JP3178147U - 磁気共鳴装置における磁石の温度調節システム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】温度調節システムは、前記ケージ内及び/又は前記磁石内に設けられた1つ又はそれ以上の開いたボアチャネルのプリセットされた配列と、前記磁石の温度Tがプリセットされた範囲ΔTに調整されるように開いたボアチャネルの前記配列に流体を強制的に通す手段と、を備えて磁気共鳴装置を形成する。さらに、前記温度調節システムは、前記磁石の表面及び/又は内部に配置された複数の温度センサと、前記センサに連結されており、流体流の速度を増大又は減少させる要素、流体流の流量を増大又は減少させる要素、及び流体の温度を増大又は減少させる要素からなる群のうちの少なくとも1つを備えるように構成された複数のフィードバック温度調整機構とをさらに備えても良い。
【選択図】図1
Description
101 上部磁極部
102 サンプル収容チャンバ
106 空隙
103 側方ボア
104 サンプル
105 サンプル収容チャンバ
106 ブロワ
107 ライン
108、109 方向
110、111、112、113 チャネル
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102 サンプル収容チャンバ
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Claims (28)
- ケージ内に収容された磁石と、前記磁石を室温T±ΔTに温度調節するように構成された温度調節システム(TRS)とを備えた磁気共鳴装置(MRD)において、前記温度調節システムは、(i)前記ケージ内及び/又は前記磁石内に設けられた1つ又はそれ以上の開いたボアチャネルのプリセットされた配列と、(ii)前記磁石の温度Tがプリセットされた範囲ΔTに調整されるように、開いたボアチャネルの前記配列に流体を強制的に通す手段と
を備えていることを特徴とする磁気共鳴装置。 - 前記温度調節システムは、(a)前記磁石の表面及び/又は内部に配置された複数の温度センサと、(b)前記センサに連結されており、(i)流体流の速度を増大又は減少させる要素、(ii)流体流の流量を増大又は減少させる要素、及び(iii)流体の温度を増大又は減少させる要素からなる群のうちの少なくとも1つを備えるように構成された複数のフィードバック温度調整機構(TRFM)とをさらに備えていることを特徴とする請求項1に記載の磁気共鳴装置。
- 前記温度センサは、前記磁石の共振周波数であることを特徴とする請求項2に記載の磁気共鳴装置。
- 流体を強制的に通す前記手段は、垂直又は平行な一部の前記チャネルに流体を強制的に入力し、該チャネル内で乱流又は層流のどちらかを得るように構成されていることを特徴とする請求項1に記載の磁気共鳴装置。
- 1つ又はそれ以上の前記チャネルは、可変の径によって特徴付けられる少なくとも部分的に円筒状の外形を有していることを特徴とする請求項1に記載の磁気共鳴装置。
- 前記流れのパターンは、層流、乱流、超音速流、及び亜音速流からなる群から選択されることを特徴とする請求項1に記載の磁気共鳴装置。
- 前記範囲ΔTは、時間当たり約0℃から約0.2℃の範囲にあることを特徴とする請求項1に記載の磁気共鳴装置。
- 前記チャネルは、導電材料で構成された壁を有していることを特徴とする請求項1に記載の磁気共鳴装置。
- 前記チャネルは導電性のメッシュスクリーンを少なくとも部分的に有しており、該メッシュスクリーンは電磁放射の前記チャネル内への伝搬を阻止するように構成されていることを特徴とする請求項1に記載の磁気共鳴装置。
- 前記チャネルの長さは当該磁気共鳴装置から外部へ突出しており、該長さは該チャネルの径より約5倍大きいことを特徴とする請求項1に記載の磁気共鳴装置。
- 前記チャネルの各々は、対の該チャネル間の角度が約20°から約90°の範囲となるように構成されていることを特徴とする請求項1に記載の磁気共鳴装置。
- 前記温度センサは、熱電対、温度依存抵抗、光電手段、光手段、サーミスタ、バイメタル手段、ダイオード、半導体、接触手段及び非接触手段からなる群から選択されることを特徴とする請求項2に記載の磁気共鳴装置。
- 前記フィードバック手段は、クローズドループフィードバック、PID制御、電子制御、マイクロプロセッサ手段及び適応手段からなる群から選択されることを特徴とする請求項2に記載の磁気共鳴装置。
- 流体を強制的に通す前記手段は、高圧ライン、低圧ライン、ブロワ、ファン及びポンプからなる群から選択されることを特徴とする請求項1に記載の磁気共鳴装置。
- 磁気共鳴装置(MRD)内の磁石を室温T±ΔTに温度調節する方法であって、
ケージ内に収容された磁石からなる前記磁気共鳴装置を取得するステップと、
前記ケージ内及び/又は前記磁石内に設けられた1つ又はそれ以上の開いたボアチャネルのプリセットされた配列と、開いたボアチャネルの前記配列に流体を強制的に通す手段とを有する温度調節システム(TRS)を取得するステップと、
前記磁石の温度Tがプリセットされた範囲ΔTに調整されるように、開いたボアチャネルの前記配列に流体を強制的に通すステップと
を備えていることを特徴とする方法。 - 前記磁石の表面及び/又は内部に複数の温度センサを配置するステップをさらに備えていることを特徴とする請求項15に記載の方法。
- 前記温度センサに従って前記配列に前記FFFを強制的に通す前記手段の出力に関連したパラメータをフィードバック調整するステップをさらに備えていることを特徴とする請求項15に記載の方法。
- 垂直又は平行な一部の前記チャネル(110)に前記流体を導入することを介して、該チャネル内に層流、乱流、超音速流、及び亜音速流からなる群から選択される流れのパターンを提供するステップをさらに備えていることを特徴とする請求項15に記載の方法。
- 前記チャネルに可変の径によって特徴付けられる少なくとも部分的に円筒状の外形を提供するステップをさらに備えていることを特徴とする請求項15に記載の方法。
- 前記流れのパターンを、層流、乱流、超音速流、及び亜音速流からなる群から選択するステップをさらに備えていることを特徴とする請求項15に記載の方法。
- 前記ΔTを、時間当たり約0℃から約0.2℃の範囲となるように選択するステップをさらに備えていることを特徴とする請求項15に記載の方法。
- 前記チャネルに導電材料で構成された壁を提供するステップをさらに備えていることを特徴とする請求項15に記載の方法。
- 前記チャネルに、電磁放射の前記チャネル内への伝搬を阻止するように構成されている導電性のメッシュスクリーンを少なくとも部分的に提供するステップをさらに備えていることを特徴とする請求項15に記載の方法。
- 前記チャネルの各々を、対の該チャネル間の角度が約20°から約90°の範囲となるように構成するステップをさらに備えていることを特徴とする請求項15に記載の方法。
- 前記温度センサを、熱電対、温度依存抵抗、光電手段、光手段、サーミスタ、バイメタル手段、ダイオード、半導体、接触手段及び非接触手段からなる群から、又はこれらの任意の組み合わせから選択するステップをさらに備えていることを特徴とする請求項15に記載の方法。
- 前記フィードバック手段を、クローズドループフィードバック、PID制御、電子制御、マイクロプロセッサ手段及び適応手段からなる群から、又はこれらの任意の組み合わせから選択するステップをさらに備えていることを特徴とする請求項15に記載の方法。
- 流体を強制的に通す前記手段を、高圧ライン、低圧ライン、ブロワ、ファン及びポンプからなる群から、又はこれらの任意の組み合わせから選択するステップをさらに備えていることを特徴とする請求項15に記載の方法。
- 前記チャネルに導電性のメッシュスクリーンを少なくとも部分的に提供することにより、電磁放射の前記チャネル内への伝搬を遮蔽するステップをさらに備えていることを特徴とする請求項15に記載の方法。
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