JP3226036B2 - Inverter device - Google Patents

Inverter device

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JP3226036B2
JP3226036B2 JP13101199A JP13101199A JP3226036B2 JP 3226036 B2 JP3226036 B2 JP 3226036B2 JP 13101199 A JP13101199 A JP 13101199A JP 13101199 A JP13101199 A JP 13101199A JP 3226036 B2 JP3226036 B2 JP 3226036B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は調光可能な放電管の
電源として好適なインバータ装置に関する。
The present invention relates to an inverter device suitable as a power source for a dimmable discharge tube.

【0002】[0002]

【従来の技術】例えば冷陰極放電管(CFL)の電源と
してインバータが使用される。この種のインバータは直
流電圧を40〜60kHZ程度の交流電圧に変換して放
電管を駆動する。放電管をパソコンの液晶表示装置(L
CD)のバックライト等として使用する場合に調光が要
求される。この調光方式には、大別してインバータの入
力電圧を調整する方法と、インバータを200〜300
HZ程度の繰返し周波数で断続駆動する方式とがある。
2. Description of the Related Art For example, an inverter is used as a power supply for a cold cathode discharge tube (CFL). This type of inverter converts a DC voltage to an AC voltage of about 40 to 60 kHz to drive a discharge tube. The discharge tube is connected to a liquid crystal display (L
When used as a backlight of a CD), dimming is required. This dimming method is roughly classified into a method of adjusting the input voltage of the inverter and a method of adjusting the inverter by 200 to 300.
There is a method of intermittent driving at a repetition frequency of about HZ.

【0003】図1は後者のインバータを断続駆動する回
路を示し、図2は図1の各部の状態を示す。図1の回路
は、大別して、直流電源としての整流平滑回路1と、イ
ンバータ回路2と、インバータ制御回路3と、負荷とし
ての冷陰極放電管4と、平滑用リアクトル5と、電流検
出回路6とから成る。
FIG. 1 shows a circuit for intermittently driving the latter inverter, and FIG. 2 shows a state of each part in FIG. The circuit in FIG. 1 is roughly divided into a rectifying and smoothing circuit 1 as a DC power supply, an inverter circuit 2, an inverter control circuit 3, a cold cathode discharge tube 4 as a load, a smoothing reactor 5, a current detecting circuit 6, Consisting of

【0004】整流平滑回路1は一対の交流電源端子7,
8に接続され、商用交流電圧を直流電圧に変換し、これ
を一対の直流電源ライン9,10に送出する。この実施
例では一方の直流電源ライン9が正の電源ラインであ
り、他方の直流電源ライン10が負即ちグランドライン
である。
The rectifying and smoothing circuit 1 has a pair of AC power supply terminals 7,
8 and converts the commercial AC voltage into a DC voltage, which is sent to a pair of DC power supply lines 9 and 10. In this embodiment, one DC power supply line 9 is a positive power supply line, and the other DC power supply line 10 is a negative or ground line.

【0005】インバータ回路2は、自励プッシュプル型
インバータであって、一対の変換用スイッチとしての第
1及び第2のトランジスタQ1,Q2と、トランスT
と、共振用コンデンサC1とから成る。
The inverter circuit 2 is a self-excited push-pull type inverter, and includes first and second transistors Q1 and Q2 as a pair of conversion switches, and a transformer T.
And a resonance capacitor C1.

【0006】トランスTは互いに電磁結合された1次巻
線N1と2次巻線N2と3次巻線N3とを有する。1次巻
線N1はセンタップ11を有し、第1及び第2の部分N
1a、N1bに分割されている。センタタップ11は一
方の直流電源9に接続されている。1次巻線N1の一端
(上端)とグランドライン10との間に第1のトランジス
タQ1が接続され、1次巻線N1の他端(下端)とグラン
ドライン10との間に第2のトランジスタQ2が接続さ
れている。この実施例では第1及び第2のトランジスタ
Q1,Q2は共にNPN型であり、それぞれのエミッタ
がグランドライン10に接続されている。
[0006] The transformer T has a primary winding N1, a secondary winding N2, and a tertiary winding N3 electromagnetically coupled to each other. The primary winding N1 has a center tap 11, and the first and second portions N
1a and N1b. The center tap 11 is connected to one DC power supply 9. One end of primary winding N1
The first transistor Q1 is connected between the (upper end) and the ground line 10, and the second transistor Q2 is connected between the other end (lower end) of the primary winding N1 and the ground line 10. In this embodiment, both the first and second transistors Q1 and Q2 are of the NPN type, and their respective emitters are connected to the ground line 10.

【0007】3次巻線N3は自励発振させるためのもの
であって、この一端(下端)が第1のトランジスタQ1の
ベースに接続され、この他端(上端)が第2のトランジス
タQ2のベースに接続されている。3次巻線N3の電圧
は第1及び第2のトランジスタQ1,Q2ベース制御に
使用される。3次巻線N3に発生する下向きの電圧は第
1のトランジスタQ1を順バイアスし、3次巻線N3 に
発生する上向きの電圧は第2のトランジスタQ2 を順バ
イアスする。共振用コンデンサC1は1次巻線N1に並列
に接続されている。この共振用コンデンサC1は第1及
び第2のトランジスタQ1、Q2のタ−ンオフ時に1次巻
線N1のインダクタンスと共振回路を形成し、振動電流
を1次巻線N1に流す。
The tertiary winding N3 is for self-oscillation. One end (lower end) is connected to the base of the first transistor Q1, and the other end (upper end) is connected to the second transistor Q2. Connected to the base. The voltage of the tertiary winding N3 is used for base control of the first and second transistors Q1 and Q2. The downward voltage generated on the tertiary winding N3 forward biases the first transistor Q1, and the upward voltage generated on the tertiary winding N3 forward biases the second transistor Q2. The resonance capacitor C1 is connected in parallel with the primary winding N1. The resonance capacitor C1 forms a resonance circuit with the inductance of the primary winding N1 when the first and second transistors Q1 and Q2 are turned off, and allows an oscillating current to flow through the primary winding N1.

【0008】スイッチ制御回路3はインバータ回路2の
第1及び第2のトランジスタQ1 、Q2 の駆動期間を制
御するものであり、第1及び第2の制御用トランジスタ
Q11、Q12と、起動抵抗R1 と、バイアス調整用抵抗R
2 、R3 と、PWM制御回路12とから成る。
The switch control circuit 3 controls the driving period of the first and second transistors Q1 and Q2 of the inverter circuit 2, and includes the first and second control transistors Q11 and Q12, the starting resistor R1 and , Bias adjustment resistor R
2, R3 and a PWM control circuit 12.

【0009】第1の制御用トランジスタQ11はPNP型
トランジスタであり、このエミッタは電流制限用抵抗R
1 を介して一方の直流電源ライン9に接続され、このコ
レクタは変換用スイッチとしての第1のトランジスタQ
1 の制御端子即ちベース及び3次巻線N3 の一端(下
端)にそれぞれ接続され、このベースは抵抗R3 と第2
のトランジスタQ12とを介してグランドライン10に接
続されている。NPNトランジスタから成る第2の制御
用トランジスタQ12は第1の制御用トランジスタQ11を
オン・オフ制御するための制御スイッチであって、この
コレクタが抵抗R3 を介して第1の制御用トランジスタ
Q11のベースに接続され、このエミッタがグランドライ
ン10に接続され、このベース(制御端子)がPWM制
御回路12に接続されている。
The first control transistor Q11 is a PNP transistor, and its emitter has a current limiting resistor R
1 is connected to one of the DC power supply lines 9 and has a collector connected to a first transistor Q as a conversion switch.
1 is connected to a control terminal, i.e., the base and one end (lower end) of the tertiary winding N3.
And to the ground line 10 via the transistor Q12. A second control transistor Q12 comprising an NPN transistor is a control switch for turning on / off the first control transistor Q11, and has a collector connected to the base of the first control transistor Q11 via a resistor R3. The emitter is connected to the ground line 10, and the base (control terminal) is connected to the PWM control circuit 12.

【0010】PWM制御回路12は放電管4を調光する
ためにインバータ回路2の第1及び第2のトランジスタ
Q1 、Q2 を図2の駆動期間Tonと非駆動期間Toff と
で示す低い繰返し周波数で断続制御するためのPWM制
御信号Vpwm を発生し、これを第2の制御用トランジス
タQ12のベースに印加する。放電管4の調光を行うため
にPWM制御回路12はデュティ可変調整器13を含
む。この可変調整器13はPWM制御信号Vpwm のオン
期間Tonを段階的又は連続的に調整するものであり、図
示が省略されている手動操作部を有する。PWM制御信
号Vpwm の繰返し周波数f2 は200〜300Hz程度で
あって、インバータ回路2の出力周波数f1 (40〜6
0kHz )よりも十分に低い値である。なお、PWM繰返
し周波数f2 は放電管4の点灯期間において視覚でチラ
ツキが問題とならない値に決定される。
The PWM control circuit 12 controls the first and second transistors Q1 and Q2 of the inverter circuit 2 at a low repetition frequency indicated by a driving period Ton and a non-driving period Toff in FIG. A PWM control signal Vpwm for intermittent control is generated and applied to the base of the second control transistor Q12. The PWM control circuit 12 includes a duty variable adjuster 13 for dimming the discharge tube 4. The variable adjuster 13 adjusts the ON period Ton of the PWM control signal Vpwm in a stepwise or continuous manner, and has a manual operation unit (not shown). The repetition frequency f2 of the PWM control signal Vpwm is about 200 to 300 Hz, and the output frequency f1 (40 to 6
0 kHz). Note that the PWM repetition frequency f2 is determined to be a value at which flicker does not cause a problem during the lighting period of the discharge tube 4.

【0011】このPWM制御信号Vpwm のオン期間Ton
を安定的に保持するために、電流検出回路6の出力ライ
ンがPWM制御回路12に接続されている。電流検出回
路6は電流検出抵抗Ra と整流ダイオードDa と平滑即
ち積分用コンデンサCa とから成る。放電管4は結合コ
ンデンサC2 を介して2次巻線N2 に並列接続されてい
る。電流検出抵抗Ra は負荷としての放電管4に直列に
接続され、負荷電流に対応する電圧を発生する。PWM
制御回路12は電流検出回路6で検出された電流値を一
定に保つようにPWM制御信号Vpwm のオン期間Tonを
制御する。
The on-period Ton of the PWM control signal Vpwm
Is stably held, the output line of the current detection circuit 6 is connected to the PWM control circuit 12. The current detection circuit 6 includes a current detection resistor Ra, a rectifier diode Da, and a smoothing or integrating capacitor Ca. The discharge tube 4 is connected in parallel to a secondary winding N2 via a coupling capacitor C2. The current detection resistor Ra is connected in series to the discharge tube 4 as a load, and generates a voltage corresponding to the load current. PWM
The control circuit 12 controls the ON period Ton of the PWM control signal Vpwm so as to keep the current value detected by the current detection circuit 6 constant.

【0012】整流平滑回路1とインバータ回路2との間
において一方の直流電源ライン9に直列に接続されたリ
アクトル5はコアとコイルとから成り、整流平滑回路1
の出力のリプルを低減する作用、及び第1及び第2のト
ランジスタQ1 、Q2 のオン・オフによって発生するノ
イズが電源側に洩れることを抑制する作用を有する。
A reactor 5 connected in series to one DC power supply line 9 between the rectifying and smoothing circuit 1 and the inverter circuit 2 comprises a core and a coil.
Has the effect of reducing the ripple of the output and the effect of suppressing the noise generated by turning on and off the first and second transistors Q1 and Q2 from leaking to the power supply side.

【0013】図1の装置において、放電管4の明るさを
調整する時には、PWM制御回路12のデュティ可変調
整器13を操作する。これにより、PWM制御信号Vpw
m の一定周期T2 に対するオン期間Tonの割合が変化す
る。第1及び第2の制御用トランジスタQ11、Q12はP
WM制御信号Vpwm のオン期間Tonに対応してオンにな
る。第1の制御用トランジスタQ11がオンになると、一
方の直流電源ライン9、抵抗R1 、第1の制御用トラン
ジスタQ11の経路で第1のトランジスタQ1 のベース電
流が流れ、これがオンになる。第1のトランジスタQ1
がオンになると、一方の直流電源ライン9、1次巻線N
1 の第1の部分N1a、第1のトランジスタQ1 、他方の
直流電源ライン10から成る回路に電流が流れ、2次巻
線N2 及び3次巻線N3 に第1の方向の電圧が誘起す
る。3次巻線N3 の第1の方向の電圧は下向きの電圧で
あり、第1のトランジスタQ1 を順方向バイアスし、第
2のトランジスタQ2 を逆方向バイアスする向きを有す
るので、第1のトランジスタQ1 のオン状態及び第2の
トランジスタQ2 のオフ状態が保持される。トランスT
の1次巻線N1 はインダクタンスを有するので、第1の
トランジスタQ1 のコレクタ電流は時間と共に増大す
る。ベース電流Ib に電流増幅率を乗算した値にコレク
タ電流が増大すると、コレクタ電流がこれより増大する
ことが不可能になり、第1のトランジスタQ1 を飽和オ
ン状態に保つことが不可能になり、第1のトランジスタ
Q1 のコレクタ・エミッタ間電圧が増大し、逆にトラン
スTの1次巻線N1 に印加される電圧が低下する。これ
により、3次巻線N3 で第1のトランジスタQ1 に供給
するベース電流が低下し、第1のトランジスタQ1 は急
速にオフ状態になる。第1のトランジスタQ1 がオフに
なった後に共振によって1次巻線N1 に印加される電圧
の向きが今迄と逆になると、3次巻線N3 に今迄の第1
の方向と逆の第2の方向(上向き)の電圧が発生し、第
2のトランジスタQ2が順バイアス、第1のトランジス
タQ1 が逆バイアスされる。なお、第2のトランジスタ
Q2 のベース電流は、一方の直流電源ライン9、抵抗R
1 、第1の制御用トランジスタQ11、3次巻線N3 、第
2のトランジスタQ2 、他方の直流電源ライン10から
成る回路で流れる。第2のトランジスタQ2 の飽和オン
状態が維持できなくなると、これがオフになり、代って
第1のトランジスタQ1 がオンになる。この結果、第1
及び第2のトランジスタQ1 、Q2 は周期T1 で交互に
オン・オフし、2次巻線N2 の交流電圧も周期T1 で変
化する。
In the apparatus shown in FIG. 1, when adjusting the brightness of the discharge tube 4, the duty variable adjuster 13 of the PWM control circuit 12 is operated. As a result, the PWM control signal Vpw
The ratio of the ON period Ton to the constant period T2 of m changes. The first and second control transistors Q11 and Q12 are P
It turns on in response to the on-period Ton of the WM control signal Vpwm. When the first control transistor Q11 is turned on, the base current of the first transistor Q1 flows through the path of one of the DC power supply line 9, the resistor R1, and the first control transistor Q11, and is turned on. First transistor Q1
Is turned on, one DC power supply line 9 and the primary winding N
A current flows through a circuit composed of the first part N1a, the first transistor Q1, and the other DC power supply line 10, and a voltage in the first direction is induced in the secondary winding N2 and the tertiary winding N3. The voltage of the tertiary winding N3 in the first direction is a downward voltage, and has a direction in which the first transistor Q1 is forward biased and the second transistor Q2 is reverse biased. And the off state of the second transistor Q2 is maintained. Transformer T
Since the primary winding N1 has an inductance, the collector current of the first transistor Q1 increases with time. If the collector current is increased by a value obtained by multiplying the base current Ib by the current amplification factor, the collector current cannot be increased any more, and the first transistor Q1 cannot be kept in the saturation ON state. The collector-emitter voltage of the first transistor Q1 increases, and conversely, the voltage applied to the primary winding N1 of the transformer T decreases. As a result, the base current supplied to the first transistor Q1 in the tertiary winding N3 decreases, and the first transistor Q1 is rapidly turned off. If the direction of the voltage applied to the primary winding N1 due to resonance after the first transistor Q1 is turned off is reversed, the first winding is applied to the tertiary winding N3.
A voltage in the second direction (upward) opposite to the above direction is generated, the second transistor Q2 is forward-biased, and the first transistor Q1 is reverse-biased. The base current of the second transistor Q2 is supplied to one of the DC power supply line 9 and the resistor R
1, a first control transistor Q11, a tertiary winding N3, a second transistor Q2, and the other DC power supply line 10. If the saturated on state of the second transistor Q2 cannot be maintained, it is turned off, and the first transistor Q1 is turned on instead. As a result, the first
The second transistor Q1 and the second transistor Q2 are alternately turned on and off at the cycle T1, and the AC voltage of the secondary winding N2 also changes at the cycle T1.

【0014】[0014]

【発明が解決しようとする課題】ところで、放電管の調
光時に、インバータ回路の入力電圧を調整する方式を採
用し、明るさを下げるために入力電圧を下げると、放電
管の点灯が不安定になる。また、図1に示すインバータ
回路2を図2に示すように断続的に制御する方式では、
図2に示すようにt1 〜t2 の駆動期間Tonからt2 〜
t4 の非駆動期間Toff への切換え時に、t2 〜t3 区
間に示すようにサージ電圧が第2の制御用トランジスタ
Q12、第1及び第2のトランジスタQ1 、Q2 に発生
し、これ等のトランジスタQ12、Q1 、Q2 のコレクタ
・エミッタ間電圧Vq12 、Vq1、Vq2が電源ライン9、
10間の電圧よりも高くなり、トランジスタQ1 、Q2
、Q12の高耐圧化が要求され、必然的にこれ等がコス
ト高になる。また、サージ電圧によって電磁波ノイズが
発生し、周辺装置に悪影響を与える。例えば、放電管4
を液晶表示装置のバックライトとして使用している場合
には、画面のチラツキの原因になるおそれがある。な
お、上記問題はインバータ回路2を図1の回路と異なる
回路に構成する場合にも生じる。
By the way, a method of adjusting the input voltage of the inverter circuit at the time of dimming the discharge tube is adopted, and if the input voltage is lowered to lower the brightness, the lighting of the discharge tube becomes unstable. become. Further, in the method of intermittently controlling the inverter circuit 2 shown in FIG. 1 as shown in FIG.
As shown in FIG. 2, the drive period Ton from t1 to t2 to t2 to
At the time of switching to the non-driving period Toff at t4, a surge voltage is generated in the second control transistor Q12, the first and second transistors Q1, Q2 as shown in the section from t2 to t3, and these transistors Q12, The collector-emitter voltages Vq12, Vq1, Vq2 of Q1, Q2 are
The voltage is higher than the voltage between the 10 and the transistors Q1, Q2
, Q12 are required to have a high withstand voltage, which inevitably increases the cost. Also, electromagnetic wave noise is generated by the surge voltage, which adversely affects peripheral devices. For example, discharge tube 4
When is used as a backlight of a liquid crystal display device, it may cause flicker on the screen. The above problem also occurs when the inverter circuit 2 is configured as a circuit different from the circuit of FIG.

【0015】そこで、本発明の目的は、インバータの変
換用スイッチの低耐圧化、ノイズの低減のいずれか一方
又は両方を達成することができるインバータ装置を提供
することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide an inverter device which can achieve either one or both of lowering the breakdown voltage and reducing noise of the conversion switch of the inverter.

【0016】[0016]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決し、上記
目的を達成するための本発明は、直流電源と、前記直流
電源にリアクトルを介して接続され且つ前記直流電源の
電圧をオン・オフするための少なくとも一つの変換用ス
イッチを有して前記直流電源の直流電圧を交流電圧に変
換するインバータ回路と、前記インバータ回路の交流出
力周波数よりも低い繰返し周波数を有して前記インバー
タ回路を断続的に駆動するように前記変換用スイッチの
制御端子を制御するインバータ制御回路と、前記インバ
ータ制御回路によって前記インバータ回路を非駆動状態
に転換させる制御に応答して前記リアクトルの蓄積エネ
ルギの放出に基づくサージ電圧を抑制するために前記リ
アクトルに並列に接続されたサージ電圧抑制手段とを備
えたインバータ装置であって、前記リアクトルは一対の
直流電源ラインの一方に直列に接続され、前記インバー
タ制御回路は前記リアクトルの一端と前記変換用スイッ
チの制御端子との間に接続された制御用トランジスタ
と、前記制御用トランジスタのベースと他方の直流電源
ラインとの間に接続された制御用スイッチと、スイッチ
制御回路とから成り,前記制御用トランジスタのエミッ
タが前記一方の直流電源ラインに接続され、前記制御用
トランジスタのコレクタが前記変換用スイッチの制御端
子に接続され、前記スイッチ制御回路は前記インバータ
回路を駆動状態にする時に前記制御用スイッチをオン制
御し、前記インバータ回路を非駆動状態にする時に前記
制御用スイッチをオフ制御するものであり、前記サージ
電圧抑制手段は、前記制御用トランジスタのベースと前
記リアクトルの他端との間に接続されたダイオードであ
ことを特徴とするインバータ装置に係わるものであ
る。なお、サージ電圧抑制とは、サージ電圧の低減又は
除去を意味する。
SUMMARY OF THE INVENTION In order to solve the above-mentioned problems and to achieve the above object, the present invention provides a DC power supply, a power supply connected to the DC power supply via a reactor, and turning on / off the voltage of the DC power supply. An inverter circuit having at least one conversion switch for converting the DC voltage of the DC power supply into an AC voltage, and intermittently connecting and disconnecting the inverter circuit having a repetition frequency lower than the AC output frequency of the inverter circuit. An inverter control circuit that controls a control terminal of the conversion switch so as to be driven in a controlled manner, and based on a release of the stored energy of the reactor in response to control by the inverter control circuit to switch the inverter circuit to a non-drive state. An inverter device including surge voltage suppression means connected in parallel to the reactor to suppress surge voltage; A is the reactor of the pair
Connected in series to one of the DC power supply lines,
The converter control circuit is connected to one end of the reactor and the conversion switch.
Control transistor connected between the
And the base of the control transistor and the other DC power supply
A control switch connected to the line and a switch
And a control circuit.
Connected to the one DC power supply line,
The collector of the transistor is the control terminal of the conversion switch.
And the switch control circuit is connected to the inverter
When the circuit is driven, the control switch is turned on.
When the inverter circuit is in the non-driving state,
The control switch is turned off.
The voltage suppressing means is provided between the base of the control transistor and the front of the control transistor.
The diode connected between the other end of the reactor
Those related to the inverter apparatus characterized by that. The surge voltage suppression means reduction or removal of the surge voltage.

【0017】なお、請求項2に示すように、サージ電圧
抑制手段としてサージ電圧抑制用制御素子をリアクトル
に並列に接続し、これを制御用のスイッチング素子によ
って制御することができる。また、請求項3に示すよう
にインバータ回路を自励式インバータ回路とし、このイ
ンバータ回路の駆動期間と非駆動期間との比率を変える
ことができるように構成することが望ましい。
[0017] Incidentally, as shown in claim 2, can be connected in parallel to control elements surge voltage suppression reactor as surge voltage suppressing means is controlled by a switching element for controlling the same. Also, the inverter circuit as shown in claim 3 and a self-excited inverter circuit, it is desirable to configure to be able to vary the ratio between the driving period and the non-driving period of the inverter circuit.

【0018】[0018]

【発明の効果】各請求項の発明によれば、インバータ回
路の変換用スイッチのターンオフ時に、リアクトルに残
留したエネルギをサージ電圧抑制手段で吸収するので、
リアクトルに基づいて生じるサージ電圧を低減又は除去
することができ、変換用スイッチのターンオフ時に変換
用スイッチにサージ電圧が印加されなくなり、この低耐
圧化、低コスト化を図ることができる。また、請求項1
の発明によれば制御用トランジスタのエミッタ・ベース
間をサージ電圧抑制手段の一部として兼用し、リアクト
ルに基づくサージ電圧を簡単且つ良好に抑制することが
できる。また、請求項2の発明によれば、スイッチ制御
回路の出力に基づいてインバータ回路の駆動状態から非
駆動状態への転換と、サージ電圧抑制用制御素子による
リアクトルのエネルギ吸収回路の形成とを同時に達成す
ることができる。また、請求項3の発明によれば、イン
バータ回路の出力電圧又は電流の調整を容易に達成する
ことができる。
According to the present invention, the energy remaining in the reactor is absorbed by the surge voltage suppressing means when the conversion switch of the inverter circuit is turned off.
A surge voltage generated based on the reactor can be reduced or eliminated, and no surge voltage is applied to the conversion switch when the conversion switch is turned off, so that a lower breakdown voltage and lower cost can be achieved. Claim 1
According to the invention, the portion between the emitter and the base of the control transistor is also used as a part of the surge voltage suppressing means, and the surge voltage based on the reactor can be easily and satisfactorily suppressed. According to the second aspect of the present invention, the switching of the inverter circuit from the driving state to the non-driving state based on the output of the switch control circuit and the formation of the reactor energy absorbing circuit by the surge voltage suppressing control element are simultaneously performed. Can be achieved. According to the third aspect of the present invention, adjustment of the output voltage or current of the inverter circuit can be easily achieved.

【0019】[0019]

【実施形態及び実施例】次に、図3〜図を参照して本
発明の実施形態及び実施例を説明する。但し、図3〜図
において、図1及び図2と共通する部分には同一の符
号を付してその説明を省略する。
[Embodiment and Examples] Next, with reference to Figures 3-7 illustrating the embodiments and examples of the present invention. However, FIG.
In FIG. 7 , portions common to FIGS. 1 and 2 are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.

【0020】[0020]

【第1の実施例】図3に示す第1の実施例の放電管4用
のインバータ装置は、図1のインバータ装置にサージ電
圧抑制手段としてのダイオード20を追加し、この他は
図1のインバータ装置と同一に構成したものである。
First Embodiment An inverter device for a discharge tube 4 according to a first embodiment shown in FIG. 3 has a diode 20 as a surge voltage suppressing means added to the inverter device shown in FIG. It has the same configuration as the inverter device.

【0021】ダイオード20は第1の制御用トランジス
タQ11のベースとリアクトル5の他端(右端)との間に
接続されている。従って、リアクトル5に対して並列
に、抵抗R1 と第1の制御用トランジスタQ11とダイオ
ード20との直列回路から成るサージ電圧抑制回路即ち
サージ吸収回路が接続される。
The diode 20 is connected between the base of the first control transistor Q11 and the other end (right end) of the reactor 5. Therefore, a surge voltage suppressing circuit, that is, a surge absorbing circuit comprising a series circuit of the resistor R1, the first control transistor Q11, and the diode 20 is connected in parallel with the reactor 5.

【0022】図3のインバータ装置の基本的動作は図1
のインバータ装置と同一である。このため、図3の回路
のPWM制御信号Vpwm 、第1及び第2の制御用トラン
ジスタQ11、Q12のコレクタ・エミッタ間電圧Vq11 、
Vq12 、及び第1及び第2のトランジスタQ1 、Q2 の
コレクタ・エミッタ間電圧Vq1、Vq2は図4に示すよう
に概略的には図2と同様に変化する。しかし、図2のV
q12 、Vq1、Vq2と図4のVq12 、Vq1、Vq2との比較
から明らかなように、図3の第1の実施例によれば、第
1のトランジスタQ1 のターンオフ時のサージ電圧が大
幅に抑制され、ターンオフ時点t2 においてトランジス
タQ12、Q1 、Q2 の電圧Vq12 、Vq1、Vq2のサージ
電圧がほぼ完全に除去することができる。
The basic operation of the inverter device shown in FIG.
Is the same as the inverter device. Therefore, the PWM control signal Vpwm of the circuit of FIG. 3, the collector-emitter voltage Vq11 of the first and second control transistors Q11 and Q12,
Vq12 and the collector-emitter voltages Vq1 and Vq2 of the first and second transistors Q1 and Q2 vary substantially as shown in FIG. 4 as shown in FIG. However, V in FIG.
As is clear from the comparison between q12, Vq1, Vq2 and Vq12, Vq1, Vq2 in FIG. 4, according to the first embodiment in FIG. 3, the surge voltage at the time of turning off the first transistor Q1 is largely suppressed. Then, at the turn-off time t2, the surge voltages of the voltages Vq12, Vq1, Vq2 of the transistors Q12, Q1, Q2 can be almost completely removed.

【0023】次に、サージ電圧の抑制動作を説明する。
もし、本実施例のダイオード20を設けない場合には、
図2で説明したように第1のトランジスタQ1又は、第
2のトランジスタQ2のターンオフ時に電源ライン9、
10間の直流電源電圧の30〜40%程度のサージ電圧
が発生する。これに対し、図3の本実施例の回路では、
PWM制御信号Vpwmが駆動期間Tonから非駆動期
間Toffに転換すると、スイッチとしての第2の制御
用トランジスタQ12がオフになり、ダイオード20の
アノードがグランドライン10から切り離され、この逆
バイアス状態が解除される。駆動期間Tonから非駆動
期間Toffへの転換時t2において例えば第1のトラ
ンジスタQ1がオン状態にあれば、リアクトル5を通っ
て電流が流れているので,t2時点で第1のトランジス
タQ1を強制的にオフにすると、リアクトル5にエネル
ギが残存する。しかし、t2時点でダイオード20が順
バイアス状態に転換するために、リアクトル5、抵抗R
1、制御用トランジスタQ11のエミッタ・ベース間、
ダイオード20から成る閉回路が形成され、この閉回路
でリアクトル5の蓄積エネルギが放出され、ここで吸収
される。リアクトル5のエネルギの放出期間中には第1
の制御用トランジスタQ11のエミッタ・ベース間PN
接合は順バイアス状態になり、ここを通ってエネルギ放
出電流が流れる。ダイオード20の順方向電圧をVd,
トランジスタQ11のベース・エミッタ間電圧をVde
抵抗R1を流れる電流をIsとすれば、リアクトル5の
両端子間電圧はVd+Vbe+IsR1となり、リアク
トル5の一端P1とグランドライン10との間の電圧
は、一対の直流電源ライン9、10間の電圧をVinと
すると、 Vin+Vd+Vbe+IsR1 となる。ダイオード20の順方向電圧Vdは約0.8
V、トランジスタQ11のベース・エミッタ間電圧Vb
eは約0.6V、また、抵抗R1の値及び電流Isの値
はさほど大きくないので、Vd+Vbe+IsR1の値
はさほど大きくならず、且つリアクトル5の蓄積エネル
ギの放出が極く短時間の内に終了するので、リアクトル
5に基づくサージ電圧がほぼ完全に除去される。
Next, the operation of suppressing the surge voltage will be described.
If the diode 20 of the present embodiment is not provided,
As described in FIG. 2, when the first transistor Q1 or the second transistor Q2 is turned off, the power supply line 9,
A surge voltage of about 30 to 40% of the DC power supply voltage between 10 is generated. On the other hand, in the circuit of this embodiment in FIG.
When the PWM control signal Vpwm changes from the drive period Ton to the non-drive period Toff, the second control transistor Q12 as a switch is turned off, the anode of the diode 20 is disconnected from the ground line 10, and this reverse bias state is released. Is done. For example, if the first transistor Q1 is in the ON state at the time t2 when the driving period Ton is switched to the non-driving period Toff, a current flows through the reactor 5 so that the first transistor Q1 is forcibly activated at the time t2. , The energy remains in the reactor 5. However, at time t2, since the diode 20 switches to the forward bias state, the reactor 5 and the resistor R
1. Between the emitter and base of the control transistor Q11,
A closed circuit composed of the diode 20 is formed, in which energy stored in the reactor 5 is released and absorbed there. During the energy release period of the reactor 5, the first
PN between the emitter and base of the control transistor Q11
The junction becomes forward-biased, through which the energy emission current flows. The forward voltage of the diode 20 is Vd,
The base-emitter voltage of the transistor Q11 is Vde
If the current flowing through the resistor R1 is Is, the voltage between both terminals of the reactor 5 is Vd + Vbe + IsR1, and the voltage between one end P1 of the reactor 5 and the ground line 10 is the voltage between the pair of DC power supply lines 9, 10. Assuming that Vin is Vin + Vd + Vbe + IsR1. The forward voltage Vd of the diode 20 is about 0.8
V, base-emitter voltage Vb of transistor Q11
Since e is about 0.6 V, and the value of the resistor R1 and the value of the current Is are not so large, the value of Vd + Vbe + IsR1 is not so large, and the release of the energy stored in the reactor 5 is completed within a very short time. Therefore, the surge voltage based on the reactor 5 is almost completely removed.

【0024】リアクトル5に基づくサージ電圧が抑制さ
れれば、第1及び第2のトランジスタQ1,Q2の電圧
Vq1,Vq2及び第2の制御用トランジスタQ12の
電圧Vq12の電圧Vq12も過大にならないので、こ
の耐圧を下げることができ、コストが低減される。ま
た、サージ電圧が抑制されることによってこれに基づく
電磁波ノイズを低減することができる。この実施例では
液晶表示装置のバックライトとしての放電管4が負荷と
なっているので、サージ電圧に基づくノイズによる液晶
表示画面のチラツキを防ぐことができる。
If the surge voltage based on the reactor 5 is suppressed, the voltages Vq1 and Vq2 of the first and second transistors Q1 and Q2 and the voltage Vq12 of the voltage Vq12 of the second control transistor Q12 do not become too large. This withstand voltage can be reduced, and the cost is reduced. Further, by suppressing the surge voltage, it is possible to reduce electromagnetic wave noise based on the surge voltage. In this embodiment, since the discharge tube 4 as a backlight of the liquid crystal display device is a load, flickering of the liquid crystal display screen due to noise based on the surge voltage can be prevented.

【0025】本実施例では、サージ電圧の抑制回路をイ
ンバータ回路2の制御回路3に含まれている第1の制御
用トランジスタQ11を兼用して構成しているので、回
路構成の簡略化が図られている。
In the present embodiment, the surge voltage suppressing circuit is constituted by also using the first control transistor Q11 included in the control circuit 3 of the inverter circuit 2, so that the circuit structure can be simplified. Have been.

【0026】[0026]

【第2の実施例】図5に示す第2の実施例のインバータ
装置は、図3のインバータ回路2を変形したインバータ
回路2aを設け、この他は図3と実質的に同一に構成し
たものである。このインバ−タ回路2aは一つのスイッ
チング素子即ちトランジスタQ1によって直流電圧を断
続するものである。3次巻線N3は制御回路30を介し
てトランジスタQ1のベース・エミッタ間に接続されて
いる。制御回路30は、負荷回路4aに接続された電圧
検出回路6aで検出した出力電圧(負荷電圧)を所定値に
するようにトランジスタQ1のベース電流を制御すると
共にトランジスタQ1の駆動期間Tonと非駆動期間T
offとを制御する。
Second Embodiment An inverter device according to a second embodiment shown in FIG. 5 is provided with an inverter circuit 2a which is a modification of the inverter circuit 2 shown in FIG. 3, and is otherwise substantially the same as FIG. It is. The inverter circuit 2a is for interrupting the DC voltage by one switching element, that is, the transistor Q1. The tertiary winding N3 is connected between the base and the emitter of the transistor Q1 via the control circuit 30. The control circuit 30 controls the base current of the transistor Q1 so that the output voltage (load voltage) detected by the voltage detection circuit 6a connected to the load circuit 4a becomes a predetermined value, and controls the drive period Ton and the non-drive state of the transistor Q1. Period T
off.

【0027】図5のリアクトル5に基づくサージを抑制
する回路は図3と同様に形成されているので、図5の実
施例によっても図3の実施例と同様な効果を得ることが
できる。
Since the circuit for suppressing a surge based on the reactor 5 of FIG. 5 is formed in the same manner as in FIG. 3, the same effect as that of the embodiment of FIG. 3 can be obtained by the embodiment of FIG.

【0028】[0028]

【第3の実施例】図6に示す第3の実施例のインバータ
装置は、図3のインバータ装置のダイオード20の代り
にサージ吸収制御素子としてNPN型トランジスタ20
aを設け、このトランジスタ20aのコレクタをリアク
トル5の一端に接続し、エミッタをリアクトル5の他端
に接続し、このベースを抵抗R3を介してトランジスタ
Q3のコレクタに接続し、このコレクタ・ベース間に抵
抗R4を接続し、この他は図2と同一に構成したもので
ある。
Third Embodiment An inverter device according to a third embodiment shown in FIG. 6 uses an NPN transistor 20 as a surge absorption control element instead of the diode 20 of the inverter device shown in FIG.
a, the collector of the transistor 20a is connected to one end of the reactor 5, the emitter is connected to the other end of the reactor 5, and the base is connected to the collector of the transistor Q3 via the resistor R3. Is connected to a resistor R4, and the other components are the same as those shown in FIG.

【0029】図6のトランジスタ20aは、図3のダイ
オード20とトランジスタQ11との両方の働きを有し
ている。即ち、トランジスタQ12がオンの時には、ト
ランジスタ20aのベースがトランジスタQ12を介し
てグランドライン10に接続され、トランジスタQ12
はオフに保たれる。トランジスタQ12がオフになる
と、トランジスタ20aのベース・エミッタ間の逆バイ
アスが解除され、リアクトル5の蓄積エネルギの放出に
基づいてリアクトル5、抵抗R4、トランジスタ20a
のベース・エミッタ間のPN接合から成る回路に電流が
流れ、サージ電圧が吸収される。これにより、図6の第
3の実施例によっても図3の第1の実施例と同一の効果
を得ることができる。
The transistor 20a in FIG. 6 has the functions of both the diode 20 and the transistor Q11 in FIG. That is, when the transistor Q12 is on, the base of the transistor 20a is connected to the ground line 10 via the transistor Q12,
Is kept off. When the transistor Q12 is turned off, the reverse bias between the base and the emitter of the transistor 20a is released, and the reactor 5, the resistor R4, and the transistor 20a are released based on the release of the stored energy of the reactor 5.
A current flows through a circuit consisting of a PN junction between the base and the emitter of the transistor, and a surge voltage is absorbed. Thus, the same effects as those of the first embodiment of FIG. 3 can be obtained by the third embodiment of FIG.

【0030】[0030]

【変形例】本発明は上述の実施例に限定されるものでな
く、例えば次の変形が可能なものである。 (1) 第1及び第3の実施例の変形として、図7に示
すように第1の抵抗R1を制御用トランジスタQ11の
コレクタに接続することができる。 (2) 第1及び第3の実施例の変形として、御用ト
ランジスタQ11のコレクタを抵抗を介して第1及び第
2のランジスタQ1,Q2のベースにそれぞれ接続す
ることができる。 (3) 図3のインバータ回路2を図以外の種々のイ
ンバータ回路に変形することができる。 (4) インバータ回路2、2aのトランジスタQ1,
Q2の代りにFET等の半導体スイッチを使用すること
ができる。 (5) 図2のトランジスタQ12,及び図6のトラン
ジスタQ11、Q12の代りにFET等の半導体スイッ
チを使用することができる。 (6) 整流平滑回路1を電池電源にすることができ
る。 (7) 第1及び第2のトランジスタQ1,Q2のベー
ス・エミッタ間のPN接合に逆方向並列にダイオードを
接続することができる。 (8) トランスTを可飽和トランスとし、この飽和に
よって第1及び第2のトランジスタQ1、Q2のオン・オ
フの切換を行うことができる。
[Modifications] The present invention is not limited to the above-described embodiment, and for example, the following modifications are possible. (1) As a modification of the first and third embodiments, the first resistor R1 can be connected to the collector of the control transistor Q11 as shown in FIG. (2) As a modification of the first and third embodiments, it is possible to connect each of the collectors of the braking patronage transistor Q11 to the base of the first and second bets transistor Q1, Q2 via a resistor. (3) The inverter circuit 2 of Figure 3 can be modified in various inverter circuits other than FIG. (4) The transistors Q1, Q2 of the inverter circuits 2, 2a
A semiconductor switch such as an FET can be used instead of Q2. (5) A semiconductor switch such as an FET can be used instead of the transistor Q12 in FIG. 2 and the transistors Q11 and Q12 in FIG. (6) The rectifying and smoothing circuit 1 can be used as a battery power supply. (7) A diode can be connected in reverse parallel to the PN junction between the base and the emitter of the first and second transistors Q1 and Q2. (8) The transformer T is a saturable transformer, and the saturation allows the first and second transistors Q1 and Q2 to be switched on and off.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】従来の放電管用インバータ装置を示す回路図で
ある。
FIG. 1 is a circuit diagram showing a conventional discharge tube inverter device.

【図2】図1の各部の状態を示す波形図である。FIG. 2 is a waveform diagram showing a state of each unit in FIG.

【図3】第1の実施例の放電管用のインバータ装置を示
す回路図である。
FIG. 3 is a circuit diagram showing an inverter device for a discharge tube according to the first embodiment.

【図4】図3の各部の状態を示す波形図である。FIG. 4 is a waveform chart showing a state of each unit in FIG. 3;

【図5】第2の実施例のインバータ装置を示す回路図で
ある。
FIG. 5 is a circuit diagram showing an inverter device according to a second embodiment.

【図6】第3の実施例のインバータ装置を示す回路図で
ある。
FIG. 6 is a circuit diagram showing an inverter device according to a third embodiment.

【図7】変形例のインバータ装置の一部を示す回路図で
ある。
FIG. 7 is a circuit diagram showing a part of an inverter device according to a modification.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

2 インバータ回路 3 インバータ制御回路 4 冷陰極放電管 5 リアクトル Q1,Q2 変換用トランジスタ Q11,Q12 制御用トランジスタ 20 サージ電圧抑制用ダイオード2 Inverter circuit 3 Inverter control circuit 4 Cold cathode discharge tube 5 Reactor Q1, Q2 Conversion transistor Q11, Q12 Control transistor 20 Surge voltage suppression diode

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 直流電源と、 前記直流電源にリアクトルを介して接続され且つ前記直
流電源の電圧をオン・オフするための少なくとも一つの
変換用スイッチを有して前記直流電源の直流電圧を交流
電圧に変換するインバータ回路と、 前記インバータ回路の交流出力周波数よりも低い繰返し
周波数を有して前記インバータ回路を断続的に駆動する
ように前記変換用スイッチの制御端子を制御するインバ
ータ制御回路と、 前記インバータ制御回路によって前記インバータ回路を
非駆動状態に転換させる制御に応答して前記リアクトル
の蓄積エネルギの放出に基づくサージ電圧を抑制するた
めに前記リアクトルに並列に接続されたサージ電圧抑制
手段とを備えたインバータ装置であって、 前記リアクトルは一対の直流電源ラインの一方に直列に
接続され、 前記インバータ制御回路は前記リアクトルの一端と前記
変換用スイッチの制御端子との間に接続された制御用ト
ランジスタと、前記制御用トランジスタのベースと他方
の直流電源ラインとの間に接続された制御用スイッチ
と、スイッチ制御回路とから成り, 前記制御用トランジスタのエミッタが前記一方の直流電
源ラインに接続され、前記制御用トランジスタのコレク
タが前記変換用スイッチの制御端子に接続され、 前記スイッチ制御回路は前記インバータ回路を駆動状態
にする時に前記制御用スイッチをオン制御し、前記イン
バータ回路を非駆動状態にする時に前記制御用スイッチ
をオフ制御するものであり、 前記サージ電圧抑制手段は、前記制御用トランジスタの
ベースと前記リアクトルの他端との間に接続されたダイ
オードである ことを特徴とするインバータ装置。
1. A DC power supply, comprising: a DC power supply; and at least one conversion switch connected to the DC power supply via a reactor for turning on and off a voltage of the DC power supply. An inverter circuit that converts the voltage into a voltage; and an inverter control circuit that controls a control terminal of the conversion switch so as to have a repetition frequency lower than an AC output frequency of the inverter circuit and drive the inverter circuit intermittently. A surge voltage suppressor connected in parallel with the reactor to suppress a surge voltage based on emission of stored energy of the reactor in response to control for converting the inverter circuit to a non-drive state by the inverter control circuit. An inverter device , wherein the reactor is connected in series to one of a pair of DC power supply lines.
Connected, the inverter control circuit is connected to one end of the reactor and the
A control switch connected to the control terminal of the conversion switch
A transistor, the base of the control transistor and the other
Control switch connected between the DC power line
And a switch control circuit, the emitter of the control transistor being connected to the one DC power supply.
Connected to the power supply line,
Is connected to the control terminal of the conversion switch, and the switch control circuit drives the inverter circuit.
The control switch is turned on when the
The control switch is used to set the barter circuit to the non-driving state.
Is turned off, and the surge voltage suppressing means is provided for the control transistor.
A die connected between the base and the other end of the reactor
An inverter device characterized by being an ode .
【請求項2】 直流電源と、 前記直流電源にリアクトルを介して接続され且つ前記直
流電源の電圧をオン・オフするための少なくとも一つの
変換用スイッチを有して前記直流電源の直流電 圧を交流
電圧に変換するインバータ回路と、 前記インバータ回路の交流出力周波数よりも低い繰返し
周波数を有して前記インバータ回路を断続的に駆動する
ように前記変換用スイッチの制御端子を制御するインバ
ータ制御回路と、 前記インバータ制御回路によって前記インバータ回路を
非駆動状態に転換させる制御に応答して前記リアクトル
の蓄積エネルギの放出に基づくサージ電圧を抑制するた
めに前記リアクトルに並列に接続されたサージ電圧抑制
手段とを備えたインバータ装置であって、 前記リアクトルは一対の直流電源ラインの一方に直列に
接続され、 前記インバータ制御回路は前記リアクトルの一端と前記
変換用スイッチの制御端子との間に接続された制御用ス
イッチと、スイッチ制御回路とから成り、 前記スイッチ制御回路は前記インバータ回路を駆動状態
にする時に前記制御用スイッチをオンに制御し、前記イ
ンバータ回路を非駆動状態にする時に前記制御用スイッ
チをオフに制御するものであり、 前記サージ電圧抑制手段は、前記リアクトルに並列に接
続され且つ前記スイッチ制御回路によって、前記制御用
スイッチのオン制御期間にオフ制御され、前記制御用ス
イッチのオフ制御期間 にオン制御又はオン可能状態に制
御されるサージ電圧抑制用制御素子であることを特徴と
するインバータ装置。
2. A DC power supply, wherein said DC power supply is connected via a reactor and said DC power supply
At least one of the following:
AC DC voltage of the DC power supply has a conversion switch
An inverter circuit for converting to a voltage, and a repetition rate lower than an AC output frequency of the inverter circuit.
Intermittently driving the inverter circuit with a frequency
Controlling the control terminal of the conversion switch as described above.
A data control circuit and the inverter circuit by the inverter control circuit.
Said reactor in response to control to convert to a non-driving state
Surge voltage based on the release of stored energy
Surge voltage suppression connected in parallel with the reactor
Means, wherein the reactor is connected in series to one of a pair of DC power supply lines.
Connected, the inverter control circuit is connected to one end of the reactor and the
The control switch connected between the conversion switch and the control terminal
And a switch control circuit, wherein the switch control circuit drives the inverter circuit.
The control switch is turned on when the
When the inverter circuit is set in the non-driving state, the control switch is used.
And the surge voltage suppressing means is connected in parallel with the reactor.
Connected by the switch control circuit.
The control switch is turned off during the on-control period, and the control switch is turned off.
An inverter device, which is a surge voltage suppression control element that is turned on or turned on during a switch off control period .
【請求項3】 前記インバータ回路は自励式インバータ
回路であり、 前記スイッチ制御回路は前記インバータ回路の出力電流
又は出力電圧を変えるために前記インバータ回路の駆動
期間と非駆動期間との比率を変えるように形成されたも
のである請求項1又は2 記載のインバータ装置。
3. The inverter circuit according to claim 1, wherein the inverter circuit is a self-excited inverter.
A circuit, wherein the switch control circuit is configured to control an output current of the inverter circuit.
Or driving the inverter circuit to change the output voltage
Formed to change the ratio between the period and the non-driving period
3. The inverter device according to claim 1, wherein:
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