JP3248786B2 - Circuit board structure and circuit board manufacturing method - Google Patents

Circuit board structure and circuit board manufacturing method

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JP3248786B2
JP3248786B2 JP18607093A JP18607093A JP3248786B2 JP 3248786 B2 JP3248786 B2 JP 3248786B2 JP 18607093 A JP18607093 A JP 18607093A JP 18607093 A JP18607093 A JP 18607093A JP 3248786 B2 JP3248786 B2 JP 3248786B2
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polyimide resin
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、ポリイミド系樹脂を基
板および保護膜として用いた回路基板に関し、特に、一
方の面より回路パターンを露出させる開口部の形成が容
易な回路基板に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a circuit board using a polyimide resin as a substrate and a protective film, and more particularly to a circuit board in which an opening for exposing a circuit pattern from one surface is easily formed.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、半導体高集積技術と高密度実装技
術の進展に伴い、半導体装置の電極数は増加し、該電極
間ピッチも年々高密度化している。また、この半導体装
置を用いて得られるプリンターや表示装置の解像度やプ
リント回路基板の配線密度も同様に高い水準へと移行し
ている。上記半導体装置は、より薄く、より軽量に形成
することが望まれており、このような半導体装置を構成
する半導体素子の実装方法の一つにフィルムキャリア方
式が採用されている。上記フィルムキャリア方式におけ
る半導体素子とキャリア上に形成された回路との接続方
法としては各種の方法が提案されているが、半導体素子
の電極面またはキャリア面に形成したバンプ状電極を利
用して接続する方法が半導体素子面積での実装が可能あ
り、高密度実装に好ましく、一部で採用実行されてい
る。また、半導体素子をはじめとする各種配線回路の導
通試験を行なう場合にも、バンプ状電極を介してプリン
ト回路基板との導通をとって検査する方式が従来の針式
のメカニカルプローブに比べて、配線形成の自由度や探
針としての耐久性の面から高密度配線に対応できるので
好ましいものである。
2. Description of the Related Art In recent years, the number of electrodes of a semiconductor device has increased with the progress of semiconductor integration technology and high-density packaging technology, and the pitch between the electrodes has been increasing year by year. In addition, the resolution of printers and display devices and the wiring density of printed circuit boards obtained by using this semiconductor device are also shifting to high levels. It is desired that the semiconductor device be formed thinner and lighter, and a film carrier method is adopted as one of the mounting methods of a semiconductor element included in such a semiconductor device. Various methods have been proposed as a method of connecting a semiconductor element and a circuit formed on a carrier in the above film carrier method, but connection is made using a bump-shaped electrode formed on an electrode surface of the semiconductor element or a carrier surface. This method can be mounted in a semiconductor element area, is preferable for high-density mounting, and is partially adopted and executed. Also, when conducting continuity tests of various wiring circuits such as semiconductor elements, the method of inspecting by taking continuity with a printed circuit board via bump-shaped electrodes is compared to a conventional needle-type mechanical probe. It is preferable because it can cope with high-density wiring from the viewpoint of freedom of wiring formation and durability as a probe.

【0003】このようなフィルムキャリアやプリント回
路基板においては、耐熱性,機械的強度,寸法安定性等
に優れたポリイミド系樹脂フィルムからなるベース層
に、導体回路パターンを積層した回路基板構造が一般的
に用いられる。そして、その用途や導通形式によって、
回路面上に絶縁樹脂を積層して絶縁保護したり、また
は、これらベース層や絶縁保護層を局部的に除去し、回
路端子を接続用として露出させる必要がある。さらに、
接続に際して容易に位置合わせを行なうため、視覚確認
が可能な形状に加工する場合や、ガイド孔,ガイド溝を
上記ベース層や絶縁保護層に設ける場合も多い。
Such a film carrier or printed circuit board generally has a circuit board structure in which a conductive circuit pattern is laminated on a base layer made of a polyimide resin film having excellent heat resistance, mechanical strength, dimensional stability, and the like. It is commonly used. And depending on the application and conduction type,
It is necessary to laminate an insulating resin on the circuit surface for insulation protection, or to locally remove the base layer and the insulation protection layer to expose the circuit terminals for connection. further,
In order to easily perform alignment at the time of connection, processing is often performed into a shape that allows visual confirmation, and guide holes and guide grooves are often provided in the base layer and the insulating protective layer.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ところが、回路パター
ンを挟む一方の基材層としてポリイミド系樹脂フィルム
を用いた場合に、該ポリイミド系樹脂よりも耐熱性や寸
法安定性に劣る樹脂を他方の基材層として用いると、該
ポリイミド系樹脂フィルムの優れた特性を十分に発揮さ
せることができないという問題がある。これに対して、
両方の基材層にポリイミド系樹脂を用いると耐薬品性が
等しくなるため、化学エッチング等による、各々の層を
選択的に除去するような方法が使用できなくなる。ま
た、プラズマや紫外線レーザーを用いてエッチングする
方法では、被加工面積に対する加工効率が低く、ランニ
ングコストが高いという問題がある。その他、所望形状
に加工した熱可塑性ポリイミド系樹脂フィルムを貼りつ
ける方法も、位置合わせ精度や作業効率に難があり、産
業用としては受入れ難いものであった。
However, when a polyimide resin film is used as one of the base layers sandwiching the circuit pattern, a resin having lower heat resistance and dimensional stability than the polyimide resin is used as the other base layer. When used as a material layer, there is a problem that the excellent characteristics of the polyimide resin film cannot be sufficiently exhibited. On the contrary,
If a polyimide resin is used for both base layers, the chemical resistance becomes equal, so that a method of selectively removing each layer by chemical etching or the like cannot be used. In addition, the method of etching using a plasma or an ultraviolet laser has a problem that the processing efficiency with respect to the area to be processed is low and the running cost is high. In addition, the method of attaching a thermoplastic polyimide-based resin film processed into a desired shape also has difficulty in positioning accuracy and work efficiency, and has been unacceptable for industrial use.

【0005】本発明の目的は、上記問題を解決し、回路
パターンをポリイミド系樹脂層で挟むことによって、耐
熱性,機械的強度,寸法特性等に優れながら、しかも、
一方の基材層のみを局部的に、かつ、効率的に除去する
ことが可能な回路基板構造を提供することである。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems and to provide a circuit pattern sandwiched between polyimide resin layers, thereby achieving excellent heat resistance, mechanical strength, dimensional characteristics, and the like.
An object of the present invention is to provide a circuit board structure capable of locally and efficiently removing only one base material layer.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明者らは上記目的を
達成すべく鋭意検討を行った結果、エッチング液に対し
て溶解速度の異なるポリイミド系樹脂によって回路パタ
ーンを挟む基板構造とすることにより、樹脂層の所定領
域の除去に、化学エッチング法を容易に用いることがで
きるようになり、高効率で、かつ高精度な開口加工が行
えることを見出し本発明を完成した。即ち、本発明の回
路基板構造は、エッチング液に対して溶解速度の異なる
ポリイミド系樹脂層によって、回路パターンが挟まれて
なり、前記エッチング液に対して溶解速度の異なるポリ
イミド系樹脂層が、各々後記の一般式(I)、(II)で
示される構造単位を有するポリイミド系樹脂からなるも
のである。また、本発明の回路基板の製造方法は、エッ
チング液に対し溶解速度の異なるポリイミド系樹脂層に
よって、回路パターンを挟んで回路基板構造とし、溶解
速度の速い方のポリイミド系樹脂層の表面のうちの除去
すべき領域以外にレジスト層を形成し、同一エッチング
液中において、前記溶解速度の速い方のポリイミド系樹
脂層の除去すべき領域だけを選択的に除去することを特
徴とするものである。
Means for Solving the Problems The inventors of the present invention have conducted intensive studies to achieve the above object, and as a result, have obtained a substrate structure in which a circuit pattern is sandwiched between polyimide resins having different dissolution rates in an etching solution. The present inventors have found that a chemical etching method can be easily used for removing a predetermined region of a resin layer, and that highly efficient and highly accurate opening processing can be performed. That is, the circuit board structure of the present invention has a circuit pattern sandwiched by polyimide resin layers having different dissolution rates in an etchant.
And a polymer having a different dissolution rate with respect to the etching solution.
The imide-based resin layer is represented by the following general formulas (I) and (II), respectively.
It is made of a polyimide resin having the structural unit shown . Further, the method for manufacturing a circuit board of the present invention includes the steps of:
For polyimide resin layers with different dissolution rates for
Therefore, a circuit board structure with a circuit pattern interposed
Removal of the surface of the faster polyimide resin layer
Form a resist layer in areas other than the areas to be etched, and perform the same etching
In the liquid, the polyimide resin having the higher dissolution rate is used.
The feature is to selectively remove only the area of the grease layer to be removed.
It is a sign.

【0007】[0007]

【作用】エッチング液に対して溶解速度の異なるポリイ
ミド系樹脂層を用いて回路パターンを挟む回路基板構造
によって、両面がポリイミド系樹脂層でありながら、同
一エッチング液中において、片方の層だけが選択的に除
去される。
[Function] Due to the circuit board structure sandwiching a circuit pattern using polyimide resin layers having different dissolution rates in an etchant, only one layer can be selected in the same etchant while both sides are polyimide resin layers. Removed.

【0008】[0008]

【実施例】以下、本発明を実施例に基づき具体的に説明
する。なお、本発明がこれに限定されるものでないこと
は言うまでもない。図1は、本発明の回路基板構造の一
実施例を模式的に示す一部切欠斜視図である。同図にお
いて、Aは本発明の回路基板構造であって、回路パター
ン2が、同一エッチング液に対して溶解速度の相異なる
ポリイミド系樹脂層1,3によって挟まれてなるもので
ある。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be specifically described below based on embodiments. It goes without saying that the present invention is not limited to this. FIG. 1 is a partially cutaway perspective view schematically showing one embodiment of the circuit board structure of the present invention. In the figure, A is a circuit board structure of the present invention, in which a circuit pattern 2 is sandwiched between polyimide resin layers 1 and 3 having different dissolution rates in the same etching solution.

【0009】回路パターン2を挟むポリイミド系樹脂層
1と3は、同一エッチング液に対して溶解速度が相異な
る以外は、形状や機械的性質等において同様のものであ
ってもよいが、通常は溶解速度の遅い方の層をベース
層、溶解速度の速い方の層を保護層とする場合が多い。
ベース層は、回路基板構造Aの強度,弾性,可撓性等の
機械的諸性質をほぼ決定するものであり、他方、保護層
は、回路パターン2の表面の保護および絶縁を保ち、必
要に応じて該回路パターンを露出させるものであるが、
両者の機能および役割は目的に応じて配分されるもので
あってもよい。例えば、ベース層であっても回路パター
ンを露出させる開口部を有し、保護層であっても機械的
強度の一因を担う等である。本実施例では、便宜上、同
一エッチング液に対して溶解速度の遅い方のポリイミド
系樹脂層をベース層1、溶解速度の速い方の層を保護層
3とする。
The polyimide resin layers 1 and 3 sandwiching the circuit pattern 2 may be similar in shape, mechanical properties, and the like, except that they have different dissolution rates in the same etching solution. In many cases, the lower dissolution rate layer is used as the base layer, and the higher dissolution rate layer is used as the protective layer.
The base layer substantially determines mechanical properties such as strength, elasticity, and flexibility of the circuit board structure A. On the other hand, the protective layer keeps the surface of the circuit pattern 2 protected and insulated. The circuit pattern is exposed accordingly.
The functions and roles of both may be allocated according to the purpose. For example, even a base layer has an opening for exposing a circuit pattern, and a protective layer also plays a role in mechanical strength. In this embodiment, for convenience, the polyimide resin layer having a lower dissolution rate with respect to the same etching solution is referred to as a base layer 1, and the layer having a higher dissolution rate is referred to as a protective layer 3.

【0010】上記ベース層1として用いるポリイミド系
樹脂は、下記一般式(I)で示される構造単位を有する
ものである。
The polyimide resin used as the base layer 1 has a structural unit represented by the following general formula (I).

【0011】[0011]

【化14】 Embedded image

【0012】ただし、上記一般式(I)において、Ar
1 は炭素数6以上の2価の芳香族基である。このベース
層1として用いるポリイミド系樹脂は、テトラカルボン
酸成分とジアミン成分の略等モルを有機溶媒中で反応さ
せて得たポリイミド前駆体溶液を塗布し乾燥させて塗膜
とするか、さらにこれを加熱によって脱水閉環し硬化さ
せることによって得ることができる。上記テトラカルボ
ン酸成分としては、3,3’,4,4’−ビフェニルテ
トラカルボン酸二無水物が用いられる。また、上記Ar
1 を含むジアミン成分としては、例えば、p−フェニレ
ンジアミン、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、
m−フェニレンジアミン、3,4’−ジアミノジフェニ
ルエーテル、3,3’−ジアミノジフェニルエーテル、
4,4’−ジアミノビフェニル等のうち少なくとも一種
類が用いられる。上記有機溶媒としては、N−メチル−
2−ピロリドン中、N,N’−ジメチルアセトアミド、
N,N’−ジメチルホルムアミド、1,3−ジメチル−
イミダゾリジノン、ジメチルスルホキシド、ジメチルス
ルフィド、ジメチルスルホン、ピリジン、テトラメチル
ウレア、ジグライム、トリグライムなどが用いられる。
However, in the above general formula (I), Ar
1 is a divalent aromatic group having 6 or more carbon atoms. The polyimide resin used as the base layer 1 is prepared by applying and drying a polyimide precursor solution obtained by reacting approximately equimolar amounts of a tetracarboxylic acid component and a diamine component in an organic solvent, or further forming a coating film. Can be obtained by dehydration ring closure and curing by heating. As the tetracarboxylic acid component, 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride is used. In addition, the above Ar
Examples of the diamine component containing 1 include, for example, p-phenylenediamine, 4,4′-diaminodiphenyl ether,
m-phenylenediamine, 3,4′-diaminodiphenyl ether, 3,3′-diaminodiphenyl ether,
At least one of 4,4'-diaminobiphenyl and the like is used. As the organic solvent, N-methyl-
N, N'-dimethylacetamide in 2-pyrrolidone,
N, N'-dimethylformamide, 1,3-dimethyl-
Imidazolidinone, dimethyl sulfoxide, dimethyl sulfide, dimethyl sulfone, pyridine, tetramethyl urea, diglyme, triglyme and the like are used.

【0013】保護層3として用いるポリイミド系樹脂
は、下記一般式(II)で示される構造単位を有するもの
である。
The polyimide resin used as the protective layer 3 has a structural unit represented by the following general formula (II).

【0014】[0014]

【化15】 Embedded image

【0015】ただし、上記一般式(II)において、Ar
2 は炭素数12以上の2価の芳香族基であり、以下の式
で示されるものが例示される。
However, in the above general formula (II), Ar
2 is a divalent aromatic group having 12 or more carbon atoms, and examples thereof include those represented by the following formula.

【0016】[0016]

【化16】 Embedded image

【0017】[0017]

【化17】 Embedded image

【0018】[0018]

【化18】 Embedded image

【0019】[0019]

【化19】 Embedded image

【0020】[0020]

【化20】 Embedded image

【0021】[0021]

【化21】 Embedded image

【0022】[0022]

【化22】 Embedded image

【0023】[0023]

【化23】 Embedded image

【0024】[0024]

【化24】 Embedded image

【0025】[0025]

【化25】 Embedded image

【0026】[0026]

【化26】 Embedded image

【0027】ただし、上記式中R3 〜R31は互いに独立
して、低級アルキル基、低級アルコキシ基またはハロゲ
ン基を示し、また、n3 〜n31は互いに独立して、0ま
たは1〜4の整数を示し、Xは、水素またはハロゲン基
を示す。上記において、低級アルキル基とは、メチル、
エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチ
ル、sec-ブチル、tert- ブチル、ペンチル、イソペンチ
ル、ネオペンチル、tert- ペンチル、ヘキシル、ヘプチ
ル、オクチルなどの炭素数1〜8個の直鎖状又は分岐状
のアルキル基をいい、低級アルコキシ基とは、メトキ
シ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキ
シ、イソブトキシ、sec-ブトキシ、tert- ブトキシ、ペ
ンチルオキシ、ヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、オク
チルオキシなどの炭素数1〜8個の直鎖状又は分岐状の
アルコキシ基をいい、ハロゲン基とは、フッ素、塩素、
臭素またはヨウ素をいう。
In the above formula, R 3 to R 31 independently represent a lower alkyl group, a lower alkoxy group or a halogen group, and n 3 to n 31 independently represent 0 or 1-4. And X represents hydrogen or a halogen group. In the above, the lower alkyl group is methyl,
Linear or branched alkyl having 1 to 8 carbon atoms such as ethyl, propyl, isopropyl, butyl, isobutyl, sec-butyl, tert-butyl, pentyl, isopentyl, neopentyl, tert-pentyl, hexyl, heptyl, octyl, etc. A lower alkoxy group means 1 to 8 carbon atoms such as methoxy, ethoxy, propoxy, isopropoxy, butoxy, isobutoxy, sec-butoxy, tert-butoxy, pentyloxy, hexyloxy, heptyloxy, octyloxy, etc. Refers to a linear or branched alkoxy group, and the halogen group is fluorine, chlorine,
Refers to bromine or iodine.

【0028】保護層3に用いるポリイミド系樹脂は、テ
トラカルボン酸成分と、上記Ar2を含むジアミン成分
とを、略等モル、有機溶媒中で反応させて得たポリイミ
ド前駆体溶液を塗布し乾燥させて塗膜とするか、さらに
これを加熱によって脱水閉環し硬化させることによって
得ることができ、硬化前あるいは硬化後において、前記
ベース層1に用いるポリイミド系樹脂よりも容易にアル
カリ溶液に溶解するものである。
The polyimide resin used for the protective layer 3 is prepared by applying a polyimide precursor solution obtained by reacting a tetracarboxylic acid component with the diamine component containing Ar 2 in an approximately equimolar amount in an organic solvent, followed by drying. It can be obtained by heating and then dehydrating and ring-closing and curing it by heating, and before or after curing, it dissolves more easily in an alkali solution than the polyimide resin used for the base layer 1. Things.

【0029】上記テトラカルボン酸成分としてはピロメ
リット酸二無水物が用いられる。また、上記Ar2 を含
む具体的なジアミン成分としては、例えば、4,4’−
ジアミノジフェニルエーテル、3,4’−ジアミノジフ
ェニルエーテル、3,3’−ジアミノジフェニルエーテ
ル、4,4’−ジアミノビフェニル、ビス[4−(3−
アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、ビス[4−
(4−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、ビス
[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]ヘキサフル
オロプロパン、3,3’−ジアミノジフェニルスルホ
ン、3,4’−ジアミノジフェニルスルホン、4,4’
−ジアミノジフェニルスルホン、ビス[4−(3−アミ
ノフェノキシ)フェニル]エーテル、ビス[4−(4−
アミノフェノキシ)フェニル]エーテル、ビス[4−
(3−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、ビス
[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、
3,3’−ジアミノジフェニルプロパン、3,3’−ジ
アミノジフェニルベンゾフェノン等が例示され、これら
のうち少なくとも一種類が用いられる。また、芳香族基
が炭素数6のp−フェニレンジアミン、m−フェニレン
ジアミンも、上記芳香族基が炭素数12以上のジアミン
に対して、1/2以下の配合モル比ならば用いてもよ
い。
Pyromellitic dianhydride is used as the tetracarboxylic acid component. Specific examples of the diamine component containing Ar 2 include, for example, 4,4′-
Diaminodiphenyl ether, 3,4'-diaminodiphenyl ether, 3,3'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminobiphenyl, bis [4- (3-
Aminophenoxy) phenyl] sulfone, bis [4-
(4-aminophenoxy) phenyl] sulfone, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] hexafluoropropane, 3,3′-diaminodiphenylsulfone, 3,4′-diaminodiphenylsulfone, 4,4 ′
-Diaminodiphenyl sulfone, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] ether, bis [4- (4-
Aminophenoxy) phenyl] ether, bis [4-
(3-aminophenoxy) phenyl] propane, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane,
Examples include 3,3'-diaminodiphenylpropane, 3,3'-diaminodiphenylbenzophenone, and at least one of these is used. Further, p-phenylenediamine having an aromatic group of 6 carbon atoms and m-phenylenediamine may also be used as long as the aromatic group is 配合 or less in molar ratio to a diamine having 12 or more carbon atoms. .

【0030】有機溶媒としては、前記ベース層1におい
てポリイミド前駆体を得る場合と同様のものが用いられ
る。
As the organic solvent, the same organic solvent as that used for obtaining the polyimide precursor in the base layer 1 is used.

【0031】回路パターン2は、良導体金属からなる配
線回路であり、材質として金,銀,銅等の他、白金,ニ
ッケル,アルミニウム,鉄,クロム,モリブデン,タン
グステン,亜鉛,スズ,又はこれらの合金などが例示さ
れる。また、例えば、銅箔からなる回路パターンに対し
て金メッキや半田メッキを施す等、上記良導体金属によ
る多層構造であってもよい。回路パターン2を形成する
方法としては、ベース層上の所定領域全面に1層〜数層
の導体層を蒸着,圧着等により積層した後にエッチング
を施し導体回路を残して形成するサブトラクティブ法
や、ベース基板上にメッキ、蒸着等によって回路パター
ンだけを形成するアディティブ法等の公知のパターン形
成方法の他、ベース層1の形成に用いる上記ポリイミド
前駆体溶液を、良導体層に塗布して硬化させる方法等が
例示される。
The circuit pattern 2 is a wiring circuit made of a good conductor metal, and may be made of a material such as gold, silver, copper, platinum, nickel, aluminum, iron, chromium, molybdenum, tungsten, zinc, tin, or an alloy thereof. And the like. Further, for example, a multilayer structure made of the above-mentioned good conductor metal may be used, for example, by applying gold plating or solder plating to a circuit pattern made of copper foil. Examples of a method of forming the circuit pattern 2 include a subtractive method in which one to several conductive layers are stacked on the entire surface of a predetermined region on the base layer by vapor deposition, pressure bonding, and the like, and then etched to form a conductive circuit, thereby forming a conductive circuit. In addition to a known pattern forming method such as an additive method of forming only a circuit pattern on a base substrate by plating, vapor deposition, or the like, a method of applying the polyimide precursor solution used for forming the base layer 1 to a good conductor layer and curing the solution. Etc. are exemplified.

【0032】回路パターン2に対して保護層3を積層し
被覆する方法としては、ベース層1と回路パターン2と
の積層方法と同様に、保護層3の形成に用いるポリイミ
ド前駆体溶液をベース層上に形成された回路パターンに
塗布して硬化させる方法や、保護層3を別途フィルム状
に形成して、熱等によって圧着する方法等が挙げられ
る。保護層及びベース層と、回路パターンの金属層との
密着力を高めるために、界面となる金属表面に対して、
サイディング、ニッケルメッキ、銅−亜鉛合金メッキ、
またはアルミニウムアルコラート、アルミニウムキレー
ト、シランカップリング剤などによって、化学的あるい
は機械的な表面処理を施してもよい。
As a method for laminating and covering the protective layer 3 on the circuit pattern 2, the polyimide precursor solution used for forming the protective layer 3 is coated on the base layer in the same manner as the method for laminating the base layer 1 and the circuit pattern 2. Examples include a method of applying and curing the circuit pattern formed thereon, and a method of separately forming the protective layer 3 in a film shape and compressing the film by heat or the like. In order to enhance the adhesion between the protective layer and the base layer and the metal layer of the circuit pattern, with respect to the metal surface serving as an interface,
Siding, nickel plating, copper-zinc alloy plating,
Alternatively, a chemical or mechanical surface treatment may be performed using an aluminum alcoholate, an aluminum chelate, a silane coupling agent, or the like.

【0033】本発明の回路基板構造においては、同一エ
ッチング液に対して溶解速度の速い方のポリイミド系樹
脂を用いた層が開口加工を施す対象層となるが、前述と
同様に該加工対象層を保護層3と仮定し、開口加工法を
以下に説明する。保護層3を局部的に除去する方法とし
ては、保護層表面上に除去すべき領域以外にレジスト層
を形成し、エッチング液を用いて浸漬法、スプレー法等
によるエッチングすれば、保護層の所望領域だけを容易
に除去することができる。
In the circuit board structure of the present invention, the layer using the polyimide resin having a higher dissolution rate in the same etching liquid is the target layer to be subjected to the opening processing. Is assumed to be the protective layer 3, and the opening processing method will be described below. As a method of locally removing the protective layer 3, a resist layer is formed on a region other than a region to be removed on the surface of the protective layer, and the resist layer is etched by an immersion method, a spray method, or the like using an etchant. Only the area can be easily removed.

【0034】レジスト層は、耐アルカリ性があれば特に
制限はなく、市販の溶剤型フォトレジストや剥離現像型
フォトレジストを用いるか、ポリエチレン、ポリプロピ
レン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、アクリル樹脂、
セルロース樹脂、塩素化ポリエーテル、EVAなどの共
重合体、ABS樹脂のような、グラフト重合体をポリイ
ミド樹脂層上に塗工し、フォトリソグラフィ等によって
保護層の目的領域だけを露出するようにパターニングす
ればよい。
The resist layer is not particularly limited as long as it has alkali resistance, and a commercially available solvent-type photoresist or peel-development-type photoresist may be used, or polyethylene, polypropylene, polystyrene, polyvinyl chloride, acrylic resin,
Coating a graft polymer such as a copolymer such as cellulose resin, chlorinated polyether, EVA, or ABS resin on the polyimide resin layer, and patterning by photolithography or the like so that only the target area of the protective layer is exposed. do it.

【0035】エッチング液としては、水酸化ナトリウ
ム,水酸化カリウムなどの無機系アルカリ水溶液、また
はヒドラジン系などの有機アルカリ水溶液と、アルコー
ル系,グリコール系,アミド系溶剤の混合液が用いられ
る。また、必要に応じて2種類以上のアルカリ水溶液ま
たは溶剤を併用してもよい。
As the etchant, a mixed solution of an aqueous solution of an inorganic alkali such as sodium hydroxide or potassium hydroxide or an aqueous solution of an organic alkali such as hydrazine and an alcohol, glycol or amide solvent is used. If necessary, two or more kinds of alkaline aqueous solutions or solvents may be used in combination.

【0036】ベース層1と保護層3の各々の層の厚み
は、機械的強度が十分であれば特に限定されるものでは
ないが、スルーホールや凹部を微細なピッチや形状に形
成したり、基板に可撓性が必要な場合には、5〜200
μm程度が好ましく、10〜100μm程度が特に好ま
しい。また、同一のエッチング液に対して、保護層の溶
解速度はベース層の溶解速度の10倍以上となるので、
エッチング工程によるベース層の損傷を抑制するために
は、保護層の厚みをベース層の厚みの10倍以下とする
ことが好ましく、より好ましくは保護層とベース層とが
同じ厚み以下であることがよく、特に好ましくは、保護
層の厚みをベース層の厚みの1/10以下とすることに
よって、エッチング工程によるベース層の損傷を実質的
に無くすることができる。
The thickness of each layer of the base layer 1 and the protective layer 3 is not particularly limited as long as the mechanical strength is sufficient. If the substrate needs to be flexible, 5-200
It is preferably about μm, particularly preferably about 10 to 100 μm. In addition, since the dissolution rate of the protective layer is 10 times or more that of the base layer in the same etching solution,
In order to suppress damage to the base layer due to the etching step, the thickness of the protective layer is preferably 10 times or less the thickness of the base layer, and more preferably the thickness of the protective layer and the base layer is the same or less. It is preferable, particularly preferably, that the thickness of the protective layer be 1/10 or less of the thickness of the base layer, thereby substantially eliminating damage to the base layer due to the etching step.

【0037】〔実験例1〕本実験例では、図2に示すよ
うに、本発明の回路基板構造を具体的に製作し、さらに
その保護層3にエッチングを施して、回路パターン2の
露出したデバイスホール4を形成し、本発明の回路基板
構造を用いた一応用例を示すと共に、本発明の回路基板
構造が優れた加工性を有するものであることを確認し
た。 (1) 前駆体溶液の生成 3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無
水物とp−フェニレンジアミンの略等モルを、N−メチ
ル−2−ピロリドン中で重合してポリイミド前駆体溶液
(I)を得た。また、ピロメリット酸二無水物と4,
4’−ジアミノジフェニルエーテルの略等モルを、N,
N’−ジメチルアセトアミドで重合してポリイミド前駆
体溶液(II)を得た。 (2) ベース層と導体層との積層 上記で得たポリイミド前駆体溶液(I)を、厚み35μ
mの圧延銅箔上にコンマコーターを用いて均一に流延塗
布した後、100℃で乾燥し、さらに窒素ガス置換によ
って酸素濃度を1.5%以下にした雰囲気下で450℃
に加熱して、脱水閉環イミド転化を行い、厚み25μm
のベース層と、銅箔層とを積層した。 (3) 回路パターンの形成 上記銅箔に対して、公知のサブトラクティブ法によって
エッチング加工を施し、回路パターン2を形成した。 (4) 保護層形成 上記回路パターン2の表面にニッケルめっきを施した
後、回路パターン2とそのベース層の面全体に、上記ベ
ース層の場合と同様の方法で、ポリイミド前駆体溶液
(II)を塗布,乾燥,加熱等を施して厚み10μmの保
護層を形成し、アルカリエッチング液に対して溶解速度
のより速いポリイミド系樹脂の保護層と、溶解速度のよ
り遅いポリイミド系樹脂のベース層によって、回路パタ
ーンが挟まれてなる本発明の回路基板構造を得た。 (5) 保護層に対するデバイスホール形成(エッチング加
工) 感光性ゴム系レジストを用いて保護層表面の加工領域以
外にマスクを施し、これを、50%水酸化カリウム水溶
液50部,エタノール50部,抱水ヒドラジン5部から
なるアルカリ性エッチング液に浸漬し、50℃、10分
間のエッチング処理を行い、デバイスホール4を有する
回路基板構造を得た。
[Experimental Example 1] In this experimental example, as shown in FIG. 2, a circuit board structure of the present invention was specifically manufactured, and the protective layer 3 was etched to expose the circuit pattern 2. An application example using the circuit board structure of the present invention in which the device hole 4 was formed was shown, and it was confirmed that the circuit board structure of the present invention had excellent workability. (1) Formation of Precursor Solution Approximately equimolar amounts of 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride and p-phenylenediamine are polymerized in N-methyl-2-pyrrolidone to prepare a polyimide precursor. A body solution (I) was obtained. Also, pyromellitic dianhydride and 4,
Approximately equimolar amounts of 4'-diaminodiphenyl ether are converted to N,
Polymerization was performed with N′-dimethylacetamide to obtain a polyimide precursor solution (II). (2) Lamination of Base Layer and Conductive Layer The polyimide precursor solution (I) obtained above was applied to a layer having a thickness of 35 μm.
m, and then uniformly cast on a rolled copper foil using a comma coater, dried at 100 ° C., and further heated to 450 ° C. in an atmosphere in which the oxygen concentration was reduced to 1.5% or less by nitrogen gas replacement.
To give a dehydrated ring-closed imide conversion, and a thickness of 25 μm
Was laminated with a copper foil layer. (3) Formation of Circuit Pattern The copper foil was etched by a known subtractive method to form a circuit pattern 2. (4) Formation of Protective Layer After nickel plating is applied to the surface of the circuit pattern 2, the polyimide precursor solution (II) is applied to the circuit pattern 2 and the entire surface of the base layer in the same manner as in the case of the base layer. Is applied, dried and heated to form a protective layer having a thickness of 10 μm. The protective layer is made of a polyimide resin having a higher dissolution rate with respect to an alkali etching solution, and the base layer of the polyimide resin having a lower dissolution rate. Thus, a circuit board structure of the present invention having a circuit pattern interposed was obtained. (5) Forming Device Holes in Protective Layer (Etching Process) A mask is applied to a region other than the processed region on the surface of the protective layer using a photosensitive rubber-based resist. The substrate was immersed in an alkaline etching solution composed of 5 parts of water hydrazine and subjected to etching at 50 ° C. for 10 minutes to obtain a circuit board structure having device holes 4.

【0038】上記で得られた回路基板構造の品質を検査
したところ、両面がポリイミド系樹脂の層でありなが
ら、ベース層には顕著な浸食が見られず、保護層の目的
部分だけが選択的に除去されており、好ましい加工性を
有するものであることが確認できた。
When the quality of the circuit board structure obtained above was inspected, no significant erosion was observed in the base layer even though both sides were made of a polyimide resin layer, and only the target portion of the protective layer was selectively formed. , And was confirmed to have favorable processability.

【0039】〔実験例2〕本実験例では、図2に示すよ
うに、本発明による回路基板構造Aの保護層3の端部に
エッチングを施し、回路パターン2を露出させて接続用
の端子とし、さらに、該保護層表面に回路パターン2と
導通するバンプ5を形成し、本発明の回路基板構造の他
の応用例を示すと共に、本発明の回路基板構造が優れた
加工性を有するものであることを確認した。 (1) 前駆体溶液の生成 3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無
水物と、p−フェニレンジアミンのピロメリット酸二無
水物と、4,4’−ジアミノジフェニルエーテルとを、
10:5:5のモル比でN−メチル−2−ピロリドン中
で重合してポリイミド前駆体溶液(I)を得た。また、
ピロメリット酸二無水物とビス[4−(4−アミノフェ
ノキシ)フェニル]ヘキサフルオロプロパンの略等モル
を、N,N’−ジメチルアセトアミドで重合してポリイ
ミド前駆体溶液(II)を得た。 (2) ベース層と導体層との積層 上記ポリイミド前駆体溶液(I)を用い、実験例1と同
じ工程によって、厚み35μmの圧延銅箔と、厚み25
μmのベース層との積層品を得た。 (3) 回路パターンの形成 上記銅箔に対して、公知のサブトラクティブ法によって
エッチング加工を施し、回路パターン2を形成した。 (4) 保護層形成 上記回路パターン2の表面にニッケルめっきを施した
後、回路パターン2とそのベース層の面全体にポリイミ
ド前駆体溶液(II)をコンマコーターを用いて均一に流
延塗布した後150℃で乾燥し、さらに窒素ガス置換に
よって酸素濃度を1.5%以下にした雰囲気下で450
℃に加熱し、脱水閉環イミド転化を行って厚み10μm
の保護層を形成し、上記実験例1と同様の回路基板構造
を得た。 (5) 接続用端子の形成。 感光性ゴム系レジストを用いて保護層端部の加工領域以
外にマスクを施し、これを、50%水酸化カリウム水溶
液80部,エタノール20部,抱水ヒドラジン10部か
らなるアルカリ性エッチング液に浸漬し、60℃、5分
間のエッチング処理を行い、端部に回路パターン2が露
出し接続用の端子としてなる回路基板構造を得た。 (6) 保護層表面に対するバンプの形成 保護層表面の回路パターン2に相当する位置に、エキシ
マレーザー加工を施し微細開口部6を形成して回路パタ
ーン2を露出させ、該回路パターン2を陰極として電解
液槽内でAuめっきを行い、微細開口部6内にAuを充
填させた後、さらにAuめっきを継続し、保護層表面よ
り10μm突起したバンプを有するフレキシブル回路基
板を得た。
[Experimental Example 2] In this experimental example, as shown in FIG. 2, the edge of the protective layer 3 of the circuit board structure A according to the present invention is etched to expose the circuit pattern 2 and connect terminals. In addition, bumps 5 that are electrically connected to the circuit pattern 2 are formed on the surface of the protective layer to show another application example of the circuit board structure of the present invention, and that the circuit board structure of the present invention has excellent workability. Was confirmed. (1) Formation of Precursor Solution 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, pyromellitic dianhydride of p-phenylenediamine, and 4,4′-diaminodiphenyl ether,
Polymerization was performed in N-methyl-2-pyrrolidone at a molar ratio of 10: 5: 5 to obtain a polyimide precursor solution (I). Also,
Approximately equimolar amounts of pyromellitic dianhydride and bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] hexafluoropropane were polymerized with N, N'-dimethylacetamide to obtain a polyimide precursor solution (II). (2) Lamination of Base Layer and Conductive Layer Using the above polyimide precursor solution (I), a rolled copper foil having a thickness of 35 μm and a thickness of 25
A laminate with a μm base layer was obtained. (3) Formation of Circuit Pattern The copper foil was etched by a known subtractive method to form a circuit pattern 2. (4) Formation of Protective Layer After nickel plating was applied to the surface of the circuit pattern 2, the polyimide precursor solution (II) was uniformly cast over the entire surface of the circuit pattern 2 and its base layer using a comma coater. Thereafter, the substrate was dried at 150 ° C., and further dried under an atmosphere in which the oxygen concentration was reduced to 1.5% or less by nitrogen gas replacement.
℃, dehydrated ring-closing imide conversion to a thickness of 10 μm
Was formed, and a circuit board structure similar to that of Experimental Example 1 was obtained. (5) Forming connection terminals. A mask is applied to the area other than the processing area at the end of the protective layer using a photosensitive rubber-based resist. An etching process was performed at 60 ° C. for 5 minutes to obtain a circuit board structure in which the circuit pattern 2 was exposed at the ends and used as connection terminals. (6) Formation of bumps on the surface of the protective layer Excimer laser processing is performed at positions corresponding to the circuit patterns 2 on the surface of the protective layer to form fine openings 6, exposing the circuit patterns 2, and using the circuit patterns 2 as cathodes. Au plating was performed in the electrolytic solution tank, and after filling the fine openings 6 with Au, further Au plating was continued to obtain a flexible circuit board having a bump projecting 10 μm from the surface of the protective layer.

【0040】上記で得られたフレキシブル回路基板の品
質を検査したところ、実験例1と同様に、好ましい品質
であることが確認できた。
When the quality of the flexible circuit board obtained as described above was inspected, it was confirmed that the quality was favorable as in Experimental Example 1.

【0041】本発明の回路基板構造は、上記のフレキシ
ブル回路基板の他に、多層回路基板の最外層の構造とし
ても好適に使用される。
The circuit board structure of the present invention is suitably used as the outermost layer structure of a multilayer circuit board in addition to the above-mentioned flexible circuit board.

【0042】[0042]

【発明の効果】以上詳述したように、本発明の回路基板
構造は、基板の両面がポリイミド系樹脂によって構成さ
れるものであるから、その優れた耐熱性,機械的強度,
寸法特性等を両面に有し、しかも、1回のエッチング工
程によって、片側のポリイミド系樹脂層だけを選択的
に、かつ、効率的に除去することが可能となり、開口加
工性に優れた回路基板構造として、TABフィルム、フ
レキシブルプリント基板等、種々の用途に応用可能であ
る。
As described in detail above, the circuit board structure of the present invention has excellent heat resistance, mechanical strength,
A circuit board that has dimensional characteristics and the like on both sides, and it is possible to selectively and efficiently remove only one side of the polyimide resin layer by one etching step, and it is excellent in opening processability. As a structure, it can be applied to various uses such as a TAB film and a flexible printed board.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の回路基板構造の一実施例を模式的に示
す断面図である。
FIG. 1 is a sectional view schematically showing one embodiment of a circuit board structure of the present invention.

【図2】本発明の回路基板構造を用いた一応用例を模式
的に示す斜視図である。
FIG. 2 is a perspective view schematically showing one application example using the circuit board structure of the present invention.

【図3】本発明の回路基板構造を用いた他の応用例を模
式的に示す斜視図である。
FIG. 3 is a perspective view schematically showing another application example using the circuit board structure of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

A 回路基板構造 1 ベース層 2 回路パターン 3 保護層 A Circuit board structure 1 Base layer 2 Circuit pattern 3 Protective layer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭64−48493(JP,A) 特開 昭62−113494(JP,A) 特開 平2−18986(JP,A) 特開 平4−3492(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H05K 1/03 H05K 3/28 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-64-48493 (JP, A) JP-A-62-113494 (JP, A) JP-A-2-18986 (JP, A) JP-A-4- 3492 (JP, A) (58) Field surveyed (Int. Cl. 7 , DB name) H05K 1/03 H05K 3/28

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 エッチング液に対して溶解速度の異なる
ポリイミド系樹脂層によって、回路パターンが挟まれて
なり、前記エッチング液に対して溶解速度の異なるポリ
イミド系樹脂層が、各々下記一般式(I)、(II)で示
される構造単位を有するポリイミド系樹脂からなるもの
である、回路基板構造。【化1】 【化2】 (上式中、Ar 1 は炭素数6以上の2価の芳香族基、A
2 は炭素数12以上の2価の芳香族基を示す。)
A circuit pattern is sandwiched between polyimide resin layers having different dissolution rates in an etching solution.
And a polymer having a different dissolution rate with respect to the etching solution.
The imide resin layers are represented by the following general formulas (I) and (II), respectively.
Consisting of polyimide resin having structural unit
Is a circuit board structure. Embedded image Embedded image (In the above formula, Ar 1 is a divalent aromatic group having 6 or more carbon atoms, A
r 2 represents a divalent aromatic group having 12 or more carbon atoms. )
【請求項2】 一般式(II)で示される構造単位におい
て、Ar2が、 【化3】 【化4】 【化5】 【化6】 【化7】 【化8】 【化9】 【化10】 【化11】 【化12】 または、 【化13】 (式中、R3〜R31は互いに独立して、低級アルキル
基、低級アルコキシ基またはハロゲン基を示し、また、
3〜n31は互いに独立して、0または1〜4の整数を
示し、Xは、水素またはハロゲン基を示す。)で表され
る基である、請求項記載の回路基板構造。
2. In the structural unit represented by the general formula (II), Ar 2 is Embedded image Embedded image Embedded image Embedded image Embedded image Embedded image Embedded image Embedded image Embedded image Or (Wherein, R 3 to R 31 independently represent a lower alkyl group, a lower alkoxy group or a halogen group;
n 3 to n 31 each independently represent 0 or an integer of 1 to 4, and X represents hydrogen or a halogen group. ) Is a group represented by the circuit board structure of claim 1, wherein.
【請求項3】 エッチング液に対して溶解速度の異なる
ポリイミド系樹脂層のうち、溶解速度の速い方の層の厚
みが、遅い方の層の厚みの10倍以下である請求項1記
載の回路基板構造。
3. The circuit according to claim 1, wherein, of the polyimide resin layers having different dissolution rates with respect to the etching solution, the layer having the higher dissolution rate has a thickness of 10 times or less the thickness of the layer having the lower dissolution rate. Substrate structure.
【請求項4】 エッチング液に対して溶解速度の異なる
ポリイミド系樹脂層のうち、溶解速度の速い方の層の溶
解速度が、遅い方の層の溶解速度の10倍以上である請
求項1〜のいずれかに記載の回路基板構造。
4. A polyimide resin layer having a different dissolution rate with respect to an etching solution, wherein the higher dissolution rate of the polyimide resin layer has a dissolution rate which is 10 times or more the dissolution rate of the slower dissolution rate layer. 3. The circuit board structure according to any one of 3 .
【請求項5】 エッチング液に対し溶解速度の異なるポ
リイミド系樹脂層によって、回路パターンを挟んで回路
基板構造とし、溶解速度の速い方のポリイミド系樹脂層
の表面のうちの除去すべき領域以外にレジスト層を形成
し、同一エッチング液中において、前記溶解速度の速い
方のポリイミド系樹脂層の除去すべき領域だけを選択的
に除去することを特徴とする回路基板の製造方法。
5. A method in which the dissolution rate of an etching solution is different.
The circuit is sandwiched between the circuit patterns by the polyimide resin layer.
Polyimide resin layer with faster dissolution rate with substrate structure
A resist layer on the surface of the surface other than the area to be removed
In the same etching solution, the dissolution rate is high.
Select only the area of the polyimide resin layer to be removed
And a method of manufacturing a circuit board.
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