4, and 5, which are the feature of the present invention, are completely provided with wirings for forming the macros inside. It includes through wiring patterns 16a to 16d and 19a to 19d arranged so as to penetrate between the upper and lower sides and between the left and right sides of the independent macro. Note that 14a to 14d, 15a to 15d, 17a to 17d, and 18a
Reference numerals 18d to 18d are connection terminals for connecting each wiring pattern to the input / output terminals of another macro. Also, 6, 7
Reference numerals 8 denote input / output terminals of an I / O macro composed of the I / O basic cell 2, and 10-13 denote input / output terminals of an internal macro composed of the internal basic cell 1. In the first embodiment, the terminal 6
Is connected to 10, 7 to 11, 8 to 12, and 9 to 13, respectively.

【0013】ここで、I/Oマクロの入出力端子6と内
部マクロの入出力端子10との接続は、大規模マクロ3の
中に設けられた貫通配線パターン16b を用いて行われ
る。つまり入出力端子6は端子14b と入出力端子10は端
子15b と接続することで、入出力端子6と10との間の接
続が完了する。同様に入出力端子7と11、入出力端子8
と12も、それぞれ貫通配線パターン16c と16d とを用い
て行われる。さらに入出力端子9と13は大規模マクロ3
に設けられた貫通配線パターン16a 〜16d とは異なる配
線層の貫通配線パターン19b を用いて接続される。
Here, the connection between the input / output terminal 6 of the I / O macro and the input / output terminal 10 of the internal macro is performed by using a through wiring pattern 16b provided in the large-scale macro 3. That is, the connection between the input / output terminals 6 and 10 is completed by connecting the input / output terminal 6 to the terminal 14b and the input / output terminal 10 to the terminal 15b. Similarly, input / output terminals 7 and 11, input / output terminal 8
And 12 are also performed using the through wiring patterns 16c and 16d, respectively. In addition, I / O terminals 9 and 13 are large-scale macro 3
Are connected by using a through wiring pattern 19b of a wiring layer different from the through wiring patterns 16a to 16d provided in the wiring.

【0014】本第一実施例1において、大規模マクロ3
の大きさを縦2mm、横1mmとすると、大規模マクロ3の
ほぼ中央の位置に対応するI/O基本セル2から大規模
マクロ3を挟んでほぼ対称の位置の内部基本セル1へ配
線を行う場合、従来例のように大規模マクロ3を迂回し
て配線しなければならない場合その配線長は4mm+α
(αはI/O基本セル2から大規模マクロ3の近傍まで
の配線長および内部基本セル1から大規模マクロ3まで
の配線長)となるが、本第一実施例によれば、大規模マ
クロ3の中を配線が通るため配線長は2mm+αですみ、
配線長を大幅に短縮することができる。
In the first embodiment, the large-scale macro 3
Is 2 mm long and 1 mm wide, wiring is performed from the I / O basic cell 2 corresponding to the substantially central position of the large-scale macro 3 to the internal basic cell 1 substantially symmetrical with respect to the large-scale macro 3. In the case where it is necessary to perform wiring around the large-scale macro 3 as in the conventional example, the wiring length is 4 mm + α.
(Α is the wiring length from the I / O basic cell 2 to the vicinity of the large-scale macro 3 and the wiring length from the internal basic cell 1 to the large-scale macro 3), but according to the first embodiment, Since the wiring passes through the macro 3, the wiring length is only 2mm + α,
The wiring length can be significantly reduced.

【0015】図2は本発明の第二実施例の要部を示す模
式的レイアウト図で、大規模マクロ3、4および5が内
部基本セル1に挟まれた位置に配置された場合を示した
ものである。図2において、20はI/O基本セル2で構
成されたクロックドライバであり、大規模マクロ3、4
および5の上下に配置された内部基本セル1で構成され
た内部マクロのいくつかへ信号が供給される。クロック
ドライバ20の出力端子21は大規模マクロ3、4および5
に設けられた貫通配線パターン19b および16aを介して
内部マクロの入力端子24および25に接続される。ここ
で、大規模マクロ3、4および5の内部配線パターン16
a と19b とは第一実施例と異なりマクロ内部で短絡され
ており、クロック信号等のスキューが問題となるような
信号のラインの構成に有利となる。つまり本第二実施例
では、クロックドライバ20の出力端子21からの信号が大
規模マクロ3、4および5を迂回することなく、マクロ
内に設けられた配線パターンを用いることにより配線を
リー構造とすることが可能となる。
FIG. 2 is a schematic layout diagram showing a main part of a second embodiment of the present invention, in which large-scale macros 3, 4, and 5 are arranged at positions sandwiched between internal basic cells 1. Things. In FIG. 2, reference numeral 20 denotes a clock driver composed of the I / O basic cell 2,
Signals are supplied to some of the internal macros composed of the internal basic cells 1 arranged above and below and. The output terminal 21 of the clock driver 20 is used for large-scale macros 3, 4, and 5.
Are connected to the input terminals 24 and 25 of the internal macro via the through wiring patterns 19b and 16a provided in the internal macro. Here, the internal wiring patterns 16 of the large-scale macros 3, 4, and 5 are set.
Unlike the first embodiment, a and 19b are short-circuited inside the macro, which is advantageous for a signal line configuration in which skew such as a clock signal becomes a problem. That is, in the second embodiment, the signal from the output terminal 21 of the clock driver 20 does not bypass the large-scale macros 3, 4, and 5, and the wiring is formed by using the wiring pattern provided in the macro.
It is possible to a tree structure.

【0016】[0016]

【発明の効果】以上説明したように、本発明は、マスタ
ースライス型半導体集積回路に内蔵された大規模マクロ
にその上下辺および左右辺を貫通するマクロ内配線とは
完全に独立した配線パターンを設けたので、大規模マク
ロを挟むI/O基本セルと内部基本セルとを接続する配
線、ならびに大規模マクロを挟む内部基本セル間の配線
が大規模マクロを迂回することなく大規模マクロ内に設
けられた配線パターンを用いて行うことができるため、
CADシステムを用いた自動配線におけるマクロ間配線
長の短縮および配線性の大幅な向上が可能となる効果が
ある。
As described above, according to the present invention, a large-scale macro built in a master slice type semiconductor integrated circuit is provided with a wiring pattern completely independent of an intra-macro wiring penetrating its upper and lower sides and left and right sides. Since the wiring is provided, the wiring connecting the I / O basic cell sandwiching the large-scale macro and the internal basic cell, and the wiring between the internal basic cells sandwiching the large-scale macro are arranged in the large-scale macro without bypassing the large-scale macro. Since it can be performed using the provided wiring pattern,
In the automatic wiring using the CAD system, there is an effect that the wiring length between macros can be reduced and the wiring property can be greatly improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第一実施例の要部を示す模式的レイア
ウト図。
FIG. 1 is a schematic layout diagram showing a main part of a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第二実施例の要部を示す模式的レイア
ウト図。
FIG. 2 is a schematic layout diagram showing a main part of a second embodiment of the present invention.

【図3】従来例の要部を示す模式的レイアウト図。FIG. 3 is a schematic layout diagram showing a main part of a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 内部基本セル 2 I/O基本セル 3〜5 大規模マクロ 6〜13 入出力端子 14a 〜14d 、15a 〜15d 、17a 〜17d 、18a 〜18d 、2
2、23 端子 16a 〜16d 、19a 〜19d 貫通配線パターン 20 クロックドライバ 21 出力端子 24、25 入力端子
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Internal basic cell 2 I / O basic cell 3-5 Large-scale macro 6-13 Input / output terminals 14a-14d, 15a-15d, 17a-17d, 18a-18d, 2
2, 23 terminals 16a to 16d, 19a to 19d Through wiring pattern 20 Clock driver 21 Output terminal 24, 25 Input terminal

フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI H01L 27/088 Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI H01L 27/088

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 複数の基本セルがアレイ状に配置された
基本セル群と、 前記基本セルとは異なる構造を有する大規模機能ブロッ
クとを備えたマスタースライス型半導体集積回路におい
て、前記大規模機能ブロックは、それぞれ異なる配線層に設
けられ、かつ、前記大規模ブロックを貫通する複数の横
方向および縦方向 の配線パターンを有し、 クロックドライバの出力端子からの信号線は、前記横方
向および縦方向の配線パターンを用いて大規模機能ブロ
ック内で短絡されることによりトリー構造に配線された
ことを特徴とするマスタースライス型半導体集積回路。
A basic cell group 1. A plurality of basic cells are arranged in an array, the master slice type semiconductor integrated circuit having a large functional blocks having different structures from that of the basic cell, the large-scale features Blocks are placed on different wiring layers.
And a plurality of laterals penetrating the large block
It has a direction and a longitudinal direction of the wiring pattern, the signal line, the lateral side of the output terminal of the clock driver
Large-scale function block using vertical and vertical wiring patterns
A master-slice type semiconductor integrated circuit, which is wired in a tree structure by being short-circuited in a rack.
【請求項2】 複数の基本セルがアレイ状に配置された
基本セル群と、前記基本セルとは異なる構造を有する大
規模機能ブロックとを備えたマスタースライス型半導体
集積回路の製造方法において、 前記大規模機能ブロッ
クの機能を実現するための配線パターンとは電気的に絶
縁され、かつ大規模機能ブロックの上下辺あるいは左右
辺を、それぞれ異なる配線層により縦、横に貫通する
れぞれ複数本の配線パターンをあらかじめ配線しておく
とともに、前記縦、横に貫通する配線パターンを大規模機能ブロッ
ク内で短絡する工程を有すると共に、 前記大規模機能ブロック端部に接続端子を用意してお
き、 前記接続端子と前記基本セル群とを自動配線し、
スキューが問題となる信号配線に対して前記大規模機
能ブロックの上下辺あるいは左右辺を貫通したトリー状
自動配線を行うことを特徴とするマスタースライス型
半導体集積回路の製造方法。
2. A plurality of basic cells are arranged in an array.
A basic cell group and a large cell having a different structure from the basic cell.
Master-slice semiconductor with large-scale functional blocks
In the method of manufacturing an integrated circuit, the large-scale function block
Wiring pattern to realize the function of
Bordered and upper and lower sides or left and right of large-scale function block
SideVertically and horizontally with different wiring layersPenetrateSo
Each of multipleWiring the wiring pattern in advance
WithThe vertical and horizontal wiring patterns can be
Having a process of short-circuiting in the  Prepare connection terminals at the end of the large-scale function block.
Automatically wiring the connection terminals and the basic cell group,
 For signal wiring where skew is a problemThe large-scale machine
Penetrated the upper and lower sides or left and right sides of the Noh blockTree
ofMaster slice type characterized by automatic wiring
A method for manufacturing a semiconductor integrated circuit.
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