JP3191325B2 - Particle size control method for silica powder - Google Patents

Particle size control method for silica powder

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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、シリカ粉体粒度分布を
シャープにする粒度制御方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a particle size control method for sharpening the particle size distribution of silica powder.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、医薬、農薬、食品、セラミッ
クスなどの幅広い分野に亘って種々の粉体が利用されて
いる。これらの分野に使用される粉体の粒度は、最終製
品の物性に大きく影響を与える。例えば、(1)無機粉
体をゴムなどの補強充填剤として使用する場合、粒度が
大きすぎると十分な補強効果が得られず、逆に、粒度が
細かすぎると嵩高となって作業性が悪くなったり、製品
ゴムの可塑度が高くなりすぎるなどの弊害を招く、
(2)農薬の分野において、坦体となる粉体の粒度分布
が均一であり、しかも10μm以下の粒子が除去されて
いると、分散性,飛散性,経時安定性が著しく改善され
る、(3)複写機のトナーは、熱可塑性樹脂や着色剤な
どから構成されるが、複写時にこれらの粉体の帯電量が
均一になるように5〜25μm程度の粒度範囲に調整さ
れる、などのことが知られている。
2. Description of the Related Art Conventionally, various powders have been used in a wide range of fields such as medicines, agricultural chemicals, foods, and ceramics. The particle size of the powder used in these fields greatly affects the physical properties of the final product. For example, when (1) the inorganic powder is used as a reinforcing filler such as rubber, if the particle size is too large, a sufficient reinforcing effect cannot be obtained. Conversely, if the particle size is too small, the bulkiness is increased and workability is poor. Or adverse effects such as too high plasticity of the product rubber,
(2) In the field of agrochemicals, if the particle size distribution of the carrier powder is uniform and particles of 10 μm or less are removed, the dispersibility, scattering properties, and stability over time are significantly improved. 3) The toner of the copying machine is composed of a thermoplastic resin, a colorant, or the like, and is adjusted to a particle size range of about 5 to 25 μm so that the charge amount of these powders becomes uniform during copying. It is known.

【0003】以上のような各種工業で取り扱われる種々
の粉体に対し、ほぼ共通して要求されることは、平均粒
径が比較的小さく(数μm〜数十μm)、かつ、粒度が
そろっているということである。
[0003] For the various powders handled in various industries as described above, what is almost commonly required is that the average particle size is relatively small (several μm to several tens μm) and the particle size is uniform. That is.

【0004】かかる要求に応える方法としては、従来、
原料となる物質を所望粒度になるように粉砕した後、し
過又は分級する方法が採用されている。
As a method of responding to such a demand, conventionally,
A method of pulverizing a material serving as a raw material to a desired particle size and then filtering or classifying the material is employed.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかし、このように原
料となる物質を粉砕した場合、その粉砕過程で所望の粒
度よりかなり細かい粒子が多量に生じるが、ミクロンオ
ーダーの粉を大量にし過することは困難である。また、
通常用いられる風力分級機でも1μm以下のカットオフ
は難しく、そのため、目的の粉体が分級細粉である場
合、製品中へのサブミクロン粒子の混入は避け得ない。
However, when the material as a raw material is pulverized in this way, a large amount of particles considerably smaller than a desired particle size are generated in the pulverization process, but a large amount of micron-order powder is generated. It is difficult. Also,
Even with a commonly used air classifier, cutoff of 1 μm or less is difficult, and therefore, when the target powder is classified fine powder, mixing of submicron particles into the product cannot be avoided.

【0006】また、分級工程で分離された粗い粉は粉砕
工程に戻し、再粉砕されるが、必要以上に細かくなった
粉は再利用できないため、製品の歩留りが悪くなる。例
えば、複写機で使われるトナーは、熱可塑性樹脂や着色
剤などをロールミルで熔融、混練し、ジェットミルなど
で粉砕した後、風力分級機を用いて所定の製品粒度(5
〜25μm)のものを得ている。この場合、粉砕工程に
おいて必要以上に粉砕されたものは熔融工程まで戻すこ
とが一般的に行なわれるが、当然、製品の生産効率は落
ちる。
[0006] The coarse powder separated in the classification step is returned to the pulverization step and re-pulverized. However, since the powder that has become finer than necessary cannot be reused, the yield of the product deteriorates. For example, a toner used in a copying machine is prepared by melting and kneading a thermoplastic resin or a colorant with a roll mill, pulverizing with a jet mill or the like, and then using an air classifier to obtain a predetermined product particle size (5%).
2525 μm). In this case, it is common practice to return unnecessarily pulverized products in the pulverizing step to the melting step, but the production efficiency of the product naturally declines.

【0007】本発明は上記事情に鑑みなされたもので、
シリカ粉体の微粒子を成長させることにより、容易かつ
確実に粒度分布をよりシャープにすることができる無機
粉体の粒度制御方法を提供することを目的とする。
[0007] The present invention has been made in view of the above circumstances,
An object of the present invention is to provide a method for controlling the particle size of an inorganic powder, which can easily and surely sharpen the particle size distribution by growing fine particles of silica powder.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段及び作用】本発明者らは、
上記目的を達成するため鋭意検討を重ねた結果、平均粒
径が0.1〜50μmのシリカ粉体を600〜900℃
の範囲の温度に熱処理することにより、シリカ粉体の微
粒子が成長し、これによって粒度分布全体がシフトし、
粒度分布がシャープになること、このため粉砕後の所望
粒度よりかなり細かい微粒子が多量に含有するシリカ粉
体中の該必要以上に細かな粒子を容易かつ確実に目的の
粒径まで成長させることが可能になり、所望の粒径を有
し、しかも粒度のそろったシリカ粉体を簡単で経済的に
得ることができることを知見し、本発明をなすに至った
ものである。
Means and Action for Solving the Problems The present inventors have
As a result of intensive studies to achieve the above object, silica powder having an average particle size of 0.1 to 50 μm was converted to 600 to 900 ° C.
By heat treatment to a temperature in the range, fine particles of silica powder grow, thereby shifting the entire particle size distribution,
The sharpness of the particle size distribution makes it possible to easily and surely grow the unnecessarily fine particles in the silica powder containing a large amount of fine particles considerably finer than the desired particle size after the pulverization to the target particle size. The present inventors have found that silica powder having a desired particle size and having a uniform particle size can be easily and economically obtained, and the present invention has been accomplished.

【0009】以下、本発明につき更に記述すると、本発
明に係るシリカ粉体の粒度制御方法は、粉砕後の所望粒
度より細かい微粒子を含有する平均粒径0.1〜50μ
mのシリカ粉体を600〜900℃の範囲に熱処理して
上記シリカ粉体の微粒子を成長させ、上記シリカ粉体の
粒度分布を狭くするものである。
Hereinafter, the present invention will be further described. In the method for controlling the particle size of silica powder according to the present invention, the average particle size containing fine particles smaller than a desired particle size after pulverization is 0.1 to 50 μm.
m is heated to 600 to 900 ° C. to grow fine particles of the silica powder, thereby narrowing the particle size distribution of the silica powder.

【0010】[0010]

【0011】上記シリカ粉体の粒度は、その平均粒径が
0.1〜50μmである。平均粒径が50μmより大き
いと十分な熱処理効果が得られない場合があり、目的と
する粒度のものを得るのにかなりの高温度を必要とする
場合が生じる。
The average particle size of the silica powder is 0.1 to 50 μm. If the average particle size is larger than 50 μm, a sufficient heat treatment effect may not be obtained, and a considerably high temperature may be required to obtain a target particle size.

【0012】従って、最初の原料が粉体でなく、バルク
状である場合、或いは平均粒径が50μmより大きい場
合は、通常の粉砕装置(ハンマーミル,ジェットミルな
ど)で粉砕して用いることが好ましい。
Therefore, when the first raw material is not powder but bulk, or when the average particle size is larger than 50 μm, it is necessary to use a conventional pulverizer (such as a hammer mill or a jet mill) for pulverization. preferable.

【0013】上記粉体を熱処理する場合は、通常の加熱
装置、乾燥器、焼成装置などを用いて行なうことができ
る。この場合、熱処理温度は、600〜900℃であ
る。一方、熱処理時間は特に限定されない。熱処理時間
は加熱方式によっても異なり、例えば間接加熱の場合は
通常0.5〜2時間であり、また直接加熱の場合は殆ん
ど瞬間的な加熱で充分であるが、いずれにしても粉体の
種類に応じて目的の粒度分布に近づくように設定すれば
よい。ただ、あまり長時間の熱処理は効率的に無駄であ
るばかりでなく、必要以上に焼結が進みすぎ、目的以上
の大きな粒子が生成したり、固結するおそれが生じる。
更に、熱処理雰囲気も特に制限されず、一般的には大気
中でよいが、酸化反応などが問題となる場合、ヘリウ
ム、窒素などの不活性ガス中や水素ガスなどの還元性ガ
ス雰囲気中で熱処理を行うことができる。
When the powder is heat-treated, it can be carried out by using a usual heating device, dryer, baking device and the like. In this case, the heat treatment temperature is 600 to 900C. On the other hand, the heat treatment time is not particularly limited. The heat treatment time varies depending on the heating method. For example, in the case of indirect heating, it is usually 0.5 to 2 hours, and in the case of direct heating, almost instantaneous heating is sufficient. May be set so as to approach the target particle size distribution in accordance with the type of. However, heat treatment for too long a time is not only wasteful, but also sintering progresses more than necessary, and there is a possibility that large particles larger than the intended purpose may be formed or solidified.
Further, the heat treatment atmosphere is not particularly limited, and may be generally in the air. However, when an oxidation reaction or the like becomes a problem, the heat treatment is performed in an inert gas such as helium or nitrogen or a reducing gas such as hydrogen gas. It can be performed.

【0014】本発明の粒度制御方法は、このような熱処
理によりシリカ粉体中の微粒子を成長させ、粒度分布を
よりシャープにするものであり、かくして得られたシリ
カ粉体は種々の用途に有効に使用される。
The particle size control method of the present invention grows fine particles in the silica powder by such heat treatment and sharpens the particle size distribution, and the silica powder thus obtained is effective for various uses. Used for

【0015】[0015]

【実施例】以下、実施例及び参考例により本発明を具体
的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるも
のではない。
EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described specifically with reference to Examples and Reference Examples, but the present invention is not limited to the following Examples.

【0016】〔参考例1〕 和光純薬(株)社製の金属酸化物(Fe,Cu
O,NiO)の粉体を350メッシュのフルイでし過
し、フルイ下の粉末を原料として電気炉で表1に示す温
度において1時間熱処理し、熱処理前後の粒度分布を比
較した。結果を表1及び図1〜12に示す。
Reference Example 1 A metal oxide (Fe 2 O 3 , Cu) manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.
O, NiO) powder was passed through a 350-mesh sieve, and the powder under the sieve was heat-treated in an electric furnace at a temperature shown in Table 1 for 1 hour, and the particle size distribution before and after the heat treatment was compared. The results are shown in Table 1 and FIGS.

【0017】ここで、図1はFe23の未処理及び熱処
理後の積算フルイ上分布図、図2〜5はそれぞれ同頻度
分布図、図6はCuOの未処理及び熱処理後の積算フル
イ上分布図、図7〜9はそれぞれ同頻度分布図、図10
はNiOの未処理及び熱処理後の積算フルイ上分布図、
図11〜12はそれぞれ同頻度分布図である。
Here, FIG. 1 is a distribution diagram on the integrated screen of Fe 2 O 3 untreated and after heat treatment, FIGS. 2 to 5 are distribution diagrams of the same frequency, respectively, and FIG. 6 is an integrated screen of CuO untreated and after heat treatment. The upper distribution diagram, FIGS. 7 to 9 are the same frequency distribution diagram, and FIG.
Is a distribution map on the integrated screen of untreated NiO and after heat treatment,
11 to 12 are the same frequency distribution diagrams.

【0018】なお、粒度分布の測定は、コールターカウ
ンターTA−II型粘度計(日科機(株)製)により1
00μmアパーチャーチューブを用いて測定した。
The particle size distribution was measured using a Coulter Counter TA-II type viscometer (manufactured by Nikkaki Co., Ltd.).
The measurement was performed using a 00 μm aperture tube.

【0019】[0019]

【表1】 [Table 1]

【0020】〔実施例1〕 塩野義製薬(株)社製ホワイトカーボン(SiO,カ
ープレックスFPS−1)を電気炉で表2に示す温度に
おいて1時間熱処理し、熱処理前後の粒度分布を比較し
た。結果を表2及び図13〜16に示す。
Example 1 White carbon (SiO 2 , Carplex FPS-1) manufactured by Shionogi & Co., Ltd. was heat-treated in an electric furnace at a temperature shown in Table 2 for 1 hour, and the particle size distribution before and after the heat treatment was compared. did. The results are shown in Table 2 and FIGS.

【0021】ここで、図13は未処理及び熱処理後の積
算フルイ上分布図、図14〜16はそれぞれ同頻度分布
図である。
FIG. 13 is a distribution diagram on the integrated screen after untreatment and after heat treatment, and FIGS. 14 to 16 are distribution diagrams of the same frequency.

【0022】[0022]

【表2】 [Table 2]

【0023】〔参考例2〕 和光純薬(株)社製の各種金属粉末(Ni,Cr,S
n,Zn)をZnについてはそのまま、他の金属粉末に
ついては350メッシュのフルイでし過したものを使用
し、電気炉を用いてHe気流中で表3に示す温度におい
て1時間熱処理し、熱処理前後の粒度分布を比較した。
結果を表3及び図17〜29に示す。
Reference Example 2 Various metal powders (Ni, Cr, S) manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.
(n, Zn) was used as it is for Zn, and the other metal powder was passed through a 350 mesh sieve and heat-treated at a temperature shown in Table 3 for 1 hour in a He gas flow using an electric furnace. The particle size distribution before and after was compared.
The results are shown in Table 3 and FIGS.

【0024】ここで、図17はNiの未処理及び熱処理
後の積算フルイ上分布図、図18〜19はそれぞれ同頻
度分布図、図20はCrの未処理及び熱処理後の積算フ
ルイ上分布図、図21〜22はそれぞれ同頻度分布図、
図23はSnの未処理及び熱処理後の積算フルイ上分布
図、図24〜26は同頻度分布図、図27はZnの未処
理及び熱処理後の積算フルイ上分布図、図28〜29は
それぞれ同頻度分布図である。
FIG. 17 is a distribution diagram of Ni on an integrated screen after untreated and heat-treated, FIGS. 18 to 19 are distribution diagrams of the same frequency, respectively, and FIG. 20 is a distribution diagram of Cr on an integrated screen after untreated and heat-treated. , FIGS. 21 to 22 are the same frequency distribution diagrams,
23 is a distribution diagram of Sn on untreated and heat-treated integrated screens, FIGS. 24-26 are distribution diagrams of the same frequency, FIG. 27 is a distribution diagram of Zn on untreated and treated heat-treated integrated screens, and FIGS. It is the same frequency distribution figure.

【0025】[0025]

【表3】 [Table 3]

【0026】[0026]

【発明の効果】本発明によれば、シャープな粒度分布を
持ったシリカ粉体を得ることができ、このため不要とさ
れていた過度に粉砕された微細な粒子を回収して有効に
利用できるようにし得、また、熱処理条件を制御するこ
とで目的に合った粒度分布のシリカ粉体を得ることがで
きる。
According to the present invention, it is possible to obtain a silica powder having a sharp particle size distribution, and thus it is possible to recover unnecessary superfluous fine particles and use them effectively. By controlling the heat treatment conditions, a silica powder having a particle size distribution suitable for the purpose can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】Fe23の未処理及び熱処理後の積算フルイ上
分布図である。
FIG. 1 is a distribution diagram of Fe 2 O 3 on an integrated screen after untreatment and after heat treatment.

【図2】Fe23の未処理及び熱処理(700℃)後の
頻度分布図である。
FIG. 2 is a frequency distribution diagram of untreated Fe 2 O 3 and after heat treatment (700 ° C.).

【図3】Fe23の未処理及び熱処理(800℃)後の
頻度分布図である。
FIG. 3 is a frequency distribution diagram of untreated Fe 2 O 3 and after heat treatment (800 ° C.).

【図4】Fe23の未処理及び熱処理(900℃)後の
頻度分布図である。
FIG. 4 is a frequency distribution diagram of untreated Fe 2 O 3 and after heat treatment (900 ° C.).

【図5】Fe23の未処理及び熱処理(1000℃)後
の頻度分布図である。
FIG. 5 is a frequency distribution diagram of untreated Fe 2 O 3 and after heat treatment (1000 ° C.).

【図6】CuOの未処理及び熱処理後の積算フルイ上分
布図である。
FIG. 6 is a graph showing the distribution of CuO on an integrated screen after untreatment and after heat treatment.

【図7】CuOの未処理及び熱処理(700℃)後の頻
度分布図である。
FIG. 7 is a frequency distribution diagram of untreated CuO and after heat treatment (700 ° C.).

【図8】CuOの未処理及び熱処理(900℃)後の頻
度分布図である。
FIG. 8 is a frequency distribution diagram of untreated CuO and after heat treatment (900 ° C.).

【図9】CuOの未処理及び熱処理(1000℃)後の
頻度分布図である。
FIG. 9 is a frequency distribution diagram of untreated CuO and after heat treatment (1000 ° C.).

【図10】NiOの未処理及び熱処理後の積算フルイ上
分布図である。
FIG. 10 is a distribution chart on an integrated screen of untreated NiO and after heat treatment.

【図11】NiOの未処理及び熱処理(500℃)後の
頻度分布図である。
FIG. 11 is a frequency distribution diagram of untreated NiO and after heat treatment (500 ° C.).

【図12】NiOの未処理及び熱処理(700℃)後の
頻度分布図である。
FIG. 12 is a frequency distribution diagram of untreated NiO and after heat treatment (700 ° C.).

【図13】SiO2の未処理及び熱処理後の積算フルイ
上分布図である。
13 is a on cumulative sieve distribution chart after untreated and heat treatment of SiO 2.

【図14】SiO2の未処理及び熱処理(600℃)後
の頻度分布図である。
FIG. 14 is a frequency distribution diagram of untreated SiO 2 and after heat treatment (600 ° C.).

【図15】SiO2の未処理及び熱処理(800℃)後
の頻度分布図である。
FIG. 15 is a frequency distribution diagram of untreated SiO 2 and after heat treatment (800 ° C.).

【図16】SiO2の未処理及び熱処理(900℃)後
の頻度分布図である。
FIG. 16 is a frequency distribution diagram of untreated SiO 2 and after heat treatment (900 ° C.).

【図17】Niの未処理及び熱処理後の積算フルイ上分
布図である。
FIG. 17 is a distribution chart on an integrated screen of untreated Ni and after heat treatment.

【図18】Niの未処理及び熱処理(400℃)後の頻
度分布図である。
FIG. 18 is a frequency distribution diagram of untreated Ni and after heat treatment (400 ° C.).

【図19】Niの未処理及び熱処理(600℃)後の頻
度分布図である。
FIG. 19 is a frequency distribution diagram of untreated Ni and after heat treatment (600 ° C.).

【図20】Crの未処理及び熱処理後の積算フルイ上分
布図である。
FIG. 20 is a distribution diagram of Cr on an integrated screen after untreatment and after heat treatment.

【図21】Crの未処理及び熱処理(600℃)後の頻
度分布図である。
FIG. 21 is a frequency distribution diagram of Cr untreated and after heat treatment (600 ° C.).

【図22】Crの未処理及び熱処理(800℃)後の頻
度分布図である。
FIG. 22 is a frequency distribution diagram of Cr untreated and after heat treatment (800 ° C.).

【図23】Snの未処理及び熱処理後の積算フルイ上分
布図である。
FIG. 23 is a distribution chart of integrated Sn on an integrated screen after untreatment and after heat treatment.

【図24】Snの未処理及び熱処理(100℃)後の頻
度分布図である。
FIG. 24 is a frequency distribution chart of untreated Sn and after heat treatment (100 ° C.).

【図25】Snの未処理及び熱処理(150℃)後の頻
度分布図である。
FIG. 25 is a frequency distribution diagram of untreated Sn and after heat treatment (150 ° C.).

【図26】Snの未処理及び熱処理(200℃)後の頻
度分布図である。
FIG. 26 is a frequency distribution diagram of untreated Sn and after heat treatment (200 ° C.).

【図27】Znの未処理及び熱処理後の積算フルイ上分
布図である。
FIG. 27 is a distribution diagram of integrated Zn on untreated and after heat treatment.

【図28】Znの未処理及び熱処理(200℃)後の頻
度分布図である。
FIG. 28 is a frequency distribution diagram of untreated Zn and after heat treatment (200 ° C.).

【図29】Znの未処理及び熱処理(400℃)後の頻
度分布図である。
FIG. 29 is a frequency distribution diagram of untreated Zn and after heat treatment (400 ° C.).

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) B01J 2/00 B22F 1/00 C01B 33/18 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (58) Field surveyed (Int. Cl. 7 , DB name) B01J 2/00 B22F 1/00 C01B 33/18

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 粉砕後の所望粒度より細かい微粒子を含
有する平均粒径が0.1〜50μmのシリカ粉体を60
0〜900℃の範囲に熱処理して上記シリカ粉体の微粒
子を成長させ、上記シリカ粉体の粒度分布を狭くするこ
とを特徴とするシリカ粉体の粒度制御方法。
1. Silica powder having an average particle size of 0.1 to 50 μm containing fine particles smaller than a desired particle size after pulverization is 60
A method for controlling the particle size of silica powder, comprising heat-treating the powder in the range of 0 to 900 ° C. to grow fine particles of the silica powder and narrowing the particle size distribution of the silica powder.
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