JP3202335B2 - Vaporizer in liquid material supply system - Google Patents
Vaporizer in liquid material supply systemInfo
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体製造にお
いて用いる四塩化ケイ素（ＳｉＣｌ4 ）などのガスを、
液体材料を気化することによって供給する液体材料供給
システムにおける気化器（以下、単に気化器と云う）に
関する。The present invention relates, for example a gas such as silicon tetrachloride (SiCl 4) is used in semiconductor manufacturing,
The present invention relates to a vaporizer (hereinafter, simply referred to as a vaporizer) in a liquid material supply system that supplies a liquid material by vaporizing the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、前記気化器として、図３（Ａ）に
示すように、内部に液体材料Ｌが流れる金属製の細管４
１を、ヒータ４２を内蔵したヒータブロック４３に対し
てその一端側から挿入し、ヒータ４２によって加熱する
ことにより細管４１内において液体材料Ｌを気化し、ヒ
ータブロック４３の他端側から気化ガスＧを導出するよ
うにしていた。2. Description of the Related Art Conventionally, as a vaporizer, as shown in FIG. 3A, a thin metal tube 4 in which a liquid material L flows.
1 is inserted into a heater block 43 having a heater 42 therein from one end thereof, and is heated by the heater 42 to vaporize the liquid material L in the thin tube 41. Was derived.
【０００３】しかしながら、上記従来技術においては、
細管４１内において気化ガスＧが、図３（Ｂ）に示すよ
うに、液体材料Ｌの間に挟まれるようになることがある
が、細管４１内がこのような状態にあるときは圧力変動
が大きくなり、突沸が生じるなどして配管４１が破壊さ
れることがあるほか、配管４１が破壊されるに至らない
までも、上流側の液体材料供給ラインにおける液体供給
が大きく乱されたり、また、下流側のガス供給ラインや
半導体製造などにおいて不測の事態を招来することがあ
った。However, in the above prior art,
As shown in FIG. 3 (B), the vaporized gas G may be interposed between the liquid materials L in the thin tube 41, but when the inside of the thin tube 41 is in such a state, pressure fluctuations occur. In addition, the pipe 41 may be broken due to bumping, etc., and even before the pipe 41 is broken, the liquid supply in the liquid material supply line on the upstream side is greatly disturbed, An unexpected situation may be caused in a gas supply line on the downstream side, semiconductor manufacturing, or the like.
【０００４】そこで、本願発明者は、上述のような問題
点を解決するものとして、一定流量で供給される液体の
気化に基づく圧力変動が極めて少なく、液体材料を安定
に気化してこれを安定に供給することができる気化器を
提案している〔特願平２−１５１２７０号（特開平４−
４５８３８号）〕。In order to solve the above-mentioned problems, the inventor of the present application has found that the pressure fluctuation due to the vaporization of a liquid supplied at a constant flow rate is extremely small, and the liquid material is stably vaporized to stabilize it. [Japanese Patent Application No. 2-151270 (Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 4-151270)].
No. 45838)].
【０００５】図２は、上記出願に係る気化器を示すもの
で、この図において、２１は熱伝導性並びに耐腐食性の
良好な金属よりなるパイプで、熱伝導性の良好なヒータ
ブロック２２に開設された貫通孔２３内を挿通するよう
に設けられている。ヒータブロック２２内には、ヒータ
ブロック２２およびパイプ２１を加熱するためのヒータ
２４が内蔵されている。パイプ２１のヒータブロック２
２内の部分には、熱伝導性並びに耐腐食性の良好な粉体
２５が充填されていると共に、その上流側の入口側に
は、先端に細径部２６を備えた液体材料Ｌの導入管２７
がパイプ２１と同心的に挿入してあって、気化室２８に
形成してある。２９, ３０は気化室２８の両端部近傍に
設けられるメッシュ体である。FIG. 2 shows a vaporizer according to the above-mentioned application. In this figure, reference numeral 21 denotes a pipe made of a metal having good thermal conductivity and corrosion resistance. It is provided so as to pass through the opened through hole 23. The heater block 22 includes a heater 24 for heating the heater block 22 and the pipe 21. Heater block 2 of pipe 21
2 is filled with a powder 25 having good thermal conductivity and corrosion resistance, and a liquid material L having a small-diameter portion 26 at the tip is introduced into an upstream inlet side thereof. Tube 27
Are formed concentrically with the pipe 21 and are formed in the vaporization chamber 28. Reference numerals 29 and 30 denote mesh bodies provided near both ends of the vaporization chamber 28.
【０００６】３１は図外の液体材料源に接続された液体
材料供給管で、継手部材３２を介して前記液体材料導入
管２７の上流側に接続されている。３３はパイプ２１の
下流端に設けられる気化ガスＧとキャリアガスＣＧとの
混合ガスの導出口で、その下流側には、例えば半導体製
造装置（図外）が接続される。３４はキャリアガスＣＧ
の導入管で、その上流側は図外のキャリアガス源に接続
されており、また、下流側は熱伝導性並びに耐腐食性の
良好な金属よりなるブロック状の管継手35を介して前記
パイプ２１の上流側に接続されている。３６はヒータブ
ロック２２、キャリアガス導入管３４および管継手３５
を収容するための断熱構造のハウジングである。Reference numeral 31 denotes a liquid material supply pipe connected to a liquid material source (not shown), which is connected to the upstream side of the liquid material introduction pipe 27 via a joint member 32. Reference numeral 33 denotes an outlet for a mixed gas of the vaporized gas G and the carrier gas CG provided at the downstream end of the pipe 21, and a downstream side thereof is connected to, for example, a semiconductor manufacturing apparatus (not shown). 34 is a carrier gas CG
The upstream side of the pipe is connected to a carrier gas source (not shown), and the downstream side of the pipe is connected via a block-shaped pipe joint 35 made of a metal having good thermal conductivity and corrosion resistance. 21 is connected to the upstream side. 36 is a heater block, a carrier gas introduction pipe and a pipe joint
This is a housing having a heat insulating structure for accommodating therein.
【０００７】上記構成の気化器を用いて液体材料Ｌを気
化するには、まず、ヒータ２４を発熱させて気化室２８
内に充填された粉体２５を所定の温度に加熱する。この
状態において、キャリアガスＣＧをキャリアガス導入管
３４を経てパイプ２１内に導入しながら液体材料導入管
２７を介して液体材料Ｌを気化室２８内に導入する。こ
のとき、液体材料Ｌは、細径部２６を経て加熱された粉
体２５内に導入されてこれと接触し、その接触面積が大
きいため、液体材料Ｌは、短時間のうちに気化して所望
の気化ガスＧになる。In order to vaporize the liquid material L using the vaporizer having the above-described structure, first, the heater 24 is heated and the vaporization chamber 28 is heated.
The powder 25 filled therein is heated to a predetermined temperature. In this state, the liquid material L is introduced into the vaporization chamber 28 through the liquid material introduction tube 27 while introducing the carrier gas CG into the pipe 21 via the carrier gas introduction tube 34. At this time, the liquid material L is introduced into the heated powder 25 via the small-diameter portion 26 and comes into contact therewith. Since the contact area is large, the liquid material L is vaporized in a short time. The desired vaporized gas G is obtained.
【０００８】この場合、液体材料導入管２７内を流れて
きた液体材料Ｌは、これよりも小径の細径部２６を経て
粉体２５側に流れ出るので、突沸することがなくスムー
ズに気化が行われると共に、気化によって圧力上昇が生
じても、その圧力は細径部２６によって緩和されるの
で、上流側には圧力上昇圧が急激に伝わることがなく、
従って、液体材料Ｌを供給するラインへの悪影響がなく
なる。そして、前記気化により発生したガスＧは、パイ
プ２１およびメッシュ体２９を経て気化室２８内に導入
されているキャリアガスＣＧによって、メッシュ３０を
経て、速やかに下流側に導出され、下流側の半導体製造
装置（図外）に気化ガスＧを供給することができる。In this case, the liquid material L flowing through the liquid material introduction pipe 27 flows out to the powder 25 through the small diameter portion 26 having a smaller diameter than the liquid material L, so that the vaporization is smoothly performed without bumping. In addition, even if the pressure rises due to vaporization, the pressure is relieved by the small-diameter portion 26, so that the pressure rise pressure is not rapidly transmitted to the upstream side,
Therefore, there is no adverse effect on the line for supplying the liquid material L. The gas G generated by the vaporization passes through the mesh 30 by the carrier gas CG introduced into the vaporization chamber 28 via the pipe 21 and the mesh body 29.
After that, the vaporized gas G is quickly discharged to the downstream side and can be supplied to the semiconductor manufacturing apparatus (not shown) on the downstream side.
【０００９】[0009]
【発明が解決しようとする課題】上述のように、前記出
願に係る気化器は、極めて優れた性能を備えているので
あるが、その後の本発明者の研究により、次のような欠
点が見出されるに至った。すなわち、前記気化器におい
ては、断熱構造のハウジング３６内にキャリアガス導入
管３４を設け、キャリアガス導入管３４がヒータブロッ
ク２２からの輻射熱によって加熱され、キャリアガスＣ
Ｇをある程度の温度に保温することができ、気化ガスＧ
との温度差がほとんどなく、従って、気化ガスＧが冷却
されて液化されるのを防止できると云った利点がある
が、ハウジング３６内にキャリアガス導入管３４を設け
るため、それだけ、気化器が大型化すると云った問題点
があった。As described above, the vaporizer according to the above-mentioned application has extremely excellent performance, but the following drawbacks have been found by research conducted by the present inventors. It came to be. That is, in the vaporizer, a carrier gas introduction pipe 34 is provided in a housing 36 having a heat insulating structure, and the carrier gas introduction pipe 34 is heated by radiant heat from the heater block 22 so that the carrier gas C
G can be kept at a certain temperature.
And there is an advantage that the vaporized gas G can be prevented from being cooled and liquefied. However, since the carrier gas introduction pipe 34 is provided in the housing 36, the vaporizer can be reduced accordingly. There was a problem that the size was increased.
【００１０】これに対して、ハウジング３６を省略する
ことが考えられる。しかしながら、この場合は次のよう
な問題点がある。すなわち、ハウジング３６を省略する
場合は、キャリアガス導入管３４を他のヒータなどによ
って予め加熱する必要があるが、このための施工が煩わ
しく、また、キャリアガスＣＧの流量によっては、キャ
リアガス導入管３４の加熱部分を長くする必要があり、
気化器およびその周辺の構成が大掛かりになると云った
問題点が生じてくるのである。On the other hand, the housing 36 may be omitted. However, in this case, there are the following problems. That is, when the housing 36 is omitted, it is necessary to heat the carrier gas introduction pipe 34 in advance with another heater or the like, but the work for this is troublesome, and depending on the flow rate of the carrier gas CG, the carrier gas introduction pipe is It is necessary to lengthen the heating part of 34,
This causes a problem that the configuration of the vaporizer and its surroundings becomes large.
【００１１】本発明は、上述の事柄に留意してなされた
もので、その目的とするところは、気化器並びにその周
辺の構造を簡素化し、よりコンパクトな気化器を提供す
ることにある。The present invention has been made in consideration of the above-mentioned matters, and an object of the present invention is to provide a more compact vaporizer by simplifying the structure of the vaporizer and its peripheral structure. It is in.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明においては、ヒーターを内蔵したヒーターブ
ロック内に、内部に熱伝導性並びに耐腐食性の良好な粉
体を充填してなる気化室が形成され、この気化室に液体
材料源に接続された液体導入管が接続され、この液体導
入管から導入された液体材料を加熱された前記粉体に接
触させることにより気化し、この気化により発生したガ
スを気化室内に導入されたキャリアガスによって気化室
の外部に導出するようにした液体材料供給システムにお
ける気化器において、気化室に対するキャリアガス導入
部の接続個所より下流側でこの気化室の側部に液体材料
導入部が形成されている。According to the present invention, there is provided a heater block having a built-in heater.
Powder with good heat conductivity and corrosion resistance inside the lock
A vaporization chamber filled with the body is formed, and the liquid
The liquid inlet tube connected to the material source is connected and this liquid
The liquid material introduced from the inlet pipe contacts the heated powder.
Vaporized by causing tactile, in the vaporizer in a liquid material supply system adapted to derive the outside of the vaporization chamber by the carrier gas introduced to the gas generated by the vaporization vaporization chamber, the carrier gas introduction unit for vaporizing chamber A liquid material introduction section is formed on the side of the vaporization chamber downstream of the connection point .
【００１３】[0013]
【作用】上記構成の気化器においては、気化室内に導入
されたキャリアガスは、液体材料が気化される部位に到
達するまでの間に十分に熱交換されて所定の温度を維持
している。従って、キャリアガスの導入によって前記気
化部位の温度低下を最小限に止めることができるので、
液体材料の気化が妨げられることはなく、従って、気化
ガスをスムーズに発生させることができる。In the vaporizer having the above-described structure, the carrier gas introduced into the vaporization chamber is sufficiently exchanged with heat until the liquid material reaches the portion where the liquid material is vaporized, and maintains the predetermined temperature. Therefore, since the temperature decrease in the vaporized portion can be minimized by introducing the carrier gas,
The vaporization of the liquid material is not hindered, so that the vaporized gas can be generated smoothly.
【００１４】そして、キャリアガスを予熱するヒータな
どを別途設ける必要がないので、気化器周辺の構造が極
めてシンプルになる。Since there is no need to separately provide a heater or the like for preheating the carrier gas, the structure around the vaporizer becomes extremely simple.
【００１５】[0015]
【実施例】以下、本発明の実施例を、図面を参照しなが
ら説明する。図１は、本発明に係る気化器の一例を示
し、この図において、１は例えばステンレス鋼など熱伝
導性並びに耐腐食性の良好な金属よりなるパイプで、例
えばアルミニウムなど熱伝導性の良好なヒータブロック
２に開設された貫通孔３内を挿通するように設けられて
いる。ヒータブロック２内には、パイプ１およびヒータ
ブロック２を加熱するためのヒータ４が内蔵されてい
る。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows an example of a vaporizer according to the present invention. In this figure, reference numeral 1 denotes a pipe made of a metal having good thermal conductivity and corrosion resistance such as stainless steel, for example, having good thermal conductivity such as aluminum. The heater block 2 is provided so as to pass through the inside of a through hole 3 opened in the heater block 2. A heater 4 for heating the pipe 1 and the heater block 2 is built in the heater block 2.
【００１６】そして、パイプ１のヒータブロック２内の
部分には、熱伝導性並びに耐腐食性の良好な粉体５がフ
ィルタとしても機能するメッシュ体６，７に封止される
ようにして充填され、気化室８に形成してある。前記粉
体５としては、例えばステンレス鋼やチタンなどの金属
またはＳｉＣなどのセラミックスを、直径が１００μｍ
以上、好ましくは１２０μｍ程度の粉体に形成したもの
が用いられる。また、メッシュ体６，７は、粉体５が気
化室８から出ないようにするため、その網目の大きさは
例えば２０μｍ程度にしてある。なお、気化室８の長さ
（この例では、メッシュ体６，７間の長さ）は例えば１
００ｍｍ、また、気化室８の内径は約９．５ｍｍであ
る。A portion of the pipe 1 inside the heater block 2 is filled with powder 5 having good thermal conductivity and corrosion resistance so as to be sealed in mesh members 6 and 7 which also function as a filter. And is formed in a vaporization chamber 8. As the powder 5, for example, a metal such as stainless steel or titanium or a ceramic such as SiC is used.
As described above, those formed into a powder of preferably about 120 μm are used. The mesh members 6 and 7 have a mesh size of, for example, about 20 μm in order to prevent the powder 5 from coming out of the vaporization chamber 8. The length of the vaporizing chamber 8 (in this example, the length between the mesh bodies 6 and 7) is, for example, 1
00 mm, and the inner diameter of the vaporization chamber 8 is about 9.5 mm.
【００１７】９は前記気化室８の一端側に形成されたキ
ャリアガスＣＧの導入部で、熱伝導性並びに耐腐食性の
良好な金属（例えばステンレス鋼）よりなり、その接続
部１０には、図外のキャリアガス源に接続されたキャリ
アガス供給管（図外）が接続される。ここで用いられる
キャリアガスＣＧとしては、Ｈ2 ，Ｈｅ，Ｎ2 などがあ
る。また、１１は気化室８の他端側に形成されたガス導
出部で、ステンレス鋼のような熱伝導性並びに耐腐食性
の良好な金属よりなり、その下流側には、例えば半導体
製造装置（図外）が接続される。Reference numeral 9 denotes a carrier gas CG introduction portion formed at one end of the vaporization chamber 8, which is made of a metal having good thermal conductivity and corrosion resistance (for example, stainless steel). A carrier gas supply pipe (not shown) connected to a carrier gas source (not shown) is connected. The carrier gas CG used here includes H 2 , He, N 2 and the like. Reference numeral 11 denotes a gas outlet formed on the other end side of the vaporization chamber 8, which is made of a metal having good thermal conductivity and corrosion resistance such as stainless steel, and a downstream side thereof, for example, a semiconductor manufacturing device ( (Not shown) is connected.
【００１８】１３は液体材料Ｌを気化室８に導入するた
めの導入部で、前記キャリアガス導入部９よりも下流側
に、図示する例においては、気化室８の長さ方向のほぼ
中間位置に形成されている。この液体材料導入部１３
は、例えばキャピラリのような細管（内径が例えば０．
４ｍｍ）よりなり、その上流側は図外の配管を介して液
体材料源（図外）に接続されており、また、その下流側
には粉体５の直径よりも小さい内径（例えば０．１ｍ
ｍ）を有する細径部１４が形成されている。そして、液
体材料導入部１３の先端側は、粉体５が充填された部分
に例えば５ｍｍ程度挿入されている。Reference numeral 13 denotes an introduction portion for introducing the liquid material L into the vaporization chamber 8, which is located at a downstream side of the carrier gas introduction portion 9 and, in the example shown in FIG. Is formed. This liquid material introduction part 13
Is a thin tube such as a capillary (with an inner diameter of, for example, 0.
4 mm), the upstream side of which is connected to a liquid material source (not shown) through a pipe (not shown), and the downstream side thereof has an inner diameter (for example, 0.1 m) smaller than the diameter of the powder 5.
m) is formed. The distal end side of the liquid material introduction part 13 is inserted into a portion filled with the powder 5 by, for example, about 5 mm.
【００１９】次に、上記構成の気化器の動作について説
明すると、まず、ヒータ４を発熱させて気化室８内に充
填された粉体５を所定の温度に加熱する。この状態にお
いて、キャリアガスＣＧをキャリアガス導入部９を経て
パイプ１内に導入しながら液体材料導入部１３を介して
液体材料Ｌを気化室８に導入する。Next, the operation of the vaporizer having the above structure will be described. First, the heater 4 is heated to heat the powder 5 filled in the vaporizing chamber 8 to a predetermined temperature. In this state, the liquid material L is introduced into the vaporization chamber 8 through the liquid material introduction unit 13 while the carrier gas CG is introduced into the pipe 1 through the carrier gas introduction unit 9.
【００２０】そして、液体材料導入部１３を介して導入
される液体材料Ｌは、細径部１４を経て加熱された粉体
５内に導入されてこれと接触するが、その接触面積が大
きいため、液体材料Ｌは、短時間のうちに気化して所望
の気化ガスＧになる。この場合、液体材料導入部１３内
を流れてきた液体材料Ｌは、これよりも小径の細径部１
４を経て粉体５側に流れ出るので、突沸することがなく
スムーズに気化が行われると共に、気化によって圧力上
昇が生じても、その圧力は細径部１４によって緩和され
るので、上流側には圧力上昇圧が急激に伝わることがな
く、従って、液体材料Ｌを供給するラインへの悪影響が
なくなる。The liquid material L introduced through the liquid material introduction section 13 is introduced into the heated powder 5 through the small diameter section 14 and comes into contact with the powder 5. The liquid material L is vaporized within a short time to become a desired vaporized gas G. In this case, the liquid material L flowing in the liquid material introduction part 13 is smaller than the small diameter part 1 having a smaller diameter.
4 flows out to the powder 5 side, so that the vaporization is performed smoothly without bumping, and even if the pressure rises due to the vaporization, the pressure is alleviated by the small diameter portion 14, so that the upstream side The pressure increase pressure is not transmitted suddenly, so that there is no adverse effect on the line for supplying the liquid material L.
【００２１】一方、気化室８の一端側からその内部に導
入されたキャリアガスＣＧは、液体材料Ｌが気化される
部位、すなわち、液体材料導入部13の先端が粉体５に挿
入されている部分付近に到達するまでの間に十分に熱交
換されて所定の温度を維持している。従って、キャリア
ガスＣＧの導入によって前記気化部位の温度低下を最小
限に止めることができるので、液体材料Ｌの気化が妨げ
られることはなく、従って、気化ガスＧをスムーズに発
生させることができる。On the other hand, the carrier gas CG introduced from one end side of the vaporizing chamber 8 into the powder material 5 has a portion where the liquid material L is vaporized, that is, the tip of the liquid material introducing portion 13. Heat is sufficiently exchanged before reaching the vicinity of the portion to maintain a predetermined temperature. Accordingly, the introduction of the carrier gas CG can minimize the decrease in the temperature of the vaporized portion, so that the vaporization of the liquid material L is not hindered, and the vaporized gas G can be generated smoothly.
【００２２】上述のようにして発生した気化ガスＧは、
キャリアガスＣＧによって速やかに下流側に導出され、
下流側の半導体製造装置（図外）に気化ガスＧを供給す
ることができる。そして、上記構成の気化器において
は、キャリアガスＣＧを予熱するヒータなどを別途設け
る必要がないので、気化器周辺の構造が極めてシンプル
になる。また、前記図２に例示したものでは、液体材料
導入管２７がパイプ２１と同心的に設けられていたた
め、構造が複雑であったが、上記実施例では、液体材料
導入部１３は、気化室８の側部に設けられているため、
構造がシンプルであり、保守点検なども容易に行なえ
る。The vaporized gas G generated as described above is
The carrier gas CG promptly leads to the downstream side,
The vaporized gas G can be supplied to a downstream semiconductor manufacturing apparatus (not shown). In the carburetor having the above structure, it is not necessary to separately provide a heater for preheating the carrier gas CG, so that the structure around the carburetor is extremely simple. Further, in the example illustrated in FIG. 2, the liquid material introduction pipe 27 is provided concentrically with the pipe 21, so that the structure is complicated. However, in the above embodiment, the liquid material introduction section 13 is provided in the vaporization chamber. Because it is provided on the side of 8,
The structure is simple and maintenance and inspection can be performed easily.
【００２３】本発明は、上述の実施例に限られるもので
はなく、例えばキャリアガス導入部９は、必ずしも気化
室８の一端側に設ける必要はない。また、液体材料導入
部１３を複数個設けてもよい。その場合、液体材料導入
部１３をキャリアガス導入部９より下流側に設けること
は云うまでもない。そして、液体材料導入部１３は、キ
ャリアガス導入部９より下流側に設けてあればよいが、
気化室８における温度勾配などを考慮して、キャリアガ
ス導入部９により近く、また、逆に、これより遠くなる
位置に設けてもよい。The present invention is not limited to the above-described embodiment. For example, the carrier gas introducing section 9 does not necessarily need to be provided at one end of the vaporizing chamber 8. Further, a plurality of liquid material introduction portions 13 may be provided. In that case, it goes without saying that the liquid material introduction section 13 is provided downstream of the carrier gas introduction section 9. The liquid material introduction unit 13 may be provided downstream of the carrier gas introduction unit 9,
In consideration of the temperature gradient in the vaporization chamber 8 and the like, it may be provided at a position closer to the carrier gas introduction unit 9 and, on the contrary, farther from the carrier gas introduction unit 9.
【００２４】[0024]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
液体の気化に基づく圧力変動が極めて少なく、液体材料
を安定に気化してこれを安定に供給することができ、液
体材料を供給するラインに悪影響が及ぼされることがな
いことは勿論のこと、気化器周辺の構造が簡素化され、
この種の気化器をよりコンパクトなものにすることがで
きる。As described above, according to the present invention,
The pressure fluctuation due to the liquid vaporization is extremely small, and the liquid material can be vaporized stably and supplied stably, so that the line supplying the liquid material is not adversely affected. The structure around the vessel is simplified,
This type of vaporizer can be made more compact.
【００２５】しかも、本発明によれば、気化室に対する
キャリアガス導入部の接続個所より下流側でこの気化室
の側部に液体材料導入部が形成されている。つまり、図
２に例示した、液体材料導入管がパイプと同心ではな
く、気化室に対するキャリアガス導入部の接続個所より
下流側液体材料導入部が形成という位置関係を保って、
それぞれが別の部位に接続される構成が採用されてい
る。 したがって、この図２に示される先の提案発明とは
違って、構造が極めてシンプルになる。その結果、保守
点検作業なども容易に行える。併せて製作も容易にな
り、コストダウンに貢献できる。 Moreover, according to the present invention, the vaporizing chamber
This vaporization chamber is located downstream from the connection point of the carrier gas inlet.
The liquid material introduction part is formed on the side part of. In other words, the figure
As shown in Fig. 2, the liquid material introduction pipe is not concentric with the pipe.
From the point of connection of the carrier gas inlet to the vaporization chamber
Keeping the positional relationship that the downstream liquid material introduction part is formed,
Each is connected to a different part.
You. Therefore, the prior proposed invention shown in FIG.
On the contrary, the structure becomes extremely simple. As a result, maintenance
Inspection work can be easily performed. Also easy to manufacture
And contribute to cost reduction.
【図１】本発明に係る液体材料供給システムにおける気
化器の一例を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing an example of a vaporizer in a liquid material supply system according to the present invention.
【図２】本発明の先願に係る液体材料供給システムにお
ける気化器を示す図である。FIG. 2 is a view showing a vaporizer in the liquid material supply system according to the prior application of the present invention.
【図３】従来の気化器を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a conventional vaporizer.
８…気化室、９…キャリアガス導入部、13…液体材料導
入部、Ｌ…液体材料、ＣＧ…キャリアガス、Ｇ…気化ガ
ス。8: vaporization chamber, 9: carrier gas introduction part, 13: liquid material introduction part, L: liquid material, CG: carrier gas, G: vaporized gas.
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B01J 7/02 B01J 4/00 102 Continuation of front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) B01J 7/02 B01J 4/00 102
Claims (1)
に、内部に熱伝導性並びに耐腐食性の良好な粉体を充填
してなる気化室が形成され、この気化室に液体材料源に
接続された液体導入管が接続され、この液体導入管から
導入された液体材料を加熱された前記粉体に接触させる
ことにより気化し、この気化により発生したガスを気化
室内に導入されたキャリアガスによって気化室の外部に
導出するようにした液体材料供給システムにおける気化
器において、気化室に対するキャリアガス導入部の接続
個所より下流側でこの気化室の側部に液体材料導入部が
形成されていることを特徴とする液体材料供給システム
における気化器。1. Inside a heater block having a built-in heater
Filled with powder with good thermal conductivity and corrosion resistance
A vaporization chamber is formed, and this vaporization chamber is used as a source of liquid material.
The connected liquid introduction tube is connected, and from this liquid introduction tube
Bringing the introduced liquid material into contact with the heated powder
In the vaporizer in the liquid material supply system, the carrier gas introduced into the vaporization chamber guides the gas generated by the vaporization to the outside of the vaporization chamber by connecting the carrier gas introduction unit to the vaporization chamber.
A vaporizer in a liquid material supply system, characterized in that a liquid material introduction part is formed on a side of the vaporization chamber downstream of the location .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17762192A JP3202335B2 (en) | 1992-06-10 | 1992-06-10 | Vaporizer in liquid material supply system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17762192A JP3202335B2 (en) | 1992-06-10 | 1992-06-10 | Vaporizer in liquid material supply system |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05337357A JPH05337357A (en) | 1993-12-21 |
| JP3202335B2 true JP3202335B2 (en) | 2001-08-27 |
Family
ID=16034208
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17762192A Expired - Lifetime JP3202335B2 (en) | 1992-06-10 | 1992-06-10 | Vaporizer in liquid material supply system |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3202335B2 (en) |
-
1992
- 1992-06-10 JP JP17762192A patent/JP3202335B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05337357A (en) | 1993-12-21 |
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