JP3243342B2 - 光電子放出物質、光電子放出体及び光電子放出装置 - Google Patents
光電子放出物質、光電子放出体及び光電子放出装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、紫外線等の光を照射し
て電子を放出させるための光電子放出物質、光電子放出
体及び光電子放出装置に関するものである。
て電子を放出させるための光電子放出物質、光電子放出
体及び光電子放出装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】金属、その合金、半導体等に光を照射す
ると、光のエネルギを吸収して、その物質中から電子が
放出される場合がある。この電子を光電子といい、この
現象を光電子放出といい、この物質を光電子放出物質と
いう。
ると、光のエネルギを吸収して、その物質中から電子が
放出される場合がある。この電子を光電子といい、この
現象を光電子放出といい、この物質を光電子放出物質と
いう。
【０００３】光電子放出物質の具体例は本発明者等によ
って多数提案されている。例えば、特開昭６３−５４９
５９号公報によると、一般的に、光電子放出物質は、放
射線または紫外線の照射によって光電子を放出するもの
であれば何でも良く、光電的な仕事関数の小さいもの程
好ましい。そして、このような光電子放出物質の具体例
として、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｙ、Ｇｄ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｓ
ｎ等のいずれかまたはこれらの化合物または合金が使用
可能である。これらは、単独でまたは２種以上を複合し
て用いられ、効果や経済性の面でも比較的優れている。
前記化合物としては、ＢａＯ、Ｉｎ2 Ｏ3 等の酸化物、
ＹＢ6 等のほう化物、ＺｒＣ等の炭化物がある。
って多数提案されている。例えば、特開昭６３−５４９
５９号公報によると、一般的に、光電子放出物質は、放
射線または紫外線の照射によって光電子を放出するもの
であれば何でも良く、光電的な仕事関数の小さいもの程
好ましい。そして、このような光電子放出物質の具体例
として、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｙ、Ｇｄ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｓ
ｎ等のいずれかまたはこれらの化合物または合金が使用
可能である。これらは、単独でまたは２種以上を複合し
て用いられ、効果や経済性の面でも比較的優れている。
前記化合物としては、ＢａＯ、Ｉｎ2 Ｏ3 等の酸化物、
ＹＢ6 等のほう化物、ＺｒＣ等の炭化物がある。
【０００４】このような光電子放出物質を用いた装置で
は、例えばガス流中の微粒子や、ウィルス、バクテリヤ
等の微生物等を荷電することができる。光電子放出によ
って荷電された微粒子や、微生物を含んだ前記ガス流
を、ネット状のイオン交換フィルタに通すことによっ
て、荷電された微粒子や微生物を効率良く捕集すること
ができる。従って、前記イオン交換フィルタを通過した
ガス流は、前記微粒子や微生物をほとんど含んでおら
ず、装置（例えばクリーンベンチ）内部の必要な箇所に
上記ガス流を供給することによって、その場所を高い清
浄度に保つことができる。
は、例えばガス流中の微粒子や、ウィルス、バクテリヤ
等の微生物等を荷電することができる。光電子放出によ
って荷電された微粒子や、微生物を含んだ前記ガス流
を、ネット状のイオン交換フィルタに通すことによっ
て、荷電された微粒子や微生物を効率良く捕集すること
ができる。従って、前記イオン交換フィルタを通過した
ガス流は、前記微粒子や微生物をほとんど含んでおら
ず、装置（例えばクリーンベンチ）内部の必要な箇所に
上記ガス流を供給することによって、その場所を高い清
浄度に保つことができる。
【０００５】また、特開平４−１７１０６２号公報によ
ると、前記特開昭６３−５４９５９号公報に記載された
物質の他に、Ｕ、Ｂ、Ｅｕまたはこれらの化合物、合金
等も光電子放出物質として使用可能である。
ると、前記特開昭６３−５４９５９号公報に記載された
物質の他に、Ｕ、Ｂ、Ｅｕまたはこれらの化合物、合金
等も光電子放出物質として使用可能である。
【０００６】さらに、特開平５−６８８７５号公報に
は、光電子放出物質として新たにＷとその化合物、合金
等が開示されている。
は、光電子放出物質として新たにＷとその化合物、合金
等が開示されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述の従来の
光電子放出物質では、照射光に対する光電子放出の効率
が必ずしも高いとは言えなかった。そこで、本発明は、
照射光に対する光電子放出の効率が十分に高い光電子放
出物質、光電子放出体及び光電子放出装置を提供するこ
とを目的とする。
光電子放出物質では、照射光に対する光電子放出の効率
が必ずしも高いとは言えなかった。そこで、本発明は、
照射光に対する光電子放出の効率が十分に高い光電子放
出物質、光電子放出体及び光電子放出装置を提供するこ
とを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記課題を達成するため
に、本発明の光電子放出物質は、酸素が混合されている
Ａｕからなる。
に、本発明の光電子放出物質は、酸素が混合されている
Ａｕからなる。
【０００９】また、本発明の光電子放出体は、紫外線透
過物質からなる母材と、前記母材の少なくとも一部を除
く表面に形成されており酸素が混合されているＡｕ膜と
を具備する。
過物質からなる母材と、前記母材の少なくとも一部を除
く表面に形成されており酸素が混合されているＡｕ膜と
を具備する。
【００１０】前記光電子放出体において、前記母材の表
面と前記Ａｕ膜との間に、前記母材及び前記Ａｕ膜に対
して、前記母材に対する前記Ａｕ膜の付着力よりも強い
付着力を有する導電性膜を形成するようにしてもよい。
面と前記Ａｕ膜との間に、前記母材及び前記Ａｕ膜に対
して、前記母材に対する前記Ａｕ膜の付着力よりも強い
付着力を有する導電性膜を形成するようにしてもよい。
【００１１】また、前記母材がガラス材であってもよ
く、あるいは前記導電性膜は、Ｉｎ2Ｏ3 またはＳｎＯ
2 を含有する物質の中から選択された１種類以上の物質
から構成されるようにしてもよい。
く、あるいは前記導電性膜は、Ｉｎ2Ｏ3 またはＳｎＯ
2 を含有する物質の中から選択された１種類以上の物質
から構成されるようにしてもよい。
【００１２】さらに、前記母材がガラス材から構成する
と共に、前記導電性膜を、Ｉｎ2 Ｏ3 またはＳｎＯ2 を
含有する物質の中から選択された１種類以上の物質から
構成することも前記課題の解決手段として有効である。
と共に、前記導電性膜を、Ｉｎ2 Ｏ3 またはＳｎＯ2 を
含有する物質の中から選択された１種類以上の物質から
構成することも前記課題の解決手段として有効である。
【００１３】また、本発明の光電子放出装置は、紫外線
透過物質からなる母材の少なくとも一部を除く表面に、
酸素が混合されているＡｕ膜が形成されている光電子放
出体と、前記一部から前記母材内へ紫外線を導入し、前
記母材側からこの母材と前記Ａｕ膜との界面に紫外線を
入射させる紫外線源とを具備する。
透過物質からなる母材の少なくとも一部を除く表面に、
酸素が混合されているＡｕ膜が形成されている光電子放
出体と、前記一部から前記母材内へ紫外線を導入し、前
記母材側からこの母材と前記Ａｕ膜との界面に紫外線を
入射させる紫外線源とを具備する。
【００１４】さらに、本発明の光電子放出装置におい
て、前記母材の表面と前記Ａｕ膜との間に、前記母材及
び前記Ａｕ膜に対して、前記母材に対する前記Ａｕ膜の
付着力よりも強い付着力を有する導電性膜を形成するよ
うにしてもよい。
て、前記母材の表面と前記Ａｕ膜との間に、前記母材及
び前記Ａｕ膜に対して、前記母材に対する前記Ａｕ膜の
付着力よりも強い付着力を有する導電性膜を形成するよ
うにしてもよい。
【００１５】
【作用】酸素が混合されているＡｕは、従来の純粋なＡ
ｕ等の光電子放出物質よりも高い効率で光電子放出を行
うことが可能である。また、紫外線透過物質からなる母
材と、前記母材の表面に形成され、酸素が混合されてい
るＡｕ膜とから光電子放出体を構成することにより、光
電子放出の効率を向上させることができるだけでなく、
前記Ａｕ膜を十分に薄く形成しても機械的な強度が比較
的高いので、取り扱い上好都合である。
ｕ等の光電子放出物質よりも高い効率で光電子放出を行
うことが可能である。また、紫外線透過物質からなる母
材と、前記母材の表面に形成され、酸素が混合されてい
るＡｕ膜とから光電子放出体を構成することにより、光
電子放出の効率を向上させることができるだけでなく、
前記Ａｕ膜を十分に薄く形成しても機械的な強度が比較
的高いので、取り扱い上好都合である。
【００１６】さらに、前記母材の表面と前記Ａｕ膜との
間に、前記母材及び前記Ａｕ膜に対して、前記母材に対
する前記Ａｕ膜の付着力よりも強い付着力を有している
導電性膜を形成すれば、前記母材上における前記Ａｕ膜
の電気的な連続性を補強することができると共に、前記
Ａｕ膜と前記母材との付着力が向上する。
間に、前記母材及び前記Ａｕ膜に対して、前記母材に対
する前記Ａｕ膜の付着力よりも強い付着力を有している
導電性膜を形成すれば、前記母材上における前記Ａｕ膜
の電気的な連続性を補強することができると共に、前記
Ａｕ膜と前記母材との付着力が向上する。
【００１７】また、前記光電子放出装置では、Ａｕ膜に
対して紫外線を照射する方向と、前記Ａｕ膜が光電子を
放出する方向とが互いに逆なので、これらが同じである
場合に比べて紫外線源を光電子放出体に容易に接近させ
ることができ、紫外線エネルギの利用効率が高い。ま
た、光電子の放出方向に紫外線源が存在しないように構
成することができるので、荷電する微粒子等をＡｕ膜の
近傍へ自由に導入することが可能になり、好都合であ
る。
対して紫外線を照射する方向と、前記Ａｕ膜が光電子を
放出する方向とが互いに逆なので、これらが同じである
場合に比べて紫外線源を光電子放出体に容易に接近させ
ることができ、紫外線エネルギの利用効率が高い。ま
た、光電子の放出方向に紫外線源が存在しないように構
成することができるので、荷電する微粒子等をＡｕ膜の
近傍へ自由に導入することが可能になり、好都合であ
る。
【００１８】なお、前記光電子放出装置において、Ａｕ
膜と母材の表面との間に導電性膜を設けた場合には、前
記Ａｕ膜と前記母材との付着力が向上するので、装置と
しての機械的な耐久性が向上して取り扱い上好都合であ
るだけでなく、Ａｕ膜の電気的な連続性が補強される。
膜と母材の表面との間に導電性膜を設けた場合には、前
記Ａｕ膜と前記母材との付着力が向上するので、装置と
しての機械的な耐久性が向上して取り扱い上好都合であ
るだけでなく、Ａｕ膜の電気的な連続性が補強される。
【００１９】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら説明する。
ながら説明する。
【００２０】〔第１実施例〕図１には、紫外線を透過す
る直方体形状の母材１０の一面１０Ａ上に酸素が混合さ
れているＡｕ薄膜１１を形成して成る本発明の第１実施
例に係る光電子放出板１２が示されている。母材１０が
紫外線を透過するものとしたのは、Ａｕ薄膜１１に光電
子放出を行わせるための照射光として専ら紫外線が使用
されるためである。Ａｕ薄膜１１の前記照射光として紫
外線を使用するのは、紫外線以外の波長域の光をＡｕ薄
膜１１に照射しても光電子放出量は極端に少なく、例え
ば波長１８５ｎｍ、２５４ｎｍ等にピークを持つ紫外線
をＡｕ薄膜１１に照射することによってはじめて多量の
光電子放出を行うことが可能となるためである。
る直方体形状の母材１０の一面１０Ａ上に酸素が混合さ
れているＡｕ薄膜１１を形成して成る本発明の第１実施
例に係る光電子放出板１２が示されている。母材１０が
紫外線を透過するものとしたのは、Ａｕ薄膜１１に光電
子放出を行わせるための照射光として専ら紫外線が使用
されるためである。Ａｕ薄膜１１の前記照射光として紫
外線を使用するのは、紫外線以外の波長域の光をＡｕ薄
膜１１に照射しても光電子放出量は極端に少なく、例え
ば波長１８５ｎｍ、２５４ｎｍ等にピークを持つ紫外線
をＡｕ薄膜１１に照射することによってはじめて多量の
光電子放出を行うことが可能となるためである。
【００２１】母材１０としては、紫外線を透過させ、そ
の表面及び／又はその近傍に導電性物質及び光電子放出
物質が付加できるものであればよい。このような母材１
０としては、例えば合成石英、サファイアガラス、ＵＶ
透過ガラス、ホウ硅酸ガラス等のガラス材、アクリル樹
脂等の高分子材、ＭｇＦ2 等を用いることが可能であ
り、中でも性能、コスト上の理由からガラス材が好まし
い。
の表面及び／又はその近傍に導電性物質及び光電子放出
物質が付加できるものであればよい。このような母材１
０としては、例えば合成石英、サファイアガラス、ＵＶ
透過ガラス、ホウ硅酸ガラス等のガラス材、アクリル樹
脂等の高分子材、ＭｇＦ2 等を用いることが可能であ
り、中でも性能、コスト上の理由からガラス材が好まし
い。
【００２２】紫外線照射によって光電子を放出する光電
子放出物質としての、酸素が混合されているＡｕを、薄
膜状に形成したＡｕ薄膜１１の形成方法には特に限定は
ないが、例えばスパッタリング法を用いることができ
る。スパッタリングによって、Ａｕ薄膜１１が母材１０
上に形成される。酸素ガスを含む雰囲気（０．４パスカ
ル（Ｐａ））中でＡｕ薄膜１１の成膜を行うことによっ
て、Ａｕ薄膜１１中に酸素が含有されて後述するように
非晶質状態となる。
子放出物質としての、酸素が混合されているＡｕを、薄
膜状に形成したＡｕ薄膜１１の形成方法には特に限定は
ないが、例えばスパッタリング法を用いることができ
る。スパッタリングによって、Ａｕ薄膜１１が母材１０
上に形成される。酸素ガスを含む雰囲気（０．４パスカ
ル（Ｐａ））中でＡｕ薄膜１１の成膜を行うことによっ
て、Ａｕ薄膜１１中に酸素が含有されて後述するように
非晶質状態となる。
【００２３】次に、２次イオン質量分析（ＳＩＭＳ）装
置を用いて、１０ｎｍの膜厚のＡｕ薄膜１１を備えた光
電子放出板１２における、矢印Ｘ（図１）で示した深さ
方向の各物質の濃度分布にほぼ対応する２次イオン強度
を測定した。
置を用いて、１０ｎｍの膜厚のＡｕ薄膜１１を備えた光
電子放出板１２における、矢印Ｘ（図１）で示した深さ
方向の各物質の濃度分布にほぼ対応する２次イオン強度
を測定した。
【００２４】この結果が、図３（Ｂ）に示されている。
比較例として、１００％のＡｒガス雰囲気（０．４Ｐ
ａ）中でスパッタ成膜した同じ膜厚のＡｕ薄膜の測定結
果は図３（Ａ）に示した。図３（Ａ）において、純粋な
ＡｕからなるＡｕ薄膜中に（１０3 に対応する程度の）
酸素と少量のケイ素が分布しているように見えるのは次
のような理由による。
比較例として、１００％のＡｒガス雰囲気（０．４Ｐ
ａ）中でスパッタ成膜した同じ膜厚のＡｕ薄膜の測定結
果は図３（Ａ）に示した。図３（Ａ）において、純粋な
ＡｕからなるＡｕ薄膜中に（１０3 に対応する程度の）
酸素と少量のケイ素が分布しているように見えるのは次
のような理由による。
【００２５】ＳＩＭＳの１次イオンビームによるスパッ
タリングの深さは、ビーム断面の中央部で深く周辺部で
浅くなる傾向があり、また実験に用いたＡｕ薄膜の膜厚
が１０ｎｍと非常に薄いために、１次イオンビームがＡ
ｕ薄膜をスパッタリングしているときに、前記中央部は
Ａｕ薄膜の下層のガラス基板に到達してしまい、ガラス
基板中に分布する酸素やケイ素が２次イオンとして検出
されるのである。そして前記酸素の２次イオン強度はほ
ぼ１０3 である。
タリングの深さは、ビーム断面の中央部で深く周辺部で
浅くなる傾向があり、また実験に用いたＡｕ薄膜の膜厚
が１０ｎｍと非常に薄いために、１次イオンビームがＡ
ｕ薄膜をスパッタリングしているときに、前記中央部は
Ａｕ薄膜の下層のガラス基板に到達してしまい、ガラス
基板中に分布する酸素やケイ素が２次イオンとして検出
されるのである。そして前記酸素の２次イオン強度はほ
ぼ１０3 である。
【００２６】この点を考慮すると、見かけ上の酸素の２
次イオン強度の値から前記の１０3を減算した値が、酸
素に関する２次イオン強度の真の値（その深さにおける
実際の酸素濃度にほぼ対応する値）であると理解するべ
きである。
次イオン強度の値から前記の１０3を減算した値が、酸
素に関する２次イオン強度の真の値（その深さにおける
実際の酸素濃度にほぼ対応する値）であると理解するべ
きである。
【００２７】図３（Ａ）及び（Ｂ）の縦軸は対数目盛り
になっており、１００％の酸素ガス雰囲気中で成膜した
Ａｕ薄膜１１からは前記１０3 の約１０倍の酸素が検出
されたことが分かる。これにより、酸素ガス１００％雰
囲気中でＡｕ薄膜１１を成膜すると、確実にＡｕ薄膜１
１中に酸素が取り込まれることが明らかとなった。
になっており、１００％の酸素ガス雰囲気中で成膜した
Ａｕ薄膜１１からは前記１０3 の約１０倍の酸素が検出
されたことが分かる。これにより、酸素ガス１００％雰
囲気中でＡｕ薄膜１１を成膜すると、確実にＡｕ薄膜１
１中に酸素が取り込まれることが明らかとなった。
【００２８】さらにＡｕ薄膜１１をＸ線回折法で調べる
と、酸化金（Ａｕ2 Ｏ3 等）の回折ピークは認められな
かったので、Ａｕ薄膜１１は酸化金ではなく、酸素を含
有（混合）することにより非晶質状態となったＡｕであ
ることが分かる。
と、酸化金（Ａｕ2 Ｏ3 等）の回折ピークは認められな
かったので、Ａｕ薄膜１１は酸化金ではなく、酸素を含
有（混合）することにより非晶質状態となったＡｕであ
ることが分かる。
【００２９】また、図３（Ａ）を参照すると、Ａｕ薄膜
の表面（同図中、横軸の０ｎｍに対応する）付近では酸
素、ケイ素が偏析しているように見えるが、これは前記
に説明したような装置または測定上の理由によるもので
あり、実際にはＡｕ薄膜１１の前記表面付近に酸素、ケ
イ素は存在しておらず、したがって前記表面付近でこれ
らの濃度が特に高いということもない。図３（Ｂ）につ
いても、Ａｕ薄膜１１の表面付近で酸素、ケイ素が特に
偏析しているものではないという点は同様である。
の表面（同図中、横軸の０ｎｍに対応する）付近では酸
素、ケイ素が偏析しているように見えるが、これは前記
に説明したような装置または測定上の理由によるもので
あり、実際にはＡｕ薄膜１１の前記表面付近に酸素、ケ
イ素は存在しておらず、したがって前記表面付近でこれ
らの濃度が特に高いということもない。図３（Ｂ）につ
いても、Ａｕ薄膜１１の表面付近で酸素、ケイ素が特に
偏析しているものではないという点は同様である。
【００３０】酸素ガス１００％雰囲気中で石英ガラス上
に成膜したＡｕ薄膜１１に、表面性測定機を用いて、引
っかき試験を行った。ステンレスボール圧子に５００ｇ
の加重をかけて行われた引っかき試験ではＡｕ薄膜１１
の剥離は起こらず、十分な耐久性を示した。
に成膜したＡｕ薄膜１１に、表面性測定機を用いて、引
っかき試験を行った。ステンレスボール圧子に５００ｇ
の加重をかけて行われた引っかき試験ではＡｕ薄膜１１
の剥離は起こらず、十分な耐久性を示した。
【００３１】他方、雰囲気ガスのＡｒガスとＯ2 ガスの
比（Ａｒ／Ｏ2 ）を変化させてそれぞれについて膜厚５
ｎｍのＡｕ薄膜を成膜しておき、このＡｕ薄膜の光電子
放出量（ｐＡ）と前記ＳＩＭＳの２次イオン強度を測定
し、酸素と金の２次イオン強度から両者の２次イオン強
度の比（Ｏ／Ａｕ）を求めた。これらの結果を次の表１
に示す。
比（Ａｒ／Ｏ2 ）を変化させてそれぞれについて膜厚５
ｎｍのＡｕ薄膜を成膜しておき、このＡｕ薄膜の光電子
放出量（ｐＡ）と前記ＳＩＭＳの２次イオン強度を測定
し、酸素と金の２次イオン強度から両者の２次イオン強
度の比（Ｏ／Ａｕ）を求めた。これらの結果を次の表１
に示す。
【００３２】
【表１】
【００３３】ただし、表１において雰囲気ガス比（Ａｒ
／Ｏ2 ）の単位はＳＣＣＭである。また、雰囲気ガス比
（Ａｒ／Ｏ2 ）５０／０は従来の純粋なＡｕに対応する
比較例であり、本発明の光電子放出物質としては、雰囲
気ガス比（Ａｒ／Ｏ2 ）が４０／１０、２５／２５、０
／５０のものが該当し得るが、前記雰囲気ガス比のＡｒ
に対するＯ2 の割合が２５／２５以上のものが好まし
い。表１中の２次イオン強度比を算出するための２次イ
オン強度を測定した際の条件を次の表２に示す。
／Ｏ2 ）の単位はＳＣＣＭである。また、雰囲気ガス比
（Ａｒ／Ｏ2 ）５０／０は従来の純粋なＡｕに対応する
比較例であり、本発明の光電子放出物質としては、雰囲
気ガス比（Ａｒ／Ｏ2 ）が４０／１０、２５／２５、０
／５０のものが該当し得るが、前記雰囲気ガス比のＡｒ
に対するＯ2 の割合が２５／２５以上のものが好まし
い。表１中の２次イオン強度比を算出するための２次イ
オン強度を測定した際の条件を次の表２に示す。
【００３４】
【表２】
【００３５】表１から分かるように、前記の１００％Ａ
ｒガス雰囲気中で成膜したＡｕ薄膜についての２次イオ
ン強度比（Ｏ／Ａｕ）に比べて１．７０倍程度（≒５．
６／３．３）の酸素量（対Ａｕ比）では光電子放出量へ
の影響は少ないが７．６倍（≒２５．０／３．３）の酸
素量になると、光電子放出量は１．８６倍（≒６５７／
３５４）になる。１００％の酸素ガス雰囲気中で成膜さ
れたＡｕ薄膜についての酸素量は、１００％Ａｒガス雰
囲気中で成膜したＡｕ薄膜についての酸素量の約９．５
倍（≒３１．３／３．３）となり、その光電子放出量は
約３．１倍（≒１１１３／３５４）となる。
ｒガス雰囲気中で成膜したＡｕ薄膜についての２次イオ
ン強度比（Ｏ／Ａｕ）に比べて１．７０倍程度（≒５．
６／３．３）の酸素量（対Ａｕ比）では光電子放出量へ
の影響は少ないが７．６倍（≒２５．０／３．３）の酸
素量になると、光電子放出量は１．８６倍（≒６５７／
３５４）になる。１００％の酸素ガス雰囲気中で成膜さ
れたＡｕ薄膜についての酸素量は、１００％Ａｒガス雰
囲気中で成膜したＡｕ薄膜についての酸素量の約９．５
倍（≒３１．３／３．３）となり、その光電子放出量は
約３．１倍（≒１１１３／３５４）となる。
【００３６】また、母材１０として石英ガラスを用い、
１００％の酸素ガス雰囲気（０．４Ｐａ）中でＡｕ薄膜
を１０ｎｍの膜厚でスパッタ成膜した光電子放出板１２
を用いた場合には、光電子放出量は１０５２ピコアンペ
ア（ｐＡ）となり、Ａｒガス雰囲気（０．４Ｐａ）中で
成膜した従来のＡｕ薄膜と比較して約３．５倍となっ
た。
１００％の酸素ガス雰囲気（０．４Ｐａ）中でＡｕ薄膜
を１０ｎｍの膜厚でスパッタ成膜した光電子放出板１２
を用いた場合には、光電子放出量は１０５２ピコアンペ
ア（ｐＡ）となり、Ａｒガス雰囲気（０．４Ｐａ）中で
成膜した従来のＡｕ薄膜と比較して約３．５倍となっ
た。
【００３７】Ａｕ薄膜中に酸素が取り込まれることによ
って光電子放出量が増加するのは、Ａｕ薄膜中に取り込
まれた酸素が、Ａｕ原子核の回りの電子の拘束を弱め、
光電子の放出を容易にしているためと考えられる。
って光電子放出量が増加するのは、Ａｕ薄膜中に取り込
まれた酸素が、Ａｕ原子核の回りの電子の拘束を弱め、
光電子の放出を容易にしているためと考えられる。
【００３８】母材１０の一面１０Ａに沿った方向の連続
性が十分であれば、図１に示したように、Ａｕ薄膜１１
を母材１０上に直接に形成したこの第１実施例でも、十
分に効果的な光電子放出が可能である。
性が十分であれば、図１に示したように、Ａｕ薄膜１１
を母材１０上に直接に形成したこの第１実施例でも、十
分に効果的な光電子放出が可能である。
【００３９】しかしながら、図４に示すように島状であ
って一面１０Ａに沿って不連続な場合には、十分な光電
子放出効果を得ることができない。これは、光電子放出
板１２を応用した多くの装置において、Ａｕ薄膜１１か
ら放出された光電子によって帯電した微粒子がＡｕ薄膜
１１上に補集されるので、Ａｕ薄膜１１はアースしてお
く必要があり、しかもＡｕ薄膜１１の全体に対してアー
スを行うためにはＡｕ薄膜１１の全体が電気的に単一性
を有することが必要であるにも拘らず、これが達成され
ていないことによる。
って一面１０Ａに沿って不連続な場合には、十分な光電
子放出効果を得ることができない。これは、光電子放出
板１２を応用した多くの装置において、Ａｕ薄膜１１か
ら放出された光電子によって帯電した微粒子がＡｕ薄膜
１１上に補集されるので、Ａｕ薄膜１１はアースしてお
く必要があり、しかもＡｕ薄膜１１の全体に対してアー
スを行うためにはＡｕ薄膜１１の全体が電気的に単一性
を有することが必要であるにも拘らず、これが達成され
ていないことによる。
【００４０】〔第２実施例〕そこで、本発明の第２実施
例に係る光電子放出板２１では、図２に示すように、光
電子放出板１２の母材１０とＡｕ薄膜１１との間に導電
性薄膜２０が形成されている。
例に係る光電子放出板２１では、図２に示すように、光
電子放出板１２の母材１０とＡｕ薄膜１１との間に導電
性薄膜２０が形成されている。
【００４１】Ａｕ薄膜１１と母材１０との間に導電性薄
膜２０が形成されていれば、Ａｕ薄膜１１が、図５に示
すような島状であって一面１０Ａに沿って不連続になっ
ていても、導電性薄膜２０によって島状の各Ａｕ薄膜１
１が電気的に接続されている。このため導電性薄膜２０
を用いた光電子放出板２１では、常に、十分な光電子放
出効果を得ることができる。
膜２０が形成されていれば、Ａｕ薄膜１１が、図５に示
すような島状であって一面１０Ａに沿って不連続になっ
ていても、導電性薄膜２０によって島状の各Ａｕ薄膜１
１が電気的に接続されている。このため導電性薄膜２０
を用いた光電子放出板２１では、常に、十分な光電子放
出効果を得ることができる。
【００４２】導電性薄膜２０は、導電性を有し、酸素を
含むＡｕ薄膜１１と共に母材１０上に薄膜状に形成でき
る物質であって、電場の存在下において光電子放出物質
に紫外線を照射した場合に光電子放出が効果的に起こる
物質であることを要する。これに加えて、母材１０に対
してもＡｕ薄膜１１に対しても、母材１０に対するＡｕ
薄膜１１の付着力よりも強い付着力を有していると共
に、紫外線に対して透明であることが必要である。この
ような物質としては、酸化インジウム（Ｉｎ2 Ｏ3 ）
系、酸化スズ（ＳｎＯ2 ）系の物質を利用することがで
き、例えばＳｎをドープしたＩｎ2 Ｏ3 膜（ＩＴＯ
膜）、ＳｂをドープしたＳｎＯ2 膜等が使用可能であ
る。
含むＡｕ薄膜１１と共に母材１０上に薄膜状に形成でき
る物質であって、電場の存在下において光電子放出物質
に紫外線を照射した場合に光電子放出が効果的に起こる
物質であることを要する。これに加えて、母材１０に対
してもＡｕ薄膜１１に対しても、母材１０に対するＡｕ
薄膜１１の付着力よりも強い付着力を有していると共
に、紫外線に対して透明であることが必要である。この
ような物質としては、酸化インジウム（Ｉｎ2 Ｏ3 ）
系、酸化スズ（ＳｎＯ2 ）系の物質を利用することがで
き、例えばＳｎをドープしたＩｎ2 Ｏ3 膜（ＩＴＯ
膜）、ＳｂをドープしたＳｎＯ2 膜等が使用可能であ
る。
【００４３】このような導電性薄膜２０が設けられてい
るので、Ａｕ薄膜１１の導体としての単一性が確保され
るだけでなく、付着力が強くなってＡｕ薄膜１１の耐久
性が向上する。これによって、従来不可能であったＡｕ
薄膜１１の表面１１Ａの清掃が可能となる。したがっ
て、光電子放出板２１を、微粒子を荷電して除去するよ
うな清浄化装置に用いる場合に特に好適である。
るので、Ａｕ薄膜１１の導体としての単一性が確保され
るだけでなく、付着力が強くなってＡｕ薄膜１１の耐久
性が向上する。これによって、従来不可能であったＡｕ
薄膜１１の表面１１Ａの清掃が可能となる。したがっ
て、光電子放出板２１を、微粒子を荷電して除去するよ
うな清浄化装置に用いる場合に特に好適である。
【００４４】導電性薄膜２０が紫外線に対して透明であ
るので、図２に一点鎖線で示した方向のみならず実線で
示した方向から紫外線（ＵＶ）を照射した場合でも、紫
外線がＡｕ薄膜１１の表面１１Ａに到達することがで
き、表面１１Ａから光電子２４を支障無く放出すること
ができる。したがって、光電子放出板２１を用いた装置
では、設計の自由度が高い。
るので、図２に一点鎖線で示した方向のみならず実線で
示した方向から紫外線（ＵＶ）を照射した場合でも、紫
外線がＡｕ薄膜１１の表面１１Ａに到達することがで
き、表面１１Ａから光電子２４を支障無く放出すること
ができる。したがって、光電子放出板２１を用いた装置
では、設計の自由度が高い。
【００４５】この第２実施例において、母材１０として
石英ガラスを用い、導電性薄膜２０としては、市販され
ている直流マグネトロンスパッタ装置でＩＴＯ膜を５ｎ
ｍの膜厚でスパッタリングしたものを用い、Ａｕ薄膜１
１としては、雰囲気ガスとしてのＡｒガスと酸素ガスと
が１：１の割合で混合されている雰囲気中で、膜厚５ｎ
ｍにスパッタ成膜されたＡｕ薄膜を用いるようにしても
よい。この場合、前記ＩＴＯ膜は、１０重量％の酸化す
ずと９０重量％の酸化インジウムとを混合して焼結した
ターゲットを、アルゴンと酸素とを１：０．０１の割合
で混合した全圧０．４Ｐａのガスでスパッタリングして
成膜する。
石英ガラスを用い、導電性薄膜２０としては、市販され
ている直流マグネトロンスパッタ装置でＩＴＯ膜を５ｎ
ｍの膜厚でスパッタリングしたものを用い、Ａｕ薄膜１
１としては、雰囲気ガスとしてのＡｒガスと酸素ガスと
が１：１の割合で混合されている雰囲気中で、膜厚５ｎ
ｍにスパッタ成膜されたＡｕ薄膜を用いるようにしても
よい。この場合、前記ＩＴＯ膜は、１０重量％の酸化す
ずと９０重量％の酸化インジウムとを混合して焼結した
ターゲットを、アルゴンと酸素とを１：０．０１の割合
で混合した全圧０．４Ｐａのガスでスパッタリングして
成膜する。
【００４６】このようにして得られた光電子放出板２１
に紫外線を照射し、放出される光電子の量を電流値とし
て検出することによって、光電子の放出量を測定した。
その結果、Ａｒガスのみで成膜した従来のＡｕ薄膜に比
べて１．８６倍である６５７ｐＡの光電子放出量が得ら
れた。また、測定時の電気回路の電界強度を上げること
によって光電子放出量はさらに増大した。
に紫外線を照射し、放出される光電子の量を電流値とし
て検出することによって、光電子の放出量を測定した。
その結果、Ａｒガスのみで成膜した従来のＡｕ薄膜に比
べて１．８６倍である６５７ｐＡの光電子放出量が得ら
れた。また、測定時の電気回路の電界強度を上げること
によって光電子放出量はさらに増大した。
【００４７】なお、Ａｕ薄膜１１の膜厚は５〜１５ｎｍ
が好ましく、５〜１０ｎｍがさらに好ましい。５ｎｍ未
満の膜厚にするとＡｕ薄膜１１は島状になりやすく、一
方、１５ｎｍを越えると、図２に実線で示した方向から
母材１０及び導電性薄膜２０を介して照射される紫外線
ＵＶがＡｕ薄膜１１中で減衰され、場合によってはＡｕ
薄膜１１の表面１１Ａまで到達できなくて光電子放出の
効率がかえって低下する。
が好ましく、５〜１０ｎｍがさらに好ましい。５ｎｍ未
満の膜厚にするとＡｕ薄膜１１は島状になりやすく、一
方、１５ｎｍを越えると、図２に実線で示した方向から
母材１０及び導電性薄膜２０を介して照射される紫外線
ＵＶがＡｕ薄膜１１中で減衰され、場合によってはＡｕ
薄膜１１の表面１１Ａまで到達できなくて光電子放出の
効率がかえって低下する。
【００４８】前記のようにＡｕ薄膜１１が島状となって
も電気的な連続性を有していれば本発明の実施例と成り
得るが、電気的な特性、機械的な耐久性等の観点から見
て、Ａｕ薄膜１１は図１及び図２に示したように、厚さ
が均一な膜である方がさらに好ましい。
も電気的な連続性を有していれば本発明の実施例と成り
得るが、電気的な特性、機械的な耐久性等の観点から見
て、Ａｕ薄膜１１は図１及び図２に示したように、厚さ
が均一な膜である方がさらに好ましい。
【００４９】〔第３実施例〕本発明の第３実施例に係る
光電子放出装置２２では、図６に示すように、母材１０
の一面１０Ａに導電性薄膜２０、Ａｕ薄膜１１を順次に
積層して成る光電子放出板２１と、母材１０の他面１０
Ｂの近傍に配置され、紫外線ＵＶを他面１０Ｂに照射す
る紫外線ランプ２３とを備えている。他面１０Ｂから母
材１０内に入射した紫外線ＵＶは、導電性薄膜２０を経
てＡｕ薄膜１１に入射して光電子２４を放出させる。こ
の光電子２４の放出によって埃等の微粒子２６を荷電す
ることができる。
光電子放出装置２２では、図６に示すように、母材１０
の一面１０Ａに導電性薄膜２０、Ａｕ薄膜１１を順次に
積層して成る光電子放出板２１と、母材１０の他面１０
Ｂの近傍に配置され、紫外線ＵＶを他面１０Ｂに照射す
る紫外線ランプ２３とを備えている。他面１０Ｂから母
材１０内に入射した紫外線ＵＶは、導電性薄膜２０を経
てＡｕ薄膜１１に入射して光電子２４を放出させる。こ
の光電子２４の放出によって埃等の微粒子２６を荷電す
ることができる。
【００５０】この光電子放出装置２２では、紫外線ＵＶ
を照射する側と光電子２４を放出する方向が重複しない
ので、これらが同じである場合に比べて紫外線ランプ２
３を光電子放出板２１に容易に接近させることができ、
紫外線エネルギの利用効率が高い。紫外線ＵＶの波長等
の条件が一定であれば、ある一定の光束の変化範囲では
光電子放出量は光束にほぼ比例するので、紫外線エネル
ギの利用効率の向上は光電子放出効果の向上に直結す
る。また光電子２４を放出する方向に紫外線ランプ２３
等の障害物がないので、微粒子２６を含んだ空気等をＡ
ｕ薄膜１１の近傍へ自由に導入することができて好都合
である。
を照射する側と光電子２４を放出する方向が重複しない
ので、これらが同じである場合に比べて紫外線ランプ２
３を光電子放出板２１に容易に接近させることができ、
紫外線エネルギの利用効率が高い。紫外線ＵＶの波長等
の条件が一定であれば、ある一定の光束の変化範囲では
光電子放出量は光束にほぼ比例するので、紫外線エネル
ギの利用効率の向上は光電子放出効果の向上に直結す
る。また光電子２４を放出する方向に紫外線ランプ２３
等の障害物がないので、微粒子２６を含んだ空気等をＡ
ｕ薄膜１１の近傍へ自由に導入することができて好都合
である。
【００５１】なお、図６では母材１０の一面１０Ａにの
み導電性薄膜２０及びＡｕ薄膜１１を被覆するようにし
たが、他の面１０Ｃ、１０Ｄ等を含む母材１０の６つの
面の全てに導電性薄膜２０及びＡｕ薄膜１１を被覆する
ことが可能である。この場合、紫外線ＵＶを母材１０内
に導入するために、紫外線ＵＶの入射用として何れかの
面の一部に少なくともＡｕ薄膜１１を被覆しない領域を
設けておけばよい。また、図６における光電子放出板２
１を光電子放出板１２で置換して光電子放出装置を構成
できることは当然である。
み導電性薄膜２０及びＡｕ薄膜１１を被覆するようにし
たが、他の面１０Ｃ、１０Ｄ等を含む母材１０の６つの
面の全てに導電性薄膜２０及びＡｕ薄膜１１を被覆する
ことが可能である。この場合、紫外線ＵＶを母材１０内
に導入するために、紫外線ＵＶの入射用として何れかの
面の一部に少なくともＡｕ薄膜１１を被覆しない領域を
設けておけばよい。また、図６における光電子放出板２
１を光電子放出板１２で置換して光電子放出装置を構成
できることは当然である。
【００５２】さらに、母材１０の形状は上述の直方体に
限らず、用途に応じて種々の変形を行うことができる。
上述のように、Ａｕ薄膜１１はＡｕ薄膜中の酸素の濃度
を上げることによって光電子放出量を高めることができ
るので、従来のＡｕ等の光電子放出物質に比べて光電子
放出効果を向上することが可能となる。光電子放出効果
が高ければ、微粒子２６の荷電効果も向上され、光電子
放出装置２２を適用した装置を小型にすることができる
等の様々な利点がある。
限らず、用途に応じて種々の変形を行うことができる。
上述のように、Ａｕ薄膜１１はＡｕ薄膜中の酸素の濃度
を上げることによって光電子放出量を高めることができ
るので、従来のＡｕ等の光電子放出物質に比べて光電子
放出効果を向上することが可能となる。光電子放出効果
が高ければ、微粒子２６の荷電効果も向上され、光電子
放出装置２２を適用した装置を小型にすることができる
等の様々な利点がある。
【００５３】
【発明の効果】以上に詳説したように、本発明の光電子
放出物質によれば、従来の光電子放出物質よりも高い効
率で光電子を放出することができるので、微粒子の荷電
等を効率的に行うことができる。
放出物質によれば、従来の光電子放出物質よりも高い効
率で光電子を放出することができるので、微粒子の荷電
等を効率的に行うことができる。
【００５４】また、本発明の光電子放出体によれば、酸
素が混合されているＡｕ膜を母材の少なくとも一部を除
く表面に形成したので、光電子放出の効果が増大され、
微粒子の荷電等の性能のさらなる向上を達成でき、しか
も本発明の光電子放出体を用いる装置の設計の自由度を
高めることが可能となる。このため、微粒子を荷電して
除去するタイプの清浄化装置に本発明を応用した場合、
従来程度の清浄度を従来よりも短時間で実現することが
でき、また従来よりも高い清浄度を容易に達成すること
ができる。
素が混合されているＡｕ膜を母材の少なくとも一部を除
く表面に形成したので、光電子放出の効果が増大され、
微粒子の荷電等の性能のさらなる向上を達成でき、しか
も本発明の光電子放出体を用いる装置の設計の自由度を
高めることが可能となる。このため、微粒子を荷電して
除去するタイプの清浄化装置に本発明を応用した場合、
従来程度の清浄度を従来よりも短時間で実現することが
でき、また従来よりも高い清浄度を容易に達成すること
ができる。
【００５５】また、Ａｕ膜と母材との間に導電性膜を形
成した場合には、Ａｕ膜の全体が導体としての単一性を
確保できると共に、Ａｕ膜の耐久性を高めることができ
る。したがって、Ａｕ膜が不連続な島状となった場合で
も、Ａｕ膜の高い荷電性能を確実に保つことができ、な
おかつ耐久性の向上によって従来では不可能であったＡ
ｕ膜表面の汚れを清掃によって除去することが可能とな
るため、長期間にわたって高い性能を安定的に発揮する
ことができ、取り扱いが容易となる等の利点がある。
成した場合には、Ａｕ膜の全体が導体としての単一性を
確保できると共に、Ａｕ膜の耐久性を高めることができ
る。したがって、Ａｕ膜が不連続な島状となった場合で
も、Ａｕ膜の高い荷電性能を確実に保つことができ、な
おかつ耐久性の向上によって従来では不可能であったＡ
ｕ膜表面の汚れを清掃によって除去することが可能とな
るため、長期間にわたって高い性能を安定的に発揮する
ことができ、取り扱いが容易となる等の利点がある。
【００５６】さらに、本発明の光電子放出装置では、十
分に近い場所から紫外線を光電子放出体に照射すること
が容易となり、紫外線エネルギの利用効率が高く、また
光電子の放出方向に紫外線源が存在しないので、荷電す
る微粒子等をＡｕ膜の近傍へ自由に導入することができ
て荷電効果等の性能を向上することができる。
分に近い場所から紫外線を光電子放出体に照射すること
が容易となり、紫外線エネルギの利用効率が高く、また
光電子の放出方向に紫外線源が存在しないので、荷電す
る微粒子等をＡｕ膜の近傍へ自由に導入することができ
て荷電効果等の性能を向上することができる。
【００５７】また、光電子放出体として、母材表面とＡ
ｕ膜との間に導電性膜を形成したものを用いた光電子放
出装置においては、Ａｕ膜と母材との付着力が向上する
ので、装置としての機械的な耐久性が向上して取り扱い
上好都合であるだけでなく、Ａｕ膜の電気的な連続性が
補強され、信頼性も高くなる。
ｕ膜との間に導電性膜を形成したものを用いた光電子放
出装置においては、Ａｕ膜と母材との付着力が向上する
ので、装置としての機械的な耐久性が向上して取り扱い
上好都合であるだけでなく、Ａｕ膜の電気的な連続性が
補強され、信頼性も高くなる。
【図１】本発明の第１実施例に係る光電子放出板を示す
断面図である。
断面図である。
【図２】本発明の第２実施例に係る光電子放出板を示す
断面図である。
断面図である。
【図３】光電子放出板の深さ方向における元素の分布を
２次イオン質量分析によって測定した結果のグラフであ
り、（Ａ）（Ｂ）は本発明の夫々比較例及び第１実施例
を示している。
２次イオン質量分析によって測定した結果のグラフであ
り、（Ａ）（Ｂ）は本発明の夫々比較例及び第１実施例
を示している。
【図４】導電性薄膜が無い場合にＡｕ薄膜が島状となっ
た状態を示す断面図である。
た状態を示す断面図である。
【図５】導電性薄膜が有る場合にＡｕ薄膜が島状となっ
た状態を示す断面図である。
た状態を示す断面図である。
【図６】本発明の第３実施例に係る光電子放出装置の概
略図である。
略図である。
１０ 母材 １０Ａ 一面（母材の表面） １０Ｂ 他面（母材の表面） １０Ｃ、１０Ｄ 面（母材の表面） １１ Ａｕ薄膜（Ａｕ膜） １２、２１ 光電子放出板（光電子放出体） ２０ 導電性薄膜（導電性膜） ２２ 光電子放出装置 ２３ 紫外線ランプ（紫外線源） ２４ 光電子 ＵＶ 紫外線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤井 敏明 神奈川県藤沢市本藤沢四丁目２番１号 株式会社荏原総合研究所内 (72)発明者 鈴木 英友 神奈川県藤沢市本藤沢四丁目２番１号 株式会社荏原総合研究所内 (72)発明者 坂本 和彦 埼玉県浦和市南元宿２丁目４番１号 (56)参考文献 特開 平５−68875（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01J 1/34
Claims (8)
- 【請求項１】 酸素が混合されているＡｕからなること
を特徴とする光電子放出物質。 - 【請求項２】 紫外線透過物質からなる母材と、 前記母材の少なくとも一部を除く表面に形成されており
酸素が混合されているＡｕ膜とを具備することを特徴と
する光電子放出体。 - 【請求項３】 前記母材の表面と前記Ａｕ膜との間に、
前記母材及び前記Ａｕ膜に対して、前記母材に対する前
記Ａｕ膜の付着力よりも強い付着力を有する導電性膜が
形成されていることを特徴とする請求項２に記載の光電
子放出体。 - 【請求項４】 前記母材がガラス材であることを特徴と
する請求項２または３に記載の光電子放出体。 - 【請求項５】 前記導電性膜は、Ｉｎ2 Ｏ3 またはＳｎ
Ｏ2 を含有する物質の中から選択された１種類以上の物
質から成っていることを特徴とする請求項３に記載の光
電子放出体。 - 【請求項６】 前記母材がガラス材であると共に、前記
導電性膜は、Ｉｎ2Ｏ3 またはＳｎＯ2 を含有する物質
の中から選択された１種類以上の物質から成っているこ
とを特徴とする請求項３に記載の光電子放出体。 - 【請求項７】 紫外線透過物質からなる母材の少なくと
も一部を除く表面に、酸素が混合されているＡｕ膜が形
成されている光電子放出体と、 前記一部から前記母材内へ紫外線を導入し、前記母材側
からこの母材と前記Ａｕ膜との界面に紫外線を入射させ
る紫外線源とを具備する光電子放出装置。 - 【請求項８】 前記母材の表面と前記Ａｕ膜との間に、
前記母材及び前記Ａｕ膜に対して、前記母材に対する前
記Ａｕ膜の付着力よりも強い付着力を有する導電性膜が
形成されていることを特徴とする請求項７に記載の光電
子放出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21091093A JP3243342B2 (ja) | 1993-08-03 | 1993-08-03 | 光電子放出物質、光電子放出体及び光電子放出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21091093A JP3243342B2 (ja) | 1993-08-03 | 1993-08-03 | 光電子放出物質、光電子放出体及び光電子放出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0750129A JPH0750129A (ja) | 1995-02-21 |
| JP3243342B2 true JP3243342B2 (ja) | 2002-01-07 |
Family
ID=16597096
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21091093A Expired - Fee Related JP3243342B2 (ja) | 1993-08-03 | 1993-08-03 | 光電子放出物質、光電子放出体及び光電子放出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3243342B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6376984B1 (en) * | 1999-07-29 | 2002-04-23 | Applied Materials, Inc. | Patterned heat conducting photocathode for electron beam source |
| US6759800B1 (en) * | 1999-07-29 | 2004-07-06 | Applied Materials, Inc. | Diamond supported photocathodes for electron sources |
| US7187755B2 (en) * | 2004-11-02 | 2007-03-06 | General Electric Company | Electron emitter assembly and method for generating electron beams |
| JP5943321B2 (ja) * | 2012-02-16 | 2016-07-05 | 国立大学法人島根大学 | 有機フォトカソードおよびその製造方法 |
| JP6867568B2 (ja) * | 2016-11-07 | 2021-04-28 | 国立大学法人東京工業大学 | ナノスケール光陰極電子源 |
-
1993
- 1993-08-03 JP JP21091093A patent/JP3243342B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0750129A (ja) | 1995-02-21 |
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