JP3243421B2 - Automatic layout design method of master slice - Google Patents

Automatic layout design method of master slice

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JP3243421B2
JP3243421B2 JP27193696A JP27193696A JP3243421B2 JP 3243421 B2 JP3243421 B2 JP 3243421B2 JP 27193696 A JP27193696 A JP 27193696A JP 27193696 A JP27193696 A JP 27193696A JP 3243421 B2 JP3243421 B2 JP 3243421B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、マスタスライス型
の半導体集積回路のレイアウト設計方法に関するもので
ある。
The present invention relates to a layout design method for a master slice type semiconductor integrated circuit.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、半導体集積回路の分野においては
多品種少量生産化が顕著であり、開発製造期間の短縮が
求められている。そこで、半導体基板上にトランジス
タ、抵抗、コンデンサ等の下地素子を予め形成したマス
タ基板を準備しておき、最後の配線のみを違えて行ない
機能の異なる複数の種類の半導体集積回路を実現する、
いわゆるマスタスライス方式が採用されている。マスタ
スライス型の半導体集積回路を設計する際には、マスタ
基板上の下地素子を回路素子に割り当てて配線する、電
算機を用いた自動レイアウト設計が行なわれている。
2. Description of the Related Art In recent years, in the field of semiconductor integrated circuits, the production of many kinds and small quantities has been remarkable, and it is required to shorten the development and manufacturing period. Therefore, a master substrate in which transistors, resistors, capacitors and other underlying elements are formed in advance on a semiconductor substrate is prepared, and a plurality of types of semiconductor integrated circuits having different functions are realized by changing only the last wiring.
A so-called master slice method is employed. When designing a master slice type semiconductor integrated circuit, an automatic layout design using a computer is performed in which a base element on a master substrate is allocated to a circuit element and wired.

【0003】従来、マスタスライス方式の自動レイアウ
ト設計においては、マスタ基板上のトランジスタエミッ
タサイズ、抵抗値、容量値等を各々いくつか組み合わせ
て複数の下地素子値を準備し、該下地素子値を推奨値と
して設計者に提供していた。設計者は、これらの推奨値
を使用して回路を設計する。
Conventionally, in an automatic layout design of the master slice system, a plurality of base element values are prepared by combining several transistor emitter sizes, resistance values, capacitance values, etc. on a master substrate, and the base element values are recommended. Provided to the designer as a value. The designer designs a circuit using these recommended values.

【0004】以下、図7〜図9を用いて、従来のマスタ
スライスの自動レイアウト設計方法の具体例を説明す
る。
A specific example of a conventional automatic layout design method for a master slice will be described below with reference to FIGS.

【0005】図7は、レイアウト設計の対象とする回路
図の一部である。図7において、回路上の抵抗素子1,
2の抵抗値はそれぞれ12kΩ,6kΩとなるように設
計されている。3,4は回路上のトランジスタである。
この回路を搭載するマスタ基板として、1kΩ,5k
Ω,10kΩの抵抗素子を持ち、推奨値に12kΩ,6
kΩの双方を含むマスタ基板を考える。
FIG. 7 is a part of a circuit diagram to be designed for layout. In FIG. 7, the resistance elements 1 and
2 are designed to be 12 kΩ and 6 kΩ, respectively. Reference numerals 3 and 4 are transistors on the circuit.
As a master board on which this circuit is mounted, 1 kΩ, 5 k
Ω, 10kΩ resistance element, recommended value 12kΩ, 6
Consider a master substrate that contains both kΩ.

【0006】図8は、素子値に基づいた従来の方法によ
るレイアウト結果を示す。1kΩの抵抗素子21A,2
1B及び10kΩの抵抗素子21Cを直列に接続して1
2kΩの合成抵抗21を実現し、1kΩの抵抗素子22
A及び5kΩの抵抗素子22Bを直列に接続して6kΩ
の合成抵抗22を実現している。コレクタC,ベース
B,エミッタEを持つトランジスタ23及び24をそれ
ぞれ図7のトランジスタ3及び4に、合成抵抗21及び
22をそれぞれ図7の抵抗素子1及び2に割り当ててい
る。ところが、図8のレイアウトでは、近接することが
好ましい合成抵抗21とトランジスタ23とが離れて存
在する。また、合成抵抗21及び22が離れて存在する
ため、両合成抵抗の間に相対精度を確保できない可能性
が高い。
FIG. 8 shows a layout result by a conventional method based on element values. 1 kΩ resistance element 21A, 2
1B and a resistance element 21C of 10 kΩ are connected in series to
A 2 kΩ combined resistor 21 is realized, and a 1 kΩ resistor element 22
A and a resistance element 22B of 5 kΩ are connected in series and 6 kΩ
Is realized. Transistors 23 and 24 having a collector C, a base B and an emitter E are assigned to transistors 3 and 4 in FIG. 7, respectively, and combined resistors 21 and 22 are assigned to resistance elements 1 and 2 in FIG. 7, respectively. However, in the layout of FIG. 8, the combined resistor 21 and the transistor 23, which are preferably close to each other, are separated from each other. Further, since the combined resistors 21 and 22 are separated from each other, there is a high possibility that relative accuracy cannot be secured between the two combined resistors.

【0007】図9は、これらの問題を解決するために図
7の回路を変更した回路図を示す。図9によれば、図7
の抵抗素子1を変更した6kΩの抵抗素子1A及び1B
を互いに直列に接続して、抵抗素子1と同じ12kΩの
抵抗値を回路上で作り出している。このことにより、図
9の回路上の抵抗素子1A、1B及び2は、対応する下
地素子の組合せが同じ「1kΩ及び5kΩの組合せ」に
なって近接した下地素子が割り当てられるため、相対精
度を確保しながらトランジスタ23,24の近くに配置
することが容易になる。
FIG. 9 is a circuit diagram obtained by modifying the circuit of FIG. 7 in order to solve these problems. According to FIG.
Resistance elements 1A and 1B of 6 kΩ obtained by changing the resistance element 1 of FIG.
Are connected in series with each other to create the same resistance value of 12 kΩ as that of the resistance element 1 on the circuit. As a result, the resistive elements 1A, 1B and 2 on the circuit of FIG. 9 are allocated with adjacent base elements in the same “combination of 1 kΩ and 5 kΩ” with the corresponding combination of base elements, so that relative accuracy is secured. However, it is easy to arrange them near the transistors 23 and 24.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】上記従来の自動レイア
ウト設計方法によると、なおも以下のような問題が発生
する。
According to the above-mentioned conventional automatic layout design method, the following problems still occur.

【0009】まず、近接したレイアウトの実現及び相対
精度の確保を目的とした上述の回路変更により、設計者
の負担が増大する。特に、通常のアナログIC用回路図
においては、抵抗値、容量値等の素子値は様々な数値を
とることが多く、このような回路素子値を特定のマスタ
基板用に変更しようとすると作業量が膨大になる。
First, the above-mentioned circuit change for the purpose of realizing a close layout and ensuring relative accuracy increases the burden on the designer. Particularly, in a typical analog IC circuit diagram, element values such as a resistance value and a capacitance value often take various numerical values, and when such a circuit element value is changed for a specific master substrate, the amount of work is increased. Becomes huge.

【0010】次に、ある回路素子値を実現するために組
合せ可能な下地素子値に合わせて回路変更しても、下地
素子値の組合せが限られるため、該回路素子値を実現す
るため互いに近接して接続したい回路素子の組合せに対
して、結果的に離れた下地素子が割り当てられて長い配
線長になる恐れがある。
Next, even if the circuit is changed in accordance with a base element value that can be combined to realize a certain circuit element value, the combination of the base element values is limited. As a result, there is a possibility that a base element that is distant is allocated to a combination of circuit elements that are desired to be connected, resulting in a long wiring length.

【0011】更に、回路素子相互の間で相対精度を確保
したい要求がある場合に、該要求を考慮せず下地素子を
レイアウトするため、相対精度の要求を持つ素子グルー
プを近接して配置できるとは限らず、したがって相対精
度を確保できない場合がある。この場合には、相対精度
の要求を満たすようにレイアウトを考慮して、回路変
更、又は試行錯誤的なレイアウト修正をしなければなら
ない。
Further, when there is a request to ensure relative accuracy between circuit elements, the base elements are laid out without considering the request, so that element groups having a request for relative accuracy can be arranged close to each other. However, the relative accuracy cannot be ensured in some cases. In this case, the circuit must be changed or the layout must be corrected by trial and error in consideration of the layout so as to satisfy the requirement of the relative accuracy.

【0012】本発明の目的は、回路を変更することな
く、マスタ基板上で近接したレイアウトを実現できて、
かつ要求される素子間に所望の相対精度を確保できるマ
スタスライスの自動レイアウト設計方法を提供すること
にある。
An object of the present invention is to realize a close layout on a master substrate without changing a circuit.
Another object of the present invention is to provide an automatic layout design method of a master slice which can secure desired relative accuracy between required elements.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
めに、本発明は、マスタスライスの自動レイアウト設計
方法を、マスタ基板全体を複数の分割領域に縦横に分割
して、回路素子に該分割領域内で最適な下地素子を割り
当てる構成とするものである。
In order to achieve the above-mentioned object, the present invention provides an automatic layout design method for a master slice by dividing an entire master substrate into a plurality of divided regions vertically and horizontally. In this configuration, an optimal base element is allocated in the divided area.

【0014】具体的に本発明が講じた解決手段は、同じ
種類の優先下地素子を各々1個含むように前記マスタ基
板全体を複数の分割領域に縦横に分割する第1の工程
と、前記半導体集積回路の回路素子であり優先下地素子
と同じ種類である優先回路素子の各々に優先下地素子を
割り当てる第2の工程と、優先回路素子に接続されるべ
き一般回路素子の各々に、対応する優先下地素子と同じ
分割領域内の一般下地素子の最適な組合せを割り当てる
第3の工程とを備える構成とするものである。
Specifically, a solution taken by the present invention is a first step of vertically and horizontally dividing the entire master substrate into a plurality of divided regions so as to include one priority underlying element of the same type, and A second step of allocating a priority underlayer element to each of the priority circuit elements that are the same type as the circuit element of the integrated circuit and of the same type as the priority underlayer element; and a priority step corresponding to each of the general circuit elements to be connected to the priority circuit element. And a third step of allocating an optimal combination of general base elements in the same divided region as the base element.

【0015】上記の構成により、優先下地素子を含む分
割領域内で、一般回路素子の各々に対して一般下地素子
の最適な組合せを割り当てるため、優先下地素子と一般
下地素子とを近接して配置できる。
With the above arrangement, in the divided region including the priority underlying element, the priority underlying element and the general underlying element are arranged close to each other in order to allocate the optimum combination of the general underlying element to each of the general circuit elements. it can.

【0016】[0016]

【0017】[0017]

【0018】[0018]

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る自動レイアウ
ト設計方法の具体例について、図面を参照しながら説明
する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a specific example of an automatic layout design method according to the present invention will be described with reference to the drawings.

【0019】図1は、図7に示す回路を搭載するマスタ
基板の平面図の一部を示すと共に、分割領域35,36
に優先下地素子であってコレクタC,ベースB,エミッ
タEを持つトランジスタ下地素子33,34をそれぞれ
含み、該トランジスタ下地素子33,34を図7のトラ
ンジスタ回路素子3,4にそれぞれ割り当て、分割領域
35,36がそれぞれ含む合成抵抗31,32を図7の
抵抗素子1,2にそれぞれ割り当てた、本発明に係るレ
イアウト設計方法による結果を示す。本具体例では、優
先下地素子であるトランジスタ下地素子を各分割領域に
1個ずつ含むようマスタ基板全体を複数の分割領域に縦
横に分割して、優先回路素子であるトランジスタ回路素
子の各々にトランジスタ下地素子を割り当て、あるトラ
ンジスタ回路素子に接続されるべき一般回路素子の各々
に対し、該トランジスタ回路素子に対応するトランジス
タ下地素子と同じ分割領域内の一般下地素子の最適な組
合せを割り当てるものとする。図1によれば、優先下地
素子であるトランジスタ下地素子33を含む分割領域3
5の中で、一般下地素子の最適な組合せとして、1kΩ
の抵抗素子31A,5kΩの抵抗素子31D及び31
E,1kΩの抵抗素子31Bを直列に接続して、12k
Ωの合成抵抗31を実現している。また、同様に、優先
下地素子であるトランジスタ下地素子34を含む分割領
域36の中で、一般下地素子の最適な組合せとして、1
kΩの抵抗素子32A及び5kΩの抵抗素子32Bを直
列に接続して6kΩの合成抵抗32を実現している。
FIG. 1 shows a part of a plan view of a master substrate on which the circuit shown in FIG.
7 includes transistor base elements 33 and 34 having a collector C, a base B, and an emitter E, respectively. The transistor base elements 33 and 34 are assigned to the transistor circuit elements 3 and 4 in FIG. 7 shows the results of the layout design method according to the present invention, in which the combined resistors 31 and 32 included in 35 and 36 are assigned to the resistance elements 1 and 2 in FIG. 7, respectively. In this specific example, the entire master substrate is vertically and horizontally divided into a plurality of divided regions so as to include one transistor base element as a priority base element in each divided area, and each of the transistor circuit elements as a priority circuit element is provided with a transistor. A base element is allocated, and to each of the general circuit elements to be connected to a certain transistor circuit element, an optimal combination of the general base elements in the same divided region as the transistor base element corresponding to the transistor circuit element is allocated. . According to FIG. 1, the divided region 3 including the transistor base element 33 which is the priority base element
5 out of 5 as 1 kΩ
Resistance elements 31A, 5kΩ resistance elements 31D and 31
E, a resistance element 31B of 1 kΩ is connected in series,
The combined resistance 31 of Ω is realized. Similarly, in the divided region 36 including the transistor base element 34 which is the priority base element, the optimum combination of the general base element is 1
A combined resistor 32 of 6 kΩ is realized by connecting a resistor 32 A of kΩ and a resistor 32 B of 5 kΩ in series.

【0020】上記の例によれば、推奨値及び下地素子値
を意識せずに設計した回路図である図7に含まれる回路
素子に対して、マスタ基板上で互いに接続されるべき複
数の下地素子を同一の分割領域内で割り当てるため、短
い配線長を得ることができる。また、下地素子値を組み
合わせた最適な組合せを回路素子に割り当てるため、推
奨値及び下地素子値を意識せずに回路設計をすることが
できて回路設計の自由度が増し、1つの回路図に対して
回路の変更をせずに複数の種類のマスタ基板を使用でき
ると共に、回路素子値に対し特定の下地素子値を偏って
割り当てることから生ずる特定の下地素子の不足を回避
できる。更に、設計した回路素子に対して下地素子を割
り当てることにより下地素子を用いてカスタムICを実
現できるため、カスタムICの回路図情報をデータベー
スとしてマスタスライス型半導体集積回路の設計に利用
できる。
According to the above example, the circuit elements included in FIG. 7, which is a circuit diagram designed without considering the recommended values and the underlying element values, are provided on the master substrate with a plurality of underlying elements to be connected to each other. Since elements are allocated in the same divided region, a short wiring length can be obtained. In addition, since the optimal combination of the base element values is assigned to the circuit elements, the circuit design can be performed without being conscious of the recommended values and the base element values. On the other hand, a plurality of types of master substrates can be used without changing the circuit, and shortage of a specific base element caused by biasing assignment of a specific base element value to a circuit element value can be avoided. Furthermore, a custom IC can be realized by using a base element by allocating a base element to a designed circuit element. Therefore, the circuit diagram information of the custom IC can be used as a database for designing a master slice type semiconductor integrated circuit.

【0021】なお、ある一般回路素子に対しある分割領
域内で一般下地素子の最適な組合せを割り当てられなか
った場合には、隣接する未使用の分割領域の中から最適
なものを追加した新たな領域において再度一般下地素子
の最適な組合せを割り当ててもよい。
If an optimum combination of general base elements cannot be assigned to a certain general circuit element within a certain division area, a new optimum one is added from adjacent unused division areas. An optimal combination of general base elements may be assigned again in the region.

【0022】なお、上記の例においては、優先下地素子
であるトランジスタ素子を各分割領域に1個ずつ含むよ
うにマスタ基板全体を複数の分割領域に縦横に分割した
が、より効果的に領域を形成するため、1つの分割領域
が複数の優先下地素子を含むようにマスタ基板全体を縦
横に分割してもよい。例えば、2倍のエミッタサイズを
持つ回路素子が多い場合には、1つの分割領域に2トラ
ンジスタ素子を含むようにマスタ基板を分割することが
有効である。
In the above example, the entire master substrate is vertically and horizontally divided into a plurality of divided regions so that each divided region includes one transistor element as a priority base element. To form the master substrate, the entire master substrate may be divided vertically and horizontally so that one divided region includes a plurality of priority base elements. For example, when there are many circuit elements having twice the emitter size, it is effective to divide the master substrate so that one divided region includes two transistor elements.

【0023】図2は、設計対象とする回路に対して本発
明に係る自動レイアウト設計方法を実施する場合の処理
の流れを示す。
FIG. 2 shows a flow of processing when the automatic layout design method according to the present invention is applied to a circuit to be designed.

【0024】まず、ステップS1で、設計対象とする回
路の回路図情報(ネットリスト、回路素子値等)を入力
する。ステップS2で、マスタ基板の素子形成部を分割
領域に分割する。この際、マスタ基板の素子形成部にお
いてトランジスタ下地素子を優先下地素子にする。ま
た、1つの分割領域にトランジスタ下地素子の1つを含
み、更に該トランジスタ下地素子近傍の他の種類の素子
(抵抗、コンデンサ等)を同じ分割領域に含むこととす
る。ステップS3で、優先下地素子であるトランジスタ
下地素子を、トランジスタ回路素子に割り当てる。この
際、優先回路素子の素子値と優先下地素子の素子値との
関係に基づいて、最適な優先下地素子を決定して割り当
てる。トランジスタでは、素子値として例えばエミッタ
サイズを用いて、エミッタ電流の値に対応したエミッタ
サイズを持つトランジスタを最適な下地素子として決定
する。ステップS4で、各トランジスタについて処理の
優先度を決定する。
First, in step S1, circuit diagram information (net list, circuit element values, etc.) of a circuit to be designed is input. In step S2, the element forming portion of the master substrate is divided into divided regions. At this time, in the element formation portion of the master substrate, the transistor base element is set as the priority base element. In addition, one divided region includes one of the transistor base elements, and another type of element (such as a resistor or a capacitor) near the transistor base element is included in the same divided region. In step S3, a transistor base element, which is a priority base element, is assigned to a transistor circuit element. At this time, an optimum priority base element is determined and assigned based on the relationship between the element value of the priority circuit element and the element value of the priority base element. For the transistor, for example, using an emitter size as an element value, a transistor having an emitter size corresponding to the value of the emitter current is determined as an optimal base element. In step S4, the processing priority is determined for each transistor.

【0025】ステップS5で、優先回路素子である割当
て済み回路素子(本実施例ではトランジスタ回路素子)
に回路上接続する素子である一般回路素子を抽出する。
ステップS6で、一般回路素子を抽出できたかを判断す
る。抽出できなかった場合には、未割当ての回路素子は
残っていないので処理を終了する。
At step S5, an assigned circuit element (transistor circuit element in this embodiment) which is a priority circuit element
A general circuit element, which is an element connected on a circuit, is extracted.
In step S6, it is determined whether a general circuit element has been extracted. If the extraction has failed, the process ends because no unassigned circuit elements remain.

【0026】抽出できた場合には、ステップS7で抽出
した一般回路素子に精度要求があるかを判断する。精度
要求がない場合には、ステップS9aで、一般回路素子
毎に割り当てるべき分割領域を決定する。このとき、優
先回路素子に対応する優先下地素子を含む分割領域を、
該優先回路素子にそれぞれ接続する一般回路素子に対し
て割り当てる分割領域とする。ステップS10aで、割
り当てられた分割領域内で抵抗値、容量値等の回路素子
値を満たすように、一般下地素子の最適な組合せを一般
回路素子に割り当てる。この際、割り当てられた分割領
域と他の分割領域との位置関係、当該分割領域に含まれ
る下地素子の種類及び素子値、並びに他の一般回路素子
の割当て状態のうち少なくとも1つを用いた評価関数に
基づいて、一般下地素子の最適な組合せを定量的に決定
する。
If the extraction is successful, it is determined whether or not the general circuit element extracted in step S7 requires accuracy. If there is no accuracy requirement, in step S9a, a divided area to be assigned to each general circuit element is determined. At this time, the divided area including the priority underlying element corresponding to the priority circuit element is
The divided areas are assigned to general circuit elements connected to the priority circuit elements. In step S10a, the optimal combination of the general base elements is assigned to the general circuit elements so as to satisfy the circuit element values such as the resistance value and the capacitance value in the assigned divided area. At this time, the evaluation is performed using at least one of the positional relationship between the allocated divided area and another divided area, the type and element value of the underlying element included in the divided area, and the allocation state of other general circuit elements. Based on the function, an optimal combination of general base elements is quantitatively determined.

【0027】ステップS7で精度要求があると判断した
場合には、ステップS8で、精度要求がある素子グルー
プを抽出する。ステップS9bで、ステップS9aにお
いて一般回路素子毎に割り当てるべき分割領域を決定し
たように、該素子グループに対して割り当てるべき分割
領域を決定する。ステップS10bで、ステップS10
において、割り当てられた分割領域内で抵抗値、容量
値等の回路素子値を満たすようにして一般下地素子の最
適な組合せを一般回路素子に割り当てたように、該分割
領域内において下地素子の最適な組合せを素子グループ
の各一般回路素子に割り当てる。
If it is determined in step S7 that there is a request for accuracy, an element group having a request for accuracy is extracted in step S8. In step S9b, the process proceeds to step S9a .
To determine the divided area to be assigned to each general circuit element.
As described above, the divided area to be allocated to the element group is determined . In step S10b, step S10
a , the resistance value and the capacitance within the allocated divided area
Circuit element values such as
Just as an appropriate combination is assigned to a general circuit element, an optimal combination of base elements is assigned to each general circuit element of an element group in the divided area.

【0028】ステップS11a又はS11bでは、分割
領域内で下地素子を回路素子に割り当てられたかを判断
し、割り当てられたと判断した場合には、ステップS5
に移行して割当て済み回路素子に接続されるべき次の一
般回路素子を抽出する。ステップS11a又はS11b
で割り当てられなかったと判断した場合には、ステップ
S9a又はS9bに移行して隣接分割領域のうち最適な
ものを追加して新たな領域とし、該新たな領域において
ステップS10a又はS10bからの処理ルーチンを実
行する。ステップS9a又はS9bで追加する分割領域
を決定する場合、隣接分割領域の中心までのマンハッタ
ン距離、一般回路素子の素子値と隣接分割領域の持つ下
地素子値との比である素子値比、及び異なる層に構成さ
れた一般下地素子を混合して回路素子値を実現できる場
合において層が一致しない度合を示す層混在度の少なく
とも1つを用いた評価関数に基づいて、追加する分割領
域を定量的に決定する。例えば、評価関数として、 α×(マンハッタン距離)+β×(素子値比)+γ×
(層混在度)+e を用いる。ここで、α,β,γ及びeは重み付けの定数
であり、追加する分割領域を決定する際にどの項目を重
視するかに応じて設計者が定める。本発明に係る自動レ
イアウト設計方法によれば、設計した一般回路素子に一
般下地素子の最適な組合せを割り当てる際に評価関数を
用いて定量的に割り当てるため、評価関数の定数を設計
者が適切に選択することにより、設計者のレイアウトに
対する要求をよく反映できる。
In step S11a or S11b, it is determined whether a base element has been assigned to a circuit element in the divided area. If it is determined that the base element has been assigned, step S5
Then, the next general circuit element to be connected to the allocated circuit element is extracted. Step S11a or S11b
If it is determined that the area is not allocated in step S9a or S9b, the optimum area is added from the adjacent divided areas to form a new area, and the processing routine from step S10a or S10b is performed in the new area. Execute. When determining a divided region to be added in step S9a or S9b, the Manhattan distance to the center of the adjacent divided region, an element value ratio which is a ratio of an element value of a general circuit element to a base element value of the adjacent divided region, and a difference. When the circuit element value can be realized by mixing the general base elements configured in the layers, the additional divided area is quantitatively determined based on the evaluation function using at least one of the layer mixture degrees indicating the degree of the layer mismatch. To decide. For example, α × (Manhattan distance) + β × (element value ratio) + γ ×
(Layer mixture degree) + e is used. Here, α, β, γ, and e are weighting constants, and are determined by the designer according to which items are to be emphasized when determining the divided area to be added. According to the automatic layout design method according to the present invention, when assigning the optimal combination of the general base elements to the designed general circuit elements, the designer assigns the constants of the evaluation functions appropriately by using the evaluation functions. The selection can better reflect the requirements of the designer for the layout.

【0029】図3は、領域分割の例を示す。図3におい
て、41,41,…はそれぞれマスタ基板上の抵抗素
子、42はマスタ基板上のトランジスタ素子(トランジ
スタ下地素子)、43はマスタ基板上のコンデンサであ
る。トランジスタを優先下地素子にした場合、トランジ
スタ42について、右側、上側、左側及び下側にそれぞ
れ隣接するトランジスタとの間で対向する端部同士の間
に中線を引く。これら4本の中線によって囲まれた領域
を、トランジスタ42を含む分割領域とする。各優先下
地素子について同様の操作を行ない、分割領域の各々に
優先下地素子を各1個含むようにして、マスタ基板全体
を縦横に複数の分割領域に分割する。
FIG. 3 shows an example of area division. In FIG. 3, reference numerals 41, 41,... Denote resistive elements on the master substrate, 42, a transistor element (transistor base element) on the master substrate, and 43, a capacitor on the master substrate. When the transistor is used as a priority base element, a middle line is drawn between the ends of the transistor 42 that are opposed to the right, upper, left, and lower adjacent transistors. A region surrounded by these four middle lines is a divided region including the transistor 42. The same operation is performed for each priority base element, and the entire master substrate is vertically and horizontally divided into a plurality of division areas so that each division area includes one priority base element.

【0030】図4は、トランジスタt1 〜t3 、抵抗r
1 〜r7 及びコンデンサc1 のうち、抵抗r4 とr5
の間に相対精度を確保したい要求があった場合に、抵抗
4及びr5 を精度要求グループ54とした回路図の例
を示す。図5は、図4に基づいて各回路素子について節
レベルを決定し、各素子間で接続関係及び精度要求を示
す枝を発生させた接続グラフを示す。図4においてトラ
ンジスタを優先回路素子とすると、図5においてコレク
タC,エミッタEを持つt1 ,t2 ,t3 のトランジス
タ群がレベル0の節51となり、該トランジスタ群に接
続するr1 〜r6 の抵抗群がレベル1の節52となり、
更に該抵抗群に接続されるr7 の抵抗及びc1 のコンデ
ンサがレベル2の節53となる。抵抗r4 及びr5 は精
度要求グループ54である。回路図及び精度要求に従っ
て、トランジスタt1 と抵抗r1及びr4 との間に接続
関係を示す枝55を、抵抗r4 とr7 との間に接続関係
を示す枝55を生成し、同様に他の素子間においても接
続関係を示す枝を生成する。抵抗r4 とr5 との間には
精度要求を示す枝56を生成する。
FIG. 4 shows transistors t 1 to t 3 and a resistor r
1 ~r 7 and out of the capacitor c 1, example when there is a request to be secured relative accuracy, circuit diagram resistors r 4 and r 5 and accuracy requirements group 54 between the resistor r 4 and r 5 Is shown. FIG. 5 shows a connection graph in which a node level is determined for each circuit element based on FIG. 4, and a branch indicating a connection relationship and an accuracy requirement is generated between each element. When the transistor priority circuit elements in FIG. 4, the collector C, r 1 transistor group of t 1, t 2, t 3 with emitter E is connected next section 51 of level 0, to the transistor group ~r 5 The resistance group of 6 becomes the node 52 of the level 1,
Further, the resistor of r 7 and the capacitor of c 1 connected to the group of resistors form a node 53 of level 2. The resistors r 4 and r 5 are an accuracy request group 54. According to the circuit diagram and accuracy requirements, a branch 55 indicating a connection between the transistor t 1 and the resistors r 1 and r 4 and a branch 55 indicating a connection between the resistors r 4 and r 7 are generated. Then, a branch indicating a connection relationship between other elements is generated. A branch 56 is generated between the resistors r 4 and r 5 to indicate the accuracy requirement.

【0031】図6は、図7の回路図において抵抗素子1
と2との間に相対精度を確保する要求がある場合に同一
の分割領域に精度要求を持つ素子グループを配置した、
本発明に係るレイアウト設計方法の結果を示す。図6に
おいて、マスタ基板を縦横に分割した分割領域45及び
46にコレクタC,ベースB,エミッタEを持つトラン
ジスタ下地素子43及び44をそれぞれ含み、該トラン
ジスタ下地素子43及び44を優先回路素子である図7
のトランジスタ3及び4に割り当てている。精度要求を
有する図7の回路上の抵抗素子1と2とが抽出され、割
り当てるべき分割領域を決定する。この場合、割り当て
候補領域として45及び46の2通りがある。しかし、
図7の回路上の抵抗素子1及び2の抵抗値の和である総
回路抵抗は18kΩなので、総回路抵抗12kΩを持つ
分割領域46では抵抗値を実現できない。一方、分割領
域45は総回路抵抗53kΩを持つので、分割領域45
を図7の回路上の抵抗素子1及び2に割り当てる。分割
領域45において、1kΩの抵抗素子41A,5kΩの
抵抗素子41D及び41E,1kΩの抵抗素子41Bを
直列に接続して12kΩの合成抵抗41を実現し、1k
Ωの抵抗素子42A及び5kΩの抵抗素子42Bを直列
に接続して6kΩの合成抵抗42を実現して、合成抵抗
41及び42をそれぞれ図7の回路上の抵抗素子1及び
2に割り当てる。したがって、回路上の抵抗素子1及び
2はいずれも同一の分割領域内で互いに近距離にある下
地素子から構成されるため、良好な相対精度を確保する
ことができる。なお、ある素子グループに対しある分割
領域内で下地素子の最適な組合せを割り当てられなかっ
た場合には、隣接する未使用の分割領域の中から最適な
ものを追加した新たな領域において、再度下地素子の最
適な組合せを割り当ててもよい。上記の例によれば、精
度要求を有する素子グループに対して、該素子グループ
を同一又は近接した分割領域内で互いに近距離にある下
地素子から構成するため、良好な相対精度を確保するこ
とができる。
FIG. 6 is a circuit diagram of the circuit shown in FIG.
In the case where there is a request to ensure relative accuracy between and, an element group having an accuracy requirement is arranged in the same divided area,
4 shows the results of the layout design method according to the present invention. 6, divided regions 45 and 46 obtained by dividing the master substrate vertically and horizontally include transistor base elements 43 and 44 having a collector C, a base B and an emitter E, respectively, and the transistor base elements 43 and 44 are priority circuit elements. FIG.
Of the transistors 3 and 4. The resistive elements 1 and 2 on the circuit of FIG. 7 having the required accuracy are extracted, and a divided area to be assigned is determined. In this case, there are two types of allocation candidate areas, 45 and 46. But,
Since the total circuit resistance which is the sum of the resistance values of the resistance elements 1 and 2 on the circuit in FIG. 7 is 18 kΩ, the resistance value cannot be realized in the divided region 46 having the total circuit resistance of 12 kΩ. On the other hand, since the divided area 45 has a total circuit resistance of 53 kΩ,
Are assigned to the resistance elements 1 and 2 on the circuit of FIG. In the divided region 45, a 1 kΩ resistance element 41A, a 5 kΩ resistance element 41D and a 41 kΩ resistance element 41B are connected in series to realize a combined resistance 41 of 12 kΩ.
A resistor 42A of 5Ω and a resistor 42B of 5kΩ are connected in series to realize a combined resistor 42 of 6kΩ, and the combined resistors 41 and 42 are assigned to the resistors 1 and 2 on the circuit of FIG. 7, respectively. Therefore, since the resistive elements 1 and 2 on the circuit are both formed of base elements that are close to each other in the same divided region, good relative accuracy can be ensured. If the optimum combination of the underlying elements cannot be assigned to a certain element group within a certain divided area, a new area obtained by adding the optimum one from adjacent unused divided areas is used again for the background. An optimal combination of elements may be assigned. According to the above example, for an element group having an accuracy requirement, the element group is formed of base elements that are close to each other in the same or adjacent divided regions, so that good relative accuracy can be ensured. it can.

【0032】なお、上記の例においては、例示した評価
関数を追加分割領域の決定に用いた。その他にも、異な
る拡散層タイプの下地素子がマスタ基板上で混在する場
合、非常に大きい素子値の回路素子を扱う場合等に、領
域間の距離、領域内の拡散層タイプ別の総素子値等を変
数に採用した評価関数を、素子毎又は素子グループ毎に
割り当てるべき領域を決定するために、図2のステップ
S9a又は9bにおいて用いることも可能である。
In the above example, the exemplified evaluation function is used for determining an additional divided area. In addition, when base elements of different diffusion layer types are mixed on the master substrate, when handling circuit elements with very large element values, the distance between regions, the total element value for each diffusion layer type in the region In order to determine a region to be assigned to each element or each element group, an evaluation function employing the above as a variable can be used in step S9a or 9b in FIG.

【0033】また、上記の例においては、下地素子を用
いて回路素子に割り当てる場合を説明したが、これに代
えて、下地素子を組合せた基本セルを用いてもよい。
Further, in the above-described example, the case of allocating to circuit elements by using the underlying element has been described, but a basic cell in which the underlying elements are combined may be used instead.

【0034】また、上記の例においては、トランジスタ
下地素子を領域分割の基準とする場合を説明したが、ト
ランジスタに代えて他の下地素子を用いてもよい。更
に、マスタ基板の素子形成部分が下地素子の同じ組合せ
による同じ形状の繰り返しにより構成されている場合、
繰り返し形状の1つを単位として領域分割を行なうこと
も可能である。この場合には、1つの分割領域内のトラ
ンジスタエミッタサイズの合計値、総抵抗値、総容量値
等を考慮して回路を分割し、分割された回路のそれぞれ
を分割領域に対応させることにより、より一層回路のイ
メージに近いレイアウトを実現できる。
Further, in the above example, the case where the transistor base element is used as the reference for the region division has been described, but another base element may be used instead of the transistor. Further, when the element forming portion of the master substrate is configured by repeating the same shape by the same combination of the underlying elements,
It is also possible to divide the area in units of one of the repetitive shapes. In this case, the circuit is divided in consideration of the total value of the transistor emitter size, the total resistance value, the total capacitance value, and the like in one divided region, and each of the divided circuits corresponds to the divided region. A layout closer to a circuit image can be realized.

【0035】また、上記の例においては、設計対象をア
ナログ回路としたが、ディジタル回路に対しても適用す
ることができる。
In the above example, the design target is an analog circuit, but the present invention can be applied to a digital circuit.

【0036】[0036]

【発明の効果】以上説明してきたとおり、本発明によれ
ば、優先回路素子及びこれに接続されるべき一般回路素
子に対してマスタ基板上で同一又は近接した分割領域内
で下地素子を割り当てることとしたので、回路図を変更
することなく、該優先回路素子及び一般回路素子に対応
する下地素子を短距離で配線したレイアウト結果を得る
ことができる。
As described above, according to the present invention, a base element is allocated to a priority circuit element and a general circuit element to be connected thereto within the same or close divided area on a master substrate. Therefore, it is possible to obtain a layout result in which the underlying elements corresponding to the priority circuit element and the general circuit element are wired in a short distance without changing the circuit diagram.

【0037】また、回路上で精度要求を有する素子グル
ープに対しては、マスタ基板上で同一又は近接した分割
領域内で下地素子を割り当てることとしたので、該素子
グループの各回路素子に対応する下地素子を短距離で配
線したレイアウト結果を得ることができ、回路図を変更
することなく、該素子グループの各素子間において良好
な相対精度を確保することができる。
In addition, since a base element is assigned to an element group having an accuracy requirement on a circuit in the same or close divided area on the master substrate, it corresponds to each circuit element of the element group. A layout result in which the underlying elements are wired over a short distance can be obtained, and good relative accuracy can be secured between the elements of the element group without changing the circuit diagram.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る自動レイアウト設計方法を使用し
た配線レイアウトの例を示す平面図である。
FIG. 1 is a plan view showing an example of a wiring layout using an automatic layout design method according to the present invention.

【図2】本発明に係る自動レイアウト設計方法を示すフ
ローチャート図である。
FIG. 2 is a flowchart illustrating an automatic layout design method according to the present invention.

【図3】マスタ基板の領域分割の例を示す平面図であ
る。
FIG. 3 is a plan view showing an example of area division of a master substrate.

【図4】精度要求の例を示す回路図である。FIG. 4 is a circuit diagram showing an example of an accuracy request.

【図5】図4に係る接続グラフを示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a connection graph according to FIG. 4;

【図6】本発明に係る自動レイアウト設計方法を使用し
た配線レイアウトの他の例を示す平面図である。
FIG. 6 is a plan view showing another example of a wiring layout using the automatic layout design method according to the present invention.

【図7】レイアウト設計対象の例を示す回路図である。FIG. 7 is a circuit diagram showing an example of a layout design target.

【図8】従来例に係る自動レイアウト設計方法を使用し
た配線レイアウトの例を示す平面図である。
FIG. 8 is a plan view showing an example of a wiring layout using an automatic layout design method according to a conventional example.

【図9】図7の変更後の回路図である。FIG. 9 is a circuit diagram after the change of FIG. 7;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 回路上の抵抗素子(12kΩ) 2 回路上の抵抗素子(6kΩ) 3,4 回路上のトランジスタ(トランジスタ回路素
子) 31 合成抵抗(12kΩ) 32 合成抵抗(6kΩ) 31A,31B,32A マスタ基板上の抵抗素子(1
kΩ) 31D,31E,32B マスタ基板上の抵抗素子(5
kΩ) 33,34 トランジスタ下地素子 35,36 マスタ基板上の分割領域 41 合成抵抗(12kΩ) 42 合成抵抗(6kΩ) 41A,41B,42A マスタ基板上の抵抗素子(1
kΩ) 41D,41E,42B マスタ基板上の抵抗素子(5
kΩ) 43,44 トランジスタ下地素子 45,46 マスタ基板上の分割領域
1 Resistive element on circuit (12 kΩ) 2 Resistive element on circuit (6 kΩ) 3, 4 Transistor on transistor (transistor circuit element) 31 Combined resistance (12 kΩ) 32 Combined resistance (6 kΩ) 31A, 31B, 32A On master substrate Resistance element (1
kD) 31D, 31E, 32B Resistance element (5
33, 34 Transistor base element 35, 36 Divided area on master substrate 41 Combined resistance (12 kΩ) 42 Combined resistance (6 kΩ) 41A, 41B, 42A Resistor element (1 on master substrate)
kD) 41D, 41E, 42B Resistance elements (5
43, 44 Transistor base element 45, 46 Divided area on master substrate

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 27/118 H01L 21/82 G06F 17/50 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) H01L 27/118 H01L 21/82 G06F 17/50

Claims (7)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 マスタ基板上のレイアウトを決めるよう
に、前記マスタ基板上に予め形成された下地素子を半導
体集積回路の回路素子に自動的に割り当てるためのマス
タスライスの自動レイアウト設計方法であって、 同じ種類の優先下地素子を各々1個含むように前記マス
タ基板全体を複数の分割領域に縦横に分割する第1の工
程と、 前記半導体集積回路の回路素子であり優先下地素子と同
じ種類である優先回路素子の各々に優先下地素子を割り
当てる第2の工程と、 優先回路素子に接続されるべき一般回路素子の各々に、
対応する優先下地素子と同じ分割領域内の一般下地素子
の最適な組合せを割り当てる第3の工程とを備えたこと
を特徴とするマスタスライスの自動レイアウト設計方
法。
An automatic layout design method of a master slice for automatically allocating a base element formed in advance on the master substrate to a circuit element of a semiconductor integrated circuit so as to determine a layout on the master substrate. A first step of vertically and horizontally dividing the entire master substrate into a plurality of divided regions so as to include one priority underlying element of the same type; and a circuit element of the semiconductor integrated circuit, the same type as the priority underlying element. A second step of assigning a priority base element to each of the certain priority circuit elements; and a general process element to be connected to the priority circuit element.
A third step of allocating an optimal combination of a general base element in the same divided region as a corresponding priority base element.
【請求項2】 請求項1に記載のマスタスライスの自動
レイアウト設計方法において、優先下地素子としてトラ
ンジスタを選択する工程を備えたことを特徴とするマス
タスライスの自動レイアウト設計方法。
2. The automatic layout design method for a master slice according to claim 1, further comprising a step of selecting a transistor as a priority underlying element.
【請求項3】 請求項1に記載のマスタスライスの自動
レイアウト設計方法において、前記第2の工程は、優先
回路素子の素子値と優先下地素子の素子値との関係に基
づいて最適な優先下地素子を決定する工程を備えたこと
を特徴とするマスタスライスの自動レイアウト設計方
法。
3. The automatic layout designing method for a master slice according to claim 1, wherein the second step is performed based on a relationship between an element value of a priority circuit element and an element value of a priority underlying element. An automatic layout design method for a master slice, comprising a step of determining an element.
【請求項4】 請求項1に記載のマスタスライスの自動
レイアウト設計方法において、前記第3の工程は、優先
下地素子を含む分割領域と他の分割領域との位置関係、
分割領域に含まれる下地素子の種類及び素子値、並びに
他の一般回路素子の割当て状態のうち少なくとも1つを
用いた評価関数に基づいて、一般下地素子の最適な組合
せを定量的に決定する工程を備えたことを特徴とするマ
スタスライスの自動レイアウト設計方法。
4. The automatic layout designing method of a master slice according to claim 1, wherein the third step comprises: a positional relationship between a divided region including a priority underlying element and another divided region;
A step of quantitatively determining an optimal combination of general base elements based on an evaluation function using at least one of the type and element value of the base element included in the divided region and the allocation state of another general circuit element An automatic layout design method for a master slice, comprising:
【請求項5】 請求項1に記載のマスタスライスの自動
レイアウト設計方法において、ある優先回路素子に接続
されるべき一般回路素子に、対応する優先下地素子と同
じ分割領域内の一般下地素子を割り当てることができな
かった場合には、該分割領域に隣接する未使用の分割領
域を割当て対象として追加する工程を更に備えたことを
特徴とするマスタスライスの自動レイアウト設計方法。
5. The method of automatically designing a master slice according to claim 1, wherein a general base element in the same divided region as a corresponding priority base element is assigned to a general circuit element to be connected to a certain priority circuit element. The automatic layout design method for a master slice, further comprising a step of adding an unused divided area adjacent to the divided area as an assignment target when the division cannot be performed.
【請求項6】 請求項5に記載のマスタスライスの自動
レイアウト設計方法において、隣接分割領域の中心まで
の距離、一般回路素子の素子値と隣接分割領域の持つ下
地素子値との比である素子値比、及び異なる層に構成さ
れた一般下地素子を混合して回路素子値を実現できる場
合において層が一致しない度合を示す層混在度の少なく
とも1つを用いた評価関数に基づいて、追加分割領域を
定量的に決定する工程を備えたことを特徴とするマスタ
スライスの自動レイアウト設計方法。
6. The automatic layout design method for a master slice according to claim 5, wherein the element is a distance to a center of an adjacent divided area, and a ratio between an element value of a general circuit element and a base element value of the adjacent divided area. Additional division based on an evaluation function using at least one of a value ratio and a layer mixture degree indicating a degree that layers do not match when a circuit element value can be realized by mixing general base elements configured in different layers. An automatic layout design method for a master slice, comprising a step of quantitatively determining an area.
【請求項7】 マスタ基板上のレイアウトを決めるよう
に、前記マスタ基板上に予め形成された下地素子を半導
体集積回路の回路素子に自動的に割り当てるためのマス
タスライスの自動レイアウト設計方法であって、 前記マスタ基板全体を複数の分割領域に縦横に分割する
工程と、 相対精度を確保すべき精度要求を持つ複数の回路素子よ
りなる素子グループに対して、該素子グループ内の回路
素子値の合計を同一分割領域の下地素子が満たすように
して、該同一分割領域内の下地素子の組合せを割り当て
る工程とを備え、 前記下地素子の組合せが、隣接分割領域の中心までのマ
ンハッタン距離、前記分割領域内の一般回路素子の素子
値と前記隣接分割領域内の下地素子値との比を与えた素
子値比、または異なる層に構成された一般下地素子を混
合したときの層が一致しない度合いを与えた層混在度を
各々重み付けした評価関数によって決定されることを特
徴とするマスタスライスの自動レイアウト設計方法。
7. An automatic layout design method for a master slice for automatically assigning a base element formed in advance on the master substrate to a circuit element of a semiconductor integrated circuit so as to determine a layout on the master substrate. A step of vertically and horizontally dividing the entire master substrate into a plurality of divided regions; and, for an element group consisting of a plurality of circuit elements having an accuracy requirement to ensure relative accuracy, a sum of circuit element values in the element group Allocating a combination of base elements in the same divided area so that the base element in the same divided area satisfies the above condition, wherein the combination of base elements is a Manhattan distance to the center of an adjacent divided area, In the element value ratio given the ratio of the element value of the general circuit element in the element and the element value of the base element in the adjacent divided region, or the general base element configured in a different layer An automatic layout design method for a master slice, characterized in that it is determined by a weighting evaluation function for each of the layer mixture degrees giving the degree of disagreement of layers when mixed.
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