JP3241724B2 - 放射線検出器 - Google Patents
放射線検出器Info
- Publication number
- JP3241724B2 JP3241724B2 JP50756793A JP50756793A JP3241724B2 JP 3241724 B2 JP3241724 B2 JP 3241724B2 JP 50756793 A JP50756793 A JP 50756793A JP 50756793 A JP50756793 A JP 50756793A JP 3241724 B2 JP3241724 B2 JP 3241724B2
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- JP
- Japan
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- radiation detector
- gap
- charge carriers
- radiation
- crystal
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/29—Measurement performed on radiation beams, e.g. position or section of the beam; Measurement of spatial distribution of radiation
- G01T1/2914—Measurement of spatial distribution of radiation
- G01T1/2921—Static instruments for imaging the distribution of radioactivity in one or two dimensions; Radio-isotope cameras
- G01T1/2935—Static instruments for imaging the distribution of radioactivity in one or two dimensions; Radio-isotope cameras using ionisation detectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J47/00—Tubes for determining the presence, intensity, density or energy of radiation or particles
- H01J47/02—Ionisation chambers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J47/00—Tubes for determining the presence, intensity, density or energy of radiation or particles
- H01J47/06—Proportional counter tubes
- H01J47/062—Multiwire proportional counter tubes
Description
【発明の詳細な説明】 この発明は放射線検出器、特にガンマー線検出器に関
する。我々の新たな放射線検出器においては、511Kevガ
ンマー線がUV光子に変換され、これは多配線カウンター
構造内のTMAE蒸気中で検出され、カウンター構造は光電
子感知位置として作用する。
する。我々の新たな放射線検出器においては、511Kevガ
ンマー線がUV光子に変換され、これは多配線カウンター
構造内のTMAE蒸気中で検出され、カウンター構造は光電
子感知位置として作用する。
本発明によれば、シンチレーション結晶、光学的放射
線を荷電キャリアへ変換する手段、発生した荷電キャリ
アを検出するための手段、ここには前記結晶と前記検出
手段との間に位置する荷電キャリアの通路を抑制する手
段を備える間隙が設けられている、とを備える。
線を荷電キャリアへ変換する手段、発生した荷電キャリ
アを検出するための手段、ここには前記結晶と前記検出
手段との間に位置する荷電キャリアの通路を抑制する手
段を備える間隙が設けられている、とを備える。
本発明は以下の添付図面を参照して例として詳述され
る。
る。
図１は従来技術の陽電子カメラを示す模式的断面図；
及び 図２は本発明の具体的な実施例に係るカメラの模式的
配置図； 図３は本発明の実際的な実施例の縦断面図；及び 図４及び５は図３の装置の詳細を示す。
及び 図２は本発明の具体的な実施例に係るカメラの模式的
配置図； 図３は本発明の実際的な実施例の縦断面図；及び 図４及び５は図３の装置の詳細を示す。
ここで図面を参照すると、図１は従来技術設計を示
す。入射ガンマ線はBaF2結晶（シンチレーション結晶）
１にシンチレーションを生じさせて、紫外線（Ultra−v
iolet）光子を発生させる。UV光子は結晶に近接したガ
ス空間３内で変換され、その結果、少量の電子が、結晶
面上の導電メッシュ（グリッド）５と多ワイア比例カウ
ンター（multiwire proportinal counter）（MWP
C）、即ち、検出手段９の陰極７との間に印加された高
電堺内で増幅される。信号はこの部分へ伝達されて陽極
ワイア11で更に増幅される。読み出される形態のあるも
のはMWPC部分へ組み入れられる。
す。入射ガンマ線はBaF2結晶（シンチレーション結晶）
１にシンチレーションを生じさせて、紫外線（Ultra−v
iolet）光子を発生させる。UV光子は結晶に近接したガ
ス空間３内で変換され、その結果、少量の電子が、結晶
面上の導電メッシュ（グリッド）５と多ワイア比例カウ
ンター（multiwire proportinal counter）（MWP
C）、即ち、検出手段９の陰極７との間に印加された高
電堺内で増幅される。信号はこの部分へ伝達されて陽極
ワイア11で更に増幅される。読み出される形態のあるも
のはMWPC部分へ組み入れられる。
我々は、この構造が非常に不安定であり、MWPC内のア
バランチェにより帰還する陽イオンによる結晶面の荷電
に起因して、20秒程度の後にブレイクダウンすることを
発見した。このために、逆バイアスの保護間隙（第２の
間隙）13（図２）を結晶面の近くに設けている。この間
隙（好ましくは0.5−1.0mm幅）は非常に高められた安定
性のために僅かな信号を犠牲にする。我々は100Vの逆バ
イアスにより、変更されたカウンタは荷電効果を現すこ
となく終日運転されることを見出している。
バランチェにより帰還する陽イオンによる結晶面の荷電
に起因して、20秒程度の後にブレイクダウンすることを
発見した。このために、逆バイアスの保護間隙（第２の
間隙）13（図２）を結晶面の近くに設けている。この間
隙（好ましくは0.5−1.0mm幅）は非常に高められた安定
性のために僅かな信号を犠牲にする。我々は100Vの逆バ
イアスにより、変更されたカウンタは荷電効果を現すこ
となく終日運転されることを見出している。
従来技術の陽電子カメラにおいて、厳しい実際的な問
題は、同時（即ち有益）計数（〜50:1まで）に対する単
一計数の非常に高い比率に起因している。これは、MWPC
の要素の利得要素を過負荷にし、また、読取りシステム
における深刻な停止時間損失をもたらす。我々は、この
状況を著しく改良する二つの更なる変更を見出した。先
ず、結晶障壁間隙が続く最初の並行増幅間隙（第１の間
隙）３は、幅広間隙19（〜30mm）によりMWPCから分離さ
れている。（これは、自身でカウンターの安定性を更に
高めている）。我々の早い一致をなすために、我々はこ
こでこの間隙の後からトリガー信号をとろうとした。し
かしながら、一つの間隙からあまりにも大きい利得を要
求するので、我々は更なる間隙21を挿入し、その後面か
らトリガー信号をとった。
題は、同時（即ち有益）計数（〜50:1まで）に対する単
一計数の非常に高い比率に起因している。これは、MWPC
の要素の利得要素を過負荷にし、また、読取りシステム
における深刻な停止時間損失をもたらす。我々は、この
状況を著しく改良する二つの更なる変更を見出した。先
ず、結晶障壁間隙が続く最初の並行増幅間隙（第１の間
隙）３は、幅広間隙19（〜30mm）によりMWPCから分離さ
れている。（これは、自身でカウンターの安定性を更に
高めている）。我々の早い一致をなすために、我々はこ
こでこの間隙の後からトリガー信号をとろうとした。し
かしながら、一つの間隙からあまりにも大きい利得を要
求するので、我々は更なる間隙21を挿入し、その後面か
らトリガー信号をとった。
次に、他の検出器との早い一致は、ゲインの最後のバ
ーストを導き、読み出しを実行するMWPC9へ向かって電
子雲をドリフトさせながらなされる。ドリフト領域15の
概ね中央には、一致回路により駆動される電子的ゲート
17がある。これは、MWPC及び読み出しシステムを「良
好」な事象によりトリガーさせることを保証する。これ
は、カウンターの安定性を同時に増加させ、且つ読み出
し電子機器における堆積を劇的に減少させる。このゲー
トは、読み出し電子機器に起こり得る干渉を最小化する
ようにシールド電極23,25により慎重に設計されてい
る。
ーストを導き、読み出しを実行するMWPC9へ向かって電
子雲をドリフトさせながらなされる。ドリフト領域15の
概ね中央には、一致回路により駆動される電子的ゲート
17がある。これは、MWPC及び読み出しシステムを「良
好」な事象によりトリガーさせることを保証する。これ
は、カウンターの安定性を同時に増加させ、且つ読み出
し電子機器における堆積を劇的に減少させる。このゲー
トは、読み出し電子機器に起こり得る干渉を最小化する
ようにシールド電極23,25により慎重に設計されてい
る。
これらの改良における現在までの我々の試験によれ
ば、20％の量子効率及び4ns fwhm（半値全幅）の時間
分解能を伴う6mm fwhmの空間分解能が証明されてい
る。このような効率は、導入システムのそれの３倍であ
り、時間分解能は1/3である。このことは、感度におけ
る９の因数及び信号対雑音比における27の因数である。
予想された最大データ率は、同等の条件下で2KHzから20
KHzへ高められる。
ば、20％の量子効率及び4ns fwhm（半値全幅）の時間
分解能を伴う6mm fwhmの空間分解能が証明されてい
る。このような効率は、導入システムのそれの３倍であ
り、時間分解能は1/3である。このことは、感度におけ
る９の因数及び信号対雑音比における27の因数である。
予想された最大データ率は、同等の条件下で2KHzから20
KHzへ高められる。
検出器の実際的な実施例は図３に示されている。これ
は、12枚のBaF2のタイルが装着されたステンレス鋼フレ
ーム33を備えるフッ化バリウム結晶検出器31を備えてい
る。次に、ワイヤ面の列が存在する。第１の面35は、50
0μｍピッチで50μｍ径のワイアからなり、且つBaF2結
晶から0.5mm離間されている。第２の面37は、1mmピッチ
で100μｍ径のワイアからなり、且つ第１の面から3.0mm
離間されている。第３の面39もまた、1mmピッチで100μ
ｍ径のワイアからなり、且つ第２の面から9.0mm離間さ
れている。ゲート41は、第３のワイア面から20.0mm離れ
て位置する1mmピッチで100μｍ径のワイアを備えると共
に、それぞれ各側に一つ位置する第１と第２の金属メッ
シュスクリーン43,45を有する。後続する更なる13.2mm
の間隙は後端検出器47であり、これは、直角陰極を伴う
通常の多ワイア比例カウンターに似ている。陰極は、2.
0mmピッチの50μｍ径のワイアからなり、陽極／陰極面
は、4.0mmピッチの20μｍ陽極ワイア及び100μｍ陰極ワ
イアを備える。Ｘ−及びＹ−座標が遅延線49,51により
得られる。検出器は、ステンレス鋼フレーム55に装着さ
れたアルミニウム蜂巣構造シート53を備える密封された
囲い内に装着されている。TAME蒸気圧4.5mBにおける一
定温度60℃に囲いを保持するために、加熱器パッドが設
けられている。蜂巣アルミニウムシートは構造的に強い
が、ガンマ光子を実質的に透過させる。
は、12枚のBaF2のタイルが装着されたステンレス鋼フレ
ーム33を備えるフッ化バリウム結晶検出器31を備えてい
る。次に、ワイヤ面の列が存在する。第１の面35は、50
0μｍピッチで50μｍ径のワイアからなり、且つBaF2結
晶から0.5mm離間されている。第２の面37は、1mmピッチ
で100μｍ径のワイアからなり、且つ第１の面から3.0mm
離間されている。第３の面39もまた、1mmピッチで100μ
ｍ径のワイアからなり、且つ第２の面から9.0mm離間さ
れている。ゲート41は、第３のワイア面から20.0mm離れ
て位置する1mmピッチで100μｍ径のワイアを備えると共
に、それぞれ各側に一つ位置する第１と第２の金属メッ
シュスクリーン43,45を有する。後続する更なる13.2mm
の間隙は後端検出器47であり、これは、直角陰極を伴う
通常の多ワイア比例カウンターに似ている。陰極は、2.
0mmピッチの50μｍ径のワイアからなり、陽極／陰極面
は、4.0mmピッチの20μｍ陽極ワイア及び100μｍ陰極ワ
イアを備える。Ｘ−及びＹ−座標が遅延線49,51により
得られる。検出器は、ステンレス鋼フレーム55に装着さ
れたアルミニウム蜂巣構造シート53を備える密封された
囲い内に装着されている。TAME蒸気圧4.5mBにおける一
定温度60℃に囲いを保持するために、加熱器パッドが設
けられている。蜂巣アルミニウムシートは構造的に強い
が、ガンマ光子を実質的に透過させる。
操作では、511Kevガンマ光子が、BaF2結晶により捕捉
され、これは190nm紫外線の閃光を放射する。UV線は、
カメラチャンバ内のTAMEガスにより吸収され、電子生成
光子イオン化される。
され、これは190nm紫外線の閃光を放射する。UV線は、
カメラチャンバ内のTAMEガスにより吸収され、電子生成
光子イオン化される。
電源V1は第１と第２の面の間に接続され、更なる電子
の生成を許す300V/mmの場を生成する。幅広間隙におけ
るこの場により発生されたレベルのゲインは不安定であ
るので、第２の増幅された間隙は、約150V/mmの低強度
場を有する更なる電源V2に接続されている。二つの間隙
は共に、検出可能な信号のために充分な電子を与える。
の生成を許す300V/mmの場を生成する。幅広間隙におけ
るこの場により発生されたレベルのゲインは不安定であ
るので、第２の増幅された間隙は、約150V/mmの低強度
場を有する更なる電源V2に接続されている。二つの間隙
は共に、検出可能な信号のために充分な電子を与える。
陽電子カメラによれば、二つの検出器が存し、それぞ
れ電源の各側に一つ位置する。陽電子放出事象は二つの
検出器における信号の一致により特徴付けられる。従っ
て信号は第３の面からとられ、増幅器A1及び弁別装置
（一致回路）Ｄへ供給される。他方の検出器上の対応す
る増幅器A2からの信号は、同様に抽出され、一致のため
に試験される。5nsの時間幅内で第３の面により事象が
検出された際は、二つの事象は一つが各端で、且つそれ
らは時間的に一致している。
れ電源の各側に一つ位置する。陽電子放出事象は二つの
検出器における信号の一致により特徴付けられる。従っ
て信号は第３の面からとられ、増幅器A1及び弁別装置
（一致回路）Ｄへ供給される。他方の検出器上の対応す
る増幅器A2からの信号は、同様に抽出され、一致のため
に試験される。5nsの時間幅内で第３の面により事象が
検出された際は、二つの事象は一つが各端で、且つそれ
らは時間的に一致している。
第３の面と検出器との間には、ゲート電極が配置さ
れ、これは交互のワイア上で通常は±20Vにバイアスさ
れている。これはワイアの平坦な面であるが、交互のワ
イアは二つの母線棒に接続されているので、仮に一つの
ワイアが上昇しても、次のワイアは加工する。この電圧
が適用されている限りは、ゲートは、第３の面と検出器
との間の電子の通路のための障壁として働く。一致が発
生した際は、トリガーされた電子が第３の面とゲートと
の間のドリフト場の通過の過程に止まっている間、ゲー
ト電極は零ボルトをもたらす。この決定及び動作のため
に約200nsの幅が現れ得る。
れ、これは交互のワイア上で通常は±20Vにバイアスさ
れている。これはワイアの平坦な面であるが、交互のワ
イアは二つの母線棒に接続されているので、仮に一つの
ワイアが上昇しても、次のワイアは加工する。この電圧
が適用されている限りは、ゲートは、第３の面と検出器
との間の電子の通路のための障壁として働く。一致が発
生した際は、トリガーされた電子が第３の面とゲートと
の間のドリフト場の通過の過程に止まっている間、ゲー
ト電極は零ボルトをもたらす。この決定及び動作のため
に約200nsの幅が現れ得る。
ゲートワイアからバイアスを除去すると、電子は通過
でき、多ワイアへドリフトし、陽極ワイアの回りに通常
の雪崩を起こし、陰極上の信号を引き起こすので、Ｘ−
及びＹ−座標が読み出される。
でき、多ワイアへドリフトし、陽極ワイアの回りに通常
の雪崩を起こし、陰極上の信号を引き起こすので、Ｘ−
及びＹ−座標が読み出される。
ゲート開閉の効果は、カウンタの後端が一致率で操作
されるのみであるのに、前端が信号事象に対応した非常
に高い率で電子を生成することである。これは100:1よ
りも大きな改良であり、これは、検出された信号の信号
／雑音比において対応する効果を有する。これは検出器
における過密をも緩和する。
されるのみであるのに、前端が信号事象に対応した非常
に高い率で電子を生成することである。これは100:1よ
りも大きな改良であり、これは、検出された信号の信号
／雑音比において対応する効果を有する。これは検出器
における過密をも緩和する。
ゲート電極の効果の他の利点は、それが多ワイア領域
からの陽イオンの逆伝導に対する障壁として働くことで
ある。
からの陽イオンの逆伝導に対する障壁として働くことで
ある。
この配置の更なる利点は、通常の配置のように連続的
よりもむしろゲートの開放を有する一致の後のみに生成
された大きな信号により、陽イオンの実際の発生が減少
されることである。
よりもむしろゲートの開放を有する一致の後のみに生成
された大きな信号により、陽イオンの実際の発生が減少
されることである。
ゲート電極の最初の切り替えに伴う問題は、信号のレ
ベル及び多ワイア検出器のインピーダンス、疑似信号が
検出回路へ導入され得ることである。これを防止するた
めに、銅メッシュスクリーンがゲートの各側、即ちゲー
ト電極に設けられている。
ベル及び多ワイア検出器のインピーダンス、疑似信号が
検出回路へ導入され得ることである。これを防止するた
めに、銅メッシュスクリーンがゲートの各側、即ちゲー
ト電極に設けられている。
スクリーンは、電子ドリフト場を保持するために適用
される電位源に接続されている。フレーム上の金属的障
壁はゲートを完全に閉じる。AC連続は、間隙にブリッジ
接続された面実装コンデンサにより保持されるので、ゲ
ート電極の回りの障壁籠が生成される。
される電位源に接続されている。フレーム上の金属的障
壁はゲートを完全に閉じる。AC連続は、間隙にブリッジ
接続された面実装コンデンサにより保持されるので、ゲ
ート電極の回りの障壁籠が生成される。
更なる問題は陽イオンが前端にドリフト後退すること
であり、これはBaF2が常に完全な絶縁体であることに起
因する。この問題は二つの測定により処理される。第一
に金属ワイアは周囲を結晶で傷付けられる。250μｍピ
ッチの25μｍ径のワイアによれば、なお90％の余分な領
域が存在するが、そこにはイオンを捕捉するための電極
が存在するので、大きな荷電軌道の長さも減少される。
であり、これはBaF2が常に完全な絶縁体であることに起
因する。この問題は二つの測定により処理される。第一
に金属ワイアは周囲を結晶で傷付けられる。250μｍピ
ッチの25μｍ径のワイアによれば、なお90％の余分な領
域が存在するが、そこにはイオンを捕捉するための電極
が存在するので、大きな荷電軌道の長さも減少される。
第二に、この結晶の前部においては、0.5mm幅の間隙
が逆バイアスされる。従って、＋veイオンは結晶を駆動
しない。これらが第１の面に到達した際、結晶の前部に
おける0.5mmは、最も負の点であり、それ以上は進めな
い。この不利益は、何らかのUV光が第１の0.5mm間隙が
効率的に失われるように変換する。BaF2の厚さは、感度
の改良を促進させ得る。これは、しかしながら、16mmの
実際的最大の分解能に対する交換である。
が逆バイアスされる。従って、＋veイオンは結晶を駆動
しない。これらが第１の面に到達した際、結晶の前部に
おける0.5mmは、最も負の点であり、それ以上は進めな
い。この不利益は、何らかのUV光が第１の0.5mm間隙が
効率的に失われるように変換する。BaF2の厚さは、感度
の改良を促進させ得る。これは、しかしながら、16mmの
実際的最大の分解能に対する交換である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 スチーブンソン、リチャード イギリス国、オーエックス10・８ジェイ エイチ、オックスフォードシャー、ウオ ーリングフォード、ブラックストン・ロ ード ７ (56)参考文献 特開 昭62−225984（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−163392（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−255977（ＪＰ，Ａ) 特開 昭49−70677（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−177243（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−44939（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−241747（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−59045（ＪＰ，Ａ) 実開 昭61−173078（ＪＰ，Ｕ) 実開 平１−102885（ＪＰ，Ｕ) 特表 平３−505003（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01T 1/20 G01T 1/161 H01L 31/09
Claims (7)
- 【請求項１】シンチレーション結晶（１）と、この結晶
からの光学的放射線を荷電キャリアに変換するための変
換手段（３−11）と、荷電キャリアを検出するための検
出手段（９）とを具備し、前記変換手段は、前記光学的
放射線を荷電キャリアに変換するためのガスを含んだ間
隙（３）と、前記荷電キャリアを増幅するための１以上
のグリッド（５）とを有するガンマ線を検出するための
放射線検出器において、 反対の極性の荷電キャリアの通過を抑制して、放射線検
出器の動作を安定させるように平面（35）によって区画
され、前記シンチレーション結晶（１）に近接して設け
られた間隙（13）を具備することを特徴とする放射線検
出器。 - 【請求項２】前記平面（35）は、間隙（13）によってシ
ンチレーション結晶（１）から離間され逆バイアスに印
加されたグリッド（35）を備えていることを特徴とする
請求項１記載の放射線検出器。 - 【請求項３】前記逆バイアスに印加されたグリッドは、
前記シンチレーション結晶から0.5乃至1.0mm離間されて
いることを特徴とする請求項２記載の放射線検出器。 - 【請求項４】前記荷電キャリアをさらに増幅するための
さらなる間隙（19,21）と、荷電キャリアに作用するた
めの電界を与えるためのグリッド手段（37−45）とをさ
らに具備することを特徴とする請求項１ないし３のいず
れか１記載の放射線検出器。 - 【請求項５】前記さらなる間隙は、幅が3mmのオーダの
第１の間隙と、幅が9mmのオーダの隣接した第２の間隙
とを有することを特徴とする請求項４記載の放射線検出
器。 - 【請求項６】前記検出手段への荷電キャリアの通過を果
たすか抑制するかを選択的に可能にするように、グリッ
ドを備える電子ゲート（17,45）を有することを特徴と
する請求項１ないし５のいずれか１記載の放射線検出
器。 - 【請求項７】前記電子ゲートは、一致期間の間の荷電キ
ャリアの通過を可能にするために、さらなる放射線検出
器からの信号を受ける一致手段（Ｄ）を有することを特
徴とする請求項６記載の放射線検出器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB9122348.7 | 1991-10-22 | ||
| GB919122348A GB9122348D0 (en) | 1991-10-22 | 1991-10-22 | Radiation detectors |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07500907A JPH07500907A (ja) | 1995-01-26 |
| JP3241724B2 true JP3241724B2 (ja) | 2001-12-25 |
Family
ID=10703301
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50756793A Expired - Fee Related JP3241724B2 (ja) | 1991-10-22 | 1992-10-22 | 放射線検出器 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5430299A (ja) |
| EP (1) | EP0609324B1 (ja) |
| JP (1) | JP3241724B2 (ja) |
| DE (1) | DE69208366T2 (ja) |
| GB (2) | GB9122348D0 (ja) |
| WO (1) | WO1993008484A1 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5665971A (en) * | 1993-04-12 | 1997-09-09 | Massachusetts Institute Of Technology | Radiation detection and tomography |
| SE521032C2 (sv) | 2000-06-05 | 2003-09-23 | Xcounter Ab | Anordning och förfarande för detektering av joniserande strålning innefattande ljusdämpare mellan fotokatod och elektronlavinförstärkare |
| US6768326B2 (en) * | 2001-10-01 | 2004-07-27 | General Electric Company | SiC photodiode detectors for radiation detection applications |
| GB0709381D0 (en) * | 2007-05-15 | 2007-06-27 | Petrra Ltd | Radiation detector |
| GB2459870B (en) * | 2008-05-07 | 2012-06-20 | Petrra Ltd | Positron emission detection and imaging |
| CN102928864B (zh) * | 2012-11-01 | 2014-08-20 | 成都理工大学 | 一种基于多丝正比室气态氚测量方法和系统 |
| CN107578978B (zh) * | 2016-11-10 | 2019-06-07 | 长春理工大学 | 用于空间光通信具有位敏薄膜栅极的微通道光电倍增管 |
Family Cites Families (3)
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