JP3179146B2 - 基板上に二酸化ケイ素層を設ける方法 - Google Patents
基板上に二酸化ケイ素層を設ける方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、酸化剤およびクロロシ
ランを含有する混合物から、低圧化学気相成長(LPCVD)
法により基板上に二酸化ケイ素層を設ける方法に関する
ものである。また、本発明は、二酸化ケイ素層を具える
半導体デバイスの製造方法に関するせのである。
ランを含有する混合物から、低圧化学気相成長(LPCVD)
法により基板上に二酸化ケイ素層を設ける方法に関する
ものである。また、本発明は、二酸化ケイ素層を具える
半導体デバイスの製造方法に関するせのである。
【０００２】二酸化ケイ素層は、半導体工業において、
誘電層および不活性層として広く使用されている。SiO2
層はLPCVD 法(LPCVD＝low pressure chemical vapour d
eposition:低圧化学気相成長法）によって設けるのが普
通である。このようなSiO2層は光学的フィルタ、いわゆ
る干渉フィルタにも使用される。ここに低圧とは10-5〜
１バールの圧力を意味するものとする。
誘電層および不活性層として広く使用されている。SiO2
層はLPCVD 法(LPCVD＝low pressure chemical vapour d
eposition:低圧化学気相成長法）によって設けるのが普
通である。このようなSiO2層は光学的フィルタ、いわゆ
る干渉フィルタにも使用される。ここに低圧とは10-5〜
１バールの圧力を意味するものとする。
【０００３】このような方法では、反応速度を速度論的
に制御することが重要であり、これは反応速度が温度に
高度に依存していることを意味する。この場合には、生
成するSiO2層は均一な層厚を有し、そのステップ・カバ
ーレッジ(step coverage) は優れている。後者の性質は
特にVLSIに適用する場合に重要である。この場合には、
寸法１μm の複雑な幾何学的形状に厚さの均一なSiO2層
を設ける必要がある。
に制御することが重要であり、これは反応速度が温度に
高度に依存していることを意味する。この場合には、生
成するSiO2層は均一な層厚を有し、そのステップ・カバ
ーレッジ(step coverage) は優れている。後者の性質は
特にVLSIに適用する場合に重要である。この場合には、
寸法１μm の複雑な幾何学的形状に厚さの均一なSiO2層
を設ける必要がある。
【０００４】速度制御型反応と反対のものは拡散制御型
反応によって生じる。一般的に、拡散制御型反応または
プロセスでは、１個の基板上および１バッチ中の異なる
基板上のいずれで測定しても、層の厚さの均一性は不良
にる。反応の活性化エネルギーが100KJ ／モルより大き
い場合に、満足できる均一性を得ることができることが
分った。
反応によって生じる。一般的に、拡散制御型反応または
プロセスでは、１個の基板上および１バッチ中の異なる
基板上のいずれで測定しても、層の厚さの均一性は不良
にる。反応の活性化エネルギーが100KJ ／モルより大き
い場合に、満足できる均一性を得ることができることが
分った。
【０００５】LPCVD 法により基板上に二酸化ケイ素層を
設ける方法は英国特許出願UK-A第2061243 号明細書に記
載されている。ここに記載されている方法では、シラン
(SiH4)またはジクロロシラン(SiH2Cl2) と、NOまたはN2
O4のような酸化剤との反応によって、SiO2層を生成して
いる。この反応は約１ミリバールの圧力において430 〜
633 ℃の温度で生起する。N2O4との反応の活性化エネル
ギーは0.91eV／分子であり、これは87.4 KJ ／モルに相
当する。上述の英国特許出願明細書は１バッチ中の異な
るる基板上で測定した層の厚さについて言及していない
し、またステップカバーレッジの程度についても言及し
ていない。
設ける方法は英国特許出願UK-A第2061243 号明細書に記
載されている。ここに記載されている方法では、シラン
(SiH4)またはジクロロシラン(SiH2Cl2) と、NOまたはN2
O4のような酸化剤との反応によって、SiO2層を生成して
いる。この反応は約１ミリバールの圧力において430 〜
633 ℃の温度で生起する。N2O4との反応の活性化エネル
ギーは0.91eV／分子であり、これは87.4 KJ ／モルに相
当する。上述の英国特許出願明細書は１バッチ中の異な
るる基板上で測定した層の厚さについて言及していない
し、またステップカバーレッジの程度についても言及し
ていない。
【０００６】別の既知のLPCVD 法では、TEOS（＝テトラ
エチルオルトシリケート）を使用している。この反応は
速度制御型であるが、プロセス温度は650 ℃以上にする
必要がある。このことは、この方法がアルミニウムおよ
び多くのケイ化物の上にSiO2層を被着させるのには不適
当であることを意味する。ガラスはいずれにせよ基板と
して使用できない。別の低温法は例えばDES （＝ジエチ
ルシラン）に基くものであるが、この反応は拡散制御型
であって、生成する層の均一性は不良である。速度制御
型低温LPCVD 法の一例はDADBS （＝ジアセトキシ・ジタ
ーシャリィ・ブトキシシラン）に基く方法である。生成
する層は層の厚さの均一性が満足できるものであるが、
450 ℃における堆積速度は２ｎｍ／分にすぎない。その
上、生成するSiO2層はアニール後に約20％の収縮を示
す。
エチルオルトシリケート）を使用している。この反応は
速度制御型であるが、プロセス温度は650 ℃以上にする
必要がある。このことは、この方法がアルミニウムおよ
び多くのケイ化物の上にSiO2層を被着させるのには不適
当であることを意味する。ガラスはいずれにせよ基板と
して使用できない。別の低温法は例えばDES （＝ジエチ
ルシラン）に基くものであるが、この反応は拡散制御型
であって、生成する層の均一性は不良である。速度制御
型低温LPCVD 法の一例はDADBS （＝ジアセトキシ・ジタ
ーシャリィ・ブトキシシラン）に基く方法である。生成
する層は層の厚さの均一性が満足できるものであるが、
450 ℃における堆積速度は２ｎｍ／分にすぎない。その
上、生成するSiO2層はアニール後に約20％の収縮を示
す。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、特
に、430 〜500 ℃の温度範囲で実施することができ、か
つ高い堆積速度を示し、層の厚さの均一性を改善するこ
とができる、LPCVD 法により基板上に二酸化ケイ素層を
設ける方法を提供することにある。
に、430 〜500 ℃の温度範囲で実施することができ、か
つ高い堆積速度を示し、層の厚さの均一性を改善するこ
とができる、LPCVD 法により基板上に二酸化ケイ素層を
設ける方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、冒頭に記載し
た方法において、クロロシランが式R1R2SiHCl（式中のR
1およびR2はアルキル基を示す）で表わされるモノクロ
ロシランであり、420〜500℃の温度で二酸化ケイ素層を
設けることを特徴とすることにより、上述の目的を達成
する。この種の化合物の代表的なものは、１個のH原子
および１個のCl原子のみが中央のSi原子に結合している
ものである。Si原子の二つの他の位置はアルキル基が占
めている。アルキル基は同一の基でもよく、異なる基で
もよい。適当なアルキル基はメチル基、エチル基、プロ
ピル基およびブチル基である。
た方法において、クロロシランが式R1R2SiHCl（式中のR
1およびR2はアルキル基を示す）で表わされるモノクロ
ロシランであり、420〜500℃の温度で二酸化ケイ素層を
設けることを特徴とすることにより、上述の目的を達成
する。この種の化合物の代表的なものは、１個のH原子
および１個のCl原子のみが中央のSi原子に結合している
ものである。Si原子の二つの他の位置はアルキル基が占
めている。アルキル基は同一の基でもよく、異なる基で
もよい。適当なアルキル基はメチル基、エチル基、プロ
ピル基およびブチル基である。
【０００９】前記モノクロロシランは、比較的低い温度
（＜500 ℃)で酸化して極めて満足できるステップカバ
ーレッジを有するSiO2層を形成することができる性質を
有する。ジメチルモノクロロシランを使用した場合に
は、活性化エネルギーは420 〜470 ℃の温度範囲におい
て150KJ ／モルから220KJ ／モルに変化し、これはプロ
セスが速度制御型であることを意味する。約10 nm ／分
の堆積速度を達成することができる。ジエチルモノクロ
ロシランを使用した場合には、Si−C 結合強度が小さく
なるため、特定の堆積速度において一層低いプロセス温
度を使用することができる。LPCVD 法では酸化剤として
例えば酸素,NO2およびN2O4を使用することができる。
（＜500 ℃)で酸化して極めて満足できるステップカバ
ーレッジを有するSiO2層を形成することができる性質を
有する。ジメチルモノクロロシランを使用した場合に
は、活性化エネルギーは420 〜470 ℃の温度範囲におい
て150KJ ／モルから220KJ ／モルに変化し、これはプロ
セスが速度制御型であることを意味する。約10 nm ／分
の堆積速度を達成することができる。ジエチルモノクロ
ロシランを使用した場合には、Si−C 結合強度が小さく
なるため、特定の堆積速度において一層低いプロセス温
度を使用することができる。LPCVD 法では酸化剤として
例えば酸素,NO2およびN2O4を使用することができる。
【００１０】本発明方法の適当な例では、モノクロロシ
ランとしてジメチルモノクロロシラン（（CH3)2SiHCl)
を使用する。この液体化合物の常温にける蒸気圧は大き
いので、この化合物を反応器に輸送するためにキヤリヤ
ガスは不必要である。LPCVD 法において生起する反応は
次の反応式: （CH3)2SiHCl + O2 → SiO2 +HCl + C2H6 で表わすことができる。
ランとしてジメチルモノクロロシラン（（CH3)2SiHCl)
を使用する。この液体化合物の常温にける蒸気圧は大き
いので、この化合物を反応器に輸送するためにキヤリヤ
ガスは不必要である。LPCVD 法において生起する反応は
次の反応式: （CH3)2SiHCl + O2 → SiO2 +HCl + C2H6 で表わすことができる。
【００１１】本発明方法の好適例では、420 〜500 ℃の
温度で二酸化ケイ素層を設ける。400 〜700 ℃の温度範
囲内でSiO2層を堆積させることができるが、上述の420
〜500 ℃の温度範囲が重要であり、特に、ガラス, アル
ミニウムおよび多くのケイ化物のような高温に対して耐
熱性でない材料の上にSiO2層を堆積させる必要がある場
合にそうである。好ましい温度範囲内では、反応器内の
全圧が1.3 ミリバールの場合に堆積速度は３〜25nm／分
である。
温度で二酸化ケイ素層を設ける。400 〜700 ℃の温度範
囲内でSiO2層を堆積させることができるが、上述の420
〜500 ℃の温度範囲が重要であり、特に、ガラス, アル
ミニウムおよび多くのケイ化物のような高温に対して耐
熱性でない材料の上にSiO2層を堆積させる必要がある場
合にそうである。好ましい温度範囲内では、反応器内の
全圧が1.3 ミリバールの場合に堆積速度は３〜25nm／分
である。
【００１２】本発明方法の適当な例では、1.3 ミリバー
ルの全圧において430 ℃の反応器内温度を使用する。こ
の場合には、SiO2層の堆積速度は７nm／分である。
ルの全圧において430 ℃の反応器内温度を使用する。こ
の場合には、SiO2層の堆積速度は７nm／分である。
【００１３】本発明方法は二酸化ケイ素層を具える半導
体デバイスを製造するのに特に適している。半導体デバ
イスはアルミニウムおよびケイ化物のパターン化された
トラックおよび接点表面を具えることが多い。このよう
な材料は通常のCVD 法において生じる高温に対して耐熱
性でない。プロセス温度が500 ℃より低い場合には、本
発明方法は生成したSiO2層によって満足なステップカバ
ーレッジを提供する。１バッチ内のSiO2層の層の厚さの
均一性は極めて満足できるものになる。
体デバイスを製造するのに特に適している。半導体デバ
イスはアルミニウムおよびケイ化物のパターン化された
トラックおよび接点表面を具えることが多い。このよう
な材料は通常のCVD 法において生じる高温に対して耐熱
性でない。プロセス温度が500 ℃より低い場合には、本
発明方法は生成したSiO2層によって満足なステップカバ
ーレッジを提供する。１バッチ内のSiO2層の層の厚さの
均一性は極めて満足できるものになる。
【００１４】
【実施例】次に、本発明を実施例および比較例について
説明する。実施例１ 図１において符号１は水平管反応器の断面を示す。この
反応器は長さ約1.5m、内径100 mmの石英管３を具える。
石英管３は３個の区域を有する抵抗炉５によって囲まれ
ており、堆積区域６は抵抗炉５の中央区域によって囲ま
れている。堆積区域６は長さ約50cmであり、この区域内
の温度を熱電対 (図示せず）によって測定および制御し
た。モノクロロシランを管７から反応器１に供給するこ
とができ、酸素およびアルゴンはそれぞれ管９および11
から供給することができた。ガス流量は流量制御装置
(図示せず）によって制御した。反応器内の全圧はエム
ケィエス(MKS) 社のバラトロン(baratron)圧力計13によ
って測定した。管15を介して反応器を真空ポンプ (図示
せず）に連結した。ホルダ17を反応器内に配置し、これ
によりシリコンウエハ19を保持した。
説明する。実施例１ 図１において符号１は水平管反応器の断面を示す。この
反応器は長さ約1.5m、内径100 mmの石英管３を具える。
石英管３は３個の区域を有する抵抗炉５によって囲まれ
ており、堆積区域６は抵抗炉５の中央区域によって囲ま
れている。堆積区域６は長さ約50cmであり、この区域内
の温度を熱電対 (図示せず）によって測定および制御し
た。モノクロロシランを管７から反応器１に供給するこ
とができ、酸素およびアルゴンはそれぞれ管９および11
から供給することができた。ガス流量は流量制御装置
(図示せず）によって制御した。反応器内の全圧はエム
ケィエス(MKS) 社のバラトロン(baratron)圧力計13によ
って測定した。管15を介して反応器を真空ポンプ (図示
せず）に連結した。ホルダ17を反応器内に配置し、これ
によりシリコンウエハ19を保持した。
【００１５】石英管を圧力0.01ミリバールまで排気し、
次いで堆積区域６における温度分布が完全に平坦で430
±１℃になるまで石英管にアルゴンを通した。アルゴン
の流れを止め、ジメチルモノクロロシラン（ペトラーチ
・システムス（Petrarch Systems))社製) を管７から反
応器に供給した。ジメチルモノクロロシランの入ってい
る容器は常温であった。ジメチルモノクロロシランの流
量は管７のニードル弁（図示せず）によって制御し、28
sccm（標準cm3 / 分) に調整した。酸素を管９から反応
器内に導入することによりSiO2を堆積させた。酸素流量
は125sccm に調整した。反応器内の全圧を窒素により1.
3 ミリバールに調整した。このために、窒素を真空ポン
プの入口ゲートに導入した。上述の条件下に、SiO2堆積
速度は７nm／分であった。SiO2層の層の厚さを楕円偏光
測定器（ゲルトナー（Gaertner) 社製、タイプL 116B)
によって測定した。１個のウエハ内および１バッチ内に
おける層の厚さの変動は２％未満であった。
次いで堆積区域６における温度分布が完全に平坦で430
±１℃になるまで石英管にアルゴンを通した。アルゴン
の流れを止め、ジメチルモノクロロシラン（ペトラーチ
・システムス（Petrarch Systems))社製) を管７から反
応器に供給した。ジメチルモノクロロシランの入ってい
る容器は常温であった。ジメチルモノクロロシランの流
量は管７のニードル弁（図示せず）によって制御し、28
sccm（標準cm3 / 分) に調整した。酸素を管９から反応
器内に導入することによりSiO2を堆積させた。酸素流量
は125sccm に調整した。反応器内の全圧を窒素により1.
3 ミリバールに調整した。このために、窒素を真空ポン
プの入口ゲートに導入した。上述の条件下に、SiO2堆積
速度は７nm／分であった。SiO2層の層の厚さを楕円偏光
測定器（ゲルトナー（Gaertner) 社製、タイプL 116B)
によって測定した。１個のウエハ内および１バッチ内に
おける層の厚さの変動は２％未満であった。
【００１６】実施例２ 上述のLPCVD 法を420 〜500 ℃の温度範囲内の異なる温
度において繰り返した。図２には、堆積速度Ｒを絶対温
度の逆数Ｔ-1の関数としてプロットした( アレニウスの
プロット) 。活性化エネルギーの計算値は430 ℃におけ
る220KJ ／モルと470 ℃における150KJ ／モルとの間で
変動した。曲線Ａは全圧1.3 ミリバールにおける堆積速
度を示す。この堆積速度は全圧が大きくなった際に増大
した。曲線Ｂは全圧2.0 ミリバールにおける測定値であ
る。図2 はプロセス温度430 ℃、全圧2.0 ミリバールに
おいて10nm／分の堆積速度を実現できることを示す。
度において繰り返した。図２には、堆積速度Ｒを絶対温
度の逆数Ｔ-1の関数としてプロットした( アレニウスの
プロット) 。活性化エネルギーの計算値は430 ℃におけ
る220KJ ／モルと470 ℃における150KJ ／モルとの間で
変動した。曲線Ａは全圧1.3 ミリバールにおける堆積速
度を示す。この堆積速度は全圧が大きくなった際に増大
した。曲線Ｂは全圧2.0 ミリバールにおける測定値であ
る。図2 はプロセス温度430 ℃、全圧2.0 ミリバールに
おいて10nm／分の堆積速度を実現できることを示す。
【００１７】IR分光分析法 (ニコレットDX FTIR 分光
計) は、SiO2堆積層がO-H 結合を含んでいないことを示
した。420 〜500 ℃の温度範囲内で生成したSiO2層の屈
折率は一定で、1.44であった。
計) は、SiO2堆積層がO-H 結合を含んでいないことを示
した。420 〜500 ℃の温度範囲内で生成したSiO2層の屈
折率は一定で、1.44であった。
【００１８】445 ℃で生成したSiO2層のラザフォード後
方散乱分析はSiO2の化学量論(stoichiometry) および約
0.1 原子％の炭素含有量を示した。この層は塩素を含有
していなかった。この層を800 ℃で15分間アニールした
場合に、10〜15％の収縮が生じた。屈折率は1.44で一定
のままであった。アニール後に、化学量論は正確にSiO2
であり、炭素はこの層から完全に消失していた。
方散乱分析はSiO2の化学量論(stoichiometry) および約
0.1 原子％の炭素含有量を示した。この層は塩素を含有
していなかった。この層を800 ℃で15分間アニールした
場合に、10〜15％の収縮が生じた。屈折率は1.44で一定
のままであった。アニール後に、化学量論は正確にSiO2
であり、炭素はこの層から完全に消失していた。
【００１９】実施例３ 図３において、符号８はシリコン基板を示す。この上
に、TEOSを使用して750 ℃においてCVD 法により、厚さ
１μm のSiO2層を堆積させた。フォトリソグラフィーに
より、前記SiO2層にパターンに従ってトラフ10および突
起部12を設けた。厚さ50nmのポリシリコン層16をCVD 法
により上述の構造体に被着させた。トラフ10の幅は約１
μm 、突起部12の幅は約0.5 μm であった。これらのパ
ターンの縦横比は1 であった。実施例1 におけると同様
に、本発明方法によって、このパターン上に厚さ約0.3
μm のSiO2層14を堆積させた。SiO2層14のステップカバ
ーレッジは優れていた。
に、TEOSを使用して750 ℃においてCVD 法により、厚さ
１μm のSiO2層を堆積させた。フォトリソグラフィーに
より、前記SiO2層にパターンに従ってトラフ10および突
起部12を設けた。厚さ50nmのポリシリコン層16をCVD 法
により上述の構造体に被着させた。トラフ10の幅は約１
μm 、突起部12の幅は約0.5 μm であった。これらのパ
ターンの縦横比は1 であった。実施例1 におけると同様
に、本発明方法によって、このパターン上に厚さ約0.3
μm のSiO2層14を堆積させた。SiO2層14のステップカバ
ーレッジは優れていた。
【００２０】実施例４ 図４はSB-IGFET (Schottky barrier insulated gate fi
eld effect transistor : ショットキー障壁絶縁ゲート
電界効果トランジスタ) の断面図である。このトランジ
スタはn-Si基板40上にSiO2層42を熱成長させたものであ
る。このSiO2層42は局部的に中断され、PtSi領域44およ
び46が中断区域においてSiO2層48上に位置している。こ
の構造体に本発明の方法によってSiO2層48を設けた。層
48は温度430 ℃および全圧1.3 ミリバールにおいてジメ
チルクロロシランおよび酸素を使用して設けた。この層
の厚さは0.5 μm であった。次いで、この構造体に真空
蒸着によりアルミニウムを局部的に設けて、それぞれソ
ース接点50、ゲート接点52およびドレイン接点54を形成
した。本発明方法の利点は極めて満足できるステップカ
バーレッジおよび低いプロセス温度であり、その結果Pt
Si層は劣化しなかった。
eld effect transistor : ショットキー障壁絶縁ゲート
電界効果トランジスタ) の断面図である。このトランジ
スタはn-Si基板40上にSiO2層42を熱成長させたものであ
る。このSiO2層42は局部的に中断され、PtSi領域44およ
び46が中断区域においてSiO2層48上に位置している。こ
の構造体に本発明の方法によってSiO2層48を設けた。層
48は温度430 ℃および全圧1.3 ミリバールにおいてジメ
チルクロロシランおよび酸素を使用して設けた。この層
の厚さは0.5 μm であった。次いで、この構造体に真空
蒸着によりアルミニウムを局部的に設けて、それぞれソ
ース接点50、ゲート接点52およびドレイン接点54を形成
した。本発明方法の利点は極めて満足できるステップカ
バーレッジおよび低いプロセス温度であり、その結果Pt
Si層は劣化しなかった。
【００２１】比較例１ ジクロロシランを使用して実施例１を繰り返した。酸化
剤として酸素およびN2O4の両方を使用した結果、１バッ
チ内の層の厚さの変動は約20％であった。この結果を、
ジメチルモノクロロシランを使用した場合に得られた２
％未満という層の厚さの変動と対比した場合に、本発明
方法により層の厚さの均一性が著しく改善されたことが
明らかである。。
剤として酸素およびN2O4の両方を使用した結果、１バッ
チ内の層の厚さの変動は約20％であった。この結果を、
ジメチルモノクロロシランを使用した場合に得られた２
％未満という層の厚さの変動と対比した場合に、本発明
方法により層の厚さの均一性が著しく改善されたことが
明らかである。。
【図１】本発明方法の一例において使用する水平管型反
応器の断面図である。
応器の断面図である。
【図２】本発明方法の一例に従ってLPCVD 法を行った場
合のアレニウスのプロットを示すグラフである。
合のアレニウスのプロットを示すグラフである。
【図３】本発明方法の一例によって設けたSiO2によるス
テップカバーレッジを示す略線図である。
テップカバーレッジを示す略線図である。
【図４】本発明方法の一例によって設けたSiO2を具える
SB-IGFET半導体デバイスの断面図である。
SB-IGFET半導体デバイスの断面図である。
１ 水平管反応器 ３ 石英管 ５ 抵抗炉 ６ 堆積区域 ７，９，11, 15 管 ８ シリコンウエハ 10 トラフ 12 突起 13 圧力計 14 SiO2層 16 ポリシリコン層 17 ホルダ 19 シリコンウエハ 40 n-Si基板 42 SiO2層 44, 46 PtSi領域 48 SiO2層 50 ソース接点 52 ゲート接点 54 ドレイン接点 Ａ 全圧1.3 ミリバールにおける測定値 Ｂ 全圧2.0 ミリバールにおける測定値 Ｒ 堆積速度
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (73)特許権者 590000248 Ｇｒｏｅｎｅｗｏｕｄｓｅｗｅｇ １, 5621 ＢＡ Ｅｉｎｄｈｏｖｅｎ， Ｔ ｈｅ Ｎｅｔｈｅｒｌａｎｄｓ (56)参考文献 特許2800210（ＪＰ，Ｂ２) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/316 C23C 16/40
Claims (5)
- 【請求項１】 酸化剤およびクロロシランを含有する混
合物から、低圧化学気相成長（LPCVD）法により基板上
に二酸化ケイ素層を設けるに当り、 クロロシランが式：R1R2SiHCl（式中のR1およびR2はア
ルキル基を示す）で表わされるモノクロロシランであ
り、420〜500℃の温度で二酸化ケイ素層を設けることを
特徴とする基板上に二酸化ケイ素層を設ける方法。 - 【請求項２】 モノクロロシランとしてジメチルモノク
ロロシランを使用することを特徴とする請求項1記載の
方法。 - 【請求項３】 430℃の温度を使用することを特徴とす
る請求項1または2記載の方法。 - 【請求項４】 1.3ミリバールの全圧において二酸化ケ
イ素層を設けることを特徴とする請求項3記載の方法。 - 【請求項５】 二酸化ケイ素層を具える半導体デバイス
を製造するに当り、 請求項1〜4のいずれか一つの項に記載の方法によって二
酸化ケイ素層を製造することを特徴とする半導体デバイ
スの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL9001770A NL9001770A (nl) | 1990-08-06 | 1990-08-06 | Werkwijze voor het aanbrengen van een siliciumdioxide-laag op een substraat door middel van chemische reactie uit de dampfase bij verlaagde druk (lpcvd). |
| NL9001770 | 1990-08-06 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04233733A JPH04233733A (ja) | 1992-08-21 |
| JP3179146B2 true JP3179146B2 (ja) | 2001-06-25 |
Family
ID=19857517
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP21805691A Expired - Fee Related JP3179146B2 (ja) | 1990-08-06 | 1991-08-05 | 基板上に二酸化ケイ素層を設ける方法 |
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|---|---|
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| EP (1) | EP0470661B1 (ja) |
| JP (1) | JP3179146B2 (ja) |
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| EP0562625B1 (en) * | 1992-03-27 | 1997-06-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | A semiconductor device and process |
| US5824470A (en) * | 1995-05-30 | 1998-10-20 | California Institute Of Technology | Method of preparing probes for sensing and manipulating microscopic environments and structures |
| US6287990B1 (en) | 1998-02-11 | 2001-09-11 | Applied Materials, Inc. | CVD plasma assisted low dielectric constant films |
| US6593247B1 (en) | 1998-02-11 | 2003-07-15 | Applied Materials, Inc. | Method of depositing low k films using an oxidizing plasma |
| US6303523B2 (en) | 1998-02-11 | 2001-10-16 | Applied Materials, Inc. | Plasma processes for depositing low dielectric constant films |
| US6627532B1 (en) * | 1998-02-11 | 2003-09-30 | Applied Materials, Inc. | Method of decreasing the K value in SiOC layer deposited by chemical vapor deposition |
| US6660656B2 (en) | 1998-02-11 | 2003-12-09 | Applied Materials Inc. | Plasma processes for depositing low dielectric constant films |
| US6054379A (en) | 1998-02-11 | 2000-04-25 | Applied Materials, Inc. | Method of depositing a low k dielectric with organo silane |
| US6159871A (en) | 1998-05-29 | 2000-12-12 | Dow Corning Corporation | Method for producing hydrogenated silicon oxycarbide films having low dielectric constant |
| US6667553B2 (en) | 1998-05-29 | 2003-12-23 | Dow Corning Corporation | H:SiOC coated substrates |
| US6399489B1 (en) | 1999-11-01 | 2002-06-04 | Applied Materials, Inc. | Barrier layer deposition using HDP-CVD |
| US6709721B2 (en) | 2001-03-28 | 2004-03-23 | Applied Materials Inc. | Purge heater design and process development for the improvement of low k film properties |
| US6926926B2 (en) * | 2001-09-10 | 2005-08-09 | Applied Materials, Inc. | Silicon carbide deposited by high density plasma chemical-vapor deposition with bias |
| US7875556B2 (en) * | 2005-05-16 | 2011-01-25 | Air Products And Chemicals, Inc. | Precursors for CVD silicon carbo-nitride and silicon nitride films |
| US7875312B2 (en) * | 2006-05-23 | 2011-01-25 | Air Products And Chemicals, Inc. | Process for producing silicon oxide films for organoaminosilane precursors |
| US8530361B2 (en) | 2006-05-23 | 2013-09-10 | Air Products And Chemicals, Inc. | Process for producing silicon and oxide films from organoaminosilane precursors |
| US7582574B2 (en) * | 2006-05-30 | 2009-09-01 | Air Products And Chemicals, Inc. | Diethylsilane as a silicon source in the deposition of metal silicate films |
| US8298628B2 (en) * | 2008-06-02 | 2012-10-30 | Air Products And Chemicals, Inc. | Low temperature deposition of silicon-containing films |
| CN102047386B (zh) * | 2008-06-03 | 2013-06-19 | 气体产品与化学公司 | 含硅薄膜的低温沉积 |
| US8912353B2 (en) | 2010-06-02 | 2014-12-16 | Air Products And Chemicals, Inc. | Organoaminosilane precursors and methods for depositing films comprising same |
| US8771807B2 (en) | 2011-05-24 | 2014-07-08 | Air Products And Chemicals, Inc. | Organoaminosilane precursors and methods for making and using same |
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|---|---|---|---|---|
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| US4810673A (en) * | 1986-09-18 | 1989-03-07 | Texas Instruments Incorporated | Oxide deposition method |
-
1990
- 1990-08-06 NL NL9001770A patent/NL9001770A/nl not_active Application Discontinuation
-
1991
- 1991-07-29 EP EP91201964A patent/EP0470661B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-07-29 DE DE69105404T patent/DE69105404T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-08-02 US US07/739,624 patent/US5250473A/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-08-05 JP JP21805691A patent/JP3179146B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| NL9001770A (nl) | 1992-03-02 |
| DE69105404T2 (de) | 1995-06-14 |
| DE69105404D1 (de) | 1995-01-12 |
| JPH04233733A (ja) | 1992-08-21 |
| US5250473A (en) | 1993-10-05 |
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