JP3219118B2 - 外部共振器内波長変換器 - Google Patents
外部共振器内波長変換器Info
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- JP3219118B2 JP3219118B2 JP5870294A JP5870294A JP3219118B2 JP 3219118 B2 JP3219118 B2 JP 3219118B2 JP 5870294 A JP5870294 A JP 5870294A JP 5870294 A JP5870294 A JP 5870294A JP 3219118 B2 JP3219118 B2 JP 3219118B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は外部共振器内波長変換器
に関し、特に外部共振器の温度調節が不要で、多くの波
長変換結晶に対応でき、出力光の変調が可能な外部共振
器内波長変換器に関する。
に関し、特に外部共振器の温度調節が不要で、多くの波
長変換結晶に対応でき、出力光の変調が可能な外部共振
器内波長変換器に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の外部共振器内波長変換器は半導体
レーザの出力光を入力として外部共振器で共振させ、こ
の共振光を外部共振器内に設けた波長変換結晶に透過さ
せて光の波長を変換するものである。
レーザの出力光を入力として外部共振器で共振させ、こ
の共振光を外部共振器内に設けた波長変換結晶に透過さ
せて光の波長を変換するものである。
【０００３】図２はこのような従来の外部共振器内波長
変換器の一例を示す構成ブロック図である。図２におい
て１は半導体レーザ、２は半導体レーザ１の駆動回路、
３ははピエゾ素子ミラー、４ａ，４ｂ，４ｃ及び４ｄは
ミラー、５は波長変換素子、６及び７は温度調節器、１
００は変換出力光である。また、ミラー４ａ〜４ｄは外
部共振器５０を構成している。
変換器の一例を示す構成ブロック図である。図２におい
て１は半導体レーザ、２は半導体レーザ１の駆動回路、
３ははピエゾ素子ミラー、４ａ，４ｂ，４ｃ及び４ｄは
ミラー、５は波長変換素子、６及び７は温度調節器、１
００は変換出力光である。また、ミラー４ａ〜４ｄは外
部共振器５０を構成している。
【０００４】半導体レーザ１には駆動回路２の制御信号
が接続され、半導体レーザ１の発振出力光はピエゾ素子
ミラー３に入射される。ピエゾ素子ミラー３の反射光は
外部共振器５０を構成するミラー４ａを透過し、ミラー
４ｂ及びミラー４ｃの順で反射される。
が接続され、半導体レーザ１の発振出力光はピエゾ素子
ミラー３に入射される。ピエゾ素子ミラー３の反射光は
外部共振器５０を構成するミラー４ａを透過し、ミラー
４ｂ及びミラー４ｃの順で反射される。
【０００５】ミラー４ｃの反射光は波長変換素子５を透
過してミラー４ｄに入射され、入射光の内一部はミラー
４ｄを透過し変換出力光１００として出力され、残りは
ミラー４ｄで反射されてミラー４ａに入射される。
過してミラー４ｄに入射され、入射光の内一部はミラー
４ｄを透過し変換出力光１００として出力され、残りは
ミラー４ｄで反射されてミラー４ａに入射される。
【０００６】また、温度調節器６は半導体レーザ１の温
度調節を、温度調節器７は外部共振器５０の温度調節を
それぞれ行う。
度調節を、温度調節器７は外部共振器５０の温度調節を
それぞれ行う。
【０００７】ここで、図２に示す従来例の動作を説明す
る。基本波となる半導体レーザ１の発振出力光は外部共
振器５０を構成するミラー４ａ〜４ｄで次々に反射され
ることにより共振光となり、外部共振器５０内の前記基
本波の密度が大きくなる。
る。基本波となる半導体レーザ１の発振出力光は外部共
振器５０を構成するミラー４ａ〜４ｄで次々に反射され
ることにより共振光となり、外部共振器５０内の前記基
本波の密度が大きくなる。
【０００８】この密度の大きい基本波が波長変換素子５
を透過することにより効率良く波長変換が行われ、変換
出力光１００として出力される。
を透過することにより効率良く波長変換が行われ、変換
出力光１００として出力される。
【０００９】一方、温度調節器６及び７により半導体レ
ーザ１及び外部共振器５０の温度をそれぞれ調節し、半
導体レーザ１の発振波長と外部共振器５０の共振波長と
が十分近傍にあるように制御すると、外部共振器５０内
の散乱等により、通常の共振光とは逆回りの、即ち、図
２中”イ”，”ロ”，”ハ”及び”ニ”方向の共振光が
生じる。
ーザ１及び外部共振器５０の温度をそれぞれ調節し、半
導体レーザ１の発振波長と外部共振器５０の共振波長と
が十分近傍にあるように制御すると、外部共振器５０内
の散乱等により、通常の共振光とは逆回りの、即ち、図
２中”イ”，”ロ”，”ハ”及び”ニ”方向の共振光が
生じる。
【００１０】この逆回りの共振光の一部はミラー４ａを
透過して戻り光としてピエゾ素子ミラー３を介して半導
体レーザ１に入射される。この戻り光の光量が適当であ
れば半導体レーザ１は自動的に外部共振器５０の共振波
長で発振する。このような発振を光帰還同調発振と言
う。
透過して戻り光としてピエゾ素子ミラー３を介して半導
体レーザ１に入射される。この戻り光の光量が適当であ
れば半導体レーザ１は自動的に外部共振器５０の共振波
長で発振する。このような発振を光帰還同調発振と言
う。
【００１１】但し、実際には半導体レーザ１の発振波長
は外部共振器５０の共振波長とは完全に一致しないた
め、ピエゾ素子ミラー３は外部共振器５０からの戻り光
の位相を調整して半導体レーザ１の発振波長と外部共振
器５０の共振波長とを一致させる。
は外部共振器５０の共振波長とは完全に一致しないた
め、ピエゾ素子ミラー３は外部共振器５０からの戻り光
の位相を調整して半導体レーザ１の発振波長と外部共振
器５０の共振波長とを一致させる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかし、半導体レーザ
１の発振波長と外部共振器５０の共振波長とが十分近傍
にあるように半導体レーザ１及び外部共振器５０を温度
調節する必要があった。
１の発振波長と外部共振器５０の共振波長とが十分近傍
にあるように半導体レーザ１及び外部共振器５０を温度
調節する必要があった。
【００１３】また、半導体レーザ１への戻り光の光量が
多すぎた場合には半導体レーザ１の発振が不安定になっ
てしまうので、波長変換素子５の質が悪い場合には戻り
光が多くて使用できない場合がある。一般に、戻り光の
光量は半導体レーザ１の発振出力光の”１０-4〜１
０-5”が適当な光量である。
多すぎた場合には半導体レーザ１の発振が不安定になっ
てしまうので、波長変換素子５の質が悪い場合には戻り
光が多くて使用できない場合がある。一般に、戻り光の
光量は半導体レーザ１の発振出力光の”１０-4〜１
０-5”が適当な光量である。
【００１４】さらに、波長変換された変換出力光１００
には変調がかけられないと言った問題点がある。従って
本発明の目的は、外部共振器の温度調節が不要で、戻り
光の多い波長変換素子にも対応でき、且つ、出力光に変
調をかけることが可能な外部共振器内波長変換器を実現
することにある。
には変調がかけられないと言った問題点がある。従って
本発明の目的は、外部共振器の温度調節が不要で、戻り
光の多い波長変換素子にも対応でき、且つ、出力光に変
調をかけることが可能な外部共振器内波長変換器を実現
することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明の第１では、光帰還同期発振に用いる
外部共振器内に波長変換素子を設けて波長変換を行う外
部共振器内波長変換器において、前記外部共振器に発振
出力光を供給する半導体レーザと、この半導体レーザと
前記外部共振器との間に設けられ偏波面を回転させるフ
ァラデー回転子と、前記半導体レーザと前記外部共振器
との間に設けられ、前記半導体レーザと前記外部共振器
との間の距離を調整するピエゾ素子ミラーとを備えたこ
とを特徴とするものである。
るために、本発明の第１では、光帰還同期発振に用いる
外部共振器内に波長変換素子を設けて波長変換を行う外
部共振器内波長変換器において、前記外部共振器に発振
出力光を供給する半導体レーザと、この半導体レーザと
前記外部共振器との間に設けられ偏波面を回転させるフ
ァラデー回転子と、前記半導体レーザと前記外部共振器
との間に設けられ、前記半導体レーザと前記外部共振器
との間の距離を調整するピエゾ素子ミラーとを備えたこ
とを特徴とするものである。
【００１６】本発明の第２では、光帰還同期発振に用い
る外部共振器内に波長変換素子を設けて波長変換を行う
外部共振器内波長変換器において、前記外部共振器に発
振出力光を供給する半導体レーザと、この半導体レーザ
と前記外部共振器との間に設けられ偏波面を回転させる
ファラデー回転子と、前記半導体レーザと前記外部共振
器との間に設けられ、前記半導体レーザと前記外部共振
器との間の距離を調整すると共に前記波長変換された出
力光を変調する調整変調手段と、を備えたことを特徴と
するものである。
る外部共振器内に波長変換素子を設けて波長変換を行う
外部共振器内波長変換器において、前記外部共振器に発
振出力光を供給する半導体レーザと、この半導体レーザ
と前記外部共振器との間に設けられ偏波面を回転させる
ファラデー回転子と、前記半導体レーザと前記外部共振
器との間に設けられ、前記半導体レーザと前記外部共振
器との間の距離を調整すると共に前記波長変換された出
力光を変調する調整変調手段と、を備えたことを特徴と
するものである。
【００１７】本発明の第３では、光帰還同期発振に用い
る外部共振器内に波長変換素子を設けて波長変換を行う
外部共振器内波長変換器において、前記外部共振器に発
振出力光を供給する半導体レーザと、この半導体レーザ
と前記外部共振器との間に設けられ偏波面を回転させる
ファラデー回転子と、前記半導体レーザと前記外部共振
器との間に設けられ、前記半導体レーザと前記外部共振
器との間の距離を調整するピエゾ素子ミラーと、前記外
部共振器から出力される基本波に基づき前記半導体レー
ザの前記発振波長を走査する制御手段とを備えたことを
特徴とするものである。
る外部共振器内に波長変換素子を設けて波長変換を行う
外部共振器内波長変換器において、前記外部共振器に発
振出力光を供給する半導体レーザと、この半導体レーザ
と前記外部共振器との間に設けられ偏波面を回転させる
ファラデー回転子と、前記半導体レーザと前記外部共振
器との間に設けられ、前記半導体レーザと前記外部共振
器との間の距離を調整するピエゾ素子ミラーと、前記外
部共振器から出力される基本波に基づき前記半導体レー
ザの前記発振波長を走査する制御手段とを備えたことを
特徴とするものである。
【００１８】
【作用】光路にファラデー回転子を設け、半導体レーザ
の発振出力光の偏波面を適当に選択することにより戻り
光の多い波長変換素子にも対応可能になり、また、調整
変調手段を用いて半導体レーザと外部共振器との間の距
離を変動させることにより出力光に変調をかけることが
可能になり、さらに、制御手段を用いて半導体レーザの
発振波長を走査することにより外部共振器の温度調節が
不要になる。
の発振出力光の偏波面を適当に選択することにより戻り
光の多い波長変換素子にも対応可能になり、また、調整
変調手段を用いて半導体レーザと外部共振器との間の距
離を変動させることにより出力光に変調をかけることが
可能になり、さらに、制御手段を用いて半導体レーザの
発振波長を走査することにより外部共振器の温度調節が
不要になる。
【００１９】
【実施例】以下本発明を図面を用いて詳細に説明する。
図１は本発明に係る共振器内波長変換器の一実施例を示
す構成ブロック図である。ここで、１，２，４ａ〜４
ｄ，５，６，５０及び１００は図２と同一符号を付して
ある。
図１は本発明に係る共振器内波長変換器の一実施例を示
す構成ブロック図である。ここで、１，２，４ａ〜４
ｄ，５，６，５０及び１００は図２と同一符号を付して
ある。
【００２０】図１において３ａはピエゾ素子ミラー、８
は光検出器、９は走査回路、１０はファラデー回転子、
１１はピエゾ素子駆動回路、１２は発振器、１０１は外
部共振器５０からの基本波出力光である。また、２，８
及び９は制御手段５１を、３ａ，１１及び１２は調整変
調手段５２をそれぞれ構成している。
は光検出器、９は走査回路、１０はファラデー回転子、
１１はピエゾ素子駆動回路、１２は発振器、１０１は外
部共振器５０からの基本波出力光である。また、２，８
及び９は制御手段５１を、３ａ，１１及び１２は調整変
調手段５２をそれぞれ構成している。
【００２１】接続関係については図２に示す従来例とほ
ぼ同じであり、異なる点は以下の通りである。即ち、基
本波出力光１０１がミラー４ｂを透過して出力され、こ
の基本波出力光１０１が光検出器８に入射され、光検出
器８の出力が走査回路９に接続され、走査回路９の出力
が駆動回路２に接続される。
ぼ同じであり、異なる点は以下の通りである。即ち、基
本波出力光１０１がミラー４ｂを透過して出力され、こ
の基本波出力光１０１が光検出器８に入射され、光検出
器８の出力が走査回路９に接続され、走査回路９の出力
が駆動回路２に接続される。
【００２２】また、発振器１２の出力がピエゾ素子駆動
回路１１に接続され、ピエゾ素子駆動回路１１の出力が
ピエゾ素子ミラー３ａに接続される。さらに、ピエゾ素
子ミラー３ａとミラー４ａとの間にファラデー回転子１
０が設けられる。
回路１１に接続され、ピエゾ素子駆動回路１１の出力が
ピエゾ素子ミラー３ａに接続される。さらに、ピエゾ素
子ミラー３ａとミラー４ａとの間にファラデー回転子１
０が設けられる。
【００２３】ここで、図１に示す実施例の動作を説明す
る。但し、図２に示す従来例と共通の部分についてはそ
の説明を省略する。半導体レーザ１の発振出力光は図１
中に示すようにｘ軸に対して”θ°”の偏波面を有し、
ファラデー回転子１０は入射光の偏波面を”４５°”回
転させるものとする。また、外部共振器５０の共振偏波
面はｙ軸方向であるとする。
る。但し、図２に示す従来例と共通の部分についてはそ
の説明を省略する。半導体レーザ１の発振出力光は図１
中に示すようにｘ軸に対して”θ°”の偏波面を有し、
ファラデー回転子１０は入射光の偏波面を”４５°”回
転させるものとする。また、外部共振器５０の共振偏波
面はｙ軸方向であるとする。
【００２４】半導体レーザ１の発振出力光はピエゾ素子
ミラー３ａを介してファラデー回転子１０に入射され
る。この際に入射光は４５°の回転を受け、偏波面が”
θ＋４５°”となる。
ミラー３ａを介してファラデー回転子１０に入射され
る。この際に入射光は４５°の回転を受け、偏波面が”
θ＋４５°”となる。
【００２５】また、外部共振器５０の共振はｙ軸方向で
あるので外部共振器５０内で生じた逆回りの共振光は偏
波面がｘ軸に対して”９０°”である。従って、ミラー
４ａを透過してきた戻り光はファラデー回転子１０に入
射され、この際に４５°の回転を受けて偏波面が”１３
５°”となる。
あるので外部共振器５０内で生じた逆回りの共振光は偏
波面がｘ軸に対して”９０°”である。従って、ミラー
４ａを透過してきた戻り光はファラデー回転子１０に入
射され、この際に４５°の回転を受けて偏波面が”１３
５°”となる。
【００２６】ここで、外部共振器５０の共振はｙ軸方向
であるので半導体レーザ１から外部共振器５０への結合
量”ε”はファラデー回転子１０の出力光のｙ軸成分に
相当し、 ε＝cos((θ＋４５°)−９０°)2 ＝cos(θ−４５°)2 (1) となる。
であるので半導体レーザ１から外部共振器５０への結合
量”ε”はファラデー回転子１０の出力光のｙ軸成分に
相当し、 ε＝cos((θ＋４５°)−９０°)2 ＝cos(θ−４５°)2 (1) となる。
【００２７】また、外部共振器５０から半導体レーザ１
への結合量”η”はファラデー回転子１０の出力光の内
半導体レーザ１の発振出力光の偏波面”θ°”成分に相
当し、 η＝cos(１３５°−θ)2 (2) となる。
への結合量”η”はファラデー回転子１０の出力光の内
半導体レーザ１の発振出力光の偏波面”θ°”成分に相
当し、 η＝cos(１３５°−θ)2 (2) となる。
【００２８】例えば、半導体レーザ１の発振出力光の偏
波面を、 θ°＝４５° (3) とすると、式（１）から結合量”ε”は、 ε＝cos(４５°−４５°)2 ＝cos(０°)2 ＝１ (4) となる。
波面を、 θ°＝４５° (3) とすると、式（１）から結合量”ε”は、 ε＝cos(４５°−４５°)2 ＝cos(０°)2 ＝１ (4) となる。
【００２９】一方、式（２）より結合量”η”は、 η＝cos(１３５°−４５°)2 ＝cos(９０°)2 ＝０ (5) となる。
【００３０】この結果、光路にファラデー回転子１０を
設け、半導体レーザ１の発振出力光の偏波面”θ°”
を”４５°”の近傍で適当に選択することによって、波
長変換素子５の質に係わりなく、半導体レーザ１から外
部共振器５０への結合量”ε”がほぼ”１”になり、戻
り光の光量を半導体レザー１の発振出力光の光量の”１
０-4〜１０-5”程度に制御することができ半導体レザー
１の安定な発振が可能となる。
設け、半導体レーザ１の発振出力光の偏波面”θ°”
を”４５°”の近傍で適当に選択することによって、波
長変換素子５の質に係わりなく、半導体レーザ１から外
部共振器５０への結合量”ε”がほぼ”１”になり、戻
り光の光量を半導体レザー１の発振出力光の光量の”１
０-4〜１０-5”程度に制御することができ半導体レザー
１の安定な発振が可能となる。
【００３１】また、変換出力光１００を変調する場合に
は、発振器１２及びピエゾ素子駆動回路１１によりピエ
ゾ素子ミラー３ａに変調信号を印加する。ピエゾ素子ミ
ラー３ａに変調信号が印加されると半導体レーザ１と外
部共振器５０との間の距離が変動する。
は、発振器１２及びピエゾ素子駆動回路１１によりピエ
ゾ素子ミラー３ａに変調信号を印加する。ピエゾ素子ミ
ラー３ａに変調信号が印加されると半導体レーザ１と外
部共振器５０との間の距離が変動する。
【００３２】光帰還同調発振では半導体レーザ１と外部
共振器５０との間の距離の変化に敏感であり、通常状態
では外部共振器５０内に最大のパワーが得られるように
ピエゾ素子ミラー３ａにより前記距離が制御されてい
る。
共振器５０との間の距離の変化に敏感であり、通常状態
では外部共振器５０内に最大のパワーが得られるように
ピエゾ素子ミラー３ａにより前記距離が制御されてい
る。
【００３３】言い換えれば、半導体レーザの発振波長が
外部共振器５０の共振波長に完全に一致するように制御
される。
外部共振器５０の共振波長に完全に一致するように制御
される。
【００３４】従って、ピエゾ素子ミラー３ａで半導体レ
ーザ１と外部共振器５０との間の距離を発振器１２の出
力周波数で変動させることにより、外部共振器５０内の
パワーが発振器１２の出力周波数で変動、即ち、変換出
力光１００が発振器１２の出力周波数で強度変調される
ことになる。
ーザ１と外部共振器５０との間の距離を発振器１２の出
力周波数で変動させることにより、外部共振器５０内の
パワーが発振器１２の出力周波数で変動、即ち、変換出
力光１００が発振器１２の出力周波数で強度変調される
ことになる。
【００３５】この結果、調整変調手段５２を用いて半導
体レーザ１と外部共振器５０との間の距離を変動させる
ことにより、変換出力光１００に強度変調をかけること
ができる。
体レーザ１と外部共振器５０との間の距離を変動させる
ことにより、変換出力光１００に強度変調をかけること
ができる。
【００３６】さらに、一般に起動時には半導体レーザ１
の発振波長は外部共振器５０の共振波長と同調発振して
はいない。また、同期発振している場合は基本波出力光
１０１の出力が最大に、言い換えれば光検出器８の検出
信号が最大になる。
の発振波長は外部共振器５０の共振波長と同調発振して
はいない。また、同期発振している場合は基本波出力光
１０１の出力が最大に、言い換えれば光検出器８の検出
信号が最大になる。
【００３７】従って、起動時には走査回路９で駆動回路
２を制御し、半導体レーザ１の発振波長を走査させる。
この走査により同調発振して光検出器８の出力が最大に
なると、走査回路９は走査を停止して半導体レーザ１の
発振波長を固定する。
２を制御し、半導体レーザ１の発振波長を走査させる。
この走査により同調発振して光検出器８の出力が最大に
なると、走査回路９は走査を停止して半導体レーザ１の
発振波長を固定する。
【００３８】この後、調整変調手段５２により光検出器
８の出力が更に最大になるように半導体レーザ１と外部
共振器５０との間の距離を調整する。
８の出力が更に最大になるように半導体レーザ１と外部
共振器５０との間の距離を調整する。
【００３９】この結果、制御手段５１を用いて起動時に
半導体レーザ１の発振波長を走査することにより、特に
外部共振器５０の温度調節をしなくても良くなる。
半導体レーザ１の発振波長を走査することにより、特に
外部共振器５０の温度調節をしなくても良くなる。
【００４０】なお、ピエゾ素子ミラー３ａとファラデー
回転子１０の位置関係については互いに入れ代わっても
良い。
回転子１０の位置関係については互いに入れ代わっても
良い。
【００４１】また、起動時に限らず周囲温度変化等によ
り光帰還同調発振から外れた場合にも、光検出器８でこ
れを検知し、半導体レーザ１の発振波長を走査すること
により、光帰還同調発振に戻すことができる。
り光帰還同調発振から外れた場合にも、光検出器８でこ
れを検知し、半導体レーザ１の発振波長を走査すること
により、光帰還同調発振に戻すことができる。
【００４２】
【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
本発明によれば次のような効果がある。本願発明の第１
では光路にファラデー回転子を設け、半導体レーザの発
振出力光の偏波面を適当に選択することにより、戻り光
の多い波長変換素子にも対応することが可能な外部共振
器内波長変換器が実現できる。
本発明によれば次のような効果がある。本願発明の第１
では光路にファラデー回転子を設け、半導体レーザの発
振出力光の偏波面を適当に選択することにより、戻り光
の多い波長変換素子にも対応することが可能な外部共振
器内波長変換器が実現できる。
【００４３】また、本願第２の発明では調整変調手段を
用いて半導体レーザと外部共振器との間の距離を変動さ
せることにより、戻り光の多い波長変換素子にも対応す
ることが可能な外部共振器内波長変換器が実現できると
共に変換出力光に変調をかけることが可能な外部共振器
内波長変換器が実現できる。
用いて半導体レーザと外部共振器との間の距離を変動さ
せることにより、戻り光の多い波長変換素子にも対応す
ることが可能な外部共振器内波長変換器が実現できると
共に変換出力光に変調をかけることが可能な外部共振器
内波長変換器が実現できる。
【００４４】さらに、本願発明の第３では制御手段を用
いて半導体レーザの発振波長を走査することにより、戻
り光の多い波長変換素子にも対応することが可能な外部
共振器内波長変換器が実現できると共に外部共振器の温
度調節が不要な外部共振器内波長変換器が実現できる。
いて半導体レーザの発振波長を走査することにより、戻
り光の多い波長変換素子にも対応することが可能な外部
共振器内波長変換器が実現できると共に外部共振器の温
度調節が不要な外部共振器内波長変換器が実現できる。
【図１】本発明に係る共振器内波長変換器の一実施例を
示す構成ブロック図である。
示す構成ブロック図である。
【図２】従来の外部共振器内波長変換器の一例を示す構
成ブロック図である。
成ブロック図である。
１ 半導体レーザ ２ 駆動回路 ３，３ａ ピエゾ素子ミラー ４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ ミラー ５ 波長変換素子 ６，７ 温度調節器 ８ 光検出器 ９ 走査回路 １０ ファラデー回転子 １１ ピエゾ素子駆動回路 １２ 発振器 ５０ 外部共振器 ５１ 制御手段 ５２ 調整変調手段 １００ 変換出力光 １０１ 基本波出力光
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｓ 3/081 Ｈ０１Ｓ 3/105 3/105 3/108 3/108 Ｇ０２Ｂ 7/18 Ｂ (56)参考文献 特開 平７−45896（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−366928（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−179933（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−338651（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−34746（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−80379（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−34746（ＪＰ，Ａ) 旭硝子研究報告 Ｖｏｌ．42，Ｎｏ. １，ＰＰ．67−79（1992) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01S 5/00 - 5/50 G02F 1/37 H01S 3/00 - 3/30
Claims (3)
- 【請求項１】光帰還同期発振に用いる外部共振器内に波
長変換素子を設けて波長変換を行う外部共振器内波長変
換器において、 前記外部共振器に発振出力光を供給する半導体レーザ
と、 この半導体レーザと前記外部共振器との間に設けられ偏
波面を回転させるファラデー回転子と、 前記半導体レーザと前記外部共振器との間に設けられ、
前記半導体レーザと前記外部共振器との間の距離を調整
するピエゾ素子ミラーとを備えたことを特徴とする外部
共振器内波長変換器。 - 【請求項２】光帰還同期発振に用いる外部共振器内に波
長変換素子を設けて波長変換を行う外部共振器内波長変
換器において、 前記外部共振器に発振出力光を供給する半導体レーザ
と、この半導体レーザと前記外部共振器との間に設けられ偏
波面を回転させるファラデー回転子と、 前記半導体レーザと前記外部共振器との間に設けられ、
前記半導体レーザと前記外部共振器との間の距離を調整
すると共に前記波長変換された出力光を変調する調整変
調手段と、 を備えたことを特徴とする外部共振器内波長変換器。 - 【請求項３】光帰還同期発振に用いる外部共振器内に波
長変換素子を設けて波長変換を行う外部共振器内波長変
換器において、 前記外部共振器に発振出力光を供給する半導体レーザ
と、この半導体レーザと前記外部共振器との間に設けられ偏
波面を回転させるファラデー回転子と、 前記半導体レーザと前記外部共振器との間に設けられ、
前記半導体レーザと前記外部共振器との間の距離を調整
するピエゾ素子ミラーと、 前記外部共振器から出力される基本波に基づき前記半導
体レーザの前記発振波長を走査する制御手段とを備えた
ことを特徴とする外部共振器内波長変換器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5870294A JP3219118B2 (ja) | 1994-03-29 | 1994-03-29 | 外部共振器内波長変換器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5870294A JP3219118B2 (ja) | 1994-03-29 | 1994-03-29 | 外部共振器内波長変換器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07273390A JPH07273390A (ja) | 1995-10-20 |
| JP3219118B2 true JP3219118B2 (ja) | 2001-10-15 |
Family
ID=13091859
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5870294A Expired - Fee Related JP3219118B2 (ja) | 1994-03-29 | 1994-03-29 | 外部共振器内波長変換器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3219118B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102541130B1 (ko) | 2021-01-28 | 2023-06-13 | (주)더블비큐코리아 | 반사기능을 가진 방초시트 |
| KR102582996B1 (ko) * | 2020-12-04 | 2023-10-04 | (주)더블비큐코리아 | 반사기능을 가진 태양광 발전시설용 방초시트 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105829961B (zh) * | 2013-12-20 | 2019-11-05 | 索尼公司 | 光源装置和波长转换方法 |
-
1994
- 1994-03-29 JP JP5870294A patent/JP3219118B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 旭硝子研究報告 Ｖｏｌ．４２，Ｎｏ．１，ＰＰ．６７−７９（１９９２） |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102582996B1 (ko) * | 2020-12-04 | 2023-10-04 | (주)더블비큐코리아 | 반사기능을 가진 태양광 발전시설용 방초시트 |
| KR102541130B1 (ko) | 2021-01-28 | 2023-06-13 | (주)더블비큐코리아 | 반사기능을 가진 방초시트 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07273390A (ja) | 1995-10-20 |
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