JP3191110B2 - IC memory card - Google Patents

IC memory card

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JP3191110B2 JP32426390A JP32426390A JP3191110B2 JP 3191110 B2 JP3191110 B2 JP 3191110B2 JP 32426390 A JP32426390 A JP 32426390A JP 32426390 A JP32426390 A JP 32426390A JP 3191110 B2 JP3191110 B2 JP 3191110B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ICメモリカードに関し、特に、ESD(Elect
ro−Static Discharge)耐量の向上を図れるICメモリカ
ードに関するものである。
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an IC memory card, and in particular, to an ESD (Electro
The present invention relates to an IC memory card capable of improving a withstand capacity (ro-Static Discharge).

〔従来の技術〕[Conventional technology]

第2図は従来のICメモリカードの構造を示す断面図で
あり、図中1はリード1aを備えた半導体メモリ素子、2
はコネクタリード2aを備え、外部機器との電気的接続に
用いられるコネクタである。半導体メモリ素子1,コネク
タ2は、樹脂製の成形フレーム4に固定された配線基板
3に実装されている。成形フレーム4及びコネクタ2に
は、2枚の導電性パネル5が接着剤(図示せず)にて接
着されており、成形フレーム4と導電性パネル5とで形
成される空間に配線基板3が配置されている。導電性パ
ネル5の内面には、空気よりも絶縁抵抗が高いレジスト
材を印刷塗布してなるレジスト層6が形成されており、
その内面はこのレジスト層6により絶縁されている。レ
ジスト層6には多数のピンホール7が存在している。
FIG. 2 is a cross-sectional view showing the structure of a conventional IC memory card. In FIG. 2, reference numeral 1 denotes a semiconductor memory device having a lead 1a;
Is a connector provided with a connector lead 2a and used for electrical connection with an external device. The semiconductor memory element 1 and the connector 2 are mounted on a wiring board 3 fixed to a molded frame 4 made of resin. Two conductive panels 5 are adhered to the molded frame 4 and the connector 2 with an adhesive (not shown), and the wiring board 3 is placed in a space formed by the molded frame 4 and the conductive panel 5. Are located. A resist layer 6 is formed on the inner surface of the conductive panel 5 by printing and applying a resist material having higher insulation resistance than air.
The inner surface is insulated by the resist layer 6. The resist layer 6 has many pinholes 7.

以下、このような構造を有する従来のICメモリカード
を外部機器に接続した状態で、導電性パネル5に静電気
が印加された場合における放電電流の経路について説明
する。静電気が印加されて放電電流が流れる現象は、例
えば外部機器に接続されたICメモリカードに帯電した人
手が接触する場合に見られる。
Hereinafter, a path of a discharge current when static electricity is applied to the conductive panel 5 in a state where a conventional IC memory card having such a structure is connected to an external device will be described. The phenomenon in which a discharge current flows due to the application of static electricity is seen, for example, when a charged hand contacts an IC memory card connected to an external device.

導電性パネル5の内面には、空気よりも絶縁抵抗が高
いレジスト層6が設けられているが、このレジスト層6
には多数のピンホール7が存在するので、レジスト層6
のレジスト材の絶縁耐圧よりも低い静電気電圧にて放電
が生じる。この際、静電気放電電流の経路は一定せず、
印加される静電気の電圧の大きさ及びレジスト層6にお
けるピンホール7の状態により、様々な経路をとる。具
体的には、ICメモリカード内の半導体メモリ素子1の内
部を放電電流が通過したり、あるいは半導体メモリ素子
1のリード1aを介して配線基板3の配線パターンを通
り、コネクタ2のコネクタリード2aを介して外部機器へ
放電電流は流れ込む。
A resist layer 6 having a higher insulation resistance than air is provided on the inner surface of the conductive panel 5.
Since there are many pinholes 7 in the resist layer 6
Discharge occurs at an electrostatic voltage lower than the withstand voltage of the resist material. At this time, the path of the electrostatic discharge current is not constant,
Various routes are taken depending on the magnitude of the applied electrostatic voltage and the state of the pinhole 7 in the resist layer 6. Specifically, the discharge current passes through the inside of the semiconductor memory element 1 in the IC memory card, or passes through the wiring pattern of the wiring board 3 through the lead 1a of the semiconductor memory element 1, and the connector lead 2a of the connector 2 The discharge current flows into the external device via.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problems to be solved by the invention]

従来のICメモリカードでは、導電性パネル5に静電気
が印加された際に以上のように放電電流が流れるので、
ICメモリカード内部の半導体メモリ素子1の誤動作また
は破壊が生じるという問題点がある。
In the conventional IC memory card, when the static electricity is applied to the conductive panel 5, the discharge current flows as described above.
There is a problem that a malfunction or destruction of the semiconductor memory element 1 inside the IC memory card occurs.

また、本発明に類似する従来例として、実開昭62−90
166号公報の「カード状記録装置」(以下、第1従来例
という)と、実開平1−62083号公報の「ICカード」
(以下、第2従来例という)とが公知である。第1従来
例は、内部にIC回路を収容する本体と、該本体の表面部
及び裏面部にそれぞれ設けられた導電性パネルと、前記
本体の内部で前記両導電性パネルを電気的に接続するば
ね等の接続部材とを具備している。また、第2従来例
は、導電性パネルとIC回路部との間に絶縁部材を挿入す
ると共に、外部機器に接続された際に外部機器の筐体と
電気的導通を図るためのアース接続部を導電性パネルの
表面側に備えている。
As a conventional example similar to the present invention, Japanese Utility Model Application Laid-Open No.
No. 166, “Card-shaped recording device” (hereinafter referred to as a first conventional example) and Japanese Utility Model Laid-Open No. 1-62083, “IC card”
(Hereinafter, referred to as a second conventional example). In a first conventional example, a main body accommodating an IC circuit therein, conductive panels provided on a front surface portion and a rear surface portion of the main body, respectively, and the two conductive panels are electrically connected inside the main body. A connection member such as a spring. In the second conventional example, an insulating member is inserted between a conductive panel and an IC circuit portion, and a ground connection portion for establishing electrical continuity with a housing of the external device when connected to the external device. Is provided on the surface side of the conductive panel.

本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであり、導
電性パネルに静電気が印加された際に、半導体メモリ素
子の誤動作または破壊を招くことなく放電電流を流すこ
とができるICメモリカードを提供することを目的とす
る。
The present invention has been made in view of such circumstances, and provides an IC memory card that can flow a discharge current without causing malfunction or destruction of a semiconductor memory element when static electricity is applied to a conductive panel. The purpose is to:

〔課題を解決するための手段〕[Means for solving the problem]

本発明に係るICメモリカードは、半導体メモリ素子及
び外部機器との電気的接続用のコネクタを実装した配線
基板を、フレームと導電性パネルとで形成される空間内
に備えたICメモリカードにおいて、前記導電性パネルの
内面は、前記外部機器のグランド端子またはフレームグ
ランド端子と同電位となる前記配線基板上の部位と空気
を介して近接するアース用部分を除いて、絶縁層にて覆
われていることを特徴とする。
An IC memory card according to the present invention is an IC memory card including a wiring board on which a semiconductor memory element and a connector for electrical connection with an external device are mounted in a space formed by a frame and a conductive panel. The inner surface of the conductive panel is covered with an insulating layer, except for a portion on the wiring board that has the same potential as a ground terminal or a frame ground terminal of the external device and a grounding portion that is in proximity via air. It is characterized by being.

〔作用〕[Action]

本発明のICメモリカードにあっては、導電性パネルに
静電気が印加された際に、絶縁層が設けられていない部
分から,配線基板上の外部機器のグランド端子またはフ
レームグランド端子と同電位となる部位を経由して、外
部機器のグランド端子又はフレームグランド端子へ放電
電流が流れる。このように、本発明のICメモリカードで
は、放電電流の経路が一経路に限定されて、半導体メモ
リ素子に悪影響は及ばない。
In the IC memory card of the present invention, when static electricity is applied to the conductive panel, the same potential as that of the ground terminal or the frame ground terminal of the external device on the wiring board from the portion where the insulating layer is not provided. The discharge current flows to the ground terminal or the frame ground terminal of the external device via the part. As described above, in the IC memory card of the present invention, the path of the discharge current is limited to one path, and does not adversely affect the semiconductor memory element.

〔実施例〕〔Example〕

以下、本発明をその実施例を示す図面に基づいて具体
的に説明する。
Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings showing the embodiments.

第1図は本発明のICメモリカードの構造を示す断面図
であり、図中1はリード1aを備えた半導体メモリ素子、
2はコネクタリード2aを備え、外部機器との電気的接続
に用いられるコネクタである。半導体メモリ素子1,コネ
クタ2は、樹脂製の成形フレーム4に固定された配線基
板3に実装されている。成形フレーム4及びコネクタ2
には、2枚の導電性パネル5が接着剤(図示せず)にて
接着されており、成形フレーム4と導電性パネル5とに
て形成される内部空間に配線基板3が配置されている。
導電性パネル5の内面には、空気よりも絶縁抵抗が高い
絶縁材からなる絶縁層8が設けられている。コネクタリ
ード2aのグランドピンまたはフレームグランドピンの近
傍部のみは、この絶縁層8が設けられておらず、非絶縁
領域9となっている。そして、導電性パネル5の表面に
高電圧を印加した場合、この非絶縁領域9において、絶
縁破壊が生じる。
FIG. 1 is a cross-sectional view showing the structure of an IC memory card of the present invention, in which 1 is a semiconductor memory element having leads 1a,
Reference numeral 2 denotes a connector having a connector lead 2a and used for electrical connection with an external device. The semiconductor memory element 1 and the connector 2 are mounted on a wiring board 3 fixed to a molded frame 4 made of resin. Molded frame 4 and connector 2
, Two conductive panels 5 are adhered by an adhesive (not shown), and the wiring board 3 is disposed in an internal space formed by the molded frame 4 and the conductive panels 5. .
An insulating layer 8 made of an insulating material having higher insulation resistance than air is provided on the inner surface of the conductive panel 5. Only the portion near the ground pin or the frame ground pin of the connector lead 2a is not provided with the insulating layer 8 and is a non-insulating region 9. Then, when a high voltage is applied to the surface of the conductive panel 5, dielectric breakdown occurs in the non-insulating region 9.

以下、このような構造を有する本発明のICメモリカー
ドを外部機器に接続した状態で、導電性パネル5に静電
気が印加された場合における放電電流の経路について説
明する。本発明のICメモリカードにあっては、外部機器
のグランド端子またはフレームグランド端子と導電性パ
ネル5との間に静電気が印加される。印加される静電気
の電圧が、導電性パネル5の内面とコネクタリード2aの
グランドピンまたはフレームグランドピンとの間の空気
の絶縁耐圧を超えた場合に、放電が生じ、導電性パネル
5,非絶縁領域9,グランドピンまたはフレームグランドピ
ンを介して、静電気の放電電流が外部機器のグランド端
子またはフレームグランド端子に流れ込む。この放電電
流の経路は上述の一経路に限定され、このような経路を
通って放電電流が流れる場合には、半導体メモリ素子1
に悪影響が及ぶことはない。
Hereinafter, a path of a discharge current when static electricity is applied to the conductive panel 5 with the IC memory card of the present invention having such a structure connected to an external device will be described. In the IC memory card of the present invention, static electricity is applied between the ground terminal or the frame ground terminal of the external device and the conductive panel 5. When the voltage of the applied static electricity exceeds the withstand voltage of air between the inner surface of the conductive panel 5 and the ground pin or the frame ground pin of the connector lead 2a, discharge occurs, and the conductive panel
5, The static discharge current flows into the ground terminal or the frame ground terminal of the external device via the non-insulated region 9, the ground pin or the frame ground pin. The path of this discharge current is limited to the above-described one path, and when the discharge current flows through such a path, the semiconductor memory element 1
Will not be adversely affected.

なお、上述の実施例では非絶縁領域9をコネクタリー
ド2aの上方に設けているが、配線基板3のグランドパタ
ーンの上方に非絶縁領域9を設けることとしてもよい。
Although the non-insulating region 9 is provided above the connector lead 2a in the above embodiment, the non-insulating region 9 may be provided above the ground pattern of the wiring board 3.

前述した従来例と本発明との差異について説明する。
本発明では、第1従来例のようなアース用のばね等の特
別な材料が必要ではない。また、本発明では、第2従来
例と異なり、集電性パネルと外部機器とが電気的に接続
されていない。
The difference between the above-described conventional example and the present invention will be described.
The present invention does not require a special material such as a ground spring as in the first conventional example. Further, in the present invention, unlike the second conventional example, the current collecting panel and the external device are not electrically connected.

〔発明の効果〕 以上のように本発明のICメモリカードは、フレームと
導電性パネルとで形成される空間に面する導電性パネル
の内面を絶縁層により覆い、この絶縁層を、外部機器の
グランド端子またはフレームグランド端子と同電位とな
る配線基板上の部位に空気を介して近接するアース用部
分において除去した構成としたから、外部機器への接続
状態で前記導電性パネルに静電気が印加された際に、こ
れによる放電電流が、絶縁層により覆われていないアー
ス用部分に集中し、該アース用部分に近接する配線基板
上の部位を経由して外部機器のグランド端子またはフレ
ームグランド端子に至る経路、即ち、半導体メモリ素子
に悪影響を及ぼさない一定の経路を流れる。従って、半
導体メモリ素子の誤動作または破壊が生じることはな
く、信頼性が高いカードシステムを提供できる。
[Effect of the Invention] As described above, the IC memory card of the present invention covers the inner surface of the conductive panel facing the space formed by the frame and the conductive panel with the insulating layer, and this insulating layer is Since the ground terminal or the part on the wiring board having the same potential as the ground terminal or the frame ground terminal is removed at the grounding portion adjacent via air, static electricity is applied to the conductive panel in a state of connection to an external device. When this occurs, the discharge current due to this concentrates on the grounding portion not covered by the insulating layer, and passes through a portion on the wiring board close to the grounding portion to the ground terminal of the external device or the frame ground terminal. It flows along a path leading to, that is, a certain path that does not adversely affect the semiconductor memory element. Therefore, a malfunction or destruction of the semiconductor memory element does not occur, and a highly reliable card system can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は本発明のICメモリカードの構造を示す断面図、
第2図は従来のICメモリカードの構造を示す断面図であ
る。 1……半導体メモリ素子、2……コネクタ、3……配線
基板、4……成形フレーム、5……導電性パネル、8…
…絶縁層、9……非絶縁領域 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
FIG. 1 is a sectional view showing the structure of the IC memory card of the present invention,
FIG. 2 is a sectional view showing the structure of a conventional IC memory card. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Semiconductor memory element, 2 ... Connector, 3 ... Wiring board, 4 ... Molded frame, 5 ... Conductive panel, 8 ...
... insulating layer, 9 ... non-insulating area In the drawings, the same reference numerals indicate the same or corresponding parts.

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】半導体メモリ素子及び外部機器との電気的
接続用のコネクタを実装した配線基板を、フレームと導
電性パネルとで形成される空間内に備えたICメモリカー
ドにおいて、 前記導電性パネルの内面は、前記外部機器のグランド端
子またはフレームグランド端子と同電位となる前記配線
基板上の部位と空気を介して近接するアース用部分を除
いて、絶縁層にて覆われていることを特徴とするICメモ
リカード。
1. An IC memory card comprising a wiring board on which a semiconductor memory element and a connector for electrical connection with an external device are mounted in a space formed by a frame and a conductive panel. The inner surface of the external device is covered with an insulating layer, except for a portion for grounding that is close to a portion on the wiring board that has the same potential as a ground terminal or a frame ground terminal of the external device via air. And IC memory card.
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