JP3200021B2 - Output circuit device - Google Patents
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Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザダイオード
のような低インピーダンス負荷を高速で電流駆動するの
に適した出力回路装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an output circuit device suitable for driving a low-impedance load such as a laser diode with a high-speed current.
【0002】[0002]
【従来の技術】10Gbpsクラスの高速光通信用のレ
ーザダイオードを駆動する回路は、立ち上がり、立ち下
がり時間の短い高速信号を大きな電流出力に変換してレ
ーザダイオードに供給するために、出力段のトランジス
タサイズが大きいことが要求される。高速化のため通
常、出力段は一対のトランジスタで差動回路を構成し、
トランジスタのコレクタ側を負荷であるレーザダイオー
ドに接続する、いわゆるオープンコレクタ形式となって
いる。出力段の差動回路は、さらに前段の差動回路から
の信号がバッファ回路を介して与えられることによって
駆動される。2. Description of the Related Art A circuit for driving a laser diode for high-speed optical communication of the 10 Gbps class is a transistor in an output stage for converting a high-speed signal having a short rise and fall time into a large current output and supplying the large current output to the laser diode. Large size is required. Normally, the output stage forms a differential circuit with a pair of transistors for speeding up,
This is a so-called open collector type in which the collector side of the transistor is connected to a laser diode as a load. The differential circuit at the output stage is driven by receiving a signal from the differential circuit at the preceding stage via a buffer circuit.
【0003】出力段差動回路を構成する差動トランジス
タ対は、入力信号に応じて数十mVのベース電位の変動
によってスイッチングが行われる。一方、ノイズマージ
ンを確保するために、回路は内部の信号振幅が数百mV
となるように設計される。従って、高速スイッチング時
にはベース電位の変動が出力段差動回路における差動ト
ランジスタ対の共通エミッタに数百mVの電位変動を与
える。この電位変動は、サイズの大きい出力段差動回路
のトランジスタの寄生容量に作用して過渡電流を発生さ
せ、動作の不安定化を招く。A differential transistor pair forming an output stage differential circuit is switched by a fluctuation of a base potential of several tens mV according to an input signal. On the other hand, in order to secure a noise margin, the circuit has an internal signal amplitude of several hundred mV.
It is designed to be. Therefore, at the time of high-speed switching, the fluctuation of the base potential gives a potential fluctuation of several hundred mV to the common emitter of the differential transistor pair in the output stage differential circuit. This potential variation acts on the parasitic capacitance of the transistor of the large-sized output stage differential circuit, causing a transient current and causing unstable operation.
【0004】また、差動トランジスタ対の共通エミッタ
の電位変動は、ベースに帰還されるが、ベースから前段
の回路を見た出力インピーダンスが有限値であるため、
ベースに帰還された電位変動は再び差動トランジスタ対
で増幅される。この現象が差動回路に生じる発振現象、
すなわちリンギング現象であり、これは出力電流波形を
劣化させる。[0004] Further, the potential fluctuation of the common emitter of the differential transistor pair is fed back to the base. However, since the output impedance of the circuit at the preceding stage from the base is a finite value,
The potential fluctuation returned to the base is amplified again by the differential transistor pair. This phenomenon is an oscillation phenomenon that occurs in the differential circuit,
That is, this is a ringing phenomenon, which degrades the output current waveform.
【0005】このリンギング現象に対処するために、従
来では出力段差動回路の差動トランジスタ対のベースに
入力される信号の波形を積分回路等で鈍らせ、立ち上が
りおよび立ち下がり時間を長くすることで発振が生じな
いようにするか、あるいは出力段差動回路の前段の回路
の出力インピーダンスをできる限り下げて、リンギング
現象を少なくする方法をとっていた。In order to cope with this ringing phenomenon, conventionally, the waveform of a signal input to the base of the differential transistor pair of the output stage differential circuit is blunted by an integrating circuit or the like, and the rise and fall times are lengthened. A method of preventing ringing from occurring or reducing the output impedance of a circuit preceding the output stage differential circuit as much as possible has been employed to reduce the ringing phenomenon.
【0006】しかし、前者の方法は必然的に高速性を損
なうことになり、高速信号の入力に対応して電流出力を
発生するという出力回路装置本来の機能を損なう。後者
の方法は、回路の消費電流を上げることになり、消費電
力の増大、発熱の増大といった問題を引き起こす。However, the former method inevitably impairs the high-speed operation, and impairs the original function of the output circuit device that generates a current output in response to the input of a high-speed signal. The latter method increases the current consumption of the circuit, causing problems such as an increase in power consumption and an increase in heat generation.
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】上述のように、レーザ
ダイオードのような負荷を高速で電流駆動する出力回路
装置においては、出力段のトランジスタがトランジスタ
の本質的な特性から過渡電流の発生、リンギング現象の
発生などの不安定状態に陥るという問題がある。これを
回避するために、積分回路等を用いて出力段のトランジ
スタのベースに入力される信号の波形を鈍らせる方法
は、高速性を損なうという問題があり、また出力段の前
段回路の出力インピーダンスを下げる方法は、消費電力
が増大して発熱が大きくなるという問題があった。As described above, in an output circuit device which drives a load such as a laser diode with a current at high speed, a transistor in an output stage generates a transient current due to the intrinsic characteristics of the transistor and generates ringing. There is a problem that an unstable state such as a phenomenon occurs. In order to avoid this, a method of dulling the waveform of a signal input to the base of the transistor in the output stage using an integrating circuit or the like has a problem that high-speed performance is impaired. The method of reducing the power consumption has a problem that power consumption increases and heat generation increases.
【0008】本発明は、高速性を損なうことなく、また
消費電力の増大を伴うことなくレーザダイオードのよう
な低インピーダンス負荷を安定に駆動できる出力回路装
置を提供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide an output circuit device capable of driving a low impedance load such as a laser diode stably without impairing high-speed performance and without increasing power consumption.
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明は制御電極を入力端子とし、第1主電極を出
力端子とするトランジスタを出力段に用いた出力回路装
置において、トランジスタのオン時の制御電極から第1
主電極および第2主電極をそれぞれ見た電圧が同一極性
となるように、好ましくはさらに第1主電極と第2主電
極間の電圧が該トランジスタの飽和電圧付近となるよう
に該トランジスタを駆動する手段を有することを特徴と
する。In order to solve the above-mentioned problems, the present invention relates to an output circuit device using a transistor having a control electrode as an input terminal and a first main electrode as an output terminal in an output stage. When the control electrode from the first
Driving the transistor so that the voltages seen at the main electrode and the second main electrode respectively have the same polarity, preferably further, the voltage between the first main electrode and the second main electrode is near the saturation voltage of the transistor. It is characterized by having means for performing.
【0010】また、本発明はこのような出力回路装置に
おいて、該トランジスタの制御電極および第1主電極の
少なくとも一方の電位を調整するための調整手段を有す
ることを特徴とする。Further, the present invention is characterized in that such an output circuit device has adjusting means for adjusting the potential of at least one of the control electrode and the first main electrode of the transistor.
【0011】本発明における出力段のトランジスタとし
ては、制御電極と第1主電極間の接合電位差と、制御電
極と第2主電極間の接合電位差が異なるトランジスタ、
例えばへテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)を
用いることが望ましい。As the transistor at the output stage in the present invention, a transistor having a different junction potential difference between the control electrode and the first main electrode and a different junction potential difference between the control electrode and the second main electrode,
For example, it is desirable to use a heterojunction bipolar transistor (HBT).
【0012】さらに、本発明は第2主電極を共通接続し
て差動トランジスタ対を構成し、この差動トランジスタ
対の共通の前記第2主電極に接続された電流源を有する
出力段差動回路を備え、差動トランジスタ対のオン側の
トランジスタの制御電極から第1主電極および第2主電
極をそれぞれ見た電圧が同一極性となるように該差動ト
ランジスタを駆動する手段を有することを特徴とする。The present invention further provides an output stage differential circuit having a second main electrode connected in common to form a differential transistor pair, and a current source connected to the common second main electrode of the differential transistor pair. And means for driving the differential transistor such that the voltages of the first main electrode and the second main electrode viewed from the control electrode of the on-side transistor of the differential transistor pair have the same polarity. And
【0013】この出力回路装置で使用するトランジスタ
は、バイポーラトランジスタおよび電界効果トランジス
タ(FET)のいずれであってもよく、バイポーラトラ
ンジスタの場合はベースが制御電極、コレクタが第1主
電極、エミッタが第2主電極にそれぞれ相当し、FET
の場合はゲートが制御電極、ドレインが第1主電極、ソ
ースが第2主電極にそれぞれ相当する。The transistor used in this output circuit device may be either a bipolar transistor or a field effect transistor (FET). In the case of a bipolar transistor, the base is a control electrode, the collector is a first main electrode, and the emitter is a first main electrode. FET corresponds to two main electrodes respectively
In this case, the gate corresponds to the control electrode, the drain corresponds to the first main electrode, and the source corresponds to the second main electrode.
【0014】本発明による出力回路装置の作用を出力段
のトランジスタにバイポーラトランジスタを用いた場合
を例にとって説明すると、出力段のトランジスタはオン
時にはベース・エミッタ間電圧Vbeおよびベース・コ
レクタ電圧Vbcが同一極性となるように駆動される。
例えば、出力段のトランジスタがNPNトランジスタの
場合、このトランジスタは従来の出力回路装置ではVb
eが正極性、Vbcが負極性の条件で駆動されるのに対
して、本発明ではVbeおよびVbcが共に正極性の電
圧となるように駆動される。The operation of the output circuit device according to the present invention will be described by taking as an example the case where a bipolar transistor is used as the transistor in the output stage. When the transistor in the output stage is on, the base-emitter voltage Vbe and the base-collector voltage Vbc are the same. It is driven to have polarity.
For example, if the transistor in the output stage is an NPN transistor, this transistor is Vb in a conventional output circuit device.
While e is driven under the condition of positive polarity and Vbc is driven under the condition of negative polarity, in the present invention, Vbe and Vbc are driven so that both have a positive voltage.
【0015】また、このときトランジスタが飽和状態と
なるように、すなわちコレクタ・エミッタ間電圧Vce
が飽和電圧付近となるようにVbe,Vbcを設定し
て、トランジスタを飽和状態にすることが望ましい。こ
の状態ではベースへの入力信号がコレクタ側に抜ける分
があるため、トランジスタの増幅率は劣化する。At this time, the transistor is brought into a saturated state, that is, the collector-emitter voltage Vce
It is desirable that Vbe and Vbc are set so that the voltage is close to the saturation voltage, and the transistor is brought into a saturated state. In this state, an input signal to the base may escape to the collector side, so that the amplification factor of the transistor deteriorates.
【0016】ここで、へテロ接合バイポーラトランジス
タ(HBT)のように、ベース・コレクタ間電流Ibc
がコレクタ電流Icの増幅に寄与しない項が支配的なト
ランジスタでは、Ibcはベースからコレクタを通して
エミッタに流れる成分のみであり、コレクタ電流Icと
して出力には現れない。この場合、出力段のトランジス
タのスイッチングに伴うエミッタ電位の変動は従来の出
力回路装置と同様にベースに帰還されるが、べース電位
の変動によるコレクタ電流Icの変動は、ベース・エミ
ッタ間電圧Vbeの変動に指数関数的に比例する項と、
ベース・コレクタ間電流Ibcとの和で近似される。Here, like a heterojunction bipolar transistor (HBT), a base-collector current Ibc
In a transistor in which the term which does not contribute to the amplification of the collector current Ic is dominant, Ibc is only a component flowing from the base to the emitter through the collector, and does not appear in the output as the collector current Ic. In this case, the change in the emitter potential accompanying the switching of the transistor in the output stage is fed back to the base as in the conventional output circuit device, but the change in the collector current Ic due to the change in the base potential is caused by the base-emitter voltage. A term that is exponentially proportional to the variation of Vbe;
It is approximated by the sum with the base-collector current Ibc.
【0017】リンギング発生時は、ベース・エミッタ間
電圧Vbeの解が振動項を持つ状態であり、この項を消
去することは原理的に不可能である。従って、Vbeの
振動的変動に対してコレクタ電流Icが振動的に追従し
ようとするが、本発明の条件に従うと、すなわちVb
e,Vbcが共に正極性の電圧となるようにトランジス
タを駆動すると、Ic,Vbe,Vbcの値を適切に調
整することで、ベース・コレクタ間電流Ibcの変動に
よってコレクタ電流Icの変動を補償することができ、
リンギングによる出力電流波形の変動が軽減もしくは防
止される。When ringing occurs, the solution of the base-emitter voltage Vbe has an oscillating term, and it is impossible in principle to eliminate this term. Therefore, the collector current Ic tends to follow the oscillatory fluctuation of Vbe in an oscillatory manner.
When the transistor is driven such that both e and Vbc have a positive voltage, the values of Ic, Vbe, and Vbc are appropriately adjusted to compensate for the change in collector current Ic due to the change in base-collector current Ibc. It is possible,
Fluctuations in the output current waveform due to ringing are reduced or prevented.
【0018】そして、この場合さらにトランジスタをオ
ン時に飽和状態とすれば、Ibcの変動の大きさをIc
の変動が相殺される程度にまで大きくすることができ、
一層効果的となる。In this case, if the transistor is further brought into a saturation state when it is turned on, the magnitude of the fluctuation of Ibc is reduced by Ic
Can be large enough to offset fluctuations in
It will be more effective.
【0019】このように本発明の出力回路装置では、高
速動作時の安定性を増すことができるため、リンギング
等の発振現象を抑制して、立ち上がりおよび立ち下がり
時間の短い高速の出力電流波形を出力することが可能と
なる。As described above, in the output circuit device of the present invention, the stability at the time of high-speed operation can be increased, so that oscillation phenomena such as ringing are suppressed, and a high-speed output current waveform having a short rise and fall time is obtained. It is possible to output.
【0020】[0020]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
従って説明する。以下の実施形態では、トランジスタに
NPN型バイポーラトランジスタを用いた場合について
説明するが、PNP型バイポーラトランジスタを用いて
もよく、またNチャネル型あるいはPチャネル型のFE
Tを用いてもよい。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the following embodiments, a case will be described in which an NPN-type bipolar transistor is used as a transistor. However, a PNP-type bipolar transistor may be used, and an N-channel or P-channel FE may be used.
T may be used.
【0021】(第1の実施形態)図1は、本発明の第1
の実施形態に係る出力回路装置の回路図である。この出
力回路装置は、大きく分けて出力段差動回路1、前段差
動回路2、および出力段差動回路1と前段差動回路2の
間に挿入されたバッファ回路3からなる。(First Embodiment) FIG. 1 shows a first embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a circuit diagram of an output circuit device according to the embodiment. This output circuit device is roughly divided into an output stage differential circuit 1, a preceding stage differential circuit 2, and a buffer circuit 3 inserted between the output stage differential circuit 1 and the preceding stage differential circuit 2.
【0022】出力段差動回路1は、エミッタが共通接続
されたトランジスタQ1,Q2からなる差動トランジス
タ対と、トランジスタQ1,Q2の共通エミッタと回路
電源V1の低電位側(この例ではマイナス側)に接続さ
れた定電流源I1により構成される。トランジスタQ
1,Q2のコレクタは一対の出力端子OUT1,OUT
2にそれぞれ接続されており、出力端子OUT1は終端
負荷抵抗R4を介して回路電源V1の高電位側(この例
では接地側)に直接接続され、出力端子OUT2は終端
負荷抵抗R5および負荷であるレーザダイオードLDを
介して回路電源V1の高電位側に接続されている。な
お、トランジスタQ1,Q2としては、例えばへテロ接
合バイポーラトランジスタ(HBT)が用いられる。The output stage differential circuit 1 includes a differential transistor pair composed of transistors Q1 and Q2 whose emitters are commonly connected, a common emitter of the transistors Q1 and Q2, and a low potential side (in this example, a negative side) of the circuit power supply V1. Is connected to the constant current source I1. Transistor Q
1 and Q2 have a pair of output terminals OUT1 and OUT2.
2, the output terminal OUT1 is directly connected to the high potential side (ground side in this example) of the circuit power supply V1 via the terminating load resistor R4, and the output terminal OUT2 is the terminating load resistor R5 and a load. It is connected to the high potential side of the circuit power supply V1 via a laser diode LD. As the transistors Q1 and Q2, for example, a heterojunction bipolar transistor (HBT) is used.
【0023】前段差動回路2は、エミッタが共通接続さ
れたトランジスタQ7,Q8からなる差動トランジスタ
対と、トランジスタQ7,Q8の共通エミッタに接続さ
れた定電流源I6と、トランジスタQ7,Q8のコレク
タにそれぞれの一端が接続された負荷抵抗R1,R2
と、これら負荷抵抗R1,R2の他端と回路電源V1の
接地側との間に接続されたレベルシフト抵抗R3により
構成されており、一対の入力端子IN1,IN2に入力
される差動入力信号を電圧増幅してバッファ回路3へ供
給する。差動入力信号は、例えば数Gbps〜10Gb
psオーダの高速パルス列からなる。The pre-stage differential circuit 2 includes a differential transistor pair including transistors Q7 and Q8 whose emitters are commonly connected, a constant current source I6 connected to a common emitter of the transistors Q7 and Q8, and a transistor Q7 and Q8. Load resistors R1, R2 each having one end connected to the collector
And a level shift resistor R3 connected between the other ends of the load resistors R1 and R2 and the ground side of the circuit power supply V1, and a differential input signal input to a pair of input terminals IN1 and IN2. Is amplified and supplied to the buffer circuit 3. The differential input signal is, for example, several Gbps to 10 Gb.
It consists of a high-speed pulse train on the order of ps.
【0024】ここで、レベルシフト抵抗R3は、負荷抵
抗R1,R2の回路電源V1側(この例では接地側)の
電位を負方向にシフトするために設けられており、バッ
ファ回路3を介して出力段差動回路1のトランジスタQ
1,Q2のベース電位を負方向にシフトする働きを持
つ。The level shift resistor R3 is provided for shifting the potential of the load resistors R1 and R2 on the circuit power supply V1 side (ground side in this example) in the negative direction. Transistor Q of output stage differential circuit 1
It has a function of shifting the base potentials of Q1 and Q2 in the negative direction.
【0025】バッファ回路3は、前段差動回路2の出力
信号を信号レベルと出力インピーダンスを所定量だけ下
げて出力段差動回路1に供給する回路であり、トランジ
スタとそのエミッタ負荷としての定電流源からなるエミ
ッタフォロワを複数個用いて構成される。すなわち、前
段差動回路のトランジスタQ7のコレクタからの出力
は、トランジスタQ5と定電流源I5およびトランジス
タQ3と定電流源I3からなる二段のエミッタフォロワ
を介して出力段差動回路1のトランジスタQ1のベース
に供給される。また、前段差動回路のトランジスタQ8
のコレクタからの出力も同様に、トランジスタQ6と定
電流源I6およびトランジスタQ4と定電流源I4から
なる二段のエミッタフォロワを介して出力段差動回路1
のトランジスタQ2のベースに供給される。The buffer circuit 3 is a circuit for reducing the signal level and the output impedance of the output signal of the preceding-stage differential circuit 2 by a predetermined amount and supplying the output signal to the output-stage differential circuit 1, and includes a transistor and a constant current source as its emitter load. And a plurality of emitter followers composed of That is, the output from the collector of the transistor Q7 of the preceding-stage differential circuit is supplied to the transistor Q1 of the output-stage differential circuit 1 via the two-stage emitter follower including the transistor Q5 and the constant current source I5 and the transistor Q3 and the constant current source I3. Supplied to the base. Also, the transistor Q8 of the preceding-stage differential circuit
Output from the output stage differential circuit 1 via a two-stage emitter follower comprising a transistor Q6 and a constant current source I6 and a transistor Q4 and a constant current source I4.
Of the transistor Q2.
【0026】次に、本実施形態の出力回路装置の動作を
説明する。入力端子IN1,IN2に差動入力信号が入
力されたときの出力段差動回路のトランジスタQ1,Q
2のベースに入力される信号の電位は、前段差動回路2
のレベルシフト抵抗R3での電圧降下と、バッファ回路
3のエミッタフォロワでの電圧降下で決定される。Next, the operation of the output circuit device of this embodiment will be described. Transistors Q1, Q of an output stage differential circuit when a differential input signal is input to input terminals IN1, IN2
The potential of the signal input to the base of the second-stage differential circuit 2
, And the voltage drop at the emitter follower of the buffer circuit 3.
【0027】例えば、回路電源V1が0/−7V(高電
位側が0V、低電位側が−7V)の条件で、トランジス
タQ7,Q8がそれぞれオンの時のレベルシフト抵抗R
3での電圧降下が1V、前段差動回路2の負荷抵抗R
1,R2の両端に生じる信号振幅が0.5Vであり、エ
ミッタフォロワ一段当たりの電位降下がそれぞれ1.3
Vであるとすると、トランジスタQ1,Q2のベースに
入力される信号のハイレベル(Q1,Q2のオン時のレ
ベル)は、−(1+0+1.3+1.3)=−3.6
V、ローレベル(Q1,Q2のオフ時のレベル)は、−
(1+0.5+1.3+1.3)=−4.1Vとなる。For example, under the condition that the circuit power supply V1 is 0 / -7V (0V on the high potential side and -7V on the low potential side), the level shift resistor R when the transistors Q7 and Q8 are on respectively.
3 is 1V, and the load resistance R of the pre-stage differential circuit 2 is
1, the signal amplitude generated at both ends of R2 is 0.5 V, and the potential drop per emitter follower stage is 1.3 V, respectively.
Assuming that the voltage is V, the high level of the signal input to the bases of the transistors Q1 and Q2 (the level when Q1 and Q2 are on) is-(1 + 0 + 1.3 + 1.3) =-3.6.
V, the low level (the level when Q1 and Q2 are off) are −
(1 + 0.5 + 1.3 + 1.3) =-4.1V.
【0028】一方、トランジスタQ1,Q2のコレクタ
電位は終端負荷抵抗R4,R5の両端に生じる信号振幅
で決定され、Q1,Q2の飽和電圧(飽和時のコレクタ
・ベース間電圧)を0.5Vとすると、Q1,Q2のオ
ン時のベース・エミッタ間電圧を1.3Vとして、コレ
クタ電位のローレベル(Q1,Q2のオン時のレベル)
が−3.6−1.3+0.5=−4.4V以下の場合
に、Q1,Q2は飽和状態となる。On the other hand, the collector potentials of the transistors Q1 and Q2 are determined by signal amplitudes generated at both ends of the terminating load resistors R4 and R5, and the saturation voltage of Q1 and Q2 (collector-base voltage at the time of saturation) is set to 0.5V. Then, the base-emitter voltage when Q1 and Q2 are turned on is set to 1.3 V, and the collector potential is at a low level (the level when Q1 and Q2 are turned on).
Is less than or equal to -3.6-1.3 + 0.5 = -4.4 V, Q1 and Q2 are saturated.
【0029】図2に、この条件での出力段差動回路1の
トランジスタ単体の等価回路モデルを示す。このモデル
では、ベース・コレクタ間の接合ダイオードD1と、ベ
ース・エミッタ間の接合ダイオードD2およびコレクタ
・エミッタ間の定電流源Iaでトランジスタを表現して
いる。FIG. 2 shows an equivalent circuit model of a single transistor of the output stage differential circuit 1 under this condition. In this model, a transistor is represented by a junction diode D1 between the base and collector, a junction diode D2 between the base and emitter, and a constant current source Ia between the collector and emitter.
【0030】ベース・コレクタ間電圧Vbcによる電流
増幅が無い場合、定電流源Iaの値は、 Ia=Is exp(Vbe/Vt)+Ibc で表すことができる。ここで、Vbeはベース・エミッ
タ間電圧、Vt=kT/q(k:ボルツマン定数、T:
絶対温度、q:素電荷)、Isは接合飽和電流、Ibc
はベース・コレクタ間電流である。このモデルでエミッ
タ電位の不安定性による変動が生じた場合、この変動は
ベース電位に帰還され、再びベース・エミッタ間電圧V
beの変動に寄与してIaの値に影響を与え、コレクタ
電流を変動させることになり、トランジスタの不安定性
が持続する。When there is no current amplification by the base-collector voltage Vbc, the value of the constant current source Ia can be expressed by Ia = Isexp (Vbe / Vt) + Ibc. Here, Vbe is a base-emitter voltage, Vt = kT / q (k: Boltzmann constant, T:
Absolute temperature, q: elementary charge), Is is junction saturation current, Ibc
Is the base-collector current. If a fluctuation due to instability of the emitter potential occurs in this model, this fluctuation is fed back to the base potential, and the base-emitter voltage V
It contributes to the variation of be and affects the value of Ia, causing the collector current to vary, and the instability of the transistor is maintained.
【0031】しかし、本発明によると、ベース・コレク
タ間電流Ibcの値を適当に調整することにより、ベー
ス・エミッタ間電圧Vbeのリンギングによる変動分か
ら起こるコレクタ電流Icの変動をベース・コレクタ間
電流Ibcによって補償することが可能である。However, according to the present invention, by appropriately adjusting the value of the base-collector current Ibc, the fluctuation of the collector current Ic caused by the fluctuation due to the ringing of the base-emitter voltage Vbe can be reduced. Can be compensated for.
【0032】特に、図3に示すように、出力段差動回路
1のトランジスタQ1,Q2をオン時に領域A、すなわ
ち飽和領域で動作させると、IbcをIcの変動が補償
されるに適当な値まで大きくすることができる。因み
に、従来の出力回路装置では、出力段差動回路のトラン
ジスタはオン時には図3の領域Bに示される活性領域で
動作している。なお、トランジスタがHBTの場合、図
3に示されるように飽和領域Aでのコレクタ・エミッタ
間電圧Vceは0.2〜0.3V程度であり、活性領域
BでのVceは2〜3V程度である。In particular, as shown in FIG. 3, when the transistors Q1 and Q2 of the output stage differential circuit 1 are operated in the region A, that is, in the saturation region when the transistors are turned on, Ibc is reduced to an appropriate value for compensating the fluctuation of Ic. Can be bigger. Incidentally, in the conventional output circuit device, when the transistor of the output stage differential circuit is turned on, it operates in the active region shown in the region B of FIG. When the transistor is an HBT, as shown in FIG. 3, the collector-emitter voltage Vce in the saturation region A is about 0.2 to 0.3 V, and the Vce in the active region B is about 2 to 3 V. is there.
【0033】一方、入力端子IN1,IN2からの差動
入力信号に対しては、トランジスタQ1,Q2のコレク
タ・エミッタ間電位Vceはベース電位がオン状態とな
った条件で、すなわちベース・エミッタ間電圧Vbeが
正になったとき飽和状態となり、トランジスタQ1,Q
2の信号入力によるスイッチングの過渡時は、飽和状態
に達する以前の条件であるため、Ibc=0である。従
って、スイッチングの立ち上がりおよび立ちがり時の出
力電流波形は、何ら劣化することはない。On the other hand, for the differential input signal from the input terminals IN1 and IN2, the collector-emitter potential Vce of the transistors Q1 and Q2 is under the condition that the base potential is turned on, that is, the base-emitter voltage When Vbe becomes positive, the transistor becomes saturated and the transistors Q1 and Q
At the time of switching transition due to the input of signal No. 2, the condition before saturation is reached, and therefore Ibc = 0. Therefore, the output current waveform at the time of the rising and the falling of the switching does not deteriorate at all.
【0034】従って、コレクタ外部から見たコレクタ電
流の変動は、入力信号波形を忠実に再現した良好な波形
として出力される。図4は、本実施形態による出力回路
装置の信号出力電流の時間変動を示し、図5にはこのと
きのコレクタ・ベース間電圧Vcb、ベース電位Vbお
よびエミッタ電位Veの時間変動の測定結果を示す。図
4に示されるように、信号出力電流波形はリンキング等
による振動を生じておらず、良好な矩形波となってい
る。また、図5に示されるように、このときのコレクタ
・ベース間電圧Vcbは、べース電位Vbがハイレベル
のとき、つまりトランジスタのオン時に−1.2V前後
まで低くなっており、飽和状態にあることが明らかであ
る。Therefore, the fluctuation of the collector current viewed from outside the collector is output as a good waveform which faithfully reproduces the input signal waveform. FIG. 4 shows the time variation of the signal output current of the output circuit device according to the present embodiment, and FIG. 5 shows the measurement results of the time variations of the collector-base voltage Vcb, the base potential Vb and the emitter potential Ve at this time. . As shown in FIG. 4, the signal output current waveform does not generate vibration due to linking or the like, and is a good rectangular wave. As shown in FIG. 5, the collector-base voltage Vcb at this time is reduced to about -1.2 V when the base potential Vb is at a high level, that is, when the transistor is turned on. It is clear that there is.
【0035】一方、従来の出力回路装置のようにコレク
タ・エミッタ間電圧Vceを常に活性領域となるような
条件に電位条件を与えた場合の信号出力電流の時間変動
を図6に示し、図7にはこのときのコレクタ・ベース間
電圧Vcb、ベース電位Vbおよびエミッタ電位Veの
時間変動の測定結果を示す。図6に示されるように、信
号出力電流波形には大きな振幅の持続的な振動波形、す
なわちリンギングが発生している。また、図7に示され
るように、このときのコレクタ・ベース間電圧Vcbは
飽和状態まで至らず、活性領域で電圧波形が振動してい
る。さらに、ベース電位Vbもリンギングのために真の
信号波形が判別できない状態となっている。On the other hand, FIG. 6 shows the time variation of the signal output current when a potential condition is applied to the condition that the collector-emitter voltage Vce is always in the active region as in the conventional output circuit device. 5 shows the measurement results of the time variations of the collector-base voltage Vcb, the base potential Vb, and the emitter potential Ve at this time. As shown in FIG. 6, a continuous oscillation waveform having a large amplitude, that is, ringing occurs in the signal output current waveform. Further, as shown in FIG. 7, the collector-base voltage Vcb at this time does not reach the saturated state, and the voltage waveform oscillates in the active region. Further, the base potential Vb is in a state where a true signal waveform cannot be determined due to ringing.
【0036】このように本実施形態の出力回路装置によ
ると、レーザダイオードLDのような負荷を高速で電流
駆動する場合においても、リンギングのような不安定現
象を回避することが可能であり、負荷に良好な矩形波の
出力電流を供給することができる。As described above, according to the output circuit device of the present embodiment, even when a load such as the laser diode LD is driven at a high speed with a current, it is possible to avoid an unstable phenomenon such as ringing. And a good rectangular wave output current can be supplied.
【0037】また、リンギングの発生を避けるために従
来のように積分回路などでトランジスタに入力する信号
波形を鈍らせる必要がないので、高速性が損なわれるこ
ともない。Further, since it is not necessary to dull the signal waveform input to the transistor by an integrating circuit or the like in order to avoid the occurrence of ringing, the high speed operation is not impaired.
【0038】さらに、リンギングの解消のために出力段
差動回路1に信号を供給するバッファ回路3の出力イン
ピーダンスを極端に下げる必要もないので、消費電流が
減少し、消費電力の増大とそれによる発熱の増大という
問題が生じない。Further, since it is not necessary to extremely lower the output impedance of the buffer circuit 3 for supplying a signal to the output stage differential circuit 1 in order to eliminate ringing, current consumption is reduced, power consumption is increased, and heat generation is thereby caused. The problem of increase in the number does not occur.
【0039】(第2の実施形態)図8は、本発明の第2
の実施形態に係る出力回路装置の回路図である。本実施
形態は、前段差動回路2におけるトランジスタQ7,Q
8のコレクタに接続された負荷抵抗のR1,R2の接地
側に、レベルシフト抵抗R3と並列に可変電圧源V2を
挿入した点が先の実施形態と異なっている。(Second Embodiment) FIG. 8 shows a second embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a circuit diagram of an output circuit device according to the embodiment. In the present embodiment, the transistors Q7, Q
8 in that a variable voltage source V2 is inserted in parallel with the level shift resistor R3 on the ground side of the load resistors R1 and R2 connected to the collector of the eighth embodiment.
【0040】本実施形態によれば、可変電圧源V2の電
圧を調整することにより、前段差動回路2の負荷抵抗R
1,R2の接地側の電位、つまりトランジスタQ7,Q
8のコレクタ側の電位を変化させ、結果的に前段差動回
路2からバッファ回路3を介して出力段差動回路1のト
ランジスタQ1,Q2のベースに与える信号の電位を調
整することが可能となる。According to the present embodiment, by adjusting the voltage of the variable voltage source V2, the load resistance R
1, R2 on the ground side, that is, transistors Q7, Q
8, the potential of the signal applied to the bases of the transistors Q1 and Q2 of the output-stage differential circuit 1 from the preceding-stage differential circuit 2 via the buffer circuit 3 can be adjusted. .
【0041】従って、出力回路装置の出力条件の変動等
によってトランジスタQ1,Q2のコレクタ電位が変化
した場合でも、Q1,Q2のオン時にベース・エミッタ
間電圧およびベース・コレクタ間電圧を共に正極性に保
ち、かつQ1,Q2を飽和状態に保つことができる。Therefore, even when the collector potentials of the transistors Q1 and Q2 change due to fluctuations in the output conditions of the output circuit device or the like, both the base-emitter voltage and the base-collector voltage become positive when Q1 and Q2 are turned on. And Q1 and Q2 can be kept in a saturated state.
【0042】(第3の実施形態)図9は、本発明の第3
の実施形態に係る出力回路装置の回路図である。本実施
形態は、出力段差動回路1のコレクタに出力端子OUT
1,OUT2を介して接続された負荷である、終端負荷
抵抗R4,R5およびレーザダイオードLDの接地側
に、可変電圧源V3を挿入した点がこれまでの実施形態
と異なっている。(Third Embodiment) FIG. 9 shows a third embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a circuit diagram of an output circuit device according to the embodiment. In the present embodiment, the output terminal OUT is connected to the collector of the output stage differential circuit 1.
This embodiment differs from the previous embodiments in that a variable voltage source V3 is inserted on the ground side of the terminating load resistors R4, R5 and the laser diode LD, which are loads connected via the terminals OUT1 and OUT2.
【0043】本実施形態によると、可変電圧源V3の電
圧を調整することにより、終端負荷抵抗R4,R5およ
びレーザダイオードLDの接地側、すなわちトランジス
タQ1,Q2のコレクタ側の電位を変化させ、結果的に
出力段差動回路1のトランジスタQ1,Q2のコレクタ
電位を調整することが可能となる。According to the present embodiment, by adjusting the voltage of the variable voltage source V3, the potentials on the ground side of the terminating load resistors R4, R5 and the laser diode LD, that is, on the collector sides of the transistors Q1 and Q2 are changed. It is possible to adjust the collector potentials of the transistors Q1 and Q2 of the output stage differential circuit 1 in an efficient manner.
【0044】従って、第2の実施形態と同様に、出力回
路装置の出力条件の変動等によりトランジスタQ1,Q
2のコレクタ電位が変化した場合でも、Q1,Q2のオ
ン時にベース・エミッタ間電圧およびベース・コレクタ
間電圧を共に正極性に保ち、かつQ1,Q2を飽和状態
に保つことができるという効果が得られる。Therefore, as in the second embodiment, the transistors Q1 and Q1
2, the base-emitter voltage and the base-collector voltage are both kept positive when Q1 and Q2 are turned on, and Q1 and Q2 can be kept in a saturated state. Can be
【0045】本発明は、上記実施形態に限られるもので
なく、種々変形して実施することが可能であり、例えば
第2の実施形態で説明した可変電圧源V2と第3の実施
形態で説明した可変電圧源V3を組み合わせて用い、出
力段差動回路1のトランジスタQ1,Q2のベース電位
およびコレクタ電位の両方を調整できるように構成して
もよい。また、トランジスタQ1,Q2のベース電位、
コレクタ電位の調整手段は図8、図9に示した可変電圧
源V2,V3に限られるものではない。The present invention is not limited to the above embodiment, but can be implemented in various modifications. For example, the variable voltage source V2 described in the second embodiment and the third embodiment will be described. The configuration may be such that both the base potential and the collector potential of the transistors Q1 and Q2 of the output stage differential circuit 1 can be adjusted by using the variable voltage sources V3 in combination. Also, the base potentials of the transistors Q1 and Q2,
The means for adjusting the collector potential is not limited to the variable voltage sources V2 and V3 shown in FIGS.
【0046】さらに、上記実施形態では出力段およびそ
の前段の回路が全て差動回路で構成されている場合につ
いて説明したが、本発明は出力段が単一のトランジスタ
で構成された出力回路装置にも適用することが可能であ
る。出力段のトランジスタとしては、前述したようにP
NPトランジスタを用いてもよく、またFETを用いて
もよい。FETを用いる場合、特にMESFETまたは
HEMTが本発明の条件を満たす上で有効である。Further, in the above embodiment, the case where the output stage and the circuits preceding the output stage are all constituted by differential circuits has been described. However, the present invention relates to an output circuit device in which the output stage is constituted by a single transistor. It is also possible to apply. As the output stage transistor, as described above, P
An NP transistor may be used, or an FET may be used. When an FET is used, a MESFET or HEMT is particularly effective in satisfying the conditions of the present invention.
【0047】[0047]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば高
速性を損なわず、しかも消費電力を増大させることな
く、出力電流波形をリンギング等によって劣化させない
出力回路装置を提供することができる。従って、本発明
の出力回路装置は高速光通信用のレーザダイオードのよ
うな高速動作が要求される低インピーダンス負荷のドラ
イバ回路として好適である。As described above, according to the present invention, it is possible to provide an output circuit device which does not impair the high-speed operation, does not increase the power consumption, and does not deteriorate the output current waveform due to ringing or the like. Therefore, the output circuit device of the present invention is suitable as a driver circuit of a low impedance load requiring high-speed operation, such as a laser diode for high-speed optical communication.
【図1】本発明の第1の実施形態に係る出力回路装置の
構成を示す回路図FIG. 1 is a circuit diagram showing a configuration of an output circuit device according to a first embodiment of the present invention.
【図2】同実施形態における出力段差動回路のトランジ
スタ単体の等価回路モデルを示す図FIG. 2 is a diagram showing an equivalent circuit model of a single transistor of the output stage differential circuit according to the embodiment;
【図3】本発明の出力回路装置と従来の出力回路装置に
おける出力段差動回路のトランジスタの動作領域を比較
して示す図FIG. 3 is a diagram showing a comparison of operation regions of transistors of an output stage differential circuit between the output circuit device of the present invention and a conventional output circuit device.
【図4】同実施形態に係る出力回路装置の出力電流波形
を示す図FIG. 4 is a view showing an output current waveform of the output circuit device according to the embodiment;
【図5】同実施形態に係る出力回路装置における出力段
差動回路のトランジスタのベース・コレクタ間電圧とベ
ース電位およびエミッタ電位の時間変動を示す図FIG. 5 is a diagram showing time variations of a base-collector voltage, a base potential, and an emitter potential of a transistor of the output stage differential circuit in the output circuit device according to the embodiment;
【図6】出力段差動回路のトランジスタの活性状態を保
った条件の従来の出力回路装置の出力電流波形を示す図FIG. 6 is a diagram showing an output current waveform of a conventional output circuit device under a condition that an active state of a transistor of an output stage differential circuit is maintained.
【図7】同じく従来の出力回路装置における出力段差動
回路のトランジスタのベース・コレクタ間電圧とベース
電位およびエミッタ電位の時間変動を示す図FIG. 7 is a diagram showing a time variation of a base-collector voltage and a base potential and an emitter potential of a transistor of an output stage differential circuit in a conventional output circuit device.
【図8】本発明の第2の実施形態に係る出力回路装置の
構成を示す回路図FIG. 8 is a circuit diagram showing a configuration of an output circuit device according to a second embodiment of the present invention.
【図9】本発明の第3の実施形態に係る出力回路装置の
構成を示す回路図FIG. 9 is a circuit diagram showing a configuration of an output circuit device according to a third embodiment of the present invention.
1…出力段差動回路 2…前段差動回路 3…バッファ回路 Q1,Q2…出力段差動回路の差動トランジスタ対 Q3,Q4,Q5,Q6…エミッタフォロワのトランジ
スタ Q7,Q8…前段差動回路の差動トランジスタ対 IN1,IN2…差動信号入力端子 R1,R2…前段差動回路の負荷抵抗 R3…レベルシフト抵抗 R4,R5…終端負荷抵抗 LD…レーザダイオード I1〜I6…定電流源 V1…回路電源 V2…ベース電位調整用可変電圧源 V3…コレクタ電位調整用可変電圧源DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Output stage differential circuit 2 ... Previous stage differential circuit 3 ... Buffer circuit Q1, Q2 ... Differential transistor pair of output stage differential circuit Q3, Q4, Q5, Q6 ... Emitter follower transistor Q7, Q8 ... Front stage differential circuit Differential transistor pair IN1, IN2 Differential signal input terminal R1, R2 Load resistance of preceding differential circuit R3 Level shift resistance R4, R5 Termination load resistance LD Laser diode I1 to I6 Constant current source V1 Circuit Power supply V2: Variable voltage source for adjusting base potential V3: Variable voltage source for adjusting collector potential
Claims (5)
力端子とするトランジスタを出力段に用いた出力回路装
置において、 前記トランジスタのオン時の制御電極から第1主電極お
よび第2主電極をそれぞれ見た電圧が同一極性となるよ
うに該トランジスタを駆動する手段を有することを特徴
とする出力回路装置。1. An output circuit device using a transistor having a control electrode as an input terminal and a first main electrode as an output terminal in an output stage, comprising: a control electrode when the transistor is on; An output circuit device, comprising: means for driving the transistor such that voltages at the respective electrodes have the same polarity.
力端子とするトランジスタを出力段に用いた出力回路装
置において、 前記トランジスタのオン時の制御電極から第1主電極お
よび第2主電極をそれぞれ見た電圧が同一極性で、かつ
第1主電極と第2主電極間の電圧が該トランジスタの飽
和状態電圧付近となるように該トランジスタを駆動する
手段を有することを特徴とする出力回路装置。2. An output circuit device using, as an output stage, a transistor having a control electrode as an input terminal and a first main electrode as an output terminal, comprising: a control electrode when the transistor is on; Output means for driving the transistors so that the voltages seen at the respective electrodes are of the same polarity and the voltage between the first main electrode and the second main electrode is close to the saturation state voltage of the transistors. Circuit device.
電極の少なくとも一方の電位を調整するための調整手段
を有することを特徴とする請求項1または2に記載の出
力回路装置。3. The output circuit device according to claim 1, further comprising adjusting means for adjusting the potential of at least one of the control electrode and the first main electrode of the transistor.
主電極間の接合電位差と、制御電極と第2主電極間の接
合電位差が異なるトランジスタを用いることを特徴とす
る請求項1〜3のいずれか1項に記載の出力回路装置。4. A control electrode and a first electrode as the transistor.
The output circuit device according to any one of claims 1 to 3, wherein a transistor having a different junction potential difference between the main electrodes and a junction potential difference between the control electrode and the second main electrode is used.
ジスタ対を構成し、この差動トランジスタ対の共通の前
記第2主電極に接続された電流源を有する出力段差動回
路を備え、 前記差動トランジスタ対のオン側のトランジスタの制御
電極から第1主電極および第2主電極をそれぞれ見た電
圧が同一極性となるように該差動トランジスタ対を駆動
する手段を有することを特徴とする請求項1〜のいずれ
か1項に記載の出力回路装置。5. An output stage differential circuit comprising a differential transistor pair by connecting said second main electrodes in common, and having a current source connected to said common second main electrode of said differential transistor pair. Means for driving the pair of differential transistors so that the voltages of the first main electrode and the second main electrode viewed from the control electrode of the on-side transistor of the differential transistor pair have the same polarity. The output circuit device according to claim 1.
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JP30321396A JP3200021B2 (en) | 1996-11-14 | 1996-11-14 | Output circuit device |
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JPH10145221A JPH10145221A (en) | 1998-05-29 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI457040B (en) * | 2012-01-25 | 2014-10-11 | Fujikura Ltd | Dc-coupled laser drive circuit and method of driving semiconductor laser element |
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EP1261082A1 (en) | 2001-05-25 | 2002-11-27 | Agilent Technologies, Inc. (a Delaware corporation) | Optoelectronic circuit and control circuit |
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ATE340425T1 (en) * | 2003-02-05 | 2006-10-15 | Cit Alcatel | CONTROL CIRCUIT AND METHOD FOR OPERATING A SEMICONDUCTOR LASER |
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1996
- 1996-11-14 JP JP30321396A patent/JP3200021B2/en not_active Expired - Fee Related
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TWI457040B (en) * | 2012-01-25 | 2014-10-11 | Fujikura Ltd | Dc-coupled laser drive circuit and method of driving semiconductor laser element |
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