JP3241276B2 - Conductive microsphere and liquid crystal display device - Google Patents

Conductive microsphere and liquid crystal display device

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JP3241276B2
JP3241276B2 JP26490196A JP26490196A JP3241276B2 JP 3241276 B2 JP3241276 B2 JP 3241276B2 JP 26490196 A JP26490196 A JP 26490196A JP 26490196 A JP26490196 A JP 26490196A JP 3241276 B2 JP3241276 B2 JP 3241276B2
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JP
Japan
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conductive
microspheres
microsphere
electrode
liquid crystal
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都一 山田
嘉秋 小寺
和彦 神吉
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Sekisui Chemical Co Ltd
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Sekisui Chemical Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、導電性微球体及び
これを用いた液晶表示素子に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a conductive fine sphere and a liquid crystal display device using the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】導電性微球体は、エレクトロニクス分野
において、微細電極を接続するための導電体として使用
されている。
2. Description of the Related Art In the field of electronics, conductive microspheres are used as conductors for connecting fine electrodes.

【0003】TN(ツイステッドネマチック)モードの
液晶表示素子の代表的な例を図5に示す。この液晶表示
素子は、一対の基板37、39と、該一対の基板37、
39のギャップを一定に保持するために一対の基板3
7、39の間に配設されたスペーサ38及びネマチック
液晶41と、一対の基板37、39間の周囲に充填され
たシール部材30と、各基板37、39の表面に被覆さ
れた偏光シート42、43とを有している。上記基板3
7、39は、ガラスからなる透明基板31、34の片面
にITO(Indium−Tin−Oxide)膜等か
らなる透明電極32、35をパターン形成し、この透明
電極32、35及び透明基板31、34の表面にポリイ
ミド膜等からなる配向制御膜33、36を被覆して構成
されている。その配向制御膜33、36は、ラビングに
よって配向制御処理されている。
FIG. 5 shows a typical example of a TN (twisted nematic) mode liquid crystal display device. This liquid crystal display element includes a pair of substrates 37 and 39, and the pair of substrates 37 and 39.
In order to keep the gap 39 constant, a pair of substrates 3
The spacer 38 and the nematic liquid crystal 41 disposed between the pair of substrates 7 and 39, the sealing member 30 filled around the pair of substrates 37 and 39, and the polarizing sheet 42 coated on the surfaces of the substrates 37 and 39. , 43. The above substrate 3
In reference numerals 7 and 39, transparent electrodes 32 and 35 made of an ITO (Indium-Tin-Oxide) film or the like are pattern-formed on one surface of transparent substrates 31 and 34 made of glass. Are coated with alignment control films 33 and 36 made of a polyimide film or the like. The alignment control films 33 and 36 are subjected to an alignment control process by rubbing.

【0004】上記構成の液晶表示素子は、通常以下のよ
うにして作製される。上記一方の基板37の配向制御膜
33の上に、スペーサ38を散布し、基板37の周縁部
にシール用の樹脂を印刷で塗布する。次いで、一対の基
板37、39をその配向制御膜33、36同士が対向す
るように重ねて加圧する。次に、シール用樹脂を加熱硬
化させることによってシール部材を形成して一対の基板
37、39を相互に固着させる。次に、シール部材に設
けた孔部から一対の基板37、39のギャップに、ネマ
チック液晶41を充填し、その後孔部を閉塞する。そし
て、透明基板31、34の外側面にそれぞれ偏光シート
42、43を積層する。
[0004] The liquid crystal display device having the above configuration is usually manufactured as follows. Spacers 38 are scattered on the orientation control film 33 of the one substrate 37, and a sealing resin is applied to the periphery of the substrate 37 by printing. Next, a pair of substrates 37 and 39 are overlapped and pressed so that the alignment control films 33 and 36 face each other. Next, the sealing resin is heated and cured to form a sealing member, and the pair of substrates 37 and 39 are fixed to each other. Next, the gap between the pair of substrates 37 and 39 is filled with the nematic liquid crystal 41 from the hole provided in the sealing member, and then the hole is closed. Then, the polarizing sheets 42 and 43 are laminated on the outer surfaces of the transparent substrates 31 and 34, respectively.

【0005】エレクトロニクス実装分野において、一対
の微細電極を接続するために、金、銀、ニッケル等の金
属粒子とバインダー樹脂とを混合して導電性ペーストを
調製し、このペーストを一対の微細電極間に充填するこ
とにより微細電極間を接続させることが行われる。しか
し、このような金属粒子は形状が不均一であり、かつ、
バインダー樹脂に比べて比重が大きいために、バインダ
ー樹脂に均一に分散させることが困難であった。
In the field of electronic packaging, in order to connect a pair of fine electrodes, a conductive paste is prepared by mixing metal particles such as gold, silver, and nickel and a binder resin. Is filled to connect the fine electrodes. However, such metal particles are non-uniform in shape, and
Since the specific gravity is larger than that of the binder resin, it is difficult to uniformly disperse the binder resin in the binder resin.

【0006】特開昭59−28185号公報には、粒径
が比較的揃ったガラスビーズ、シリカビーズ、グラスフ
ァイバー等の粒子の表面に、金属メッキ層を設けて導電
性微球体を形成することが開示されている。しかしなが
ら、上記公報に開示された導電性微球体は、その基材微
球体が硬すぎるので、圧縮変形させることが困難であ
る。そのため、この導電性微球体を使用して電極間を接
続しようとすると、導電性微球体と電極表面との接触面
積が広がらず、接触抵抗値を低減させることが困難とな
る。
Japanese Patent Application Laid-Open No. 59-28185 discloses a method of forming conductive microspheres by providing a metal plating layer on the surface of particles such as glass beads, silica beads, and glass fibers having relatively uniform particle diameters. Is disclosed. However, the conductive microspheres disclosed in the above publication are difficult to compressively deform because the base microspheres are too hard. Therefore, if an attempt is made to connect the electrodes using the conductive microspheres, the contact area between the conductive microspheres and the electrode surface does not increase, and it becomes difficult to reduce the contact resistance value.

【0007】特開昭62−185749号公報及び特開
平1−225776号公報には、基材微球体として、ポ
リフェニレンスルフィド粒子やフェノール樹脂粒子等を
用いた導電性微球体が開示されている。しかし、このよ
うな合成樹脂粒子を基材微球体として用いた導電性微球
体は、圧縮変形後の変形回復性に乏しい。そのため、該
導電性微球体を使用して電極間の接続を行う際に、両電
極に作用する圧縮荷重を取り除くと、該導電性微球体と
電極表面との界面にわずかなギャップが形成され、その
結果接触不良を起こす。
JP-A-62-185749 and JP-A-1-225776 disclose conductive fine spheres using polyphenylene sulfide particles, phenol resin particles or the like as base fine spheres. However, conductive microspheres using such synthetic resin particles as base microspheres have poor deformation recovery after compression deformation. Therefore, when the connection between the electrodes is performed using the conductive microspheres, when a compressive load acting on both electrodes is removed, a slight gap is formed at the interface between the conductive microspheres and the electrode surface, As a result, poor contact occurs.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記に鑑
み、適度の圧縮変形性と変形回復性とを有し、接続信頼
性に優れた導電性微球体、及び、これを用いた液晶表示
素子を提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above, the present invention provides a conductive fine sphere having appropriate compressive deformation and deformation recovery properties and excellent connection reliability, and a liquid crystal display using the same. It is intended to provide an element.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】上記の目的は、 K=(3/√2)・F・S-3/2・R-1/2 (式中、Fは、微球体の10%圧縮変形における荷重値
(kgf)を表し、Sは、圧縮変位(mm)を表し、R
は、微球体の半径(mm)を表す。)で定義されるKの
値が、20℃において50kgf/mm2 以上250k
gf/mm2 未満であり、圧縮変形後の回復率が、20
℃において15〜100%である微球体 、該微球体の
表面に設けられた導電層とからなることを特徴とする導
電性微球体、及び、これを用いた液晶表示素子によって
達成することができる。以下に本発明を詳述する。
The object of the present invention is to obtain K = (3 / √2) ・FS -3 / 2 ・ R- 1 / 2 (where F is the 10% compressive deformation of the microsphere ) , S represents the compression displacement (mm), and R
Represents the radius (mm) of the microsphere. ) Is 50 kgf / mm 2 or more and 250 k at 20 ° C.
gf / mm 2 and the recovery rate after compression deformation is 20
Microspheres that are between 15 and 100% at
And a conductive layer provided on the surface.
This can be achieved by the use of the conductive microspheres and the liquid crystal display device using the same . Hereinafter, the present invention will be described in detail.

【0010】まず、本発明で定義するK値について説明
する。ランダウーリフシッツ理論物理学教程「弾性理
論」(東京図書1972年発行)42頁によれば、半径
がそれぞれR、R′の2つの弾性球体が接触した際、h
は次式により与えられる。 h=F2/3 [D2 (1/R+1/R′)]1/3 (1) D=(3/4)[(1−σ2 )/E+(1−σ′2 )/E′] (2) (式中、hは、R+R′と両球の中心間の距離の差を表
し、Fは、圧縮力を表し、E及びE′は、二つの弾性球
体の弾性率を表し、σ及びσ′は、弾性球のボアッソン
比を表す。)
First, the K value defined in the present invention will be described. According to Landau-Orifsitz's theoretical physics course "Elasticity" (published by Tokyo Book, 1972), page 42, when two elastic spheres having radii R and R 'respectively come into contact, h
Is given by: h = F 2/3 [D 2 (1 / R + 1 / R ′)] 1/3 (1) D = (3/4) [(1−σ 2 ) / E + (1−σ ′ 2 ) / E ′ (2) (where h represents the difference between R + R ′ and the distance between the centers of the two spheres, F represents the compressive force, E and E ′ represent the elastic moduli of the two elastic spheres, σ and σ ′ represent the Boisson's ratio of the elastic sphere.)

【0011】一方、球を剛体の板の上に置いて、かつ、
両側から圧縮する場合、R′→∞、E)E′とすると、
近似的に次式が得られる。 F=(21/2 /3)(S3/2 )(E・R1/2 )(1−σ2 ) (3) (式中、Sは圧縮変形量を表す。) この式を変形すると容易に次式が得られる。 K=E/(1−σ2 ) (4) よって、K値を表す式:K=(3/√2)・F・S-3/2・R-1/2 (5) が得られる。上記K値は球体の硬さを普遍的かつ定量的
に表すものである。上記K値を用いることにより、微球
体の好適な硬さを定量的かつ一義的に表すことが可能と
なる。
On the other hand, the ball is placed on a rigid plate, and
When compressing from both sides, if R '→ ∞, E) E', then
The following equation is approximately obtained. F = (2 1/2/3 ) (S 3/2 ) (E · R 1/2 ) (1−σ 2 ) (3) (where S represents the amount of compressive deformation). Then, the following equation is easily obtained. K = E / (1−σ 2 ) (4) Accordingly, an expression representing the K value: K = (3 / √2) ・FS -3 / 2 ・ R- 1 / 2 (5) is obtained. The K value represents the hardness of a sphere universally and quantitatively. By using the above K value, it is possible to quantitatively and uniquely express the suitable hardness of the microsphere.

【0012】本発明に用いる微球体において、10%圧
縮歪みにおけるK値は、50kgf/mm2 以上250
kgf/mm2 未満である。50kgf/mm2 未満で
あると、機械的強度が不足し、250kgf/mm2
上であると、特に導電性微球体の場合、硬すぎて接触面
積が小さくなり接触抵抗が高くなってしまうので、上記
範囲に限定される。好ましくは、100kgf/mm2
以上250kgf/mm2 未満である。
In the microspheres used in the present invention , the K value at 10% compressive strain is 50 kgf / mm 2 or more and 250
It is less than kgf / mm 2 . If it is less than 50 kgf / mm 2 , the mechanical strength is insufficient, and if it is more than 250 kgf / mm 2 , especially in the case of conductive fine spheres, the contact area becomes too small and the contact resistance becomes high. It is limited to the above range. Preferably, 100 kgf / mm 2
It is less than 250 kgf / mm 2 .

【0013】ところで、微球体の好適な硬さを規定する
だけでは好適な微球体の材料力学的な性質を完全に表現
することはできない。もう一つの重要な性質は、微球体
の弾性を示す値である圧縮変形後の回復率が所定範囲内
にあることである。圧縮変形後の回復率を規定すること
によって微球体の弾性ないし塑性を定量的にかつ一義的
に表すことが可能となるのである。
By the way, it is not possible to completely express the material mechanical properties of a suitable microsphere simply by defining a suitable hardness of the microsphere. Another important property is that the recovery rate after compression deformation, which is a value indicating the elasticity of the microsphere, is within a predetermined range. By defining the recovery rate after compression deformation, the elasticity or plasticity of the microsphere can be quantitatively and uniquely expressed.

【0014】本発明に用いる微球体において、微球体の
圧縮変形後の回復率は、20℃において15〜100%
である。回復率が15%未満であると、加圧プレスによ
り両基板間のギャップ出しを行う際に、局部的に圧力が
過大に加わった場合、微球体が圧縮変形されたままの状
態であるため、その箇所でギャップが元に戻らず、その
ためにギャップムラを生じるので、上記範囲に限定され
る。好ましい圧縮変形後の回復率は、20〜95%であ
る。
In the microspheres used in the present invention , the recovery rate after compression deformation of the microspheres is 15 to 100% at 20 ° C.
It is. If the recovery rate is less than 15%, the microspheres remain in a state of being compressed and deformed when the pressure is locally applied excessively when the gap is formed between the two substrates by the pressure press. Since the gap does not return to the original position at that point, which causes gap unevenness, the gap is limited to the above range. The preferred recovery rate after compression deformation is 20 to 95%.

【0015】次に、K値及び圧縮変形後の回復率の測定
法について説明する。 (A)K値の測定方法及び条件 (i)測定方法 室温において、平滑表面を有する鋼板の上に微球体を散
布し、その中から1個の微球体を選ぶ。次に、微小圧縮
試験機(PCT−200型、島津製作所社製)を用い
て、ダイヤモンド製の直径50μmの円柱の平滑な端面
で微球体を圧縮する。この際、圧縮荷重を電磁力として
電気的に検出し、圧縮変位を作動トランスによる変位と
して電気的に検出する。
Next, a method of measuring the K value and the recovery rate after compression deformation will be described. (A) Measurement method and conditions of K value (i) Measurement method At room temperature, microspheres are sprayed on a steel plate having a smooth surface, and one microsphere is selected from the microspheres. Next, using a micro compression tester (PCT-200 type, manufactured by Shimadzu Corporation), the microspheres are compressed on the smooth end face of a diamond cylinder having a diameter of 50 μm. At this time, the compression load is electrically detected as an electromagnetic force, and the compression displacement is electrically detected as a displacement by the operation transformer.

【0016】これにより、図2に示すような圧縮変位−
荷重の関係が求められる。図2から、微球体の10%圧
縮変形における荷重値、圧縮変位がそれぞれ求められ、
これらの値と(5)式とから図3に示すようなK値と圧
縮歪との関係が求められる。ここで、圧縮歪みは圧縮変
位を微球体の粒子径で割った値を%で表したものであ
る。 (ii)圧縮速度 定負荷速度圧縮方式で行う。毎秒0.27グラム重(g
rf)の割合で荷重を増加する。 (iii)試験荷重 最大10grfとする。
Thus, the compression displacement as shown in FIG.
A load relationship is required. From FIG. 2, the load value and the compressive displacement at 10% compressive deformation of the microsphere are obtained, respectively.
From these values and equation (5), the relationship between the K value and the compression distortion as shown in FIG. 3 is obtained. Here, the compressive strain is a value obtained by dividing a value obtained by dividing a compressive displacement by a particle diameter of a microsphere in%. (Ii) Compression speed This is performed by a constant load speed compression method. 0.27 grams weight per second (g
The load is increased at the rate of rf). (Iii) Test load The maximum load is 10 grf.

【0017】 (B)圧縮変形後の回復率の測定方法及び条件 (i)測定方法 室温において、平滑表面を有する鋼板の上に微球体を散
布し、その中から1個の微球体を選ぶ。次に、微小圧縮
試験機(PCT−200型、島津製作所社製)を用い
て、ダイヤモンド製の直径50μmの円柱の平滑な端面
で微球体を圧縮する。この際、圧縮荷重を電磁力として
電気的に検出し、圧縮変位を作動トランスによる変位と
して電気的に検出する。
(B) Measurement method and condition of recovery rate after compressive deformation (i) Measurement method At room temperature, microspheres are scattered on a steel plate having a smooth surface, and one microsphere is selected from them. Next, using a micro compression tester (PCT-200 type, manufactured by Shimadzu Corporation), the microspheres are compressed on the smooth end face of a diamond cylinder having a diameter of 50 μm. At this time, the compression load is electrically detected as an electromagnetic force, and the compression displacement is electrically detected as a displacement by the operation transformer.

【0018】図4に示すように、微球体を反転荷重値ま
で圧縮した後(図4中、曲線(a)で示す)、逆に荷重
を減らしていく(図4中、曲線(b)で示す)。この
際、荷重と圧縮変位との関係を測定する。ただし、除荷
重における終点は荷重値ゼロではなく、0.1g以上の
原点荷重値とする。回復率は反転の点までの変位L1
反転の点から原点荷重値を取る点までの変位差L2 の比
(L2 /L1 )を%で表した値で定義する。
As shown in FIG. 4, after the microspheres are compressed to the reversal load value (indicated by curve (a) in FIG. 4), the load is reduced (in curve (b) in FIG. 4). Shown). At this time, the relationship between the load and the compression displacement is measured. However, the end point in the unloading is not a load value of zero but an origin load value of 0.1 g or more. The recovery rate is defined as the ratio (L 2 / L 1 ) of the displacement L 1 up to the point of inversion and the displacement difference L 2 from the point of inversion to the point where the origin load value is obtained, expressed as a percentage.

【0019】(ii)測定条件 反転荷重値 1grf 原点荷重値 0.1grf 負荷及び除負荷における圧縮速度 0.029grf/sec 測定室温度 20℃(Ii) Measurement conditions Reverse load value 1 grf Origin load value 0.1 grf Compression speed under load and unload 0.029 grf / sec Measurement chamber temperature 20 ° C.

【0020】本発明において用いられる微球体として
は、上記K値及び回復率を上記範囲内に調整することが
容易に行える点で、合成樹脂粒子が好ましい。上記合成
樹脂粒子としては特に限定されず、例えば、ポリエチレ
ン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン、ポリ塩化ビ
ニル、ポリテトラフルオロエチレン、ポリスチレン、ポ
リメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレー
ト、ポリブチレンテレフタレート、ポリアミド、ポリイ
ミド、ポリスルフォン、ポリフェニレンオキサイド、ポ
リアセタール等の線状又は架橋高分子;エポキシ樹脂、
フェノール樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹
脂、ジビニルベンゼン重合体、ジビニルベンゼン−スチ
レン共重合体、ジビニルベンゼン−アクリル酸エステル
共重合体、ジアリルフタレート重合体、トリアリルイソ
シアヌレート重合体、ベンゾグアナミン重合体等の網目
構造を有する樹脂等が挙げられる。
The fine spheres used in the present invention are preferably synthetic resin particles because the K value and the recovery rate can be easily adjusted within the above ranges. The synthetic resin particles are not particularly limited, for example, polyethylene, polypropylene, polymethylpentene, polyvinyl chloride, polytetrafluoroethylene, polystyrene, polymethyl methacrylate, polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyamide, polyimide, polysulfone, Linear or crosslinked polymers such as polyphenylene oxide and polyacetal; epoxy resins,
Phenol resin, melamine resin, unsaturated polyester resin, divinylbenzene polymer, divinylbenzene-styrene copolymer, divinylbenzene-acrylate copolymer, diallyl phthalate polymer, triallyl isocyanurate polymer, benzoguanamine polymer, etc. And the like having a network structure of

【0021】なかでも、末端ウレタンアクリレート変性
ポリオールと多官能アクリル酸エステルとの架橋共重合
体、ジビニルベンゼン重合体、ジビニルベンゼン−スチ
レン共重合体、ジビニルベンゼン−アクリル酸共重合体
等の網目構造を有する樹脂が好ましい。
Among them, a network structure such as a crosslinked copolymer of a terminal urethane acrylate-modified polyol and a polyfunctional acrylate, a divinylbenzene polymer, a divinylbenzene-styrene copolymer, a divinylbenzene-acrylic acid copolymer, etc. Is preferred.

【0022】本発明に用いる微球体の直径は、0.1〜
5000μmが好ましい。0.1μm未満であると、微
球体が凝集し易くなり実用性に欠け、5000μmを超
えると、使用されることはまれである。より好ましく
は、0.1〜1000μmである。直径の変動係数は、
50%以下が好ましい。50%を超えると、粒径分布が
広くなりすぎ微球体としての性能に問題を生じる。より
好ましくは、35%以下、更に好ましくは、20%以下
である。
The diameter of the microsphere used in the present invention is from 0.1 to
5000 μm is preferred. If it is less than 0.1 μm, the microspheres tend to agglomerate and lack practicality, and if it exceeds 5000 μm, it is rarely used. More preferably, it is 0.1 to 1000 μm. The coefficient of variation of the diameter is
50% or less is preferable. If it exceeds 50%, the particle size distribution becomes too wide, causing a problem in performance as microspheres. More preferably, it is 35% or less, still more preferably, 20% or less.

【0023】本発明の導電性微球体は、上記微球体と、
該微球体の表面に設けられた導電層とからなる。この導
電性微球体は、エレクトロニクス実装分野における微細
電極間の導電接続に用いることができる。この導電性微
球体においては、上述したように、10%圧縮歪みにお
けるK値は50kgf/mm2 以上250kgf/mm
2 未満であり、この範囲内にある導電性微球体を用いる
ことにより、例えば、一対の電極が導電性微球体で接続
されている液晶表示素子の製造工程において、対向電極
面を導電性微球体で傷つけるようなことがなく、また加
圧プレスにより両電極間のギャップ出しを行う際に、ギ
ャップコントロールを容易に行うことができる。好まし
くは、100kgf/mm2 以上250kgf/mm2
未満である。
The conductive microsphere of the present invention comprises the above microsphere,
A conductive layer provided on the surface of the microsphere. This conductive microsphere can be used for conductive connection between fine electrodes in the field of electronics packaging. In this conductive fine sphere, as described above, the K value at 10% compressive strain is 50 kgf / mm 2 or more and 250 kgf / mm 2.
By using the conductive microspheres that are less than 2 and within this range, for example, in a manufacturing process of a liquid crystal display element in which a pair of electrodes are connected by the conductive microspheres, the opposing electrode surface is electrically conductive microspheres. The gap can be easily controlled when a gap is formed between the two electrodes by a pressure press. Preferably, 100 kgf / mm 2 or more and 250 kgf / mm 2
Is less than.

【0024】上記K値が50kgf/mm2 未満である
と、この導電性微球体を二つの電極間に挟んで圧縮荷重
を加えると、しばしば圧縮変形が大きくなるため、導電
性微球体表面の導電層がこの変形に追従できなくなり、
その結果、導電層の破れや剥がれが発生する危険性があ
る。また、圧縮変形量が過大となって導電性微球体が偏
平になると、電極同士が直接に接触し、充分な微細接続
ができなくなる問題も生ずる。
If the K value is less than 50 kgf / mm 2 , compressive deformation often occurs when the conductive microspheres are sandwiched between two electrodes and a compressive load is applied. The layer can no longer follow this deformation,
As a result, there is a risk that the conductive layer may be torn or peeled. Further, when the amount of compressive deformation is excessive and the conductive fine spheres are flattened, the electrodes are in direct contact with each other, and there is a problem that a sufficient fine connection cannot be made.

【0025】本発明の導電性微球体において、導電性微
球体の圧縮変形後の回復率の範囲は、20℃において1
5〜100%である。回復率が15%未満であると、こ
の導電性微球体を分散させた接着剤を二つの電極間に充
填して加圧接着し、接着剤が硬化後に除圧するという方
法で作製した液晶表示素子は、冷熱繰り返しの環境下に
おいて接着剤層が収縮と膨張を繰り返すが、導電性微球
体は圧縮変形されたままの状態であるため、接着剤層の
膨張時に電極表面との間にギャップを生じ、接触不良を
引き起こすので、上記範囲に限定される。好ましくは、
20〜95%である。
In the conductive microspheres of the present invention, the range of the recovery rate after compression deformation of the conductive microspheres is 1 at 20 ° C.
5 to 100%. If the recovery rate is less than 15%, an adhesive in which the conductive fine spheres are dispersed is filled between two electrodes and pressure-bonded, and the pressure is reduced after the adhesive is cured. The adhesive layer repeatedly shrinks and expands in an environment of repeated heat and cold, but the conductive microspheres remain compressed and deformed, so a gap is created between the adhesive layer and the electrode surface when the adhesive layer expands. However, this may cause poor contact, so that it is limited to the above range. Preferably,
20-95%.

【0026】上記導電性微球体の導電層の厚みは、0.
02〜5μmが好ましい。導電層の厚みが0.02μm
未満であると、所望の導電性が得られ難くなり、5μm
を超えると、微球体と導電層との熱膨張率との差により
導電層が微球体の表面から剥離し易くなるし、導電性微
球体同士の凝集が起こり易くなる。
The thickness of the conductive layer of the conductive fine spheres is set to 0.1.
It is preferably from 2 to 5 μm. The thickness of the conductive layer is 0.02 μm
If it is less than 5 μm, it becomes difficult to obtain desired conductivity,
When the value exceeds, the conductive layer is easily peeled off from the surface of the microspheres due to the difference in the coefficient of thermal expansion between the microspheres and the conductive layer, and aggregation of the conductive microspheres easily occurs.

【0027】導電層に使用される金属としては特に限定
されず、例えば、ニッケル、金、銀、銅、コバルト、
錫、インジウム等又はこれらを主成分とする合金が挙げ
られる。なかでも、ニッケル、金、銀、インジウムが好
ましい。上記微球体の表面に金属層を形成する方法とし
ては特に限定されず、例えば、無電解メッキ(化学メッ
キ法ともいう)による方法;金属微粉を単独又はバイン
ダーに混ぜ合わせて得られるペーストを微球体にコーテ
ィングする方法;真空蒸着、イオンプレーティング、イ
オンスパッタリング等の物理的蒸着方法等が挙げられ
る。
The metal used for the conductive layer is not particularly limited. For example, nickel, gold, silver, copper, cobalt,
Examples include tin, indium, and the like, or alloys containing these as a main component. Among them, nickel, gold, silver, and indium are preferable. The method for forming a metal layer on the surface of the microspheres is not particularly limited. For example, a method by electroless plating (also referred to as a chemical plating method); a paste obtained by mixing metal fine powder alone or mixed with a binder is used as a microsphere. A physical vapor deposition method such as vacuum vapor deposition, ion plating, and ion sputtering.

【0028】上記無電解メッキ法による導電層の形成方
法を、金置換メッキの場合を例に挙げて以下に説明す
る。この方法は、以下のエッチング工程、アクチベーシ
ョン工程、化学ニッケルメッキ工程及び金置換メッキ工
程に分けられる。エッチング工程は、微球体の表面に凹
凸を形成することによりメッキ層を微球体に付着させる
工程であり、エッチング液としては、例えば、カセイソ
ーダ水溶液、濃塩酸、濃硫酸又は無水クロム酸が含まれ
る。
A method for forming a conductive layer by the above-described electroless plating method will be described below with reference to the case of gold displacement plating as an example. This method is divided into the following etching step, activation step, chemical nickel plating step, and gold displacement plating step. The etching step is a step of attaching a plating layer to the microspheres by forming irregularities on the surface of the microspheres. The etching solution includes, for example, an aqueous solution of sodium hydroxide, concentrated hydrochloric acid, concentrated sulfuric acid, or chromic anhydride.

【0029】アクチベーション工程は、エッチングされ
た微球体の表面に触媒層を形成させると共に、この触媒
層を活性化させるための工程である。触媒層の活性化に
より後述の化学ニッケルメッキ工程における金属ニッケ
ルの析出が促進される。微球体の表面のPd2+及びSn
2+を含む触媒層を濃硫酸又は濃塩酸で処理し、Sn2+
みを溶解除去してPd2+の金属化を行う。金属化された
パラジウムは、カセイソーダ濃厚溶液等のパラジウム活
性剤により活性化されて増感される。
The activation step is a step for forming a catalyst layer on the surface of the etched microspheres and activating the catalyst layer. The activation of the catalyst layer promotes the deposition of metallic nickel in a chemical nickel plating step described below. Pd 2+ and Sn on microsphere surface
The catalyst layer containing 2+ is treated with concentrated sulfuric acid or concentrated hydrochloric acid, and only Sn 2+ is dissolved and removed to metallize Pd 2+ . The metallized palladium is activated and sensitized by a palladium activator such as a concentrated solution of sodium hydroxide.

【0030】化学ニッケルメッキ工程は、触媒層が形成
された微球体の表面に、更に金属ニッケル層を形成させ
る工程であり、例えば、塩化ニッケルを次亜リン酸ナト
リウムによって還元し、ニッケルを微球体の表面に析出
させる。金置換メッキ工程では、このようにしてニッケ
ルが被覆された微球体を金シアン化カリウム水溶液に入
れ、昇温させながらニッケルを溶出させ、金を微球体表
面に析出させる。
The chemical nickel plating step is a step of forming a metal nickel layer on the surface of the fine sphere on which the catalyst layer is formed. For example, nickel chloride is reduced by sodium hypophosphite, and nickel is reduced to the fine sphere. Deposited on the surface of In the gold displacement plating step, the microspheres coated with nickel in this way are placed in an aqueous solution of potassium potassium cyanide, and while elevating the temperature, nickel is eluted to deposit gold on the surface of the microspheres.

【0031】このようにして得られた導電性微球体を用
いて、素子を作製することができる。この素子は、例え
ば、次のようにして作製することができる。図1に示す
ように、絶縁性のバインダー28中に導電性微球体29
を均一に分散したものをスクリーン印刷又はディスペン
サーで一方の電極24上に塗布する。又は、バインダー
28を使用せずに導電性微球体29のみを電極24上に
配置する。後者の場合、導電性微球体29は電極24の
上方から散布してもよく、又は導電性微球体29を荷電
させて静電気的に電極24上に付着させてもよい。
An element can be manufactured using the conductive fine spheres thus obtained. This element can be manufactured, for example, as follows. As shown in FIG. 1, conductive fine spheres 29 are
Is uniformly applied on one electrode 24 by screen printing or a dispenser. Alternatively, only the conductive fine spheres 29 are arranged on the electrode 24 without using the binder 28. In the latter case, the conductive microspheres 29 may be sprayed from above the electrode 24, or the conductive microspheres 29 may be charged and electrostatically adhered to the electrode 24.

【0032】次に、もう一方の電極25を上記電極24
の上に重ね合わせる。この状態で両電極24、25を加
圧する。ここでは、特に大きな加圧力を必要としない。
導電性微球体29と電極24、25面との接触状態が保
たれる程度の圧力でよい。次に、一対の電極24、25
間に導電性微球体29が挟持された積層体を加熱する。
加熱方法としてはプレス加熱が好ましい。このようにし
て、図1に示すような素子Aが得られる。
Next, the other electrode 25 is connected to the electrode 24.
On top of. In this state, both electrodes 24 and 25 are pressurized. Here, no particularly large pressing force is required.
The pressure may be such that the contact between the conductive microspheres 29 and the surfaces of the electrodes 24 and 25 is maintained. Next, a pair of electrodes 24 and 25
The laminate in which the conductive microspheres 29 are sandwiched is heated.
Press heating is preferred as the heating method. Thus, the element A as shown in FIG. 1 is obtained.

【0033】上記素子において使用される電極として
は、例えば、ガラス板上にITO薄膜が形成された電
極、ガラス板上にアルミニウム薄膜が形成された電極、
プラスチックフィルム上に銅シートを貼付け、これをエ
ッチングして作製された電極、及び、フィルム上に銀ペ
ースト、カーボンブラックを印刷して作製した電極等が
含まれる。このように、導電性微球体を用いることによ
り、液晶表示素子等の電極間の所定の箇所を電気的に接
続することができる。
Examples of the electrodes used in the above element include an electrode having an ITO thin film formed on a glass plate, an electrode having an aluminum thin film formed on a glass plate,
The electrode includes an electrode manufactured by attaching a copper sheet on a plastic film and etching the copper sheet, and an electrode manufactured by printing a silver paste or carbon black on the film. As described above, by using the conductive microspheres, predetermined portions between electrodes of a liquid crystal display element or the like can be electrically connected.

【0034】本発明の導電性微球体は、適度に圧縮変形
させることが可能であるため、導電性微球体を使用して
電極間を接続させる際に、導電性微球体と電極表面との
接触面積を拡大して接触抵抗値を低減させることができ
る。更に、圧縮変形後の変形回復性も適度であるため、
導電性微球体を使用して電極間の接続を行う工程におい
て、両電極に作用する圧縮荷重を取り除いた際、該導電
性微球体と電極表面との界面にギャップが形成されるこ
ともなく、接触不良を起こすこともない。
The conductive microspheres of the present invention can be appropriately compressed and deformed. Therefore, when the conductive microspheres are used to connect the electrodes, the contact between the conductive microspheres and the electrode surface is prevented. The contact resistance value can be reduced by enlarging the area. Furthermore, since the deformation recovery after compression deformation is moderate,
In the step of connecting the electrodes using conductive microspheres, when removing the compressive load acting on both electrodes, without forming a gap at the interface between the conductive microspheres and the electrode surface, It does not cause poor contact.

【0035】以上のように、本発明の導電性微球体は、
適度の圧縮変形性と変形回復性を有するので、二つの電
極間に挟んで使用された場合、優れた異方導電性能と接
続信頼性能を発揮することができ、以下に挙げるような
用途に好適である。液晶表示素子における上下基板電
極間の電気的接続のためのトランスファー材料。液晶
表示素子におけるLSIとガラス配線基板とのCOG
(チップオングラス)接続用材料。液晶表示素子にお
けるガラス配線基板とフレキシブルプリント回線との電
気的接続材料。板状基板又はフィルム状基板としLS
IとのCOG(チップオングラス)又はCOF(チップ
オンフィルム)接続用材料。
As described above, the conductive microspheres of the present invention
Since it has moderate compressive deformation and deformation recovery properties, when used between two electrodes, it can exhibit excellent anisotropic conductive performance and connection reliability performance, and is suitable for the following applications It is. A transfer material for electrical connection between upper and lower substrate electrodes in a liquid crystal display device. COG between LSI and glass wiring board in liquid crystal display device
(Chip-on-glass) connection material. Electrical connection material between glass wiring board and flexible printed circuit in liquid crystal display device. LS as plate or film substrate
Material for connecting COG (chip on glass) or COF (chip on film) with I.

【0036】[0036]

【実施例】以下に実施例を掲げて本発明を更に詳しく説
明するが、本発明はこの実施例のみに限定されるもので
はない。
EXAMPLES The present invention will be described in more detail with reference to the following examples, but the present invention is not limited to these examples.

【0037】参考例、実施例及び比較例における評価項
目は以下の通りである。 評価:微球体の圧縮特性 (i)10%圧縮変形時の荷重(grf) (ii)10%圧縮変形時のK値(Kgf/mm2 ) (iii)1grf荷後の圧縮変形回復率(%) 微小圧縮試験機(PCT−200型、島津製作所社製)
を用いて、(i)〜(iii)の評価を行った。 評価:接続抵抗の経時変化 試験用電極を1時間ごとに−40℃及び80℃で放置
し、250時間ごとに電極の接続抵抗をデジタルマルチ
メーター(タケダ理研社製)で測定した。
Evaluation items in Reference Examples, Examples and Comparative Examples are as follows. Evaluation: Compression characteristics of microspheres (i) Load at 10% compression deformation (grf) (ii) K value at 10% compression deformation (Kgf / mm 2 ) (iii) Compression deformation recovery rate after 1 grf load (%) ) Micro compression tester (PCT-200 type, manufactured by Shimadzu Corporation)
Were used to evaluate (i) to (iii). Evaluation: Temporal change of connection resistance The test electrode was left at -40 ° C and 80 ° C every hour, and the connection resistance of the electrode was measured every 250 hours using a digital multimeter (manufactured by Takeda Riken).

【0038】参考例1〜3 表1に示す組成のオリゴアクリレート及びアクリル酸エ
ステルを混合溶解した。この混合物にラジカル重合開始
剤としてベンゾイルパーオキサイド2重量%を溶解させ
た。この混合物を、その総量に対して400重量%の
5.5%ポバール水溶液中に投入し混合攪拌して水性懸
濁液を調製した。この水性懸濁液を、85℃で5時間、
更に90℃で3時間加熱反応させ、架橋重合体である弾
力性微球体を得た。得られた微球体を分離乾燥したもの
を試料として上記評価に供した。評価結果を表1に示
した。
Reference Examples 1-3 Oligoacrylates and acrylates having the compositions shown in Table 1 were mixed and dissolved. In this mixture, 2% by weight of benzoyl peroxide was dissolved as a radical polymerization initiator. This mixture was put into a 5.5% aqueous solution of Povar at 400% by weight based on the total amount, and mixed and stirred to prepare an aqueous suspension. This aqueous suspension is allowed to stand at 85 ° C. for 5 hours,
Further, the mixture was heated and reacted at 90 ° C. for 3 hours to obtain elastic microspheres as a crosslinked polymer. A sample obtained by separating and drying the obtained microspheres was subjected to the above evaluation. Table 1 shows the evaluation results.

【0039】参考例4 一般に軟質タイプといわれている粒径5μmの市販微球
体(住友化学工業社製、フアインパール、ポリスチレン
系、低架橋密度)を用いて参考例1と同様の評価を行っ
た。評価結果を表1に示した。
REFERENCE EXAMPLE 4 The same evaluation as that of Reference Example 1 was carried out using commercially available microspheres having a particle size of 5 μm (manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd., Fine Pearl, polystyrene, low crosslink density) which are generally called a soft type. . Table 1 shows the evaluation results.

【0040】参考例5 一般に硬質タイプといわれている粒径5μmの市販微球
体(積水フアインケミカル社製、ミクロパールSPA
N、ジビニルベンゼン系、高架橋密度)を用て参考例1
と同様の評価を行った。評価結果を表1に示した。
Reference Example 5 A commercially available microsphere having a particle size of 5 μm (Micropearl SPA, manufactured by Sekisui Fine Chemical Co., Ltd.) which is generally called a hard type
Reference Example 1 using N, divinylbenzene, high crosslink density)
The same evaluation was performed. Table 1 shows the evaluation results.

【0041】[0041]

【表1】 [Table 1]

【0042】表1中、M−1310は、両末端ウレタン
アクリレート変性液状ポリオール(二官能、東亜合成社
製、アロニックスMシリーズM−1310)を、M−2
45は、ポリエチレングリコールジアクリレート(二官
能、東亜合成社製、アロニックスMシリーズM−24
5)を、TEA−1000は、両末端アクリル変性ブタ
ジエンオリゴマー(多官能、日本曹達社製)を、1,6
HXAは、1,6−ヘキサンジオールジアクリレート
(二官能、共栄社化学社製)を、A−TMPTは、トリ
メチロールプロパントリアクリレート(三官能)をそれ
ぞれ表す。
In Table 1, M-1310 is a liquid polyol modified at both ends with urethane acrylate (bifunctional, Aronix M series M-1310 manufactured by Toagosei Co., Ltd.) and M-2310.
45 is polyethylene glycol diacrylate (bifunctional, manufactured by Toagosei Co., Ltd., Aronix M series M-24)
5), TEA-1000 is a 1, 6-terminal acrylic-modified butadiene oligomer (polyfunctional, manufactured by Nippon Soda Co., Ltd.)
HXA represents 1,6-hexanediol diacrylate (bifunctional, manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.), and A-TMPT represents trimethylolpropane triacrylate (trifunctional).

【0043】実施例1 参考例1 で得られた弾力性微球体の表面に、100Å厚
の金めっきを施し導電性微球体を得た。この導電性微球
体を、スチレン−エチレン−ブチレン−スチレンブロッ
ク共重合体の30重量%トルエン溶液100重量部に対
して15重量部混合し、異方性導電ペーストを調製し
た。この異方性導電ペーストを、金めっき線が3本/m
mの間隔で20本形成されたフレキシブルプリント回線
試験用電極の接合部に、乾燥後の塗膜厚みが25μmと
なるように2.5mm幅で塗布した。このフレキシブル
プリント回線試験用電極を、この電極と同様の配線を有
するプリント配線基板試験用電極に加熱接合した。この
接合された電極を上記評価に供した。評価結果を図6
に示した。
Example 1 The surface of the elastic microspheres obtained in Reference Example 1 was plated with gold to a thickness of 100 mm to obtain conductive microspheres. 15 parts by weight of the conductive microspheres were mixed with 100 parts by weight of a 30% by weight toluene solution of a styrene-ethylene-butylene-styrene block copolymer to prepare an anisotropic conductive paste. This anisotropic conductive paste was coated with 3 gold-plated wires / m
A coating of 2.5 mm in width was applied to the joints of the 20 flexible printed circuit test electrodes formed at intervals of m so that the coating thickness after drying was 25 μm. This flexible printed circuit test electrode was heated and joined to a printed wiring board test electrode having the same wiring as this electrode. This bonded electrode was subjected to the above evaluation. Figure 6 shows the evaluation results.
It was shown to.

【0044】比較例1 粒径5μmの市販硬質導電性微球体(積水フアインケミ
カル社製、ミクロパールAu硬質タイプ)を用いたこと
以外は実施例1と同様にして異方性導電ペーストを調製
し、この異方性導電ペーストについて実施例1と同様の
評価を行った。評価結果を図6に示した。
Comparative Example 1 An anisotropic conductive paste was prepared in the same manner as in Example 1 except that a commercially available hard conductive fine sphere having a particle size of 5 μm (Micropearl Au hard type, manufactured by Sekisui Fine Chemical Co., Ltd.) was used. Then, the same evaluation as in Example 1 was performed on this anisotropic conductive paste. The evaluation results are shown in FIG.

【0045】比較例2 粒径5μmの市販軟質導電性微球体(奥野製薬社製、オ
ーロパール)を用いたこと以外は実施例1と同様にして
異方性導電ペーストを調製し、この異方性導電ペースト
について実施例1と同様の評価を行った。評価結果を図
6に示した。
Comparative Example 2 An anisotropic conductive paste was prepared in the same manner as in Example 1 except that a commercially available soft conductive fine sphere having a particle size of 5 μm (Auropearl, manufactured by Okuno Pharmaceutical Co., Ltd.) was used. The same evaluation as in Example 1 was performed for the conductive paste. The evaluation results are shown in FIG.

【0046】図6から明らかなように、本発明の導電性
微球体を使用した異方性導電ペーストで接合された電極
された電極は、軟質導電性微球体使用のものと同様の優
れた初期の接続抵抗を有する。更に、本発明の導電性微
球体の電極は、硬質導電性微球体の電極と同様に、時間
が経過しても接続抵抗はほとんど変化しない。従って、
本発明の導電性微球体は、導電材料として最も優れてい
ることがわかる。
As is clear from FIG. 6, the electrode bonded with the anisotropic conductive paste using the conductive microspheres of the present invention has excellent initial properties similar to those using the soft conductive microspheres. Connection resistance. Further, in the electrode of the conductive microsphere of the present invention, the connection resistance hardly changes over time, similarly to the electrode of the hard conductive microsphere. Therefore,
It can be seen that the conductive microspheres of the present invention are most excellent as a conductive material.

【0047】[0047]

【発明の効果】本発明の導電性微球体は上述の構成より
なるので、接続信頼性の極めて高い液晶表示素子が得ら
れる。
Conductive fine spheres of the present invention, according to the present invention than the constitution described hereinabove, the connection reliability of the extremely high liquid crystal display device can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の導電性微球体を用いて得られた液晶表
示素子の要部の断面図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view of a main part of a liquid crystal display device obtained by using a conductive microsphere of the present invention.

【図2】荷重と微球体の圧縮変位との関係を示すグラフ
である。
FIG. 2 is a graph showing a relationship between a load and a compression displacement of a microsphere.

【図3】K値と微球体の圧縮歪みとの関係を示すグラフ
である。
FIG. 3 is a graph showing a relationship between a K value and a compressive strain of a microsphere.

【図4】微球体の圧縮変形後の回復率の測定方法を説明
する図である。
FIG. 4 is a diagram illustrating a method of measuring a recovery rate after compression deformation of a microsphere.

【図5】一般的な液晶表示素子を示す断面図である。FIG. 5 is a sectional view showing a general liquid crystal display element.

【図6】実施例1及び比較例1、2における接続抵抗の
経時変化を示す図である。縦軸は、接続抵抗(Ω)を表
し、横軸は、経過時間(時間)を表す。○は、実施例1
の導電性微球体を表し、×は、比較例1の硬質導電性微
球体を表し、△は、比較例2の軟質導電性微球体を表
す。
FIG. 6 is a diagram showing a change over time in connection resistance in Example 1 and Comparative Examples 1 and 2 . The vertical axis represents connection resistance (Ω), and the horizontal axis represents elapsed time (time). ○ indicates Example 1
Represents the conductive fine spheres of Comparative Example 1 , X represents the hard conductive fine spheres of Comparative Example 1 , and Δ represents the soft conductive fine spheres of Comparative Example 2 .

【符号の説明】[Explanation of symbols]

21a 電極 22 電極 24 電極 25 電極 26 透明基板 27 透明電極 28 バインダー 29 導電性微球体 30 シール部材 31 透明基板 32 透明電極 33 配向制御膜 34 透明基板 35 透明電極 36 配向制御膜 37 基板 38 スペーサ 39 基板 41 ネマチック液晶 42 偏光シート 43 偏光シート 21a electrode 22 electrode 24 electrode 25 electrode 26 transparent substrate 27 transparent electrode 28 binder 29 conductive microsphere 30 seal member 31 transparent substrate 32 transparent electrode 33 orientation control film 34 transparent substrate 35 transparent electrode 36 orientation control film 37 substrate 38 spacer 39 substrate 41 Nematic liquid crystal 42 Polarizing sheet 43 Polarizing sheet

フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G02F 1/1339 500 Continuation of front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) G02F 1/1339 500

Claims (6)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 K=(3/√2)・F・S-3/2・R-1/2 (式中、Fは、微球体の10%圧縮変形における荷重値
(kgf)を表し、Sは、圧縮変位(mm)を表し、R
は、微球体の半径(mm)を表す。)で定義されるKの
値が、20℃において50kgf/mm2 以上250k
gf/mm2 未満であり、圧縮変形後の回復率が、20
℃において15〜100%である微球体と、該微球体の
表面に設けられた導電層とからなることを特徴とする導
電性微球体。
1. K = (3 / √2) ・FS -3 / 2 ・ R- 1 / 2 (where F represents a load value (kgf) at 10% compressive deformation of the microsphere; S represents the compression displacement (mm), and R
Represents the radius (mm) of the microsphere. ) Is 50 kgf / mm 2 or more and 250 k at 20 ° C.
gf / mm 2 and the recovery rate after compression deformation is 20
Microspheres that are between 15 and 100% at
And a conductive layer provided on the surface.
Electrostatic microspheres.
【請求項2】 Kの値が、100kgf/mm2 以上2
50kgf/mm2 未満である請求項1記載の導電性
球体。
Value of 2. A K is, 100 kgf / mm 2 or more 2
2. The conductive microsphere according to claim 1, which has a weight of less than 50 kgf / mm2.
【請求項3】 圧縮変形後の回復率が、20〜95%で
ある請求項1又は2記載の導電性微球体。
3. The conductive microsphere according to claim 1, wherein a recovery rate after the compression deformation is 20 to 95%.
【請求項4】 微球体の直径が、0.1〜5000μm
であり、前記直径の変動係数(標準偏差を直径で除した
値を%で表したもの)が、50%以下である請求項1、
2又は3記載の導電性微球体。
4. The microsphere has a diameter of 0.1 to 5000 μm.
Wherein the coefficient of variation of the diameter (a value obtained by dividing the standard deviation by the diameter in%) is 50% or less.
4. The conductive microsphere according to 2 or 3.
【請求項5】 微球体の直径が、0.1〜1000μm
であり、前記直径の変動係数が、50%以下である請求
項1、2、3又は4記載の導電性微球体。
5. The microsphere has a diameter of 0.1 to 1000 μm.
5. The conductive microsphere according to claim 1, wherein the coefficient of variation of the diameter is 50% or less.
【請求項6】 請求項5記載の導電性微球体を用いたこ
とを特徴とする液晶表示素子。
6. A liquid crystal display device using the conductive microspheres according to claim 5.
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