JP3175458B2 - コイルスプリングに対する複合めっき皮膜の形成方法 - Google Patents
コイルスプリングに対する複合めっき皮膜の形成方法Info
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Description
【０００１】
【産業の利用分野】本発明は、コイルスプリングに対す
る複合めっき皮膜の形成方法に関し、更に詳述すると、
部分的に複合材の共析量が異なる複合めっき皮膜を１回
のめっき処理によって形成することができるコイルスプ
リングに対する複合めっき皮膜の形成方法に関する。
る複合めっき皮膜の形成方法に関し、更に詳述すると、
部分的に複合材の共析量が異なる複合めっき皮膜を１回
のめっき処理によって形成することができるコイルスプ
リングに対する複合めっき皮膜の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】複合めっき皮膜の形成においては、通常
素材のいずれの部分においても複合材の共析量が一定で
あることが望まれ、このため複合材をめっき液中に均一
に分散するための撹拌方法やその他のめっき条件につい
て種々の提案がなされている。
素材のいずれの部分においても複合材の共析量が一定で
あることが望まれ、このため複合材をめっき液中に均一
に分散するための撹拌方法やその他のめっき条件につい
て種々の提案がなされている。
【０００３】しかしながら、場合によっては部分的に複
合材の共析量が異なる複合めっき皮膜を形成することが
望まれる場合もある。即ち、コイルスプリングに複合め
っきを施す場合、互いに対向する表面間がスプリングが
縮小した際に接触してともずれするのを防止するなどの
目的でこれら対面間に互いに複合材の共析量が異なる複
合めっき皮膜を形成すること、しかも生産性の面から１
回のめっき処理で形成することが要望される。
合材の共析量が異なる複合めっき皮膜を形成することが
望まれる場合もある。即ち、コイルスプリングに複合め
っきを施す場合、互いに対向する表面間がスプリングが
縮小した際に接触してともずれするのを防止するなどの
目的でこれら対面間に互いに複合材の共析量が異なる複
合めっき皮膜を形成すること、しかも生産性の面から１
回のめっき処理で形成することが要望される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなコイルスプリングに対して部分的に複合材の共析量
が異なる複合めっき皮膜を得るためのめっき方法につい
ては、従来これといった検討はなされておらず、適当な
めっき方法が見当たらないのが現状である。
うなコイルスプリングに対して部分的に複合材の共析量
が異なる複合めっき皮膜を得るためのめっき方法につい
ては、従来これといった検討はなされておらず、適当な
めっき方法が見当たらないのが現状である。
【０００５】本発明は、上記事情に鑑みなされたもの
で、コイルスプリングの互いに対向する面において部分
的に複合材の共析量が異なる複合めっき皮膜を１回のめ
っき処理で効率よく形成することができるコイルスプリ
ングに対する複合めっき皮膜の形成方法を提供すること
を目的とする。
で、コイルスプリングの互いに対向する面において部分
的に複合材の共析量が異なる複合めっき皮膜を１回のめ
っき処理で効率よく形成することができるコイルスプリ
ングに対する複合めっき皮膜の形成方法を提供すること
を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明者は、上
記目的を達成するため鋭意検討を行った結果、めっき浴
中に複合材を分散し、このめっき浴中で被めっき物とし
てコイルスプリングをめっきすることにより、該コイル
スプリング表面に上記複合材が共析しためっき皮膜を形
成する場合に、めっき浴を十分に撹拌してめっき浴中の
複合材を一度均一に分散させ、次いで撹拌速度を緩やか
にするか又は撹拌を止めることによって複合材をめっき
浴中で沈降させながらめっきを行うことにより、めっき
浴中に浸漬したコイルスプリングの互いに対向する面に
おけるめっき皮膜中の複合材共析量を変えることがで
き、この場合複合めっき皮膜の厚さはいずれの面も均一
な厚さが得られ、しかも一度のめっき処理で効率よくコ
イルスプリング全面をめっきし得ることを見出し、本発
明を完成したものである。
記目的を達成するため鋭意検討を行った結果、めっき浴
中に複合材を分散し、このめっき浴中で被めっき物とし
てコイルスプリングをめっきすることにより、該コイル
スプリング表面に上記複合材が共析しためっき皮膜を形
成する場合に、めっき浴を十分に撹拌してめっき浴中の
複合材を一度均一に分散させ、次いで撹拌速度を緩やか
にするか又は撹拌を止めることによって複合材をめっき
浴中で沈降させながらめっきを行うことにより、めっき
浴中に浸漬したコイルスプリングの互いに対向する面に
おけるめっき皮膜中の複合材共析量を変えることがで
き、この場合複合めっき皮膜の厚さはいずれの面も均一
な厚さが得られ、しかも一度のめっき処理で効率よくコ
イルスプリング全面をめっきし得ることを見出し、本発
明を完成したものである。
【０００７】即ち、被めっき物としてコイルスプリング
を複合めっき浴に浸漬し、一度十分に撹拌して複合材を
均一に分散した後、上述したように、撹拌を緩めて複合
材を沈降させながらめっきを行うことにより、コイルス
プリングの下面側（めっき浴浸漬時）では、複合材の分
散量が相対的に少ない状態でめっき皮膜が形成されるの
で複合材の共析量が少なくなると共に、上面側では沈降
してくる複合材が受け止められるようにめっき皮膜中に
共析されて複合材の共析量が多くなり、更に側面側では
複合材の沈降による影響をほとんど受けないので中程度
の共析量となり、コイルスプリングの上面側、下面側、
側面側でそれぞれ複合材の共析量が異なる複合めっき皮
膜が得られること、しかもこのような複合めっき皮膜を
１回のめっき処理で効率よく、かつ均一厚さに形成し得
ることが見出され、この知見に基いて本発明は完成され
たものである。
を複合めっき浴に浸漬し、一度十分に撹拌して複合材を
均一に分散した後、上述したように、撹拌を緩めて複合
材を沈降させながらめっきを行うことにより、コイルス
プリングの下面側（めっき浴浸漬時）では、複合材の分
散量が相対的に少ない状態でめっき皮膜が形成されるの
で複合材の共析量が少なくなると共に、上面側では沈降
してくる複合材が受け止められるようにめっき皮膜中に
共析されて複合材の共析量が多くなり、更に側面側では
複合材の沈降による影響をほとんど受けないので中程度
の共析量となり、コイルスプリングの上面側、下面側、
側面側でそれぞれ複合材の共析量が異なる複合めっき皮
膜が得られること、しかもこのような複合めっき皮膜を
１回のめっき処理で効率よく、かつ均一厚さに形成し得
ることが見出され、この知見に基いて本発明は完成され
たものである。
【０００８】従って、本発明は、めっき浴中に複合材を
分散し、このめっき浴中で被めっき物としてコイルスプ
リングをめっきすることにより、コイルスプリング表面
に上記複合材が共析しためっき皮膜を形成する複合めっ
き皮膜の形成方法において、めっき浴を十分に撹拌して
一度複合材をめっき浴中に均一に分散した後、撹拌を緩
めて又は撹拌を止めて上記複合材をめっき浴中で沈降さ
せながらめっきを行うことにより、コイルスプリングの
上面に複合材を多く共析させると共に、この上面に対向
する下面に複合材を共析させることを特徴とするコイル
スプリングに対する複合めっき皮膜の形成方法を提供す
るものである。
分散し、このめっき浴中で被めっき物としてコイルスプ
リングをめっきすることにより、コイルスプリング表面
に上記複合材が共析しためっき皮膜を形成する複合めっ
き皮膜の形成方法において、めっき浴を十分に撹拌して
一度複合材をめっき浴中に均一に分散した後、撹拌を緩
めて又は撹拌を止めて上記複合材をめっき浴中で沈降さ
せながらめっきを行うことにより、コイルスプリングの
上面に複合材を多く共析させると共に、この上面に対向
する下面に複合材を共析させることを特徴とするコイル
スプリングに対する複合めっき皮膜の形成方法を提供す
るものである。
【０００９】以下、本発明について更に詳しく説明す
る。本発明の複合めっき皮膜の形成方法においては、め
っき浴中に複合材を分散し、このめっき浴中でコイルス
プリングをめっきすることにより、コイルスプリング表
面に上記複合材が共析した複合めっき皮膜を形成する。
る。本発明の複合めっき皮膜の形成方法においては、め
っき浴中に複合材を分散し、このめっき浴中でコイルス
プリングをめっきすることにより、コイルスプリング表
面に上記複合材が共析した複合めっき皮膜を形成する。
【００１０】この場合、本発明の方法により複合めっき
皮膜を形成する際のめっき方式としては、電気めっき法
でも無電解めっき法でもよい。また、めっき浴組成及び
複合材の種類についても特に制限はなく、通常のめっき
浴及び複合材を使用することができる。
皮膜を形成する際のめっき方式としては、電気めっき法
でも無電解めっき法でもよい。また、めっき浴組成及び
複合材の種類についても特に制限はなく、通常のめっき
浴及び複合材を使用することができる。
【００１１】めっき浴として具体的には、電気又は無電
解ニッケルめっき浴、Ｎｉ−Ｐ，Ｎｉ−Ｂ等のニッケル
合金めっき浴、銅めっき浴、亜鉛めっき浴などにポリテ
トラフルオロエチレン等のフッ素樹脂、エポキシ樹脂、
その他の有機高分子物質、フッ化黒鉛、ＳｉＣ、ＢＮ、
Ｓｉ3Ｎ4、その他の酸化物、窒化物、ホウ化物、炭化
物、更にその他の無機物質の粒子又は繊維等からなる複
合材を分散したものが挙げられる。
解ニッケルめっき浴、Ｎｉ−Ｐ，Ｎｉ−Ｂ等のニッケル
合金めっき浴、銅めっき浴、亜鉛めっき浴などにポリテ
トラフルオロエチレン等のフッ素樹脂、エポキシ樹脂、
その他の有機高分子物質、フッ化黒鉛、ＳｉＣ、ＢＮ、
Ｓｉ3Ｎ4、その他の酸化物、窒化物、ホウ化物、炭化
物、更にその他の無機物質の粒子又は繊維等からなる複
合材を分散したものが挙げられる。
【００１２】本発明の複合めっき皮膜の形成方法は、上
記複合めっき浴中にコイルスプリングを浸漬して複合め
っきを行う場合に、該めっき浴中に一度均一に分散させ
た複合材を沈降させながらめっきを行うものである。こ
の点につき、図２に示した断面工字状の被めっき物１表
面に本発明方法により複合めっき皮膜を形成する場合を
例として説明すると、図１に示したように、複合材を分
散した複合めっき浴２中に被めっき物１を浸漬し、撹拌
羽根３，３により、めっき浴２を十分に撹拌して浴中の
複合材を均一に分散した後、撹拌羽根３，３による撹拌
を緩めて、又は止めることにより複合材をめっき浴中で
沈降させながらめっきを行う。
記複合めっき浴中にコイルスプリングを浸漬して複合め
っきを行う場合に、該めっき浴中に一度均一に分散させ
た複合材を沈降させながらめっきを行うものである。こ
の点につき、図２に示した断面工字状の被めっき物１表
面に本発明方法により複合めっき皮膜を形成する場合を
例として説明すると、図１に示したように、複合材を分
散した複合めっき浴２中に被めっき物１を浸漬し、撹拌
羽根３，３により、めっき浴２を十分に撹拌して浴中の
複合材を均一に分散した後、撹拌羽根３，３による撹拌
を緩めて、又は止めることにより複合材をめっき浴中で
沈降させながらめっきを行う。
【００１３】これにより、被めっき物１の下面側４（め
っき浴浸漬時）では、複合材の分散量が相対的に少ない
状態でめっき皮膜が形成されるので複合材の共析量が少
なくなると共に、上面側５では沈降してくる複合材が受
け止められるようにめっき皮膜中に共析されて複合材の
共析量が多くなり、更に側面側６では複合材の沈降によ
る影響をほとんど受けないので中程度の共析量となるも
のである。
っき浴浸漬時）では、複合材の分散量が相対的に少ない
状態でめっき皮膜が形成されるので複合材の共析量が少
なくなると共に、上面側５では沈降してくる複合材が受
け止められるようにめっき皮膜中に共析されて複合材の
共析量が多くなり、更に側面側６では複合材の沈降によ
る影響をほとんど受けないので中程度の共析量となるも
のである。
【００１４】従って、図３に示したように、この被めっ
き物１に形成される複合めっき皮膜７は、被めっき物１
の下面側４では複合材８の共析量が少なく、上面側５で
は多く、側面側６ではその中間となり、しかもこの複合
めっき皮膜７の厚さｔは、いずれの個所においても均一
厚さとすることができる。即ち、被めっき物１の互いに
対向する面で複合材共析量の異なる複合めっき皮膜８を
一度のめっき処理により容易に形成することができるも
のである。
き物１に形成される複合めっき皮膜７は、被めっき物１
の下面側４では複合材８の共析量が少なく、上面側５で
は多く、側面側６ではその中間となり、しかもこの複合
めっき皮膜７の厚さｔは、いずれの個所においても均一
厚さとすることができる。即ち、被めっき物１の互いに
対向する面で複合材共析量の異なる複合めっき皮膜８を
一度のめっき処理により容易に形成することができるも
のである。
【００１５】なお、図１においては、撹拌羽根により撹
拌を行うように構成されているが、撹拌方法は、このよ
うな撹拌羽根によるプロペラ撹拌に限定されるものでは
なく、撹拌の程度を調節することができる方法であれば
よい。例えば、ポンプ撹拌により行ってもよく、またポ
ンプ撹拌とプロペラ撹拌を組み合わせてもよい。また、
図３は無電解複合めっきについて示したものであるが、
上述したように本発明方法は電気めっき法で行ってもよ
く、この場合電極としては、浴組成等に応じて適宜選択
される。更に、浴温等のめっき条件は、複合めっきにお
ける通常の条件とすることができる。
拌を行うように構成されているが、撹拌方法は、このよ
うな撹拌羽根によるプロペラ撹拌に限定されるものでは
なく、撹拌の程度を調節することができる方法であれば
よい。例えば、ポンプ撹拌により行ってもよく、またポ
ンプ撹拌とプロペラ撹拌を組み合わせてもよい。また、
図３は無電解複合めっきについて示したものであるが、
上述したように本発明方法は電気めっき法で行ってもよ
く、この場合電極としては、浴組成等に応じて適宜選択
される。更に、浴温等のめっき条件は、複合めっきにお
ける通常の条件とすることができる。
【００１６】なおまた、複合材が多く共析する表面５と
少なく共析する表面４との複合材共析量比は、撹拌によ
り複合材を均一に分散させた後の撹拌の緩め方を調節す
ることにより調整することができる。
少なく共析する表面４との複合材共析量比は、撹拌によ
り複合材を均一に分散させた後の撹拌の緩め方を調節す
ることにより調整することができる。
【００１７】
【実施例】以下、実施例，比較例を示して本発明を具体
的に説明するが、本発明は下記実施例に制限されるもの
ではない。 ［実施例１］下記組成の無電解Ｎｉ−Ｐめっき浴にＳｉ
Ｃ粒子を添加して無電解Ｎｉ−Ｐ／ＳｉＣ複合めっき浴
とした。この複合めっき浴に、図２に示した工字状のバ
ネ鋼製被めっき物１を浸漬し、めっき浴を最初に激しく
撹拌した後、中程度の撹拌に緩めてめっき浴中の複合材
を沈降させながら無電解めっきを行った（めっき時間約
１８０分）。
的に説明するが、本発明は下記実施例に制限されるもの
ではない。 ［実施例１］下記組成の無電解Ｎｉ−Ｐめっき浴にＳｉ
Ｃ粒子を添加して無電解Ｎｉ−Ｐ／ＳｉＣ複合めっき浴
とした。この複合めっき浴に、図２に示した工字状のバ
ネ鋼製被めっき物１を浸漬し、めっき浴を最初に激しく
撹拌した後、中程度の撹拌に緩めてめっき浴中の複合材
を沈降させながら無電解めっきを行った（めっき時間約
１８０分）。
【００１８】めっき浴組成 硫酸ニッケル ２０ｇ／Ｌ 次亜リン酸ナトリウム ２１ｇ／Ｌ 乳酸 ２８ｇ／Ｌ プロピオン酸 ２．４ｇ／Ｌ ｐＨ ４．６ 温度 ９０℃
【００１９】得られた複合めっき皮膜を調べたところ、
被めっき物全面にニッケルめっき皮膜中にＳｉＣ粒子が
共析した均一厚さ（２５μｍ）のＮｉ−Ｐ／ＳｉＣ複合
めっき皮膜が形成されていた。また、このＮｉ−Ｐ／Ｓ
ｉＣ複合めっき皮膜は、めっき浴浸漬時に上を向いてい
た面（図２，３中参照符号５で示した面）と浸漬時に下
を向いていた面（図２，３中参照符号４で示した面）と
で複合材の共析量が異なっており、その複合材共析量比
は４：１であった。なお、ＳｉＣ粒子の共析量は、平均
でめっき皮膜全体の８重量％であった。
被めっき物全面にニッケルめっき皮膜中にＳｉＣ粒子が
共析した均一厚さ（２５μｍ）のＮｉ−Ｐ／ＳｉＣ複合
めっき皮膜が形成されていた。また、このＮｉ−Ｐ／Ｓ
ｉＣ複合めっき皮膜は、めっき浴浸漬時に上を向いてい
た面（図２，３中参照符号５で示した面）と浸漬時に下
を向いていた面（図２，３中参照符号４で示した面）と
で複合材の共析量が異なっており、その複合材共析量比
は４：１であった。なお、ＳｉＣ粒子の共析量は、平均
でめっき皮膜全体の８重量％であった。
【００２０】［比較例］めっき浴を十分に撹拌して複合
材をめっき浴中に均一に分散させた状態で無電解複合め
っきを行った以外は、上記実施例と同様にして、実施例
１と同様の被めっき物にＮｉ−Ｐ／ＳｉＣ複合めっき皮
膜を形成した。
材をめっき浴中に均一に分散させた状態で無電解複合め
っきを行った以外は、上記実施例と同様にして、実施例
１と同様の被めっき物にＮｉ−Ｐ／ＳｉＣ複合めっき皮
膜を形成した。
【００２１】得られた複合めっき皮膜を調べたところ、
ＳｉＣ粒子が均一に共析したＮｉ−Ｐ／ＳｉＣ複合めっ
き皮膜（厚さ２５μｍ）が形成されていた。なお、Ｓｉ
Ｃの共析量は、平均でめっき皮膜全体の８重量％であっ
た。
ＳｉＣ粒子が均一に共析したＮｉ−Ｐ／ＳｉＣ複合めっ
き皮膜（厚さ２５μｍ）が形成されていた。なお、Ｓｉ
Ｃの共析量は、平均でめっき皮膜全体の８重量％であっ
た。
【００２２】［実施例２］複合材としてＳｉＣ粒子に代
えてＰＴＦＥ粒子（粒径１０〜１５μｍ）を用いた以外
は実施例１と同様にして無電解Ｎｉ−Ｐ／ＰＴＦＥ複合
めっきを行った。
えてＰＴＦＥ粒子（粒径１０〜１５μｍ）を用いた以外
は実施例１と同様にして無電解Ｎｉ−Ｐ／ＰＴＦＥ複合
めっきを行った。
【００２３】得られた複合めっき皮膜を調べたところ、
被めっき物全面にニッケルめっき皮膜中にＰＴＦＥ粒子
が共析した均一厚さ（２５μｍ）のＮｉ−Ｐ／ＰＴＦＥ
複合めっき皮膜が形成されていた。また、このＮｉ−Ｐ
／ＰＴＦＥ複合めっき皮膜は、めっき浴浸漬時に上を向
いていた面（図２，３中参照符号５で示した面）と浸漬
時に下を向いていた面（図２，３中参照符号４で示した
面）とで複合材の共析量が異なっており、その複合材共
析量比は８：１であった。なお、ＰＴＦＥ粒子の共析量
は、平均でめっき皮膜全体の１０〜２２重量％であっ
た。
被めっき物全面にニッケルめっき皮膜中にＰＴＦＥ粒子
が共析した均一厚さ（２５μｍ）のＮｉ−Ｐ／ＰＴＦＥ
複合めっき皮膜が形成されていた。また、このＮｉ−Ｐ
／ＰＴＦＥ複合めっき皮膜は、めっき浴浸漬時に上を向
いていた面（図２，３中参照符号５で示した面）と浸漬
時に下を向いていた面（図２，３中参照符号４で示した
面）とで複合材の共析量が異なっており、その複合材共
析量比は８：１であった。なお、ＰＴＦＥ粒子の共析量
は、平均でめっき皮膜全体の１０〜２２重量％であっ
た。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の複合めっ
き皮膜の形成方法によれば、コイルスプリングの互いに
対向する面において部分的に複合材共析量の異なる複合
めっき皮膜を１回のめっき処理によって容易かつきれい
に形成することができる。
き皮膜の形成方法によれば、コイルスプリングの互いに
対向する面において部分的に複合材共析量の異なる複合
めっき皮膜を１回のめっき処理によって容易かつきれい
に形成することができる。
【図１】本発明の複合めっき皮膜の形成方法の一例を説
明する概略図。
明する概略図。
【図２】本発明の複合めっき皮膜の形成方法により複合
めっき皮膜を形成する被めっき物の一例を示す正面図で
ある。
めっき皮膜を形成する被めっき物の一例を示す正面図で
ある。
【図３】本発明の方法によって同被めっき物に形成した
複合めっき皮膜を示す部分断面図である。
複合めっき皮膜を示す部分断面図である。
１ 被めっき物 ２ 複合めっき浴 ４ 複合材の共析量が少ない面 ５ 複合材の共析量が多い面 ７ 複合めっき皮膜 ８ 複合材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−171454（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−171453（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−148689（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23C 18/00 - 18/54
Claims (1)
- 【請求項１】 めっき浴中に複合材を分散し、このめっ
き浴中で被めっき物としてコイルスプリングをめっきす
ることにより、コイルスプリング表面に上記複合材が共
析しためっき皮膜を形成する複合めっき皮膜の形成方法
において、めっき浴を十分に撹拌して一度複合材をめっ
き浴中に均一に分散した後、撹拌を緩めて又は撹拌を止
めて上記複合材をめっき浴中で沈降させながらめっきを
行うことにより、コイルスプリングの上面に複合材を多
く共析させると共に、この上面に対向する下面に複合材
を少なく共析させることを特徴とするコイルスプリング
に対する複合めっき皮膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34636793A JP3175458B2 (ja) | 1993-12-22 | 1993-12-22 | コイルスプリングに対する複合めっき皮膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34636793A JP3175458B2 (ja) | 1993-12-22 | 1993-12-22 | コイルスプリングに対する複合めっき皮膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07180063A JPH07180063A (ja) | 1995-07-18 |
| JP3175458B2 true JP3175458B2 (ja) | 2001-06-11 |
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ID=18382938
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34636793A Expired - Fee Related JP3175458B2 (ja) | 1993-12-22 | 1993-12-22 | コイルスプリングに対する複合めっき皮膜の形成方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3175458B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MXPA03005563A (es) * | 2000-12-21 | 2003-10-24 | Mccomas Edward | Composiciones de revestimiento que contienen niequel, boro y particulas. |
| KR100752120B1 (ko) * | 2001-08-14 | 2007-08-24 | 주식회사 포스코 | 도금용 전해용액 저장탱크의 전해용액 응고 방지장치 |
-
1993
- 1993-12-22 JP JP34636793A patent/JP3175458B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07180063A (ja) | 1995-07-18 |
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