JP3230489B2 - Memory control circuit - Google Patents

Memory control circuit

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JP3230489B2 JP14794898A JP14794898A JP3230489B2 JP 3230489 B2 JP3230489 B2 JP 3230489B2 JP 14794898 A JP14794898 A JP 14794898A JP 14794898 A JP14794898 A JP 14794898A JP 3230489 B2 JP3230489 B2 JP 3230489B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、定期的なリフレッ
シュ動作によるデータ保持を必要とするダイナミックR
AMのメモリ制御回路に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a dynamic random access memory (R) requiring data retention by a periodic refresh operation.
The present invention relates to an AM memory control circuit.

【0002】[0002]

【従来の技術】ダイナミックRAM等の半導体メモリの
試験においては、一般にメモリ容量に比例して試験時間
が増大する。近年、メモリ容量の著しい増加に伴ない、
試験時間も増加し、この試験時間を短縮することが要求
されていた。この要請に応えるために、例えば、特開平
5−107314号公報に開示されているように、メモ
リ素子単位で、定期的なリフレッシュ動作の周期よりも
短い周期で試験のためのデータの読み出しを行い、この
データを一時的に外部に保存し、リフレッシュ動作との
競合を回避する方法が提案されていた。
2. Description of the Related Art In testing a semiconductor memory such as a dynamic RAM, the test time generally increases in proportion to the memory capacity. In recent years, with a significant increase in memory capacity,
The test time has also increased, and it has been required to reduce the test time. In order to respond to this request, for example, as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-107314, data is read out for testing at a cycle shorter than a cycle of a periodic refresh operation for each memory element. A method has been proposed in which this data is temporarily stored outside to avoid conflict with the refresh operation.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかし、この従来技術
には、次のような問題があった。すなわち、定期的に実
行されるリフレッシュ動作を回避して、試験のためにメ
モリ素子から読み出したデータを一時的に保存するため
の特別な回路が必要になるという欠点があった。また、
定期的に行われるリフレッシュ動作の実行中は、試験の
ための動作を中断する必要があり、必ずしも試験時間が
短縮されているとはいえなかった。
However, this prior art has the following problems. That is, there is a disadvantage that a special circuit for temporarily storing data read from the memory element for the test is required to avoid a refresh operation that is periodically performed. Also,
During the execution of the refresh operation that is periodically performed, the operation for the test needs to be interrupted, and the test time cannot always be shortened.

【0004】本発明は、上記の問題を解決するためにな
されたもので、データの一時保存のための特別な回路が
不要で、しかもメモリの試験時間を短縮できるメモリ制
御回路を提供する。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problem, and provides a memory control circuit which does not require a special circuit for temporarily storing data and which can shorten a memory test time.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明
は、ダイナミックRAMを定期的にリフレッシュさせて
データを保持するメモリ制御回路において、前記リフレ
ッシュ動作のタイミング信号を発生するリフレッシュタ
イミング発生回路と、このリフレッシュタイミング発生
回路からの前記タイミング信号に従って実行されるリフ
レッシュ動作をリフレッシュ動作停止指示により停止す
るリフレッシュ動作停止回路と、リフレッシュ動作実行
指示により前記リフレッシュ動作を強制的に実行するリ
フレッシュ動作実行回路と、前記リフレッシュ動作実行
指示により、リフレッシュアドレスを生成するリフレッ
シュアドレス生成回路とを設けたことを特徴とするメモ
リ制御回路である。
Means for Solving the Problems The invention described in claim 1, in the memory control circuit for holding the data periodically to refresh dynamic RAM, the refresh timing generator for generating timings for signal of the refresh operation Circuit, a refresh operation stop circuit for stopping a refresh operation executed in accordance with the timing signal from the refresh timing generation circuit by a refresh operation stop instruction, and a refresh operation forcibly executing the refresh operation in response to a refresh operation execution instruction Circuit and execution of the refresh operation
A refresh address that generates a refresh address
A memory control circuit including a memory address generation circuit .

【0006】[0006]

【0007】請求項に記載の発明は、メモリのリード
あるいはライト命令と、前記リフレッシュ動作のタイミ
ングを制御する競合調停回路をさらに設けたことを特徴
とする請求項1に記載のメモリ制御回路である。
According to a second aspect of the present invention, there is provided the memory control circuit according to the first aspect, further comprising a contention arbitration circuit for controlling a memory read or write instruction and the timing of the refresh operation. is there.

【0008】請求項に記載の発明は、前記競合調停回
路は、前記リードあるいはライト命令より前記リフレッ
シュ動作を優先させることを特徴とする請求項に記載
のメモリ制御回路である。
[0008] According to a third aspect of the invention, the conflict arbitration circuit is a memory control circuit according to claim 2, characterized in that priority is given to the the refresh operation than the read or write command.

【0009】請求項に記載の発明は、前記リフレッシ
ュ動作実行回路は、前記リフレッシュ動作実行指示によ
り前記リフレッシュ動作を複数回連続して実行すること
を特徴とする請求項1ないしのいずれかに記載のメモ
リ制御回路である。請求項5に記載の発明は、ダイナミ
ックRAMを定期的にリフレッシュさせてデータを保持
するメモリ制御回路において、前記リフレッシュ動作の
タイミング信号を発生するリフレッシュタイミング発生
回路と、このリフレッシュタイミング発生回路からの前
記タイミング信号に従って実行されるリフレッシュ動作
をリフレッシュ動作停止指示により停止するリフレッシ
ュ動作停止回路と、リフレッシュ動作実行指示により前
記リフレッシュ動作を強制的に実行するリフレッシュ動
作実行回路とを設け、前記リフレッシュ動作実行回路
は、前記リフレッシュ動作実行指示により前記リフレッ
シュ動作を複数回連続して実行することを特徴とするメ
モリ制御回路である。
[0009] According to a fourth aspect of the invention, the refresh operation execution circuit to any one of 3 claims 1, characterized in that sequentially executing a plurality of times the refresh operation by the refresh operation execution instruction It is a memory control circuit described. The invention according to claim 5 provides a
Data is retained by periodically refreshing the RAM
Memory control circuit that performs the refresh operation.
Refresh timing generation that generates timing signals
Circuit and before the refresh timing generation circuit
Refresh operation performed according to the timing signal
To be stopped by a refresh operation stop instruction
By the refresh operation stop circuit and the refresh operation execution instruction.
Refresh operation to force the refresh operation
And a refresh operation execution circuit.
Is refreshed by the refresh operation execution instruction.
Mesh operation is performed a plurality of times consecutively.
It is a memory control circuit.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】図1に本発明の一実施形態である
メモリ制御回路のブロック図を示す。このメモリ制御回
路1は、定期的なリフレッシュ動作によるデータ保持が
必要なダイナミックRAM2に接続されていて、このダ
イナミックRAM2を定期的にリフレッシュする。ま
た、このダイナミックRAM2の試験時には、このダイ
ナミックRAM2と、前記メモリ制御回路1にメモリ試
験機3が接続される。
FIG. 1 is a block diagram of a memory control circuit according to an embodiment of the present invention. The memory control circuit 1 is connected to a dynamic RAM 2 that needs to hold data by a periodic refresh operation, and refreshes the dynamic RAM 2 periodically. When testing the dynamic RAM 2, a memory tester 3 is connected to the dynamic RAM 2 and the memory control circuit 1.

【0011】メモリ制御回路1の内部には、前記ダイナ
ミックRAM2の定期的なリフレッシュ動作のタイミン
グ信号を発生するリフレッシュタイミング発生回路4
と、リフレッシュ動作を実行するリフレッシュ動作実行
回路5が設けられている。そして、前記リフレッシュタ
イミング発生回路4とリフレッシュ動作実行回路5との
間には、リフレッシュ動作停止回路5が設けられてい
て、このリフレッシュ動作停止回路5は、前記ダイナミ
ックRAM2の試験時に、前記メモリ試験機3からのリ
フレッシュ動作停止指示信号により、定期的なリフレッ
シュ動作を停止させる。また、ダイナミックRAM2の
試験時には、前記リフレッシュ動作実行回路5も前記メ
モリ試験機3に接続され、リフレッシュ動作実行指示信
号によって制御される。
In the memory control circuit 1, a refresh timing generation circuit 4 for generating a timing signal for a periodic refresh operation of the dynamic RAM 2 is provided.
And a refresh operation execution circuit 5 for executing a refresh operation. A refresh operation stop circuit 5 is provided between the refresh timing generation circuit 4 and the refresh operation execution circuit 5, and the refresh operation stop circuit 5 is used when the dynamic RAM 2 is tested. The periodic refresh operation is stopped by the refresh operation stop instruction signal from the control unit 3. When testing the dynamic RAM 2, the refresh operation execution circuit 5 is also connected to the memory tester 3 and controlled by a refresh operation execution instruction signal.

【0012】前記リフレッシュ動作実行回路5の後段に
は、リフレッシュアドレス生成回路7が設けられてい
る。このリフレッシュアドレス生成回路7は、さらに、
競合調停回路8と、アドレス線および制御線によって接
続されている。リフレッシュアドレス生成回路7は、前
記リフレッシュ動作実行回路5からのリフレッシュタイ
ミング信号を受信すると、後段の競合調停回路8にリフ
レッシュアドレス信号および制御信号を出力する。競合
調停回路8は、前記ダイナミックRAM2と、アドレス
線および制御線によって接続されていて、このダイナミ
ックRAM2にアドレス信号および制御信号を出力す
る。競合調停回路8はまた、ダイナミックRAM2の試
験時には、メモリ試験機3と、アドレス線および制御線
によって接続される。
A refresh address generation circuit 7 is provided downstream of the refresh operation execution circuit 5. This refresh address generation circuit 7 further includes
The contention arbitration circuit 8 is connected to an address line and a control line. Upon receiving the refresh timing signal from the refresh operation execution circuit 5, the refresh address generation circuit 7 outputs a refresh address signal and a control signal to the subsequent competition arbitration circuit 8. The contention arbitration circuit 8 is connected to the dynamic RAM 2 by an address line and a control line, and outputs an address signal and a control signal to the dynamic RAM 2. The competition arbitration circuit 8 is connected to the memory tester 3 by an address line and a control line when the dynamic RAM 2 is tested.

【0013】次に、本実施構成の動作を説明する。ダイ
ナミックRAM2の通常動作時には、メモリ制御回路1
内部のリフレッシュタイミング発生回路4が発生する、
定期的なリフレッシュタイミング信号によって、定期的
なリフレッシュ動作が実行される。なお、このとき図1
に示すメモリ試験機3は、メモリ制御回路1およびダイ
ナミックRAM2に接続されていない。
Next, the operation of the present embodiment will be described. During normal operation of the dynamic RAM 2, the memory control circuit 1
The internal refresh timing generation circuit 4 generates
A periodic refresh operation is performed by the periodic refresh timing signal. At this time, FIG.
Is not connected to the memory control circuit 1 and the dynamic RAM 2.

【0014】リフレッシュタイミング発生回路4によっ
て生成された、定期的なリフレッシュタイミング信号
は、リフレッシュ動作停止回路6およびリフレッシュ動
作実行回路5を経由して、リフレッシュアドレス生成回
路7へ伝達される。このとき、リフレッシュ動作停止回
路6およびリフレッシュ動作実行回路5は、前記リフレ
ッシュタイミング信号を単に通過させる。
The periodic refresh timing signal generated by refresh timing generation circuit 4 is transmitted to refresh address generation circuit 7 via refresh operation stop circuit 6 and refresh operation execution circuit 5. At this time, the refresh operation stop circuit 6 and the refresh operation execution circuit 5 simply pass the refresh timing signal.

【0015】リフレッシュアドレス生成回路7は、前記
リフレッシュタイミング信号を入力すると、ダイナミッ
クRAM2の各アドレスを順次リフレッシュするため
に、リフレッシュアドレスをカウントアップしながらア
ドレス線から出力し、これと同期させてリフレッシュ信
号を制御線から出力する。
Upon receiving the refresh timing signal, the refresh address generating circuit 7 outputs the refresh address from the address line while counting up the refresh address in order to sequentially refresh each address of the dynamic RAM 2, and synchronizes the refresh signal with the refresh address. Is output from the control line.

【0016】競合調停回路8は、外部から、アドレス線
および制御線を経由して、ダイナミックRAM2のリー
ドライト動作が要求された場合に、このリードライト動
作と、前記リフレッシュ動作の競合を調停する。すなわ
ち、リードライト動作の要求のみの場合には、この要求
をアドレス線および制御線を経由してダイナミックRA
M2に伝達する。リフレッシュ動作要求のみの場合に
も、この要求をダイナミックRAM2に伝達する。ただ
し、リードライト動作がリフレッシュ動作と同時に要求
された場合には、リードライト動作を待機させ、リフレ
ッシュ動作を優先させる。
The contention arbitration circuit 8 arbitrates the contention between the read / write operation and the refresh operation when a read / write operation of the dynamic RAM 2 is requested from the outside via an address line and a control line. That is, when only a read / write operation request is made, this request is sent to the dynamic RA via the address line and the control line.
Transmit to M2. Even in the case of only a refresh operation request, this request is transmitted to the dynamic RAM 2. However, when the read / write operation is requested at the same time as the refresh operation, the read / write operation is put on standby, and the refresh operation is prioritized.

【0017】次に、ダイナミックRAM2の試験時に
は、外部に接続されたメモリ試験機3から入力されるリ
フレッシュ動作停止指示信号により、リフレッシュ動作
停止回路6が、リフレッシュタイミング発生回路4で生
成された、定期的なリフレッシュタイミング信号の伝達
を中止し、リフレッシュ動作実行回路5が、前記メモリ
試験機3から入力されるリフレッシュ動作実行指示信号
によって決まるタイミングで、リフレッシュタイミング
信号を出力する。
Next, when testing the dynamic RAM 2, the refresh operation stop circuit 6 is operated by the refresh operation stop circuit 6 in accordance with the refresh operation stop instruction signal input from the externally connected memory tester 3. And the refresh operation execution circuit 5 outputs the refresh timing signal at a timing determined by the refresh operation execution instruction signal input from the memory tester 3.

【0018】リフレッシュアドレス生成回路7は、前記
リフレッシュ動作実行回路5が出力するリフレッシュタ
イミング信号に従って、ダイナミックRAM2の各アド
レスを順次リフレッシュするために、リフレッシュアド
レスをカウントアップしながらアドレス線から出力し、
これと同期させてリフレッシュ信号を制御線から出力す
る。
The refresh address generation circuit 7 outputs the refresh address from the address line while counting up the refresh address in order to sequentially refresh each address of the dynamic RAM 2 in accordance with the refresh timing signal output from the refresh operation execution circuit 5,
A refresh signal is output from the control line in synchronization with this.

【0019】競合調停回路8は、外部に接続されたメモ
リ試験機3から、ダイナミックRAM2のリードライト
動作である試験動作の要求が入力した場合、この要求を
ダイナミックRAM2に伝達する。また、前記リフレッ
シュ動作が要求された場合には、この要求をダイナミッ
クRAM2に伝達する。
When a request for a test operation as a read / write operation of the dynamic RAM 2 is input from the externally connected memory tester 3, the contention arbitration circuit 8 transmits the request to the dynamic RAM 2. When the refresh operation is requested, the request is transmitted to the dynamic RAM 2.

【0020】ダイナミックRAM2の試験時には、リフ
レッシュ動作のタイミングが前記メモリ試験機3によっ
て制御されるので、リフレッシュ動作と前記試験動作が
競合することがない様に、メモリ試験機3を設定するこ
とができるが、もし仮に競合した場合には試験動作を待
機させる。
At the time of testing the dynamic RAM 2, the timing of the refresh operation is controlled by the memory tester 3, so that the memory tester 3 can be set so that the refresh operation does not conflict with the test operation. However, if there is a conflict, the test operation is put on standby.

【0021】次に、本実施形態の動作のタイミングを説
明する。通常動作時には、図2に示すように、メモリ制
御回路1内部のリフレッシュタイミング発生回路4で生
成されたリフレッシュタイミング信号によって、定期的
にリフレッシュ動作が実施されるので、このリフレッシ
ュ動作と、外部装置等から入力するリードライト動作と
が競合する可能性があり、競合した場合にはリードライ
ト動作が待機させられるので、このリードライト動作に
待ち合わせ時間が発生する。
Next, the operation timing of this embodiment will be described. During a normal operation, as shown in FIG. 2, a refresh operation is periodically performed by a refresh timing signal generated by a refresh timing generation circuit 4 in the memory control circuit 1, so that this refresh operation and an external device or the like are performed. There is a possibility that the read / write operation that is input from the memory device may compete with the read / write operation. If there is a conflict, the read / write operation is suspended, so that a waiting time occurs in the read / write operation.

【0022】一方、ダイナミックRAM2の試験時に
は、図3に示すように、外部に接続されたメモリ試験機
3によって、自由にリフレッシュ動作のタイミングを決
めることができるので、リフレッシュ動作と試験動作と
が競合しない様に設定することができ、試験時間のロス
をなくすことができる。
On the other hand, when testing the dynamic RAM 2, as shown in FIG. 3, the timing of the refresh operation can be freely determined by the memory tester 3 connected externally, so that the refresh operation and the test operation conflict. Can be set so that no test time is lost.

【0023】また、多くの異なるアドレスのリフレッシ
ュ動作を続けて実行し、この間にダイナミックRAM2
から読み出したデータの確認等の、メモリアクセスを必
要としない処理を行えば、さらに試験時間を短縮するこ
とができる。
Also, the refresh operation of many different addresses is continuously performed, during which the dynamic RAM 2
Performing processing that does not require memory access, such as confirmation of data read from the memory, can further reduce the test time.

【0024】[0024]

【発明の効果】本発明は、ダイナミックRAMを定期的
にリフレッシュさせてデータを保持するメモリ制御回路
において、前記リフレッシュ動作のタイミング信号を発
生するリフレッシュタイミング発生回路と、このリフレ
ッシュタイミング発生回路からの前記タイミング信号に
従って実行されるリフレッシュ動作をリフレッシュ動作
停止指示により停止するリフレッシュ動作停止回路と、
リフレッシュ動作実行指示により前記リフレッシュ動作
を強制的に実行するリフレッシュ動作実行回路と、前記
リフレッシュ動作実行指示により、リフレッシュアドレ
スを生成するリフレッシュアドレス生成回路とを設けた
ので、メモリ試験機などの外部装置による制御によっ
て、任意のタイミングでリフレッシュ動作を実行するこ
とができるので、リフレッシュ動作と試験動作との競合
を回避し、メモリ試験時間を短縮することができる。ま
た、リフレッシュ動作を回避して、メモリ素子から読み
出したデータを一時的に保存する必要がなく、このため
の特別な回路も不要になる。
According to the present invention, the memory control circuit for holding the data periodically to refresh dynamic RAM, a refresh timing generator for generating a timings for signal of the refresh operation, the refresh timing generator A refresh operation stop circuit for stopping a refresh operation executed in accordance with the timing signal according to a refresh operation stop instruction;
A refresh operation execution circuit for forcibly executing the refresh operation according to a refresh operation execution instruction ;
The refresh address is specified by the refresh operation execution instruction.
A refresh address generation circuit for generating a refresh operation, the refresh operation can be executed at an arbitrary timing under the control of an external device such as a memory tester, thereby avoiding a conflict between the refresh operation and the test operation. Thus, the memory test time can be reduced. In addition, there is no need to temporarily store data read from the memory element by avoiding the refresh operation, and a special circuit for this is not required.

【0025】さらに、前記リフレッシュ動作実行回路
が、前記リフレッシュ動作実行指示により前記リフレッ
シュ動作を複数回連続して実行すれば、この間に前記動
作と並行してメモリリードしたデータの確認等のメモリ
アクセスを必要としない処理を行うことができるので、
さらに試験時間を短縮することができる。
Further, if the refresh operation execution circuit executes the refresh operation a plurality of times in response to the refresh operation execution instruction, memory access such as confirmation of data read from the memory in parallel with the operation is performed during the refresh operation. Since you can perform unnecessary processing,
Further, the test time can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の一実施形態のブロック図。FIG. 1 is a block diagram of an embodiment of the present invention.

【図2】 通常動作時のタイミングを示す図。FIG. 2 is a diagram showing timing during normal operation.

【図3】 メモリ試験時のタイミングを示す図。FIG. 3 is a diagram showing timing at the time of a memory test.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 メモリ制御回路 2 ダイナミックRA
M 3 メモリ試験機 4 リフレッシュタイ
ミング発生回路 5 リフレッシュ動作実行回路 6 リフレッシュ動作停止回路 7 リフレッシュアドレス生成回路 8 競合調停回路
1 Memory control circuit 2 Dynamic RA
M 3 memory tester 4 refresh timing generation circuit 5 refresh operation execution circuit 6 refresh operation stop circuit 7 refresh address generation circuit 8 competition arbitration circuit

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 ダイナミックRAMを定期的にリフレッ
シュさせてデータを保持するメモリ制御回路において、 前記リフレッシュ動作のタイミング信号を発生するリフ
レッシュタイミング発生回路と、 このリフレッシュタイミング発生回路からの前記タイミ
ング信号に従って実行されるリフレッシュ動作をリフレ
ッシュ動作停止指示により停止するリフレッシュ動作停
止回路と、 リフレッシュ動作実行指示により前記リフレッシュ動作
を強制的に実行するリフレッシュ動作実行回路と 前記リフレッシュ動作実行指示により、リフレッシュア
ドレスを生成するリフレッシュアドレス生成回路と を設
けたことを特徴とするメモリ制御回路。
1. A memory control circuit for holding the data periodically to refresh dynamic RAM, a refresh timing generator for generating a timings for signal of the refresh operation, the timing signal from the refresh timing generator A refresh operation stop circuit for stopping the refresh operation executed in accordance with the refresh operation stop instruction, a refresh operation execution circuit for forcibly executing the refresh operation in accordance with the refresh operation execution instruction , and a refresh operation in response to the refresh operation execution instruction.
And a refresh address generation circuit for generating a dress .
【請求項2】 メモリのリードあるいはライト命令と、
前記リフレッシュ動作のタイミングを制御する競合調停
回路をさらに設けたことを特徴とする請求項1に記載の
メモリ制御回路。
2. A memory read or write instruction,
2. The memory control circuit according to claim 1, further comprising a contention arbitration circuit for controlling a timing of the refresh operation.
【請求項3】 前記競合調停回路は、前記リードあるい
はライト命令より前記リフレッシュ動作を優先させるこ
とを特徴とする請求項に記載のメモリ制御回路。
3. The memory control circuit according to claim 2 , wherein said contention arbitration circuit prioritizes said refresh operation over said read or write instruction.
【請求項4】 前記リフレッシュ動作実行回路は、前記
リフレッシュ動作実行指示により前記リフレッシュ動作
を複数回連続して実行することを特徴とする請求項1な
いしのいずれかに記載のメモリ制御回路。
Wherein said refresh operation execution circuit according to claim 1 of <br/> stone 3, characterized by continuously executed a plurality of times the refresh operation by the refresh operation execution instruction Memory control circuit.
【請求項5】 ダイナミックRAMを定期的にリフレッ
シュさせてデータを保持するメモリ制御回路において、 前記リフレッシュ動作のタイミイング信号を発生するリ
フレッシュタイミング発生回路と、 このリフレッシュタイミング発生回路からの前記タイミ
ング信号に従って実行されるリフレッシュ動作をリフレ
ッシュ動作停止指示により停止するリフレッシュ動作停
止回路と、 リフレッシュ動作実行指示により前記リフレッシュ動作
を強制的に実行するリフレッシュ動作実行回路とを設
け、 前記リフレッシュ動作実行回路は、前記リフレッシュ動
作実行指示により前記リフレッシュ動作を複数回連続し
て実行することを特徴とするメモリ制御回路。
5. A method for periodically refreshing a dynamic RAM.
In a memory control circuit for holding data by performing a refresh operation, a reset signal for generating a timing signal for the refresh operation is generated.
A fresh timing generation circuit and the timing from the refresh timing generation circuit;
Refresh operation performed according to the
Refresh operation stopped by the flash operation stop instruction
The refresh operation by the stop circuit and the refresh operation execution instruction.
Refresh operation execution circuit
The refresh operation execution circuit is configured to perform the refresh operation.
The refresh operation is repeated several times
A memory control circuit characterized in that the memory control circuit executes the program.
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