JP3195722B2 - ソリッドステートリレー - Google Patents
ソリッドステートリレーInfo
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、調光装置などで好適に
実施されるソリッドステートリレーに関し、特に交流負
荷を位相制御するために用いられるソリッドステートリ
レーに関する。
実施されるソリッドステートリレーに関し、特に交流負
荷を位相制御するために用いられるソリッドステートリ
レーに関する。
【0002】
【従来の技術】図12は、典型的な従来技術のソリッド
ステートリレー1の電気回路図である。このソリッドス
テートリレー1は、一対の発光素子2と、受光素子3
と、該受光素子3によって駆動される駆動素子4とが一
体で封止されて構成されている。前記発光素子2は、発
光ダイオードなどから成り、その両端子が一対の入力端
子p1,p2にそれぞれ接続されている。また、前記駆
動素子4は、トライアックなどから成り、一対の入出力
端子が出力端子p11,p12にそれぞれ接続されてい
る。前記受光素子3は、フォトトライアックなどから成
り、その一方の端子は前記出力端子p11に接続され、
他方の端子は前記駆動素子4のゲート端子4aに接続さ
れる。
ステートリレー1の電気回路図である。このソリッドス
テートリレー1は、一対の発光素子2と、受光素子3
と、該受光素子3によって駆動される駆動素子4とが一
体で封止されて構成されている。前記発光素子2は、発
光ダイオードなどから成り、その両端子が一対の入力端
子p1,p2にそれぞれ接続されている。また、前記駆
動素子4は、トライアックなどから成り、一対の入出力
端子が出力端子p11,p12にそれぞれ接続されてい
る。前記受光素子3は、フォトトライアックなどから成
り、その一方の端子は前記出力端子p11に接続され、
他方の端子は前記駆動素子4のゲート端子4aに接続さ
れる。
【0003】したがって、入力端子p1,p2間に流れ
る電流に対応して発光素子2が光を放射し、その放射光
のレベルに対応して受光素子3が導通し、駆動素子4を
トリガ駆動する。これによって、出力端子p11,p1
2間に直列に介在されている交流電源からの電力を調整
して、ランプなどの負荷を駆動することが可能となる。
る電流に対応して発光素子2が光を放射し、その放射光
のレベルに対応して受光素子3が導通し、駆動素子4を
トリガ駆動する。これによって、出力端子p11,p1
2間に直列に介在されている交流電源からの電力を調整
して、ランプなどの負荷を駆動することが可能となる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上述のように構成され
たソリッドステートリレー1を交流負荷の位相制御に用
いるためには、たとえば図13で示すような回路が必要
となる。すなわち、導通角を決定するために、負荷6に
電力を供給する交流電源7の電圧波形を降圧するなどし
て得られた入力信号から、ゼロボルト検出回路8が、ま
ず前記電圧波形のゼロクロス点を検出する。このゼロボ
ルト検出回路8からの出力に応答して、導通角遅延回路
9は、前記ゼロクロス点から予め定める遅延時間が経過
した後にスイッチング素子10を導通し、電源Vccと
該スイッチング素子10との間に介在されている前記発
光素子2を点灯させる。
たソリッドステートリレー1を交流負荷の位相制御に用
いるためには、たとえば図13で示すような回路が必要
となる。すなわち、導通角を決定するために、負荷6に
電力を供給する交流電源7の電圧波形を降圧するなどし
て得られた入力信号から、ゼロボルト検出回路8が、ま
ず前記電圧波形のゼロクロス点を検出する。このゼロボ
ルト検出回路8からの出力に応答して、導通角遅延回路
9は、前記ゼロクロス点から予め定める遅延時間が経過
した後にスイッチング素子10を導通し、電源Vccと
該スイッチング素子10との間に介在されている前記発
光素子2を点灯させる。
【0005】たとえば、前記交流電源7が50Hzであ
るときには、前記遅延時間を5msecとすることによ
って、導通角は90°となり、負荷6は、前記導通角が
0°のときに対して、50%の電力で駆動されることに
なる。
るときには、前記遅延時間を5msecとすることによ
って、導通角は90°となり、負荷6は、前記導通角が
0°のときに対して、50%の電力で駆動されることに
なる。
【0006】しかしながら、このような構成のソリッド
ステートリレー1では、上述のような位相制御を行うに
あたって、ゼロボルト検出回路8および導通角遅延回路
9を設ける必要があり、構成が複雑になって小型化およ
び低コスト化の妨げとなる。
ステートリレー1では、上述のような位相制御を行うに
あたって、ゼロボルト検出回路8および導通角遅延回路
9を設ける必要があり、構成が複雑になって小型化およ
び低コスト化の妨げとなる。
【0007】また、特に全波波形と半波波形とを切換え
るような簡易的な位相制御を行うにあたっても、このよ
うなゼロボルト検出回路8および導通角遅延回路9を用
いるか、またはソリッドステートリレー1を複数段組合
わせる必要があり、構成が複雑である。
るような簡易的な位相制御を行うにあたっても、このよ
うなゼロボルト検出回路8および導通角遅延回路9を用
いるか、またはソリッドステートリレー1を複数段組合
わせる必要があり、構成が複雑である。
【0008】本発明の目的は、位相制御を小型および低
コストな構成で実現することができるソリッドステート
リレーを提供することである。
コストな構成で実現することができるソリッドステート
リレーを提供することである。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明に係るソリッドス
テートリレーは、外部からの制御信号に応答して光を放
射する複数の発光素子と、前記各発光素子に個別的に対
応し、前記制御信号が与えられる入力端子と、一方の発
光素子と対を成すフォトトライアックと、他方の発光素
子と対を成すフォトサイリスタと、相互に並列に設けら
れる前記フォトトライアックおよびフォトサイリスタか
らの駆動信号が共通に与えられ、該駆動信号に応答して
導通期間が変化し、外部の負荷への通電を制御する駆動
素子とを含み、前記他方の発光素子およびフォトサイリ
スタは2組設けられ、かつ前記フォトサイリスタは相互
に並列に逆極性に設けられ、前記各発光素子、フォトト
ライアック、フォトサイリスタおよび駆動素子は相互に
一体に封止され、前記各入力端子に前記制御信号が選択
的に与えられることで、前記駆動素子へは相互に異なる
駆動信号が与えられることを特徴とする。
テートリレーは、外部からの制御信号に応答して光を放
射する複数の発光素子と、前記各発光素子に個別的に対
応し、前記制御信号が与えられる入力端子と、一方の発
光素子と対を成すフォトトライアックと、他方の発光素
子と対を成すフォトサイリスタと、相互に並列に設けら
れる前記フォトトライアックおよびフォトサイリスタか
らの駆動信号が共通に与えられ、該駆動信号に応答して
導通期間が変化し、外部の負荷への通電を制御する駆動
素子とを含み、前記他方の発光素子およびフォトサイリ
スタは2組設けられ、かつ前記フォトサイリスタは相互
に並列に逆極性に設けられ、前記各発光素子、フォトト
ライアック、フォトサイリスタおよび駆動素子は相互に
一体に封止され、前記各入力端子に前記制御信号が選択
的に与えられることで、前記駆動素子へは相互に異なる
駆動信号が与えられることを特徴とする。
【0010】
【0011】さらにまた、本発明に係るソリッドステー
トリレーでは、前記他方の発光素子およびフォトサイリ
スタは2組設けられ、一方のフォトサイリスタから駆動
素子への前記駆動信号のためのラインに、制限抵抗を介
在することを特徴とする。
トリレーでは、前記他方の発光素子およびフォトサイリ
スタは2組設けられ、一方のフォトサイリスタから駆動
素子への前記駆動信号のためのラインに、制限抵抗を介
在することを特徴とする。
【0012】また、本発明に係るソリッドステートリレ
ーは、外部からの制御信号に応答して光を放射する複数
の発光素子と、前記各発光素子に個別的に対応し、前記
制御信号が与えられる入力端子と、一方の発光素子と対
を成す一方のフォトトライアックと、前記一方のフォト
トライアックに直列に介在される一方の制限抵抗と、他
方の発光素子と対を成し、前記一方の制限抵抗をバイパ
スするように設けられる他方のフォトトライアックと、
前記他方のフォトトライアックに直列に介在され、前記
一方の制限抵抗よりも抵抗値の小さい他方の制限抵抗
と、前記一方のフォトトライアックからの駆動信号に応
答して導通期間が変化し、外部の負荷への通電を制御す
る駆動素子とを含み、前記各入力端子に前記制御信号が
選択的に与えられることで、前記駆動素子へは相互に異
なる駆動信号が与えられることを特徴とする。
ーは、外部からの制御信号に応答して光を放射する複数
の発光素子と、前記各発光素子に個別的に対応し、前記
制御信号が与えられる入力端子と、一方の発光素子と対
を成す一方のフォトトライアックと、前記一方のフォト
トライアックに直列に介在される一方の制限抵抗と、他
方の発光素子と対を成し、前記一方の制限抵抗をバイパ
スするように設けられる他方のフォトトライアックと、
前記他方のフォトトライアックに直列に介在され、前記
一方の制限抵抗よりも抵抗値の小さい他方の制限抵抗
と、前記一方のフォトトライアックからの駆動信号に応
答して導通期間が変化し、外部の負荷への通電を制御す
る駆動素子とを含み、前記各入力端子に前記制御信号が
選択的に与えられることで、前記駆動素子へは相互に異
なる駆動信号が与えられることを特徴とする。
【0013】さらにまた、本発明に係るソリッドステー
トリレーでは、前記他方の発光素子、他方のフォトトラ
イアックおよび他方の制限抵抗は2組設けられることを
特徴とする。
トリレーでは、前記他方の発光素子、他方のフォトトラ
イアックおよび他方の制限抵抗は2組設けられることを
特徴とする。
【0014】また、本発明に係るソリッドステートリレ
ーは、外部からの制御信号に応答し て光を放射する複数
の発光素子と、前記各発光素子に個別的に対応し、前記
制御信号が与えられる入力端子と、第1の発光素子と対
を成す第1のフォトトライアックと、第2の発光素子と
対を成すフォトサイリスタと、相互に並列に設けられる
前記第1のフォトトライアックおよびフォトサイリスタ
からの駆動信号が共通に与えられ、該駆動信号に応答し
て導通期間が変化し、外部の負荷への通電を制御する駆
動素子と、前記第1のフォトトライアックおよびフォト
サイリスタから駆動素子への前記駆動信号のためのライ
ンに介在される制限抵抗と、第3の発光素子と対を成
し、前記制限抵抗をバイパスするように設けられる第2
のフォトトライアックとを含み、前記各発光素子、フォ
トトライアック、フォトサイリスタ、制限抵抗および駆
動素子は相互に一体に封止され、前記各入力端子に前記
制御信号が選択的に与えられることで、前記駆動素子へ
は相互に異なる駆動信号が与えられることを特徴とす
る。
ーは、外部からの制御信号に応答し て光を放射する複数
の発光素子と、前記各発光素子に個別的に対応し、前記
制御信号が与えられる入力端子と、第1の発光素子と対
を成す第1のフォトトライアックと、第2の発光素子と
対を成すフォトサイリスタと、相互に並列に設けられる
前記第1のフォトトライアックおよびフォトサイリスタ
からの駆動信号が共通に与えられ、該駆動信号に応答し
て導通期間が変化し、外部の負荷への通電を制御する駆
動素子と、前記第1のフォトトライアックおよびフォト
サイリスタから駆動素子への前記駆動信号のためのライ
ンに介在される制限抵抗と、第3の発光素子と対を成
し、前記制限抵抗をバイパスするように設けられる第2
のフォトトライアックとを含み、前記各発光素子、フォ
トトライアック、フォトサイリスタ、制限抵抗および駆
動素子は相互に一体に封止され、前記各入力端子に前記
制御信号が選択的に与えられることで、前記駆動素子へ
は相互に異なる駆動信号が与えられることを特徴とす
る。
【0015】
【作用】上記の各構成によれば、調光装置などとして用
いられ、発光素子と、フォトトライアックやフォトサイ
リスタで実現される受光素子と、駆動素子とが相互に一
体に封止されて構成されるソリッドステートリレーにお
いて、対を成す発光素子と受光素子とを複数組設け、か
つ各発光素子に個別的に対応して入力端子を設けてお
き、各受光素子からの出力を駆動信号として駆動素子に
与える。前記各組の発光素子および受光素子は、たとえ
ば発光素子は同一に構成され、受光素子は、たとえば前
記フォトトライアックのように全波に対応し、また前記
フォトサイリスタのように半波に対応することで、その
受光感度が相互に異なるように構成されている。
いられ、発光素子と、フォトトライアックやフォトサイ
リスタで実現される受光素子と、駆動素子とが相互に一
体に封止されて構成されるソリッドステートリレーにお
いて、対を成す発光素子と受光素子とを複数組設け、か
つ各発光素子に個別的に対応して入力端子を設けてお
き、各受光素子からの出力を駆動信号として駆動素子に
与える。前記各組の発光素子および受光素子は、たとえ
ば発光素子は同一に構成され、受光素子は、たとえば前
記フォトトライアックのように全波に対応し、また前記
フォトサイリスタのように半波に対応することで、その
受光感度が相互に異なるように構成されている。
【0016】したがって、外部からの制御信号を選択的
に入力端子に入力すると、その入力端子に対応した発光
素子が光を放射し、その発光素子に対応する受光素子か
らは前記入力端子毎に対応した駆動信号が駆動素子に与
えられることになる。したがって、前記入力端子に選択
的に制御信号を与えることによって、駆動素子の導通期
間が変化し、こうして外部の負荷を位相制御することが
できる。
に入力端子に入力すると、その入力端子に対応した発光
素子が光を放射し、その発光素子に対応する受光素子か
らは前記入力端子毎に対応した駆動信号が駆動素子に与
えられることになる。したがって、前記入力端子に選択
的に制御信号を与えることによって、駆動素子の導通期
間が変化し、こうして外部の負荷を位相制御することが
できる。
【0017】これによって、電源電圧のゼロボルト検出
や前記導通期間に対応した遅延時間を設定するための構
成などを省略し、所望とする導通角に対応した入力端子
に制御信号を与えるだけの簡便な構成で、位相制御を行
うことが可能となる。
や前記導通期間に対応した遅延時間を設定するための構
成などを省略し、所望とする導通角に対応した入力端子
に制御信号を与えるだけの簡便な構成で、位相制御を行
うことが可能となる。
【0018】
【実施例】本発明の参考例について、図1および図2に
基づいて説明すれば以下のとおりである。
基づいて説明すれば以下のとおりである。
【0019】図1は、本発明の参考例のソリッドステー
トリレー11を用いる負荷制御装置12の電気的構成を
示すブロック図である。ソリッドステートリレー11
は、大略的に、2つの発光素子D1,D2と、各発光素
子D1,D2にそれぞれ対を成す2つの受光素子Q1,
Q2と、各受光素子Q1,Q2からの出力が共通に与え
られる駆動素子G1とが相互に一体に封止されて構成さ
れている。
トリレー11を用いる負荷制御装置12の電気的構成を
示すブロック図である。ソリッドステートリレー11
は、大略的に、2つの発光素子D1,D2と、各発光素
子D1,D2にそれぞれ対を成す2つの受光素子Q1,
Q2と、各受光素子Q1,Q2からの出力が共通に与え
られる駆動素子G1とが相互に一体に封止されて構成さ
れている。
【0020】各発光素子D1,D2は、相互に等しい特
性を有する発光ダイオードで実現される。発光素子D
1,D2のアノードは、共通に電流制限抵抗R1から入
力端子P0に接続されてハイレベルな電圧Vccが印加
される。これに対して、各発光素子D1,D2のカソー
ドはそれぞれ個別的に設けられた入力端子P1,P2に
接続されており、これらの入力端子P1またはP2のい
ずれか一方にスイッチング素子15が接続され、図示し
ない制御装置からの制御信号に応答してこのスイッチン
グ素子15が導通することによって、発光素子D1また
はD2が選択的に光を放射する。
性を有する発光ダイオードで実現される。発光素子D
1,D2のアノードは、共通に電流制限抵抗R1から入
力端子P0に接続されてハイレベルな電圧Vccが印加
される。これに対して、各発光素子D1,D2のカソー
ドはそれぞれ個別的に設けられた入力端子P1,P2に
接続されており、これらの入力端子P1またはP2のい
ずれか一方にスイッチング素子15が接続され、図示し
ない制御装置からの制御信号に応答してこのスイッチン
グ素子15が導通することによって、発光素子D1また
はD2が選択的に光を放射する。
【0021】一方、前記各発光素子D1,D2と対を成
す受光素子Q1,Q2のうち、受光素子Q1はフォトト
ライアックで実現され、受光素子Q2はフォトサイリス
タで実現される。対を成す発光素子D1および受光素子
Q1の光経路と、発光素子D2および受光素子Q2の光
経路とは、相互に遮光されており、したがってたとえば
発光素子D1からの光が漏光して、受光素子Q2へ入射
することはない。受光素子Q1,Q2は相互に並列に接
続されており、それらの一方の端子は共通に出力端子P
11に接続され、他方の端子はサイリスタで実現される
駆動素子G1のゲート端子に共通に接続されている。受
光素子Q2の出力端子とゲート端子との間には、感度調
整抵抗R0が介在されている。駆動素子G1の一対の入
出力端子は、出力端子P11,P12にそれぞれ接続さ
れている。
す受光素子Q1,Q2のうち、受光素子Q1はフォトト
ライアックで実現され、受光素子Q2はフォトサイリス
タで実現される。対を成す発光素子D1および受光素子
Q1の光経路と、発光素子D2および受光素子Q2の光
経路とは、相互に遮光されており、したがってたとえば
発光素子D1からの光が漏光して、受光素子Q2へ入射
することはない。受光素子Q1,Q2は相互に並列に接
続されており、それらの一方の端子は共通に出力端子P
11に接続され、他方の端子はサイリスタで実現される
駆動素子G1のゲート端子に共通に接続されている。受
光素子Q2の出力端子とゲート端子との間には、感度調
整抵抗R0が介在されている。駆動素子G1の一対の入
出力端子は、出力端子P11,P12にそれぞれ接続さ
れている。
【0022】前記出力端子P11とP12との間には、
交流電源13と負荷14との直列回路が接続されてい
る。交流電源13は、たとえば実効電圧が100Vの商
用交流電源であり、負荷14はランプである。
交流電源13と負荷14との直列回路が接続されてい
る。交流電源13は、たとえば実効電圧が100Vの商
用交流電源であり、負荷14はランプである。
【0023】上述のように構成されたソリッドステート
リレー11において、受光素子Q1は双方向導通素子で
あり、したがってスイッチング素子15がこの図1で示
すように入力端子P1に接続されて発光素子D1および
この受光素子Q1が選択されているときには、負荷14
に流れる負荷電流は図2(a)で示すようになり、商用
交流の全波波形となる。これに対して、スイッチング素
子15が入力端子P2に接続され、発光素子D2および
受光素子Q2が選択されたときには、受光素子Q2は片
方向導通素子であり、したがって負荷電流は、図2
(b)で示すように半波波形となる。
リレー11において、受光素子Q1は双方向導通素子で
あり、したがってスイッチング素子15がこの図1で示
すように入力端子P1に接続されて発光素子D1および
この受光素子Q1が選択されているときには、負荷14
に流れる負荷電流は図2(a)で示すようになり、商用
交流の全波波形となる。これに対して、スイッチング素
子15が入力端子P2に接続され、発光素子D2および
受光素子Q2が選択されたときには、受光素子Q2は片
方向導通素子であり、したがって負荷電流は、図2
(b)で示すように半波波形となる。
【0024】このように入力端子P1またはP2のいず
れかを選択するだけで、全波波形と半波波形とを切換え
る簡易的な位相制御を実現することができる。したがっ
て、位相制御にあたって、ゼロボルト検出回路や導通角
遅延回路などの複雑な構成を必要とすることなく、簡便
な構成で実現することができ、小型化および低コスト化
を図ることができる。
れかを選択するだけで、全波波形と半波波形とを切換え
る簡易的な位相制御を実現することができる。したがっ
て、位相制御にあたって、ゼロボルト検出回路や導通角
遅延回路などの複雑な構成を必要とすることなく、簡便
な構成で実現することができ、小型化および低コスト化
を図ることができる。
【0025】本発明の第1の実施例について、図3およ
び図4に基づいて説明すれば以下のとおりである。な
お、この実施例は前述の参考例に類似し、対応する部材
には同一の参照符を付してその説明を省略する。
び図4に基づいて説明すれば以下のとおりである。な
お、この実施例は前述の参考例に類似し、対応する部材
には同一の参照符を付してその説明を省略する。
【0026】図3は、本発明の第1の実施例のソリッド
ステートリレー21の電気回路図である。注目すべきは
このソリッドステートリレー21では、前述のソリッド
ステートリレー11における発光素子D1,D2および
受光素子Q1,Q2に加えて、一対の発光素子D3およ
び受光素子Q3がさらに設けられている。受光素子Q3
は、前記受光素子Q1,Q2と相互に並列に接続される
けれども、受光素子Q2とは相互に逆極性となるように
接続されている。
ステートリレー21の電気回路図である。注目すべきは
このソリッドステートリレー21では、前述のソリッド
ステートリレー11における発光素子D1,D2および
受光素子Q1,Q2に加えて、一対の発光素子D3およ
び受光素子Q3がさらに設けられている。受光素子Q3
は、前記受光素子Q1,Q2と相互に並列に接続される
けれども、受光素子Q2とは相互に逆極性となるように
接続されている。
【0027】したがって、入力端子P1,P2が選択さ
れると、図4(a)および図4(b)でそれぞれ示すよ
うに、前述の図2(a)および図2(b)と同様の負荷
電流波形が得られ、さらに入力端子P3が選択される
と、図4(c)で示すように、前記入力端子P2の選択
時とは逆極性の負荷電流波形を得ることができる。
れると、図4(a)および図4(b)でそれぞれ示すよ
うに、前述の図2(a)および図2(b)と同様の負荷
電流波形が得られ、さらに入力端子P3が選択される
と、図4(c)で示すように、前記入力端子P2の選択
時とは逆極性の負荷電流波形を得ることができる。
【0028】したがって、半波波形を得るにあたって、
入力端子P2またはP3を選択することによって、交流
電源13の出力電圧が、正極側であるときと負極側であ
るときとの、所望とする極性のときに、負荷電流を得る
ことができる。
入力端子P2またはP3を選択することによって、交流
電源13の出力電圧が、正極側であるときと負極側であ
るときとの、所望とする極性のときに、負荷電流を得る
ことができる。
【0029】本発明の第2の実施例について、図5およ
び図6に基づいて説明すれば以下のとおりである。
び図6に基づいて説明すれば以下のとおりである。
【0030】図5は、本発明の第2の実施例のソリッド
ステートリレー31の電気回路図である。注目すべきは
このソリッドステートリレー31では、対を成す発光素
子D2および受光素子Q2と同一極性で発光素子D4お
よび受光素子Q4が設けられており、さらに受光素子Q
4と駆動素子G1のゲートとの間には制限抵抗R4が設
けられている。
ステートリレー31の電気回路図である。注目すべきは
このソリッドステートリレー31では、対を成す発光素
子D2および受光素子Q2と同一極性で発光素子D4お
よび受光素子Q4が設けられており、さらに受光素子Q
4と駆動素子G1のゲートとの間には制限抵抗R4が設
けられている。
【0031】したがって、入力端子P1およびP2が選
択されたときには、それぞれ図6(a)および図6
(b)で示すように、全波および半波の負荷電流波形が
得られ、これに対して入力端子P4が選択されたときに
は、図6(c)で示すように、半波波形で、かつ導通角
αが制御された波形となる。前記導通角αは、抵抗R4
の抵抗値が大きいほど大きくなる。
択されたときには、それぞれ図6(a)および図6
(b)で示すように、全波および半波の負荷電流波形が
得られ、これに対して入力端子P4が選択されたときに
は、図6(c)で示すように、半波波形で、かつ導通角
αが制御された波形となる。前記導通角αは、抵抗R4
の抵抗値が大きいほど大きくなる。
【0032】したがって、制限抵抗R4の抵抗値を任意
に選択することによって、所望とする導通角αに位相制
御することが可能となる。なお、この受光素子Q4は、
前述の受光素子Q3と同様に、受光素子Q2に対して相
互に逆極性となるように並列に接続されていて、受光素
子Q2とは交流電源13の出力電圧が反対の極性におい
て位相制御を行うようにしてもよい。
に選択することによって、所望とする導通角αに位相制
御することが可能となる。なお、この受光素子Q4は、
前述の受光素子Q3と同様に、受光素子Q2に対して相
互に逆極性となるように並列に接続されていて、受光素
子Q2とは交流電源13の出力電圧が反対の極性におい
て位相制御を行うようにしてもよい。
【0033】本発明の第3および第4の実施例につい
て、図7〜図9に基づいて説明すれば以下のとおりであ
る。
て、図7〜図9に基づいて説明すれば以下のとおりであ
る。
【0034】図7は本発明の第3の実施例のソリッドス
テートリレー41の電気回路図であり、図8は本発明の
第4の実施例のソリッドステートリレー51の電気回路
図である。ソリッドステートリレー41では、2つの発
光素子D5,D6に対して、それぞれ双方向導通素子の
受光素子Q5,Q6が設けられており、受光素子Q5の
出力は制限抵抗R5を介して駆動素子G1のゲートに入
力されており、前記受光素子Q6は前記制限抵抗R5を
バイパスするように設けられている。また、この受光素
子Q6には直列に制限抵抗R6が設けられており、バイ
パス電流量が制限される。
テートリレー41の電気回路図であり、図8は本発明の
第4の実施例のソリッドステートリレー51の電気回路
図である。ソリッドステートリレー41では、2つの発
光素子D5,D6に対して、それぞれ双方向導通素子の
受光素子Q5,Q6が設けられており、受光素子Q5の
出力は制限抵抗R5を介して駆動素子G1のゲートに入
力されており、前記受光素子Q6は前記制限抵抗R5を
バイパスするように設けられている。また、この受光素
子Q6には直列に制限抵抗R6が設けられており、バイ
パス電流量が制限される。
【0035】また、図8で示す本発明の第4の実施例の
ソリッドステートリレー51では、前記ソリッドステー
トリレー41における受光素子Q6および制限抵抗R6
と並列に、さらに受光素子Q7および制限抵抗R7が設
けられている。
ソリッドステートリレー51では、前記ソリッドステー
トリレー41における受光素子Q6および制限抵抗R6
と並列に、さらに受光素子Q7および制限抵抗R7が設
けられている。
【0036】したがって、入力端子P5だけが選択され
ている状態では、図9(a)で示すように前記導通角α
が比較的大きいのに対して、前記入力端子P5に加えて
入力端子P6も選択されると、図9(b)で示すように
前記導通角αは制限抵抗R5が受光素子Q6および制限
抵抗R6でバイパスされることによって小さくなり、さ
らに入力端子P7が選択されて受光素子Q7が導通する
と、図9(c)で示すように全波波形となる。
ている状態では、図9(a)で示すように前記導通角α
が比較的大きいのに対して、前記入力端子P5に加えて
入力端子P6も選択されると、図9(b)で示すように
前記導通角αは制限抵抗R5が受光素子Q6および制限
抵抗R6でバイパスされることによって小さくなり、さ
らに入力端子P7が選択されて受光素子Q7が導通する
と、図9(c)で示すように全波波形となる。
【0037】本発明の第5の実施例について、図10お
よび図11に基づいて説明すれば以下のとおりである。
よび図11に基づいて説明すれば以下のとおりである。
【0038】図10は、本発明の第5の実施例のソリッ
ドステートリレー61の電気回路図である。この実施例
は、前述の図1および図7で示す実施例に類似してい
る。したがって、フォトトライアックから成る受光素子
Q5,Q6にそれぞれ対応して発光素子D5,D6が設
けられるとともに、フォトサイリスタから成る受光素子
Q8が設けられ、さらにこれに対応する発光素子D8が
設けられている。受光素子Q5と受光素子Q8とは相互
に並列に接続されており、これらの出力は制限抵抗R5
を介して駆動素子G1のゲート端子に入力される。前記
制限抵抗R5と並列となるように、前記受光素子Q6お
よび制限抵抗R6の直列回路が介在されている。
ドステートリレー61の電気回路図である。この実施例
は、前述の図1および図7で示す実施例に類似してい
る。したがって、フォトトライアックから成る受光素子
Q5,Q6にそれぞれ対応して発光素子D5,D6が設
けられるとともに、フォトサイリスタから成る受光素子
Q8が設けられ、さらにこれに対応する発光素子D8が
設けられている。受光素子Q5と受光素子Q8とは相互
に並列に接続されており、これらの出力は制限抵抗R5
を介して駆動素子G1のゲート端子に入力される。前記
制限抵抗R5と並列となるように、前記受光素子Q6お
よび制限抵抗R6の直列回路が介在されている。
【0039】したがって、入力端子P5のみが選択され
ているときには、負荷電流波形は図11(a)で示すよ
うに導通角αの全波波形であり、また入力端子P8のみ
が選択されているときには、負荷電流波形は図11
(b)で示すように導通角αの半波波形となる。
ているときには、負荷電流波形は図11(a)で示すよ
うに導通角αの全波波形であり、また入力端子P8のみ
が選択されているときには、負荷電流波形は図11
(b)で示すように導通角αの半波波形となる。
【0040】これに対して、さらに入力端子P6が選択
されると、制限抵抗R5がバイパスされて、入力端子P
5が選択されているときの負荷電流波形は図11(c)
で示す全波波形となり、また入力端子P8が選択されて
いるときには、負荷電流波形は図11(d)で示すよう
な半波波形となる。
されると、制限抵抗R5がバイパスされて、入力端子P
5が選択されているときの負荷電流波形は図11(c)
で示す全波波形となり、また入力端子P8が選択されて
いるときには、負荷電流波形は図11(d)で示すよう
な半波波形となる。
【0041】このようにして、本発明に従う各ソリッド
ステートリレー11,21,31,41,51,61で
は、入力端子P1〜P8の少なくとも1つを選択するこ
とによって、所望とする導通角αを得るような位相制御
が可能となり、従来技術で述べたような、ゼロボルト検
出回路8や、導通角遅延回路9などの構成を不要とし
て、小型化および低コスト化を図ることができる。
ステートリレー11,21,31,41,51,61で
は、入力端子P1〜P8の少なくとも1つを選択するこ
とによって、所望とする導通角αを得るような位相制御
が可能となり、従来技術で述べたような、ゼロボルト検
出回路8や、導通角遅延回路9などの構成を不要とし
て、小型化および低コスト化を図ることができる。
【0042】なお、本発明は調光装置に限らず、交流電
源からの電力を位相制御するような負荷に対して広く実
施することができ、また、直流負荷であっても、PWM
制御などにも好適に実施することができる。
源からの電力を位相制御するような負荷に対して広く実
施することができ、また、直流負荷であっても、PWM
制御などにも好適に実施することができる。
【0043】
【発明の効果】本発明に従うソリッドステートリレー
は、以上のように、対を成す発光素子と受光素子とを複
数組設け、外部の負荷への通電を制御する駆動素子へは
各受光素子からの駆動信号を与えるようにし、これに対
して各発光素子へは個別的に対応した入力端子を介して
外部からの制御信号を入力するようにし、かつたとえば
受光素子の受光特性を相互に異なるようにするなどし
て、前記各組毎の発光素子および受光素子による駆動信
号の出力特性を異なるようにしておく。
は、以上のように、対を成す発光素子と受光素子とを複
数組設け、外部の負荷への通電を制御する駆動素子へは
各受光素子からの駆動信号を与えるようにし、これに対
して各発光素子へは個別的に対応した入力端子を介して
外部からの制御信号を入力するようにし、かつたとえば
受光素子の受光特性を相互に異なるようにするなどし
て、前記各組毎の発光素子および受光素子による駆動信
号の出力特性を異なるようにしておく。
【0044】それゆえ、所望とする導通角に対応した駆
動信号が得られる入力端子へ制御信号を与えるだけで、
位相制御を実現することができ、導通角を設定するため
のゼロボルト検出回路や導通角遅延回路などの複雑な構
成が不要となり、小型化および低コスト化を図ることが
できる。
動信号が得られる入力端子へ制御信号を与えるだけで、
位相制御を実現することができ、導通角を設定するため
のゼロボルト検出回路や導通角遅延回路などの複雑な構
成が不要となり、小型化および低コスト化を図ることが
できる。
【図1】本発明の参考例のソリッドステートリレーを用
いる負荷制御装置の電気的構成を示すブロック図であ
る。
いる負荷制御装置の電気的構成を示すブロック図であ
る。
【図2】図1で示すソリッドステートリレーの動作を説
明するための波形図である。
明するための波形図である。
【図3】本発明の第1の実施例のソリッドステートリレ
ーの電気回路図である。
ーの電気回路図である。
【図4】図3で示すソリッドステートリレーの動作を説
明するための波形図である。
明するための波形図である。
【図5】本発明の第2の実施例のソリッドステートリレ
ーの電気回路図である。
ーの電気回路図である。
【図6】図5で示すソリッドステートリレーの動作を説
明するための波形図である。
明するための波形図である。
【図7】本発明の第3の実施例のソリッドステートリレ
ーの電気回路図である。
ーの電気回路図である。
【図8】本発明の第4の実施例のソリッドステートリレ
ーの電気回路図である。
ーの電気回路図である。
【図9】図7および図8で示すソリッドステートリレー
の動作を説明するための波形図である。
の動作を説明するための波形図である。
【図10】本発明の第5の実施例のソリッドステートリ
レーの電気回路図である。
レーの電気回路図である。
【図11】図10で示すソリッドステートリレーの動作
を説明するための波形図である。
を説明するための波形図である。
【図12】典型的な従来技術のソリッドステートリレー
の電気回路図である。
の電気回路図である。
【図13】図12で示すソリッドステートリレーが用い
られる負荷制御装置の電気的構成を示すブロック図であ
る。
られる負荷制御装置の電気的構成を示すブロック図であ
る。
11 ソリッドステートリレー 12 負荷制御装置 13 交流電源 14 負荷 15 スイッチング素子 21 ソリッドステートリレー 31 ソリッドステートリレー 41 ソリッドステートリレー 51 ソリッドステートリレー 61 ソリッドステートリレー D1〜D8 発光素子 G1 駆動素子 P0〜P8 入力端子 P11,P12 出力端子 Q1〜Q8 受光素子 R0 感度調整抵抗 R4〜R7 制限抵抗
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H02M 1/08 321 G05F 1/455
Claims (5)
- 【請求項1】外部からの制御信号に応答して光を放射す
る複数の発光素子と、 前記各発光素子に個別的に対応し、前記制御信号が与え
られる入力端子と、 一方の発光素子と対を成すフォトトライアックと、 他方の発光素子と対を成すフォトサイリスタと、 相互に並列に設けられる前記フォトトライアックおよび
フォトサイリスタからの駆動信号が共通に与えられ、該
駆動信号に応答して導通期間が変化し、外部の負荷への
通電を制御する駆動素子とを含み、前記他方の発光素子およびフォトサイリスタは2組設け
られ、かつ前記フォトサイリスタは相互に並列に逆極性
に設けられ、 前記各発光素子、フォトトライアック、フォトサイリス
タおよび駆動素子は相互に一体に封止され、 前記各入力端子に前記制御信号が選択的に与えられるこ
とで、前記駆動素子へは相互に異なる駆動信号が与えら
れることを特徴とするソリッドステートリレー。 - 【請求項2】前記他方の発光素子およびフォトサイリス
タは2組設けられ、一方のフォトサイリスタから駆動素
子への前記駆動信号のためのラインに、制限抵抗を介在
することを特徴とする請求項1記載のソリッドステート
リレー。 - 【請求項3】外部からの制御信号に応答して光を放射す
る複数の発光素子と、 前記各発光素子に個別的に対応し、前記制御信号が与え
られる入力端子と、 一方の発光素子と対を成すフォトトライアックと、 前記一方のフォトトライアックに直列に介在される一方
の制限抵抗と、 他方の発光素子と対を成し、前記一方の制限抵抗をバイ
パスするように設けられる他方のフォトトライアック
と、 前記他方のフォトトライアックに直列に介在され、前記
一方の制限抵抗よりも抵抗値の小さい他方の制限抵抗
と、 前記一方のフォトトライアックからの駆動信号に応答し
て導通期間が変化し、外部の負荷への通電を制御する駆
動素子とを含み、 前記各入力端子に前記制御信号が選択的に与えられるこ
とで、前記駆動素子へは相互に異なる駆動信号が与えら
れることを特徴とするソリッドステートリレー。 - 【請求項4】前記他方の発光素子、他方のフォトトライ
アックおよび他方の制限抵抗は2組設けられることを特
徴とする請求項3記載のソリッドステートリレー。 - 【請求項5】外部からの制御信号に応答して光を放射す
る複数の発光素子と、 前記各発光素子に個別的に対応し、前記制御信号が与え
られる入力端子と、 第1の発光素子と対を成す第1のフォトトライアック
と、 第2の発光素子と対を成すフォトサイリスタと、 相互に並列に設けられる前記第1のフォトトライアック
およびフォトサイリスタからの駆動信号が共通に与えら
れ、該駆動信号に応答して導通期間が変化し、外部の負
荷への通電を制御する駆動素子と、 前記第1のフォトトライアックおよびフォトサイリスタ
から駆動素子への前記駆動信号のためのラインに介在さ
れる制限抵抗と、 第3の発光素子と対を成し、前記制限抵抗をバイパスす
るように設けられる第2のフォトトライアックとを含
み、 前記各発光素子、フォトトライアック、フォトサイリス
タ、制限抵抗および駆動素子は相互に一体に封止され、 前記各入力端子に前記制御信号が選択的に与えられるこ
とで、前記駆動素子へは相互に異なる駆動信号が与えら
れることを特徴とするソリッドステートリレー。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP05007595A JP3195722B2 (ja) | 1995-03-09 | 1995-03-09 | ソリッドステートリレー |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP05007595A JP3195722B2 (ja) | 1995-03-09 | 1995-03-09 | ソリッドステートリレー |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08251909A JPH08251909A (ja) | 1996-09-27 |
JP3195722B2 true JP3195722B2 (ja) | 2001-08-06 |
Family
ID=12848896
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP05007595A Expired - Fee Related JP3195722B2 (ja) | 1995-03-09 | 1995-03-09 | ソリッドステートリレー |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3195722B2 (ja) |
-
1995
- 1995-03-09 JP JP05007595A patent/JP3195722B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH08251909A (ja) | 1996-09-27 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090601 Year of fee payment: 8 |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |