JP3243784B2 - Work table positioning device - Google Patents

Work table positioning device

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JP3243784B2
JP3243784B2 JP31366795A JP31366795A JP3243784B2 JP 3243784 B2 JP3243784 B2 JP 3243784B2 JP 31366795 A JP31366795 A JP 31366795A JP 31366795 A JP31366795 A JP 31366795A JP 3243784 B2 JP3243784 B2 JP 3243784B2
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work table
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inspection
detection
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哲也 渡邉
良夫 森重
寿人 中村
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日立電子エンジニアリング株式会社
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  • Automatic Focus Adjustment (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、作業テーブルの
位置決め装置に関し、詳しくは、ウエハ異物検査装置に
おいて、検査テーブルの焦点合わせを行う場合におい
て、レーザ式光学位置センサの温度ドリフトによる位置
決めずれを防止することができるようなウエハ異物検査
装置の焦点合わせ装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a work table positioning apparatus, and more particularly, to a wafer foreign matter inspection apparatus which prevents a laser optical position sensor from being misaligned due to a temperature drift when the inspection table is focused. The present invention relates to a focusing apparatus for a wafer foreign matter inspection apparatus that can perform the focusing.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来のウエハ異物検査装置の焦点合わせ
方式を図5に示す。5は、ウエハ1を載置する検査テー
ブルであって、この検査テーブル5が横断するように焦
点合わせ領域全体に亙る太さの筒状のレーザビームによ
る光束2をレーザ光源3から照射して受光素子4側でこ
れを受光する。そして、検査テーブル5が遮断する光量
をその通過量により測定し、その遮断量が焦点位置に対
応するときに、検査テーブル5を停止して、ウエハ1の
位置をその高さに位置決めしてウエハ1に対する異物検
出光学系6の焦点合わせを行っている。なお、7は、レ
ーザ光源3の光を平行な照射光束にするレンズ系であ
り、8は、平行な照射光束を受光素子の受光面に集束さ
せるレンズ系であって、これらは、簡単に説明するため
に、単に凸レンズ1つで代表して表してある。なお、こ
のような検査テーブルの位置決め方式は、通常、光学式
変位量測定方式あるいは変位位置センサ方式と言われる
ものであって、焦点合わせ位置は、最初は、別途焦点合
わせ機構により、例えば、ウエハ1に対して距離の少し
ずれた2枚の縞パターン像を投影して焦点合わせが行わ
れ、そのときの受光素子4の出力電圧値が焦点合わせの
電圧値としてあらかじめ求められている。
2. Description of the Related Art FIG. 5 shows a focusing system of a conventional wafer foreign matter inspection apparatus. Reference numeral 5 denotes an inspection table on which the wafer 1 is placed. The inspection table 5 traverses the laser beam from the laser light source 3 to receive a light beam 2 of a cylindrical laser beam having a thickness over the entire focusing area so as to cross the inspection area. This is received on the element 4 side. Then, the amount of light blocked by the inspection table 5 is measured by the passing amount, and when the amount of blocking corresponds to the focal position, the inspection table 5 is stopped, and the position of the wafer 1 is positioned at that height. The foreign matter detection optical system 6 is focused on the lens 1. Reference numeral 7 denotes a lens system that converts the light from the laser light source 3 into a parallel irradiation light beam. Reference numeral 8 denotes a lens system that focuses the parallel irradiation light beam on the light receiving surface of the light receiving element. For simplicity, only one convex lens is represented as a representative. Incidentally, such a positioning method of the inspection table is generally referred to as an optical displacement measurement method or a displacement position sensor method, and the focus position is initially set by a separate focus mechanism, for example, by a wafer. Focusing is performed by projecting two fringe pattern images slightly displaced from one another, and the output voltage value of the light receiving element 4 at that time is obtained in advance as a focusing voltage value.

【0003】これは、ウエハ1に対する焦点合わせをそ
の都度焦点合わせ機構で求めていたのでは、スループッ
トが低下するので、最初だけ焦点合わせ機構により精密
にウエハ1を載置した検査テーブル5の焦点位置(高
さ)を求めておき、そのときの受光量を受光素子4の出
力として得る。以降は、この出力と同じ位置に検査テー
ブル5の高さを設定することでウエハ1に異物検出光学
系6を簡単にかつ高速に位置決めすることで合焦させ
る。
[0003] If the focusing on the wafer 1 is determined by the focusing mechanism each time, the throughput decreases. Therefore, the focusing position of the inspection table 5 on which the wafer 1 is precisely placed by the focusing mechanism only at the beginning. (Height) is obtained in advance, and the amount of received light at that time is obtained as an output of the light receiving element 4. Thereafter, by setting the height of the inspection table 5 at the same position as the output, the foreign matter detection optical system 6 is positioned on the wafer 1 simply and at high speed, thereby focusing.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかし、発光素子、受
光素子によるこのような光学式変位測定にあっては、特
に、受光素子側の温度特性の変化、いわゆる、温度ドリ
フトが問題になる。すなわち、図6に示されるように、
合焦位置Zfの出力電圧値をVfとし、検査テーブル5の
高さに対する出力電圧値の特性を測定したとき、その焦
点合わせ時点の特性グラフをG1とすれば、この特性
は、検査テーブル5の上昇とともに出力電圧Vfが順次
低下する。そして、周囲温度が上昇すると特性グラフG
1が右側にドリフトして特性がグラフG2に変化する。ま
た、周囲温度が低下すると特性グラフG1が左側にドリ
フトして特性がグラフG3に変化する。その結果、合焦
位置Zfに対応する出力電圧値Vfに設定しても、出力電
圧値Vfに対する検査テーブル5の高さ(Z方向の位
置)は、それぞれその時の温度によるドリフトする特性
に応じて変化し、本来の合焦位置ZfからぞれぞれΔd
2、Δd3分ずれてしまう。これにより検出誤差が発生
し、異物検出精度が低下する。このようなことを回避す
るために温度補償回路等により温度補償をしたとして
も、回路で行う以上、その回路も温度の影響を受け、温
度の影響を排除するには限界がある。この発明の目的
は、このような従来技術の問題点を解決するものであっ
て、温度ドリフトがあっても所定の位置に検査テーブル
等の作業テーブルを位置決めすることができる作業テー
ブルの位置決め装置を提供することにある。
However, in such an optical displacement measurement using a light emitting element and a light receiving element, a change in the temperature characteristic on the light receiving element side, that is, a so-called temperature drift, becomes a problem. That is, as shown in FIG.
When the output voltage value at the in-focus position Zf is Vf, and the characteristic of the output voltage value with respect to the height of the inspection table 5 is measured, and the characteristic graph at the time of focusing is G1, this characteristic is As the voltage rises, the output voltage Vf sequentially decreases. When the ambient temperature rises, the characteristic graph G
1 drifts to the right, and the characteristic changes to graph G2. When the ambient temperature decreases, the characteristic graph G1 drifts to the left, and the characteristic changes to a graph G3. As a result, even if the output voltage value Vf corresponding to the in-focus position Zf is set, the height (the position in the Z direction) of the inspection table 5 with respect to the output voltage value Vf depends on the drift characteristic due to the temperature at that time. And Δd from the original focus position Zf.
2. It is shifted by Δd3. As a result, a detection error occurs, and the accuracy of foreign matter detection decreases. Even if the temperature is compensated by a temperature compensating circuit or the like to avoid such a situation, as long as the temperature is compensated by the circuit, the circuit is also affected by the temperature, and there is a limit in eliminating the influence of the temperature. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve such a problem of the related art, and an object of the present invention is to provide a work table positioning device that can position a work table such as an inspection table at a predetermined position even when there is a temperature drift. To provide.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るための発明の作業テーブルの位置決め装置の特徴は、
位置検出領域に亙る範囲の光束を照射する照射光源と、
この照射光源からの光を受光する受光器と、この受光器
と照射光源との間において位置検出領域の範囲で光束を
片側から順次遮断する方向に横断移動する作業テーブル
と、受光器の手前において片側から光束の一部を遮断す
る遮蔽板とを備えていて、遮蔽板のみにより遮蔽された
ときの受光器の検出電圧と作業テーブルが所定の位置に
位置決めされたときの受光器の検出電圧との差値を求め
てこれを基準値として記憶し、作業テーブルの所定の位
置への位置決めを遮蔽板のみにより遮蔽されたときの受
光器の検出電圧と作業テーブルが横断移動しているとき
の受光器の検出電圧との差値を求めてこの差値が実質的
に基準値になる位置に作業テーブルを位置決めするもの
である。
The features of the work table positioning device of the present invention for achieving the above object are as follows.
An irradiation light source for irradiating a light beam in a range over the position detection area;
A light receiving device that receives light from the irradiation light source, a work table that traverses in a direction of sequentially blocking light beams from one side in a range of a position detection area between the light receiving device and the irradiation light source, and A shielding plate that blocks a part of the light beam from one side is provided, and the detection voltage of the light receiving device when shielded only by the shielding plate and the detection voltage of the light receiving device when the work table is positioned at a predetermined position. The difference between the detected voltage and the reference value is stored as a reference value, and the position of the work table at a predetermined position is detected by the light receiving device when the work table is shielded only by the shield plate and the light reception when the work table is moving transversely. The work table is positioned at a position where the difference value from the detection voltage of the container is obtained and the difference value substantially becomes a reference value.

【0006】[0006]

【発明の実施の形態】このように、作業テーブルの遮蔽
に沿った片側から光束の一部を遮断する遮蔽板を設ける
ことにより、遮蔽板を越えるまでは、受光器は、作業テ
ーブルの移動に関わらず一定量の光を受ける。その結
果、図4に示されるような、特性になる。すなわち、そ
の出力電圧特性は、合焦位置の出力電圧値をVfとし、
例えば、作業テーブルとして検査テーブルの高さZに対
する出力電圧値の特性を測定したとき、図4において、
別途焦点あわせ機構により行ったその焦点合わせ時点の
特性をGaとすれば、これは、遮蔽板が遮蔽する位置Z
Sまでの間は、一定電圧となり、その後、検査テーブル
の上昇とともに出力電圧Vfが順次低下する特性にな
る。そして、周囲温度が上昇すると特性グラフGaが右
側にドリフトして特性がGbに変化する。また、周囲温
度が低下すると特性グラフGaが左側にドリフトして特
性がGcに変化する。この温度ドリフト状態であって
も、先の遮蔽板が遮蔽する位置ZSの位置はほとんど変
化しない。このとき、出力電圧値Vfに対する検査テー
ブルの高さ(Z方向の位置)は、それぞれの特性に応じ
てZb,Zcと変化し、本来の合焦位置からぞれぞれΔd
b、Δdc分ずれてしまう。
As described above, by providing the shield plate for blocking a part of the light beam from one side along the shield of the work table, the light receiver can move the work table until the work table is exceeded. Regardless, it receives a certain amount of light. As a result, characteristics are obtained as shown in FIG. That is, the output voltage characteristic is such that the output voltage value at the in-focus position is Vf,
For example, when a characteristic of an output voltage value with respect to a height Z of an inspection table is measured as a work table, FIG.
Assuming that the characteristic at the time of focusing performed separately by the focusing mechanism is Ga, this is the position Z at which the shielding plate shields.
The voltage is constant until S, and thereafter, the output voltage Vf gradually decreases as the inspection table rises. When the ambient temperature increases, the characteristic graph Ga drifts to the right, and the characteristic changes to Gb. When the ambient temperature decreases, the characteristic graph Ga drifts to the left and the characteristic changes to Gc. Even in this temperature drift state, the position of the position ZS at which the previous shielding plate shields hardly changes. At this time, the height (position in the Z direction) of the inspection table with respect to the output voltage value Vf changes to Zb and Zc according to the respective characteristics, and Δd respectively from the original in-focus position.
b, Δdc.

【0007】しかし、このとき、遮蔽板により遮蔽され
た電圧値Va,Vb,Vcも特性グラフGa,Gb,Gc
とともにドリフトする。温度ドリフトの場合には、特性
グラフGa,Gb,Gcは、ほぼ平行移動する関係にな
るので、電圧値Va,Vb,Vcのドリフト量と合焦位置
の出力電圧Vf,Vfb,Vfcのドリフト量とがほぼ等し
くなる。そこで、特性グラフGb,Gcにおける差値、
すなわち、Vb−Vfb,Vc−Vfcは、一定値Vr(=Va
−Vf,焦点合わせ時の基準値)にほぼ等しい。したが
って、検査テーブルの合焦位置の設定について遮光板の
みにより光束を遮光したときの受光素子4の検出電圧値
Vsと検査テーブルがさらに光束を前記の遮光位置を越
えて遮光したときの受光素子4の検出電圧値Vdとの差
値V=Vs−Vdを検出し、この差値がVrになるように
すれば、温度ドリフトに関係なく、常に合焦位置に設定
することができる。すなわち、この発明では、位置検出
を行うための光束に対して遮光板を設けてその一部を遮
光しておき、この遮光板が遮光する状態の検出値と作業
テーブルが前記光束を遮光板の遮光位置を越えて遮光し
たときの検出値の差により焦点合わせ等の位置決めを行
う。このようにすることで、これら2つの検出値はとも
にほぼ同じように温度ドリフトにより変動するので、そ
の差値は温度ドリフトの影響が排除され、この差値を最
初に位置決めした位置での基準値である差値に合わせる
ようにすることで、簡単に高速に作業テーブルの位置決
めができ、かつ、温度ドリフトにより位置決め誤差を排
除することができる。
However, at this time, the voltage values Va, Vb, Vc shielded by the shield plate are also represented by the characteristic graphs Ga, Gb, Gc.
Drift with. In the case of temperature drift, the characteristic graphs Ga, Gb, and Gc have a relationship of substantially parallel movement, so that the drift amounts of the voltage values Va, Vb, and Vc and the drift amounts of the output voltages Vf, Vfb, and Vfc at the in-focus position. Are approximately equal. Therefore, the difference values in the characteristic graphs Gb and Gc,
That is, Vb-Vfb and Vc-Vfc are constant values Vr (= Va
-Vf, the reference value for focusing). Therefore, regarding the setting of the focus position of the inspection table, the detection voltage value Vs of the light receiving element 4 when the light beam is shielded only by the light shielding plate and the light receiving element 4 when the inspection table further shields the light beam beyond the above light shielding position. If the difference value V = Vs−Vd from the detected voltage value Vd is detected and the difference value is set to Vr, the focus position can always be set regardless of the temperature drift. That is, in the present invention, a light-shielding plate is provided for a light beam for performing position detection, and a part of the light-shielding plate is shielded. Positioning such as focusing is performed based on a difference between detection values when light is shielded beyond the light shielding position. By doing so, since these two detected values both fluctuate almost in the same manner due to the temperature drift, the difference value eliminates the influence of the temperature drift, and the reference value at the position where the difference value is first positioned. By adjusting to the difference value, it is possible to easily and quickly position the work table, and to eliminate a positioning error due to a temperature drift.

【0008】[0008]

【実施例】図1は、この発明の作業テーブルの位置決め
装置を適用した異物検査装置の一実施例の検出光学系を
中心とする構成図、図2は、焦点合わせ位置設定処理の
フローチャート、図3は、この発明における検査テーブ
ルの位置検出の説明図、そして、図4は、その受光素子
の出力電圧特性の説明図である。図1に示す、10は、
異物検査装置であって、異物検査光学系11とその下側
に配置された検査テーブル12、データ処理・制御装置
13、テーブル駆動回路14、A/D変換回路(A/
D)17、X移動機構18、制御回路19、インタフェ
ース20、そして、図5と同様に検査テーブルの位置決
め部(後述)とからなり、検査テーブル12にはウエハ
1が載置されている。また、制御回路19は、インタフ
ェース20を介してデータ処理・制御装置13からの信
号に応じてX移動機構18やCCD制御・信号読出回路
155に対して駆動制御信号を発生する。
1 is a block diagram mainly showing a detection optical system of an embodiment of a foreign substance inspection apparatus to which a work table positioning apparatus according to the present invention is applied, and FIG. 2 is a flowchart of a focusing position setting process. 3 is an explanatory diagram of position detection of the inspection table in the present invention, and FIG. 4 is an explanatory diagram of output voltage characteristics of the light receiving element. 1 shown in FIG.
A foreign matter inspection apparatus, which includes a foreign matter inspection optical system 11, an inspection table 12, a data processing / control device 13, a table driving circuit 14, an A / D conversion circuit (A / D
D) 17, an X moving mechanism 18, a control circuit 19, an interface 20, and a positioning unit (described later) for an inspection table as in FIG. 5, and the inspection table 12 has a wafer 1 mounted thereon. Further, the control circuit 19 generates a drive control signal to the X moving mechanism 18 and the CCD control / signal readout circuit 155 in accordance with a signal from the data processing / control device 13 via the interface 20.

【0009】異物検査光学系11は、その内部を図示す
るように、検出光学系15と投光学系16とからなり、
投光光学系16が副走査方向に幅のあるウエハ1上の検
査領域30にレーザビームを照射する。そして、その上
方散乱光を検査テーブル12の鉛直方向上部に設けられ
た検出光学系15が受光して検出する。異物検査光学系
11は、X方向移動機構18に固定されていて、X方向
にシフトする。なお、検査領域30のX方向の長さが主
走査方向の1ラインの幅になっている。したがって、副
走査方向(X方向)の走査ピッチは、この幅に対応す
る。投光光学系16は、半導体レーザ光源161と、集
光レンズ系162,163、164、そして、反射ミラ
ー165とからなり、レーザビームを検査領域30に対
応する長円形の形に集束させ、ほぼウエハ1からの仰角
が30°で照射する。
The foreign substance inspection optical system 11 includes a detection optical system 15 and a projection optical system 16 as shown in the drawing.
The light projecting optical system 16 irradiates the inspection area 30 on the wafer 1 having a width in the sub-scanning direction with a laser beam. Then, the upward scattered light is received and detected by a detection optical system 15 provided at an upper portion in the vertical direction of the inspection table 12. The foreign matter inspection optical system 11 is fixed to the X direction moving mechanism 18 and shifts in the X direction. The length of the inspection area 30 in the X direction is the width of one line in the main scanning direction. Therefore, the scanning pitch in the sub-scanning direction (X direction) corresponds to this width. The light projecting optical system 16 includes a semiconductor laser light source 161, condensing lens systems 162, 163, 164, and a reflecting mirror 165. The light projecting optical system 16 focuses the laser beam into an oblong shape corresponding to the inspection area 30. Irradiation is performed at an elevation angle of 30 ° from the wafer 1.

【0010】検出光学系15は、ウエハ1の検査領域3
0に対峙する対物レンズ151とその後ろに配置された
空間フィルタ152、そしてその後方に配置された集光
レンズ系153、集光レンズ系153により結像された
検査領域30の映像全体を受けるCCDセンサ154、
そしてCCDセンサ154からの検出信号を読み出す、
CCD制御・信号読出回路155とからなる。CCD制
御・信号読出回路155は、データ処理・制御装置13
から制御回路19,インタフェース20を介して制御さ
れ、受光強度に応じて検出された検出信号をシリアルに
読出してA/D17,インタフェース20を介してデジ
タル値に変換してデータ処理・制御装置13に送出す
る。ここで、検出光学系15は、主走査方向(Y方向)
において、ウエハ1の移動開始位置における先頭部分に
対応するように検査領域30に対応して配置されてい
る。
[0010] The detection optical system 15 is connected to the inspection area 3 of the wafer 1.
0, an objective lens 151, a spatial filter 152 disposed behind the objective lens 151, a condenser lens system 153 disposed behind the objective lens 151, and a CCD that receives the entire image of the inspection area 30 formed by the condenser lens system 153. Sensor 154,
Then, the detection signal from the CCD sensor 154 is read out.
And a CCD control / signal readout circuit 155. The CCD control / signal readout circuit 155 includes the data processing / control device 13
Is controlled via a control circuit 19 and an interface 20 and serially reads out a detection signal detected in accordance with the received light intensity, converts it into a digital value via an A / D 17 and an interface 20, and sends it to the data processing / control device 13. Send out. Here, the detection optical system 15 is in the main scanning direction (Y direction).
In FIG. 3, the wafer 1 is arranged corresponding to the inspection area 30 so as to correspond to the leading portion of the movement start position.

【0011】データ処理・制御装置13は、通常、MP
U131とメモリ132等により構成され、前記のA/
D17からの信号をインタフェース20,バス133を
介して受けてメモリ132に記憶する。そして、メモリ
132には、異物検出プログラム134,ウエハ走査プ
ログラム135、焦点合わせプログラム136等をはじ
めとして各種のプログラムが格納されている。さらに、
パラメータ記憶領域137には、前記した図4における
差値Vr(Vr=Va−Vf)が記憶されている。
The data processing / control device 13 usually has an
U131 and a memory 132, etc.
The signal from D17 is received via the interface 20 and the bus 133 and stored in the memory 132. The memory 132 stores various programs including a foreign substance detection program 134, a wafer scanning program 135, a focusing program 136, and the like. further,
The parameter storage area 137 stores the difference value Vr (Vr = Va−Vf) in FIG. 4 described above.

【0012】この差値Vrは、実際に焦点合わせ手段に
より検査テーブル12にウエハ1を載置して焦点合わせ
をしたときの、後述する遮光板9付きでの受光素子4の
検出電圧値Vfと、検査テーブル12を上昇させない
で、検査テーブル12が光束2を遮光していないとき、
ただし、遮光板9により遮光がされているときの電圧値
をVaとを測定し、これらの差値(Va−Vf)を算出し
てVrとして記憶したものである。テーブル駆動回路1
4は、MPU131によるウエハ走査プログラム135
の実行に応じて、検査テーブル12をY方向に移動し、
Y方向にウエハ1の直径D+α分(αは、走査余裕分)
の移動が終了した時点で、Zθテーブル142を180
°回転させて、Y方向に直径D+α分の帰り移動をさせ
る駆動を行う。すなわち、Y方向の往復走査と回転走査
とを行う。
The difference value Vr is equal to the detection voltage value Vf of the light receiving element 4 with the light shielding plate 9 described later when the wafer 1 is actually placed on the inspection table 12 by the focusing means and focused. When the inspection table 12 does not block the light beam 2 without raising the inspection table 12,
However, the voltage value when the light is shielded by the light shielding plate 9 is measured as Va, and the difference value (Va−Vf) is calculated and stored as Vr. Table drive circuit 1
4 is a wafer scanning program 135 by the MPU 131
The inspection table 12 is moved in the Y direction according to the execution of
In the Y direction, the diameter D + α of the wafer 1 (α is a scanning margin)
At the end of the movement of the Zθ table 142,
A rotation is made to make a return movement by a diameter D + α in the Y direction. That is, reciprocal scanning and rotational scanning in the Y direction are performed.

【0013】検査テーブル12は、Yテーブル121と
Zθテーブル122と、Zθテーブル122に設けられ
た中心位置決め機構123とからなる。中心位置決め機
構123は、ウエハ1の周囲外側に円形に配置された複
数のローラ124,124,…からなる絞り機構であ
る。いわゆるシャッタの絞りと同様にローラ124,1
24,…が外側から内側に連動して回動し、検査テーブ
ル12の中心にウエハ1の中心を位置決めする。Yテー
ブル121は、ベース板125と、これに設けられたレ
ール126,126上をY方向にスライドするテーブル
127とから構成されている。Zθテーブル122は、
テーブル127に載置されたテーブルであって、そのZ
方向の移動は、内部に設けられテーブル127上に固定
された昇降機構に行われ、主として後述する焦点合わせ
処理によるウエハ1の上下方向の位置設定を行う。
The inspection table 12 includes a Y table 121, a Zθ table 122, and a center positioning mechanism 123 provided on the Zθ table 122. The center positioning mechanism 123 is a diaphragm mechanism including a plurality of rollers 124, 124,... The rollers 124 and 1 are similar to a so-called shutter aperture.
Are rotated from the outside to the inside to position the center of the wafer 1 at the center of the inspection table 12. The Y table 121 includes a base plate 125 and a table 127 that slides on rails 126 and 126 provided in the base plate 125 in the Y direction. The Zθ table 122 is
A table placed on the table 127, and its Z
The movement in the direction is performed by an elevating mechanism provided inside and fixed on a table 127, and mainly sets the vertical position of the wafer 1 by a focusing process described later.

【0014】ここでは、検査テーブル12を合焦高さに
設定する装置が図5と同様に設けられている。これは、
図1とその検査テーブルの位置検出の説明図である図3
とに示すように、遮光板9が設けられている点を除け
ば、図5と同様の構成になっている。すなわち、ここで
は、受光素子4の手前のレンズ系8の前面には、遮光板
9が設けられている。そして、図1に示すように、受光
素子4の検出信号は、増幅回路41を介してA/D17
に送出され、インタフェース20を介してMPU131
に渡されて所定の処理を受ける。また、レーザ光源3
は、制御回路19,駆動回路31を介して駆動される。
遮光板9は、図3に示すように、検査テーブル12が上
昇して、Z方向においてその下側から順次高さを高くし
ていったときに、光束2を順次遮光する片側(下側)の
位置において光束2の一部をその端から覆う形で配置さ
れている。その結果、先に説明したように、受光素子4
の出力電圧特性は、検査テーブル12の上昇とともに図
4の特性グラフGa,Gb,Gcのような特性になる。
Here, an apparatus for setting the inspection table 12 at the in-focus height is provided in the same manner as in FIG. this is,
FIG. 1 and FIG. 3 illustrating the position detection of the inspection table.
As shown in FIG. 5, except that a light shielding plate 9 is provided, the configuration is similar to that of FIG. That is, here, the light shielding plate 9 is provided on the front surface of the lens system 8 before the light receiving element 4. Then, as shown in FIG. 1, the detection signal of the light receiving element 4 is supplied to the A / D 17 via the amplifier circuit 41.
To the MPU 131 via the interface 20
And is subjected to predetermined processing. In addition, the laser light source 3
Are driven via the control circuit 19 and the drive circuit 31.
As shown in FIG. 3, one side (lower side) of the light shielding plate 9 for sequentially shielding the light beam 2 when the inspection table 12 is raised and the height is sequentially increased from the lower side in the Z direction, as shown in FIG. Is arranged so as to cover a part of the light beam 2 from its end. As a result, as described above, the light receiving element 4
Output voltage characteristics become characteristics like the characteristic graphs Ga, Gb, and Gc in FIG. 4 as the inspection table 12 rises.

【0015】図2は、焦点合わせプログラム136によ
る焦点合わせのフローチャートであって、異物検出処理
に先だって実行される。まず、検査テーブル12を初期
位置に設定する(ステップ101)。この位置は、光束
2を遮光しない、下側の基準位置である。そして、受光
素子4の現在の出力電圧を検出し、それを検出電圧値を
Vsとしてメモリ132に記憶する(ステップ10
2)。次にZテーブルを所定量駆動して検査テーブル1
2を上昇させる(ステップ103)。そして受光素子4
の現在の出力電圧を検出し、検出電圧値をVdとしてメ
モリ132に記憶する(ステップ104)。さらに、差
値V=Vs−Vdを算出する(ステップ105)。さら
に、Vr−δ≦V≦Vr+δの範囲にあるかの判定をする
(ステップ106)。ただし、δは、焦点合わせ位置の
許容誤差である。
FIG. 2 is a flowchart of the focusing by the focusing program 136, which is executed prior to the foreign matter detection processing. First, the inspection table 12 is set to an initial position (Step 101). This position is a lower reference position where the light beam 2 is not blocked. Then, the current output voltage of the light receiving element 4 is detected, and the detected output voltage is stored in the memory 132 as the detected voltage value Vs (step 10).
2). Next, the Z table is driven by a predetermined amount and the inspection table 1 is driven.
2 is raised (step 103). And the light receiving element 4
Is detected, and the detected voltage value is stored in the memory 132 as Vd (step 104). Further, a difference value V = Vs-Vd is calculated (step 105). Further, it is determined whether or not Vr−δ ≦ V ≦ Vr + δ is satisfied (step 106). Here, δ is an allowable error of the focusing position.

【0016】ステップ106の判定結果がNOであって
かつV≦Vr−δのときには、検査テーブル12をZ方
向へさらに上昇させて(ステップ107)、ステップ1
04に戻る。また、判定結果がNOであってかつV≧V
r+δのときには、検査テーブル12をZ方向へさらに
降下させて(ステップ108)、ステップ104に戻
る。この繰り返しループにおいて、ステップ105の判
定によりYESとなったときに、検査テーブル12の上
昇を停止させる(ステップ109)。このときの差値V
は、最初に焦点あわせ機構により正確に焦点あわせをし
たときの焦点合わせ時の基準値Vr(=Vs−Vf)に一
致しているので、焦点合わせ位置に検査テーブル12が
位置決めされたことになる。この位置決め位置は、図4
の特性グラフGa,Gb,Gcからして、温度ドリフト
に影響されることなく、最初の焦点合わせ測定時の測定
位置に実質的に一致している。これにより検査テーブル
12の焦点位置への位置合わせを終了して異物検出処理
に移る(ステップ110)。
If the result of the determination in step 106 is NO and V ≦ Vr−δ, the inspection table 12 is further raised in the Z direction (step 107), and
Return to 04. If the determination result is NO and V ≧ V
In the case of r + δ, the inspection table 12 is further lowered in the Z direction (Step 108), and the process returns to Step 104. In this repetitive loop, when the determination in step 105 becomes YES, the raising of the inspection table 12 is stopped (step 109). Difference value V at this time
Coincides with the reference value Vr (= Vs−Vf) at the time of focusing when the focusing is accurately performed first by the focusing mechanism, so that the inspection table 12 is positioned at the focusing position. . This positioning position is shown in FIG.
According to the characteristic graphs Ga, Gb, and Gc, they substantially coincide with the measurement position at the time of the first focusing measurement without being affected by the temperature drift. Thus, the positioning of the inspection table 12 at the focal position is completed, and the process proceeds to the foreign substance detection processing (step 110).

【0017】以上説明してきたが、遮光板9の遮光量
は、図4の温度ドリフト特性において、特性グラフG
a,Gb,Gcの変動の範囲を含めてこれらのリニアリ
ティのよいところに設定すればよい。また、実際の焦点
合わせ位置における差値Vrの測定は、縞パターンばか
りでなく、ウエハ1上の所定のマークパターンをCCD
センサ154により検出して、その検出信号のレベルが
最大値になるところを焦点合わせ位置としてもよい。こ
こでは、そのほか、各種の焦点合わせ方法を用いること
ができる。また、実施例では、レーザ光を用いている
が、光束は、白色光やLEDによる発光光であってもよ
い。また、光束は、検出テーブルの移動方向において焦
点合わせ位置を含む所定の幅を持てばよい。さらに、実
施例では、焦点合わせを中心に説明しているが、この発
明は、焦点合わせに限定されるものではなく、作業テー
ブルの位置決め一般に適用できることはもちろんであ
る。
As described above, the light shielding amount of the light shielding plate 9 is determined by the characteristic graph G in the temperature drift characteristic of FIG.
What is necessary is just to set to the place where these linearity is good including the fluctuation range of a, Gb, and Gc. Further, the measurement of the difference value Vr at the actual focus position is performed by not only a stripe pattern but also a predetermined mark pattern on the wafer 1 by a CCD.
The point at which the level of the detection signal is detected by the sensor 154 and reaches the maximum value may be determined as the focusing position. Here, various other focusing methods can be used. In the embodiment, laser light is used, but the light beam may be white light or light emitted by an LED. Further, the light flux may have a predetermined width including the focus position in the moving direction of the detection table. Further, in the embodiments, focusing has been mainly described, but the present invention is not limited to focusing, and it is needless to say that the present invention can be applied to positioning of a work table in general.

【0018】[0018]

【発明の効果】以上の説明のとおり、この発明による作
業テーブルの位置決め装置にあっては、位置検出を行う
ための光束に対して遮光板を設けてその一部を遮光して
おき、この遮光板が遮光する状態の検出値と作業テーブ
ルが前記光束を遮光板の遮光位置を越えて遮光したとき
の検出値の差により焦点合わせ等の位置決めを行う。こ
のようにすることで、これら2つの検出値はともにほぼ
同じように温度ドリフトにより変動するので、その差値
は温度ドリフトの影響が排除され、この差値を最初に位
置決めした位置での基準値である差値に合わせるように
することで、簡単に高速に作業テーブルの位置決めがで
き、かつ、温度ドリフトにより位置決め誤差を排除する
ことができる。
As described above, in the work table positioning apparatus according to the present invention, a light shielding plate is provided for a light beam for performing position detection, and a part thereof is shielded from light. Positioning such as focusing is performed based on a difference between a detection value in a state where the plate is shielded from light and a detection value when the work table shields the light beam beyond the light shielding position of the light shielding plate. By doing so, since these two detected values both fluctuate almost in the same manner due to the temperature drift, the difference value eliminates the influence of the temperature drift, and the reference value at the position where the difference value is first positioned. By adjusting to the difference value, it is possible to easily and quickly position the work table, and to eliminate a positioning error due to a temperature drift.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】図1は、この発明のこの発明の作業テーブルの
位置決め装置を適用した異物検査装置の一実施例の検出
光学系を中心とする構成図である。
FIG. 1 is a configuration diagram centering on a detection optical system of an embodiment of a foreign substance inspection apparatus to which a work table positioning apparatus according to the present invention is applied.

【図2】図2は、焦点合わせ位置設定処理のフローチャ
ートである。
FIG. 2 is a flowchart of a focusing position setting process.

【図3】図3は、この発明における検査テーブルの位置
検出の説明図である。
FIG. 3 is an explanatory diagram of position detection of an inspection table according to the present invention.

【図4】図4は、その受光素子の出力電圧特性の説明図
である。
FIG. 4 is an explanatory diagram of output voltage characteristics of the light receiving element.

【図5】図5は、従来の光学的に位置決めを行う検査テ
ーブルの位置検出方式の説明図である。
FIG. 5 is an explanatory diagram of a conventional position detection method of an inspection table that performs optical positioning.

【図6】図6は、従来の受光素子の出力電圧特性の温度
ドリフトの説明図である。
FIG. 6 is an explanatory diagram of a temperature drift of an output voltage characteristic of a conventional light receiving element.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…ウエハ、2,11…異物検査光学系、3…検査領
域、10…異物検査装置、12…検査テーブル、13…
データ処理・制御装置、14…テーブル駆動回路、15
…検出光学系、16…投光学系、17…A/D変換回路
(A/D)、18…X方向移動機構、131…MPU、
132…メモリ、133…バス、134…異物検出プロ
グラム、135…ウエハ走査プログラム、136…焦点
合わせプログラム、137…パラメータ領域、151…
対物レンズ、152…空間フィルタ、153…集光レン
ズ系、154…CCDセンサ、155…CCD制御・信
号読出回路、161…半導体レーザ光源、162,16
3…集光レンズ系、164…反射ミラー。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Wafer, 2, 11 ... Foreign matter inspection optical system, 3 ... Inspection area, 10 ... Foreign matter inspection apparatus, 12 ... Inspection table, 13 ...
Data processing / control device, 14 ... Table drive circuit, 15
... Detection optical system, 16 ... Projection optical system, 17: A / D conversion circuit (A / D), 18: X-direction moving mechanism, 131: MPU,
132 memory, 133 bus, 134 foreign matter detection program, 135 wafer scanning program, 136 focusing program, 137 parameter area, 151
Objective lens, 152: spatial filter, 153: condenser lens system, 154: CCD sensor, 155: CCD control / signal readout circuit, 161: semiconductor laser light source, 162, 16
3 ... Condensing lens system, 164 ... Reflection mirror.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特公 平5−23063(JP,B2) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/68 G01N 21/88 H01L 21/66 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP 5-23063 (JP, B2) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H01L 21/68 G01N 21/88 H01L 21 / 66

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】位置検出領域に亙る範囲の光束を照射する
照射光源と、この照射光源からの光を受光する受光器
と、この受光器と前記照射光源との間において前記位置
検出領域の範囲で前記光束を片側から順次遮断する方向
に横断移動する作業テーブルと、前記受光器の手前にお
いて前記片側から前記光束の一部を遮断する遮蔽板とを
備え、前記遮蔽板のみにより遮蔽されたときの前記受光
器の検出電圧と前記作業テーブルが所定の位置に位置決
めされたときの前記受光器の検出電圧との差値を求めて
これを基準値として記憶し、前記作業テーブルの前記所
定の位置への位置決めを前記遮蔽板のみにより遮蔽され
たときの前記受光器の検出電圧と前記作業テーブルが前
記横断移動しているときの前記受光器の検出電圧との差
値を求めてこの差値が実質的に前記基準値になる位置に
前記作業テーブルを位置決めする作業テーブルの位置決
め装置。
1. An irradiation light source for irradiating a light beam in a range over a position detection area, a light receiver for receiving light from the irradiation light source, and a range of the position detection area between the light receiver and the irradiation light source. A work table that traverses in a direction to sequentially block the light beam from one side, and a shielding plate that blocks a part of the light beam from the one side in front of the light receiver, when the light beam is shielded only by the shielding plate The difference between the detected voltage of the light receiver and the detected voltage of the light receiver when the work table is positioned at a predetermined position is obtained and stored as a reference value, and the predetermined value of the work table is determined. The difference between the detection voltage of the light receiver when the positioning to the light is shielded only by the shield plate and the detection voltage of the light receiver when the work table is traversing is obtained. Positioning device for a work table for positioning the work table in a position to be substantially the reference value.
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