JP3233837B2 - Semiconductor laser device and optical pickup device - Google Patents

Semiconductor laser device and optical pickup device

Info

Publication number
JP3233837B2
JP3233837B2 JP25851595A JP25851595A JP3233837B2 JP 3233837 B2 JP3233837 B2 JP 3233837B2 JP 25851595 A JP25851595 A JP 25851595A JP 25851595 A JP25851595 A JP 25851595A JP 3233837 B2 JP3233837 B2 JP 3233837B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor laser
optical
light
insulating
laser chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP25851595A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH09102650A (en
Inventor
秀行 中西
新一 井島
昭男 吉川
泰之 河内
Original Assignee
松下電器産業株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 松下電器産業株式会社 filed Critical 松下電器産業株式会社
Priority to JP25851595A priority Critical patent/JP3233837B2/en
Publication of JPH09102650A publication Critical patent/JPH09102650A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3233837B2 publication Critical patent/JP3233837B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • H01L2924/1815Shape

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
【0001】[0001]
【発明の属する利用分野】本発明は、光情報処理、光計
測及び光通信用として利用される半導体レーザ装置及び
光ピックアップ装置の改良に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an improvement in a semiconductor laser device and an optical pickup device used for optical information processing, optical measurement and optical communication.
【0002】[0002]
【従来の技術】図23は従来の半導体レーザ装置の分解
斜視図である。同図において、101は半導体レーザチ
ップ、102はヒートシンク基板、103はレーザ出力
光をモニタする受光素子、104はステム、105は窓
105aを有するキャップ、106は電極端子、107
は絶縁材、108はボンディングワイヤである。
FIG. 23 is an exploded perspective view of a conventional semiconductor laser device. In the figure, 101 is a semiconductor laser chip, 102 is a heat sink substrate, 103 is a light receiving element for monitoring laser output light, 104 is a stem, 105 is a cap having a window 105a, 106 is an electrode terminal, 107
Is an insulating material, and 108 is a bonding wire.
【0003】この図23に示す半導体レーザ装置のパッ
ケージ構造では、パッケージが1個ずつ独立しているた
め、量産時の組立工程において個々のパッケージの取扱
いが難しく、組立工数が多い上にパッケージ自体の価格
が高いために製造コストが非常に高くなってしまうとい
う問題があった。
In the package structure of the semiconductor laser device shown in FIG. 23, since each package is independent, it is difficult to handle each package in an assembling process at the time of mass production. There is a problem that the production cost becomes very high due to the high price.
【0004】そこで、10〜20個の半導体レーザチッ
プを一度に実装して組み立てた後、個別に切り分けるこ
とができるようにした従来よりIC等で用いられている
リードフレームの導入が期待されていた。図24にその
リードフレーム109を示す。同図中、110は半導体
レーザチップが搭載されるダイパッド、111は電極端
子である。
Accordingly, it has been expected to introduce a lead frame used in ICs and the like, which can be individually cut after mounting and assembling 10 to 20 semiconductor laser chips at once. . FIG. 24 shows the lead frame 109. In the figure, 110 is a die pad on which a semiconductor laser chip is mounted, and 111 is an electrode terminal.
【0005】このようなリードフレーム109を用いた
半導体レーザ装置として、特開平3−34387号公報
に開示されているような技術がある。この半導体レーザ
装置では、図25に示すように、透明樹脂からなる絶縁
材112で全体を樹脂封止している。このリードフレー
ム109を用いる実装方法では、通常、実装後に樹脂モ
ールドを行い、半導体レーザチップ101を保護すると
ともに、リードフレーム109から各素子を切り出した
後も電極端子111が固定されるようになっている。I
C等ではそのモールド樹脂として黒色樹脂が用いられて
いるが、黒色樹脂では半導体レーザチップ101の出射
光が取り出せないため、透明な樹脂で樹脂モールドを行
い、半導体レーザチップ101の出射光を確保するよう
にしているものである。なお、図25において図23の
構成要素と同一のものは同一の符号を付した。以下の各
従来例を示す図26及び図27においても同様である。
As a semiconductor laser device using such a lead frame 109, there is a technique disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 3-34387. In this semiconductor laser device, as shown in FIG. 25, the whole is resin-sealed with an insulating material 112 made of a transparent resin. In the mounting method using the lead frame 109, usually, resin molding is performed after mounting to protect the semiconductor laser chip 101, and the electrode terminals 111 are fixed even after each element is cut out from the lead frame 109. I have. I
In C and the like, a black resin is used as the molding resin. However, since the emission light of the semiconductor laser chip 101 cannot be extracted with the black resin, resin emission is performed with a transparent resin to secure the emission light of the semiconductor laser chip 101. That's what we do. In FIG. 25, the same components as those in FIG. 23 are denoted by the same reference numerals. The same applies to FIGS. 26 and 27 showing the following conventional examples.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記の透明
樹脂で樹脂モールドを行う技術では、半導体レーザチッ
プに直接に透明樹脂からなる絶縁材が接触するため、次
のような問題が発生する。
However, in the above-described technique of performing resin molding with a transparent resin, the following problem occurs because the insulating material made of the transparent resin directly contacts the semiconductor laser chip.
【0007】まず、半導体レーザチップの発光部には、
直径約10μm以内の範囲に数mW以上の光出力が閉じ
込められているため、その熱や光エネルギー密度の高さ
のために絶縁材を構成する透明樹脂が劣化し、黄変した
り熱変形を起こし、光出射特性を劣化させるという問題
があった。
First, the light emitting portion of the semiconductor laser chip includes:
Since the light output of several mW or more is confined within a range of about 10 μm in diameter, the transparent resin that constitutes the insulating material is deteriorated due to its heat and high light energy density, and yellowing or thermal deformation is caused. This causes a problem that light emission characteristics are deteriorated.
【0008】また、前記絶縁材を成形する際には、通
常、高温状態で樹脂を流し込み熱硬化あるいは冷却硬化
させるが、この段階で複雑なチップ構造のエッジ部にお
いて樹脂の流れがよどみやすくなり樹脂自体に応力が発
生し、樹脂自体の屈折率のむらが生じたり、ひどい場合
は樹脂自体に亀裂が入り、出射光の波面が大きく乱れ、
光ピックアップ装置等の光学装置に用いた場合、その特
性を劣化させるという問題があった。
When the insulating material is molded, the resin is usually poured in a high temperature state and thermally cured or cooled. However, at this stage, the flow of the resin tends to stagnate at the edge portion of the complicated chip structure, and the resin flows. Stress is generated in itself, and unevenness of the refractive index of the resin itself occurs, or in severe cases, the resin itself is cracked, and the wavefront of the emitted light is greatly disturbed,
When used in an optical device such as an optical pickup device, there is a problem that its characteristics are deteriorated.
【0009】そこで、図26に示す特開平2−2097
86号公報の技術のように、半導体レーザチップ101
の周辺に例えばシリコーン等の耐熱性で弾力性のある樹
脂材113で被覆した後、さらにこれを透明樹脂からな
る絶縁材112で樹脂封止する技術も提案されている。
Therefore, Japanese Patent Laid-Open No. 2-2097 shown in FIG.
No. 86, the semiconductor laser chip 101
A technique has been proposed in which the periphery of the substrate is covered with a heat-resistant and elastic resin material 113 such as silicone, and then the resin is sealed with an insulating material 112 made of a transparent resin.
【0010】しかし、この方法では、樹脂材113と絶
縁材112との界面がきれいな平面にならず、半導体レ
ーザチップ101からの出射光の波面が乱れてしまうと
いう新たな問題が生ずるとともに、弾力性のある樹脂材
113で半導体レーザチップ101を被覆した場合、樹
脂自体に加わる応力は減少して屈折率むらや亀裂が入る
ことはなくなるが、その反面、引張応力が加わった場合
はすぐに剥離するので、この剥離部分が半導体レーザチ
ップ101の発光部付近に発生すると光出射特性が乱れ
てしまうという問題がある。
However, according to this method, the interface between the resin material 113 and the insulating material 112 does not become a clean flat surface, and the wavefront of the light emitted from the semiconductor laser chip 101 is disturbed. When the semiconductor laser chip 101 is covered with the resin material 113 having a stress, the stress applied to the resin itself is reduced and unevenness of the refractive index and cracks are not caused, but on the other hand, when the tensile stress is applied, the resin is immediately separated. Therefore, there is a problem that the light emission characteristics are disturbed if the peeled portion occurs near the light emitting portion of the semiconductor laser chip 101.
【0011】さらに、耐熱性樹脂であってもガラス転移
点は高々200゜C程度であり、長期信頼性を考えた場
合、完全に熱や光密度による光学特性劣化の問題を解決
しているとはいえない。
Further, even with a heat-resistant resin, the glass transition point is at most about 200 ° C., and considering long-term reliability, the problem of deterioration of optical characteristics due to heat and light density is completely solved. I can't say.
【0012】また、図27に示す特開平6−53603
号公報の技術のように、透明樹脂からなる絶縁材112
で受光素子103を覆い、その一部が半導体レーザチッ
プ101にかかっている半導体レーザ装置も提案されて
いる。
[0012] Also, Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-53603 shown in FIG.
As in the technology disclosed in Japanese Patent Application Publication No.
There is also proposed a semiconductor laser device in which the light receiving element 103 is covered with a semiconductor laser chip 101 and a part of the light receiving element 103 covers the semiconductor laser chip 101.
【0013】この場合、半導体レーザチップ101から
出射される前方光115と後方光116のうち、前方光
115は樹脂に晒されていないが、光量モニタに使用さ
れる後方光116の発光部は樹脂に晒されており、樹脂
劣化が生じて屈折率変化が生ずると、半導体レーザチッ
プ101の後方端面反射率が変化し、半導体レーザチッ
プ101の前方光115と後方光116の光量比が変化
し、光量モニタ機能に支障が生ずるという問題がある。
図27中、114は絶縁枠である。
In this case, of the front light 115 and the rear light 116 emitted from the semiconductor laser chip 101, the front light 115 is not exposed to the resin, but the light emitting portion of the rear light 116 used for the light quantity monitor is the resin. When the resin deteriorates and the refractive index changes, the rear end face reflectivity of the semiconductor laser chip 101 changes, and the light amount ratio between the front light 115 and the rear light 116 of the semiconductor laser chip 101 changes. There is a problem that the light amount monitoring function is hindered.
In FIG. 27, reference numeral 114 denotes an insulating frame.
【0014】さらにこの構造では、リードフレーム10
9に対して平行な方向に光ビームが出射しており、この
半導体レーザ装置を光ピックアップ装置に採用した場
合、出射方向とほぼ同様の方向から光ディスクで反射さ
れ光ディスクの信号成分を含んだ光ビームが戻ってく
る。この戻ってきた光ビームを受光する光検出回路を集
積する場合に、この構造ではヒートシンク基板を構成す
るシリコン基板の断面で検出する以外になく、この断面
に受光領域を形成することは、ウエハ表面プロセスを主
とする現在のシリコンプロセスでは容易には実現し難い
という問題がある。
Further, in this structure, the lead frame 10
When the semiconductor laser device is used in an optical pickup device, the light beam is reflected by the optical disk from a direction substantially similar to the emission direction and includes a signal component of the optical disk. Will come back. In the case of integrating a photodetector circuit for receiving the returned light beam, in this structure, the light receiving area is formed on a cross section of the silicon substrate constituting the heat sink substrate, and the light receiving area is formed on the cross section of the wafer surface. There is a problem that it is not easily realized with the current silicon process mainly including the process.
【0015】また、使用されているパッケージは、半導
体レーザチップ101及びヒートシンク基板102をリ
ードフレーム109に実装する前に絶縁枠114がリー
ドフレーム109に樹脂成形されているもので、いわゆ
るプリモールドパッケージといわれる技術である。この
場合、成形される絶縁枠114は、半導体レーザチップ
101及びヒートシンク基板102のダイスボンド性、
パッケージ端子とチップ間のワイヤボンド性、樹脂成形
自体の強度(中抜けしているため強度が一般に弱い)等
の問題を考慮してチップ−絶縁枠間距離や絶縁枠肉厚を
大きくしなければならず、小型化が難しいという問題が
ある。また、このものは基本的に完全封止されておら
ず、空気中の酸素や湿度によりチップ端面やヒートシン
ク基板露出部が悪影響を受けるという問題もある。
The package used is one in which an insulating frame 114 is resin-molded on the lead frame 109 before the semiconductor laser chip 101 and the heat sink substrate 102 are mounted on the lead frame 109, and is called a so-called pre-mold package. Technology. In this case, the insulating frame 114 to be formed has a die bonding property of the semiconductor laser chip 101 and the heat sink substrate 102.
The distance between the chip and the insulating frame and the thickness of the insulating frame must be increased in consideration of the problems such as the wire bonding property between the package terminal and the chip, and the strength of the resin molding itself (the strength is generally weak due to the hollow part). However, there is a problem that miniaturization is difficult. Further, this is basically not completely sealed, and there is a problem that the chip end surface and the exposed portion of the heat sink substrate are adversely affected by oxygen and humidity in the air.
【0016】本発明はかかる点に鑑みてなされたもので
あり、その目的とするところは、半導体レーザチップを
封止する絶縁材が前記半導体レーザチップから発生する
熱によって劣化しないようにすることにある。
The present invention has been made in view of the foregoing, and an object of the present invention is to prevent an insulating material for sealing a semiconductor laser chip from being deteriorated by heat generated from the semiconductor laser chip. is there.
【0017】[0017]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明は、半導体レーザチップの発光部を光学部材
で覆ったことを特徴とし、具体的には、次のような解決
手段を講じた。
In order to achieve the above object, the present invention is characterized in that a light emitting portion of a semiconductor laser chip is covered by an optical member. Taken.
【0018】すなわち、本発明の第1〜14の解決手段
は、半導体レーザ装置に関するものであり、第1の解決
手段は、ダイパッドに直接又はヒートシンク基板を介し
て搭載され、前記ダイパッドの外周りに配置された電極
端子に電気的に接続された半導体レーザチップと、前記
半導体レーザチップの出射光を発する発光部を覆うよう
に設けられた透明な光学部材と、前記半導体レーザチッ
プ、ダイパッド、ヒートシンク基板、電極端子及び光学
部材を前記電極端子のアウター端子部を除いて封止する
透明な絶縁材とを備えたことを特徴とする。
That is, the first to fourteenth solutions of the present invention relate to a semiconductor laser device. The first solution is mounted directly on a die pad or via a heat sink substrate, and is provided around an outer periphery of the die pad. A semiconductor laser chip electrically connected to the arranged electrode terminals, a transparent optical member provided to cover a light emitting portion that emits light emitted from the semiconductor laser chip, the semiconductor laser chip, a die pad, and a heat sink substrate And a transparent insulating material for sealing the electrode terminal and the optical member except for the outer terminal portion of the electrode terminal.
【0019】第2の解決手段は、ダイパッドに直接又は
ヒートシンク基板を介して搭載され、前記ダイパッドの
外周りに配置された電極端子に電気的に接続された半導
体レーザチップと、前記半導体レーザチップの出射光を
発する発光部を覆うように設けられた透明な光学部材
と、前記半導体レーザチップ、ダイパッド、ヒートシン
ク基板、電極端子及び光学部材を前記電極端子のアウタ
ー端子部と前記光学部材のレーザ光通過領域とを除いて
封止する絶縁材とを備えたことを特徴とする。
A second solution is to provide a semiconductor laser chip mounted directly on a die pad or via a heat sink substrate and electrically connected to an electrode terminal disposed around the die pad. A transparent optical member provided so as to cover the light emitting portion that emits the emitted light, and the semiconductor laser chip, the die pad, the heat sink substrate, the electrode terminal and the optical member passing through the outer terminal portion of the electrode terminal and the laser light passing through the optical member. And an insulating material for sealing except for the region.
【0020】第3の解決手段は、第1又は第2の解決手
段において、半導体レーザチップを面発光タイプの半導
体レーザチップにしたことを特徴とする。
According to a third aspect of the present invention, in the first or second aspect, the semiconductor laser chip is a surface-emitting type semiconductor laser chip.
【0021】第4の解決手段は、第1又は第2の解決手
段において、半導体レーザチップを端面共振器タイプの
半導体レーザチップにしたことを特徴とする。
According to a fourth aspect of the present invention, in the first or the second aspect, the semiconductor laser chip is an edge resonator type semiconductor laser chip.
【0022】上記の構成により、第1〜4の解決手段で
は、半導体レーザチップ等の各素子が絶縁材で気密封止
されて外気に触れず、前記絶縁材が保護パッケージとし
ての機能を十分に果たしている。しかも、半導体レーザ
チップの発光部が光学部材で覆われて絶縁材に直接に触
れず、半導体レーザチップの発光部の局所的な熱や高い
光エネルギー密度による絶縁材の材質劣化等の光学特性
が劣化しない。また、封止時の応力により半導体レーザ
チップが劣化することもない。さらには、半導体レーザ
チップと絶縁材との間に光学部材を介在させるだけでよ
いことから、装置全体がコンパクトになる。特に、第2
の解決手段では、光学部材のレーザ光通過領域には絶縁
材がなく該部分が外部に露出していることから、半導体
レーザチップから出射される出射光が絶縁材を通過する
ことがなく、よって絶縁材内部に発生する屈折率むらや
亀裂、樹脂材料に混入した気泡やダスト等の影響を全く
受けず、出射光の特性を確保するためには非常に有効と
なる。
With the above arrangement, in the first to fourth solutions, each element such as a semiconductor laser chip is hermetically sealed with an insulating material so as not to be exposed to the outside air, and the insulating material sufficiently functions as a protective package. Play. In addition, the light emitting portion of the semiconductor laser chip is covered with an optical member and does not directly touch the insulating material, and optical characteristics such as local heat of the light emitting portion of the semiconductor laser chip and material deterioration of the insulating material due to high light energy density are reduced. Does not deteriorate. Further, the semiconductor laser chip does not deteriorate due to the stress at the time of sealing. Further, since only an optical member needs to be interposed between the semiconductor laser chip and the insulating material, the entire device becomes compact. In particular, the second
In the above solution, since the laser beam passage area of the optical member has no insulating material and the portion is exposed to the outside, the emitted light emitted from the semiconductor laser chip does not pass through the insulating material. It is not affected by refractive index unevenness or cracks generated inside the insulating material, bubbles or dust mixed in the resin material, and is very effective in securing the characteristics of emitted light.
【0023】第5の解決手段は、第4の解決手段におい
て、半導体レーザチップの出射光を反射する45゜の反
射ミラーをヒートシンク基板に形成したことを特徴とす
る。
According to a fifth aspect of the present invention, in the fourth aspect, a 45 ° reflecting mirror for reflecting light emitted from the semiconductor laser chip is formed on the heat sink substrate.
【0024】上記の構成により、第5の解決手段では、
端面共振器タイプの半導体レーザチップでも出射光が4
5゜の反射ミラーで基板垂直方向に出射し、実質的に面
発光レーザとしての扱いが可能となり、ヒートシンク基
板に形成した光検出回路と組み合わせることにより、基
板垂直方向に光の入出力が可能な発光受光デバイスの実
現が可能となる。
With the above arrangement, in the fifth solution,
Even if the end face resonator type semiconductor laser chip emits 4 light
The light is emitted in the vertical direction of the substrate by the reflection mirror of 5 mm, and can be practically treated as a surface emitting laser. By combining with a photodetection circuit formed on the heat sink substrate, light can be input and output in the vertical direction of the substrate. A light emitting and receiving device can be realized.
【0025】第6の解決手段は、第1又は第2の解決手
段において、外部から侵入してくる光を検出する光検出
回路、前記半導体レーザチップの前方又は後方から出射
される光を検出する光検出回路、これらの光検出回路か
ら検出される信号電流を電圧変換する電流−電圧変換回
路、前記電流−電圧変換回路からの信号を増幅する増幅
回路、前記増幅回路からの信号を演算する演算回路、前
記演算回路からの信号をデジタル−アナログ変換するD
A変換回路及び半導体レーザを駆動する駆動回路の少な
くとも1つを、半導体レーザチップ又はヒートシンク基
板上に形成したことを特徴とする。
According to a sixth aspect of the present invention, in the first or the second aspect, a light detection circuit for detecting light entering from the outside and detecting light emitted from the front or rear of the semiconductor laser chip. A light detection circuit, a current-to-voltage conversion circuit for converting a signal current detected from these light detection circuits into a voltage, an amplification circuit for amplifying a signal from the current-to-voltage conversion circuit, and an operation for calculating a signal from the amplification circuit Circuit for digital-to-analog conversion of a signal from the arithmetic circuit
At least one of the A-conversion circuit and the driving circuit for driving the semiconductor laser is formed on a semiconductor laser chip or a heat sink substrate.
【0026】上記の構成により、第6の解決手段では、
より有効な素子が得られる。
With the above arrangement, in the sixth solution,
A more effective element can be obtained.
【0027】第7の解決手段は、第1又は第2の解決手
段において、半導体レーザチップの発光部と接触しない
ように光学部材に凹部をレーザ光通過領域に対応して形
成したことを特徴とする。
According to a seventh aspect of the present invention, in the first or the second aspect, a concave portion is formed in the optical member so as not to come into contact with the light emitting portion of the semiconductor laser chip so as to correspond to the laser beam passage area. I do.
【0028】上記の構成により、第7の解決手段では、
光学部材を半導体レーザチップに接着するための接着剤
が発光部に侵入せず、接触が避けられる。
With the above arrangement, in the seventh solution,
The adhesive for adhering the optical member to the semiconductor laser chip does not enter the light emitting portion, and contact can be avoided.
【0029】第8の解決手段は、第1又は第2の解決手
段において、光学部材をホログラム光学素子、回折格
子、ビームスプリッタ、ミラー、偏光板、レンズ、光学
フィルタ又は波長板等の光学機能を有するものとしたこ
とを特徴とする。
According to an eighth aspect, in the first or the second aspect, the optical member is provided with an optical function such as a hologram optical element, a diffraction grating, a beam splitter, a mirror, a polarizing plate, a lens, an optical filter or a wavelength plate. It is characterized by having.
【0030】上記の構成により、第8の解決手段では、
ホログラム光学素子等により、出射光が分割したり、入
力信号光が回折して光検出回路方向に偏向が可能とな
る。
With the above arrangement, the eighth solution means:
The hologram optical element or the like allows the outgoing light to be split or the input signal light to be diffracted and deflected in the direction of the light detection circuit.
【0031】第9の解決手段は、第1又は第2の解決手
段において、絶縁材及び光学部材の少なくとも一方に無
反射コーティング、所定の反射率を有するコーティング
又は偏光性コーティングを施したことを特徴とする。
According to a ninth solution, in the first or the second solution, at least one of the insulating material and the optical member is provided with a non-reflective coating, a coating having a predetermined reflectance, or a polarizing coating. And
【0032】上記の構成により、第9の解決手段では、
複雑な光の入出力構造が可能となる。
With the above arrangement, in the ninth solving means,
A complicated light input / output structure becomes possible.
【0033】第10の解決手段は、第1又は第2の解決
手段において、絶縁材をホログラム光学素子、レンズ又
は反射面等の光学機能を有するものとしたことを特徴と
する。
According to a tenth solution, in the first or the second solution, the insulating material has an optical function such as a hologram optical element, a lens or a reflection surface.
【0034】上記の構成により、第10の解決手段で
は、第8の解決手段と同様に出射光が分割したり、入力
信号光が回折して光検出回路方向に偏向が可能となる。
According to the above configuration, in the tenth solution, the outgoing light can be split or the input signal light can be diffracted and deflected in the direction of the photodetection circuit as in the eighth solution.
【0035】第11の解決手段は、第1又は第2の解決
手段において、絶縁材の外面の少なくとも一部を湾曲面
ないし球面にしたことを特徴とする。
According to an eleventh solution, in the first or the second solution, at least a part of the outer surface of the insulating material is formed into a curved surface or a spherical surface.
【0036】上記の構成により、第11の解決手段で
は、予め湾曲面ないし球面形状に対応して組み付けるべ
き相手部材に形成された係合孔に前記湾曲面ないし球面
形状を挿入することにより、素子の位置合わせが容易に
かつ高精度に行われるとともに出射光軸を軸とする回転
調整が可能となる。
According to the eleventh aspect of the present invention, in the eleventh solving means, the element is formed by inserting the curved surface or the spherical shape into an engagement hole formed in a mating member to be assembled in advance corresponding to the curved surface or the spherical shape. Is easily and accurately performed, and the rotational adjustment about the emission optical axis can be performed.
【0037】第12の解決手段は、第1又は第2の解決
手段において、絶縁材の外面に凹部をレーザ光通過領域
に対応して形成したことを特徴とする。
According to a twelfth solution, in the first or the second solution, a concave portion is formed on an outer surface of the insulating material so as to correspond to the laser beam passage area.
【0038】上記の構成により、第12の解決手段で
は、半導体レーザチップから出射される出射光の絶縁材
通過による屈折率むらや亀裂、樹脂材料に混入した気泡
やダスト等の影響が少なくなり、出射光の特性が確保さ
れる。
With the above arrangement, in the twelfth solution, the influence of uneven refractive index and cracks caused by the passage of the outgoing light emitted from the semiconductor laser chip through the insulating material, bubbles and dust mixed in the resin material is reduced, The characteristics of the emitted light are ensured.
【0039】第13の解決手段は、第1又は第2の解決
手段において、絶縁材の外面にホログラム光学素子、回
折格子、ビームスプリッタ、ミラー、偏光板、レンズ、
光学フィルタ、波長板又は光ファイバ等の光学機能を有
する光学部材をレーザ光通過領域に対応して配置したこ
とを特徴とする。
According to a thirteenth aspect, in the first or the second aspect, the hologram optical element, the diffraction grating, the beam splitter, the mirror, the polarizing plate, the lens,
An optical member having an optical function, such as an optical filter, a wavelength plate, or an optical fiber, is arranged corresponding to a laser light passage area.
【0040】上記の構成により、第13の解決手段で
は、第8の解決手段と同様に出射光が分割したり、入力
信号光が回折して光検出回路方向に偏向が可能となる。
According to the above configuration, in the thirteenth solution means, similarly to the eighth solution means, the emitted light can be divided or the input signal light can be diffracted and deflected in the direction of the light detection circuit.
【0041】第14の解決手段は、第1又は第2の解決
手段において、半導体レーザチップから発生する熱を外
部へ逃がす熱伝導経路又は放熱手段をダイパッドに設け
たことを特徴とする。
According to a fourteenth aspect, in the first or the second aspect, a heat conduction path or a heat radiating means for radiating heat generated from the semiconductor laser chip to the outside is provided in the die pad.
【0042】上記の構成により、第14の解決手段で
は、空気への放熱が効率良く行われ、信頼性が向上す
る。
With the above configuration, in the fourteenth solution, heat is efficiently released to the air, and the reliability is improved.
【0043】本発明の第15の解決手段は、光ピックア
ップ装置に関し、第1〜14の解決手段のいずれか1の
解決手段に記載の半導体レーザ装置と、前記半導体レー
ザ装置から出射される光ビームを光学式情報記録媒体上
に集光する集光手段とを備えたことを特徴とする。
According to a fifteenth aspect of the present invention, there is provided an optical pickup device, comprising: the semiconductor laser device according to any one of the first to fourteenth aspects; and a light beam emitted from the semiconductor laser device. And a light condensing means for condensing light on an optical information recording medium.
【0044】上記の構成により、第15の解決手段で
は、小型軽量の半導体レーザ装置により全体形状が非常
に小さくなり、さらに軽量であるために高速応答可能な
ピックアップが実現可能となる。
According to the fifteenth aspect of the present invention, a small and light semiconductor laser device has a very small overall shape, and a light-weight semiconductor laser device can realize a high-speed response pickup.
【0045】[0045]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図面に基
づいて説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【0046】(第1実施例)図1(a)〜(c)は本発
明の第1実施例に係る半導体レーザ装置を、図2はその
変形例をそれぞれ示す。
(First Embodiment) FIGS. 1A to 1C show a semiconductor laser device according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 shows a modification thereof.
【0047】図1(a)〜(c)において、1はリード
フレームであって、このリードフレーム1はダイパッド
2を中央付近に備えてなり、ダイパッド2の外周りには
複数本の電極端子3が配置されている。前記ダイパッド
2には面発光タイプの半導体レーザチップ4が直接に搭
載され、この半導体レーザチップ4は前記電極端子3の
インナー端子部にボンディングワイヤ5によって電気的
に接続されている。また、本発明の特徴として、前記半
導体レーザチップ4の上面には、透明ガラスからなる光
学部材6が半導体レーザチップ4の出射光10を発する
発光部9を上方から覆うように搭載され、その周りが接
着剤7によって離脱しないように固定されている。さら
に、前記半導体レーザチップ4、ダイパッド2、電極端
子3、ボンディングワイヤ5及び光学部材6は、前記電
極端子3のアウター端子部を除いて透明樹脂からなる絶
縁材11で気密封止されている。なお、前記半導体レー
ザチップ4上面には、外部から侵入してくる光を検出す
る光検出回路8が前記光学部材6の両側に対向するよう
に形成されている。
1 (a) to 1 (c), reference numeral 1 denotes a lead frame, which is provided with a die pad 2 in the vicinity of the center, and a plurality of electrode terminals 3 on the outer periphery of the die pad 2. Is arranged. A surface emitting type semiconductor laser chip 4 is directly mounted on the die pad 2, and the semiconductor laser chip 4 is electrically connected to an inner terminal portion of the electrode terminal 3 by a bonding wire 5. Also, as a feature of the present invention, an optical member 6 made of transparent glass is mounted on the upper surface of the semiconductor laser chip 4 so as to cover a light emitting portion 9 for emitting the emission light 10 of the semiconductor laser chip 4 from above. Are fixed by the adhesive 7 so as not to be separated. Further, the semiconductor laser chip 4, die pad 2, electrode terminal 3, bonding wire 5 and optical member 6 are hermetically sealed with an insulating material 11 made of a transparent resin except for the outer terminal portion of the electrode terminal 3. A light detection circuit 8 for detecting light entering from outside is formed on the upper surface of the semiconductor laser chip 4 so as to face both sides of the optical member 6.
【0048】このように、第1実施例では、半導体レー
ザチップ4等の各素子を絶縁材11で気密封止して外気
に触れないように保護しているため、前記絶縁材11は
保護パッケージとしての機能を十分に果たしている。し
かも、それだけではなく、半導体レーザチップ4の発光
部9を光学部材6で覆って絶縁材11に直接に触れない
ようにしていることから、図25で示す従来例の如き透
明樹脂からなる絶縁材112に晒されるということがな
くなり、半導体レーザチップ4の発光部9の局所的な熱
や高い光エネルギー密度による樹脂の黄変劣化等の出射
光10の特性変化の問題をなくすことができるととも
に、樹脂封止時の応力による半導体レーザチップ4の劣
化の問題もなくすことができる。
As described above, in the first embodiment, each element such as the semiconductor laser chip 4 is hermetically sealed with the insulating material 11 to protect it from touching the outside air. As a functioning enough. In addition, since the light emitting portion 9 of the semiconductor laser chip 4 is covered with the optical member 6 so as not to directly touch the insulating material 11, the insulating material made of a transparent resin as in the conventional example shown in FIG. Exposure to 112 does not occur, and the problem of characteristic change of the emitted light 10 such as yellowing deterioration of the resin due to local heat of the light emitting portion 9 of the semiconductor laser chip 4 and high light energy density can be eliminated. The problem of deterioration of the semiconductor laser chip 4 due to stress at the time of resin sealing can be eliminated.
【0049】なお、第1実施例では、半導体レーザチッ
プ4として面発光タイプの半導体レーザチップを用いて
いるが、出射光10が図1(a)で上方に出射される構
造であれば、垂直共振器タイプでも水平共振器タイプで
も構わない。また、面発光レーザにも限らない。
In the first embodiment, a surface-emitting type semiconductor laser chip is used as the semiconductor laser chip 4. However, if the emitted light 10 is emitted upward in FIG. The resonator type or the horizontal resonator type may be used. Further, it is not limited to a surface emitting laser.
【0050】また、第1実施例では、半導体レーザチッ
プ4上面に外部から侵入してくる光を検出する光検出回
路8を形成しているが、この光検出回路8以外に種々の
電気回路、例えば前記半導体レーザチップ4の前方又は
後方から出射される光を検出する光検出回路、これらの
光検出回路から検出される信号電流を電圧変換する電流
−電圧変換回路、前記電流−電圧変換回路からの信号を
増幅する増幅回路、前記増幅回路からの信号を演算する
演算回路、前記演算回路からの信号をデジタル−アナロ
グ変換するDA変換回路及び半導体レーザを駆動する駆
動回路等を形成すれば、より有効な素子を得ることがで
きる。
In the first embodiment, the light detecting circuit 8 for detecting light entering from the outside is formed on the upper surface of the semiconductor laser chip 4. However, in addition to the light detecting circuit 8, various electric circuits, For example, a light detection circuit for detecting light emitted from the front or rear of the semiconductor laser chip 4, a current-voltage conversion circuit for converting a signal current detected from these light detection circuits into a voltage, and a current-voltage conversion circuit By forming an amplifier circuit for amplifying the signal of the above, an arithmetic circuit for calculating the signal from the amplifier circuit, a DA converter circuit for digital-to-analog conversion of the signal from the arithmetic circuit, a drive circuit for driving the semiconductor laser, and the like, An effective element can be obtained.
【0051】このように、半導体レーザチップ4に多く
の電気回路が形成されるほど電極端子数が増加するが、
リードフレームタイプではない図23に示すような従来
の半導体レーザ装置のパッケージ技術では、電極端子1
06は絶縁材107を介してステム104に固定されて
いるため、電極端子106を短いピッチで多く配置する
ことは困難であり、パッケージの小型化が困難であっ
た。例えば、現在の9mm径のステム104は絶縁材1
07が約1mm径を占めるため、少なくとも2mm間隔
の電極配置しか実現できず、20本の電極端子106を
必要とする場合には、ステム104の径は13〜15m
mになると考えられる。さらに、電極取り出し方向も図
23に示す従来のパッケージでは垂直方向であったのに
対し第1実施例によれば水平方向になり、パッケージの
薄型化という点でも効果がある。また図27に示すよう
なプリモールドタイプのパッケージを用いればこの点は
解決されるが、絶縁枠114自体はワイヤボンド位置の
外側に配置しなければならず、さらに、ワイヤボンドの
キャピラリの大きさ・ダイスボンドのコレットの大きさ
・パッケージの強度(中空になっているため、充填タイ
プよりは一般的に弱い)ということを考慮すれば、絶縁
枠114の外形は面発光タイプの半導体レーザチップよ
りもはるかに大きくなってしまう。例えば、面発光タイ
プの半導体レーザチップの幅が1mm、ワイヤボンド位
置までが0.7mm、絶縁枠114内側までのマージン
が0.5mm、絶縁枠114自体の厚みが1mmとすれ
ば、全幅は5.4mmになり、リードフレームの技術を
有効に利用しているとはいえない。これに対して本発明
の技術を用いれば、絶縁枠114自体がないため、上記
計算の中の絶縁枠114の厚み1mmがなくなるので両
側合わせて2mm小さくなり3.4mmが実現でき、大
幅な小型化が可能となる。
As described above, the more electric circuits are formed on the semiconductor laser chip 4, the more the number of electrode terminals increases.
In the conventional package technology of a semiconductor laser device which is not a lead frame type as shown in FIG.
Since 06 is fixed to the stem 104 via the insulating material 107, it is difficult to arrange many electrode terminals 106 at a short pitch, and it is difficult to reduce the size of the package. For example, the current 9 mm diameter stem 104 is the insulating material 1
07 occupies a diameter of about 1 mm, so that only an electrode arrangement at least at a distance of 2 mm can be realized. When 20 electrode terminals 106 are required, the diameter of the stem 104 is 13 to 15 m.
m. Further, the direction of taking out the electrodes is vertical in the conventional package shown in FIG. 23, but is horizontal in the first embodiment, which is also effective in reducing the thickness of the package. This problem can be solved by using a pre-mold type package as shown in FIG. 27. However, the insulating frame 114 itself must be arranged outside the wire bond position, and the size of the wire bond capillary is further reduced. In consideration of the size of the collet of the die bond and the strength of the package (it is generally weaker than the filling type because it is hollow), the outer shape of the insulating frame 114 is smaller than that of the surface emitting type semiconductor laser chip. Will be much larger. For example, if the width of the surface emitting type semiconductor laser chip is 1 mm, the distance to the wire bond position is 0.7 mm, the margin to the inside of the insulating frame 114 is 0.5 mm, and the thickness of the insulating frame 114 itself is 1 mm, the total width is 5 mm. .4 mm, which cannot be said to be effectively using the lead frame technology. On the other hand, if the technique of the present invention is used, since the insulating frame 114 itself is not present, the thickness of the insulating frame 114 in the above calculation does not need to be 1 mm. Is possible.
【0052】さらに、第1実施例では、半導体レーザチ
ップ4の発光部9のみを光学部材6で覆っているが、光
検出回路8をも覆うようにすれば、外部から光検出回路
8に入射する光ビームが絶縁材11を構成する透明樹脂
のムラや気泡、ダスト等に影響されることを少なくする
ことができ、有益である。
Further, in the first embodiment, only the light emitting portion 9 of the semiconductor laser chip 4 is covered with the optical member 6, but if the light detecting circuit 8 is also covered, the light can be incident on the light detecting circuit 8 from outside. This is advantageous because it is possible to reduce the influence of the light beam generated by unevenness, bubbles, dust and the like of the transparent resin forming the insulating material 11.
【0053】なお、第1実施例では、絶縁材11の材料
として樹脂を用いているが、電極端子3間の絶縁及び出
射光特性が確保できる材料であれば、ガラス材料等の他
の材料でも構わない。この内容は以下の各実施例におい
ても同様である。
In the first embodiment, a resin is used as the material of the insulating material 11. However, any other material such as a glass material can be used as long as it can ensure the insulation between the electrode terminals 3 and the emission light characteristics. I do not care. The same applies to the following embodiments.
【0054】図2に示す変形例は、光学部材6の下面に
凹部6aを形成したものであり、この凹部6aは半導体
レーザチップ4の発光部9と接触しないようにレーザ光
通過領域に対応して形成されている。これにより、光学
部材6を半導体レーザチップ4に接着するための接着剤
7が発光部9に侵入して接触するのを防ぐことができ
る。また、この構造により光学部材6自体が熱と高い光
エネルギー密度を持つ発光部9に接することがなくなる
ので、ガラスからなる光学部材6を樹脂化することも可
能である。この内容も以下の実施例においても同様であ
る。
In the modification shown in FIG. 2, a concave portion 6a is formed on the lower surface of the optical member 6, and the concave portion 6a corresponds to the laser beam passage area so as not to contact the light emitting portion 9 of the semiconductor laser chip 4. It is formed. Accordingly, it is possible to prevent the adhesive 7 for bonding the optical member 6 to the semiconductor laser chip 4 from entering the light emitting unit 9 and making contact therewith. Further, this structure prevents the optical member 6 itself from coming into contact with the light emitting portion 9 having heat and a high light energy density, so that the optical member 6 made of glass can be made of resin. This applies to the following embodiments.
【0055】(第2実施例)図3(a),(b)は本発
明の第2実施例に係る半導体レーザ装置を、図4
(a),(b)はその変形例をそれぞれ示す。
Second Embodiment FIGS. 3A and 3B show a semiconductor laser device according to a second embodiment of the present invention.
(A) and (b) show the modified examples, respectively.
【0056】図3(a),(b)は、ダイパッド2上に
シリコン製のヒートシンク基板12を搭載し、半導体レ
ーザチップ4を前記ヒートシンク基板12を介してダイ
パッド2に搭載したものであり、光検出回路8は前記ヒ
ートシンク基板12上に形成している。また、同図中、
13は、ヒートシンク基板12上に形成された面発光レ
ーザ後方光を検出するモニタ用ホトダイオードである。
そのほかは第1実施例と同様であるので、同一の構成部
分については同一の符号を付してその詳細な説明を省略
する。
FIGS. 3A and 3B show a heat sink substrate 12 made of silicon mounted on the die pad 2 and a semiconductor laser chip 4 mounted on the die pad 2 via the heat sink substrate 12. The detection circuit 8 is formed on the heat sink substrate 12. Also, in the figure,
Reference numeral 13 denotes a monitoring photodiode formed on the heat sink substrate 12 for detecting light emitted from the surface emitting laser.
The other parts are the same as those of the first embodiment. Therefore, the same components are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.
【0057】したがって、この第2実施例では、第1実
施例と同様の作用効果を奏することができるものであ
る。
Therefore, in the second embodiment, the same functions and effects as those of the first embodiment can be obtained.
【0058】図4(a),(b)に示す変形例は、光学
部材6の下面に第1実施例の変形例の場合よりも大きな
凹部6aを形成し、光学部材6を前記凹部6aで半導体
レーザチップ4を跨ぐようにしかも光検出回路8を被覆
するようにヒートシンク基板12上に搭載しているもの
である。
In the modification shown in FIGS. 4A and 4B, a concave portion 6a larger than that of the modification of the first embodiment is formed on the lower surface of the optical member 6, and the optical member 6 is formed by the concave portion 6a. It is mounted on the heat sink substrate 12 so as to straddle the semiconductor laser chip 4 and cover the photodetection circuit 8.
【0059】このように、光学部材6でヒートシンク基
板12上の光検出回路8をも被覆することにより、外部
から光検出回路8に入射する光ビームが絶縁材11を構
成する樹脂のムラや気泡、ダスト等に影響されることを
少なくすることができる。
As described above, by covering the light detection circuit 8 on the heat sink substrate 12 with the optical member 6 as well, the light beam incident on the light detection circuit 8 from the outside may cause unevenness or bubbles in the resin constituting the insulating material 11. , Dust and the like can be reduced.
【0060】(第3実施例)図5(a),(b)は本発
明の第3実施例に係る半導体レーザ装置を示す。
(Third Embodiment) FIGS. 5A and 5B show a semiconductor laser device according to a third embodiment of the present invention.
【0061】この第3実施例では、半導体レーザチップ
が端面共振器タイプの半導体レーザチップ14である点
と、光学部材6の凹部6aが大きく前記半導体レーザチ
ップ14との間に空間を形成して半導体レーザチップ1
4が光学部材6に接触しないようにしている点とが第1
実施例と大きく異なるところである。図5(a),
(b)中、15は半導体レーザチップ14の前方光発光
部、16は半導体レーザチップ14の後方光発光部、1
2aはヒートシンク基板12に形成された45゜の反射
ミラー12aであり、前記前方光発光部15から出射し
た出射光10をこの反射ミラー12aで反射して90°
上方に方向変換するようになっている。17は前記後方
光発光部16から出射した出射光16aを検出するモニ
タ用光検出回路である。なお、前記反射ミラー12aを
形成したヒートシンク基板12は、シリコン単結晶基板
の異方性エッチング法((100)基板に対して54゜
をなす(111)結晶面が得られる)をシリコン(10
0)9゜オフアングル基板に施すことにより容易に得る
ことができる。そのほかは第2実施例と同様であるの
で、同一の構成部分については同一の符号を付してその
詳細な説明を省略する。
In the third embodiment, the semiconductor laser chip is an edge resonator type semiconductor laser chip 14 and the concave portion 6a of the optical member 6 is large to form a space between the semiconductor laser chip 14 and the semiconductor laser chip. Semiconductor laser chip 1
The first point is that the optical member 4 does not contact the optical member 6.
This is significantly different from the embodiment. FIG. 5 (a),
15B, reference numeral 15 denotes a front light emitting portion of the semiconductor laser chip 14, 16 denotes a rear light emitting portion of the semiconductor laser chip 14, 1
Reference numeral 2a denotes a 45 ° reflecting mirror 12a formed on the heat sink substrate 12, and reflects outgoing light 10 emitted from the front light emitting section 15 by the reflecting mirror 12a to form a 90 ° reflecting mirror.
The direction is changed upward. Reference numeral 17 denotes a monitoring light detection circuit for detecting the emitted light 16a emitted from the rear light emitting section 16. The heat sink substrate 12 on which the reflection mirror 12a is formed is formed by anisotropic etching of a silicon single crystal substrate (a (111) crystal plane forming 54 ° with respect to a (100) substrate is obtained).
0) It can be easily obtained by applying it to a 9 ° off-angle substrate. Otherwise, the second embodiment is the same as the second embodiment, so that the same components are denoted by the same reference numerals and detailed description thereof will be omitted.
【0062】したがって、この第3実施例では、第2実
施例と同様の作用効果を奏することができるものであ
る。
Therefore, in the third embodiment, the same functions and effects as those of the second embodiment can be obtained.
【0063】加えて、この第3実施例では、端面共振器
タイプの半導体レーザチップ14でも出射光10が45
゜の反射ミラー12aで基板垂直方向に出射することが
できることから、実質的に面発光レーザとして扱うこと
ができ、このヒートシンク基板12に形成した光検出回
路8と組み合わせることにより、基板垂直方向に光の入
出力が可能な発光受光デバイスを実現することができ
る。
In addition, in the third embodiment, the outgoing light 10 is reduced to 45 even in the semiconductor laser chip 14 of the edge resonator type.
Since the light can be emitted in the vertical direction of the substrate by the reflection mirror 12a of こ と が, it can be practically handled as a surface emitting laser. A light-emitting and light-receiving device capable of inputting and outputting data can be realized.
【0064】なお、この第3実施例では、半導体レーザ
チップ14及び光検出回路8を光学部材6で被覆してい
るが、半導体レーザチップ14のみの被覆でも同様の効
果を得ることができる。但し、前記光検出回路8も被覆
することにより、外部から光検出回路8に入射する光ビ
ームが絶縁材11を構成する樹脂のムラや気泡、ダスト
等に影響されることが少なくなるためより有効であるこ
とは第1実施例で述べた通りである。
In the third embodiment, the semiconductor laser chip 14 and the light detection circuit 8 are covered with the optical member 6, but the same effect can be obtained by covering only the semiconductor laser chip 14. However, by covering the light detection circuit 8, the light beam incident on the light detection circuit 8 from the outside is less affected by unevenness, bubbles, dust and the like of the resin constituting the insulating material 11, so that it is more effective. Is as described in the first embodiment.
【0065】また、この第3実施例では、反射ミラー1
2aをヒートシンク基板12に形成した傾斜面で構成し
たが、別途用意した反射ミラーを基板に貼り付けるよう
にしても構わない。さらには、光検出回路8は形成でき
ないが、金属基板にプレスやミラー貼り付け等の方法で
45゜の反射ミラー12aを形成しても同様の効果を得
ることができる。
In the third embodiment, the reflection mirror 1
Although 2a is constituted by the inclined surface formed on the heat sink substrate 12, a separately prepared reflection mirror may be attached to the substrate. Further, although the photodetection circuit 8 cannot be formed, the same effect can be obtained by forming the 45 ° reflection mirror 12a on a metal substrate by a method such as pressing or attaching a mirror.
【0066】(第4実施例)図6は本発明の第4実施例
に係る半導体レーザ装置を、図7はその変形例をそれぞ
れ示す。
(Fourth Embodiment) FIG. 6 shows a semiconductor laser device according to a fourth embodiment of the present invention, and FIG. 7 shows a modification thereof.
【0067】この第4実施例では、絶縁材11の外面で
ある上面に凹部11aをレーザ光通過領域(前方光発光
部15から出射される出射光10の通過領域)に対応し
て形成し、光学部材6の上面を外部に露出させている。
そのほかは第3実施例と同様であるので、同一の構成部
分については同一の符号を付してその詳細な説明を省略
する。なお、絶縁材11に凹部11aを形成すること
は、絶縁材11を成形する際に用いる金型の形状により
容易に実現することができるものである。
In the fourth embodiment, a concave portion 11a is formed on the upper surface which is the outer surface of the insulating material 11 so as to correspond to the laser beam passage area (the passage area of the emitted light 10 emitted from the front light emitting section 15). The upper surface of the optical member 6 is exposed to the outside.
Otherwise, the third embodiment is the same as the third embodiment, so that the same components are denoted by the same reference numerals and detailed description thereof will be omitted. The formation of the concave portion 11a in the insulating material 11 can be easily realized by the shape of a mold used for molding the insulating material 11.
【0068】したがって、この第4実施例では、第3実
施例と同様の作用効果を奏することができるものであ
る。
Therefore, in the fourth embodiment, the same functions and effects as those of the third embodiment can be obtained.
【0069】加えて、この第4実施例では、絶縁材11
に凹部11aを形成して光学部材6の上面を外部に露出
させていることから、半導体レーザチップ14から出射
される出射光10が前記絶縁材11を通過せず、絶縁材
11成形時に絶縁材11内部に発生する屈折率むらや亀
裂、樹脂材料に混入した気泡やダスト等の影響を全く受
けなくすることができ、出射光10の特性を確保するた
めには非常に有効である。
In addition, in the fourth embodiment, the insulating material 11
Since the upper surface of the optical member 6 is exposed to the outside by forming a concave portion 11a in the hole, the emitted light 10 emitted from the semiconductor laser chip 14 does not pass through the insulating material 11, and the insulating material 11 is formed when the insulating material 11 is formed. It is possible to completely eliminate the influence of unevenness of refractive index and cracks generated inside 11, bubbles and dust mixed in the resin material, and it is very effective to secure the characteristics of the emitted light 10.
【0070】図7に示す変形例は、絶縁材11に形成し
た凹部11aを浅くして光学部材6が外部に露出してい
ない構造になっているものである。
The modified example shown in FIG. 7 has a structure in which the concave portion 11a formed in the insulating material 11 is made shallow so that the optical member 6 is not exposed to the outside.
【0071】このように凹部11aを形成することによ
って絶縁材11のレーザ光通過領域の厚みを薄くするこ
とができ、その分だけレーザ光通過領域の気泡やダスト
発生確率が減少し、また薄い分だけ屈折率むらの影響も
小さくなり、光学部材6が露出した場合と同様の効果を
得ることができる。
By forming the concave portion 11a in this manner, the thickness of the laser light passage area of the insulating material 11 can be reduced, and accordingly, the probability of generation of bubbles and dust in the laser light passage area decreases, and The effect of the refractive index unevenness is reduced only, and the same effect as when the optical member 6 is exposed can be obtained.
【0072】(第5実施例)図8は本発明の第5実施例
に係る半導体レーザ装置を、図9〜12はその変形例1
〜4をそれぞれ示す。
(Fifth Embodiment) FIG. 8 shows a semiconductor laser device according to a fifth embodiment of the present invention, and FIGS.
To 4 are respectively shown.
【0073】この第5実施例では、第4実施例の変形例
と同様に絶縁材11に凹部11aを浅く形成し、さら
に、この凹部11aの外面にホログラムパターン11b
を形成してホログラム光学素子として光学機能を絶縁材
11に持たせたものである。同図中、10a,10b,
10cは、それぞれ出射光10がホログラムパターン1
1bにより回折された−1次、0次、+1次回折光、1
8は外部より戻ってきた入力信号光、18aは入力信号
光18がホログラムパターン11bにより回折された回
折光、19は回折光検出用の光検出回路である。
In the fifth embodiment, as in the modification of the fourth embodiment, a shallow concave portion 11a is formed in the insulating material 11, and a hologram pattern 11b is formed on the outer surface of the concave portion 11a.
Is formed so that the insulating material 11 has an optical function as a hologram optical element. In the figure, 10a, 10b,
10c indicates that the output light 10 is the hologram pattern 1
-1 order, 0 order, +1 order diffracted light diffracted by 1b, 1
Reference numeral 8 denotes an input signal light returned from the outside, reference numeral 18a denotes a diffracted light obtained by diffracting the input signal light 18 by the hologram pattern 11b, and reference numeral 19 denotes a light detection circuit for detecting a diffracted light.
【0074】したがって、この第5実施例では、第4実
施例の変形例と同様の作用効果を奏することができるも
のである。
Therefore, in the fifth embodiment, the same functions and effects as those of the modification of the fourth embodiment can be obtained.
【0075】加えて、この第5実施例では、絶縁材11
の凹部11aに形成したホログラムパターン11bによ
り、出射光10を分割したり、入力信号光18を回折し
て光検出回路19方向に偏向することができるようにな
る。
In addition, in the fifth embodiment, the insulating material 11
By using the hologram pattern 11b formed in the concave portion 11a, the emitted light 10 can be divided, and the input signal light 18 can be diffracted and deflected toward the light detection circuit 19.
【0076】なお、このホログラムパターン11bは、
直線パターンばかりでなく種々の関数パターンが形成可
能であり、例えば同心円関数でレンズ効果を持たせたり
双曲線関数で収差を発生させたりすることも可能であ
る。
The hologram pattern 11b is
Not only a linear pattern but also various function patterns can be formed. For example, it is possible to provide a lens effect by a concentric function or to generate an aberration by a hyperbolic function.
【0077】なお、第5実施例では、入力信号光18の
回折光18aとして図面の煩雑を避けるため+1次回折
光しか記載していないが、0次、−1次光も発生してお
りそれらの光を光検出回路で検出することも可能であ
る。
In the fifth embodiment, only the + 1st-order diffracted light is described as the diffracted light 18a of the input signal light 18 in order to avoid complication of the drawing. Light can be detected by a light detection circuit.
【0078】図9に示す変形例1は、光学部材6の上面
にホログラムパターン6bを形成してホログラム光学素
子として光学機能を光学部材6に持たせたもので、絶縁
材11の上面には凹部11aはなく第3実施例(図5
(a)参照)のようにフラットになっている。
In the first modification shown in FIG. 9, a hologram pattern 6b is formed on the upper surface of the optical member 6 so that the optical member 6 has an optical function as a hologram optical element. 11a and the third embodiment (FIG. 5)
(See (a)).
【0079】図10に示す変形例2は、光学部材6の下
面にホログラムパターン6bを形成してホログラム光学
素子として光学機能を光学部材6に持たせたもので、絶
縁材11の上面には第4実施例の変形例(図7参照)の
ように凹部11aが浅く形成されている。
In a second modification shown in FIG. 10, a hologram pattern 6b is formed on the lower surface of the optical member 6 so that the optical member 6 has an optical function as a hologram optical element. As in the modification of the fourth embodiment (see FIG. 7), the recess 11a is formed shallow.
【0080】これらの変形例1,2においても、第5実
施例と同様の作用効果を奏することができるものであ
る。さらには、図示しないが、絶縁材11と光学部材6
の両方にホログラムパターン11b,6bを形成すれ
ば、より機能的な素子を得ることができる。
In these modifications 1 and 2, the same operation and effect as in the fifth embodiment can be obtained. Further, although not shown, the insulating member 11 and the optical member 6
If the hologram patterns 11b and 6b are formed on both of them, a more functional element can be obtained.
【0081】図11に示す変形例3は、絶縁材11の上
面の外面及び光学部材6の上面の内面に凸部11c,6
cをそれぞれ形成することにより凸レンズ効果を持たせ
たものである。なお、目的に応じて形状を凹部にするこ
とにより凹レンズ効果やその他所望の波面変換効果を持
たせることが可能であり、また半導体レーザチップ14
の非点収差を補正することもできる。また光学部材6と
絶縁材11の材料特性を種々組み合わせたり、さらに光
学部材6の形状や絶縁材11の形状を設計変更すること
により組み合わせレンズとして、より収差の少ないレン
ズ設計も可能となる。
In the third modification shown in FIG. 11, the projections 11 c and 6 c are formed on the outer surface of the upper surface of the insulating material 11 and the inner surface of the upper surface of the optical member 6.
By forming each of c, a convex lens effect is provided. In addition, it is possible to provide a concave lens effect or other desired wavefront conversion effect by making the shape concave according to the purpose.
Can be corrected. Further, by combining the material characteristics of the optical member 6 and the insulating material 11 in various ways, or by changing the design of the optical member 6 and the shape of the insulating material 11, it is possible to design a lens with less aberration as a combined lens.
【0082】図12に示す変形例4は、光学部材として
ビームスプリッタ機能を有するものを採用している。こ
の光学部材20には偏光性反射コーティングが施されて
偏光性反射コーティング膜21が形成されているととも
に、その反対側には所定の反射率を有するコーティング
が施されて反射コーティング膜22が形成されている。
また、絶縁材11にも反射コーティング膜23と無反射
コーティング膜24とが形成されている。10dは偏光
性反射コーティング膜21及び反射コーティング膜22
で反射された反射光、25は反射光10dを検出し半導
体レーザチップ14の前光モニタを行うための光検出回
路である。
Modification 4 shown in FIG. 12 employs an optical member having a beam splitter function. The optical member 20 is provided with a polarizing reflective coating to form a polarizing reflective coating film 21. On the other side, a coating having a predetermined reflectance is provided to form a reflective coating film 22. ing.
Further, a reflective coating film 23 and a non-reflective coating film 24 are also formed on the insulating material 11. 10d is a polarizing reflective coating film 21 and a reflective coating film 22
Reference numeral 25 denotes a light detection circuit for detecting the reflected light 10d and monitoring the front light of the semiconductor laser chip 14.
【0083】このように、前方光発光部15からの出射
光10のレーザ光通過領域に光学部材20と絶縁材11
との傾斜境界を設け、その傾斜境界に偏光反射コーティ
ング膜21や反射コーティング膜22を設けることによ
り、複雑な光の入出力構造が可能となる。
As described above, the optical member 20 and the insulating material 11 are provided in the laser beam passage area of the light 10 emitted from the front light emitting unit 15.
And a polarization reflection coating film 21 or a reflection coating film 22 provided on the inclination boundary, a complicated light input / output structure becomes possible.
【0084】(第6実施例)図13は本発明の第6実施
例に係る半導体レーザ装置を、図14〜17はその変形
例1〜4をそれぞれ示す。
(Sixth Embodiment) FIG. 13 shows a semiconductor laser device according to a sixth embodiment of the present invention, and FIGS. 14 to 17 show modifications 1 to 4, respectively.
【0085】この第6実施例では、光学機能としてのホ
ログラムパターン26aを有する透明ガラスからなる光
学部材26を絶縁材11の上部外面に前方光発光部15
からの出射光10が通過するレーザ光通過領域に対応す
るように配置しているほかは、第4実施例の変形例(図
7参照)と同様である。
In the sixth embodiment, an optical member 26 made of transparent glass having a hologram pattern 26a as an optical function is provided on the outer surface of the upper part of the insulating material 11 by the front light emitting portion 15
It is the same as the modified example of the fourth embodiment (see FIG. 7) except that it is arranged so as to correspond to the laser light passage area through which the outgoing light 10 passes.
【0086】図14に示す変形例1は、複合プリズムか
らなる光学部材27を第6実施例の光学部材26に代え
て絶縁材11の上部外面に配置し、さらに、前記絶縁材
11の凹部11a底面にホログラムパターン11bを形
成したものである。同図中、10eは前方光発光部15
からの出射光10のプリズム面反射光である。
In a first modification shown in FIG. 14, an optical member 27 composed of a compound prism is disposed on the upper outer surface of the insulating member 11 instead of the optical member 26 of the sixth embodiment. The hologram pattern 11b is formed on the bottom surface. In the figure, 10e is the front light emitting unit 15
Is the reflected light of the prism surface of the outgoing light 10.
【0087】これにより、複合プリズムからなる光学部
材27により反射して素子内部に入ってきた光18の波
面制御及び分割検出が可能となる。
As a result, it is possible to control the wavefront of the light 18 reflected by the optical member 27 composed of the compound prism and entering the element, and to detect the division.
【0088】図15に示す変形例2は、絶縁材11の上
部外面に凹部11dを2つ形成し、一方の凹部11dに
は出射用光ファイバからなる光学部材28を、他方の凹
部11dには入力用光ファイバからなる光学部材29を
それぞれ上方から挿入して配置したものである。
In the modification 2 shown in FIG. 15, two concave portions 11d are formed on the upper outer surface of the insulating material 11, one of the concave portions 11d is provided with an optical member 28 made of an outgoing optical fiber, and the other is provided with a concave portion 11d. An optical member 29 made of an input optical fiber is inserted and arranged from above.
【0089】これにより、絶縁材11に光学部材28,
29のファイバ径に相当する凹部11dを形成すること
により、光学部材28,29を凹部11dに挿入するだ
けで光学部材28,29、半導体レーザチップ14及び
光検出回路19の位置合わせが容易に高精度に可能とな
る。
As a result, the optical member 28,
By forming the recess 11d corresponding to the fiber diameter of 29, the positioning of the optical members 28, 29, the semiconductor laser chip 14, and the photodetection circuit 19 can be easily performed simply by inserting the optical members 28, 29 into the recess 11d. Accuracy is possible.
【0090】図16に示す変形例3は、絶縁材11の側
部外面に凹部11dを2つ形成し、一方の凹部11dに
は出射用光ファイバからなる光学部材28を、他方の凹
部11dには入力用光ファイバからなる光学部材29を
それぞれ側方から挿入して配置したものである。また、
絶縁材11の上部外面に形成した凹部11aの底寄りに
第5実施例の変形例4(図12参照)のような偏光性反
射コーティング膜21及び反射コーティング膜22を形
成している。
In a modification 3 shown in FIG. 16, two concave portions 11d are formed on the outer surface of the side of the insulating material 11, and an optical member 28 made of an optical fiber for emission is formed in one concave portion 11d, and in the other concave portion 11d. In the figure, the optical members 29 each composed of an input optical fiber are inserted and arranged from the side. Also,
Near the bottom of the concave portion 11a formed on the upper outer surface of the insulating material 11, a polarizing reflective coating film 21 and a reflective coating film 22 are formed as in Modification 4 of the fifth embodiment (see FIG. 12).
【0091】これにより、変形例2と同様に光学部材2
8,29、半導体レーザチップ14、及び光検出回路1
9の位置合わせが容易に高精度に可能となり、さらに同
一方向に光の入力/出力ができる素子を得ることができ
る。
Thus, similarly to the second modification, the optical member 2
8, 29, semiconductor laser chip 14, and light detection circuit 1
9 can be easily performed with high accuracy, and an element capable of inputting / outputting light in the same direction can be obtained.
【0092】図17に示す変形例4は、双方向光ファイ
バからなる光学部材30を絶縁材11の上部外面に形成
した凹部11dに上方から挿入して配置したものであ
る。また、絶縁材11で覆われている光学部材6の上部
外面にはホログラムパターン6bを形成している。
In a modification 4 shown in FIG. 17, an optical member 30 made of a bidirectional optical fiber is inserted from above into a concave portion 11d formed on the upper outer surface of the insulating material 11 and arranged. Also, a hologram pattern 6b is formed on the upper outer surface of the optical member 6 covered with the insulating material 11.
【0093】これにより、変形例2と同様に光学部材2
8,29、半導体レーザチップ14、及び光検出回路1
9の位置合わせが容易に高精度に可能となり、さらに入
力光18がホログラムパターン6bで回折されて光検出
回路19で検出可能になるため、双方向通信が可能な素
子を得ることができる。
Thus, the optical member 2 is formed similarly to the second modification.
8, 29, semiconductor laser chip 14, and light detection circuit 1
9 can be easily adjusted with high accuracy, and the input light 18 is diffracted by the hologram pattern 6b and can be detected by the light detection circuit 19, so that an element capable of bidirectional communication can be obtained.
【0094】(第7実施例)図18は本発明の第7実施
例に係る半導体レーザ装置を、図19はその変形例をそ
れぞれ示す。
(Seventh Embodiment) FIG. 18 shows a semiconductor laser device according to a seventh embodiment of the present invention, and FIG. 19 shows a modification thereof.
【0095】この第7実施例では、一側面が凸状に湾曲
した湾曲面11fを有する略蒲鉾型のブロック11eを
絶縁材11の上部外面に2つ突設したものである。
In the seventh embodiment, two substantially elliptical blocks 11e having a curved surface 11f with one side curved in a convex shape are protruded from the upper outer surface of the insulating material 11.
【0096】これにより、予め前記ブロック11eの形
状に対応して組み付けるべき相手部材に形成された係合
孔に前記ブロック11eを挿入することにより、素子を
容易に高精度に位置合わせできるとともに出射光軸を軸
とする回転調整が可能となる。
By inserting the block 11e into an engagement hole formed in a mating member to be assembled in advance corresponding to the shape of the block 11e, the element can be easily positioned with high accuracy and the emitted light can be adjusted. Rotation adjustment about an axis becomes possible.
【0097】図19に示す変形例は、絶縁材11の上部
外面に球面11hを形成したものであり、頂部に凹部1
1aを形成している。
In the modification shown in FIG. 19, a spherical surface 11h is formed on the upper outer surface of the insulating material 11, and the concave portion 1 is formed on the top.
1a.
【0098】これにより、予め前記球面11hの形状に
対応して組み付けるべき相手部材に形成された係合孔に
前記球面11hを挿入することにより、素子を容易に高
精度に位置合わせできるとともにこの球面11hの原点
を中心とするあおり調整が可能となる。
By inserting the spherical surface 11h into an engaging hole formed in a mating member to be assembled in advance corresponding to the shape of the spherical surface 11h, the element can be easily positioned with high accuracy and the spherical surface 11h can be aligned. The tilt adjustment centering on the origin of 11h becomes possible.
【0099】(第8実施例)図20は本発明の第8実施
例に係る半導体レーザ装置を、図21はその変形例をそ
れぞれ示す。
(Eighth Embodiment) FIG. 20 shows a semiconductor laser device according to an eighth embodiment of the present invention, and FIG. 21 shows a modification thereof.
【0100】この第8実施例では、ダイパッド2の裏面
に放熱パッド31を設けたものであり、この放熱パッド
31は、ダイパッド2を電極端子3よりも下方に突出し
た厚肉に形成し、この厚肉部でもって構成されている。
そのほかは第3実施例(図5(a)参照)と同様に構成
されている。
In the eighth embodiment, a heat radiating pad 31 is provided on the rear surface of the die pad 2. The heat radiating pad 31 is formed such that the die pad 2 is formed to be thicker than the electrode terminal 3 and has a large thickness. It is configured with a thick part.
Otherwise, the configuration is the same as that of the third embodiment (see FIG. 5A).
【0101】これにより、空気への放熱を放熱パッド3
1で効率良く行って熱抵抗を小さくすることが可能であ
るとともに、この素子が使用されるセット側において熱
伝導経路を確保すれば熱抵抗を非常に小さくすることが
でき、半導体レーザ装置の信頼性向上に大いに効果があ
る。
As a result, heat is radiated to the air by the heat radiation pad 3.
1 can efficiently reduce the thermal resistance, and if a heat conduction path is secured on the set side where this element is used, the thermal resistance can be extremely reduced, and the reliability of the semiconductor laser device can be reduced. It is very effective in improving the performance.
【0102】図21に示す変形例は、第8実施例におい
て絶縁材11の下部外面に放熱フィン32を放熱パッド
31に接するように配置したものである。
The modification shown in FIG. 21 is different from the eighth embodiment in that the radiation fins 32 are arranged on the lower outer surface of the insulating material 11 so as to be in contact with the radiation pads 31.
【0103】これにより、さらに空気への放熱を向上さ
せることができ、信頼性を一層向上させることができ
る。
Thus, the heat radiation to the air can be further improved, and the reliability can be further improved.
【0104】(第9実施例)図22は本発明の第9実施
例に係る光ピックアップ装置を示す。
(Ninth Embodiment) FIG. 22 shows an optical pickup device according to a ninth embodiment of the present invention.
【0105】同図において、33は、本発明によるホロ
グラムパターンを含む半導体レーザ・フォトディテクタ
集積化素子(LD/PD素子)からなる半導体レーザ装
置、34はアクチュエータ可動部、35は反射ミラー、
36は対物レンズ、37はワイヤサスペンション、38
は光学式情報記録媒体としての光ディスク、39は支持
台であり、前記反射ミラー35及び対物レンズ36によ
り、半導体レーザ装置33から出射される光ビームを光
ディスク38上に集光する集光手段が構成されている。
In the figure, reference numeral 33 denotes a semiconductor laser device comprising a semiconductor laser / photodetector integrated element (LD / PD element) including a hologram pattern according to the present invention; 34, an actuator movable section; 35, a reflection mirror;
36 is an objective lens, 37 is a wire suspension, 38
Denotes an optical disk as an optical information recording medium, 39 denotes a support base, and a condensing means for condensing a light beam emitted from the semiconductor laser device 33 on the optical disk 38 by the reflection mirror 35 and the objective lens 36 is configured. Have been.
【0106】つまり、LD/PD素子からなる半導体レ
ーザ装置33をアクチュエータ可動部34の側面に固定
し、その出射光をディスク方向に反射させるための反射
ミラー35を配置し、その光路中に対物レンズ36を固
定し、その全体をワイヤサスペンション37等のサスペ
ンションで支持台39に固定することにより、対物レン
ズ36、半導体レーザ装置33及び光検出回路が一体と
なって移動するいわゆる一体駆動ピックアップが構成で
きる。これは、レーザ出射光を光ディスク38に集光
し、さらにその反射光を半導体レーザ装置33の光検出
回路で検出し、フォーカスエラー信号、トラッキングエ
ラー信号、ディスク情報信号を読み出すものである。
That is, a semiconductor laser device 33 composed of an LD / PD element is fixed to a side surface of an actuator movable portion 34, a reflection mirror 35 for reflecting the emitted light in the disk direction is disposed, and an objective lens is provided in the optical path. The so-called integrated drive pickup in which the objective lens 36, the semiconductor laser device 33, and the photodetector circuit move integrally can be configured by fixing the 36 and fixing the whole to the support base 39 with a suspension such as the wire suspension 37. . In this method, the laser emission light is focused on the optical disk 38, and the reflected light is detected by the light detection circuit of the semiconductor laser device 33, and the focus error signal, the tracking error signal, and the disk information signal are read.
【0107】図22に示す構造の光ピックアップ装置で
は、本発明による小型軽量のLD/PD素子により全体
形状が非常に小さな、さらに軽量であるために高速応答
可能なピックアップが実現可能となる。
In the optical pickup device having the structure shown in FIG. 22, a small and light LD / PD element according to the present invention makes it possible to realize a pickup capable of high-speed response because the overall shape is very small and light.
【0108】なお、光学機能を有する光学部材や絶縁材
としては、各実施例で挙げたものに限らず、ホログラム
光学素子、回折格子、ビームスプリッタ、ミラー、偏光
板、レンズ、光学フィルタ、波長板、反射面、光ファイ
バ等の中から適宜選定すればよい。
The optical member and the insulating material having the optical function are not limited to those described in each of the embodiments, but include a hologram optical element, a diffraction grating, a beam splitter, a mirror, a polarizing plate, a lens, an optical filter, and a wavelength plate. , A reflecting surface, an optical fiber, or the like.
【0109】[0109]
【発明の効果】以上説明したように、請求項1に係る本
発明によれば、半導体レーザチップの発光部を光学部材
で覆って絶縁材に触れないようにしたので、絶縁材の材
質劣化等や封止時の応力による半導体レーザチップの劣
化を防止することができる。しかも、コンパクトな装置
にすることができる。特に、請求項2に係る本発明によ
れば、光学部材のレーザ光通過領域が外部に露出してい
るので、半導体レーザチップから出射される出射光が絶
縁材内部に発生する屈折率むらや亀裂等に影響されず、
出射光特性が確保される。
As described above, according to the first aspect of the present invention, the light emitting portion of the semiconductor laser chip is covered with the optical member so as not to touch the insulating material. And deterioration of the semiconductor laser chip due to stress at the time of sealing can be prevented. Moreover, a compact device can be obtained. In particular, according to the second aspect of the present invention, since the laser light passage area of the optical member is exposed to the outside, the outgoing light emitted from the semiconductor laser chip has uneven refractive index and cracks generated inside the insulating material. Without being affected by
Outgoing light characteristics are secured.
【0110】[0110]
【0111】請求項3に係る本発明によれば、半導体レ
ーザチップ又はヒートシンク基板上に光検出回路等の各
種の回路を形成したので、より有効な素子とすることが
できる。
According to the third aspect of the present invention, since various circuits such as a photodetection circuit are formed on a semiconductor laser chip or a heat sink substrate, more effective elements can be obtained.
【0112】請求項4に係る本発明によれば、光学部材
に凹部を形成して半導体レーザチップの発光部と接触し
ないようにしたので、両者を接着するための接着剤の発
光部への侵入を防止することができる。
According to the fourth aspect of the present invention, since the concave portion is formed in the optical member so as not to come into contact with the light emitting portion of the semiconductor laser chip, the adhesive for bonding the two enters the light emitting portion. Can be prevented.
【0113】[0113]
【0114】請求項5に係る本発明によれば、絶縁材及
び光学部材の少なくとも一方に無反射コーティングや反
射,偏光性コーティングを施したので、複雑な光の入出
力構造を可能にすることができる。
According to the fifth aspect of the present invention, since at least one of the insulating material and the optical member is provided with a non-reflective coating or a reflective or polarizing coating, a complicated light input / output structure can be realized. it can.
【0115】請求項6に係る本発明によれば、絶縁材を
ホログラム光学素子等の各種の光学機能を有するものと
したので、出射光の分割や、入力信号光の光検出回路方
向への偏向を可能にすることができる。
According to the sixth aspect of the present invention, since the insulating material has various optical functions such as a hologram optical element, the emitted light is divided and the input signal light is deflected in the direction of the light detection circuit. Can be made possible.
【0116】請求項7に係る本発明によれば、絶縁材の
外面の少なくとも一部を湾曲面ないし球面にしたので、
これに対応する係合孔を有する相手部材に挿入するだけ
で素子の位置合わせを容易にかつ高精度に行うことがで
きる。また、出射光軸を軸とする回転調整を可能にする
ことができる。
[0116] According to the present invention according to claim 7, since the curved surface or spherical surface at least a portion of the outer surface of the insulating material,
By simply inserting the element into a mating member having a corresponding engaging hole, the element can be easily and accurately positioned. Further, it is possible to adjust the rotation about the emission optical axis.
【0117】請求項8に係る本発明によれば、絶縁材の
外面に凹部を形成したので、半導体レーザチップから出
射される出射光の絶縁材通過による屈折率むらや亀裂等
の影響を少なくして出射光の特性を確保することができ
る。
According to the eighth aspect of the present invention, since the concave portion is formed on the outer surface of the insulating material, the influence of unevenness of the refractive index and cracks due to the passage of the light emitted from the semiconductor laser chip through the insulating material can be reduced. As a result, the characteristics of the emitted light can be secured.
【0118】請求項9に係る本発明によれば、絶縁材の
外面にホログラム光学素子等の各種の光学機能を有する
光学部材を配置したので、出射光の分割や、入力信号光
の光検出回路方向への偏向を可能にすることができる。
According to the ninth aspect of the present invention, an optical member having various optical functions such as a hologram optical element is arranged on the outer surface of the insulating material. A deflection in the direction can be made possible.
【0119】請求項10に係る本発明によれば、半導体
レーザチップから発生する熱を外部へ逃がす熱伝導経路
又は放熱手段をダイパッドに設けたので、空気への放熱
を効率良く行って信頼性を向上させることができる。
According to the tenth aspect of the present invention, since the heat conduction path or the heat radiating means for radiating the heat generated from the semiconductor laser chip to the outside is provided in the die pad, the heat is efficiently radiated to the air and the reliability is improved. Can be improved.
【0120】請求項11に係る本発明によれば、請求項
1〜10のいずれか1項に記載の半導体レーザ装置を光
ピックアップ装置に用いたので、装置全体を小型にで
き、しかも軽量で高速応答可能なピックアップを実現す
ることができる。
According to the eleventh aspect of the present invention, the claims
Since the semiconductor laser device described in any one of 1 to 10 is used for an optical pickup device, the entire device can be reduced in size, and a light-weight, high-speed pickup can be realized.
【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]
【図1】第1実施例の半導体レーザ装置の概略構成図で
ある。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a semiconductor laser device according to a first embodiment.
【図2】第1実施の変形例を示す半導体レーザ装置の概
略構成図である。
FIG. 2 is a schematic configuration diagram of a semiconductor laser device according to a modification of the first embodiment.
【図3】第2実施例の半導体レーザ装置の概略構成図で
ある。
FIG. 3 is a schematic configuration diagram of a semiconductor laser device according to a second embodiment.
【図4】第2実施例の変形例を示す半導体レーザ装置の
概略構成図である。
FIG. 4 is a schematic configuration diagram of a semiconductor laser device showing a modification of the second embodiment.
【図5】第3実施例の半導体レーザ装置の概略構成図で
ある。
FIG. 5 is a schematic configuration diagram of a semiconductor laser device according to a third embodiment.
【図6】第4実施例の半導体レーザ装置の概略構成図で
ある。
FIG. 6 is a schematic configuration diagram of a semiconductor laser device according to a fourth embodiment.
【図7】第4実施例の変形例1を示す半導体レーザ装置
の概略構成図である。
FIG. 7 is a schematic configuration diagram of a semiconductor laser device showing a first modification of the fourth embodiment;
【図8】第5実施例の半導体レーザ装置の概略構成図で
ある。
FIG. 8 is a schematic configuration diagram of a semiconductor laser device according to a fifth embodiment.
【図9】第5実施例の変形例1を示す半導体レーザ装置
の概略構成図である。
FIG. 9 is a schematic configuration diagram of a semiconductor laser device showing a first modification of the fifth embodiment;
【図10】第5実施例の変形例2を示す半導体レーザ装
置の概略構成図である。
FIG. 10 is a schematic configuration diagram of a semiconductor laser device according to a second modification of the fifth embodiment.
【図11】第5実施例の変形例3を示す半導体レーザ装
置の概略構成図である。
FIG. 11 is a schematic configuration diagram of a semiconductor laser device showing a third modification of the fifth embodiment;
【図12】第5実施例の変形例4を示す半導体レーザ装
置の概略構成図である。
FIG. 12 is a schematic configuration diagram of a semiconductor laser device showing a fourth modification of the fifth embodiment;
【図13】第6実施例の半導体レーザ装置の概略構成図
である。
FIG. 13 is a schematic configuration diagram of a semiconductor laser device according to a sixth embodiment.
【図14】第6実施例の変形例1を示す半導体レーザ装
置の概略構成図である。
FIG. 14 is a schematic configuration diagram of a semiconductor laser device showing a first modification of the sixth embodiment.
【図15】第6実施例の変形例2を示す半導体レーザ装
置の概略構成図である。
FIG. 15 is a schematic configuration diagram of a semiconductor laser device showing a modification 2 of the sixth embodiment.
【図16】第6実施例の変形例3を示す半導体レーザ装
置の概略構成図である。
FIG. 16 is a schematic configuration diagram of a semiconductor laser device showing a third modification of the sixth embodiment.
【図17】第6実施例の変形例4を示す半導体レーザ装
置の概略構成図である。
FIG. 17 is a schematic configuration diagram of a semiconductor laser device showing a fourth modification of the sixth embodiment.
【図18】第7実施例の半導体レーザ装置の概略構成図
である。
FIG. 18 is a schematic configuration diagram of a semiconductor laser device according to a seventh embodiment.
【図19】第7実施例の変形例を示す半導体レーザ装置
の概略構成図である。
FIG. 19 is a schematic configuration diagram of a semiconductor laser device showing a modification of the seventh embodiment.
【図20】第8実施例の半導体レーザ装置の概略構成図
である。
FIG. 20 is a schematic configuration diagram of a semiconductor laser device according to an eighth embodiment.
【図21】第8実施例の変形例を示す半導体レーザ装置
の概略構成図である。
FIG. 21 is a schematic configuration diagram of a semiconductor laser device showing a modification of the eighth embodiment.
【図22】第9実施例の光ピックアップ装置の概略構成
図である。
FIG. 22 is a schematic configuration diagram of an optical pickup device according to a ninth embodiment.
【図23】従来例の半導体レーザ装置の分解斜視図であ
る。
FIG. 23 is an exploded perspective view of a conventional semiconductor laser device.
【図24】IC等で実装に用いられるリードフレームの
概略構成図である。
FIG. 24 is a schematic configuration diagram of a lead frame used for mounting with an IC or the like.
【図25】リードフレームを用いた従来例の半導体レー
ザ装置の概略構成図である。
FIG. 25 is a schematic configuration diagram of a conventional semiconductor laser device using a lead frame.
【図26】リードフレームを用いた従来例の他の半導体
レーザ装置の概略構成図である。
FIG. 26 is a schematic configuration diagram of another conventional semiconductor laser device using a lead frame.
【図27】リードフレームを用いた従来例の別の半導体
レーザ装置の概略構成図である。
FIG. 27 is a schematic configuration diagram of another conventional semiconductor laser device using a lead frame.
【符号の説明】[Explanation of symbols]
1 リードフレーム 2 ダイパッド 3 電極端子 4,14 半導体レーザチップ 6,20,26〜30 光学部材 6a,11a 凹部 6b,11b,26a ホログラムパターン 8,17,19,25 光検出回路 9,15,16 発光部 10 出射光 12 ヒートシンク基板 21 偏光性反射コーティング
膜 22,23 反射コーティング膜 24 無反射コーティング膜 31 放熱パッド(放熱手段) 32 放熱フィン(放熱手段) 33 半導体レーザ装置 35 反射ミラー(集光手段) 36 対物レンズ(集光手段) 38 光ディスク(光学式情報
記録媒体)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Lead frame 2 Die pad 3 Electrode terminal 4, 14 Semiconductor laser chip 6, 20, 26-30 Optical member 6a, 11a Depression 6b, 11b, 26a Hologram pattern 8, 17, 19, 25 Light detection circuit 9, 15, 16 Light emission Part 10 Emitted light 12 Heat sink substrate 21 Polarizing reflective coating film 22, 23 Reflective coating film 24 Non-reflective coating film 31 Heat dissipation pad (heat dissipation means) 32 Heat dissipation fins (heat dissipation means) 33 Semiconductor laser device 35 Reflection mirror (light focusing means) 36 Objective lens (light collecting means) 38 Optical disk (optical information recording medium)
フロントページの続き (72)発明者 吉川 昭男 大阪府高槻市幸町1番1号 松下電子工 業株式会社内 (56)参考文献 特開 平4−147691(JP,A) 特開 平6−203403(JP,A) 特開 平4−114456(JP,A) 特開 昭63−186469(JP,A) 特開 平5−183072(JP,A) 特開 昭61−168663(JP,A) 実開 昭61−83067(JP,U) 実開 平3−75542(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01S 5/00 - 5/50 Continuation of the front page (72) Inventor Akio Yoshikawa 1-1, Sachimachi, Takatsuki City, Osaka Prefecture Inside Matsushita Electronics Corporation (56) References JP-A-4-147691 (JP, A) JP-A-6-203403 (JP, A) JP-A-4-114456 (JP, A) JP-A-63-186469 (JP, A) JP-A-5-183072 (JP, A) JP-A-61-168663 (JP, A) Kaisho 61-83067 (JP, U) JP-A-3-75542 (JP, U) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H01S 5/00-5/50

Claims (11)

    (57)【特許請求の範囲】(57) [Claims]
  1. 【請求項1】 ダイパッドにヒートシンク基板を介して
    搭載され、前記ダイパッドの外周りに配置された電極端
    子に電気的に接続された半導体レーザチップと、 前記半導体レーザチップの出射光を発する発光部を覆う
    ように設けられた透明な光学部材と、 前記半導体レーザチップ、ダイパッド、ヒートシンク基
    板、電極端子及び光学部材を前記電極端子のアウター端
    子部を除いて封止する透明な絶縁材とを備え、 前記半導
    体レーザチップは、端面共振器タイプであり、 前記ヒートシンク基板に、前記半導体レーザチップの発
    光部から出射された出射光を反射する反射ミラーが形成
    されている ことを特徴とする半導体レーザ装置。
    1. A semiconductor laser chip mounted on a die pad via a heat sink substrate and electrically connected to electrode terminals arranged on the outer periphery of the die pad, and a light emitting unit for emitting light emitted from the semiconductor laser chip. comprising a transparent optical member provided so as to cover the semiconductor laser chip, the die pad, a heat sink substrate, a transparent insulating material of the electrode terminals and the optical member for sealing except for the outer terminal portion of the electrode terminal, wherein Semiconduct
    The semiconductor laser chip is of an end face resonator type, and the semiconductor laser chip is mounted on the heat sink substrate.
    A reflection mirror is formed to reflect the light emitted from the light section
    A semiconductor laser device characterized by being performed .
  2. 【請求項2】 前記絶縁材は、前記光学部材のレーザ光
    透過領域を除いて封止することを特徴とする請求項1記
    載の半導体レーザ装置。
    2. The method according to claim 1, wherein the insulating material is a laser beam of the optical member.
    2. The device according to claim 1, wherein the sealing is performed except for the transmission region.
    The semiconductor laser device of the mounting.
  3. 【請求項3】 前記半導体レーザチップ又は前記ヒート
    シンク基板上には、外部から侵入してくる光を検出する
    光検出回路、前記半導体レーザチップの前方又は後方か
    ら出射される光を検出する光検出回路、これらの光検出
    回路から検出される信号電流を電圧変換する電流−電圧
    変換回路、前記電流−電圧変換回路からの信号を増幅す
    る増幅回路、前記増幅回路からの信号を演算する演算回
    路、前記演算回路からの信号をデジタル−アナログ変換
    するDA変換回路及び前記半導体レーザチップを駆動す
    る駆動回路の少なくとも1つが形成されていることを特
    徴とする請求項1記載の半導体レーザ装置。
    The method according to claim 3, wherein said semiconductor laser chip or the heat <br/> sink substrate, the light detection circuit for detecting light intruding from the outside, the light emitted from the front or rear of the semiconductor laser chip A photodetector circuit for detecting, a current-voltage converter circuit for converting a signal current detected from these photodetector circuits into a voltage, an amplifier circuit for amplifying a signal from the current-voltage converter circuit, and calculating a signal from the amplifier circuit 2. The semiconductor laser device according to claim 1 , wherein at least one of an arithmetic circuit for performing the operation, a DA conversion circuit for performing a digital-to-analog conversion of a signal from the arithmetic circuit, and a drive circuit for driving the semiconductor laser chip is formed. .
  4. 【請求項4】 前記光学部材には、前記半導体レーザチ
    ップの発光部と接触しないように凹部がレーザ光透過領
    域に対応して形成されていることを特徴とする請求項1
    記載の半導体レーザ装置。
    To wherein said optical member according to claim 1, characterized in that the recess so as not to contact the light emitting portion of the semiconductor laser chip is formed corresponding to the laser beam transmission region
    13. The semiconductor laser device according to claim 1.
  5. 【請求項5】 前記絶縁材及び前記光学部材の少なくと
    も一方には、無反射コーティング、所定の反射率を有す
    るコーティング又は偏光性コーティングが施されている
    ことを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ装置。
    5. The semiconductor laser according to claim 1, wherein at least one of the insulating material and the optical member is provided with a non-reflective coating, a coating having a predetermined reflectance, or a polarizing coating. apparatus.
  6. 【請求項6】 前記絶縁材は、ホログラム光学素子、レ
    ンズ又は反射面等の光学機能を有することを特徴とする
    請求項1記載の半導体レーザ装置。
    6. The insulating material has an optical function such as a hologram optical element, a lens or a reflection surface.
    The semiconductor laser device according to claim 1 .
  7. 【請求項7】 前記絶縁材の外面の少なくとも一部は、
    湾曲面ないし球面を呈していることを特徴とする請求項
    1記載の半導体レーザ装置。
    7. At least a portion of the outer surface of the insulating material,
    Claims, characterized in that it exhibits a curved surface or spherical surface
    2. The semiconductor laser device according to 1 .
  8. 【請求項8】 前記絶縁材の外面には、凹部がレーザ光
    通過領域に対応して形成されていることを特徴とする
    求項1記載の半導体レーザ装置。
    The outer surface of wherein said insulating material, wherein the recess is formed to correspond to the laser beam passage region
    The semiconductor laser device according to claim 1 .
  9. 【請求項9】 前記絶縁材の外面には、ホログラム光学
    素子、回折格子、ビームスプリッタ、ミラー、偏光板、
    レンズ、光学フィルタ、波長板又は光ファイバ等の光学
    機能を有する光学部材がレーザ光通過領域に対応して配
    置されていることを特徴とする請求項1記載の半導体レ
    ーザ装置。
    The outer surface of wherein said insulating material, the hologram optical element, a diffraction grating, beam splitter, mirror, polarizer,
    2. The semiconductor laser device according to claim 1 , wherein an optical member having an optical function, such as a lens, an optical filter, a wavelength plate, or an optical fiber, is arranged corresponding to the laser light passage area.
  10. 【請求項10】 前記ダイパッドには、前記半導体レー
    ザチップから発生する熱を外部へ逃がす熱伝導経路又は
    放熱手段が設けられていることを特徴とする請求項1項
    記載の半導体レーザ装置。
    The method according to claim 10, wherein the die pad, claim 1, wherein, wherein the semiconductor laser thermal conduction path or dissipating means releasing heat generated from the chip to the outside is provided
    13. The semiconductor laser device according to claim 1.
  11. 【請求項11】 請求項1〜10のいずれか1項に記載
    の半導体レーザ装置と、前記半導体レーザ装置から出射
    される光ビームを光学式情報記録媒体上に集光する集光
    手段とを備えたことを特徴とする光ピックアップ装置。
    11. A semiconductor laser device according to claim 1 , further comprising: a light condensing means for condensing a light beam emitted from the semiconductor laser device on an optical information recording medium. An optical pickup device.
JP25851595A 1995-10-05 1995-10-05 Semiconductor laser device and optical pickup device Expired - Fee Related JP3233837B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25851595A JP3233837B2 (en) 1995-10-05 1995-10-05 Semiconductor laser device and optical pickup device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25851595A JP3233837B2 (en) 1995-10-05 1995-10-05 Semiconductor laser device and optical pickup device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH09102650A JPH09102650A (en) 1997-04-15
JP3233837B2 true JP3233837B2 (en) 2001-12-04

Family

ID=17321289

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP25851595A Expired - Fee Related JP3233837B2 (en) 1995-10-05 1995-10-05 Semiconductor laser device and optical pickup device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3233837B2 (en)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4515555B2 (en) * 1999-05-18 2010-08-04 富士通テン株式会社 Optical pickup
US7064898B1 (en) 1999-11-09 2006-06-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optoelectronic device
JP3662162B2 (en) * 2000-03-03 2005-06-22 シャープ株式会社 Bi-directional optical communication module
AUPR245701A0 (en) * 2001-01-10 2001-02-01 Silverbrook Research Pty Ltd An apparatus (WSM10)
US6798931B2 (en) * 2001-03-06 2004-09-28 Digital Optics Corp. Separating of optical integrated modules and structures formed thereby
CN100386931C (en) * 2002-02-01 2008-05-07 夏普公司 Semiconductor laser device
JP4845333B2 (en) * 2003-04-11 2011-12-28 株式会社リコー Photoelectric conversion element package, manufacturing method thereof, and optical connector
KR100612844B1 (en) 2003-05-09 2006-08-18 삼성전자주식회사 Integrated optical pickup and manufacturing method the same and optical information storage apparatus comprising the same
JP2005136171A (en) * 2003-10-30 2005-05-26 Sankyo Seiki Mfg Co Ltd Semiconductor laser device and optical head device
KR100601955B1 (en) 2004-06-01 2006-07-14 삼성전기주식회사 Integrated optical system and method for manufacturing the same and apparatus for recording and/or reproducing information applied the same
JP2005346836A (en) * 2004-06-03 2005-12-15 Sony Corp Optical pickup and optical component
JP4549171B2 (en) * 2004-08-31 2010-09-22 三洋電機株式会社 Hybrid integrated circuit device
JP4513758B2 (en) * 2006-02-07 2010-07-28 株式会社デンソー Mold package and manufacturing method thereof
JP2009049327A (en) * 2007-08-22 2009-03-05 Sharp Corp Semiconductor laser device, and optical pickup device
JP5282988B2 (en) * 2012-09-21 2013-09-04 株式会社フジクラ Optical connector
JP5908384B2 (en) * 2012-10-22 2016-04-26 住友重機械工業株式会社 Management method of injection molding machine and injection molding machine
JP2016536629A (en) * 2013-09-30 2016-11-24 シリコン・ライン・ゲー・エム・ベー・ハー Device for coupling and / or decoupling optical signals
JP6518113B2 (en) * 2015-04-10 2019-05-22 ヒロセ電機株式会社 Opto-electrical conversion connector and method of manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
JPH09102650A (en) 1997-04-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3434895B2 (en) Optical module for bidirectional transmission
JP4370158B2 (en) Optical coupler and electronic device using the same
US6784409B2 (en) Electronic device with encapsulant of photo-set resin and production process of same
US7281860B2 (en) Optical transmitter
US6562693B2 (en) Semiconductor laser device and wire bonding method capable of easily performing reliable wire bonding
KR100702106B1 (en) Optical pickup device, semiconductor laser device and housing for optical pickup device, and method for manufacturing semiconductor laser device
US5138145A (en) Method for producing image sensors with current flow into chip and with simplified chip mounting
JP3853279B2 (en) Semiconductor laser device, manufacturing method thereof, and optical pickup using the same
KR100852567B1 (en) Mounting method for optical device and optical head equipment
US5925898A (en) Optoelectronic transducer and production methods
EP1557885B1 (en) Image pickup device
KR100904245B1 (en) Composite optical element, light receiving element device, optical pick up apparatus and optical disc apparatus
JP4359201B2 (en) Optical semiconductor device, optical connector and electronic device
US6256283B1 (en) Optical pickup having a common light beam path for passing either of a plurality of kinds of light beams
US7362785B2 (en) Semiconductor laser apparatus and production method thereof
US20020145676A1 (en) Image pickup apparatus
JP3802896B2 (en) Semiconductor laser
KR100459347B1 (en) Optic semiconductor device and optic semiconductor module mounting optic semiconductor device
JP2005243778A (en) Optical semiconductor device and electronic equipment using the same
JP3972814B2 (en) Semiconductor integrated device
CN100448032C (en) Optical detector, optical head device, optical information processing device, and optical information processing method
US6922424B2 (en) Laser device
JP2003031885A (en) Semiconductor laser device
US5309460A (en) Semiconductor laser with encapsulated lead members
US6587481B1 (en) Light emitting module and compatible optical pickup device adopting the same

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20010904

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080921

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080921

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090921

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090921

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100921

Year of fee payment: 9

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees