JP3212822B2 - Perforated tubular substrate to be treated, method for treating the same, and apparatus for treating perforated tubular substrate to be treated - Google Patents

Perforated tubular substrate to be treated, method for treating the same, and apparatus for treating perforated tubular substrate to be treated

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JP3212822B2
JP3212822B2 JP34031794A JP34031794A JP3212822B2 JP 3212822 B2 JP3212822 B2 JP 3212822B2 JP 34031794 A JP34031794 A JP 34031794A JP 34031794 A JP34031794 A JP 34031794A JP 3212822 B2 JP3212822 B2 JP 3212822B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、多孔チューブ状の被処
理基材内表面に、大気圧グロープラズマ処理法により、
表面改質することを目的とする多孔チューブ状被処理基
材及びその処理方法並びに多孔チューブ状被処理基材の
処理装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a process for forming an inner surface of a porous tube-shaped substrate by an atmospheric pressure glow plasma process.
The present invention relates to a perforated tubular substrate to be surface-modified, a method for treating the substrate, and a perforated tubular substrate treating apparatus.

【0002】[0002]

【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来プ
ラスチックの表面をコーティング等により表面改質する
方法として、減圧下における低圧グロー放電プラズマ処
理が知られている。これら減圧下におけるプラズマCV
D、プラズマ重合法等は、プラスチックシート等の被処
理基材を真空チャンバー等の処理容器内に入れ、減圧さ
れた処理容器内でシート状の被処理基材シートにプラズ
マ処理を行なう方法などが提案されている。
2. Description of the Related Art Conventionally, low pressure glow discharge plasma treatment under reduced pressure is known as a method for modifying the surface of plastic by coating or the like. Plasma CV under these reduced pressure
D, plasma polymerization method and the like include a method in which a substrate to be processed such as a plastic sheet is placed in a processing container such as a vacuum chamber, and a plasma treatment is performed on the sheet-shaped substrate to be processed in the depressurized processing container. Proposed.

【0003】しかしながら、低圧グロー放電プラズマ処
理の場合、真空度の変動による処理結果への影響が大き
いため真空系の管理が非常に重要で、処理容器が大きく
なればそれだけ真空系の保持が困難となり、真空条件の
保持の為に処理コストが高くなる問題がある。
However, in the case of low-pressure glow discharge plasma processing, fluctuations in the degree of vacuum greatly affect the processing results, so that vacuum system management is very important. The larger the processing vessel, the more difficult it is to maintain the vacuum system. In addition, there is a problem that the processing cost is increased because the vacuum condition is maintained.

【0004】更に、被処理物がチューブ状である場合、
チューブ内面にプラズマが導入されにくく処理が不均一
になり、また特に軟質である場合には減圧することでチ
ューブが潰れる等の変形が起こるなどの問題により、内
表面のみなど処理部位を選択的に行なうことは難しく、
複数の孔にて構成されている多孔チューブの場合、内表
面のみの処理はもちろんのこと各孔部の選択的処理など
は不可能に近いものであった。
Further, when the object to be processed is in the form of a tube,
It is difficult to introduce plasma into the inner surface of the tube, and the processing becomes non-uniform.In particular, if the tube is soft, the pressure is reduced to cause deformation such as crushing of the tube. It ’s difficult to do,
In the case of a porous tube composed of a plurality of holes, it was almost impossible to selectively treat each hole, as well as to treat only the inner surface.

【0005】したがって、本発明は、近年開発された大
気圧グロープラズマ処理法を応用する事により、プラス
チック材料等の多孔チューブ状物に対し、真空系の形成
を行なうことなく大気圧下で、グロー放電プラズマ処理
を行なうことができることより、処理コスト的にも有利
に、製造方法を提供することにある。
Therefore, the present invention applies a recently developed atmospheric pressure glow plasma processing method to a porous tubular material such as a plastic material under atmospheric pressure without forming a vacuum system. An object of the present invention is to provide a manufacturing method in which discharge plasma processing can be performed and the processing cost is advantageous.

【0006】[0006]

【問題点を解決するための手段】[1]本発明は、多孔
チューブ状被処理基材の孔内を大気圧近傍の圧力下にお
いて、グロー放電を安定に発生させるガス若しくは処理
ガス若しくはグロー放電を安定に発生させるガスと処理
ガスとの混合ガスの雰囲気中、または前記混合ガスを連
続的に導入しながら、交流電圧を印加し、大気圧グロー
プラズマ処理を行なうことにより、多孔チューブ状被処
理基材の孔の表面を表面改質する多孔チューブ状被処理
基材の処理方法を提供する。
Means for Solving the Problems [1] The present invention relates to a gas or a processing gas or a glow discharge for stably generating a glow discharge in a hole of a porous tubular substrate to be processed under a pressure near atmospheric pressure. By applying an AC voltage and performing an atmospheric pressure glow plasma treatment in an atmosphere of a mixed gas of a gas and a processing gas for stably generating the gas, or while continuously introducing the mixed gas. Provided is a method for treating a porous tube-shaped substrate to be treated for modifying the surface of pores of the substrate.

【0007】[2]本発明は、チューブの長さ方向に沿
ってチューブの内部に複数の孔が形成された多孔チュー
ブ状被処理基材であって、グロー放電を安定に発生させ
るガス若しくは処理ガス若しくはグロー放電を安定に発
生させるガスと処理ガスとの混合ガスの雰囲気中、また
は前記混合ガスを連続的に導入しながら、交流電圧を印
加し、大気圧グロープラズマ処理を行なうことにより、
前記孔の表面改質が全ての孔または一部の孔に施されて
いる多孔チューブ状被処理基材を提供する。 [3]本発明は、筒状の絶縁体に導電性材料よりなる高
圧側電極と接地側電極を装着した電極本体を有し、該電
極本体内に配置される多孔チューブ状被処理基材の孔に
ガス導入ラインを接続し、前記ガス導入ラインに分岐
ルブ及び/又は混合槽を介して、グロー放電を安定に発
生させるガスの導入ライン及び/又は処理ガスの導入ラ
インを接続した多孔チューブ状被処理基材の処理装置を
提供する。
[2] The present invention is directed to a tube along the length direction.
Multi-hole tube with multiple holes formed inside the tube
The substrate to be processed has a glow discharge that is stably generated.
Gas, processing gas or glow discharge
In the atmosphere of the mixed gas of the gas to be produced and the processing gas,
Applies AC voltage while continuously introducing the mixed gas.
In addition, by performing atmospheric pressure glow plasma processing,
The present invention provides a porous tube-shaped substrate to be treated in which all or some of the pores are subjected to surface modification. [3] The present invention has an electrode body in which a high voltage side electrode and a ground side electrode made of a conductive material are mounted on a cylindrical insulator , and a porous tube-shaped substrate to be treated disposed in the electrode body. A gas introduction line is connected to the hole, and a branch bar is connected to the gas introduction line.
Provided is a processing apparatus for a porous tube-shaped substrate to which a gas introduction line and / or a processing gas introduction line for stably generating a glow discharge are connected via a lube and / or a mixing tank .

【0008】ここで、本発明におけるプラズマ処理と
は、プラズマ開始重合、プラズマCVD、プラズマグラ
フト重合等の、各プラズマ表面処理法を意味しており、
これらいかなる処理にも応用でき、一つに限定されるも
のではない。
[0008] Here, the plasma treatment in the present invention means various plasma surface treatment methods such as plasma-initiated polymerization, plasma CVD, and plasma graft polymerization.
It can be applied to any of these processes, and is not limited to one.

【0009】また、大気圧近傍の圧力とは、低圧プラズ
マ処理時の様に、プラズマを形成する領域において、真
空ポンプ等の装置を使用し、減圧(真空)状態とするこ
となく、プラズマ領域がグロー放電を安定に発生させる
ガスと処理ガスとの混合ガスにて置換され、または、さ
らに連続的に導入される場合においては、大気に開放し
たガス排出口より連続的に排出される構造となってお
り、プラズマ領域が大気圧近傍の圧力となっている状態
である。
[0009] The pressure near the atmospheric pressure means that the plasma region is formed in a region where plasma is formed by using a device such as a vacuum pump without reducing the pressure (vacuum) as in low-pressure plasma processing. When the gas is replaced with a mixed gas of a gas for stably generating glow discharge and a processing gas, or when the gas is introduced continuously, the gas is continuously discharged from a gas outlet opened to the atmosphere. In this state, the plasma region is at a pressure near the atmospheric pressure.

【0010】本発明は、上記放電を起こすために処理容
器(円筒状電極管等)内の空気を、グロー放電を安定に
発生させるガス、または、グロー放電を安定に発生させ
るガスと処理ガスとの混合ガスに置換した後、または、
置換した後にこの処理容器内に、グロー放電を安定に発
生させるガス、または、グロー放電を安定に発生させる
ガスと処理ガスとの混合ガスを連続的に導入しつつ、大
気圧近傍の圧力下に、交流電圧を印加し、グロープラズ
マ領域を形成し、被処理基材の表面改質により達成され
る。
According to the present invention, air in a processing vessel (such as a cylindrical electrode tube) for generating the above-mentioned electric discharge is generated by using a gas for stably generating a glow discharge or a gas for generating a glow discharge stably and a processing gas. After replacing with a mixed gas of
After the replacement, a gas for stably generating a glow discharge or a mixed gas of a gas for stably generating a glow discharge and a processing gas is continuously introduced into the processing container while the pressure is reduced to a value close to the atmospheric pressure. This is achieved by applying an AC voltage to form a glow plasma region and modifying the surface of the substrate to be treated.

【0011】ここで、本大気圧グロープラズマ処理にお
いては交流電圧を印化することが重要であり、交流電圧
の周波数はプラズマCVD、プラズマグラフト法、プラ
ズマ重合等の処理方法、処理速度(製膜速度等)の制
御、導入するプラズマ重合性単量体の種類、被処理基材
の種類等の条件に応じて適宜に設定するもので、ある特
定の周波数に限定されるものではないが、本発明のプラ
スチック基材への処理においては、13.56MHz
(ラジオ波)以下の周波数が望ましい。
Here, it is important to apply an AC voltage in the atmospheric pressure glow plasma processing, and the frequency of the AC voltage is determined by a processing method such as plasma CVD, plasma grafting, plasma polymerization, and a processing speed (film formation). Speed, etc.), the type of the plasma-polymerizable monomer to be introduced, the type of the substrate to be treated, etc., are appropriately set, and are not limited to a specific frequency. 13.56 MHz in the processing of the plastic substrate of the invention
(Radio waves) The following frequencies are desirable.

【0012】上記処理において、大気圧グロープラズマ
領域をグロー放電を安定に発生させるガスと、処理ガス
との混合ガスに置換するだけでも良いが、さらに連続的
に混合ガスを導入する方が好ましく、グロー放電を安定
に発生させるガスと処理ガスとの混合比は、グロー放電
を安定に発生させるガス100に対して処理ガス濃度を
10%容量以下、好ましくは5%〜0.01%に混合す
る。
In the above process, the atmospheric pressure glow plasma region may be simply replaced with a mixed gas of a gas for stably generating a glow discharge and a processing gas, but it is more preferable to introduce the mixed gas continuously. The mixing ratio between the gas for stably generating glow discharge and the processing gas is such that the processing gas concentration is 10% by volume or less, preferably 5% to 0.01% with respect to 100 of the gas for stably generating glow discharge. .

【0013】ここで、グロー放電を安定に発生させるガ
スとは、例えばヘリウム、アルゴン、ネオン、クリプト
ン、キセノン、窒素等のいわゆる不活性ガス単独、また
はヘリウム/アルゴン等のヘリウムと他の不活性ガスの
混合系のみでなく、アルゴン/ケトン、アルゴン/メタ
ンの混合ガス等も使用することができ、好ましいのはヘ
リウム、アルゴン、アルゴン/ヘリウム、アルゴン/ケ
トンであるが、これに限定されるのもではない。
Here, the gas for stably generating the glow discharge is, for example, a so-called inert gas alone such as helium, argon, neon, krypton, xenon, or nitrogen, or helium and another inert gas such as helium / argon. Not only a mixed system of but also a mixed gas of argon / ketone, argon / methane and the like can be used. Preferred are helium, argon, argon / helium, and argon / ketone. is not.

【0014】被処理基材として孔の表面を改質される高
分子材料は、いかなるものであっても良く、例えば、ポ
リエチレン(PE)、ポリプロピレン(PP)、ポリエ
チレンテレフタレート、ポリウレタン、ポリアミド、ポ
リ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリフッ化ビニリ
デン、ポリカーボネート、ポリアセタール、ポリエステ
ル、シリコン樹脂、ポリテトラフルオロエチレン、アク
リル樹脂、ポリアクリル酸、ポリアクリルアミド、ポリ
メチルメタクリレート、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルア
ルコール、ポリアクリロニトリル、ポリスチレン、ポリ
乳酸、ポリスルフォン、ポリエチレンオキサイド、ポリ
エーテルエーテルケトン、ポリエーテルスルフォン、エ
チレン−ビニルアルコ−ル共重合体、エチレン−酢酸ビ
ニル共重合体、エチレン−テトラフルオロエチレン共重
合体、ヘキサフルオロプロピレン−テトラフルオロエチ
レン共重合体、ABS樹脂等を使用することができ、こ
れに限定されるのもではない。
The polymer material whose surface of the pores is to be modified as the substrate to be treated may be any material, for example, polyethylene (PE), polypropylene (PP), polyethylene terephthalate, polyurethane, polyamide, polychloride Vinyl, polyvinylidene chloride, polyvinylidene fluoride, polycarbonate, polyacetal, polyester, silicone resin, polytetrafluoroethylene, acrylic resin, polyacrylic acid, polyacrylamide, polymethyl methacrylate, polyvinyl acetate, polyvinyl alcohol, polyacrylonitrile, polystyrene, Polylactic acid, polysulfone, polyethylene oxide, polyetheretherketone, polyethersulfone, ethylene-vinyl alcohol copolymer, ethylene-vinyl acetate copolymer, d Len - tetrafluoroethylene copolymer, hexafluoropropylene - tetrafluoroethylene copolymer, it can be used ABS resin, etc., not to be limited thereto.

【0015】処理ガスとしては、エチレン、プロピレ
ン、イソブテン、塩化ビニル、塩化ビニリデン、テトラ
フルオロエチレン、六フッ化プロピレン、三フッ化エチ
レン、フッ化ビニリデン、酢酸ブチル等のビニル重合性
単量体、さらに飽和炭化水素、四フッ化メタン、モノシ
ラン、ジシラン、エチレンオキシド、アンモニア等の、
本来、非重合性である化合物であっても、グロー放電を
安定に発生させるガスとの混合ガスとして導入すること
により、その重合体として被処理基材の孔の表面上に、
グラフト鎖、薄膜等として導入することができ、被処理
基材の孔の表面を改質することができるものであれば何
でも使用することができ前記したものに限定されるもの
ではない。
Examples of the processing gas include vinyl polymerizable monomers such as ethylene, propylene, isobutene, vinyl chloride, vinylidene chloride, tetrafluoroethylene, propylene hexafluoride, ethylene trifluoride, vinylidene fluoride, and butyl acetate. Such as saturated hydrocarbons, methane tetrafluoride, monosilane, disilane, ethylene oxide, and ammonia,
Originally, even a compound that is non-polymerizable, by being introduced as a mixed gas with a gas that stably generates glow discharge, as a polymer on the surface of the pores of the substrate to be treated,
Any material can be used as long as it can be introduced as a graft chain, a thin film, or the like, and can modify the surface of the pores of the substrate to be treated, and is not limited to the above.

【0016】被処理基材の孔の表面に塗布後、大気圧グ
ロープラズマ処理される重合性単量体としては、アクリ
ル酸、メタクリル酸、メチル(メタ)アクリレート、エ
チル(メタ)アクリレート、n−プロピル(メタ)アク
リレート、n−ブチル(メタ)アクリレート、イソブチ
ル(メタ)アクリレート、t−ブチル(メタ)アクリレ
ート、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレート等のア
ルキル(メタ)アクリレート類、2−ヒドロキシエチル
(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシプロピル(メ
タ)アクリレート等の、ヒドロキシアルキル(メタ)ア
クリレート類、メチルアミノエチル(メタ)アクリレー
ト、エチルアミノエチル(メタ)アクリレート、ジメチ
ルアミノエチル(メタ)アクリレート、ジエチルアミノ
エチル(メタ)アクリレート等の、アルキルアミノアル
キル(メタ)アクリレート類、メトキシエチル(メタ)
アクリレ−ト、エトキシエチル(メタ)アクリレート等
の、アルコキシアルキル(メタ)アクリレート類、
The polymerizable monomers that are applied to the surface of the pores of the substrate to be treated and then subjected to atmospheric pressure glow plasma treatment include acrylic acid, methacrylic acid, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, and n- Alkyl (meth) acrylates such as propyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, isobutyl (meth) acrylate, t-butyl (meth) acrylate, and 2-ethylhexyl (meth) acrylate; 2-hydroxyethyl (meth) ) Hydroxyalkyl (meth) acrylates such as acrylate and 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, methylaminoethyl (meth) acrylate, ethylaminoethyl (meth) acrylate, dimethylaminoethyl (meth) acrylate, diethylaminoethyl (meth) ) Rate such as alkylaminoalkyl (meth) acrylates, methoxyethyl (meth)
Alkoxyalkyl (meth) acrylates such as acrylate and ethoxyethyl (meth) acrylate;

【0017】アクリルアミド、メタクリルアミド、N−
メチル(メタ)アクリルアミド、N−エチル(メタ)ア
クリルアミド、i−プロピル(メタ)アクリルアミド等
の、アルキル(メタ)アクリルアミド、N−ジメチル
(メタ)アクリルアミド、N−ジエチル(メタ)アクリ
ルアミド等の、ジアルキル(メタ)アクリルアミド類、
アクリロニトリル、メタクリロニトリル、アクリロイル
モルフォリン、アクリロイルピロリジン、アクリロイル
ピペリジン、ビニルピロリドン、ビニルプロリン、ビニ
ルシラン、ビニルピリジン、ビニルキノリン等の、ビニ
ル重合性単量体が使用でき、前記したものに限定される
ものではない。
Acrylamide, methacrylamide, N-
Dialkyl (e.g., alkyl (meth) acrylamide, N-dimethyl (meth) acrylamide, N-diethyl (meth) acrylamide, such as methyl (meth) acrylamide, N-ethyl (meth) acrylamide, i-propyl (meth) acrylamide, etc. Meth) acrylamides,
Acrylonitrile, methacrylonitrile, acryloyl morpholine, acryloyl pyrrolidine, acryloyl piperidine, vinyl pyrrolidone, vinyl proline, vinyl silane, vinyl pyridine, vinyl pyridine, vinyl polymerizable monomers can be used, and those limited to those described above. is not.

【0018】本発明の大気圧グロー放電プラズマ処理に
よると、例えば前記処理ガスまたは被処理基材の孔の
面に塗布される前記重合性単量体として親水性の単量体
を用いれば被処理基材の孔の表面の親水化と共に、ハイ
ドロゲル層を容易に形成することができる。
According to the atmospheric pressure glow discharge plasma treatment of the present invention, for example, a hydrophilic monomer is used as the polymerizable monomer to be applied to the surface of the processing gas or the hole of the substrate to be processed. By using, the hydrogel layer can be easily formed while the surface of the pores of the substrate to be treated is made hydrophilic.

【0019】例として、ポリエチレン製チューブの孔の
表面を親水化することができる。またハイドロゲル表面
は、血栓や血球成分の付着が少なく、抗血栓性を示すこ
とが知られており、抗血栓性に優れた材料を製造するこ
とができる。
As an example, the surface of the pores of a polyethylene tube can be made hydrophilic . Further, it is known that the surface of the hydrogel has little adhesion of thrombus and blood cell components, and is known to exhibit antithrombotic properties, so that a material having excellent antithrombotic properties can be produced.

【0020】さらに、処理ガスに、テトラフルオロエチ
レンガスを使用することで、被処理基材の孔の表面にポ
リテトラフルオロエチレン(PTFE)の疑似薄膜を形
成させ、孔の表面を疎水化することができる。PTFE
は、表面が不活性であり潤滑性、耐薬品性に優れ、有用
なプラスチック材料であるが、物性としては柔軟性が不
足しており使用範囲が限定されている。
Furthermore, the process gas, the use of the tetrafluoroethylene gas, that to form a pseudo-film surface polytetrafluoroethylene pores of the treated substrate (PTFE), hydrophobizing the surface of the hole Can be. PTFE
Is a useful plastic material having an inert surface and excellent lubricity and chemical resistance, but its physical properties are insufficient in flexibility and its use range is limited.

【0021】ここで被処理基材として軟質PVC、軟質
ポリウレタン等を用いることにより、軟質PVC等の孔
表面にPTFEの薄膜を形成することができ、被処理
基材のバルクの物性(柔軟性)を保持したまま、孔の
面のみ潤滑性、耐薬品性を向上することができる。
Here, by using a soft PVC, a soft polyurethane or the like as the substrate to be treated , the pores of the soft PVC or the like are formed.
A PTFE thin film can be formed on the surface of the substrate, and it is possible to improve lubricity and chemical resistance only on the surface of the holes while maintaining the physical properties (flexibility) of the bulk of the substrate to be treated. it can.

【0022】さらに、PTFEは、血小板等の血液成分
の吸着が少なく、抗血栓性に優れていることが知られて
おり、同時に抗血栓性を付与することができ、例えば、
バルクの性質は軟質PVC、孔の表面はPTFEの性質
を持った医用材料を製造できる。
Further, PTFE is known to be less adsorbed by blood components such as platelets and to be excellent in antithrombotic properties. At the same time, PTFE can be imparted with antithrombotic properties.
It is possible to manufacture a medical material having a bulk property of soft PVC and a pore surface of PTFE property.

【0023】本発明の大気圧グロープラズマ処理は例え
ば、図1に示すように電極本体1とガス導入ライン6を
有する処理装置1Aを用いて行なうことができる。電極
本体1はプラスチック、セラミックス等よりなる筒状の
絶縁体に導電性材料よりなる高圧側電極2と接地側電極
3を交互にらせん状にして前記筒状の絶縁体に装着(絶
縁体内面に付着させても良いし、絶縁体内に埋設しても
良い)することにより構成される。電極本体1は、図2
に示すように内側に添って、高圧側電極2と、接地側電
極3を二重らせん状に配置している。この時、各電極
2、3の幅は円筒状電極本体1の直径の3倍以下が好ま
しく、電極間の距離は電極板の幅の10%〜200%の
長さが好ましい。
The atmospheric pressure glow plasma processing of the present invention can be performed, for example, using a processing apparatus 1A having an electrode body 1 and a gas introduction line 6 as shown in FIG. The electrode main body 1 is attached to the cylindrical insulator made of a conductive material by alternately spiraling a high-voltage electrode 2 and a ground electrode 3 made of a conductive material on a cylindrical insulator made of plastic, ceramics, etc. (May be attached or buried in an insulator). The electrode body 1 is shown in FIG.
As shown in the figure, the high voltage side electrode 2 and the ground side electrode 3 are arranged in a double helix along the inside. At this time, the width of each electrode 2, 3 is preferably three times or less the diameter of the cylindrical electrode body 1, and the distance between the electrodes is preferably 10% to 200% of the width of the electrode plate.

【0024】ガス導入ライン6の上流には、各ガスを均
一に混合する混合槽6Aを介してヘリウム等のグロー放
電を安定に発生させるガスの導入ライン6aと処理ガス
の導入ライン6bが接続されており、ヘリウム等のグロ
ー放電を安定に発生させるガスと処理ガスとの混合ガス
は、ガス導入ライン6の下流に接続したガス分岐バルブ
6Bによりガス導入ライン6c、6dに分配され孔内に
導入される。前記ガス導入ライン6a、6bの途中にマ
スフローコントロールバルブ5a、5bを設けて被処理
基材4の孔内に導入する前記処理ガスとヘリウム等のグ
ロー放電を安定に発生させるガスの導入量、混合比等を
調整することができる。
Upstream of the gas introduction line 6, a gas introduction line 6a for stably generating a glow discharge such as helium and a processing gas introduction line 6b are connected via a mixing tank 6A for uniformly mixing the respective gases. A mixed gas of a gas such as helium for stably generating a glow discharge and a processing gas is distributed to gas introduction lines 6c and 6d by a gas branch valve 6B connected downstream of the gas introduction line 6 and introduced into the holes. Is done. Mass flow control valves 5a and 5b are provided in the middle of the gas introduction lines 6a and 6b to introduce and mix the processing gas introduced into the hole of the substrate 4 to be treated and a gas such as helium for stably generating a glow discharge. The ratio and the like can be adjusted.

【0025】前記ガス導入ライン6c、6dは被処理基
材の孔の数に対応しガス分岐バルブ8の下流に設けられ
る。例えば二孔の被処理基材であればガス分岐バルブ6
Bに二本設け、三孔の被処理基材であれば三本設け、被
処理基材4と接続する(この場合、被処理基材の孔内の
処理目的に応じてガス導入ライン(例えば6c、6d)
を設ける本数を自由に設定することができる)。また、
ガス分岐バルブ6Bにより、例えば、二孔のうち一孔の
みにヘリウム等のグロー放電を安定に発生させるガス
(または処理ガスとの混合ガス)を導入しながら、他方
の孔には混合ガス等が流入しないようにガス流路を遮断
することで孔部を選択的に大気圧グロープラズマ処理を
行い、内面処理を行うことができる。
The gas introduction lines 6c and 6d are provided downstream of the gas branch valve 8 corresponding to the number of holes in the substrate to be processed. For example, if the substrate has two holes, the gas branch valve 6
B, three if the substrate to be treated has three holes, three are provided and connected to the substrate to be treated 4 (in this case, a gas introduction line (for example, depending on the treatment purpose in the hole of the substrate to be treated) 6c, 6d)
Can be set freely.) Also,
By the gas branch valve 6B, for example, a gas (or a mixed gas with a processing gas) such as helium that stably generates a glow discharge is introduced into only one of the two holes, and the mixed gas or the like is introduced into the other hole. By blocking the gas flow path so as not to flow in, the hole portion can be selectively subjected to the atmospheric pressure glow plasma treatment, and the inner surface treatment can be performed.

【0026】例えば電極本体1の内側に、一端を大気開
放し他端をガス導入ライン6と接続した被処理基材4
(例えば二孔構造のチューブ)をセットした後、ガス導
入ライン6a、6bに設けられたマスフローコントロー
ルバルブ5a、5bを開いてグロー放電を安定に発生さ
せるガスAと処理ガスBの混合ガスを被処理基材4内に
連続的に導入し、大気圧近傍の圧力下で、交流電圧を印
加してグロープラズマ領域を形成し処理を行なう。
For example, inside the electrode body 1, a substrate 4 to be processed having one end open to the atmosphere and the other end connected to a gas introduction line 6.
(For example, a tube having a two-hole structure), the mass flow control valves 5a and 5b provided in the gas introduction lines 6a and 6b are opened to cover the mixed gas of the gas A and the processing gas B for generating the glow discharge stably. The glow plasma region is continuously introduced into the processing base material 4 and an AC voltage is applied under a pressure close to the atmospheric pressure to form a glow plasma region and perform the processing.

【0027】この時、大気圧グロープラズマが励起され
得るのは、電極本体1において混合ガスの存在する被処
理基材4内の孔内のみであり、当然処理され得るのは被
処理基材4内の孔内表面で、外表面は基材の性状を維持
する。更にこのとき、二孔構造を有する被処理基材4の
双方の孔に導入する処理ガスを異なったものとすること
で、例えば一方を疎水化、一方を親水化の異なった処理
を同時に行うことが可能である。三孔以上を有する被処
理基材の場合も、二孔を有する被処理基材4と同様に選
択的に処理することができる。
At this time, the atmospheric pressure glow plasma can be excited only in the holes in the substrate 4 where the mixed gas exists in the electrode body 1. On the inner surface of the inner hole, the outer surface maintains the properties of the substrate. Further, at this time, by using different processing gases to be introduced into both holes of the substrate to be processed 4 having a two-hole structure, for example, it is possible to simultaneously perform different processes such as hydrophobizing one and hydrophilizing one. Is possible. In the case of a substrate to be treated having three or more holes, the substrate can be selectively treated similarly to the substrate to be treated 4 having two holes.

【0028】また、電極本体としては、高圧側、接地側
の各電極の配置を二重らせん状にした前記電極本体1
(図2)の他に後述する図3、4のように電極を配置し
た構造の電極本体12、13も使用することができ、こ
れらにおいても大気圧グロープラズマ処理が可能であ
り、また前記した電極形状に限定されるものではない。
Further, the electrode main body in which the arrangement of the electrodes on the high voltage side and the ground side is double-helical is used as the electrode main body.
In addition to (FIG. 2), electrode bodies 12 and 13 having a structure in which electrodes are arranged as shown in FIGS. 3 and 4 to be described later can also be used. In these, the atmospheric pressure glow plasma treatment can be performed. It is not limited to the electrode shape.

【0029】図3はその他の処理装置12Aの概略図で
ある。円筒状電極本体12は内側に、リング状の高圧側
電極2と、接地側電極3を配置している。この時、各電
極2、3間の距離はリング状に成型した高圧側電極2
と、接地側電極3の幅の10%〜200%が好ましい。
さらに長尺物の場合は、図3のように交互に多段配置し
処理することができる。処理装置12Aも前記処理装置
1Aと同様にガス導入ライン6を被処理基材4の孔に接
続することができる。
FIG. 3 is a schematic diagram of another processing apparatus 12A. The ring-shaped high-voltage electrode 2 and the ground-side electrode 3 are arranged inside the cylindrical electrode body 12. At this time, the distance between the electrodes 2 and 3 is the same as that of the high pressure side electrode 2 formed in a ring shape.
And 10% to 200% of the width of the ground electrode 3 is preferable.
Further, in the case of a long object, it can be arranged and processed alternately in multiple stages as shown in FIG. Similarly to the processing apparatus 1A, the processing apparatus 12A can connect the gas introduction line 6 to the hole of the substrate 4 to be processed.

【0030】図4はその他の処理装置13Aの概略図で
ある。円筒状電極本体13は、内側に添って、高圧側電
極2と、接地側電極3を対向して配置している。この
時、各電極2、3間の距離は高圧側電極2と、接地側電
極3の幅の10%〜200%が好ましく、円筒状電極本
体13の内径に応じて各電極2、3の幅と共に設定す
る。処理装置13Aも前記処理装置1Aと同様にガス導
入ライン6を被処理基材4の孔に接続することができる
が、図4に示すように被処理基材4の各孔にガス導入ラ
イン6e(6f)を介して、2本のガス導入ライン6
a、6bを接続した混合槽6Aを接続することにより各
孔に混合ガスを導入し、大気圧グロープラズマ処理を施
すことができる。
FIG. 4 is a schematic diagram of another processing apparatus 13A. The high voltage side electrode 2 and the ground side electrode 3 are arranged facing the inner side of the cylindrical electrode body 13. At this time, the distance between each of the electrodes 2 and 3 is preferably 10% to 200% of the width of the high-voltage side electrode 2 and the ground-side electrode 3, and the width of each electrode 2 and 3 depends on the inner diameter of the cylindrical electrode body 13. Set with. The processing apparatus 13A can also connect the gas introduction line 6 to the holes of the substrate 4 to be treated, as in the processing apparatus 1A. However, as shown in FIG. (6f), two gas introduction lines 6
By connecting the mixing tank 6A to which a and 6b are connected, a mixed gas can be introduced into each hole, and an atmospheric pressure glow plasma treatment can be performed.

【0031】また図5はその他の電極本体14の概略図
で、内面に潤滑剤8aをコーティング(塗布)し、外周
に導電性の金網(メッシュ)8を介在させて、高圧側電
極2と接地側電極3を交互に配置することにより、処理
の均一性を向上させることができ、またアルゴンガス、
窒素ガス等のガス雰囲気中においてより安定に大気圧グ
ロー放電プラズマ処理を行うことが出来る。電極本体1
4も前記処理装置1A、13Aの電極本体1、13と同
様に被処理基材4の孔にガス導入ライン6、6c、6
d、6e、6fを接続することができる。
FIG. 5 is a schematic view of another electrode body 14, in which a lubricant 8a is coated (applied) on the inner surface and a conductive wire mesh (mesh) 8 is interposed on the outer periphery to ground the high voltage side electrode 2 and ground. By arranging the side electrodes 3 alternately, the uniformity of the treatment can be improved.
Atmospheric pressure glow discharge plasma processing can be performed more stably in a gas atmosphere such as nitrogen gas. Electrode body 1
4 also has gas introduction lines 6, 6c, 6 in the holes of the substrate 4 to be treated in the same manner as the electrode bodies 1, 13 of the processing apparatuses 1A, 13A.
d, 6e and 6f can be connected.

【0032】図6は、その他の処理装置15Aの概略図
で、電極本体15は、例えばガラス等からなる絶縁性ハ
ウジング16にガラス管等からなる絶縁管9を挿入する
ことにより構成されている。絶縁管9の外周には高圧側
電極2と接地側電極3が二重らせん状に配置され、内面
には例えばテフロン等からなる潤滑剤8aがコーティン
グされている。絶縁管9と絶縁性ハウジング16との間
に形成される空間内には例えばシリコーンオイル等の絶
縁油17が充填され、これらは循環パイプ18、熱交換
器10を循環しながら冷却、又は加温される事により処
理温度の設定、管理を行うことができる。処理装置15
Aも前記処理装置1A、13Aと同様に被処理基材4の
孔にガス導入ライン6、6c、6d、6e、6fを接続
することができる。
FIG. 6 is a schematic view of another processing apparatus 15A. The electrode body 15 is constituted by inserting an insulating tube 9 made of a glass tube or the like into an insulating housing 16 made of, for example, glass. The high voltage side electrode 2 and the ground side electrode 3 are arranged in a double spiral around the outer periphery of the insulating tube 9, and the inner surface is coated with a lubricant 8 a made of, for example, Teflon or the like. The space formed between the insulating tube 9 and the insulating housing 16 is filled with insulating oil 17 such as silicone oil, for example, and cooled or heated while circulating through the circulation pipe 18 and the heat exchanger 10. By doing so, it is possible to set and manage the processing temperature. Processing unit 15
A can also connect the gas introduction lines 6, 6c, 6d, 6e, 6f to the holes of the substrate 4 to be processed, similarly to the processing apparatuses 1A, 13A.

【0033】電極本体15において、各電極2、3の配
置は図6に示したものに限定されず、二重らせん状(図
2)の他に、図3、4で示した配置も適用することがで
きる。
In the electrode body 15, the arrangement of the electrodes 2 and 3 is not limited to that shown in FIG. 6, and the arrangement shown in FIGS. be able to.

【0034】[0034]

【実施例】[実験例1] 内径5.0mmの孔を2個有する外径12.0mmの軟
質ポリ塩化ビニル製多孔チューブを洗浄乾燥後に試料と
し図1の電極本体1にセット後、多孔チューブ内に
(1)ヘリウム/四フッ化メタン(CF4)、(2)ヘ
リウム/アンモニア(NH3)、(3)アルゴン/六フ
ッ化プロピレン(HFP)の混合ガスを両方の孔に連続
的に導入し、大気圧近傍の圧力下20kHzの交流電圧
を10分間印加し大気圧グロープラズマ処理を行なっ
た。また、(4)ビニルピロリドン(VPy)を塗布乾
燥後、孔内にヘリウムガスを連続的に導入し、大気圧近
傍の圧力下20kHzの交流電圧を10分間印加し大気
圧グロープラズマ処理を行なった。その後、各試料につ
いて水に対する接触角の測定を行った。
EXAMPLES [Experimental Example 1] A soft polyvinyl chloride porous tube having an outer diameter of 12.0 mm having two holes with an inner diameter of 5.0 mm was washed, dried and set as a sample in the electrode body 1 of FIG. A mixed gas of (1) helium / methane tetrafluoride (CF 4 ), (2) helium / ammonia (NH 3 ), (3) argon / propylene hexafluoride (HFP) is continuously introduced into both holes. Then, an AC voltage of 20 kHz was applied under a pressure near the atmospheric pressure for 10 minutes to perform an atmospheric pressure glow plasma treatment. (4) After applying and drying vinylpyrrolidone (VPy), helium gas was continuously introduced into the holes, and an AC voltage of 20 kHz was applied under a pressure near the atmospheric pressure for 10 minutes to perform an atmospheric pressure glow plasma treatment. . Then, the contact angle with respect to water was measured for each sample.

【0035】[実験例1の結果] 表2に接触角の測定結果を示す。未処理PVCに対し、
CF4/He、HFP/Arでは接触角の上昇が見ら
れ、またNH3/He、VPy/Heにおいては接触角
の減少が見られ、大気圧グロープラズマ処理による多孔
チューブ内表面の親水、及び疎水化を確認された。 表1、大気圧グロー放電プラズマ処理後の接触角の変化
[Results of Experimental Example 1] Table 2 shows the measurement results of the contact angles. For untreated PVC,
CF 4 / He and HFP / Ar show an increase in the contact angle, and NH 3 / He and VPy / He show a decrease in the contact angle. Hydrophobization was confirmed. Table 1, Change in contact angle after atmospheric pressure glow discharge plasma treatment

【0036】[実験例2] 内径4.0mmの孔を2個有する外径10.0mmの軟
質ポリエチレン製多孔チューブを洗浄乾燥後に試料とし
図1の電極本体1にセット後、多孔チューブ内にヘリウ
ム/六フッ化プロピレン(HFP)の混合ガスを両方の
孔に連続的に導入し、大気圧近傍の圧力下20kHzの
交流電圧を10分間印加し大気圧グロープラズマ処理を
行ない。ATR−IR法による表面分析にて処理の確認
を行なった。[実験例2の結果] ATR−IRの測定結果を、図7に示す。大気圧グロー
プラズマ処理された表面は、1300〜1100cm-1
にC−F結合のものと思われる新規の吸収が現れてお
り、HFPの薄膜のポリエチレン製多孔チューブ内表面
への形成が確認された。
[Experimental Example 2] A porous polyethylene porous tube having an outer diameter of 10.0 mm having two holes with an inner diameter of 4.0 mm was washed and dried to obtain a sample, which was set on the electrode body 1 of FIG. A mixed gas of propylene / hexafluoride (HFP) is continuously introduced into both holes, and an AC voltage of 20 kHz is applied at a pressure near the atmospheric pressure for 10 minutes to perform an atmospheric pressure glow plasma treatment. The processing was confirmed by surface analysis by the ATR-IR method. [Results of Experimental Example 2] ATR-IR measurement results are shown in FIG. The surface subjected to the atmospheric pressure glow plasma treatment is 1300 to 1100 cm -1.
A new absorption which appears to be due to a C—F bond appeared, and the formation of a thin film of HFP on the inner surface of the polyethylene porous tube was confirmed.

【0037】[実験例3] 内径4.0mmの孔を2個有する外径10.0mmのポ
リウレタン製多孔チューブを洗浄乾燥後に試料とし図1
の電極本体1にセット後、ヘリウム/六フッ化プロピレ
ン(HFP)の混合ガスを、多孔チューブ中の1方の孔
に連続的に導入し、大気圧近傍の圧力下10kHzの交
流電圧を10分間印加し大気圧グロープラズマ処理を行
なった。この時、他の一方の孔にはガスを導入せず、一
方のみの選択処理とする。ATR−IR法による表面分
析にて処理の確認を行なった。
Experimental Example 3 A polyurethane porous tube having an outer diameter of 10.0 mm having two holes with an inner diameter of 4.0 mm was washed and dried to obtain a sample.
Helium / propylene hexafluoride (HFP) mixed gas is continuously introduced into one of the holes in the porous tube, and an AC voltage of 10 kHz under a pressure near the atmospheric pressure is applied for 10 minutes. Atmospheric pressure glow plasma treatment was performed by applying the voltage. At this time, no gas is introduced into the other one of the holes, and only one of the holes is selected. The processing was confirmed by surface analysis by the ATR-IR method.

【0038】[実験例3の結果] ATR−IRの測定結果を、図8に示す。のスペクト
ルは未処理孔、は大気圧グロープラズマ処理された孔
のスペクトルである。はポリウレタンのスペクトルを
示しているのに対し、は、ポリウレタン表面へHFP
薄膜形成によってC−F結合の吸収領域である1300
〜1100cm-1付近の吸収が増大していることから、
HFP薄膜のポリウレタン多孔チューブ内表面への孔部
選択的内面処理が確認された。
[Results of Experimental Example 3] ATR-IR measurement results are shown in FIG. Is the spectrum of the untreated pore, and is the spectrum of the pore subjected to the atmospheric pressure glow plasma treatment. Shows the spectrum of polyurethane, while HFP
1300 which is an absorption region of CF bond by forming a thin film
Since the absorption around ~ 1100 cm -1 is increasing,
The pore-selective inner surface treatment of the inner surface of the polyurethane porous tube of the HFP thin film was confirmed.

【0039】[0039]

【発明の効果】以上述べたように、本発明は、プラズマ
領域、及び容器内を高真空下に保つことなく、グロー放
電を安定に発生させるガス雰囲気中で、大気圧近傍の圧
力下に、交流電圧を印加し、グロープラズマ領域を形成
し、プラズマ開始重合、プラズマCVD、プラズマグラ
フト重合等の処理を行なうことができる。
As described above, according to the present invention, in a gas atmosphere in which a glow discharge is stably generated without maintaining a high vacuum in a plasma region and a container, a pressure near an atmospheric pressure is applied. An AC voltage is applied to form a glow plasma region, and processes such as plasma-initiated polymerization, plasma CVD, and plasma graft polymerization can be performed.

【0040】本発明は、従来の低温グロープラズマ法に
比べ、真空系の形成のための装置、設備が不要でコスト
的に有利であり、また、被処理基材の材質、形状、性状
を限定することなく、グラフト、薄膜形成等の孔の表面
処理を選択的に行なうことができる。
The present invention requires no equipment and equipment for forming a vacuum system and is advantageous in cost as compared with the conventional low-temperature glow plasma method, and limits the material, shape and properties of the substrate to be treated. Without this, it is possible to selectively perform surface treatment of the pores such as grafting and thin film formation.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明における処理装置の一例を示したもので
ある。
FIG. 1 shows an example of a processing apparatus according to the present invention.

【図2】図1の二重らせん型電極の拡大図を示したもの
である。
FIG. 2 is an enlarged view of the double helix electrode of FIG. 1;

【図3】処理装置のその他の形状例を示したものであ
る。
FIG. 3 shows another example of the shape of the processing apparatus.

【図4】処理装置のその他の形状例を示したものであ
る。
FIG. 4 shows another example of the shape of the processing apparatus.

【図5】処理装置のその他の形状例を示したものであ
る。
FIG. 5 shows another example of the shape of the processing apparatus.

【図6】処理装置の一例を示したものである。FIG. 6 shows an example of a processing apparatus.

【図7】実験例2で得た大気圧グロープラズマ処理チュ
ーブのATR−IRの測定結果
FIG. 7 shows ATR-IR measurement results of an atmospheric pressure glow plasma processing tube obtained in Experimental Example 2.

【図8】実験例3で得た大気圧グロープラズマ処理チュ
ーブのATR−IRの測定結果
FIG. 8 shows ATR-IR measurement results of an atmospheric pressure glow plasma processing tube obtained in Experimental Example 3.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1A、12A、13A、15A 処理装置 1、11、12、13、14、15 電極本体 2 高圧側電極 3 接地側電極 4 被処理基材(プラスチックチューブ) 5a、5b マスフローコントロールバルブ 6a、6b、6c、6d、6e、6f ガス導入ライン 6A 混合槽 6B 分岐バルブ 7 高周波電源 8 金網(メッシュ) 8a 潤滑剤 9 絶縁管 10 熱交換器 16 絶縁性ハウジング 17 絶縁油(シリコーンオイル) 18 循環パイプ ポリウレタン製多孔チューブの未処理孔部 ポリウレタン製多孔チューブの六フッ化プロピレン
/ヘリウム処理孔部
1A, 12A, 13A, 15A Processing apparatus 1, 11, 12, 13, 14, 15 Electrode main body 2 High voltage side electrode 3 Ground side electrode 4 Substrate to be processed (plastic tube) 5a, 5b Mass flow control valve 6a, 6b, 6c , 6d, 6e, 6f Gas introduction line 6A Mixing tank 6B Branch valve 7 High frequency power supply 8 Wire mesh (mesh) 8a Lubricant 9 Insulation tube 10 Heat exchanger 16 Insulating housing 17 Insulating oil (silicone oil) 18 Circulation pipe Untreated pores of the tube Propylene hexafluoride / helium treated pores of the polyurethane porous tube

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】多孔チューブ状被処理基材の孔内を大気圧
近傍の圧力下において、グロー放電を安定に発生させる
ガス若しくは処理ガス若しくはグロー放電を安定に発生
させるガスと処理ガスとの混合ガスの雰囲気中、または
前記混合ガスを連続的に導入しながら、交流電圧を印加
し、大気圧グロープラズマ処理を行なうことにより、多
孔チューブ状被処理基材の孔の表面を表面改質すること
を特徴とする多孔チューブ状被処理基材の処理方法。
1. A gas for generating a glow discharge stably or a processing gas, or a mixture of a gas for generating a glow discharge stably and a processing gas, at a pressure near the atmospheric pressure in the pores of a porous tube-shaped substrate to be processed. By applying an AC voltage and performing an atmospheric pressure glow plasma treatment in a gas atmosphere or while continuously introducing the mixed gas, the surface of the pore surface of the porous tubular substrate to be treated is surface-modified. A method for treating a porous tubular substrate to be treated, characterized by the following.
【請求項2】チューブの長さ方向に沿ってチューブの内
部に複数の孔が形成された多孔チューブ状被処理基材で
あって、グロー放電を安定に発生させるガス若しくは処
理ガス若しくはグロー放電を安定に発生させるガスと処
理ガスとの混合ガスの雰囲気中、または前記混合ガスを
連続的に導入しながら、交流電圧を印加し、大気圧グロ
ープラズマ処理を行なうことにより、前記孔の表面改質
が全ての孔または一部の孔に施されていることを特徴と
する多孔チューブ状被処理基材。
2. The inside of the tube along the length of the tube.
Multi-hole porous substrate with multiple holes formed
Gas or process for stably generating glow discharge.
Gas and gas that stably generate glow discharge
In an atmosphere of a gas mixture with a natural gas, or
While introducing continuously, an AC voltage is applied and the atmospheric pressure
-A porous tube-shaped substrate to be treated , wherein the surface of the holes is modified to all or some of the holes by performing a plasma treatment .
【請求項3】筒状の絶縁体に導電性材料よりなる高圧側
電極と接地側電極を装着した電極本体を有し、該電極本
体内に配置される多孔チューブ状被処理基材の孔にガス
導入ラインを接続し、前記ガス導入ラインに分岐バルブ
及び/又は混合槽を介して、グロー放電を安定に発生さ
せるガスの導入ライン及び/又は処理ガスの導入ライン
を接続した、ことを特徴とする多孔チューブ状被処理基
材の処理装置。
3. An electrode body in which a high-voltage side electrode and a ground side electrode made of a conductive material are mounted on a cylindrical insulator , and a hole of a porous tubular substrate to be processed disposed in the electrode body is provided. Connect the gas introduction line and branch valve to the gas introduction line
And / or a gas introduction line for stably generating glow discharge and / or a treatment gas introduction line connected via a mixing tank .
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