JP3154142B2 - Method of forming alignment film - Google Patents

Method of forming alignment film

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JP3154142B2
JP3154142B2 JP20742492A JP20742492A JP3154142B2 JP 3154142 B2 JP3154142 B2 JP 3154142B2 JP 20742492 A JP20742492 A JP 20742492A JP 20742492 A JP20742492 A JP 20742492A JP 3154142 B2 JP3154142 B2 JP 3154142B2
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forming
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、配向膜の形成方法に関
し、特に、液晶表示装置(以下、LCDと呼ぶ)用配向
膜の形成方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for forming an alignment film, and more particularly to a method for forming an alignment film for a liquid crystal display (hereinafter, referred to as an LCD).

【0002】[0002]

【従来の技術】図11はLCDの構造を示す断面図であ
る。
2. Description of the Related Art FIG. 11 is a sectional view showing the structure of an LCD.

【0003】即ち、2板のガラス基板1、2が対向し、
これらの対向面側に、夫々透明導電膜3、6及び配向膜
8、8がこの順に被着し、配向膜8、8間に液晶セル9
が挟まれ、液晶セル9及び配向膜8、8は、液晶セル9
の厚さを所定寸法にするためのガラス製スペーサ10によ
って囲まれ、LCDが構成される。配向膜8は、液晶注
入に先立ってラビング処理が施され、分子の配列が所定
の方向に揃えられ、これによって液晶の分子が配向せし
められる。
That is, two glass substrates 1 and 2 face each other,
On these opposing surfaces, the transparent conductive films 3 and 6 and the alignment films 8 and 8 are applied in this order, and the liquid crystal cell 9 is disposed between the alignment films 8 and 8.
Are sandwiched, and the liquid crystal cell 9 and the alignment films 8 and 8 are
The LCD is constructed by being surrounded by a glass spacer 10 for setting the thickness of the LCD to a predetermined size. The alignment film 8 is subjected to a rubbing process prior to liquid crystal injection, so that the arrangement of molecules is aligned in a predetermined direction, whereby the molecules of the liquid crystal are aligned.

【0004】透明導電膜3、6の形状を、図11の XII−
XII 線拡大断面図である図12及び同XIII−XIII線拡大断
面図である図14に示す。
[0004] The shape of the transparent conductive films 3 and 6 is changed to XII- in FIG.
FIG. 12 is an enlarged sectional view taken along the line XII and FIG. 14 is an enlarged sectional view taken along the line XIII-XIII.

【0005】一方の透明導電膜3は、規則的に配列した
多数の画素電極4とこれに接続する同数の信号電極5と
からなり、信号電極5の端子部5aがスペーサ10外のガ
ラス基板1上に延設されている。
The transparent conductive film 3 is composed of a large number of pixel electrodes 4 arranged regularly and the same number of signal electrodes 5 connected thereto, and the terminal portions 5 a of the signal electrodes 5 are connected to the glass substrate 1 outside the spacer 10. It is extended above.

【0006】他方の透明電極6は、スペーサ10に囲まれ
た部分が共通電極7となり、その端子部7aがスペーサ
10外のガラス基板2上に延設されている。
The other transparent electrode 6 has a portion surrounded by a spacer 10 serving as a common electrode 7, and its terminal portion 7a serves as a spacer.
It extends on the glass substrate 2 outside 10.

【0007】表示は、信号電極5に選択的に電気信号を
入力することにより、選択された画素電極4に電圧が印
加されてこの画素電極にのみに対応する液晶セル部分が
透光性になることによってなされる。
In display, a voltage is applied to the selected pixel electrode 4 by selectively inputting an electric signal to the signal electrode 5, and the liquid crystal cell portion corresponding only to this pixel electrode becomes translucent. It is done by things.

【0008】透明導電膜は、上記の形状のほか、図14に
示すように、一方のガラス基板と他方のガラス基板と
に、互いに直交する方向に沿って縞状に形成された電極
1 、X2 、・・・、Xm 及びY1 、Y2 、・・・、Y
n とし、両電極が交差する多数の箇所を画素とするもの
がある。この構造のLCDでは、電極X1 、X2 、・・
・、Xm とY1 、Y2 、・・・、Yn とに選択的に電気
信号を入力することにより、画素に対応する液晶セル部
分を選択的に透光性にして表示がなされる。
In addition to the above-mentioned shapes, the transparent conductive film has electrodes X 1 , which are formed in stripes on one glass substrate and the other glass substrate along directions orthogonal to each other, as shown in FIG. X 2 ,..., X m and Y 1 , Y 2 ,.
There is a case where n is set as n and a number of intersections of both electrodes are pixels. In the LCD having this structure, the electrodes X 1 , X 2 ,.
By selectively inputting electric signals to Xm and Y 1 , Y 2 ,..., Y n , a liquid crystal cell portion corresponding to a pixel is selectively translucent to perform display. .

【0009】透明導電膜上に配向膜を形成する方法とし
ては、無機配向膜材料の斜め蒸着による方法及び有機配
向膜材料の塗布による方法がある。斜め蒸着による方法
では、配向のための後のラビング工程が不要であるとい
うメリットがあるが、蒸着に長時間を要する。塗布によ
る方法のうち、スピンコート法は作業時間が短くて済む
ので特に有利である。
As a method of forming an alignment film on a transparent conductive film, there are a method of obliquely depositing an inorganic alignment film material and a method of applying an organic alignment film material. The oblique deposition method has an advantage that a subsequent rubbing step for orientation is unnecessary, but the deposition requires a long time. Among the coating methods, the spin coating method is particularly advantageous because the working time is short.

【0010】配向膜の材料としては、ポリイミドが一般
に用いられているが、ポリイミドをスピンコート法によ
って塗布するのには、短時間に塗布を完了させるので、
塗料の粘度を充分に小さくする必要がある。然し、この
要請に応えられる溶媒の種類が少なく、このため、均一
な膜厚が得られ難く、従って配向性が不充分になる。
As a material for the alignment film, polyimide is generally used. However, to apply polyimide by spin coating, the application is completed in a short time.
It is necessary to make the viscosity of the paint sufficiently small. However, there are few types of solvents that can meet this demand, and therefore, it is difficult to obtain a uniform film thickness, and thus the orientation is insufficient.

【0011】[0011]

【発明に至る過程】そこで、ポリイミドを直接スピンコ
ートするのではなく、ポリイミドの前駆体であるポリア
ミック酸をスピンコートしてから、このポリアミック酸
の塗膜をイミド化させてポリイミド膜とすることが考え
られる。ポリアミック酸は酸であることから多くの種類
の溶媒と相性が良く、溶媒選択の自由度が大きく、従っ
て塗料の粘度調整が容易である。
Therefore, instead of directly spin-coating the polyimide, it is necessary to spin-coat a polyamic acid which is a precursor of the polyimide, and then imidize the coating film of the polyamic acid to form a polyimide film. Conceivable. Since polyamic acid is an acid, it has good compatibility with many kinds of solvents, has a large degree of freedom in selecting a solvent, and therefore, it is easy to adjust the viscosity of a coating material.

【0012】ところが、ポリアミック酸の塗料は透明導
電膜に対する濡れ性が良好ではなく、また吸着し難く、
透明導電膜上を完全に塗布することが困難である。この
ため、図15に示すように、塗料が塗布された領域31と塗
布されていない領域32とが、スピンコート時の回転中心
Oを中心とする扇形に出現するようになる。ポリアミッ
ク酸塗料が塗布された領域31の表面は青味を帯びた透明
になるので、他の領域32と識別できる。
However, the coating of polyamic acid has poor wettability to the transparent conductive film and is hardly adsorbed.
It is difficult to completely apply on the transparent conductive film. For this reason, as shown in FIG. 15, the region 31 where the paint is applied and the region 32 where the paint is not applied appear in a fan shape around the rotation center O during spin coating. Since the surface of the region 31 to which the polyamic acid paint is applied becomes bluish and transparent, it can be distinguished from other regions 32.

【0013】本発明者は、鋭意研究の結果、上記の塗布
に先立って、透明導電膜に特定波長範囲内の光を照射す
ることにより、透明導電膜に対するポリアミック酸塗料
の濡れ性や吸着性が改善され、塗布斑の無い良好な塗膜
が得られることを見出した。本発明は上記の知見によっ
てなされたものである。
As a result of intensive studies, the inventor of the present invention illuminated the transparent conductive film with light in a specific wavelength range prior to the above-mentioned coating to thereby improve the wettability and adsorptivity of the polyamic acid paint on the transparent conductive film. It has been found that a good coating film which is improved and has no coating unevenness can be obtained. The present invention has been made based on the above findings.

【0014】[0014]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の事情
に鑑みてなされたものであって、透明導電膜上に配向膜
を均一に形成できる、配向膜の形成方法を提供すること
を目的としている。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a method for forming an alignment film capable of uniformly forming an alignment film on a transparent conductive film. And

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段】本発明は、基体表面上に
配向膜を形成するに際し、前記基体表面に導電膜を形成
する工程と、分光分布の 0.5〜6.0 μmの範囲内にある
成分が10mW/cm2 以上のエネルギーで到達するように、
少なくとも前記導電膜に光照射を行う工程と、基体の前
記光照射を行った面を、前記配向膜の前駆体で被覆する
工程と、前記前駆体を熱処理して前記配向膜とする工程
とを有する、配向膜の形成方法に係る。
According to the present invention, in forming an alignment film on the surface of a substrate, the step of forming a conductive film on the surface of the substrate includes the step of forming a conductive film on the substrate surface in a range of 0.5 to 6.0 μm in the spectral distribution. To reach with energy of 10mW / cm 2 or more,
At least a step of irradiating the conductive film with light, a step of coating the light-irradiated surface of the substrate with a precursor of the alignment film, and a step of heat-treating the precursor to form the alignment film. And a method for forming an alignment film.

【0016】本発明において、前駆体による被覆をスピ
ンコート法によって行うのが生産性の観点から有利であ
り、光照射を、分光分布の 0.5〜3.0 μmの範囲内にあ
る成分が50mW/cm2 以上のエネルギーで到達するように
行うのが一層望ましい。また、本発明において、光照射
の直後にスピンコートを行うのが更に一層望ましい。
In the present invention, it is advantageous from the viewpoint of productivity that the coating with the precursor is carried out by a spin coating method, and the light irradiation is carried out when the component having a spectral distribution within the range of 0.5 to 3.0 μm is 50 mW / cm 2. It is even more desirable to do so with the above energy. In the present invention, it is even more desirable to perform spin coating immediately after light irradiation.

【0017】[0017]

【作用】導電膜を配向膜の前駆体で被覆するのに先立っ
て、前記の光照射を行うことにより、上記の被覆が良好
な状態でなされる。これは、前記の光照射によって導電
膜の表面が活性化され、この表面活性化により、導電膜
に対する被覆材料塗料の濡れ性が良好になることに起因
するものと考えられる。
The above-mentioned light irradiation is performed prior to coating the conductive film with the precursor of the alignment film, so that the above-mentioned coating is performed in a favorable state. This is considered to be due to the fact that the surface of the conductive film is activated by the light irradiation, and the surface activation improves the wettability of the coating material coating on the conductive film.

【0018】また、光照射の直後に上記の被覆を行うこ
とにより、導電膜表面の活性化状態が充分に保たれて良
好な濡れ性を示しているうちに被覆がなされ、好結果が
得られるものと考えられる。
In addition, by performing the above-described coating immediately after the light irradiation, the coating is performed while the activated state of the conductive film surface is sufficiently maintained and good wettability is exhibited, and a good result is obtained. It is considered something.

【0019】[0019]

【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。Embodiments of the present invention will be described below.

【0020】<実施例1>ガラス基板表面に、透明導電
膜材料として広く使用されているITO(indiumtin oxi
de)の被膜を通例の蒸着法によって被着させた。
Example 1 Indium tin oxide (ITO), which is widely used as a transparent conductive film material, is formed on a glass substrate surface.
The coating of de) was applied by a customary evaporation method.

【0021】図1に概略を示すように、ガラス基板11の
ITO膜12の側で17cmの距離の位置に赤外線ランプ13を
配置した。図中、14はガラス基板11を載置する載置台で
ある。なお、ガラス基板11の寸法は43mm×50mm×1mmで
あり、ITO膜12はパターニングせずにガラス基板11の
一方の主面の全面に形成されている。ランプ13には、岩
崎電気社製のR100/110V 250WRH赤外線ランプを使
用した。この赤外線ランプは、図2に示す分光分布性を
有するもので、近赤外の成分を大部分とするものであ
る。
As shown schematically in FIG. 1, an infrared lamp 13 was disposed at a position 17 cm away from the glass substrate 11 on the side of the ITO film 12. In the figure, reference numeral 14 denotes a mounting table on which the glass substrate 11 is mounted. The dimensions of the glass substrate 11 are 43 mm × 50 mm × 1 mm, and the ITO film 12 is formed on the entire surface of one main surface of the glass substrate 11 without patterning. As the lamp 13, an R100 / 110V 250WRH infrared lamp manufactured by Iwasaki Electric Co., Ltd. was used. This infrared lamp has a spectral distribution shown in FIG. 2, and has a near infrared component as a major component.

【0022】図3は、図1の装置を使用しての、赤外線
ランプ13による照射時間と、ITO膜12が受光する単位
面積当たりのパワーとの関係を示すグラフである。
FIG. 3 is a graph showing the relationship between the irradiation time by the infrared lamp 13 and the power per unit area received by the ITO film 12 using the apparatus of FIG.

【0023】図3から解るように、上記パワーは、電源
投入後約30秒間経過した時点で約500mW /cm2 に到達
し、その後は、明らかな増加が認められず、飽和してい
る。従って、安定したパワーを加えるには、照射時間を
1〜3分間とするのが適当である。然し、必要に応じて
赤外線ランプ13とITO膜12との距離及び/又は照射時
間を調整して前述の濡れ性を調整することが可能であ
る。
As can be seen from FIG. 3, the power reaches about 500 mW / cm 2 about 30 seconds after the power is turned on, and thereafter, the power is saturated without any apparent increase. Therefore, in order to apply stable power, it is appropriate to set the irradiation time to 1 to 3 minutes. However, if necessary, the wettability can be adjusted by adjusting the distance between the infrared lamp 13 and the ITO film 12 and / or the irradiation time.

【0024】赤外線照射時間を2分間とし、照射終了直
後に、ガラス基板を図示しない回転テーブルに移し、I
TO膜12上に0.14mlのポリアミック酸(ポリイミドの前
駆体)溶液を滴下する。滴下する位置は、ガラス基板11
の重心位置の上である。この溶液は、5.97重量%のポリ
アミック酸を含有し残部が溶剤からなる日産化学工業社
製Sun Ever RN−721(0621)に更に溶剤として同社製
の21型シンナーを添加したものである。21型シンナーの
添加量は、ポリアミック酸がポリアミック酸溶液に対し
て3.75重量%になるように調整してする。
The infrared irradiation time is set to 2 minutes. Immediately after the irradiation, the glass substrate is transferred to a rotating table (not shown).
0.14 ml of a polyamic acid (polyimide precursor) solution is dropped on the TO film 12. The dropping position is the glass substrate 11
Above the position of the center of gravity. This solution was obtained by adding Nissan Chemical Co., Ltd. type 21 thinner as a solvent to Nissan Chemical Industries, Ltd. Sun Ever RN-721 (0621) containing 5.97% by weight of polyamic acid and the balance being a solvent. The addition amount of the type 21 thinner is adjusted so that the amount of the polyamic acid is 3.75% by weight based on the polyamic acid solution.

【0025】上記のポリアミック酸溶液滴下後に、図示
しない駆動手段によって回転テーブルを回転させ、ガラ
ス基板11を、その重心を中心として主面内で1000rpm で
4秒間、続いて3500rpm で30秒間、回転させる。この回
転時の回転テーブルへのガラス基板11の固定は、通例の
スピンコートにおけると同様に、減圧吸着によるのが簡
単である。この回転により、溶液は、遠心力によってI
TO膜上に拡げられ、これを被覆する。
After the above-mentioned dropping of the polyamic acid solution, the rotary table is rotated by a driving means (not shown), and the glass substrate 11 is rotated about the center of gravity at 1000 rpm for 4 seconds and then at 3500 rpm for 30 seconds on the main surface. . The fixation of the glass substrate 11 to the turntable during this rotation can be easily performed by vacuum suction, as in the usual spin coating. Due to this rotation, the solution is centrifuged to cause I
Spread over the TO film to cover it.

【0026】次に、恒温器中で、ガラス基板に、80℃に
15分間、 240℃に1時間加熱の熱処理を施し、ポリアミ
ック酸をイミド化させてポリイミドとすると供に、溶剤
を蒸発、除去する。
Next, the glass substrate was heated to 80 ° C. in a thermostat.
A heat treatment of heating at 240 ° C. for 1 hour for 15 minutes is performed to imidize the polyamic acid into polyimide, and the solvent is evaporated and removed.

【0027】このイミド化の一般的な反応スキームを下
記式に示す。ポリアミック酸1が熱処理工程で脱水閉環
し、ポリイミド2となる。
A general reaction scheme for this imidation is shown in the following formula. The polyamic acid 1 undergoes a dehydration and ring closure in a heat treatment step to form a polyimide 2.

【式1】 ここで、R1 、R2 で表した部分の構造は、生成するポ
リイミドの特性に大きく影響するため、液晶配向膜とし
て使用する場合は、液晶表示素子各々の要求特性、製造
プロセスに合う構造を選択することが必要である。例え
ば下記表1に示すような構造を有する材料が発表されて
いる。
(Equation 1) Here, the structure of the portion represented by R 1 and R 2 greatly affects the characteristics of the polyimide to be formed. It is necessary to make a choice. For example, materials having a structure as shown in Table 1 below have been disclosed.

【0028】[0028]

【表1】 [Table 1]

【0029】上記のようにしてITO膜上を被膜したポ
リイミド被膜の面積比(ITO膜の面積に対するポリイ
ミド被膜の面積の割合)及びポリイミド被膜の厚さは、
下記表1に示す通りである。表2には、比較のため、赤
外線照射を行わず、その他は上記の例と同様にしたとき
(比較例)の値を併記してある。
The area ratio of the polyimide film coated on the ITO film as described above (the ratio of the area of the polyimide film to the area of the ITO film) and the thickness of the polyimide film are as follows:
It is as shown in Table 1 below. For comparison, Table 2 also shows the values obtained when the infrared irradiation was not performed and the other conditions were the same as in the above example (Comparative Example).

【0030】 表2から、スピンコートに先立って赤外線を照射するこ
とにより、ITO膜上の略全面に亘ってポリイミドの被
膜が形成され、ポリイミド膜の厚さが一様になることが
理解できよう。
[0030] From Table 2, it can be understood that, by irradiating infrared rays prior to the spin coating, a polyimide film is formed over substantially the entire surface of the ITO film, and the thickness of the polyimide film becomes uniform.

【0031】なお、ITO膜を、ガラス基板上に全面被
着ではなく、図12及び図13に示した多数の画素電極4及
び信号電極5の形状にパターニングした場合も、ガラス
基板及びITO膜上に表2の実施例と同様の結果を示す
ポリイミド樹脂の配向膜が形成された。
It is to be noted that the ITO film is not deposited on the entire surface of the glass substrate but is patterned in the shape of a large number of pixel electrodes 4 and signal electrodes 5 shown in FIGS. Then, an alignment film of a polyimide resin showing the same results as in the example of Table 2 was formed.

【0032】この例において、ITO膜と赤外線ランプ
との距離及び/又は赤外線ランプの種類(但し、図2と
同様の分光分布特性を示し、スペクトル線強度が異なる
もの)を変えることにより、ITO膜の受光パワーを変
化させたところ、下記表3に示す結果が得られた。
In this example, by changing the distance between the ITO film and the infrared lamp and / or the type of the infrared lamp (providing the same spectral distribution characteristics as in FIG. 2 but having different spectral line intensities), the ITO film is changed. Was changed, the results shown in Table 3 below were obtained.

【0033】 [0033]

【0034】 註)×印は面積比50%程度を、△印は同60〜75%を、○
印は同75〜85%を、◎印は同85〜95%を示し、括弧を付
した数値は具体例の条件及び結果を示す。
[0034] Note) × indicates area ratio of about 50%, △ indicates 60 to 75%, ○
The mark indicates 75 to 85%, and the mark ◎ indicates 85 to 95%, and the numerical value in parentheses indicates the conditions and results of the specific examples.

【0035】表3から解るように、赤外線照射パワーが
50mW/cm2 未満では照射時間を長くしても被着面積増大
の効果が顕著ではなく、上記パワーが50mW/cm2 以上で
上記効果が明らかに認められる。
As can be seen from Table 3, the infrared irradiation power is
When the irradiation time is longer than 50 mW / cm 2 , the effect of increasing the adhered area is not remarkable, and when the power is 50 mW / cm 2 or more, the above effect is clearly recognized.

【0036】例えば、赤外線照射時間を2分間としたと
きのパワーと被着面積比との関係を図示すると、図4に
示すようになる。
For example, FIG. 4 shows the relationship between the power and the area ratio when the infrared irradiation time is 2 minutes.

【0037】<実施例2>この例では、図5に概略を示
すように、図1の赤外線ランプ13に替えて、赤外線スト
ーブ(日立ホームテック社製VF840 FST型)15を使
用している。赤外線ストーブ15には、2本の石英ガラス
管の赤外熱線16A、16B(1本で 400W)を互いに平行
に水平に配し、これらの間に熱風循環のためのファン17
が配されている。但し、この例では、赤外熱線は下側の
16Aのみを使用している。ガラス基板11は、ITO膜12
の側を赤外熱線16Aに向け、両者の距離が約20cmになる
ように、図示しない支持手段に支持させている。
<Embodiment 2> In this embodiment, as schematically shown in FIG. 5, an infrared stove (VF840 FST type manufactured by Hitachi Hometech) 15 is used in place of the infrared lamp 13 of FIG. In the infrared stove 15, infrared heating wires 16A and 16B (400 W in one) of two quartz glass tubes are horizontally arranged in parallel with each other, and a fan 17 for circulating hot air is interposed therebetween.
Is arranged. However, in this example, the infrared heat ray is
Only 16A is used. The glass substrate 11 is made of an ITO film 12
Side is directed to the infrared heating wire 16A, and is supported by supporting means (not shown) so that the distance between the two is about 20 cm.

【0038】赤外熱線16Aは、図6に示す分光分布特性
(推定分光分布)を有するもので、近赤外と遠赤外との
双方の成分を含んでいる。
The infrared heat ray 16A has a spectral distribution characteristic (estimated spectral distribution) shown in FIG. 6, and contains both near infrared and far infrared components.

【0039】図7は、図5の装置を使用しての、赤外熱
線16Aによる照射時間と、ITO膜12が受光する単位面
積当たりのパワーとの関係を示すグラフである。
FIG. 7 is a graph showing the relationship between the irradiation time of the infrared heat ray 16A and the power per unit area received by the ITO film 12 using the apparatus of FIG.

【0040】図7から解るように、上記パワーは、電源
投入後約3分間経過した時点で約38.5mW/cm2 に到達
し、その後は明らかな増加が認められず、飽和してい
る。従って、この例にあっては、赤外線照射時間は10分
間のオーダが適当である。
As can be seen from FIG. 7, the above power reaches about 38.5 mW / cm 2 about 3 minutes after the power is turned on, and thereafter, the power is saturated without any apparent increase. Therefore, in this example, the infrared irradiation time is suitably on the order of 10 minutes.

【0041】赤外線照射を種々の時間(照射時間につい
ては後に説明する)行った直後、前記実施例1における
と同様にしてポリアミック酸溶液をITO膜上にスピン
コートし、熱処理を施してポリイミド膜を形成した。
Immediately after performing infrared irradiation for various times (irradiation time will be described later), a polyamic acid solution is spin-coated on the ITO film in the same manner as in Example 1 and heat treatment is performed to form a polyimide film. Formed.

【0042】この例において、赤外線照射時間とポリイ
ミド膜の面積比(前記実施例1におけると同様の面積の
割合)は、下記表4に示す通りである。
In this example, the infrared irradiation time and the area ratio of the polyimide film (the same area ratio as in Example 1) are as shown in Table 4 below.

【0043】 [0043]

【0044】なお、赤外線照射時間を10分間及び20分間
としたとき、ITO膜に前記実施例1におけると同様の
パターニングをした場合、表4と略同様の結果が得られ
た。
When the patterning of the ITO film was carried out in the same manner as in Example 1 when the infrared irradiation time was set to 10 minutes and 20 minutes, substantially the same results as in Table 4 were obtained.

【0045】表4から次のことが理解できる。この例に
あっても、赤外線照射によるポリイミド膜面積比増大の
効果が認められるが、約 100%の被覆結果を得るために
は、20分間の照射時間を要している。
The following can be understood from Table 4. In this example as well, the effect of increasing the polyimide film area ratio by infrared irradiation is observed, but it takes 20 minutes of irradiation time to obtain a coating result of about 100%.

【0046】この例において、前記実施例1におけると
同様に、ITO膜と赤外熱線との距離及び/又は赤外熱
線のパワーを変えての実験を行った。その結果は下記表
5に示す通りである。
In this example, as in the first embodiment, an experiment was conducted in which the distance between the ITO film and the infrared ray and / or the power of the infrared ray was changed. The results are as shown in Table 5 below.

【0047】 [0047]

【0048】 註)×印は面積比50%程度を、△印は同60〜75%を、○
印は同75〜85%を、◎印は同85〜95%を示し、括弧を付
した数値は具体例の条件及び結果を示す。
[0048] Note) × indicates area ratio of about 50%, △ indicates 60 to 75%, ○
The mark indicates 75 to 85%, and the mark ◎ indicates 85 to 95%, and the numerical value in parentheses indicates the conditions and results of the specific examples.

【0049】この例にあっては、赤外線照射パワーが10
mW/cm2 未満では被着面積増大の効果が顕著ではなく、
上記パワーが10mW/cm2 以上で上記効果が明らかに認め
られる。
In this example, the infrared irradiation power is 10
If it is less than mW / cm 2 , the effect of increasing the adhered area is not remarkable,
When the power is 10 mW / cm 2 or more, the above effect is clearly recognized.

【0050】例えば、赤外線照射時間を10分間としたと
きのパワーと被着面積比との関係を図示すると、図8に
示すようになる。
For example, FIG. 8 shows the relationship between the power and the coverage area ratio when the infrared irradiation time is set to 10 minutes.

【0051】以上の実施例1、2の結果から次のことが
理解できる。赤外線照射による上記効果がITO膜に到
達する積分エネルギー量に依存すると仮定すると、照射
時間を20分間以内にし度い場合は、赤外線源からは、分
光分布の 0.5〜6.0 μmの範囲内の成分が最低10mW/cm
2 の割合(実施例2)で、同0.5〜3.0 μmの範囲内の
成分が最低50mW/cm2 の割合(実施例1)でITO膜に
到達するようにする必要がある。特に後者の分光分布特
性を示す赤外線源を使用するのが好ましい。
The following can be understood from the results of Examples 1 and 2 described above. Assuming that the above effects of infrared irradiation depend on the amount of integrated energy that reaches the ITO film, if the irradiation time is set to less than 20 minutes, components within the range of 0.5 to 6.0 μm of the spectral distribution are obtained from the infrared source. 10mW / cm minimum
At a rate of 2 (Example 2), it is necessary that components within the range of 0.5 to 3.0 μm reach the ITO film at a rate of at least 50 mW / cm 2 (Example 1). In particular, it is preferable to use an infrared source exhibiting the latter spectral distribution characteristic.

【0052】<実施例3>実施例2で使用した赤外熱線
(図5の16A)を使用しても、これとITO膜との距離
を小さくして赤外線照射時間を短くする(実施例1にお
ける結果に近付ける)ことが可能である。
<Embodiment 3> Even when the infrared heat ray (16A in FIG. 5) used in Embodiment 2 is used, the distance between the infrared heat ray and the ITO film is shortened to shorten the infrared irradiation time (Example 1). ).

【0053】下記表6は、赤外熱線とITO膜との距離
を、15cm、16cm、20cmとし、これに対応するパワーに対
し、照射時間とポリイミド膜面積比との関係を求めた表
4と同様の表である。
Table 6 below shows the relationship between the irradiation time and the polyimide film area ratio with respect to the power corresponding to the distances between the infrared heat ray and the ITO film of 15 cm, 16 cm and 20 cm. It is a similar table.

【0054】 [0054]

【0055】以上、本発明の実施例を説明したが、基板
材料にはガラスのほか、透明アクリル樹脂等の透明なプ
ラスチックが使用できる。透明導電膜材料には、ITO
のほか、例えばインジウム酸化物や錫酸化物が使用でき
る。
Although the embodiments of the present invention have been described above, a transparent plastic such as a transparent acrylic resin can be used as a substrate material in addition to glass. The material of the transparent conductive film is ITO
Besides, for example, indium oxide or tin oxide can be used.

【0056】本発明の方法による工程を経てLCDを製
造するには、図9に示すフローチャートに従う。
In order to manufacture an LCD through the steps according to the method of the present invention, a flowchart shown in FIG. 9 is followed.

【0057】基板に透明導電膜及び配向膜をこの順に形
成した積層体は、1つのLCDに対して上下1対づつを
個別に製作するほか、図10に示すように、多数を碁盤の
目のように纏めて作製しておいて互いに直交する多数の
切断線19、20で切断して個々の積層体18とすることがで
きる。このようにすると、透明導電膜の被着及びパター
ニング並びに配向膜形成の工数を低減させられる。
A laminate in which a transparent conductive film and an alignment film are formed on a substrate in this order is manufactured separately for one LCD, one pair at a time, and as shown in FIG. Each of the laminates 18 can be manufactured in such a manner as described above, and cut by a large number of cutting lines 19 and 20 orthogonal to each other to form individual laminates 18. By doing so, the number of steps for depositing and patterning the transparent conductive film and forming the alignment film can be reduced.

【0058】[0058]

【発明の効果】本発明は、配向膜形成に当たって、少な
くとも透明導電膜を配向膜前駆体で被覆するので、溶剤
選択の自由度が高く、被覆作業が容易である。
According to the present invention, since at least the transparent conductive film is coated with the alignment film precursor in forming the alignment film, the degree of freedom in selecting a solvent is high and the coating operation is easy.

【0059】また、少なくとも透明導電膜に、分光分布
の 0.5〜6.0 μmの範囲内にある成分が10mW/cm2 以上
のエネルギーで到達するように光照射を行うので、配向
膜前駆体の透明導電膜に対する濡れ性や吸着性が改善さ
れ、被覆が確実になる。従って、前駆体を熱処理して形
成される配向膜も、被覆斑が無く、信頼性の高いものに
なる。
Further, since light irradiation is performed on at least the transparent conductive film so that components having a spectral distribution within the range of 0.5 to 6.0 μm reach with an energy of 10 mW / cm 2 or more, the transparent conductive film of the alignment film precursor is irradiated. The wettability and adsorptivity to the film are improved, and the coating is ensured. Therefore, the alignment film formed by heat-treating the precursor also has no coating unevenness and is highly reliable.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】第一の実施例の赤外線照射装置の概略正面図で
ある。
FIG. 1 is a schematic front view of an infrared irradiation device according to a first embodiment.

【図2】同、赤外線ランプの分光分布を示すグラフであ
る。
FIG. 2 is a graph showing a spectral distribution of the infrared lamp.

【図3】同、赤外線の照射時間とパワーとの関係を示す
グラフである。
FIG. 3 is a graph showing the relationship between infrared irradiation time and power.

【図4】同、照射赤外線のパワーとポリイミド膜面積と
の関係を示すグラフである。
FIG. 4 is a graph showing the relationship between the power of irradiation infrared rays and the area of a polyimide film.

【図5】第二の実施例の赤外線照射装置の概略斜視図で
ある。
FIG. 5 is a schematic perspective view of an infrared irradiation device according to a second embodiment.

【図6】同、赤外熱線の分光分布を示すグラフである。FIG. 6 is a graph showing the spectral distribution of infrared heat rays.

【図7】同、赤外線の照射時間とパワーとの関係を示す
グラフである。
FIG. 7 is a graph showing the relationship between infrared irradiation time and power.

【図8】同、照射赤外線のパワーとポリイミド膜面積と
の関係を示すグラフである。
FIG. 8 is a graph showing the relationship between the power of irradiation infrared rays and the area of a polyimide film.

【図9】第一、第二の実施例によるLCD製造工程のフ
ローチャートである。
FIG. 9 is a flowchart of an LCD manufacturing process according to the first and second embodiments.

【図10】他の実施例による配向膜形成の要領を示す平面
図である。
FIG. 10 is a plan view illustrating a procedure for forming an alignment film according to another embodiment.

【図11】LCDの概略断面図である。FIG. 11 is a schematic sectional view of an LCD.

【図12】図11の XII−XII 線拡大断面図である。FIG. 12 is an enlarged sectional view taken along line XII-XII of FIG. 11;

【図13】図11のXIII−XIII線拡大断面図である。FIG. 13 is an enlarged sectional view taken along line XIII-XIII of FIG. 11;

【図14】他のLCDの透明導電膜パターンを示す平面図
である。
FIG. 14 is a plan view showing a transparent conductive film pattern of another LCD.

【図15】赤外線照射を行わずして形成された配向膜前駆
体被膜の概略平面図である。
FIG. 15 is a schematic plan view of an alignment film precursor film formed without performing infrared irradiation.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1、2、11 ガラス基板 3、6、12 透明導電膜 4 画素電極 5 信号電極 7 共通電極 8、18 配向膜 9 液晶 13 赤外線ランプ 16A、16B 赤外熱線 19、20 切断線 1, 2, 11 Glass substrate 3, 6, 12 Transparent conductive film 4 Pixel electrode 5 Signal electrode 7 Common electrode 8, 18 Alignment film 9 Liquid crystal 13 Infrared lamp 16A, 16B Infrared heat ray 19, 20 Cutting line

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 基体表面上に配向膜を形成するに際し、 前記基体表面に導電膜を形成する工程と、 分光分布の 0.5〜6.0 μmの範囲内にある成分が10mW/
cm2 以上のエネルギーで到達するように、少なくとも前
記導電膜に光照射を行う工程と、 基体の前記光照射を行った面を、前記配向膜の前駆体で
被覆する工程と、 前記前駆体を熱処理して前記配向膜とする工程とを有す
る、配向膜の形成方法。
When forming an alignment film on the surface of a substrate, a step of forming a conductive film on the surface of the substrate includes the step of forming a film having a spectral distribution within a range of 0.5 to 6.0 μm by 10 mW /
irradiating at least the conductive film with light so as to reach with an energy of 2 cm2 or more; coating the light-irradiated surface of the substrate with a precursor of the alignment film; and Heat treating to form the alignment film.
【請求項2】 透明基体表面上に配向膜を形成するに際
し、 前記透明基体表面に透明導電膜を形成する工程と、 分光分布の 0.5〜6.0 μmの範囲内にある成分が10mW/
cm2 以上のエネルギーで到達するように、少なくとも前
記透明導電膜に光照射を行う工程と、 前記透明基体の前記光照射を行った面を、前記配向膜の
構成材料の前駆体でスピンコート法により被覆する工程
と、 前記前駆体の被覆層を熱処理して前記配向膜とする工程
とを有する、配向膜の形成方法。
2. A method for forming an alignment film on a surface of a transparent substrate, comprising the steps of: forming a transparent conductive film on the surface of the transparent substrate; and providing a component having a spectral distribution within a range of 0.5 to 6.0 μm at 10 mW /
At least a step of irradiating the transparent conductive film with light so as to reach with an energy of 2 cm or more, and a spin-coating method using a precursor of a constituent material of the alignment film on a surface of the transparent substrate on which the light irradiation is performed. And a step of heat-treating the precursor coating layer to form the alignment film.
【請求項3】 分光分布の 0.5〜3.0 μmの範囲内にあ
る成分が50mW/cm2以上のエネルギーで到達するように
光照射を行う、請求項1又は2に記載された、配向膜の
形成方法。
3. The formation of an alignment film according to claim 1, wherein light irradiation is performed so that components having a spectral distribution within a range of 0.5 to 3.0 μm reach with an energy of 50 mW / cm 2 or more. Method.
【請求項4】 光照射の直後に、基体をその重心を中心
として基体面内で高速回転させながらポリイミド前駆体
による被覆を行い、次いで、加熱によって前記ポリイミ
ド前駆体をイミド化させ、前記ポリイミド前駆体の被覆
層を配向膜とする、請求項1〜3のいずれかに記載され
た、配向膜の形成方法。
4. Immediately after the light irradiation, the substrate is coated with a polyimide precursor while being rotated at a high speed around the center of gravity of the substrate in the plane of the substrate, and then the polyimide precursor is imidized by heating. The method for forming an alignment film according to claim 1, wherein the body covering layer is an alignment film.
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