JP3190922B2 - Scanning electron microscope - Google Patents
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Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、走査電子顕微鏡に関
し、特に、対物レンズ磁場中に試料を配置するようにし
た走査電子顕微鏡に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a scanning electron microscope, and more particularly to a scanning electron microscope in which a sample is arranged in a magnetic field of an objective lens.
【0002】[0002]
【従来の技術】走査電子顕微鏡では、試料に細く集束さ
れた電子ビームを照射すると共に、電子ビームの照射位
置を走査し、電子ビームの照射に基づいて試料から発生
した2次電子を検出し、検出信号を電子ビームの走査に
同期した陰極線管に供給して2次電子像を表示するよう
にしている。ところで、対物レンズの磁場中に試料を配
置する走査電子顕微鏡が存在する。図1はこのような走
査電子顕微鏡の要部を示しており、1は対物レンズであ
る。対物レンズ1の中に試料2が配置され、この試料2
に細く集束された一次電子ビームEBが照射される。試
料2への電子ビームEBの照射により試料2からは2次
電子3が発生する。この2次電子3は対物レンズ磁場に
よって拘束され、サイクロトロン運動によりスパイラル
状に進行し、対物レンズ1の上方に取り出される。対物
レンズ1の上部には電子ビーム光軸から離されて2次電
子検出器4が配置され、2次電子検出器4には2次電子
の捕獲電圧が印加されている。光軸に沿って対物レンズ
1上方に取り出された2次電子3は、検出器4の捕獲電
界によって検出器4方向に引き寄せられ、検出器4によ
って検出される。検出器4の検出信号は、図示していな
い陰極線管に供給され、陰極線管には試料の2次電子像
が表示される。2. Description of the Related Art A scanning electron microscope irradiates a sample with a finely focused electron beam, scans an irradiation position of the electron beam, detects secondary electrons generated from the sample based on the electron beam irradiation, The detection signal is supplied to a cathode ray tube synchronized with the scanning of the electron beam to display a secondary electron image. By the way, there is a scanning electron microscope in which a sample is arranged in a magnetic field of an objective lens. FIG. 1 shows a main part of such a scanning electron microscope, and 1 is an objective lens. A sample 2 is placed in an objective lens 1 and this sample 2
The primary electron beam EB narrowly focused is irradiated. Secondary electrons 3 are generated from the sample 2 by irradiating the sample 2 with the electron beam EB. The secondary electrons 3 are constrained by the magnetic field of the objective lens, travel spirally by cyclotron motion, and are extracted above the objective lens 1. A secondary electron detector 4 is disposed above the objective lens 1 at a distance from the optical axis of the electron beam, and a secondary electron capture voltage is applied to the secondary electron detector 4. The secondary electrons 3 extracted above the objective lens 1 along the optical axis are drawn toward the detector 4 by the electric field captured by the detector 4 and detected by the detector 4. The detection signal of the detector 4 is supplied to a cathode ray tube (not shown), and a secondary electron image of the sample is displayed on the cathode ray tube.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】ところで、試料2が絶
縁物質や半導体材料などの導電性のないものの場合、こ
の試料への照射に伴い、試料表面が正または負にチャー
ジアップする。チャージアップの程度は、一次電子ビー
ムの加速電圧,試料の材質などによって異なるが、主に
試料より発生する2次電子,反射電子の量と試料に吸収
される電荷によるバランスが崩れたときにチャージアッ
プが生じる。例えば、試料のある領域において2次電子
の放出が多すぎる場合、その領域は正にチャージアップ
し、その領域以外で発生する2次電子を試料に呼び戻し
たり、2次電子検出器に向かうことを妨げたりする。逆
に一次電子ビームEBが照射された領域から放出される
2次電子が少なく、試料上に残る負の電荷が急増する
と、試料は負にチャージアップする。その場合、一次電
子ビームに不正な偏向を与えたり、2次電子の軌道に影
響を与えたりする。When the sample 2 is a non-conductive material such as an insulating material or a semiconductor material, the surface of the sample is positively or negatively charged with irradiation of the sample. The degree of charge-up depends on the accelerating voltage of the primary electron beam, the material of the sample, etc., but the charge is mainly caused when the balance between the amount of secondary electrons and reflected electrons generated from the sample and the charge absorbed by the sample is lost. Up occurs. For example, if the secondary electron emission is too high in a certain area of the sample, the area will be charged up positively, and the secondary electrons generated in other areas will be recalled to the sample or directed to the secondary electron detector. Hinder. Conversely, when the number of secondary electrons emitted from the region irradiated with the primary electron beam EB is small and the negative charges remaining on the sample increase rapidly, the sample is negatively charged up. In that case, an incorrect deflection is given to the primary electron beam, or the trajectory of the secondary electron is affected.
【0004】絶縁物試料や半導体試料を走査電子顕微鏡
観察する場合、一次電子ビームの加速電圧は1kV前後
の低加速電圧とされるが、この加速電圧では、2次電子
の放出量が多いのでバランスを取りやすい半面、前記し
た正にチャージアップすることが多い。このように試料
がチャージアップした場合、チャージアップの影響を受
けた2次電子がその影響をさほど受けていない2次電子
と共に検出器4に導かれて検出される。その結果、検出
信号に基づいて陰極線管に表示される2次電子像はチャ
ージアップの影響を受けた像となる。When an insulator sample or a semiconductor sample is observed with a scanning electron microscope, the acceleration voltage of the primary electron beam is set to a low acceleration voltage of about 1 kV. On the other hand, it is often easy to take a charge, but the charge is often positively increased. When the sample is charged up in this way, the secondary electrons affected by the charge-up are guided to the detector 4 together with the secondary electrons not much affected by the charge-up, and are detected. As a result, the secondary electron image displayed on the cathode ray tube based on the detection signal becomes an image affected by charge-up.
【0005】本発明は、このような点に鑑みてなされた
もので、その目的は、導電性の良くない試料であって
も、チャージアップの影響の少ない2次電子像を観察す
ることができる走査電子顕微鏡を実現するにある。[0005] The present invention has been made in view of such a point, and an object thereof is to observe a secondary electron image with little influence of charge-up even for a sample having poor conductivity. The realization of a scanning electron microscope.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明に基づく走査電子
顕微鏡は、対物レンズ中の試料に電子ビームを照射し、
その結果試料より発生した2次電子を対物レンズ磁場に
よって対物レンズ上部に導き、その2次電子を対物レン
ズ上部の光軸から離されて配置された2次電子検出器の
電界によって検出器に導いて検出するように構成した走
査電子顕微鏡において、前記2次電子検出器に接近した
光軸上に中空円筒を配置すると共に、電子ビーム光軸に
沿った方向の前記中空円筒の長さを調節できるようにし
たことを特徴としている。他の本発明に基づく走査電子
顕微鏡は、対物レンズ中の試料に電子ビームを照射し、
その結果試料より発生した2次電子を対物レンズ磁場に
よって対物レンズ上部に導き、その2次電子を対物レン
ズ上部の光軸から離されて配置された2次電子検出器の
電界によって検出器に導いて検出するように構成した走
査電子顕微鏡において、前記2次電子検出器に接近した
光軸上に中空円筒を配置すると共に、前記2次電子検出
器と前記中空円筒との相対距離を変化させ得るように構
成したことを特徴としている。 A scanning electron microscope according to the present invention irradiates a sample in an objective lens with an electron beam,
As a result, the secondary electrons generated from the sample are guided to the upper part of the objective lens by the magnetic field of the objective lens, and the secondary electrons are guided to the detector by the electric field of the secondary electron detector arranged apart from the optical axis above the objective lens. in the configuration with a scanning electron microscope to detect Te, along with arranging the hollow cylinder on the optical axis in proximity to the secondary electron detector, the electron beam optical axis
The length of the hollow cylinder in the direction along the length can be adjusted . Other scanning electron according to the invention
The microscope irradiates the sample in the objective lens with an electron beam,
As a result, the secondary electrons generated from the sample are converted to the objective lens magnetic field.
Therefore, the secondary electrons are guided to the upper part of the objective lens and the secondary electrons are
Of the secondary electron detector placed away from the optical axis above
A scanning device configured to guide detection to a detector by an electric field
In the scanning electron microscope, approached the secondary electron detector
Arranging a hollow cylinder on the optical axis and detecting the secondary electrons
So that the relative distance between the vessel and the hollow cylinder can be changed.
It is characterized by having achieved.
【0007】[0007]
【作用】試料から発生する2次電子は、各種のエネルギ
ーのものが含まれている。試料上でチャージアップが発
生している場合、少なくとも、比較的エネルギーの高い
2次電子は低いものと比較してチャージアップの影響を
受ける度合いが小さい。チャージアップの影響を受けて
いないということは、試料の情報(例えば表面構造)を
多く含んでいることであり、影響を受けていない2次電
子のみを元にして像を形成すれば、正確な試料の2次電
子像を観察することができる。そのため、本発明に基づ
く走査電子顕微鏡は、2次電子検出器に接近した光軸上
に中空円筒を配置し、比較的低いエネルギーの2次電子
をこの円筒にトラップして検出器に検出されることを防
止する。The secondary electrons generated from the sample include those of various energies. When charge-up has occurred on the sample, at least secondary electrons having relatively high energy are less affected by the charge-up than low secondary electrons. The fact that it is not affected by the charge-up means that it contains a lot of information (for example, surface structure) of the sample, and if an image is formed based only on the unaffected secondary electrons, the accurate A secondary electron image of the sample can be observed. Therefore, in the scanning electron microscope according to the present invention, a hollow cylinder is arranged on the optical axis close to the secondary electron detector, and secondary electrons having relatively low energy are trapped in this cylinder and detected by the detector. To prevent that.
【0008】[0008]
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。図2は、本発明の一実施例を示しており、
図1の従来装置と同一部分には同一番号が付されてい
る。この実施例では、対物レンズ1の上方の検出器4に
接近した電子ビーム光軸上に、中空円筒5を配置してい
る。この円筒は接地電位とされている。このような構成
において、一次電子ビームEBを試料2に照射した結
果、試料2から発生した2次電子3は、対物レンズ1の
磁場に拘束されてサイクトロン運動をしながらスパイラ
ル状に進行し、対物レンズ1の上方に取り出されること
は前に述べた通りである。この場合、2次電子の軌道は
磁場の強さにより変化するが、そのエネルギーが小さい
ほど小さな回転半径で上昇する。図中点線で軌道を示し
た2次電子3aは比較的高いエネルギーを有するもの
で、大きな回転半径で上昇する。この大きな回転半径の
2次電子は電子ビームEBの光軸から離されて配置され
ている検出器4の捕獲電界により引き付けられ、検出器
4に入射して検出される。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. FIG. 2 shows an embodiment of the present invention,
The same parts as those of the conventional apparatus of FIG. 1 are denoted by the same reference numerals. In this embodiment, a hollow cylinder 5 is arranged on the electron beam optical axis close to the detector 4 above the objective lens 1. This cylinder is at ground potential. In such a configuration, as a result of irradiating the sample 2 with the primary electron beam EB, the secondary electrons 3 generated from the sample 2 travel in a spiral manner while performing a cyclotron motion while being constrained by the magnetic field of the objective lens 1. Extraction above the lens 1 is as described above. In this case, the trajectory of the secondary electron changes depending on the strength of the magnetic field. The secondary electrons 3a whose orbits are indicated by dotted lines in the figure have relatively high energy and rise with a large turning radius. The secondary electrons having a large radius of gyration are attracted by the trapping electric field of the detector 4 arranged away from the optical axis of the electron beam EB, and are incident on the detector 4 and detected.
【0009】一方、細線で示したエネルギーの低い2次
電子3bは、小さな回転半径で上昇し、接地電位の円筒
5に入射し、検出器4への入射は妨げられる。この結
果、検出器4の検出信号は、比較的大きなエネルギーの
2次電子に基づくもの、すなわち、試料2のチャージア
ップの影響を比較的受けていない2次電子に基づくもの
となり、このような検出信号を図示していない陰極線管
に導いて表示することにより、チャージアップの比較的
影響のない走査電子顕微鏡像を観察することができる。
なお、この実施例で、試料の材質や加速電圧により試料
2上のチャージアップの状態が変化する。そのため、中
空円筒5と検出器4の相対的な距離(間隔)を調整でき
るように構成することは有効である。すなわち、その距
離を変化させれば、中空円筒5により高いエネルギーの
2次電子を入射させることができたり、逆により低いエ
ネルギーの2次電子のみを入射させることができるよう
になる。その結果、試料のチャージアップが多い場合に
は、中空円筒5と検出器4との間の距離を変化させ、よ
り高いエネルギーの2次電子が円筒5に入射するように
調整する。逆に、試料のチャージアップが少ない場合に
は、中空円筒5と検出器4との間の距離を変化させ、よ
り低いエネルギーの2次電子のみが円筒5に入射するよ
うに調整する。このようにして、試料のチャージアップ
の状況に応じて常にチャージアップの影響の少ない2次
電子のみを検出することが可能となる。On the other hand, the secondary electrons 3b having a low energy shown by a thin line rise with a small radius of rotation, enter the cylinder 5 at the ground potential, and are prevented from entering the detector 4. As a result, the detection signal of the detector 4 is based on secondary electrons having relatively large energy, that is, based on secondary electrons relatively unaffected by the charge-up of the sample 2, and such detection is performed. By guiding the signal to a cathode ray tube (not shown) and displaying the signal, it is possible to observe a scanning electron microscope image relatively free from the influence of charge-up.
In this embodiment, the charge-up state on the sample 2 changes depending on the material of the sample and the accelerating voltage. Therefore, it is effective that the relative distance (interval) between the hollow cylinder 5 and the detector 4 can be adjusted. That is, if the distance is changed, secondary electrons having higher energy can be made incident on the hollow cylinder 5, or only secondary electrons having lower energy can be made incident on the hollow cylinder 5. As a result, when the charge-up of the sample is large, the distance between the hollow cylinder 5 and the detector 4 is changed so that secondary electrons having higher energy are incident on the cylinder 5. Conversely, when the charge-up of the sample is small, the distance between the hollow cylinder 5 and the detector 4 is changed so that only secondary electrons of lower energy enter the cylinder 5. In this way, it is possible to always detect only secondary electrons that are less affected by charge-up depending on the state of charge-up of the sample.
【0010】図3は本発明の他の実施例を示している
が、この実施例では、中空円筒5を第1の円筒5aとそ
の外側の第2の円筒5bにより構成している。第1と第
2の円筒5a,5bは電気的に接触されており、第2の
円筒5bは第1の円筒5aに対し、電子ビームEB光軸
に沿って移動可能に構成されている。このような構成で
は、試料2のチャージアップの状況に応じて第1と第2
の円筒5a,5bが構成する円筒5の長さLが変化させ
られる。すなわち、円筒5の長さLを長くすれば、より
2次電子を円筒5によってトラップしやすくなり、チャ
ージアップの量が多い場合にはLが長くされる。FIG. 3 shows another embodiment of the present invention. In this embodiment, the hollow cylinder 5 is constituted by a first cylinder 5a and a second cylinder 5b outside the first cylinder 5a. The first and second cylinders 5a and 5b are in electrical contact with each other, and the second cylinder 5b is configured to be movable along the optical axis of the electron beam EB with respect to the first cylinder 5a. In such a configuration, the first and the second are changed according to the state of charge-up of the sample 2.
The length L of the cylinder 5 formed by the cylinders 5a and 5b is changed. In other words, if the length L of the cylinder 5 is increased, secondary electrons are more easily trapped by the cylinder 5, and L is increased when the amount of charge-up is large.
【0011】図4は本発明の他の実施例を示している。
この実施例と図2の実施例との相違点は、中空円筒5に
電源8から低い電圧が印加されていることである。電源
8は可変電源であり、試料2のチャージアップの状況に
応じて中空円筒に印加される電圧が変えられる。FIG. 4 shows another embodiment of the present invention.
The difference between this embodiment and the embodiment of FIG. 2 is that a low voltage is applied to the hollow cylinder 5 from the power supply 8. The power supply 8 is a variable power supply, and the voltage applied to the hollow cylinder can be changed according to the charge-up state of the sample 2.
【0012】[0012]
【発明の効果】以上説明したように、本発明に基づく走
査電子顕微鏡は、2次電子検出器に接近した光軸上に中
空円筒を配置し、試料からの比較的低いエネルギーの2
次電子をこの円筒にトラップするように構成したので、
導電性の良くない試料であっても、チャージアップの影
響の少ない2次電子像を観察することができる。又、試
料のチャージアップの状況に応じて中空円筒の長さを変
化させることができる。 さらに、2次電子検出器と中空
円筒との相対距離を変化させることで、試料のチャージ
アップの状況に応じてチャージアップの影響の少ない2
次電子のみを検出することが可能となる。 As described above, in the scanning electron microscope according to the present invention, the hollow cylinder is arranged on the optical axis close to the secondary electron detector, and the relatively low energy from the sample can be obtained.
Since the secondary electrons are trapped in this cylinder,
Even with a sample having poor conductivity, a secondary electron image with little influence of charge-up can be observed. Also try
The length of the hollow cylinder changes depending on the charge-up situation.
Can be changed. In addition, secondary electron detector and hollow
By changing the relative distance to the cylinder, the sample can be charged.
2 less affected by charge-up depending on up situation
Only the next electron can be detected.
【図1】従来の走査電子顕微鏡の要部を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a main part of a conventional scanning electron microscope.
【図2】本発明の第1の実施例である走査電子顕微鏡の
要部を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a main part of a scanning electron microscope according to the first embodiment of the present invention.
【図3】本発明の第2の実施例である走査電子顕微鏡の
要部を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a main part of a scanning electron microscope according to a second embodiment of the present invention.
【図4】本発明の第3の実施例である走査電子顕微鏡の
要部を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a main part of a scanning electron microscope according to a third embodiment of the present invention.
1 対物レンズ 2 試料 3 2次電子 4 2次電子検出器 5 中空円筒 8 可変電源 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Objective lens 2 Sample 3 Secondary electron 4 Secondary electron detector 5 Hollow cylinder 8 Variable power supply
Claims (4)
し、その結果試料より発生した2次電子を対物レンズ磁
場によって対物レンズ上部に導き、その2次電子を対物
レンズ上部の光軸から離されて配置された2次電子検出
器の電界によって検出器に導いて検出するように構成し
た走査電子顕微鏡において、前記2次電子検出器に接近
した光軸上に中空円筒を配置すると共に、電子ビーム光
軸に沿った方向の前記中空円筒の長さを調節できるよう
にしたことを特徴とする走査電子顕微鏡。An electron beam is irradiated on a sample in an objective lens, and secondary electrons generated from the sample are guided to an upper portion of the objective lens by a magnetic field of the objective lens, and the secondary electrons are separated from an optical axis of the upper portion of the objective lens. in the configuration with a scanning electron microscope to detect guided to the detector by the electric field of the secondary electron detector disposed it is, while placing the hollow cylinder on the optical axis in proximity to the secondary electron detector, electronic Beam light
The length of the hollow cylinder in the direction along the axis can be adjusted
Scanning electron microscope, characterized in that the.
し、その結果試料より発生した2次電子を対物レンズ磁
場によって対物レンズ上部に導き、その2次電子を対物
レンズ上部の光軸から離されて配置された2次電子検出
器の電界によって検出器に導いて検出するように構成し
た走査電子顕微鏡において、前記2次電子検出器に接近
した光軸上に中空円筒を配置すると共に、前記2次電子
検出器と前記中空円筒との相対距離を変化させ得るよう
に構成したことを特徴とする走査電子顕微鏡。2. A sample in an objective lens is irradiated with an electron beam.
Then, the secondary electrons generated from the sample are
Field guides the upper part of the objective lens and the secondary electrons
Secondary electron detection located away from the optical axis above the lens
It is configured so that it is guided to the detector by the electric field of the
Approaching the secondary electron detector in a scanning electron microscope
A hollow cylinder on the optical axis, and the secondary electron
The relative distance between the detector and the hollow cylinder can be changed.
A scanning electron microscope characterized in that:
求項1又は2記載の走査電子顕微鏡。3. The hollow cylinder is held at a ground potential.
The scanning electron microscope according to claim 1 or 2 .
圧値が任意に変えられる請求項1又は2記載の走査電子
顕微鏡。 4. A voltage is applied to the hollow cylinder, and the voltage is applied to the hollow cylinder.
3. The scanning electron microscope according to claim 1, wherein the pressure value is arbitrarily changed .
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JPS5854783Y2 (en) | scanning electron microscope |
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