JP3192951B2 - Semiconductor wafer drying equipment - Google Patents

Semiconductor wafer drying equipment

Info

Publication number
JP3192951B2
JP3192951B2 JP31645695A JP31645695A JP3192951B2 JP 3192951 B2 JP3192951 B2 JP 3192951B2 JP 31645695 A JP31645695 A JP 31645695A JP 31645695 A JP31645695 A JP 31645695A JP 3192951 B2 JP3192951 B2 JP 3192951B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor wafer
drying
semiconductor
water
buffer tank
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP31645695A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH09162157A (en
Inventor
正昭 南
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP31645695A priority Critical patent/JP3192951B2/en
Publication of JPH09162157A publication Critical patent/JPH09162157A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3192951B2 publication Critical patent/JP3192951B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、薬品処理、水洗処
理後の半導体ウエハを乾燥させるために用いられれる半
導体ウエハの乾燥装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor wafer drying apparatus used for drying a semiconductor wafer after a chemical treatment and a water washing treatment.

【0002】[0002]

【従来の技術】周知の通り、エッチング等の薬品処理が
なされた半導体ウエハは、水による洗浄処理がなされ、
乾燥処理されて次工程に移される。従来、こうした一連
の過程は次のように行われていた。
2. Description of the Related Art As is well known, a semiconductor wafer that has been subjected to a chemical treatment such as etching is subjected to a cleaning treatment with water.
After being dried, it is transferred to the next step. Conventionally, such a series of processes has been performed as follows.

【0003】以下、従来技術を図3及び図4を参照して
説明する。図3は平面図であり、図4は正面図である。
The prior art will be described below with reference to FIGS. FIG. 3 is a plan view, and FIG. 4 is a front view.

【0004】図3及び図4において、1は半導体ウエハ
であり、2は複数枚の半導体ウエハ1を保持する保持台
であり、3は第1の薬液が内部に満たされた第1の薬液
槽であり、4は第2の薬液が内部に満たされた第2の薬
液槽であり、5は水が内部に満たされた水洗槽である。
さらに、6はカセットステージであり、7はカセットス
テージ6に置かれたカセットで、これに水洗後の複数枚
の半導体ウエハ1が保持台2から移し変えられて保持さ
れる。
[0004] In FIGS. 3 and 4, reference numeral 1 denotes a semiconductor wafer; 2, a holding table for holding a plurality of semiconductor wafers 1; 3, a first chemical solution tank filled with a first chemical solution. Numeral 4 denotes a second chemical tank filled with a second chemical liquid, and numeral 5 denotes a washing tank filled with water.
Reference numeral 6 denotes a cassette stage. Reference numeral 7 denotes a cassette placed on the cassette stage 6, on which a plurality of semiconductor wafers 1 after water washing are transferred from the holding table 2 and held.

【0005】また、8はスピンドライヤであり、このス
ピンドライヤ8内にはホルダ9が設けられている。ホル
ダ9は半導体ウエハ1を保持するカセット7を収納保持
し、半導体ウエハ1を水平にした状態で回転中心Xの回
りに矢印Aの方向に回転し、半導体ウエハ1を水平面内
で公転させるようになっている。
[0005] Reference numeral 8 denotes a spin dryer, in which a holder 9 is provided. The holder 9 accommodates and holds a cassette 7 for holding the semiconductor wafer 1, rotates in a direction of an arrow A around a rotation center X in a state where the semiconductor wafer 1 is horizontal, and revolves the semiconductor wafer 1 in a horizontal plane. Has become.

【0006】このように構成されたものでは、先ず、保
持台2に相互の主面間に所定間隔を設けて配列されるよ
うに保持された複数枚の半導体ウエハ1は、第1の薬液
槽3で薬品処理され、続いて矢印B1 で示すように第2
の薬液槽4に移されて薬品処理される。そして薬品処理
された複数枚の半導体ウエハ1は矢印B2 で示すように
水洗槽5に移し変えられ、水洗槽5での水洗いで薬液が
除去される。
In such a structure, first, a plurality of semiconductor wafers 1 held on a holding table 2 so as to be arranged with a predetermined interval between their main surfaces are placed in a first chemical solution tank. 3 and then a second treatment as indicated by arrow B1.
Is transferred to the chemical tank 4 for chemical treatment. Then, the plurality of semiconductor wafers 1 subjected to the chemical treatment are transferred to a washing tank 5 as shown by an arrow B2, and the chemical liquid is removed by washing in the washing tank 5.

【0007】この後、複数枚の半導体ウエハ1は1枚ず
つカセットステージ6に置かれたカセット7に矢印B3
で示すように移し変えられ、同様に相互の主面間に所定
間隔を設けて配列されるよう保持される。そして複数枚
の半導体ウエハ1を保持したカセット7はスピンドライ
ヤ8内のホルダ9に矢印B4 で示すように移され、収納
保持される。
[0007] Thereafter, the plurality of semiconductor wafers 1 are placed one by one on a cassette 7 placed on a cassette stage 6 by an arrow B3.
, And are similarly held so as to be arranged with a predetermined interval between the main surfaces. Then, the cassette 7 holding a plurality of semiconductor wafers 1 is transferred to a holder 9 in a spin dryer 8 as shown by an arrow B4 and stored and held.

【0008】さらに、ホルダ9は収納されている半導体
ウエハ1の配列方向が垂直、すなわち半導体ウエハ1の
主面が水平になるようにした状態で、回転中心Xの回り
に矢印Aの方向に回転される。この回転に伴う遠心力で
半導体ウエハ1の表面に付着している水分が振り落とさ
れるようにして除去され、半導体ウエハ1の乾燥が行わ
れる。
Further, the holder 9 is rotated in the direction of arrow A around the rotation center X in a state where the arrangement direction of the semiconductor wafers 1 accommodated therein is vertical, that is, the main surface of the semiconductor wafer 1 is horizontal. Is done. The water adhering to the surface of the semiconductor wafer 1 is removed by being shaken off by the centrifugal force accompanying the rotation, and the semiconductor wafer 1 is dried.

【0009】しかしながら上記の従来技術においては、
水洗いされ水分が付着している半導体ウエハ1は、カセ
ット7に移し変えられてからスピンドライヤ8による乾
燥が行われるため、移し変えを行っている時間中に半導
体ウエハ1の一部が自然乾燥を起こし、しみ等の乾燥不
足が発生する。また半導体ウエハ1はカセット7に保持
されているために、スピンドライヤ8で回転し乾燥を行
っている際、半導体ウエハ1に付着している水分がカセ
ット7に遮られて除去が円滑に行われず、乾燥不足を起
こしてしまう虞がある。
However, in the above prior art,
Since the semiconductor wafer 1 to which water has been washed and to which moisture has adhered is transferred to the cassette 7 and then dried by the spin dryer 8, a part of the semiconductor wafer 1 is naturally dried during the transfer. Insufficient drying such as waking up and spots may occur. In addition, since the semiconductor wafer 1 is held in the cassette 7, when the wafer is rotated and dried by the spin drier 8, the moisture adhering to the semiconductor wafer 1 is blocked by the cassette 7 and the removal is not performed smoothly. However, there is a fear that insufficient drying may occur.

【0010】さらに、カセット7は薬品処理する際の薬
品に耐える材質、例えばPFA(テトラフルオロエチレ
ン−パーフルオロアルキルビニルエーテル)等の合成樹
脂材料により通常は作られているため、スピンドライヤ
8での回転中に静電気を引き起こし、帯電したカセット
7や半導体ウエハ1に雰囲気中に存在するごみやパーテ
ィクルが引き付けられて付着してしまう虞がある。
Further, since the cassette 7 is usually made of a synthetic resin material such as PFA (tetrafluoroethylene-perfluoroalkylvinyl ether), which is resistant to chemicals at the time of chemical treatment, the cassette 7 is rotated by the spin dryer 8. There is a possibility that dust or particles existing in the atmosphere may be attracted to and adhere to the charged cassette 7 or the semiconductor wafer 1 by causing static electricity therein.

【0011】またさらに、複数枚の半導体ウエハ1を一
度に乾燥させるため、一枚一枚の半導体ウエハ1の乾燥
状態が異なり、中には乾燥不足によるウォーターマーク
が付いてしまったりする虞がある。
Furthermore, since a plurality of semiconductor wafers 1 are dried at one time, the drying state of each semiconductor wafer 1 is different, and there is a possibility that a watermark may be formed due to insufficient drying. .

【0012】このように、複数枚の半導体ウエハ1をカ
セット7に保持し、スピンドライヤ8で一度に乾燥させ
る乾燥処理では乾燥不良が生じる虞があり、乾燥処理に
おける品質の向上が困難なものとなっていた。
As described above, in the drying process in which a plurality of semiconductor wafers 1 are held in the cassette 7 and dried at a time by the spin dryer 8, there is a possibility that defective drying may occur, and it is difficult to improve the quality in the drying process. Had become.

【0013】一方、スピンドライヤ8は、乾燥が確実に
行われるようカセット7に保持した複数枚の半導体ウエ
ハ1に大きな遠心力を働かせようとすると、回転半径が
大きなものとなる。そしてスピンドライヤ8の占めるス
ペースは、第1の薬液槽3や第2の薬液槽4、水洗槽5
の薬品処理や水洗処理部分に比べ増大化する方向にあ
り、限られたクリーンルーム内スペースの有効活用の面
からは必要とするスペースをなるべく少なくすることが
望まれている。ちなみに6インチサイズの半導体ウエハ
1を乾燥させるスピンドライヤ8の平均的な大きさは、
幅が800mm、奥行きが800mm程度のものとなっ
ている。
On the other hand, when a large centrifugal force is applied to the plurality of semiconductor wafers 1 held in the cassette 7 so that the drying is performed reliably, the spin dryer 8 has a large rotation radius. The space occupied by the spin dryer 8 is the first chemical solution tank 3, the second chemical solution tank 4, and the washing tank 5.
Therefore, it is desired to reduce the required space as much as possible from the viewpoint of effective use of the limited space in the clean room. By the way, the average size of the spin dryer 8 for drying the 6-inch semiconductor wafer 1 is as follows.
The width is about 800 mm and the depth is about 800 mm.

【0014】[0014]

【発明が解決しようとする課題】上記のように従来は複
数枚の半導体ウエハをカセットに移し変え、さらにカセ
ットに保持したままスピンドライヤで回転させ水分を振
り切るようにして除去し乾燥するため、移し変え時に一
部が乾燥して生じるしみ等の乾燥不足や、カセットに邪
魔されて部分的に乾燥不足が生じたり、静電気によって
ごみやパーティクルが引き付けられ半導体ウエハに付着
してしまったり、また同時に乾燥処理した複数枚の半導
体ウエハの中で乾燥状態が異なるために一部に乾燥不足
が生じ、ウォーターマークが付いてしまったりし、乾燥
処理での品質向上が必要となっている。さらにスピンド
ライヤは乾燥を確実に行わせるには大きな遠心力を必要
とするが、クリーンルーム内での占有スペースが大きな
ものとなってしまう。このような状況に鑑みて本発明は
なされたもので、乾燥不良等の問題が生じ難く乾燥処理
での品質向上が図れ、また省スペース化が図れる半導体
ウエハの乾燥装置を提供することを目的とする。
As described above, conventionally, a plurality of semiconductor wafers are transferred to a cassette, and the semiconductor wafer is rotated by a spin drier while being held in the cassette to remove water by shaking off water and dried. Insufficient drying such as stains caused by drying partly when changing, partial insufficiency of drying due to disturbed cassettes, dirt and particles attracted by static electricity and adhere to semiconductor wafers, and drying at the same time Due to the different drying state among the plurality of processed semiconductor wafers, insufficient drying occurs in some parts, resulting in a watermark or the like, and quality improvement in the drying processing is required. Furthermore, a spin dryer requires a large centrifugal force to ensure drying, but occupies a large space in a clean room. In view of such a situation, the present invention has been made, and an object of the present invention is to provide a semiconductor wafer drying apparatus in which problems such as poor drying are unlikely to occur, quality in a drying process can be improved, and space can be saved. I do.

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段】本発明の半導体ウエハの
乾燥装置は、水洗処理された半導体ウエハを水中に保持
するバッファ槽と、このバッファ槽内から半導体ウエハ
を1枚づつ取り上げて移送する移送部と、この移送部で
移送された1枚の半導体ウエハを主面が略水平となるよ
うにに支持し水平面内で高速回転させて水を除去する回
転乾燥部とを備えていることを特徴とするものであり、
さらに、半導体ウエハは、複数枚が1つの保持台に載せ
られた状態で水洗処理され、該保持台に載せられたまま
の状態でバッファ槽内の水中に保持されていることを特
徴とするものであり、さらに、半導体ウエハは、主面が
垂直となるようにしてバッファ槽内に保持されているこ
とを特徴とするものであり、さらに、移送部は、半導体
ウエハを主面が垂直な状態でバッファ槽内から取り上
げ、移送途中で該半導体ウエハの主面が水平になるよう
に変えて回転乾燥部に移載するものであることを特徴と
するものであり、さらに、回転乾燥部は、半導体ウエハ
を外周の複数箇所で支持し水平面内で回転させるもので
あることを特徴とするものである。
SUMMARY OF THE INVENTION A semiconductor wafer drying apparatus according to the present invention comprises a buffer tank for holding a semiconductor wafer having been subjected to a washing treatment in water, and a transfer for picking up and transferring semiconductor wafers one by one from the buffer tank. And a rotary drying unit that supports one semiconductor wafer transferred by the transfer unit so that the main surface is substantially horizontal, and rotates at a high speed in a horizontal plane to remove water. And
Further, the semiconductor wafer is washed with water while a plurality of the semiconductor wafers are placed on one holding table, and is held in the water in the buffer tank while being mounted on the holding table. Further, the semiconductor wafer is held in the buffer tank such that the main surface is vertical, and further, the transfer unit is configured to hold the semiconductor wafer in a state where the main surface is vertical. The semiconductor wafer is picked up from the inside of the buffer tank, and is transferred to the rotary drying unit while being changed so that the main surface of the semiconductor wafer is horizontal during the transfer. The semiconductor wafer is supported at a plurality of locations on the outer periphery and rotated in a horizontal plane.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態を図1
及び図2を参照して説明する。図1は斜視図であり、図
2は平面図である。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG.
This will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a perspective view, and FIG. 2 is a plan view.

【0017】図1及び図2において、11は円板状の半
導体ウエハであり、12は複数枚の半導体ウエハ11を
保持する保持台で、これには例えばバッチ処理する25
枚の半導体ウエハ11が相互の主面間に所定間隔を設け
られるよう配列され、それぞれ垂直に保持される。
In FIGS. 1 and 2, reference numeral 11 denotes a disc-shaped semiconductor wafer, and 12 denotes a holding table for holding a plurality of semiconductor wafers 11, for example, a batch processing 25.
The semiconductor wafers 11 are arranged so as to provide a predetermined interval between their main surfaces, and are held vertically.

【0018】また、13は第1の薬液が内部に満たされ
た第1の薬液槽で、これには複数枚の半導体ウエハ11
が、保持台12に保持されたまま図示しない移送装置に
よって第1の薬液中に浸されるようになっている。14
は第2の薬液が内部に満たされた第2の薬液槽で、同様
に第1の薬液中に浸され移送装置により矢印C1 で示す
ように取り出され移された複数枚の半導体ウエハ11
が、同様に保持台12に保持されたまま第2の薬液中に
浸されるようになっている。
Reference numeral 13 denotes a first chemical solution tank in which a first chemical solution is filled.
Is immersed in the first chemical solution by a transfer device (not shown) while being held by the holding table 12. 14
Is a second chemical solution tank filled with a second chemical solution, which is similarly immersed in the first chemical solution and taken out and transferred by the transfer device as shown by an arrow C1 as indicated by arrow C1.
Is also immersed in the second chemical solution while being held by the holding table 12.

【0019】さらに、15は洗浄用の水が内部に満たさ
れた水洗槽で、移送装置により第2の薬液中に浸された
後に矢印C2 で示すように取り出され移された複数枚の
半導体ウエハ11が、保持台12に保持されたまま浸さ
れて水洗いが行われる。なお、第1の薬液槽13、第2
の薬液槽14及び水洗槽15は処理過程の順に従って配
置されている。
Reference numeral 15 denotes a washing tank filled with water for washing, and a plurality of semiconductor wafers taken out and transferred as shown by an arrow C2 after being immersed in a second chemical solution by a transfer device. 11 is immersed while being held by the holding table 12, and is washed with water. Note that the first chemical solution tank 13 and the second
Are disposed in accordance with the order of the processing steps.

【0020】またさらに、16は水洗槽15に隣接して
設けられた水洗バッファ槽で、この水洗バッファ槽16
には洗浄用の水がオーバーフローするように供給され内
部の水が、常に新しく供給された水に置換されるように
なっている。そして水洗バッファ槽16内には水洗槽1
5で洗浄された複数枚の半導体ウエハ11が、保持台1
2に主面が垂直となるように保持されたまま移送装置に
より矢印C3 で示すように移送され、水中に保管される
ようになっている。
A washing buffer tank 16 is provided adjacent to the washing tank 15.
Is supplied so that water for washing is overflowed, and the water inside is always replaced by newly supplied water. The washing tank 1 is located in the washing buffer tank 16.
The plurality of semiconductor wafers 11 cleaned in step 5
While the main surface is kept vertical to 2, the device is transferred by a transfer device as shown by an arrow C3 and stored in water.

【0021】一方、17は水洗バッファ槽26に隣接し
て設けられた移送部で、ウエハチャック機構18と、こ
のウエハチャック機構18を矢印Dで示すように上下方
向に直線的に進退させる上下移動機構19と、この上下
移動機構19を矢印Eで示すように水平方向に直線的に
進退させる水平移動機構20とを備えている。21は上
下移動機構19のガイドレールであり、22は上下移動
機構19の駆動部であり、23は水平移動機構20のガ
イドレールであり、24は水平移動機構20の駆動部で
ある。
On the other hand, reference numeral 17 denotes a transfer section provided adjacent to the washing buffer tank 26, and a vertical movement for linearly moving the wafer chuck mechanism 18 vertically in the vertical direction as shown by the arrow D in FIG. A mechanism 19 and a horizontal moving mechanism 20 for moving the vertical moving mechanism 19 linearly forward and backward in the horizontal direction as shown by an arrow E are provided. Reference numeral 21 denotes a guide rail of the vertical movement mechanism 19, reference numeral 22 denotes a drive section of the vertical movement mechanism 19, reference numeral 23 denotes a guide rail of the horizontal movement mechanism 20, and reference numeral 24 denotes a drive section of the horizontal movement mechanism 20.

【0022】また、ウエハチャック機構18は、上下移
動機構19に片端が支持され水平方向の回動軸を有して
矢印Fで示すように回動する回動アーム25と、この回
動アーム25の他端に設けられた開閉チャック26とを
備えている。そして、回動アーム25は回動駆動部27
によって駆動され、開閉チャック26はチャック駆動部
28によって矢印Gで示すように動作し開閉動作が行わ
れるようになっている。
The wafer chuck mechanism 18 includes a rotating arm 25 having one end supported by a vertical moving mechanism 19 and having a horizontal rotating shaft and rotating as shown by an arrow F. And an opening / closing chuck 26 provided at the other end. The rotation arm 25 is connected to a rotation drive unit 27.
The opening / closing operation is performed by the opening / closing chuck 26 by the chuck driving unit 28 as indicated by an arrow G.

【0023】さらに、29は移送部17に隣接して設け
られた回転乾燥部で、半導体ウエハ11を上面側に水平
に支持する回転台30と、この回転台30を矢印Hで示
す方向に3000rpm〜5000rpmの高速度で回
転させる駆動モータ31とを備えている。そして回転台
30の上面には、半導体ウエハ11を水平に支持するた
めのチャックピン32をそれぞれ先端部に立設させた複
数のクランク機構33が略放射状に設けられている。
Reference numeral 29 denotes a rotary drying unit provided adjacent to the transfer unit 17, a rotary table 30 for horizontally supporting the semiconductor wafer 11 on the upper surface side, and the rotary table 30 at 3000 rpm in the direction indicated by the arrow H. And a drive motor 31 that rotates at a high speed of up to 5000 rpm. On the upper surface of the turntable 30, a plurality of crank mechanisms 33 each having a chuck pin 32 for horizontally supporting the semiconductor wafer 11 erected at an end thereof are provided substantially in a radial manner.

【0024】チャックピン32は円柱形状をなしてお
り、その先端部分の回転中心側が下方側に傾斜面、上方
側に垂直面を有するように形成され、断面形状が半月状
となっている。そしてチャックピン32は、クランク機
構33によって同一円周上に配置されるような状態を保
ちながら回転台の30の回転中心方向に進退するように
なっている。
The chuck pin 32 has a columnar shape, and is formed such that the rotation center side of the tip portion has an inclined surface on the lower side and a vertical surface on the upper side, and has a half-moon cross section. The chuck pin 32 moves forward and backward in the direction of the rotation center of the turntable 30 while maintaining a state of being arranged on the same circumference by the crank mechanism 33.

【0025】またさらに、回転乾燥部29の近傍には図
示しない移載装置が設けられていて、これにより回転乾
燥が終了した半導体ウエハ11が次の工程に順次送り出
されるようになっている。なお、上記の各機構及び各部
の動作は、運転に際し入力された設定内容及び予めプロ
グラムされた制御内容に基づき図示しない制御部により
制御されるようになっている。
Further, a transfer device (not shown) is provided in the vicinity of the rotary drying unit 29, so that the semiconductor wafers 11 for which the rotary drying has been completed are sequentially sent to the next step. The operation of each mechanism and each unit described above is controlled by a control unit (not shown) based on the setting contents input during operation and control contents programmed in advance.

【0026】このように構成されたものでは、先ず、保
持台12に相互の主面間に所定間隔を設けて垂直に配列
されるように保持された半導体ウエハ11は、第1の薬
液槽13で薬品処理され、続いて第2の薬液槽14に保
持台12に保持されたままの状態で移されて薬品処理さ
れる。そして薬品処理された半導体ウエハ11は同じく
保持台12に保持されたままの状態で水洗槽15に移し
変えられ、水洗槽15での水洗いにより薬液が除去され
る。
In the above-described structure, first, the semiconductor wafers 11 held on the holding table 12 so as to be vertically arranged with a predetermined interval between their main surfaces are placed in the first chemical solution tank 13. Then, it is transferred to the second chemical solution tank 14 while being held by the holding table 12, and is subjected to chemical treatment. The semiconductor wafer 11 that has been subjected to the chemical treatment is transferred to the washing tank 15 while being held by the holding table 12, and the chemical liquid is removed by washing in the washing tank 15.

【0027】この後、半導体ウエハ11は保持台12に
保持されたままの状態で、常に新しく供給された水に置
換されている水洗バッファ槽16に移送され、水中に保
管される。
Thereafter, the semiconductor wafer 11 while being held by the holding table 12 is transferred to a washing buffer tank 16 which is always replaced with newly supplied water, and stored in water.

【0028】続いて半導体ウエハ11は、1枚ずつ水洗
バッファ槽16の水中から移送部17のウエハチャック
機構18と上下移動機構19によって掴み出される。す
なわち、開閉チャック26を垂直下方に向け開いた状態
にして半導体ウエハ11の側縁部分を掴むよう水洗バッ
ファ槽16中に入れる。そして開閉チャック26を閉じ
て1枚の半導体ウエハ11の側縁部分を掴む。その後、
上下移動機構19を動作させてウエハチャック機構18
を上昇させ、半導体ウエハ11を主面が垂直となるよう
に保持している開閉チャック26を水洗バッファ槽16
から出す。
Subsequently, the semiconductor wafers 11 are gripped one by one from the water in the washing buffer tank 16 by the wafer chuck mechanism 18 and the vertical movement mechanism 19 of the transfer unit 17. That is, the opening / closing chuck 26 is opened vertically downward, and the semiconductor wafer 11 is put into the washing buffer tank 16 so as to grip the side edge portion. Then, the opening / closing chuck 26 is closed and the side edge portion of one semiconductor wafer 11 is gripped. afterwards,
By operating the vertical movement mechanism 19, the wafer chuck mechanism 18 is operated.
Is raised, and the opening / closing chuck 26 holding the semiconductor wafer 11 so that the main surface is vertical is flushed with the washing buffer tank 16.
Get out of

【0029】次に、掴み出された半導体ウエハ11は、
ウエハチャック機構18の回動アーム25の回動によ
り、開閉チャック26に保持されたままの状態で主面が
水平になるよう向きが変えられる。そして、水平移動機
構20により半導体ウエハ11が回転乾燥部29の回転
台30の直上に位置するようウエハチャック機構18の
移動が行われる。
Next, the semiconductor wafer 11 taken out is
The rotation of the rotation arm 25 of the wafer chuck mechanism 18 changes the orientation so that the main surface is horizontal while being held by the opening / closing chuck 26. Then, the wafer chuck mechanism 18 is moved by the horizontal moving mechanism 20 so that the semiconductor wafer 11 is located immediately above the turntable 30 of the rotary drying unit 29.

【0030】続いて、上下移動機構19の動作によって
ウエハチャック機構18を下降させ、半導体ウエハ11
の外周縁と同一の円周上に位置するよう開いた状態のチ
ャックピン32の傾斜面上に、開閉チャック26を開い
て保持していた半導体ウエハ11を載置させる。その
後、チャックピン32が回転中心方向に向かうようクラ
ンク機構33を動作させ、チャックピン32の傾斜面に
沿って半導体ウエハ11をせり上がらせ、チャックピン
32の垂直面を半導体ウエハ11の外周縁に当接させ、
半導体ウエハ11を水平に支持させる。
Subsequently, the wafer chuck mechanism 18 is lowered by the operation of the vertical moving mechanism 19, and the semiconductor wafer 11 is moved.
The open / close chuck 26 is held on the inclined surface of the chuck pin 32 which is open so as to be located on the same circumference as the outer peripheral edge of the semiconductor wafer 11. Thereafter, the crank mechanism 33 is operated so that the chuck pins 32 move toward the center of rotation, and the semiconductor wafer 11 is lifted up along the inclined surface of the chuck pins 32, and the vertical surface of the chuck pins 32 is placed on the outer peripheral edge of the semiconductor wafer 11. Abut,
The semiconductor wafer 11 is supported horizontally.

【0031】そして回転台30を高速度で回転させ、こ
れにより回転台30の上面側に水平に支持された半導体
ウエハ11を高速回転させ、回転に伴う遠心力で半導体
ウエハ11の表面に付着している水分を振り落とし除去
することで半導体ウエハ11の乾燥が行われる。
Then, the turntable 30 is rotated at a high speed, whereby the semiconductor wafer 11 horizontally supported on the upper surface of the turntable 30 is rotated at a high speed, and the semiconductor wafer 11 adheres to the surface of the semiconductor wafer 11 by centrifugal force accompanying the rotation. The semiconductor wafer 11 is dried by shaking off and removing the moisture contained therein.

【0032】その後、回転乾燥部29の運転を停止さ
せ、クランク機構33を動作させてチャックピン32を
開き、移載装置によって回転乾燥が終了した半導体ウエ
ハ11が、回転台30上から次の工程に送り出される。
Thereafter, the operation of the rotary drying unit 29 is stopped, the crank mechanism 33 is operated to open the chuck pins 32, and the semiconductor wafer 11 which has been subjected to the rotary drying by the transfer device is transferred from the rotary table 30 to the next step. Will be sent to

【0033】そして、上記の各過程が水洗バッファ槽1
6の水中に保管された半導体ウエハ11について1枚ず
つ移送部17で掴み出され、順次実行される。
Each of the above steps is performed in the washing buffer tank 1.
The semiconductor wafers 11 stored in the water 6 are picked up one by one by the transfer unit 17 and sequentially executed.

【0034】以上、説明したように半導体ウエハ11は
1枚ずつ保管されていた水洗バッファ槽16の水中から
取り出され、他の半導体ウエハ11の取り出しを待つこ
となく速やかに回転乾燥部29に移送され高速度での回
転乾燥が行われるため、自然乾燥に伴うしみ等の乾燥不
足が発生しない。また回転乾燥の際にも障害物がないた
めに乾燥が促進され乾燥不足が生じることもなく、回転
時に発生する静電気も抑制されて半導体ウエハ11への
ごみやパーティクルの付着が低減される。
As described above, the semiconductor wafers 11 are taken out of the water in the washing buffer tank 16 stored one by one, and are immediately transferred to the rotary drying unit 29 without waiting for taking out another semiconductor wafer 11. Since rotational drying is performed at a high speed, insufficient drying such as spots due to natural drying does not occur. In addition, since there is no obstacle during rotation drying, drying is promoted and insufficient drying does not occur, static electricity generated during rotation is also suppressed, and adhesion of dust and particles to the semiconductor wafer 11 is reduced.

【0035】さらに、1枚ずつの乾燥であるためにウォ
ーターマークの発生がなくなって品質向上を図ることが
でき、半導体ウエハ11の1枚ずつの管理が容易なもの
となる。
Further, since the drying is performed one by one, the generation of the watermark is eliminated and the quality can be improved, so that the management of the semiconductor wafers 11 one by one becomes easy.

【0036】一方、回転乾燥が半導体ウエハ11を1枚
ずつ乾燥するものであるため、回転駆動に大きな力を要
せず回転乾燥部29が小型になり、移送部17を含めて
の装置全体を小さくすることができ、占有スペースが少
なくてすむので、例えばクリーンルーム内等の限られた
所への設置に際しスペースの有効活用が図れる。ちなみ
に6インチサイズの半導体ウエハ11を乾燥させる場
合、移送部17は幅210mm、奥行550mm、また
回転乾燥部29は幅250mm、奥行250mm程度の
ものとなり、図2に示す平面図のように設置した場合に
は、装置全体では幅460mm、奥行550mmで済む
ことなり、省スペース化される。
On the other hand, since the rotary drying is for drying the semiconductor wafers 11 one by one, a large force is not required for the rotation drive, the rotary drying unit 29 is small, and the entire apparatus including the transfer unit 17 is required. Since the space can be reduced and the occupied space can be reduced, the space can be effectively used for installation in a limited place such as a clean room. Incidentally, when the 6-inch semiconductor wafer 11 is dried, the transfer section 17 has a width of 210 mm and a depth of 550 mm, and the rotary drying section 29 has a width of about 250 mm and a depth of about 250 mm, and is installed as shown in the plan view of FIG. In this case, the entire device only needs to have a width of 460 mm and a depth of 550 mm, thereby saving space.

【0037】[0037]

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
は、バッファ槽内から半導体ウエハを移送部で1枚づつ
取り上げて回転乾燥部に移送し、回転乾燥部で半導体ウ
エハを主面が略水平となるようにに支持し水平面内で高
速回転させて水を除去するようにして乾燥させる構成と
したことにより、乾燥不良等の問題が生じ難くなって乾
燥処理での品質向上が図れ、また省スペース化が図れる
等の効果を奏する。
As is apparent from the above description, according to the present invention, the semiconductor wafers are picked up one by one by the transfer unit from the buffer tank and transferred to the rotary drying unit. By supporting so as to be substantially horizontal and rotating at a high speed in a horizontal plane to remove water and drying, problems such as poor drying hardly occur and the quality of the drying process can be improved, In addition, effects such as space saving can be achieved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施形態を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の一実施形態の概略構成を示す平面図で
ある。
FIG. 2 is a plan view showing a schematic configuration of an embodiment of the present invention.

【図3】従来技術の概略構成を示す平面図である。FIG. 3 is a plan view showing a schematic configuration of a conventional technique.

【図4】従来技術の概略構成を示す正面図である。FIG. 4 is a front view showing a schematic configuration of a conventional technique.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11…半導体ウエハ 12…保持台 16…水洗バッファ槽 17…移送部 18…ウエハチャック機構 19…上下移動機構 20…水平移動機構 25…回動アーム 26…開閉チャック 29…回転乾燥部 30…回転台 32…チャックピン DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 ... Semiconductor wafer 12 ... Holding stand 16 ... Rinse buffer tank 17 ... Transfer part 18 ... Wafer chuck mechanism 19 ... Vertical movement mechanism 20 ... Horizontal movement mechanism 25 ... Rotating arm 26 ... Opening / closing chuck 29 ... Rotary drying part 30 ... Rotating stand 32 ... Chuck pin

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 水洗処理された半導体ウエハを水中に保
持するバッファ槽と、このバッファ槽内から前記半導体
ウエハを1枚づつ取り上げて移送する移送部と、この移
送部で移送された1枚の前記半導体ウエハを主面が略水
平となるようにに支持し水平面内で高速回転させて水を
除去する回転乾燥部とを備えていることを特徴とする半
導体ウエハの乾燥装置。
1. A buffer tank for holding semiconductor wafers having been subjected to a water washing process in water, a transfer unit for picking up the semiconductor wafers one by one from the buffer tank and transferring the semiconductor wafers, and A rotary drying unit for supporting the semiconductor wafer so that its main surface is substantially horizontal, and rotating the semiconductor wafer at high speed in a horizontal plane to remove water.
【請求項2】 半導体ウエハは、複数枚が1つの保持台
に載せられた状態で水洗処理され、該保持台に載せられ
たままの状態でバッファ槽内の水中に保持されているこ
とを特徴とする請求項1記載の半導体ウエハの乾燥装
置。
2. The semiconductor wafer according to claim 1, wherein a plurality of semiconductor wafers are subjected to a water washing process in a state where the plurality of semiconductor wafers are mounted on one holding table, and are held in water in a buffer tank while being mounted on the holding table. 2. The apparatus for drying a semiconductor wafer according to claim 1, wherein:
【請求項3】 半導体ウエハは、主面が垂直となるよう
にしてバッファ槽内に保持されていることを特徴とする
請求項1記載の半導体ウエハの乾燥装置。
3. The apparatus for drying a semiconductor wafer according to claim 1, wherein the semiconductor wafer is held in a buffer tank so that a main surface thereof is vertical.
【請求項4】 移送部は、半導体ウエハを主面が垂直な
状態でバッファ槽内から取り上げ、移送途中で該半導体
ウエハの主面が水平になるように変えて回転乾燥部に移
載するものであることを特徴とする請求項1記載の半導
体ウエハの乾燥装置。
4. The transfer section picks up the semiconductor wafer from the buffer tank with the main surface being vertical, changes the semiconductor wafer so that the main surface is horizontal during transfer, and transfers the semiconductor wafer to the rotary drying section. 2. The apparatus for drying a semiconductor wafer according to claim 1, wherein:
【請求項5】 回転乾燥部は、半導体ウエハを外周の複
数箇所で支持し水平面内で回転させるものであることを
特徴とする請求項1記載の半導体ウエハの乾燥装置。
5. The apparatus for drying a semiconductor wafer according to claim 1, wherein the rotary drying section supports the semiconductor wafer at a plurality of peripheral positions and rotates the semiconductor wafer in a horizontal plane.
JP31645695A 1995-12-05 1995-12-05 Semiconductor wafer drying equipment Expired - Fee Related JP3192951B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31645695A JP3192951B2 (en) 1995-12-05 1995-12-05 Semiconductor wafer drying equipment

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31645695A JP3192951B2 (en) 1995-12-05 1995-12-05 Semiconductor wafer drying equipment

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH09162157A JPH09162157A (en) 1997-06-20
JP3192951B2 true JP3192951B2 (en) 2001-07-30

Family

ID=18077301

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP31645695A Expired - Fee Related JP3192951B2 (en) 1995-12-05 1995-12-05 Semiconductor wafer drying equipment

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3192951B2 (en)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7336956B2 (en) 2019-10-10 2023-09-01 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing system and substrate processing method
JP7336955B2 (en) 2019-10-10 2023-09-01 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing system and substrate processing method
JP2022057798A (en) 2020-09-30 2022-04-11 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing system and substrate conveyance method
JP2022171173A (en) * 2021-04-30 2022-11-11 株式会社Screenホールディングス Substrate processing apparatus
JP2022173634A (en) 2021-05-10 2022-11-22 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing apparatus and substrate processing method

Also Published As

Publication number Publication date
JPH09162157A (en) 1997-06-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4597478B2 (en) Substrate processing in dipping, scrubbing and drying systems
TW511127B (en) Substrate cleaning apparatus and substrate cleaning method
JP6992131B2 (en) Substrate cleaning equipment, substrate processing equipment, substrate cleaning method and substrate processing method
WO2005119748A1 (en) Substrate cleaning method and computer readable recording medium
JP4850952B2 (en) Liquid processing apparatus, liquid processing method, and storage medium
JP4030654B2 (en) Substrate transfer device
JP3192951B2 (en) Semiconductor wafer drying equipment
JP2886382B2 (en) Coating device
JP3892635B2 (en) Cleaning device
JP2001319869A (en) Developing apparatus and developing method
JP2000114219A (en) Substrate-processing device
JPH10303170A (en) Device and method for cleaning substrate
JP2998259B2 (en) Disk holding device and disk processing method using the same
JP2000208466A (en) Method and apparatus for treating substrate
JP3999540B2 (en) Brush cleaning method and processing system for scrub cleaning apparatus
JP2002367945A (en) Wafer cleaning system with wafer transfer robot
JP3583552B2 (en) Processing device and processing method
JPH0155573B2 (en)
JP3743954B2 (en) Processing apparatus, processing method, substrate cleaning apparatus, substrate cleaning method, developing apparatus, and developing method
JP2001319870A (en) Processing method using liquid
JP3544618B2 (en) Substrate drying method and substrate drying apparatus
JP2616899B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP3229952B2 (en) Wafer carrier cleaning equipment
JP2922754B2 (en) Rotary substrate drying apparatus and rotary substrate drying method
JP3229951B2 (en) Wafer carrier cleaning equipment

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090525

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090525

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100525

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110525

Year of fee payment: 10

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees