JP3160447B2 - フラットパネル型表示装置の製法 - Google Patents
フラットパネル型表示装置の製法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はフラットパネル型表示装
置およびその製法に関する。さらに詳しくは、ＰＬＺＴ
を用いたフラットパネル型表示装置の製法に関する。
置およびその製法に関する。さらに詳しくは、ＰＬＺＴ
を用いたフラットパネル型表示装置の製法に関する。
【０００２】
【従来の技術】フラットパネル型表示装置としては発光
形であるＬＥＤやプラズマディスプレイ（ＰＤＰ）を使
用したもの、受光形である液晶表示装置（ＬＣＤ）など
が用いられている。発光形のものは一般に消費電力が大
きく、消費電力の小さい液晶表示装置が最近便利に用い
られている。
形であるＬＥＤやプラズマディスプレイ（ＰＤＰ）を使
用したもの、受光形である液晶表示装置（ＬＣＤ）など
が用いられている。発光形のものは一般に消費電力が大
きく、消費電力の小さい液晶表示装置が最近便利に用い
られている。
【０００３】この液晶表示装置は図１０に示すように、
たとえばガラスなどからなる２枚の透明基板21、22にそ
れぞれＩＴＯやＳｎＯ2 などからなる電極膜23、24およ
びポリイミドなどからなる配向膜25、26が設けられ、シ
ール剤層27で両透明基板21、22が一定間隙に貼着され、
その間隙に液晶材料が充填されて液晶層28が形成され、
この２枚の透明基板21、22の両側にそれぞれ偏光板29、
30が設けられ、表示面の裏面側にバックライト31が配置
されたものである。
たとえばガラスなどからなる２枚の透明基板21、22にそ
れぞれＩＴＯやＳｎＯ2 などからなる電極膜23、24およ
びポリイミドなどからなる配向膜25、26が設けられ、シ
ール剤層27で両透明基板21、22が一定間隙に貼着され、
その間隙に液晶材料が充填されて液晶層28が形成され、
この２枚の透明基板21、22の両側にそれぞれ偏光板29、
30が設けられ、表示面の裏面側にバックライト31が配置
されたものである。
【０００４】この液晶表示装置は両電極膜23、24に印加
される電圧に応じて生じる液晶の分子の配向性の変化と
偏光板により裏面側に配置されたバックライト25の光の
透過率が変化し、画素で組み立てられた文字や図形が表
示されるものである。
される電圧に応じて生じる液晶の分子の配向性の変化と
偏光板により裏面側に配置されたバックライト25の光の
透過率が変化し、画素で組み立てられた文字や図形が表
示されるものである。
【０００５】一方、強誘電体である透明セラミックスＰ
ＬＺＴは光の透過率や屈折率が電界により容易に制御さ
れるため、光シャッタなどの電気光学材料として大きな
注目を集めている。
ＬＺＴは光の透過率や屈折率が電界により容易に制御さ
れるため、光シャッタなどの電気光学材料として大きな
注目を集めている。
【０００６】ここにＰＬＺＴとは、チタン酸ジルコン酸
鉛（Ｐｂ（Ｚｒ1-x Ｔｉx ）Ｏ3 ）に少量の酸化ランタ
ン（Ｌａ2 Ｏ3 ）が加えられたセラミックスで（Ｐｂ
1-y Ｌａy ）（Ｚｒ1-x Ｔｉx ）Ｏ3 の組成を有するも
のを意味する。
鉛（Ｐｂ（Ｚｒ1-x Ｔｉx ）Ｏ3 ）に少量の酸化ランタ
ン（Ｌａ2 Ｏ3 ）が加えられたセラミックスで（Ｐｂ
1-y Ｌａy ）（Ｚｒ1-x Ｔｉx ）Ｏ3 の組成を有するも
のを意味する。
【０００７】ＰＬＺＴの２次電気光学効果は図９に示す
ように、偏光方向が直交している２枚の偏光板11、12の
あいだにＰＬＺＴ層10を配置し、このＰＬＺＴ層10に光
の進行方向と直交する電界を印加すると偏光板11を通過
した直線偏光（以下、入射偏光という）と電界方向との
角度θによって光の透過率が変化するという現象であ
る。入射偏光と電界方向との角度θが45°のとき透過光
が最大になり、０°または90°のとき透過光は０とな
る。最大透過光を与える印加電圧Ｖは次式で与えられる
ことが知られている。
ように、偏光方向が直交している２枚の偏光板11、12の
あいだにＰＬＺＴ層10を配置し、このＰＬＺＴ層10に光
の進行方向と直交する電界を印加すると偏光板11を通過
した直線偏光（以下、入射偏光という）と電界方向との
角度θによって光の透過率が変化するという現象であ
る。入射偏光と電界方向との角度θが45°のとき透過光
が最大になり、０°または90°のとき透過光は０とな
る。最大透過光を与える印加電圧Ｖは次式で与えられる
ことが知られている。
【０００８】 Ｖ＝ｄ｛λ（２ｋ−１）／（ｎ3 Ｒｔ）｝1/2 （１） ただし、ｄはＰＬＺＴの電界印加方向の厚さ、λは入射
光の波長、ｋは正の整数、ｎはＰＬＺＴの屈折率（約
２．５）、ＲはＰＬＺＴの組成で決まる２次電気光学係
数、ｔはＰＬＺＴの入射光の進行方向の厚さ（光路長）
である。
光の波長、ｋは正の整数、ｎはＰＬＺＴの屈折率（約
２．５）、ＲはＰＬＺＴの組成で決まる２次電気光学係
数、ｔはＰＬＺＴの入射光の進行方向の厚さ（光路長）
である。
【０００９】この性質を利用して、光の透過をオン、オ
フする光シャッターが考えられている（たとえば村野に
よる「透明セラミックスＰＬＺＴ−光シャッタとしての
応用−」、固体物理、第21巻、第９号、１９８６年参
照）。この光シャッタの応用として、カラービューファ
インダの色分解電子シャッタの例、すなわち３原色分解
色フィルタとＰＬＺＴ電子シャッタを用いて白黒ブラウ
ン管の映像をカラー画像に変換する例やＰＬＺＴプロジ
ェクタへの応用例が同論文に開示されている。
フする光シャッターが考えられている（たとえば村野に
よる「透明セラミックスＰＬＺＴ−光シャッタとしての
応用−」、固体物理、第21巻、第９号、１９８６年参
照）。この光シャッタの応用として、カラービューファ
インダの色分解電子シャッタの例、すなわち３原色分解
色フィルタとＰＬＺＴ電子シャッタを用いて白黒ブラウ
ン管の映像をカラー画像に変換する例やＰＬＺＴプロジ
ェクタへの応用例が同論文に開示されている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記のような
ＰＬＺＴを用いる光シャッタでは（１）式から導かれる
印加電圧を非常に高くしなければならず、液晶表示装置
などの低電圧で簡易な表示装置として用いるには不適で
あり、実用化されていない。
ＰＬＺＴを用いる光シャッタでは（１）式から導かれる
印加電圧を非常に高くしなければならず、液晶表示装置
などの低電圧で簡易な表示装置として用いるには不適で
あり、実用化されていない。
【００１１】一方、液晶表示装置は透明基板の狭い間隙
に液晶材料を充填しなければならず、製造工数を多く要
し、製造工数が少なく、しかも信頼性が高いＰＬＺＴを
使用したフラットパネル形表示装置の開発が望まれてい
る。
に液晶材料を充填しなければならず、製造工数を多く要
し、製造工数が少なく、しかも信頼性が高いＰＬＺＴを
使用したフラットパネル形表示装置の開発が望まれてい
る。
【００１２】本発明はこのような問題を解決し、ＰＬＺ
Ｔを使用して低電圧で駆動できる簡単な構成のフラット
パネル型表示装置の製法を提供することを目的とする。
Ｔを使用して低電圧で駆動できる簡単な構成のフラット
パネル型表示装置の製法を提供することを目的とする。
【００１３】
【００１４】
【００１５】
【００１６】
【課題を解決するための手段】 本発明のフラットパネル
形表示装置の製法は、（ａ）透明基板上に各画素を形成
する１組の電極をマトリックス状に形成すると共に一方
向に並ぶ各画素の前記１組の電極の一方の電極を接続す
る第１の配線を形成し、 （ｂ）前記１組の電極が設けられた透明基板上にＰＬＺ
Ｔ層を堆積し、 （ｃ）前記１組の電極の他方の電極にコンタクトするた
めのコンタクト孔を前記ＰＬＺＴ層に設け、 （ｄ）該コンタクト孔を介して前記１組の電極の他方の
電極と接続する第２の配線を設け、 （ｅ）前記透明基板の両面に偏光板を設けることを特徴
とするものである。前記ＰＬＺＴはＰｂＺｒＯ 3 とＰｂ
ＴｉＯ 3 とＬａとの組成がメモリ効果を有する組成に形
成されていることが、表示画像をそのまま記憶させるこ
とができて好ましい。
形表示装置の製法は、（ａ）透明基板上に各画素を形成
する１組の電極をマトリックス状に形成すると共に一方
向に並ぶ各画素の前記１組の電極の一方の電極を接続す
る第１の配線を形成し、 （ｂ）前記１組の電極が設けられた透明基板上にＰＬＺ
Ｔ層を堆積し、 （ｃ）前記１組の電極の他方の電極にコンタクトするた
めのコンタクト孔を前記ＰＬＺＴ層に設け、 （ｄ）該コンタクト孔を介して前記１組の電極の他方の
電極と接続する第２の配線を設け、 （ｅ）前記透明基板の両面に偏光板を設けることを特徴
とするものである。前記ＰＬＺＴはＰｂＺｒＯ 3 とＰｂ
ＴｉＯ 3 とＬａとの組成がメモリ効果を有する組成に形
成されていることが、表示画像をそのまま記憶させるこ
とができて好ましい。
【００１７】さらに本発明のフラットパネル型表示装置
の他の製法は、（ｆ）透明基板上の画素間に一方向に延
びる第２の配線を複数本並行して設け、（ｇ）第２の配
線が設けられた前記透明基板上に絶縁膜を設け、ついで
前記第２の配線とコンタクトするためのコンタクト孔を
前記絶縁膜に設け、（ｈ）前記第２の配線のあいだに各
画素を形成する１組の電極を複数個形成すると共に前記
第２の配線と交差する方向に並ぶ各画素の前記１組の電
極の一方の電極を接続する第１の配線を形成し、かつ、
前記１組の電極の他方の電極を前記コンタクト孔を介し
て前記第２の配線に接続し、（ｉ）前記１組の電極が設
けられた透明基板上にＰＬＺＴ層を堆積し、（ｊ）前記
透明基板の両外面に偏光板を設けることを特徴とするも
のである。
の他の製法は、（ｆ）透明基板上の画素間に一方向に延
びる第２の配線を複数本並行して設け、（ｇ）第２の配
線が設けられた前記透明基板上に絶縁膜を設け、ついで
前記第２の配線とコンタクトするためのコンタクト孔を
前記絶縁膜に設け、（ｈ）前記第２の配線のあいだに各
画素を形成する１組の電極を複数個形成すると共に前記
第２の配線と交差する方向に並ぶ各画素の前記１組の電
極の一方の電極を接続する第１の配線を形成し、かつ、
前記１組の電極の他方の電極を前記コンタクト孔を介し
て前記第２の配線に接続し、（ｉ）前記１組の電極が設
けられた透明基板上にＰＬＺＴ層を堆積し、（ｊ）前記
透明基板の両外面に偏光板を設けることを特徴とするも
のである。
【００１８】
【作用】本発明によれば、透明基板上に設けられた１組
の電極のあいだにＰＬＺＴが充填されているため、この
１組の電極に電圧を印加することによりＰＬＺＴの２次
電気光学効果をうることができ、簡単な構造で表示装置
として動作する。
の電極のあいだにＰＬＺＴが充填されているため、この
１組の電極に電圧を印加することによりＰＬＺＴの２次
電気光学効果をうることができ、簡単な構造で表示装置
として動作する。
【００１９】さらに各画素の１組の電極をそれぞれクシ
形にしてクシ歯がそれぞれ交互に配置され互いに対向す
る構造とし、その１組の電極のあいだにＰＬＺＴ層を堆
積させることにより、狭い電極間隙でＰＬＺＴ層に電界
を印加することができると共に、画素内の広い面積でＰ
ＬＺＴの２次電気光学効果をうることができ、低電圧で
駆動でき、開口率が大きい表示装置として動作する。
形にしてクシ歯がそれぞれ交互に配置され互いに対向す
る構造とし、その１組の電極のあいだにＰＬＺＴ層を堆
積させることにより、狭い電極間隙でＰＬＺＴ層に電界
を印加することができると共に、画素内の広い面積でＰ
ＬＺＴの２次電気光学効果をうることができ、低電圧で
駆動でき、開口率が大きい表示装置として動作する。
【００２０】また、透明基板上に電極のパターニングと
ＰＬＺＴの堆積および配線のコンタクト用のコンタクト
孔を設けるだけで製造でき、製造工数が非常に簡潔にな
ると共にＰＬＺＴは破損しないため信頼性も向上する。
ＰＬＺＴの堆積および配線のコンタクト用のコンタクト
孔を設けるだけで製造でき、製造工数が非常に簡潔にな
ると共にＰＬＺＴは破損しないため信頼性も向上する。
【００２１】また、第１の配線と第２の配線をチッ化ケ
イ素などの絶縁膜を介して設けておき、その上にＰＬＺ
Ｔ層を堆積させれば、加工しにくいＰＬＺＴ層にコンタ
クト孔を設ける必要もなくなる。
イ素などの絶縁膜を介して設けておき、その上にＰＬＺ
Ｔ層を堆積させれば、加工しにくいＰＬＺＴ層にコンタ
クト孔を設ける必要もなくなる。
【００２２】
【実施例】つぎに、図面を参照しながら本発明の表示装
置の製法の一実施例を説明する。図１は本発明のフラッ
トパネル型表示装置の一実施例の表示基板の製造工程の
一画素の説明図であり、図２は図１（ｄ）のＡ−Ａ線断
面説明図、図３は図１（ｄ）のＢ−Ｂ線断面説明図、図
４は本発明のフラットパネル形表示装置の画素の配置を
示す平面説明図、図５はその側面図である。
置の製法の一実施例を説明する。図１は本発明のフラッ
トパネル型表示装置の一実施例の表示基板の製造工程の
一画素の説明図であり、図２は図１（ｄ）のＡ−Ａ線断
面説明図、図３は図１（ｄ）のＢ−Ｂ線断面説明図、図
４は本発明のフラットパネル形表示装置の画素の配置を
示す平面説明図、図５はその側面図である。
【００２３】本発明のフラットパネル型表示装置は図４
および図５に平面図および側面図が示されるように、強
誘電体であるＰＬＺＴ層の両側に電極が設けられ、各画
素がマトリックス状に形成された表示基板７の両面に偏
光板８ａ、８ｂが設けられ、さらに裏面側に光源９が設
けられている。
および図５に平面図および側面図が示されるように、強
誘電体であるＰＬＺＴ層の両側に電極が設けられ、各画
素がマトリックス状に形成された表示基板７の両面に偏
光板８ａ、８ｂが設けられ、さらに裏面側に光源９が設
けられている。
【００２４】各画素のＰＬＺＴと電極の関係は図１
（ｄ）、図２および図３に示す構造になっている。すな
わち、一基板上の１組の電極の一方のクシ形電極２ａと
他方のクシ形電極２ｂが共にクシ形に形成され、それぞ
れのクシ歯が交互に配置されて互いに対向する構造にな
っており、両クシ形電極２ａ、２ｂの互いに対向したク
シ歯の間隙およびこれらを被覆するようにＰＬＺＴ層４
が堆積されているものである。前述のようにＰＬＺＴ層
に電気光学効果をもたせるためには前述の（１）式によ
り与えられる印加電圧が必要であり、たとえば0.53ｍｍ
程度の電極間隙では160 Ｖ程度の大きな電圧を印加しな
ければならず、通常の液晶表示装置と同様に５〜１０Ｖ
程度で動作させるためにはＰＬＺＴの電界印加方向の厚
さ（電極間隔）ｄは０．５〜１．５μｍ程度にしなけれ
ばならない。電極間の幅の狭いＰＬＺＴを形成するた
め、本発明者らが鋭意検討を重ねた結果、図１（ｄ）に
示されるように、一基板上の一組の電極を共にクシ形に
形成し、それぞれのクシ歯が交互に配置されて互いに対
向させるようにすることにより、電極間隙を狭くできる
と共に画素内の広い面積にわたって表示に寄与するＰＬ
ＺＴ層が設けられることを見出したものである。
（ｄ）、図２および図３に示す構造になっている。すな
わち、一基板上の１組の電極の一方のクシ形電極２ａと
他方のクシ形電極２ｂが共にクシ形に形成され、それぞ
れのクシ歯が交互に配置されて互いに対向する構造にな
っており、両クシ形電極２ａ、２ｂの互いに対向したク
シ歯の間隙およびこれらを被覆するようにＰＬＺＴ層４
が堆積されているものである。前述のようにＰＬＺＴ層
に電気光学効果をもたせるためには前述の（１）式によ
り与えられる印加電圧が必要であり、たとえば0.53ｍｍ
程度の電極間隙では160 Ｖ程度の大きな電圧を印加しな
ければならず、通常の液晶表示装置と同様に５〜１０Ｖ
程度で動作させるためにはＰＬＺＴの電界印加方向の厚
さ（電極間隔）ｄは０．５〜１．５μｍ程度にしなけれ
ばならない。電極間の幅の狭いＰＬＺＴを形成するた
め、本発明者らが鋭意検討を重ねた結果、図１（ｄ）に
示されるように、一基板上の一組の電極を共にクシ形に
形成し、それぞれのクシ歯が交互に配置されて互いに対
向させるようにすることにより、電極間隙を狭くできる
と共に画素内の広い面積にわたって表示に寄与するＰＬ
ＺＴ層が設けられることを見出したものである。
【００２５】まず、低電圧で動作するためのＰＬＺＴ層
４の電界方向の電極間の幅ｄ（図３参照）の寸法につい
て検討する。ＰＬＺＴ層４の入射光の方向の厚さｔをパ
ラメータとして入射光の波長が 350ｎｍおよび 800ｎｍ
の２点について検討をする。
４の電界方向の電極間の幅ｄ（図３参照）の寸法につい
て検討する。ＰＬＺＴ層４の入射光の方向の厚さｔをパ
ラメータとして入射光の波長が 350ｎｍおよび 800ｎｍ
の２点について検討をする。
【００２６】表１、表２は入射光の波長λ（ｎｍ）、ク
シ形電極の厚さｔ（μｍ）、１組のクシ形電極の間隔ｄ
（μｍ）と印加電圧Ｖとの関係を示したものであり、表
の数値は最大透過光を与えるクシ形電極間隔ｄ（μｍ）
を示している。なお、表１は電極の厚さｔ＝１μｍのば
あいであり、表２はクシ形電極の厚さｔ＝0.5 μｍのば
あいである。
シ形電極の厚さｔ（μｍ）、１組のクシ形電極の間隔ｄ
（μｍ）と印加電圧Ｖとの関係を示したものであり、表
の数値は最大透過光を与えるクシ形電極間隔ｄ（μｍ）
を示している。なお、表１は電極の厚さｔ＝１μｍのば
あいであり、表２はクシ形電極の厚さｔ＝0.5 μｍのば
あいである。
【００２７】
【表１】
【００２８】
【表２】
【００２９】いずれの表からもクシ形電極の間隔ｄと印
加電圧Ｖは比例しており、クシ形電極の間隔ｄを１／２
にすれば、印加電圧Ｖも１／２でよいことがわかる。
加電圧Ｖは比例しており、クシ形電極の間隔ｄを１／２
にすれば、印加電圧Ｖも１／２でよいことがわかる。
【００３０】そのため、各電極の幅２〜３μｍ、電極間
隙ｄを０．５〜１．５μｍに形成することにより、ＰＬ
ＺＴ層の電界印加方向の寸法は０．５〜１．５μｍ程度
になり、電極の厚さｔは０．５〜１．０μｍ程度にする
ことにより５〜１０Ｖ程度で可視光の全波長の光をスイ
ッチングすることができる。そのため一方向の配線３ａ
とこれと交差する方向（図１に示す例では配線３ａと３
ｂが直交する例が示されているが、必ずしも直交しなて
くもよい）の配線３ｂへの印加電圧を制御することによ
り、所望の画素を点灯することができる。なお、クシ歯
の長さＬは画素の大きさによっても異なるが、たとえば
１００μｍ×３００μｍの画素では、３００μｍ程度で
形成されている。また、クシ歯の数も図に示したものは
模式図であって、画素の大きさにより任意に設定できる
が、電極の間隙は前述のように０．５〜１．５μｍ程度
にすることが好ましく、前述の画素の大きさでは各々の
クシ歯が１０〜１５本程度になる。また一画素内にクシ
歯を互いに対向させたクシ形電極が複数個設けられ、一
方の電極および他方の電極を接続して１組の対向電極と
してもよい。また、クシ形電極のクシ歯がそれぞれ交互
に配置されているため、隣接するＰＬＺＴ層は相互に逆
方向の電界が印加されることになるが、１８０°回転し
たばあいに光の透過率は同じになるため、表示特性に影
響はない。
隙ｄを０．５〜１．５μｍに形成することにより、ＰＬ
ＺＴ層の電界印加方向の寸法は０．５〜１．５μｍ程度
になり、電極の厚さｔは０．５〜１．０μｍ程度にする
ことにより５〜１０Ｖ程度で可視光の全波長の光をスイ
ッチングすることができる。そのため一方向の配線３ａ
とこれと交差する方向（図１に示す例では配線３ａと３
ｂが直交する例が示されているが、必ずしも直交しなて
くもよい）の配線３ｂへの印加電圧を制御することによ
り、所望の画素を点灯することができる。なお、クシ歯
の長さＬは画素の大きさによっても異なるが、たとえば
１００μｍ×３００μｍの画素では、３００μｍ程度で
形成されている。また、クシ歯の数も図に示したものは
模式図であって、画素の大きさにより任意に設定できる
が、電極の間隙は前述のように０．５〜１．５μｍ程度
にすることが好ましく、前述の画素の大きさでは各々の
クシ歯が１０〜１５本程度になる。また一画素内にクシ
歯を互いに対向させたクシ形電極が複数個設けられ、一
方の電極および他方の電極を接続して１組の対向電極と
してもよい。また、クシ形電極のクシ歯がそれぞれ交互
に配置されているため、隣接するＰＬＺＴ層は相互に逆
方向の電界が印加されることになるが、１８０°回転し
たばあいに光の透過率は同じになるため、表示特性に影
響はない。
【００３１】電極材料としてはクロムやアルミニウムな
どの金属膜を使用することができる。またＰＬＺＴは図
８にその相図を示すように、ＰｂＺｒＯ3 とＰｂＴｉＯ
3 とＬａの割合によりその性質が異なり、図８に示され
る２次電気光学効果を有する組成のものが使用される。
一方メモリ効果を有する組成のものも表示内容を記憶し
ておくことができると共に電気光学効果を示し、情報を
記憶しておくことができる点からも好ましい。、図５に
示すように、表示基板７の両側に偏光軸が直交関係にな
るように偏光板８が配置され、表示面の裏面側に光源９
が配置されて、本発明の表示装置が形成される。さら
に、外部の駆動回路と電極端子部を接続することにより
所望の画素が駆動され、偏光板８とあいまって透過光が
オンオフされることにより、所望の表示をすることがで
きる。なお、外部光を利用して表示をするばあいには、
光源９にかえて、表示面と同じ大きさの反射板を表示基
板７の裏面側に配置すればよい。
どの金属膜を使用することができる。またＰＬＺＴは図
８にその相図を示すように、ＰｂＺｒＯ3 とＰｂＴｉＯ
3 とＬａの割合によりその性質が異なり、図８に示され
る２次電気光学効果を有する組成のものが使用される。
一方メモリ効果を有する組成のものも表示内容を記憶し
ておくことができると共に電気光学効果を示し、情報を
記憶しておくことができる点からも好ましい。、図５に
示すように、表示基板７の両側に偏光軸が直交関係にな
るように偏光板８が配置され、表示面の裏面側に光源９
が配置されて、本発明の表示装置が形成される。さら
に、外部の駆動回路と電極端子部を接続することにより
所望の画素が駆動され、偏光板８とあいまって透過光が
オンオフされることにより、所望の表示をすることがで
きる。なお、外部光を利用して表示をするばあいには、
光源９にかえて、表示面と同じ大きさの反射板を表示基
板７の裏面側に配置すればよい。
【００３２】つぎに、本発明のフラットパネル型表示装
置の製法について説明する。
置の製法について説明する。
【００３３】図１において、ガラスなどの透明基板１の
上に金属膜をスパッタリングなどにより設け、ホトレジ
スト層を形成し、マスクを介して露光し、そののちエッ
チングを施すことによってパターニングすること（以
下、露光からパターニングの一連の工程をホトリソグラ
フィ工程という）により、クシ形電極２ａ、２ｂ、第１
の配線３ａを形成する。クシ形電極２ａ、２ｂは互いに
一定間隔を隔てて、クシ歯部分が交互に配置され互いに
対向するようなっている。クシ形電極２ａの一端には第
１の配線３ａが接続されている（図１（ａ）参照）。１
組のクシ形電極２ａ、２ｂで１つの画素６が形成されて
いる。また、第１の配線３ａは隣接する画素６とのあい
だに形成されている。
上に金属膜をスパッタリングなどにより設け、ホトレジ
スト層を形成し、マスクを介して露光し、そののちエッ
チングを施すことによってパターニングすること（以
下、露光からパターニングの一連の工程をホトリソグラ
フィ工程という）により、クシ形電極２ａ、２ｂ、第１
の配線３ａを形成する。クシ形電極２ａ、２ｂは互いに
一定間隔を隔てて、クシ歯部分が交互に配置され互いに
対向するようなっている。クシ形電極２ａの一端には第
１の配線３ａが接続されている（図１（ａ）参照）。１
組のクシ形電極２ａ、２ｂで１つの画素６が形成されて
いる。また、第１の配線３ａは隣接する画素６とのあい
だに形成されている。
【００３４】つぎに、透明基板１の上にＰＬＺＴ層４を
たとえばＣＶＤ法により堆積する（図１（ｂ）参照）。
これにより、１組のクシ形電極２ａ、２ｂ間およびこれ
ら電極を被覆するようにＰＬＺＴ層４を形成する。
たとえばＣＶＤ法により堆積する（図１（ｂ）参照）。
これにより、１組のクシ形電極２ａ、２ｂ間およびこれ
ら電極を被覆するようにＰＬＺＴ層４を形成する。
【００３５】つぎに、ＰＬＺＴ層４にコンタクト孔５
を、たとえば反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）のよう
なドライエッチング用いて形成する（図１（ｃ）参
照）。
を、たとえば反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）のよう
なドライエッチング用いて形成する（図１（ｃ）参
照）。
【００３６】つぎに、ＰＬＺＴ層４上に、たとえばクロ
ムやアルミニウムなどの金属膜をスパッタリングなどに
より設け、ホトリソグラフィ工程により、第２の配線３
ｂを形成する。第２の配線３ｂは第１の配線３ａとＰＬ
ＺＴ層４を介して交差しており、隣接する画素６とのあ
いだに形成され、横方向に並ぶ各画素の一方の電極２ｂ
を接続している。第１の配線３ａと第２の配線３ｂとは
ＰＬＺＴ層４で電気的に分離されている。これより、横
方向に並ぶ各画素のクシ形電極２ｂと第２の配線３ｂと
がそれぞれコンタクト孔５を介して接続される。なお、
第１の配線３ａと第２の配線３ｂは透明基板の端部に引
き出されて電極端子部（図示せず）を形成し、ＴＡＢな
どにより駆動回路（図示せず）と接続される。
ムやアルミニウムなどの金属膜をスパッタリングなどに
より設け、ホトリソグラフィ工程により、第２の配線３
ｂを形成する。第２の配線３ｂは第１の配線３ａとＰＬ
ＺＴ層４を介して交差しており、隣接する画素６とのあ
いだに形成され、横方向に並ぶ各画素の一方の電極２ｂ
を接続している。第１の配線３ａと第２の配線３ｂとは
ＰＬＺＴ層４で電気的に分離されている。これより、横
方向に並ぶ各画素のクシ形電極２ｂと第２の配線３ｂと
がそれぞれコンタクト孔５を介して接続される。なお、
第１の配線３ａと第２の配線３ｂは透明基板の端部に引
き出されて電極端子部（図示せず）を形成し、ＴＡＢな
どにより駆動回路（図示せず）と接続される。
【００３７】以上の工程で図４に示すような透明基板１
上に多数の画素６がマトリクス状に配置された表示基板
７が形成される。
上に多数の画素６がマトリクス状に配置された表示基板
７が形成される。
【００３８】つぎに、本発明の表示装置の他の実施例の
表示基板の製法を説明する。この方法はエッチング加工
などが難しいＰＬＺＴをエッチングしなくて表示基板を
形成する方法である。
表示基板の製法を説明する。この方法はエッチング加工
などが難しいＰＬＺＴをエッチングしなくて表示基板を
形成する方法である。
【００３９】図６〜７において、ガラスなどの透明基板
１の上にスパッタ法などによりクロムやアルミニウムな
どからなる金属膜を成膜し、ホトリソグラフィ工程によ
り、第２の配線３ｂを形成する（図６（ａ）参照）。
１の上にスパッタ法などによりクロムやアルミニウムな
どからなる金属膜を成膜し、ホトリソグラフィ工程によ
り、第２の配線３ｂを形成する（図６（ａ）参照）。
【００４０】つぎに、透明基板１の上にたとえばチッ化
ケイ素からなる透明絶縁層２０を形成するとともに、第
２の配線３ｂを次工程で形成されるクシ形電極２ｂと接
続するためのコンタクト孔５をたとえばＲＩＥによるド
ライエッチングを用いて形成する（図６（ｂ）参照）。
対向電極間にも絶縁層２０が付着するが、薄いばあいは
そのまま残しておいてもよいし、エッチングして除去し
てもよい。
ケイ素からなる透明絶縁層２０を形成するとともに、第
２の配線３ｂを次工程で形成されるクシ形電極２ｂと接
続するためのコンタクト孔５をたとえばＲＩＥによるド
ライエッチングを用いて形成する（図６（ｂ）参照）。
対向電極間にも絶縁層２０が付着するが、薄いばあいは
そのまま残しておいてもよいし、エッチングして除去し
てもよい。
【００４１】つぎに、透明絶縁層２０上に前述と同様に
金属膜を設け、ホトリソグラフィ工程により、クシ形電
極２ａ、２ｂ、第１の配線３ａを形成する。クシ形電極
２ａ、２ｂは互いに一定間隔を隔てて、クシ歯部分が交
互に配置され互いに対向するようになっている。１組の
クシ形電極２ａ、２ｂで１つの画素６が形成される。ク
シ形電極２ａの一端には第１の配線３ａが接続されてお
り、クシ形電極２ｂの一端にはコンタクト孔５を介して
第２の配線３ｂが接続されている（図６（ｃ）参照）。
金属膜を設け、ホトリソグラフィ工程により、クシ形電
極２ａ、２ｂ、第１の配線３ａを形成する。クシ形電極
２ａ、２ｂは互いに一定間隔を隔てて、クシ歯部分が交
互に配置され互いに対向するようになっている。１組の
クシ形電極２ａ、２ｂで１つの画素６が形成される。ク
シ形電極２ａの一端には第１の配線３ａが接続されてお
り、クシ形電極２ｂの一端にはコンタクト孔５を介して
第２の配線３ｂが接続されている（図６（ｃ）参照）。
【００４２】つぎに、ＰＬＺＴ層４をたとえばＣＶＤ法
により堆積する（図６（ｄ）参照）。これにより、前記
実施例と同様に１組のクシ形電極２ａ、２ｂ間およびこ
れら電極を被覆するようにＰＬＺＴ層４が形成される。
により堆積する（図６（ｄ）参照）。これにより、前記
実施例と同様に１組のクシ形電極２ａ、２ｂ間およびこ
れら電極を被覆するようにＰＬＺＴ層４が形成される。
【００４３】
【発明の効果】本発明によれば、ＰＬＺＴを用いた簡単
な構造の表示装置がえられ、コストの低減が図れると共
に、温度変化や外力に対しても強固で信頼性が高いフラ
ットパネル型表示装置がえられる。
な構造の表示装置がえられ、コストの低減が図れると共
に、温度変化や外力に対しても強固で信頼性が高いフラ
ットパネル型表示装置がえられる。
【００４４】さらに電極をクシ形をすることにより低電
圧で駆動できるとともに開口率が大きいため明るい表示
ができるフラットパネル型表示装置がえられる。
圧で駆動できるとともに開口率が大きいため明るい表示
ができるフラットパネル型表示装置がえられる。
【図１】本発明のフラットパネル型表示装置に使用する
表示基板の製造工程の説明図である。
表示基板の製造工程の説明図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線断面説明図である。
【図３】図１のＢ−Ｂ線断面説明図である。
【図４】表示基板の画素電極の配置の説明図である。
【図５】本発明のフラットパネル型表示装置の一実施例
の側面説明図である。
の側面説明図である。
【図６】本発明のフラットパネル型表示装置の他の実施
例の表示基板の製造工程の説明図である。
例の表示基板の製造工程の説明図である。
【図７】図６のＣ−Ｃ線断面説明図である。
【図８】ＰＬＺＴの相図である。
【図９】ＰＬＺＴの２次電気光学効果の説明図である。
【図１０】液晶表示装置の断面説明図である。
１ 透明基板 ２ａ、２ｂ クシ形電極 ４ ＰＬＺＴ層 ６ 画素 ８ 偏光板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高村 誠 京都市右京区西院溝崎町21番地 ローム 株式会社内 (56)参考文献 特開 平３−132717（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−299937（ＪＰ，Ａ) 特開 昭51−47338（ＪＰ，Ａ) 特開 昭51−60196（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−65177（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−88195（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−235189（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−189839（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−206420（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−215821（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−3016（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−18518（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−100017（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−265923（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−265924（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−265925（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G09F 9/30 - 9/46 G02F 1/00 - 1/125
Claims (2)
- 【請求項１】 （ａ）透明基板上に各画素を形成する１
組の電極をマトリックス状に形成すると共に一方向に並
ぶ各画素の前記１組の電極の一方の電極を接続する第１
の配線を形成し、 （ｂ）前記１組の電極が設けられた透明基板上にＰＬＺ
Ｔ層を堆積し、 （ｃ）前記１組の電極の他方の電極にコンタクトするた
めのコンタクト孔を前記ＰＬＺＴ層に設け、 （ｄ）該コンタクト孔を介して前記１組の電極の他方の
電極と接続する第２の配線を設け、 （ｅ）前記透明基板の両外面に偏光板を設けることを特
徴とするフラットパネル型表示装置の製法。 - 【請求項２】 （ｆ）透明基板上の画素間に一方向に延
びる第２の配線を複数本並行して設け、 （ｇ）第２の配線が設けられた前記透明基板上に絶縁膜
を設け、ついで前記第２の配線とコンタクトするための
コンタクト孔を前記絶縁膜に設け、 （ｈ）前記第２の配線のあいだに各画素を形成する１組
の電極を複数個形成すると共に前記第２の配線と交差す
る方向に並ぶ各画素の前記１組の電極の一方の電極を接
続する第１の配線を形成し、かつ、前記１組の電極の他
方の電極を前記コンタクト孔を介して前記第２の配線に
接続し、 （ｉ）前記１組の電極が設けられた透明基板上にＰＬＺ
Ｔ層を堆積し、 （ｊ）前記透明基板の両外面に偏光板を設けることを特
徴とするフラットパネル型表示装置の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29642893A JP3160447B2 (ja) | 1993-11-26 | 1993-11-26 | フラットパネル型表示装置の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29642893A JP3160447B2 (ja) | 1993-11-26 | 1993-11-26 | フラットパネル型表示装置の製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07146657A JPH07146657A (ja) | 1995-06-06 |
| JP3160447B2 true JP3160447B2 (ja) | 2001-04-25 |
Family
ID=17833415
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29642893A Expired - Fee Related JP3160447B2 (ja) | 1993-11-26 | 1993-11-26 | フラットパネル型表示装置の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3160447B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100322444B1 (ko) * | 1994-11-22 | 2002-11-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 형광막층을이용한피.엘.제트.티.(plzt)표시장치 |
| KR100438579B1 (ko) * | 2001-12-13 | 2004-07-02 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널의 상판 구조 |
| WO2005015292A1 (ja) | 2003-08-07 | 2005-02-17 | Rohm Co., Ltd | 光変調膜を備える構造体およびそれを用いた光制御素子 |
| EP1659439A4 (en) * | 2003-08-07 | 2009-03-04 | Rohm Co Ltd | OPTICAL DEVICE FOR REGULATION |
| US7894115B2 (en) | 2005-01-20 | 2011-02-22 | Rohm Co., Ltd. | Light control apparatus having light modulating film |
| WO2006082972A1 (ja) * | 2005-02-07 | 2006-08-10 | Rohm Co., Ltd | 電圧制御回路、電圧制御方法およびそれを用いた光制御装置 |
| JP2006293022A (ja) | 2005-04-11 | 2006-10-26 | Rohm Co Ltd | 光変調装置の製造方法、光変調装置および光変調システム |
| JP2007065458A (ja) | 2005-09-01 | 2007-03-15 | Rohm Co Ltd | 光制御装置およびそれを用いた光制御システム |
| JP2007147934A (ja) | 2005-11-28 | 2007-06-14 | Rohm Co Ltd | 光制御装置およびそれを用いた光制御システム |
-
1993
- 1993-11-26 JP JP29642893A patent/JP3160447B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| JPH07146657A (ja) | 1995-06-06 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |