JP3173223B2 - センサ直結型モジュール - Google Patents
センサ直結型モジュールInfo
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- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、大電力制御用のパワー
モジュールに係わり、特にセンサ直結型のモジュールに
関する。
モジュールに係わり、特にセンサ直結型のモジュールに
関する。
【０００２】
【従来の技術】メカエレクトロニクスやカーエレクトロ
ニクスなどの大電力を扱う分野においてエレクトロニク
ス技術の応用が進み、トランジスタやサイリスタ等を組
み合わせて、汎用インバータや大電力スイッチングの制
御用モジュールを作ることが一般的になってきている。
ニクスなどの大電力を扱う分野においてエレクトロニク
ス技術の応用が進み、トランジスタやサイリスタ等を組
み合わせて、汎用インバータや大電力スイッチングの制
御用モジュールを作ることが一般的になってきている。
【０００３】このようなモジュールは大電流を扱ってお
り、そこに接続されている負荷に短絡などが発生した場
合には危険を伴うため、一般に電流センサを用いて電流
を監視しながら使用する場合が多い。そして、負荷に流
れる電流の大きさを、常時測定し、その電流値を制御回
路にフィードバックさせて電流制御を行う。
り、そこに接続されている負荷に短絡などが発生した場
合には危険を伴うため、一般に電流センサを用いて電流
を監視しながら使用する場合が多い。そして、負荷に流
れる電流の大きさを、常時測定し、その電流値を制御回
路にフィードバックさせて電流制御を行う。
【０００４】以下、図５を参照しながら上記モジュール
と電流センサの取付けについて説明する。図５におい
て、汎用インバータや大電力スイッチングの制御を行う
モジュール１は、ケース２の中にパワー半導体素子（不
図示）を有している。そして、ケース２の上部にはカバ
ー３が取り付けられている。また、カバー３の上部に設
けられている駆動信号端子４は、不図示の制御回路から
上記パワー半導体素子の駆動信号を入力する端子であ
る。さらに、上記パワー半導体素子の入出力端子である
Ｃ１端子，Ｅ２端子，及びＣ２Ｅ１端子がカバー３の上
部に設けられている。
と電流センサの取付けについて説明する。図５におい
て、汎用インバータや大電力スイッチングの制御を行う
モジュール１は、ケース２の中にパワー半導体素子（不
図示）を有している。そして、ケース２の上部にはカバ
ー３が取り付けられている。また、カバー３の上部に設
けられている駆動信号端子４は、不図示の制御回路から
上記パワー半導体素子の駆動信号を入力する端子であ
る。さらに、上記パワー半導体素子の入出力端子である
Ｃ１端子，Ｅ２端子，及びＣ２Ｅ１端子がカバー３の上
部に設けられている。
【０００５】モジュール１の出力であるＣ２Ｅ１端子に
は銅ブスバー５が接続され、その銅ブスバー５は電流セ
ンサ６を貫通して、不図示の負荷に接続される。電流セ
ンサ６は取付けネジ７でブラケット（支持金具）８に固
定されている。
は銅ブスバー５が接続され、その銅ブスバー５は電流セ
ンサ６を貫通して、不図示の負荷に接続される。電流セ
ンサ６は取付けネジ７でブラケット（支持金具）８に固
定されている。
【０００６】上記構成のモジュール１は、Ｃ１端子およ
びＥ２端子から電力が供給されている。そして、不図示
の制御回路が駆動信号端子４を介してモジュール１のパ
ワー半導体素子の出力、すなわちＣ２Ｅ１端子の出力を
変化させ、銅ブスバー５を介して負荷に流れる電流を制
御している。ここで、電流センサ６は、銅ブスバー５を
介して負荷に流れる電流を常に測定しており、その電流
値を制御回路にフィードバックすることによって負荷の
動作を制御している。
びＥ２端子から電力が供給されている。そして、不図示
の制御回路が駆動信号端子４を介してモジュール１のパ
ワー半導体素子の出力、すなわちＣ２Ｅ１端子の出力を
変化させ、銅ブスバー５を介して負荷に流れる電流を制
御している。ここで、電流センサ６は、銅ブスバー５を
介して負荷に流れる電流を常に測定しており、その電流
値を制御回路にフィードバックすることによって負荷の
動作を制御している。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のよう
なモジュールとそのモジュールを流れる電流を測定する
電流センサとを組み合わせて利用する場合、モジュール
１と電流センサ６とは独立した構成となっているので、
電流センサ６をモジュール１に対して所定位置に固定す
るためには、電流センサ６を取り付けたブラケット８な
どを用いてモジュール１の近くに固定する必要があっ
た。したがって、モジュール１を設置する領域の他にブ
ラケット８を設置するための領域を確保しなければなら
ず、その取付けスペースが大きくなってしまうという問
題があった。
なモジュールとそのモジュールを流れる電流を測定する
電流センサとを組み合わせて利用する場合、モジュール
１と電流センサ６とは独立した構成となっているので、
電流センサ６をモジュール１に対して所定位置に固定す
るためには、電流センサ６を取り付けたブラケット８な
どを用いてモジュール１の近くに固定する必要があっ
た。したがって、モジュール１を設置する領域の他にブ
ラケット８を設置するための領域を確保しなければなら
ず、その取付けスペースが大きくなってしまうという問
題があった。
【０００８】また、銅ブスバー５には大電流が流れるた
め、ジュール熱などによってかなり高温になる。一方、
電流センサ６は、銅ブスバー５を流れる電流によって生
じる磁束あるいは２次電流から銅ブスバー５に流れる電
流値を求めるための電子回路を搭載しているが、この電
子回路はＩＣや抵抗などからなり温度依存性を有してい
る。したがって、銅ブスバー５が電流センサ６の貫通孔
の内壁に接触すると、熱伝導によって上記電子回路周辺
の温度も上昇してしまい、その温度が許容範囲を超える
と正確な電流値測定ができなくなってしまう。
め、ジュール熱などによってかなり高温になる。一方、
電流センサ６は、銅ブスバー５を流れる電流によって生
じる磁束あるいは２次電流から銅ブスバー５に流れる電
流値を求めるための電子回路を搭載しているが、この電
子回路はＩＣや抵抗などからなり温度依存性を有してい
る。したがって、銅ブスバー５が電流センサ６の貫通孔
の内壁に接触すると、熱伝導によって上記電子回路周辺
の温度も上昇してしまい、その温度が許容範囲を超える
と正確な電流値測定ができなくなってしまう。
【０００９】この問題を解決するために、電流センサ６
の貫通孔を大きくするという手段が考えられるが、貫通
孔を大きくすると電流検出の感度が低下するので、でき
るだけ銅ブスバー５と電流センサ６の貫通孔の内壁との
間のすき間を小さくしたい。
の貫通孔を大きくするという手段が考えられるが、貫通
孔を大きくすると電流検出の感度が低下するので、でき
るだけ銅ブスバー５と電流センサ６の貫通孔の内壁との
間のすき間を小さくしたい。
【００１０】ところが従来は、モジュール１と電流セン
サ６とが独立しており、モジュール１と電流センサ６を
取り付けたブラケット８とを別々に固定する必要があっ
たので、銅ブスバー５を電流センサ６の貫通孔の内壁に
接触することなくＣ２Ｅ１端子に接続させることは容易
ではなく、その作業が煩雑であった。
サ６とが独立しており、モジュール１と電流センサ６を
取り付けたブラケット８とを別々に固定する必要があっ
たので、銅ブスバー５を電流センサ６の貫通孔の内壁に
接触することなくＣ２Ｅ１端子に接続させることは容易
ではなく、その作業が煩雑であった。
【００１１】本発明は上記問題を解決するものであり、
銅ブスバーをモジュールに取り付ける作業を容易にし、
かつモジュール及びそのモジュールに付随するセンサの
取付けスペースを縮小することを目的とする。
銅ブスバーをモジュールに取り付ける作業を容易にし、
かつモジュール及びそのモジュールに付随するセンサの
取付けスペースを縮小することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明のセンサ直結型モ
ジュールは、電力制御用モジュールの出力端子と接続す
る導体（モジュールと負荷とを接続して電流を流すため
の銅ブスバー）に流れる電流を検知するためのセンサ
を、上記モジュールのカバーに取り付ける。
ジュールは、電力制御用モジュールの出力端子と接続す
る導体（モジュールと負荷とを接続して電流を流すため
の銅ブスバー）に流れる電流を検知するためのセンサ
を、上記モジュールのカバーに取り付ける。
【００１３】また、上記センサは貫通孔を有しており、
上記導体をその貫通孔の内壁と所定の隙間を保持して貫
通さる。
上記導体をその貫通孔の内壁と所定の隙間を保持して貫
通さる。
【００１４】
【作用】本発明のセンサ直結型モジュールにおいては、
上記センサを上記モジュールのカバーに固定して取り付
けているので、上記モジュールを設置する領域の他に上
記センサを設置するための領域を確保する必要がなく、
上記モジュールおよびセンサの取付けスペースを小さく
することができる。
上記センサを上記モジュールのカバーに固定して取り付
けているので、上記モジュールを設置する領域の他に上
記センサを設置するための領域を確保する必要がなく、
上記モジュールおよびセンサの取付けスペースを小さく
することができる。
【００１５】また、上記センサを上記モジュールのカバ
ーの所定位置に固定することによって、上記モジュール
の出力端子と上記センサとの位置関係が固定されるの
で、上記導体（銅ブスバー）を上記出力端子に接続する
と、上記導体が上記センサの貫通孔の内壁と所定の隙間
を保持して貫通するようになる。この結果、上記導体を
上記モジュールの出力端子に取り付ける作業が容易にな
る。
ーの所定位置に固定することによって、上記モジュール
の出力端子と上記センサとの位置関係が固定されるの
で、上記導体（銅ブスバー）を上記出力端子に接続する
と、上記導体が上記センサの貫通孔の内壁と所定の隙間
を保持して貫通するようになる。この結果、上記導体を
上記モジュールの出力端子に取り付ける作業が容易にな
る。
【００１６】
【実施例】以下、図面を参照しながら本発明の実施例を
説明する。図１（ａ）は、本発明の一実施例のセンサ直
結型モジュールの斜視図である。同図の符号で図５と同
じものは同じ部分を示している。
説明する。図１（ａ）は、本発明の一実施例のセンサ直
結型モジュールの斜視図である。同図の符号で図５と同
じものは同じ部分を示している。
【００１７】図１（ａ）において、大電力制御用のモジ
ュール１０は、ケース２の中にパワー半導体素子（後に
説明する）を有している。そして、ケース２の内側は、
上記パワー半導体素子を保護するために、Ｓｉゲル及び
エポキシ樹脂で満たされている。また、ケース２の上部
にはカバー１１が取り付けられている。さらに、上記パ
ワー半導体素子の駆動信号を入力する駆動信号端子４、
および上記パワー半導体素子の入出力端子であるＣ１端
子，Ｅ２端子，およびＣ２Ｅ１端子がカバー１１の上部
に設けられている。これらＣ１，Ｅ２，およびＣ２Ｅ１
端子はそれぞれ銅ブスバーを取付けるための孔を有して
いる。
ュール１０は、ケース２の中にパワー半導体素子（後に
説明する）を有している。そして、ケース２の内側は、
上記パワー半導体素子を保護するために、Ｓｉゲル及び
エポキシ樹脂で満たされている。また、ケース２の上部
にはカバー１１が取り付けられている。さらに、上記パ
ワー半導体素子の駆動信号を入力する駆動信号端子４、
および上記パワー半導体素子の入出力端子であるＣ１端
子，Ｅ２端子，およびＣ２Ｅ１端子がカバー１１の上部
に設けられている。これらＣ１，Ｅ２，およびＣ２Ｅ１
端子はそれぞれ銅ブスバーを取付けるための孔を有して
いる。
【００１８】本実施例のモジュール１０には、従来のモ
ジュール１と異なり、Ｃ２Ｅ１端子に近い位置でカバー
１１上の端部近傍に電流センサ６が取り付けられてい
る。この電流センサ６のカバー１１への取付けに関して
は、後に詳しく説明する。
ジュール１と異なり、Ｃ２Ｅ１端子に近い位置でカバー
１１上の端部近傍に電流センサ６が取り付けられてい
る。この電流センサ６のカバー１１への取付けに関して
は、後に詳しく説明する。
【００１９】電流センサ６は、閉ループのフェライトの
コアを有しており、そのコアにはコイルが巻かれてい
る。その閉ループフェライトの中央孔、すなわち電流セ
ンサ６の貫通孔を貫く被測定電線に電流が流れると、そ
の電流の大きさによって決まる出力が得られる。そし
て、電流センサ６はさらに上記出力から被測定電線に流
れる電流値を算出する電子回路を有しており、その電子
回路によって算出された電流値をパワー半導体素子の制
御回路にフィードバックしている。なお、本実施例にお
いて被測定電線は銅ブスバー５である。
コアを有しており、そのコアにはコイルが巻かれてい
る。その閉ループフェライトの中央孔、すなわち電流セ
ンサ６の貫通孔を貫く被測定電線に電流が流れると、そ
の電流の大きさによって決まる出力が得られる。そし
て、電流センサ６はさらに上記出力から被測定電線に流
れる電流値を算出する電子回路を有しており、その電子
回路によって算出された電流値をパワー半導体素子の制
御回路にフィードバックしている。なお、本実施例にお
いて被測定電線は銅ブスバー５である。
【００２０】次に、モジュール１０内のパワー半導体素
子および各入出力端子を、図２を参照しながら説明す
る。図２は、モジュール１０内のパワー半導体素子の要
部回路図である。パワー半導体素子はＩＧＢＴ１および
ＩＧＢＴ２からなり、ＩＧＢＴ１のエミッタとＩＧＢＴ
２のコレクタとが接続されている。そして、各ＩＧＢＴ
１，２のゲートがＧ１およびＧ２であり、それぞれ駆動
信号端子４に接続されている。また、ＩＧＢＴ１のコレ
クタがＣ１端子に、ＩＧＢＴ２のエミッタがＥ２端子
に、ＩＧＢＴ１のエミッタとＩＧＢＴ２のコレクタとの
接点がＣ２Ｅ１端子にそれぞれ接続されている。さら
に、上記ＩＧＢＴ１のエミッタとＩＧＢＴ２のコレクタ
との接点がＥ１端子として、また上記ＩＧＢＴ２のエミ
ッタがＥ２端子として、それぞれ駆動信号端子４に接続
されている。
子および各入出力端子を、図２を参照しながら説明す
る。図２は、モジュール１０内のパワー半導体素子の要
部回路図である。パワー半導体素子はＩＧＢＴ１および
ＩＧＢＴ２からなり、ＩＧＢＴ１のエミッタとＩＧＢＴ
２のコレクタとが接続されている。そして、各ＩＧＢＴ
１，２のゲートがＧ１およびＧ２であり、それぞれ駆動
信号端子４に接続されている。また、ＩＧＢＴ１のコレ
クタがＣ１端子に、ＩＧＢＴ２のエミッタがＥ２端子
に、ＩＧＢＴ１のエミッタとＩＧＢＴ２のコレクタとの
接点がＣ２Ｅ１端子にそれぞれ接続されている。さら
に、上記ＩＧＢＴ１のエミッタとＩＧＢＴ２のコレクタ
との接点がＥ１端子として、また上記ＩＧＢＴ２のエミ
ッタがＥ２端子として、それぞれ駆動信号端子４に接続
されている。
【００２１】このパワー半導体素子の一般的な使用方法
は、Ｃ１端子に電源電圧を印加し、Ｅ２端子を接地す
る。そして、Ｃ２Ｅ１端子に負荷を接続し、不図示の制
御回路が駆動信号端子４を介してＧ１およびＧ２にゲー
ト信号を入力して、その負荷の動作を制御する。
は、Ｃ１端子に電源電圧を印加し、Ｅ２端子を接地す
る。そして、Ｃ２Ｅ１端子に負荷を接続し、不図示の制
御回路が駆動信号端子４を介してＧ１およびＧ２にゲー
ト信号を入力して、その負荷の動作を制御する。
【００２２】図１（ａ）に戻る。同図において、銅ブス
バー５がＣ２Ｅ１端子と負荷との間を接続する。ここ
で、負荷は例えばモーターであり、モジュール１０はそ
の回転制御を行う。また、特に図示しないが、Ｃ１端子
およびＥ２端子にも銅ブスバーが接続され、それぞれ電
源の電流供給端子、接地端子に接続される。
バー５がＣ２Ｅ１端子と負荷との間を接続する。ここ
で、負荷は例えばモーターであり、モジュール１０はそ
の回転制御を行う。また、特に図示しないが、Ｃ１端子
およびＥ２端子にも銅ブスバーが接続され、それぞれ電
源の電流供給端子、接地端子に接続される。
【００２３】次に、図１（ｂ）を参照しながら、電流セ
ンサ６とモジュール１０のカバー１１との接合を説明す
る。図１（ｂ）は、電流センサ６をカバー１１に取り付
けた状態において、その取り付けネジ部で電流センサ６
を輪切りにしたときの電流センサ６とカバー１１の断面
図である。同図において、カバー１１には、電流センサ
６の取付け孔の位置に合わせて、ナット１３が埋め込ま
れている。そして、取付けネジ１２を電流センサ６の取
付け孔に貫通させてナット１３でネジ止めすることによ
って、電流センサ６をカバー１１に固定する。なお、こ
の実施例においては、ナット１３をカバー１１に埋め込
んだ構成であるが、ナット１３の代わりに、カバー１１
にネジ溝を形成するようにしてもよい。
ンサ６とモジュール１０のカバー１１との接合を説明す
る。図１（ｂ）は、電流センサ６をカバー１１に取り付
けた状態において、その取り付けネジ部で電流センサ６
を輪切りにしたときの電流センサ６とカバー１１の断面
図である。同図において、カバー１１には、電流センサ
６の取付け孔の位置に合わせて、ナット１３が埋め込ま
れている。そして、取付けネジ１２を電流センサ６の取
付け孔に貫通させてナット１３でネジ止めすることによ
って、電流センサ６をカバー１１に固定する。なお、こ
の実施例においては、ナット１３をカバー１１に埋め込
んだ構成であるが、ナット１３の代わりに、カバー１１
にネジ溝を形成するようにしてもよい。
【００２４】この後、銅ブスバー５をＣ２Ｅ１端子に取
り付ける。まず、電流センサ６の貫通孔に銅ブスバー５
を貫通させ、銅ブスバー５の先端部に設けられている取
付け孔およびＣ２Ｅ１端子の取付け孔を利用して、Ｃ２
Ｅ１端子の取付け孔の下部でカバー１１に固定されてい
るナットに銅ブスバー５およびＣ２Ｅ１端子をネジ止め
する。
り付ける。まず、電流センサ６の貫通孔に銅ブスバー５
を貫通させ、銅ブスバー５の先端部に設けられている取
付け孔およびＣ２Ｅ１端子の取付け孔を利用して、Ｃ２
Ｅ１端子の取付け孔の下部でカバー１１に固定されてい
るナットに銅ブスバー５およびＣ２Ｅ１端子をネジ止め
する。
【００２５】ところで、この実施例の構成では、電流セ
ンサ６をカバー１１に固定しているので、電流センサ６
とＣ２Ｅ１端子との位置関係も固定される。したがっ
て、Ｃ２Ｅ１端子および電流センサ６の形状を考慮し
て、電流センサ６のカバー１１上での取付け位置を設計
すれば、銅ブスバー５をＣ２Ｅ１端子に取り付けること
によって、図１（ｂ）に示すように、銅ブスバー５を電
流センサ６の貫通孔の内壁に触れることなく貫通させる
ことは容易である。さらに、図１（ａ）に示すように、
Ｃ２Ｅ１端子から電流センサ６までの距離が短いので、
銅ブスバー５とＣ２Ｅ１端子とのネジ止めによる取付け
バラ付きがあったとしても、電流センサ６の付近での銅
ブスバー５の位置ズレは小さく、銅ブスバー５が電流セ
ンサ６の貫通孔の内壁に触れることない。
ンサ６をカバー１１に固定しているので、電流センサ６
とＣ２Ｅ１端子との位置関係も固定される。したがっ
て、Ｃ２Ｅ１端子および電流センサ６の形状を考慮し
て、電流センサ６のカバー１１上での取付け位置を設計
すれば、銅ブスバー５をＣ２Ｅ１端子に取り付けること
によって、図１（ｂ）に示すように、銅ブスバー５を電
流センサ６の貫通孔の内壁に触れることなく貫通させる
ことは容易である。さらに、図１（ａ）に示すように、
Ｃ２Ｅ１端子から電流センサ６までの距離が短いので、
銅ブスバー５とＣ２Ｅ１端子とのネジ止めによる取付け
バラ付きがあったとしても、電流センサ６の付近での銅
ブスバー５の位置ズレは小さく、銅ブスバー５が電流セ
ンサ６の貫通孔の内壁に触れることない。
【００２６】次に、電流センサ６をカバー１１に取り付
けたときの他の構成を図３に示す。同図において、カバ
ー１１には、電流センサ６の取付け孔の位置に合わせ
て、ナット１３および突起部１４とが設けられている。
ナット１３はカバー１１に埋め込まれており、この突起
部１４はカバー１１と一体成型されている。そして、電
流センサ６の取付け孔の一方に突起部１４を挿入し、他
方を取付けネジ１２で固定する。このような構成とする
ことによって、ネジ止め工程が少なくなる。
けたときの他の構成を図３に示す。同図において、カバ
ー１１には、電流センサ６の取付け孔の位置に合わせ
て、ナット１３および突起部１４とが設けられている。
ナット１３はカバー１１に埋め込まれており、この突起
部１４はカバー１１と一体成型されている。そして、電
流センサ６の取付け孔の一方に突起部１４を挿入し、他
方を取付けネジ１２で固定する。このような構成とする
ことによって、ネジ止め工程が少なくなる。
【００２７】図４に、電流センサ６をカバー１１に取り
付けたときのさらに他の構成を示す。同図において、カ
バー１１には、電流センサ６の取付け孔の位置に合わせ
て、２つの爪付き突起部１５が設けられている。この突
起部１５はカバー１１と一体成型されている。そして、
爪付き突起部１５を電流センサ６の取付け孔に挿入する
と、爪付き突起部１５の爪が電流センサ６を固定する。
このような構成とすることによって、ネジ止め工程が不
要になる。
付けたときのさらに他の構成を示す。同図において、カ
バー１１には、電流センサ６の取付け孔の位置に合わせ
て、２つの爪付き突起部１５が設けられている。この突
起部１５はカバー１１と一体成型されている。そして、
爪付き突起部１５を電流センサ６の取付け孔に挿入する
と、爪付き突起部１５の爪が電流センサ６を固定する。
このような構成とすることによって、ネジ止め工程が不
要になる。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
電力制御用モジュール出力電流を測定するためのセンサ
を、そのモジュールのカバー上に取り付けたので、モジ
ュールおよびセンサの設置スペースを小さくできる。
電力制御用モジュール出力電流を測定するためのセンサ
を、そのモジュールのカバー上に取り付けたので、モジ
ュールおよびセンサの設置スペースを小さくできる。
【００２９】また、モジュールの出力端子とセンサとの
位置関係は固定され、かつその間の距離が小さいので、
銅ブスバーを上記出力端子に接続するだけで、銅ブスバ
ーとセンサとの位置合わせができ、銅ブスバーの取付け
作業が容易になる。
位置関係は固定され、かつその間の距離が小さいので、
銅ブスバーを上記出力端子に接続するだけで、銅ブスバ
ーとセンサとの位置合わせができ、銅ブスバーの取付け
作業が容易になる。
【図１】本発明のセンサ直結型モジュールの一例の構造
を説明する図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）はセンサ
およびモジュールカバーの断面図である。
を説明する図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）はセンサ
およびモジュールカバーの断面図である。
【図２】本発明のセンサ直結型モジュール内に設けられ
たパワー半導体素子の要部回路図である。
たパワー半導体素子の要部回路図である。
【図３】本発明のセンサ直結型モジュールの他の構成例
のセンサおよびモジュールカバーの断面図である。
のセンサおよびモジュールカバーの断面図である。
【図４】本発明のセンサ直結型モジュールのさらに他の
構成例のセンサおよびモジュールカバーの断面図であ
る。
構成例のセンサおよびモジュールカバーの断面図であ
る。
【図５】モジュールとセンサとを別々に設置する従来の
構成を説明する斜視図である。
構成を説明する斜視図である。
５ 銅ブスバー（導体） ６ センサ １０ モジュール（電力制御用モジュール） １１ カバー
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01M 15/00 H02G 5/00 H01L 23/48 H01L 25/04 ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
Claims (2)
- 【請求項１】 電力制御用モジュールの出力端子と接続
する導体に流れる電流を検知するセンサを前記モジュー
ルのカバーに取り付けたことを特徴とするセンサ直結型
モジュール。 - 【請求項２】 前記センサは貫通孔を有し、前記導体を
該貫通孔の内壁と所定の隙間を保持して貫通させたこと
を特徴とする請求項１記載のセンサ直結型モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11564593A JP3173223B2 (ja) | 1993-05-18 | 1993-05-18 | センサ直結型モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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