JP3210627B2 - Semiconductor manufacturing equipment - Google Patents
Semiconductor manufacturing equipmentInfo
- Publication number
- JP3210627B2 JP3210627B2 JP27844798A JP27844798A JP3210627B2 JP 3210627 B2 JP3210627 B2 JP 3210627B2 JP 27844798 A JP27844798 A JP 27844798A JP 27844798 A JP27844798 A JP 27844798A JP 3210627 B2 JP3210627 B2 JP 3210627B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- slit valve
- semiconductor manufacturing
- manufacturing apparatus
- valve door
- valve insert
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置に
関し、特に、開閉動作時における金属汚染やパーティク
ルの発生を防止するスリットバルブの改良に関するもの
である。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus and, more particularly, to an improvement in a slit valve for preventing the occurrence of metal contamination and particles during opening and closing operations.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図６は、枚葉式マルチチャンバ型半導体
製造装置の全体構成を示す概略平面図である。図におい
て、半導体製造装置１０は、トランスファチャンバ１２
を中心に、半導体ウェハを収容したウェハカセット（図
示しない）を配置したロードロックチャンバ１４、各種
のプロセスが実施されるプロセスチャンバ１６及びクー
ルダウンチャンバ１８が配置されている。トランスファ
チャンバ１２内には、半導体ウェハを搬送するウェハ搬
送ロボット２０が配置されている。また、トランスファ
チャンバ１２と、クールダウンチャンバ１８を除くロー
ドロックチャンバ１４又はプロセスチャンバ１６との間
は、開閉扉であるスリットバルブ部（図示しない）が設
けられており、エアーシリンダ等により開閉される。2. Description of the Related Art FIG. 6 is a schematic plan view showing the entire structure of a single-wafer multi-chamber type semiconductor manufacturing apparatus. In the figure, a semiconductor manufacturing apparatus 10 includes a transfer chamber 12
, A load lock chamber 14 in which a wafer cassette (not shown) containing semiconductor wafers is arranged, a process chamber 16 in which various processes are performed, and a cool-down chamber 18 are arranged. In the transfer chamber 12, a wafer transfer robot 20 for transferring a semiconductor wafer is arranged. A slit valve (not shown), which is an opening / closing door, is provided between the transfer chamber 12 and the load lock chamber 14 or the process chamber 16 excluding the cool down chamber 18, and is opened and closed by an air cylinder or the like. .
【０００３】図７は、従来の半導体製造装置におけるス
リットバルブ部の概略断面図である。図において、トラ
ンスファチャンバ１２とロードロックチャンバ１４又は
プロセスチャンバ１６との間には、スリットバルブ部２
２が形成されている。スリットバルブ部２２は、スリッ
トバルブインサート２３及びスリットバルブドア２４を
有し、ウェハ搬送ロボット２０により半導体ウェハ（図
示しない）が通過する際に、図示しないエアーシリンダ
等によりスリットバルブドア２４がスリットバルブイン
サート２３に対して開閉される。スリットバルブインサ
ート２３の対向面２５に面したスリットバルブドア２４
の表面２４ａには、Ｏ−リング２６が抜け止め用のアリ
溝２７に装着され、チャンバ間の気密性が維持される。FIG. 7 is a schematic sectional view of a slit valve section in a conventional semiconductor manufacturing apparatus. In the figure, a slit valve section 2 is provided between a transfer chamber 12 and a load lock chamber 14 or a process chamber 16.
2 are formed. The slit valve section 22 has a slit valve insert 23 and a slit valve door 24. When a semiconductor wafer (not shown) passes by the wafer transfer robot 20, the slit valve door 24 is moved by an air cylinder or the like (not shown). 23 is opened and closed. Slit valve door 24 facing opposite surface 25 of slit valve insert 23
An O-ring 26 is attached to a dovetail groove 27 for retaining the O-ring 26 on the surface 24a, thereby maintaining the airtightness between the chambers.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体製造装置
は以上のように構成され、ロードロックチャンバ１４の
ウェハカセットに搭載された半導体ウェハは、ウェハ搬
送ロボット２０により所定のシーケンスに従って、トラ
ンスファチャンバ１２を通り、プロセスチャンバ１６等
を移動する。その際、スリットバルブインサート２３及
びスリットバルブドア２４の材料が金属である場合、Ｏ
−リング２６によりチャンバ間の気密性が維持され、同
時にスリットバルブインサート２３及びスリットバルブ
ドア２４の接触が防止されている。ところが、Ｏ−リン
グ２６の劣化や弾力性の低下などにより、スリットバル
ブインサート２３の対向面２５及びスリットバルブドア
２４の表面２４ａが互いに接触する場合がある。この
時、この両者の接触により、金属汚染やパーティクルの
発生を生じ、半導体ウェハに重金属汚染、パーティクル
付着などの悪影響を及ぼすという問題点があった。The conventional semiconductor manufacturing apparatus is configured as described above. The semiconductor wafer mounted on the wafer cassette in the load lock chamber 14 is transferred by the wafer transfer robot 20 according to a predetermined sequence. Through the process chamber 16 and the like. At this time, when the material of the slit valve insert 23 and the slit valve door 24 is metal,
The ring 26 maintains the airtightness between the chambers and at the same time prevents the contact of the slit valve insert 23 and the slit valve door 24; However, the opposing surface 25 of the slit valve insert 23 and the surface 24a of the slit valve door 24 may come into contact with each other due to deterioration of the O-ring 26 or reduction of elasticity. At this time, there is a problem in that the contact between the two causes metal contamination and generation of particles, which adversely affects the semiconductor wafer such as heavy metal contamination and particle adhesion.
【０００５】本発明は、かかる事情に鑑みてなされたも
のであり、半導体ウェハに重金属汚染、パーティクル付
着などが起こることを防止する半導体製造装置を得るこ
とを目的とする。The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a semiconductor manufacturing apparatus for preventing heavy metal contamination, particle adhesion, and the like from occurring on a semiconductor wafer.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
発明は、複数のチャンバを有し所定のチャンバ間を開閉
して連通するスリットバルブ部を備えた枚葉式マルチチ
ャンバ型の半導体製造装置であって、前記スリットバル
ブ部は、半導体ウェハが内部を通過するスリットバルブ
インサートと、このスリットバルブインサートのトラン
スファチャンバ側を開閉するスリットバルブドアとを有
し、前記スリットバルブドアの表面及びその角部を覆っ
て、テトラフルオロエチレン又はポリイミド系樹脂テー
プからなるライナーが設けられていることを特徴とする
半導体製造装置である。According to a first aspect of the present invention, there is provided a single-wafer multi-chamber type semiconductor having a plurality of chambers and a slit valve portion for opening and closing predetermined chambers for communication. In the manufacturing apparatus, the slit valve portion has a slit valve insert through which a semiconductor wafer passes, and a slit valve door that opens and closes a transfer chamber side of the slit valve insert, and a surface of the slit valve door and A semiconductor manufacturing apparatus characterized in that a liner made of tetrafluoroethylene or polyimide resin tape is provided so as to cover the corner.
【０００７】請求項２に記載の発明は、複数のチャンバ
を有し所定のチャンバ間を開閉して連通するスリットバ
ルブ部を備えた枚葉式マルチチャンバ型の半導体製造装
置であって、前記スリットバルブ部は、半導体ウェハが
内部を通過するスリットバルブインサートと、このスリ
ットバルブインサートのトランスファチャンバ側を開閉
するスリットバルブドアとを有し、これらスリットバル
ブインサートの対向面及びスリットバルブドアの表面に
テトラフルオロエチレン又はポリイミド系樹脂テープか
らなるライナーが設けられていることを特徴とする半導
体製造装置である。According to a second aspect of the present invention, there is provided a single-wafer, multi-chamber type semiconductor manufacturing apparatus comprising a plurality of chambers and a slit valve portion for opening and closing predetermined chambers for communication. The valve part has a slit valve insert through which the semiconductor wafer passes, and a slit valve door that opens and closes the transfer chamber side of the slit valve insert. A semiconductor manufacturing apparatus comprising a liner made of a fluoroethylene or polyimide resin tape.
【０００８】請求項３に記載の発明は、ライナーが、前
記スリットバルブドアの全面に設けられ、かつ前記スリ
ットバルブインサートの全面に設けられていることを特
徴とする。請求項４に記載の発明は、複数のチャンバを
有し所定のチャンバ間を開閉して連通するスリットバル
ブ部を備えた枚葉式マルチチャンバ型の半導体製造装置
であって、前記スリットバルブ部は、半導体ウェハが内
部を通過するスリットバルブインサートと、このスリッ
トバルブインサートのトランスファチャンバ側を開閉す
るスリットバルブドアとを有し、前記スリットバルブド
アの表面及びその角部を覆って、テトラフルオロエチレ
ン又はポリイミド系樹脂テープからなるライナーが設け
られ、かつ前記スリットバルブインサートの対向面にテ
トラフルオロエチレン又はポリイミド系樹脂テープから
なるライナーが設けられていることを特徴とする半導体
製造装置である。The invention according to claim 3 is characterized in that a liner is provided on the entire surface of the slit valve door and on the entire surface of the slit valve insert. The invention according to claim 4 is a single-wafer, multi-chamber type semiconductor manufacturing apparatus including a plurality of chambers and a slit valve section that opens and closes a predetermined chamber to communicate with each other. A slit valve insert through which the semiconductor wafer passes, and a slit valve door that opens and closes the transfer chamber side of the slit valve insert, covering the surface of the slit valve door and its corners, tetrafluoroethylene or A semiconductor manufacturing apparatus, comprising: a liner made of a polyimide-based resin tape; and a liner made of tetrafluoroethylene or a polyimide-based resin tape provided on a surface facing the slit valve insert.
【０００９】この発明によれば、スリットバルブドアの
表面及びその角部を覆って、テトラフルオロエチレン又
はポリイミド系樹脂テープからなるライナーが設けられ
ているので、Ｏ−リングの劣化や弾力性の低下などによ
り、これらのスリットバルブインサート及びスリットバ
ルブドアが互いに接触しようとする場合にも、ライナー
によって接触が回避される。従って、スリットバルブイ
ンサート及びスリットバルブドアの接触による金属汚染
やパーティクルの発生が防止され、半導体ウェハに重金
属汚染やパーティクル付着などを生じない。According to the present invention, the liner made of tetrafluoroethylene or polyimide resin tape is provided so as to cover the surface of the slit valve door and its corners, so that the O-ring deteriorates and the elasticity decreases. For example, when the slit valve insert and the slit valve door try to contact each other, the contact is avoided by the liner. Therefore, generation of metal contamination and particles due to contact between the slit valve insert and the slit valve door is prevented, and heavy metal contamination and particle adhesion to the semiconductor wafer do not occur.
【００１０】ここで、この発明による半導体製造装置の
ライナーはテトラフルオロエチレンからなる。Here, the liner of the semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention is made of tetrafluoroethylene.
【００１１】あるいは、この発明による半導体製造装置
のライナーはポリイミド系樹脂テープからなる。Alternatively, the liner of the semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention comprises a polyimide resin tape.
【００１２】[0012]
【発明の実施の形態】以下、添付図面に基づき、本発明
に係る半導体製造装置の実施形態について説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.
【００１３】図１は、本発明の一実施形態による半導体
製造装置のスリットバルブ部の概略断面図である。な
お、各図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。ま
た、図６に示す枚葉式マルチチャンバ型半導体製造装置
の全体構成は従来技術において説明したが、本発明にお
いても同様に適用されるものである。FIG. 1 is a schematic sectional view of a slit valve section of a semiconductor manufacturing apparatus according to one embodiment of the present invention. In the drawings, the same reference numerals indicate the same or corresponding parts. Further, the overall configuration of the single-wafer multi-chamber type semiconductor manufacturing apparatus shown in FIG. 6 has been described in the related art, but is similarly applied to the present invention.
【００１４】図において、トランスファチャンバ１２と
ロードロックチャンバ１４又はプロセスチャンバ１６と
の間には、スリットバルブ部２２が形成されている。ス
リットバルブ部２２は、スリットバルブインサート２３
Ａ及びスリットバルブドア２４Ａを有し、ウェハ搬送ロ
ボット２０により半導体ウェハ（図示しない）が通過す
る際に、図示しないエアーシリンダ等によりスリットバ
ルブドア２４Ａがスリットバルブインサート２３Ａに対
して開閉される。スリットバルブインサート２３Ａの対
向面２５Ａに面したスリットバルブドア２４Ａの表面２
４ａには、ライナー３０が設けられている。このライナ
ー３０は、テトラフルオロエチレン例えばテフロン（デ
ュポン社製商標名）をライニングしたり、ポリイミド系
樹脂テープ例えばカプトンテープを貼り付けるなど、従
来法により設けることができる。In FIG. 1, a slit valve portion 22 is formed between the transfer chamber 12 and the load lock chamber 14 or the process chamber 16. The slit valve section 22 includes a slit valve insert 23.
A and a slit valve door 24A, and when the semiconductor wafer (not shown) passes by the wafer transfer robot 20, the slit valve door 24A is opened and closed with respect to the slit valve insert 23A by an air cylinder or the like (not shown). Surface 2 of slit valve door 24A facing opposed surface 25A of slit valve insert 23A
A liner 30 is provided in 4a. The liner 30 can be provided by a conventional method such as lining with tetrafluoroethylene such as Teflon (trade name of DuPont) or attaching a polyimide resin tape such as Kapton tape.
【００１５】さらに、図２及び３に示すように、スリッ
トバルブドア２４Ａの表面２４ａには、その周縁部に抜
け止め用のアリ溝２７が形成されており、このアリ溝２
７にＯ−リング２６が装着され、チャンバ間の気密性が
維持される。Further, as shown in FIGS. 2 and 3, on the surface 24a of the slit valve door 24A, a dovetail groove 27 is formed at a peripheral portion thereof for preventing the slit valve door 24A from coming off.
The O-ring 26 is attached to the, and the airtightness between the chambers is maintained.
【００１６】本発明による半導体製造装置は以上のよう
に構成され、ロードロックチャンバ１４のウェハカセッ
トに搭載された半導体ウェハは、ウェハ搬送ロボット２
０により所定のシーケンスに従って、トランスファチャ
ンバ１２を通り、プロセスチャンバ１６等を移動する。
その際、スリットバルブドア２４Ａが図示しないエアー
シリンダ等によりスリットバルブインサート２３Ａに対
して開閉され、スリットバルブインサート２３Ａ及びス
リットバルブドア２４Ａの材料が金属である場合、Ｏ−
リング２６によりチャンバ間の気密性が維持されると共
に、スリットバルブインサート２３Ａ及びスリットバル
ブドア２４Ａの接触が防止されている。The semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention is configured as described above. The semiconductor wafer mounted on the wafer cassette of the load lock chamber 14 is
According to a predetermined sequence according to 0, the process chamber 16 and the like are moved through the transfer chamber 12.
At this time, when the slit valve door 24A is opened and closed with respect to the slit valve insert 23A by an air cylinder (not shown) or the like, and the material of the slit valve insert 23A and the slit valve door 24A is a metal,
The airtightness between the chambers is maintained by the ring 26, and the contact between the slit valve insert 23A and the slit valve door 24A is prevented.
【００１７】ところが、Ｏ−リング２６の劣化や弾力性
の低下などにより、スリットバルブインサート２３Ａの
対向面２５及びスリットバルブドア２４Ａの表面２４ａ
が互いに接触しようとする場合にも、スリットバルブド
ア２４Ａの表面２４ａに設けられたライナー３０の弾力
性によって接触が回避される。従って、スリットバルブ
インサート２３Ａ及びスリットバルブドア２４Ａの接触
による金属汚染やパーティクルの発生が防止され、半導
体ウェハに重金属汚染、パーティクル付着などを生じな
い。また、ライナー３０の材料となる有機系高分子材料
は、高温となるチャンバ内では気化するため、半導体ウ
ェハの汚染源となることはない。However, the opposing surface 25 of the slit valve insert 23A and the surface 24a of the slit valve door 24A due to the deterioration of the O-ring 26 and the decrease in elasticity.
Also attempt to contact each other due to the elasticity of the liner 30 provided on the surface 24a of the slit valve door 24A. Therefore, the generation of metal contamination and particles due to the contact between the slit valve insert 23A and the slit valve door 24A is prevented, and heavy metal contamination and particle adhesion to the semiconductor wafer do not occur. Further, the organic polymer material used as the material of the liner 30 is vaporized in the high temperature chamber, so that it does not become a contamination source of the semiconductor wafer.
【００１８】なお、上述した実施形態では、ライナー３
０をスリットバルブドア２４Ａの表面２４ａに設けた場
合について説明したが、図４に示すように、ライナー３
０をスリットバルブドア２４Ａの表面だけでなくその側
面にも設けてもよく、さらに、裏面を含めたスリットバ
ルブドア２４Ａの全面に設けてもよい。また、図５に示
すように、スリットバルブインサート２３Ａの対向面２
５Ａの表面にも共にライナーを設けてもよく、さらに金
属汚染やパーティクルの発生が防止される。一方、スリ
ットバルブインサート２３Ａの対向面２５Ａのみにライ
ナーを設けてもよく、上述と同様な効果が得られる。ま
た、スリットバルブインサート２３Ａの全面にライナー
を設けてもよい。In the above embodiment, the liner 3
0 is provided on the surface 24a of the slit valve door 24A, but as shown in FIG.
0 may be provided not only on the front surface of the slit valve door 24A but also on its side surface, and may be provided on the entire surface of the slit valve door 24A including the back surface. As shown in FIG. 5, the opposite surface 2 of the slit valve insert 23A is formed.
A liner may also be provided on the surface of 5A, further preventing metal contamination and generation of particles. On the other hand, a liner may be provided only on the facing surface 25A of the slit valve insert 23A, and the same effect as described above can be obtained. Further, a liner may be provided on the entire surface of the slit valve insert 23A.
【００１９】さらに、ライナー３０は、テフロン（登録
商標）やカプトン（登録商標）テープに限らず、ライニ
ングできる材料であって、耐摩耗性を有し高温において
気化し得る材料であれば、同様に使用することができ
る。なお、テフロンは耐腐食性が高いため、腐食性の高
い処理ガスが使用される場合にも、好適に使用すること
ができる。また、半導体製造装置としては、エピタキシ
ャル成長装置や高速熱処理アニール装置、熱ＣＶＤ装置
等、種々のプロセスを実施する装置が適用可能である。Further, the liner 30 is not limited to Teflon (registered trademark) or Kapton (registered trademark) tape, but may be any other material that can be lined, as long as it has abrasion resistance and can be vaporized at high temperatures. Can be used. Since Teflon has high corrosion resistance, it can be suitably used even when a highly corrosive processing gas is used. Further, as the semiconductor manufacturing apparatus, an apparatus for performing various processes, such as an epitaxial growth apparatus, a high-speed heat treatment annealing apparatus, and a thermal CVD apparatus, is applicable.
【００２０】[0020]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
スリットバルブインサートの対向面及びスリットバルブ
ドアの表面の少なくとも一方にライナーが設けられてい
るので、Ｏ−リングの劣化や弾力性の低下などにより、
これらのスリットバルブインサート及びスリットバルブ
ドアが互いに接触しようとする場合にも、ライナーによ
って接触が回避される。従って、スリットバルブインサ
ート及びスリットバルブドアの接触による金属汚染やパ
ーティクルの発生が防止され、半導体ウェハに重金属汚
染やパーティクル付着などを生じない半導体製造装置が
得られるという効果を奏する。As described above, according to the present invention,
Since the liner is provided on at least one of the facing surface of the slit valve insert and the surface of the slit valve door, deterioration of the O-ring or deterioration of elasticity causes
If the slit valve insert and slit valve door try to contact each other, contact is avoided by the liner. Therefore, it is possible to prevent the occurrence of metal contamination and particles due to the contact between the slit valve insert and the slit valve door, and to obtain a semiconductor manufacturing apparatus that does not cause heavy metal contamination or particle adhesion on the semiconductor wafer.
【図１】本発明の一実施形態による半導体製造装置のス
リットバルブ部の概略断面図である。FIG. 1 is a schematic sectional view of a slit valve section of a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図２】スリットバルブドアの正面図である。FIG. 2 is a front view of a slit valve door.
【図３】図２のＡ−Ａ線に沿った概略断面図である。FIG. 3 is a schematic sectional view taken along line AA of FIG. 2;
【図４】ライナーが全面に設けられた状態を示すスリッ
トバルブドアの概略部分断面図である。FIG. 4 is a schematic partial sectional view of a slit valve door showing a state where a liner is provided on the entire surface.
【図５】スリットバルブインサート先端の概略断面図で
ある。FIG. 5 is a schematic sectional view of the tip of a slit valve insert.
【図６】枚葉式マルチチャンバ型半導体製造装置の全体
構成を示す概略平面図である。FIG. 6 is a schematic plan view showing the overall configuration of a single-wafer multi-chamber semiconductor manufacturing apparatus.
【図７】従来の半導体製造装置におけるスリットバルブ
部の概略断面図である。FIG. 7 is a schematic sectional view of a slit valve section in a conventional semiconductor manufacturing apparatus.
１０…半導体製造装置、１２…トランスファチャンバ、
１４…ロードロックチャンバ、１６…プロセスチャン
バ、１８…クールダウンチャンバ、２０…ウェハ搬送ロ
ボット、２２…スリットバルブ部、２３Ａ…スリットバ
ルブインサート、２４ａ…表面、２４Ａ…スリットバル
ブドア、２５Ａ…対向面、２６…Ｏ−リング、２７…ア
リ溝、３０…ライナー。10: semiconductor manufacturing apparatus, 12: transfer chamber,
14: load lock chamber, 16: process chamber, 18: cool down chamber, 20: wafer transfer robot, 22: slit valve unit, 23A: slit valve insert, 24a: surface, 24A: slit valve door, 25A: facing surface, 26 ... O-ring, 27 ... Dovetail, 30 ... Liner.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 有馬 靖二 千葉県成田市新泉14−３野毛平工業団地 内 アプライド マテリアルズ ジャパ ン 株式会社内 (56)参考文献 特開 平11−63236（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−153813（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−60374（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−50791（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/02 - 21/479 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Yasuji Arima 14-3 Shinizumi, Narita City, Chiba Pref. Nogedaira Industrial Park Applied Materials Japan Co., Ltd. (56) References JP-A-7-153813 (JP, A) JP-A-8-60374 (JP, A) JP-A-10-50791 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H01L 21/02-21/479
Claims (4)
を開閉して連通するスリットバルブ部を備えた枚葉式マ
ルチチャンバ型の半導体製造装置であって、前記スリッ
トバルブ部は、半導体ウェハが内部を通過するスリット
バルブインサートと、このスリットバルブインサートの
トランスファチャンバ側を開閉するスリットバルブドア
とを有し、前記スリットバルブドアの表面及びその角部
を覆って、テトラフルオロエチレン又はポリイミド系樹
脂テープからなるライナーが設けられていることを特徴
とする半導体製造装置。1. A single-wafer multi-chamber type semiconductor manufacturing apparatus comprising a plurality of chambers and a slit valve section for opening and closing predetermined chambers to communicate with each other, wherein the slit valve section comprises a semiconductor wafer. It has a slit valve insert passing therethrough, and a slit valve door for opening and closing the transfer chamber side of the slit valve insert, and covers the surface of the slit valve door and its corners, and is a tetrafluoroethylene or polyimide resin tape. A semiconductor manufacturing apparatus comprising a liner made of:
を開閉して連通するスリットバルブ部を備えた枚葉式マ
ルチチャンバ型の半導体製造装置であって、前記スリッ
トバルブ部は、半導体ウェハが内部を通過するスリット
バルブインサートと、このスリットバルブインサートの
トランスファチャンバ側を開閉するスリットバルブドア
とを有し、これらスリットバルブインサートの対向面及
びスリットバルブドアの表面にテトラフルオロエチレン
又はポリイミド系樹脂テープからなるライナーが設けら
れていることを特徴とする半導体製造装置。2. A single-wafer, multi-chamber type semiconductor manufacturing apparatus comprising a plurality of chambers and a slit valve section for opening and closing predetermined chambers to communicate with each other. It has a slit valve insert passing therethrough, and a slit valve door for opening and closing the transfer chamber side of the slit valve insert, and a tetrafluoroethylene or polyimide resin tape is provided on the opposite surface of the slit valve insert and the surface of the slit valve door. A semiconductor manufacturing apparatus comprising a liner made of:
アの全面に設けられ、かつ前記スリットバルブインサー
トの全面に設けられていることを特徴とする請求項２に
記載の半導体製造装置。3. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 2, wherein the liner is provided on an entire surface of the slit valve door, and is provided on an entire surface of the slit valve insert.
を開閉して連通するスリットバルブ部を備えた枚葉式マ
ルチチャンバ型の半導体製造装置であって、前記スリッ
トバルブ部は、半導体ウェハが内部を通過するスリット
バルブインサートと、このスリットバルブインサートの
トランスファチャンバ側を開閉するスリットバルブドア
とを有し、前記スリットバルブドアの表面及びその角部
を覆って、テトラフルオロエチレン又はポリイミド系樹
脂テープからなるライナーが設けられ、かつ前記スリッ
トバルブインサートの対向面にテトラフルオロエチレン
又はポリイミド系樹脂テープからなるライナーが設けら
れていることを特徴とする半導体製造装置。4. A single-wafer, multi-chamber type semiconductor manufacturing apparatus comprising a plurality of chambers and a slit valve section for opening and closing predetermined chambers to communicate with each other. It has a slit valve insert passing therethrough, and a slit valve door for opening and closing the transfer chamber side of the slit valve insert, and covers the surface of the slit valve door and its corners, and is a tetrafluoroethylene or polyimide resin tape. And a liner made of tetrafluoroethylene or polyimide resin tape is provided on a surface facing the slit valve insert.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27844798A JP3210627B2 (en) | 1998-09-30 | 1998-09-30 | Semiconductor manufacturing equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27844798A JP3210627B2 (en) | 1998-09-30 | 1998-09-30 | Semiconductor manufacturing equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000114179A JP2000114179A (en) | 2000-04-21 |
| JP3210627B2 true JP3210627B2 (en) | 2001-09-17 |
Family
ID=17597473
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27844798A Expired - Fee Related JP3210627B2 (en) | 1998-09-30 | 1998-09-30 | Semiconductor manufacturing equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3210627B2 (en) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000349031A (en) * | 1999-05-27 | 2000-12-15 | Applied Materials Inc | Semiconductor manufacturing device |
| US6889627B1 (en) * | 2001-08-08 | 2005-05-10 | Lam Research Corporation | Symmetrical semiconductor reactor |
| US20050109276A1 (en) * | 2003-11-25 | 2005-05-26 | Applied Materials, Inc. | Thermal chemical vapor deposition of silicon nitride using BTBAS bis(tertiary-butylamino silane) in a single wafer chamber |
| JP4821314B2 (en) * | 2005-12-26 | 2011-11-24 | ダイキン工業株式会社 | Valve body for semiconductor manufacturing apparatus and method for manufacturing the same |
| JP5243089B2 (en) * | 2008-04-09 | 2013-07-24 | 東京エレクトロン株式会社 | Seal structure of plasma processing apparatus, sealing method, and plasma processing apparatus |
| US8011381B2 (en) * | 2008-10-02 | 2011-09-06 | Applied Material, Inc. | Balanced purge slit valve |
| JP5190387B2 (en) * | 2009-01-16 | 2013-04-24 | 東京エレクトロン株式会社 | Vacuum apparatus and substrate processing apparatus |
-
1998
- 1998-09-30 JP JP27844798A patent/JP3210627B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000114179A (en) | 2000-04-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100960773B1 (en) | Double dual slot load lock for process equipment | |
| US8231940B2 (en) | Wafer processing method with carrier hub removal | |
| JP3579278B2 (en) | Vertical heat treatment device and sealing device | |
| US5578132A (en) | Apparatus for heat treating semiconductors at normal pressure and low pressure | |
| JP3556804B2 (en) | Processing device and processing method | |
| JP2000216105A5 (en) | ||
| US7431813B2 (en) | Multi-chambered substrate processing equipment having sealing structure between chambers thereof, and method of assembling such equipment | |
| JP2009200518A (en) | Large area substrate transferring method | |
| US20110114022A1 (en) | Wafer carrier with hub | |
| JP3210627B2 (en) | Semiconductor manufacturing equipment | |
| JPH05343342A (en) | Thermal treatment equipment | |
| KR20220157468A (en) | batch thermal process chamber | |
| US6403926B2 (en) | Thermal processing apparatus having a coolant passage | |
| US20180294153A1 (en) | Apparatus And Methods For Backside Passivation | |
| US20170221738A1 (en) | Substrate processing apparatus | |
| TW202420475A (en) | High pressure substrate processing apparatus | |
| US20220148858A1 (en) | Substrate processing system | |
| JP3507220B2 (en) | Semiconductor manufacturing equipment | |
| JP3043848B2 (en) | Processing equipment | |
| US20070202694A1 (en) | Method of forming a layer and method of removing reaction by-products | |
| JP2002009010A (en) | Thermal treatment and method | |
| JPH07122540A (en) | Etching system | |
| TWI828245B (en) | Apparatus and methods for reducing substrate cool down time | |
| JP3023967B2 (en) | Heat treatment equipment | |
| JP2000021799A (en) | Single-wafer processing type treatment apparatus |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20000501 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20010625 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070713 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080713 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |