JP3219165B2 - Metal film pattern forming method - Google Patents
Metal film pattern forming methodInfo
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜磁気ヘッドのポー
ルピース等のように、高精度パターンが要求される金属
膜パターンの形成方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for forming a metal film pattern requiring a high precision pattern, such as a pole piece of a thin film magnetic head.
【０００２】[0002]
【従来の技術】薄膜磁気ヘッドにおいて、ポールピース
をメッキによって形成する場合、基板の表面に、接着層
となる第１の金属膜を付着させ、この第１の金属膜の表
面に下地層となる第２の金属膜を積層しておき、この第
２の金属膜の表面にポールピースとなる第３の金属膜を
メッキによって付着させる。第３の金属膜のパターン形
成に当っては、フォトリソグラフィと称される高精度パ
ターン形成技術が適用されるが、フォトリソグラフィに
よるパターン形成技術には化学的エッチング処理工程が
含まれており、第１の金属膜及び第２の金属膜が、必要
な領域を超えてエッチングされ、アンダーカットを生じ
ることがある。アンダーカットを回避するための従来技
術としては、特開昭５７ー１２０６７５号公報に記載さ
れた技術が公知である。2. Description of the Related Art In a thin-film magnetic head, when a pole piece is formed by plating, a first metal film serving as an adhesive layer is attached to the surface of a substrate, and a base layer is formed on the surface of the first metal film. A second metal film is laminated, and a third metal film serving as a pole piece is adhered to the surface of the second metal film by plating. In forming the pattern of the third metal film, a high-precision pattern forming technique called photolithography is applied. However, the pattern forming technique by photolithography includes a chemical etching process. The first metal film and the second metal film may be etched beyond a necessary region, and may cause an undercut. As a conventional technique for avoiding undercut, a technique disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 57-120675 is known.
【０００３】この従来技術においては、基板の表面にあ
る第１の金属膜まで、イオンミリングによって除去す
る。このため、第３の金属膜がミリングに曝される時間
が長くなり、ポールピースとなるべき第３の金属膜の膜
厚が減少したり、受けるダメージが大きくなる等の問題
点があった。In this prior art, the first metal film on the surface of the substrate is removed by ion milling . Therefore, there is a problem that the time during which the third metal film is exposed to milling becomes longer, the thickness of the third metal film to be a pole piece decreases, and the damage received increases.
【０００４】この問題点解決を目的とした公知文献例と
して、特開昭６４ー４７８８３号公報がある。この先行
技術では、フォトレジスト枠の除去跡において、第２の
金属膜は除去し、第１の金属膜は残すように処理する。
第２の金属膜の除去はイオンミリングによって行なう
が、第１の金属膜は残すように処理するので、第３の金
属膜がイオンミリングに曝される時間が短くなる。この
ため、イオンミリングによる第３の金属膜の膜厚減少及
びダメージを低減させることができる。As an example of a known document for solving this problem, there is JP-A-64-47883. In this prior art, processing is performed so that the second metal film is removed and the first metal film remains at the removal mark of the photoresist frame.
The removal of the second metal film is performed by ion milling , but the first metal film is processed so as to remain, so that the time during which the third metal film is exposed to ion milling is reduced. For this reason, the thickness reduction and damage of the third metal film due to ion milling can be reduced.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開昭
６４ー４７８８３号公報に開示された発明では、第２の
金属膜をイオンミリングによって除去していたので、ポ
ールピースとなる第３の金属膜の膜厚減少及びダメージ
を完全に回避する訳には行かなかった。However, in the invention disclosed in JP-A-64-47883, since the second metal film is removed by ion milling , the third metal film serving as a pole piece is formed. However, it was not possible to completely avoid the decrease in film thickness and damage.
【０００６】そこで、本発明の課題は、ポールピースと
なるべき第３の金属膜の膜厚減少及び受けるダメージ
を、確実に回避し得る金属膜パターン形成方法を提供す
ることである。SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a metal film pattern forming method capable of reliably avoiding a decrease in thickness of a third metal film to be a pole piece and damage to the third metal film.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】上述した課題解決のた
め、本発明に係る金属膜パターン形成方法は、少なくと
も６つの工程を含む。第１の工程は、基板上に第１の金
属膜及び第２の金属膜を積層して形成した後、第２の金
属膜上にフォトレジスト枠を付着させる工程であり、前
記第１の金属膜及び前記第２の金属膜は互いに異なる材
料でなる。第２の工程は、前記第２の金属膜の表面の前
記フォトレジスト枠によって区画された内外に第３の金
属膜を付着させる工程であり、前記第３の金属膜は前記
第２の金属膜とは異なる材料でなる。第３の工程は、前
記フォトレジスト枠を除去する工程である。第４の工程
は、前記フォトレジスト枠の除去跡において前記第２の
金属膜を除去し前記第１の金属膜を残すように処理する
工程であって、前記第２の金属膜の除去手段は、エッチ
ング液を用いて、前記第２の金属膜のみを選択的にエッ
チングする化学的選択エッチングである。第５の工程
は、前記除去跡を満たし、かつ、前記除去跡によって囲
まれた第３の金属膜を覆うようにフォトレジストを付着
させる工程である。第６の工程は、フォトレジストの外
側の第３の金属膜、第２の金属膜、第１の金属膜及びフ
ォトレジストを除去する工程である。In order to solve the above-mentioned problems, a method of forming a metal film pattern according to the present invention includes at least six steps. The first step, after formed by stacking a first metal film and the second metal film on a substrate, a step of depositing a photoresist frame over the second metal layer, before
The first metal film and the second metal film are made of different materials.
Fee. The second step is a step of attaching a third metal film inside and outside the surface of the second metal film defined by the photoresist frame, wherein the third metal film is
It is made of a material different from that of the second metal film. The third step is a step of removing the photoresist frame. The fourth step is a step of performing processing so as to remove the second metal film and leave the first metal film at the removal mark of the photoresist frame, and the removing means of the second metal film includes: , Etch
An etching solution is used to selectively etch only the second metal film.
This is a chemical selective etching for etching. The fifth step is a step of attaching a photoresist so as to fill the removal mark and cover the third metal film surrounded by the removal mark. The sixth step is a step of removing the third metal film, the second metal film, the first metal film, and the photoresist outside the photoresist.
【０００８】[0008]
【作用】第４の工程は、フォトレジスト枠の除去跡にお
いて第２の金属膜を除去し第１の金属膜を残すように処
理する工程であって、第２の金属膜の除去手段が化学的
選択エッチングであるから、第３の金属膜がイオンミリ
ングに曝されることがない。このため、イオンミリング
による第３の金属膜の膜厚減少及びダメージを回避する
ことができる。The fourth step is a step of removing the second metal film and leaving the first metal film at the trace of removal of the photoresist frame. Since the third metal film is an ion millimeter
No exposure to For this reason, it is possible to avoid a decrease in thickness and damage of the third metal film due to ion milling .
【０００９】また、フォトレジスト枠の除去跡を、フォ
トレジストによって満たしてあるので、第１の金属膜
は、第２の金属膜の下側から延長された部分をフォトレ
ジストによって覆った構造となる。このため、化学的エ
ッチングによって第３の金属膜及び第２の金属膜を除去
した場合、エッチング剤による食刻はフォトレジストの
下側に延長された部分にとどまり、第２の金属膜の下側
に位置する第１の金属膜には及ばない。従って、第１の
金属膜のアンダーカットを回避できる。また、第１の金
属膜を、第３の金属膜を除去する時に使用されるエッチ
ング剤に対して耐エッチング性のある材質によって形成
し、第１の金属膜のアンダーカットを回避できる。[0009] Further, since the removal traces of the photoresist frame are filled with the photoresist, the first metal film has a structure in which a portion extending from the lower side of the second metal film is covered with the photoresist. . For this reason, when the third metal film and the second metal film are removed by chemical etching, the etching by the etching agent remains in the portion extended below the photoresist, and the etching is performed under the second metal film. The first metal film located in the first position. Therefore, undercut of the first metal film can be avoided. Further, the first metal film is formed of a material having an etching resistance to an etching agent used when removing the third metal film, so that undercut of the first metal film can be avoided.
【００１０】[0010]
【実施例】図１〜図９は本発明に係る金属膜パターン形
成工程を示す図である。1 to 9 are views showing a metal film pattern forming process according to the present invention.
【００１１】図１及び図２で示される工程が第１の工
程、図３に示された工程が第２の工程、図４に示された
工程が第３の工程、図５に示された工程が第４の工程、
図６に示された工程が第５の工程、図７以降が第６の工
程にそれぞれ対応する。まず、第１の工程では、図１に
示すように、基板１の上にメッキ等の手段によって第１
の金属膜２及び第２の金属膜３を積層して付着させる。
薄膜磁気ヘッドを構成する場合の基板１、第１の金属膜
２及び第２の金属膜３の材質は周知である。代表的に
は、基板１はAl2O3 ．TiC 等で構成され、表面にAl2O3
膜等の絶縁膜を有する。第１の金属膜２はチタン等で構
成され、第２の金属膜３はニッケル系合金、クロム等で
構成される。次に、図２に示すように、第２の金属膜３
の上に、フォトレジスト枠４を付着させる。フォトレジ
スト枠４は最終的に得ようとするパターンに対応したパ
ターンとなるように付着させる。The steps shown in FIGS. 1 and 2 are the first step, the step shown in FIG. 3 is the second step, the step shown in FIG. 4 is the third step, and FIG. The process is a fourth process,
The step shown in FIG. 6 corresponds to the fifth step, and the steps after FIG. 7 correspond to the sixth step. First, in a first step, as shown in FIG.
Of the metal film 2 and the second metal film 3 are laminated and attached.
The materials of the substrate 1, the first metal film 2, and the second metal film 3 when forming a thin film magnetic head are well known. Typically, the substrate 1 is made of Al 2 O 3 . It is composed of TiC etc. and has Al 2 O 3
It has an insulating film such as a film. The first metal film 2 is made of titanium or the like, and the second metal film 3 is made of a nickel alloy, chromium or the like. Next, as shown in FIG.
A photoresist frame 4 is attached on the substrate. The photoresist frame 4 is attached so as to have a pattern corresponding to the pattern finally obtained.
【００１２】第２の工程では、図３に示されるごとく、
第２の金属膜３の表面のフォトレジスト枠４によって区
画された内外に、第３の金属膜５をメッキによって付着
させる。この第３の金属膜５は薄膜磁気ヘッドにおいて
はパーマロイ等の磁性薄膜として形成される。In the second step, as shown in FIG.
A third metal film 5 is deposited by plating on the inside and outside of the surface of the second metal film 3 defined by the photoresist frame 4. The third metal film 5 is formed as a magnetic thin film such as permalloy in a thin-film magnetic head.
【００１３】第３の工程では、図４に示されるごとく、
フォトレジスト枠４を除去して第２の金属膜３を露出さ
せる。In the third step, as shown in FIG.
The photoresist frame 4 is removed to expose the second metal film 3.
【００１４】第４の工程は、本発明の特徴部分である。
第４の工程では、図５に示されるように、フォトレジス
ト枠４の除去跡４１において、第２の金属膜３は除去
し、第１の金属膜２は残すように処理する。第１の金属
膜２を除去する場合、従来は、イオンミリング処理を行
なっていた。このため、前述したように、イオンミリン
グによる第３の金属膜５の膜厚減少及びダメージを完全
に回避する訳には行かなかった。本発明においては、第
２の金属膜３は、イオンミリングではなく、化学的選択
エッチングによって行なう。従って、第３の金属膜５が
イオンミリングに曝されることがない。このため、イオ
ンミリングによる第３の金属膜５の膜厚減少及びダメー
ジを完全に回避することができる。化学的選択エッチン
グは第２の金属膜３の材質に応じたエッチング液を選択
することによって実行される。第２の金属膜３がニッケ
ル系合金でなる場合に適したエッチング液の代表例はア
ルキルベンゼンスルホン酸である。The fourth step is a feature of the present invention.
In the fourth step, as shown in FIG. 5, processing is performed so that the second metal film 3 is removed and the first metal film 2 remains at the removal mark 41 of the photoresist frame 4. Conventionally, when the first metal film 2 is removed, an ion milling process is performed. Therefore, as described above, ion milling
However , the reduction of the thickness of the third metal film 5 and the damage caused by the damage were not completely avoided. In the present invention, the second metal film 3 is formed not by ion milling but by chemical selective etching. Therefore, the third metal film 5
No exposure to ion milling . For this reason, Io
The reduction in the thickness of the third metal film 5 and the damage due to the milling can be completely avoided. The chemical selective etching is performed by selecting an etching solution according to the material of the second metal film 3. A typical example of an etchant suitable for the case where the second metal film 3 is made of a nickel-based alloy is alkylbenzenesulfonic acid.
【００１５】この後、第５の工程では、図６に示すよう
に、除去跡４１を満たし、かつ、除去跡４１によって囲
まれた第３の金属膜３を覆うように、フォトレジスト６
を付着させる。Thereafter, in a fifth step, as shown in FIG. 6, a photoresist 6 is formed so as to fill the removal mark 41 and cover the third metal film 3 surrounded by the removal mark 41.
To adhere.
【００１６】次に、第６の工程では、図７に示すよう
に、フォトレジスト６の外側の第３の金属膜５及び第２
の金属膜３を除去する。この場合、第１の金属膜２は第
２の金属膜３の下からフォトレジスト６の下側に延長さ
れた部分があるから、化学的エッチングによって第３の
金属膜５及び第２の金属膜３を除去した場合、第１の金
属膜２の食刻はフォトレジスト６の下側に延長された部
分にとどまり、第２の金属膜３の下側に位置する部分ま
では及ばない。従って、第１の金属膜２のアンダーカッ
トを回避できる。また、第１の金属膜２をチタンによっ
て形成した場合には、パーマロイでなる第３の金属膜５
を除去する時に使用されるエッチング剤FeCl3 に対する
耐エッチング性を確保できるので、この面からも、第１
の金属膜２のアンダーカットを回避できる。Next, in the sixth step, as shown in FIG. 7, the third metal film 5 and the second metal film 5 outside the photoresist 6 are formed.
Of the metal film 3 is removed. In this case, since the first metal film 2 has a portion extending from under the second metal film 3 to below the photoresist 6, the third metal film 5 and the second metal film 5 are chemically etched. 3 is removed, the etching of the first metal film 2 is performed in a portion extended below the photoresist 6.
And does not extend to a portion located below the second metal film 3. Therefore, the undercut of the first metal film 2
The door can be avoided. When the first metal film 2 is formed of titanium, the third metal film 5 made of permalloy is used.
Since the etching resistance to the etching agent FeCl 3 used when removing the metal can be secured, the first
Undercut of the metal film 2 can be avoided.
【００１７】この後、図８に示すようにフォトレジスト
６を除去し、次に、図９に示すように第１の金属膜２を
除去して最終パターンが得られる。Thereafter, the photoresist 6 is removed as shown in FIG. 8 and then the first metal film 2 is removed as shown in FIG. 9 to obtain a final pattern.
【００１８】[0018]
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、次
のような効果が得られる。 （ａ）第４の工程は、フォトレジスト枠の除去跡におい
て第２の金属膜を除去し第１の金属膜を残すように処理
する工程であって、第２の金属膜の除去手段が化学的選
択エッチングであるから、イオンミリングによる第３の
金属膜の膜厚減少及びダメージを完全に回避し得る金属
膜パターン形成方法を提供できる。 （ｂ）フォトレジスト枠の除去跡を、フォトレジストに
よって満たしてあるので、第１の金属膜のアンダーカッ
トを回避し得る金属膜パターン形成方法を提供できる。As described above, according to the present invention, the following effects can be obtained. (A) The fourth step is a step of removing the second metal film and leaving the first metal film at the removal mark of the photoresist frame. Since the selective etching is performed, it is possible to provide a method of forming a metal film pattern that can completely avoid a reduction in thickness and damage of the third metal film due to ion milling . (B) Since the removal traces of the photoresist frame are filled with the photoresist, it is possible to provide a metal film pattern forming method capable of avoiding undercut of the first metal film.
【図１】本発明に係る金属膜パターン形成方法の工程を
示す図である。FIG. 1 is a view showing steps of a metal film pattern forming method according to the present invention.
【図２】図１に示した工程の後に続く工程を示す図であ
る。FIG. 2 is a view showing a step that follows the step shown in FIG. 1;
【図３】図２に示した工程の後に続く工程を示す図であ
る。FIG. 3 is a view showing a step that follows the step shown in FIG. 2;
【図４】図３に示した工程の後に続く工程を示す図であ
る。FIG. 4 is a view showing a step that follows the step shown in FIG. 3;
【図５】図４に示した工程の後に続く工程を示す図であ
る。FIG. 5 is a view showing a step that follows the step shown in FIG. 4;
【図６】図５に示した工程の後に続く工程を示す図であ
る。FIG. 6 is a view showing a step that follows the step shown in FIG. 5;
【図７】図６に示した工程の後に続く工程を示す図であ
る。FIG. 7 is a view showing a step that follows the step shown in FIG. 6;
【図８】図７に示した工程の後に続く工程を示す図であ
る。FIG. 8 is a view showing a step that follows the step shown in FIG. 7;
【図９】図８に示した工程の後に続く工程を示す図であ
る。FIG. 9 is a view showing a step that follows the step shown in FIG. 8;
１ 基板 ２ 第１の金属膜 ３ 第２の金属膜 ４ フォトレジスト枠 ５ 第３の金属膜 ６ フォトレジスト ４１ フォトレジスト枠の除去跡 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 1st metal film 3 2nd metal film 4 Photoresist frame 5 3rd metal film 6 Photoresist 41 Photoresist removal trace
Claims (1)
ーン形成方法であって、 第１の工程は、基板上に第１の金属膜及び第２の金属膜
を積層して形成した後、第２の金属膜上にフォトレジス
ト枠を付着させる工程であり、前記第１の金属膜及び前
記第２の金属膜は互いに異なる材料でなり、 第２の工程は、前記第２の金属膜の表面の前記フォトレ
ジスト枠によって区画された内外に第３の金属膜を付着
させる工程であり、前記第３の金属膜は前記第２の金属
膜とは異なる材料でなり、 第３の工程は、前記フォトレジスト枠を除去する工程で
あり、 第４の工程は、前記フォトレジスト枠の除去跡において
前記第２の金属膜を除去し前記第１の金属膜を残すよう
に処理する工程であって、前記第２の金属膜の除去手段
は、エッチング液を用いて、前記第２の金属膜のみを選
択的にエッチングする化学的選択エッチングであり、 第５の工程は、前記除去跡を満たし、かつ、前記除去跡
によって囲まれた第３の金属膜を覆うようにフォトレジ
ストを付着させる工程であり、 第６の工程は、フォトレジストの外側の第３の金属膜、
第２の金属膜、第１の金属膜及びフォトレジストを除去
する工程である金属膜パターン形成方法。1. A method of forming a metal film pattern comprising at least six steps, wherein a first step comprises stacking a first metal film and a second metal film on a substrate and forming a second metal film on the substrate. Adhering a photoresist frame on the first metal film and the first metal film and the first metal film.
The second metal film is made of different materials, and the second step is a step of attaching a third metal film inside and outside of the surface of the second metal film defined by the photoresist frame, The third metal film is formed of the second metal
Made of a material different from the film, the third step is a step of removing the photoresist frame, the fourth step, the removal of the second metal film in the removal track of the photoresist frame first A step of processing so as to leave one metal film, wherein the second metal film removing means selects only the second metal film using an etchant.
Chemically selective etching for etching択的, fifth step satisfies the removal traces, and be a step of depositing a photoresist to cover the third metal film surrounded by said removal traces A sixth step includes: forming a third metal film outside the photoresist;
A method of forming a metal film pattern, which is a step of removing the second metal film, the first metal film, and the photoresist.
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| JPH0681173A JPH0681173A (en) | 1994-03-22 |
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- 1992-08-31 JP JP25547992A patent/JP3219165B2/en not_active Expired - Fee Related
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