JP3152098B2 - Manufacturing method of ceramic laminated electronic component - Google Patents

Manufacturing method of ceramic laminated electronic component

Info

Publication number
JP3152098B2
JP3152098B2 JP7912095A JP7912095A JP3152098B2 JP 3152098 B2 JP3152098 B2 JP 3152098B2 JP 7912095 A JP7912095 A JP 7912095A JP 7912095 A JP7912095 A JP 7912095A JP 3152098 B2 JP3152098 B2 JP 3152098B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
metal film
ceramic
forming
green sheet
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP7912095A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH08279438A (en
Inventor
紀之 久保寺
芳明 河野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Priority to JP7912095A priority Critical patent/JP3152098B2/en
Priority to DE69635566T priority patent/DE69635566T2/en
Priority to EP96400545A priority patent/EP0732735B1/en
Priority to KR1019960007095A priority patent/KR100230122B1/en
Priority to CN96107363A priority patent/CN1132203C/en
Priority to US08/617,177 priority patent/US5769985A/en
Publication of JPH08279438A publication Critical patent/JPH08279438A/en
Priority to US08/807,437 priority patent/US5985068A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3152098B2 publication Critical patent/JP3152098B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、薄膜形成法により形成
された内部電極を有するセラミック積層電子部品の製造
方法に関し、特に、内部電極の形成から焼成に至るまで
の工程が改良されたセラミック積層電子部品の製造方法
に関する。本発明は、例えば、積層コンデンサ、積層圧
電部品、セラミック多層基板などの種々のセラミック積
層電子部品の製造方法に利用することができる。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a ceramic laminated electronic component having an internal electrode formed by a thin film forming method, and more particularly, to a ceramic laminated electronic component in which steps from formation of an internal electrode to firing are improved. The present invention relates to a method for manufacturing an electronic component. INDUSTRIAL APPLICATION This invention can be utilized for the manufacturing method of various ceramic laminated electronic components, such as a laminated capacitor, a laminated piezoelectric component, and a ceramic multilayer substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】例えば、積層コンデンサなどのような内
部電極を有するセラミック積層電子部品の製造に際して
は、金属−セラミックス一体焼成技術が用いられてい
る。すなわち、セラミックグリーンシート上に導電ペー
ストをパターン印刷し、内部電極を形成する。次に、内
部電極が形成されたセラミックグリーンシートを複数枚
積層し、上下に内部電極の印刷されていないセラミック
グリーンシートを適宜の枚数積層し、セラミック積層体
を得る。あるいは、セラミックスペーストと導電ペース
トとを順次所定の形状に印刷し、セラミック積層体を得
る。しかる後、上記のようにして得られたセラミック積
層体を厚み方向に加圧し、セラミック層同士を密着させ
る。しかる後、セラミック積層体を焼成し、焼結体を得
る。得られた焼結体の外表面に、適宜の外部電極を形成
し、セラミック積層電子部品を得る。
2. Description of the Related Art For example, when manufacturing a ceramic multilayer electronic component having internal electrodes such as a multilayer capacitor, a metal-ceramic integrated firing technique is used. That is, a conductive paste is pattern-printed on a ceramic green sheet to form internal electrodes. Next, a plurality of ceramic green sheets on which internal electrodes are formed are laminated, and an appropriate number of ceramic green sheets on which no internal electrodes are printed are laminated on the upper and lower sides to obtain a ceramic laminate. Alternatively, the ceramic paste and the conductive paste are sequentially printed in a predetermined shape to obtain a ceramic laminate. Thereafter, the ceramic laminate obtained as described above is pressed in the thickness direction to bring the ceramic layers into close contact with each other. Thereafter, the ceramic laminate is fired to obtain a sintered body. Appropriate external electrodes are formed on the outer surface of the obtained sintered body to obtain a ceramic laminated electronic component.

【0003】近年、電子部品においては一層の小型化が
求められており、セラミック積層電子部品においても小
型化及び薄型化が強く求められている。セラミック積層
電子部品の小型化及び薄型化を進める場合、内部電極間
に挟まれているセラミック層の厚みを薄くすることが必
要となり、従って、より薄いセラミックグリーンシート
を用いてセラミック積層体を作製しなければならない。
In recent years, electronic components have been required to be further reduced in size, and ceramic laminated electronic components have also been strongly required to be reduced in size and thickness. In order to reduce the size and thickness of ceramic multilayer electronic components, it is necessary to reduce the thickness of the ceramic layer sandwiched between the internal electrodes. Therefore, a ceramic laminate is manufactured using thinner ceramic green sheets. There must be.

【0004】しかしながら、セラミックグリーンシート
の厚みを薄くするにも限度があり、薄くなり過ぎた場合
にはセラミックグリーンシートを単体で扱うことができ
なくなる。加えて、セラミック積層体を得た段階で、内
部電極が重なり合っている部分では、内部電極が存在し
ない部分に比べて厚みが大きくなり、両者の間で段差が
生じがちであった。特に、焼結に先立って厚み方向にセ
ラミック積層体を加圧した段階で、上記段差が生じてい
るため、内部電極の重なり合っている部分においてのみ
上下の層が加圧され、他の領域では十分に加圧されない
ことがあった。その結果、焼結体においてデラミネーシ
ョンと称されている層間剥離現象が生じがちであった。
さらに、セラミックグリーンシート中の溶剤により、内
部電極が膨潤し、所望の形状の内部電極を正確に形成す
ることができないこともあった。
[0004] However, there is a limit in reducing the thickness of the ceramic green sheet. If the thickness is too small, the ceramic green sheet cannot be handled alone. In addition, at the stage of obtaining the ceramic laminate, the portion where the internal electrodes overlap is thicker than the portion where the internal electrodes are not present, and a step tends to occur between the two. In particular, at the stage where the ceramic laminate is pressed in the thickness direction prior to sintering, since the steps are generated, the upper and lower layers are pressed only in the overlapping portions of the internal electrodes, and in other regions, Was not pressurized. As a result, a delamination phenomenon called delamination tends to occur in the sintered body.
Furthermore, the internal electrode swells due to the solvent in the ceramic green sheet, and an internal electrode having a desired shape may not be accurately formed.

【0005】従って、セラミックグリーンシートの厚み
を6μm程度以下とすることは非常に困難であった。上
記のような問題は、セラミックスペーストと導電ペース
トを交互に印刷しセラミック積層体を得る方法でも同様
であった。
Therefore, it has been very difficult to reduce the thickness of the ceramic green sheet to about 6 μm or less. The above-mentioned problem is the same in a method of printing a ceramic paste and a conductive paste alternately to obtain a ceramic laminate.

【0006】そこで、上記のような問題を解決するため
に、薄膜形成法により形成された金属膜を内部電極とし
て用いる方法、例えば下記の第1,第2の方法が提案さ
れている。
In order to solve the above-mentioned problems, a method has been proposed in which a metal film formed by a thin film forming method is used as an internal electrode, for example, the following first and second methods.

【0007】第1の方法では、例えば、図1に示すよう
に、支持体1上にスパッタリングなどの薄膜形成法によ
り金属膜を全面に形成する。次に、上記金属膜上に電極
形状に応じた開口を有するレジスト層を形成し、フォト
リソグラフィーにより金属膜をパターン化する。このよ
うにして、図1に示されている金属膜2を形成する。し
かる後、金属膜2上において、セラミックグリーンシー
ト3を形成する。上記金属膜2及びセラミックグリーン
シート3の形成工程を繰り返すことにより、積層体4を
得る。
In the first method, for example, as shown in FIG. 1, a metal film is formed on the entire surface of a support 1 by a thin film forming method such as sputtering. Next, a resist layer having an opening corresponding to the shape of the electrode is formed on the metal film, and the metal film is patterned by photolithography. Thus, the metal film 2 shown in FIG. 1 is formed. Thereafter, a ceramic green sheet 3 is formed on the metal film 2. The laminate 4 is obtained by repeating the steps of forming the metal film 2 and the ceramic green sheet 3.

【0008】第2の方法では、特開昭64−42809
号公報に開示されているように、合成樹脂からなる第1
のフィルム上にセラミックグリーンシートを形成し、他
方、第2の支持フィルム上に薄膜形成法により金属膜を
形成する。しかる後、第2の支持フィルムに支持された
金属膜を第1の支持フィルム上にセラミックグリーンシ
ート上に転写し、金属膜一体化グリーンシートを得る。
上記のようにして得た金属膜一体化グリーンシートを複
数枚積層することにより、セラミック積層体を得る。
The second method is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. Sho 64-42809.
As disclosed in Japanese Unexamined Patent Publication No.
And a metal film is formed on the second support film by a thin film forming method. Thereafter, the metal film supported by the second support film is transferred onto the ceramic green sheet on the first support film to obtain a metal film integrated green sheet.
By laminating a plurality of green sheets integrated with a metal film obtained as described above, a ceramic laminate is obtained.

【0009】上述した薄膜形成法により形成された金属
膜を内部電極として用いる第1〜第2の方法では、導電
ペーストを用いた内部電極形成方法に比べて、内部電極
の厚みを薄くすることができる。
In the first and second methods using the metal film formed by the above-mentioned thin film forming method as the internal electrode, the thickness of the internal electrode can be reduced as compared with the internal electrode forming method using the conductive paste. it can.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た第1,第2の方法のいずれにおいても、内部電極の厚
みはある程度薄くし得るものの、より一層セラミック積
層電子部品の薄型化を進めた場合には、積層数が増大
し、内部電極間で挟まれているセラミック層の厚みに対
して内部電極の厚みが大きくなってくる。そのため、第
1の方法では、図2に示すように、得られた積層体5に
おいて、セラミックグリーンシートのみが積層されてい
る部分6と内部電極8が重なり合っている部分7とで、
やはり厚みの差が生じてくる。従って、得られた積層体
を厚み方向に加圧した場合、内部電極8が重なり合って
いる部分にのみ圧力が加わりがちとなり、内部電極が重
なり合っていない領域におけるセラミック層同士の密着
性が損なわれる。よって、最終的に得られた焼結体にお
いて、デラミネーションが生じ易くなるという問題があ
った。
However, in both of the first and second methods described above, although the thickness of the internal electrode can be reduced to some extent, when the thickness of the ceramic multilayer electronic component is further reduced. However, the number of layers increases, and the thickness of the internal electrodes becomes larger than the thickness of the ceramic layer sandwiched between the internal electrodes. Therefore, in the first method, as shown in FIG. 2, in the obtained laminate 5, a portion 6 where only the ceramic green sheets are laminated and a portion 7 where the internal electrode 8 overlaps,
Again, a difference in thickness occurs. Therefore, when the obtained laminate is pressed in the thickness direction, pressure tends to be applied only to the portion where the internal electrodes 8 overlap, and the adhesion between the ceramic layers in a region where the internal electrodes do not overlap is impaired. Therefore, there is a problem that delamination easily occurs in the finally obtained sintered body.

【0011】また、上記第1の方法では、金属膜を支持
体上に形成した後に、レジスト層によるパターン形成及
びエッチング、レジスト層の除去等の複雑な処理を必要
とし、従って工程が煩雑となるという問題もあった。
In the first method, after a metal film is formed on a support, complicated processes such as pattern formation and etching with a resist layer, removal of the resist layer, and the like are required, and thus the process becomes complicated. There was also a problem.

【0012】また、転写法を用いた第2の方法において
も、やはり、薄型化の進行に伴い、内部電極が重なり合
っている部分の厚みが、内部電極の重なり合っていない
領域の厚みに比べて厚くなる。従って、同様に、得られ
た積層体において、デラミネーションが生じがちである
という問題があった。加えて、セラミックグリーンシー
トの厚みを薄くした場合には、やはり、金属膜一体化グ
リーンシートの厚みが薄くなり、取扱いが困難となる。
さらに、セラミックグリーンシート上に金属膜を転写し
て金属膜一体化グリーンシートを形成しているため、金
属膜のパターン精度が十分でないことがあった。
Also, in the second method using the transfer method, the thickness of the portion where the internal electrodes overlap also becomes thicker than the thickness of the non-overlapping region of the internal electrodes as the thickness of the device decreases. Become. Accordingly, similarly, there is a problem that delamination tends to occur in the obtained laminate. In addition, when the thickness of the ceramic green sheet is reduced, the thickness of the metal film-integrated green sheet is also reduced, which makes handling difficult.
Furthermore, since a metal film is transferred onto a ceramic green sheet to form a metal film-integrated green sheet, the pattern accuracy of the metal film may not be sufficient.

【0013】のみならず、金属膜とセラミックグリーン
シートとを一体化するに際し、金属膜が存在しない部分
では、セラミックグリーンシートが第2の支持フィルム
に接触されることになる。従って、一体化後に第2の支
持フィルムを金属膜一体化グリーンシートから剥離する
必要があるので、金属膜及びセラミックグリーンシート
の双方に対しての第2の支持フィルムの剥離性が良好な
ことが要求される。しかしながら、そのような要求を満
たすことは難しく、従って、第2の支持フィルムの剥離
に際しセラミックグリーンシートが破損しがちであっ
た。
In addition, when the metal film and the ceramic green sheet are integrated, the ceramic green sheet is brought into contact with the second support film in a portion where the metal film does not exist. Therefore, it is necessary to peel off the second support film from the metal film-integrated green sheet after the integration, so that the peelability of the second support film from both the metal film and the ceramic green sheet is good. Required. However, it is difficult to satisfy such requirements, and the ceramic green sheet tends to be broken when the second support film is peeled off.

【0014】本発明の目的は、内部電極が形成されてい
る領域と形成されていない領域との間のセラミック積層
体段階における厚みの差を低減し、従ってデラミネーシ
ョン等の発生を効果的に抑制することができるセラミッ
ク積層電子部品の製造方法を提供することにある。
An object of the present invention is to reduce the difference in thickness between the region where the internal electrodes are formed and the region where the internal electrodes are not formed at the stage of the ceramic laminate, and thus effectively suppress the occurrence of delamination and the like. It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a ceramic laminated electronic component which can be performed.

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段】本発明は、薄膜形成法に
より内部電極を形成する工程を含むセラミック積層電子
部品の製造方法であり、以下の工程を備えることを特徴
とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is a method of manufacturing a ceramic laminated electronic component including a step of forming an internal electrode by a thin film forming method, and comprises the following steps.

【0016】すなわち、本発明は、支持体上に第1の金
属膜を薄膜形成法により形成する工程と、前記第1の金
属膜上に、部分的に、前記第1の金属膜よりも厚みの大
きな第2の金属膜を薄膜形成法により形成して多層金属
膜を形成する工程と、前記多層金属膜を内部に含むセラ
ミック積層体を形成する工程と、前記セラミック積層体
中の第2の金属膜の下方に位置していない第1の金属膜
部分を、構成金属成分がセラミックス中に拡散するよう
にして絶縁物化するとともに、前記セラミックスを焼成
する工程とを備えることを特徴とする、セラミック積層
電子部品の製造方法である。
That is, according to the present invention, there is provided a step of forming a first metal film on a support by a thin film forming method, and a step of partially forming a thickness on the first metal film which is larger than that of the first metal film. Forming a second metal film having a large thickness by a thin film forming method to form a multilayer metal film, forming a ceramic laminate including the multilayer metal film therein, and forming a second metal film in the ceramic laminate. A first metal film portion that is not located below the metal film is converted into an insulator so that constituent metal components diffuse into the ceramic, and the ceramic is fired. This is a method for manufacturing a laminated electronic component.

【0017】本発明のある特定的な局面では、上記第1
の金属膜の厚みは100nm以下、第2の金属膜の厚み
は300nm以上、1000nm以下とされる。これ
は、第1の金属膜は、セラミックスの焼成に際し、上記
のように第2の金属膜の下方に位置しない第1の金属膜
部分が絶縁物化されるように構成される必要があるから
である。すなわち、第1の金属膜の厚みを100nm以
下とすることにより、第1の金属膜を構成している金属
成分を加熱によりセラミックス中に酸化物イオンの形態
で容易に拡散することができる。また、第2の金属膜の
厚みを300nm以上とするのは、上記第1の金属膜部
分の絶縁物化に際し、第2の金属膜の酸化を防止するた
めにある。すなわち、第2の金属膜は、あくまでも内部
電極として機能する部分であるため、酸化されてはなら
ず、従って上記のように好ましくは、300nm以上の
厚みに形成される。なお、第2の金属膜の厚みの上限は
特に限定されるものではないが、セラミック積層電子部
品の内部電極として用いるため及び本発明の目的である
段差を低減するためには、通常、1000nm以下とさ
れる。
In a specific aspect of the present invention, the first
The thickness of the metal film is 100 nm or less, and the thickness of the second metal film is 300 nm or more and 1000 nm or less. This is because the first metal film needs to be configured such that the first metal film portion not located below the second metal film is converted into an insulator when the ceramic is fired as described above. is there. That is, by setting the thickness of the first metal film to 100 nm or less, the metal component constituting the first metal film can be easily diffused into the ceramics in the form of oxide ions by heating. The reason why the thickness of the second metal film is set to 300 nm or more is to prevent oxidation of the second metal film when the first metal film portion is made into an insulator. That is, since the second metal film is a portion that functions as an internal electrode to the last, it must not be oxidized, and therefore is preferably formed to a thickness of 300 nm or more as described above. Although the upper limit of the thickness of the second metal film is not particularly limited, it is usually 1000 nm or less for use as an internal electrode of the ceramic laminated electronic component and for reducing the step which is the object of the present invention. It is said.

【0018】また、本発明の別の特定的な局面では、上
記第1の金属膜部分の絶縁物化及びセラミックスの焼成
は、第1の金属膜が酸化し、第2の金属膜が酸化しない
酸素分圧下でセラミック積層体を焼成することにより行
われる。すなわち、酸素分圧を上記のように制御するこ
とにより、セラミックスの焼成に際し、第1の金属膜を
酸化させ、第2の金属膜の下方に位置していない第1の
金属膜部分を絶縁物化し、他方第2の金属膜の酸化を防
止することができる。この場合の酸素分圧の値は、第
1,第2の金属膜を構成するための材料、第1,第2の
金属膜の厚み、焼成に際しての温度及び時間等によって
異なるため、一義的には定め得ない。
In another specific aspect of the present invention, the first metal film portion is made into an insulator and the ceramic is fired by oxidizing the first metal film and oxidizing the second metal film without oxidizing the second metal film. This is performed by firing the ceramic laminate under a partial pressure. That is, by controlling the oxygen partial pressure as described above, the first metal film is oxidized during firing of the ceramics, and the first metal film portion that is not located below the second metal film is insulated. And oxidation of the second metal film can be prevented. Since the value of the oxygen partial pressure in this case differs depending on the material for forming the first and second metal films, the thickness of the first and second metal films, the temperature and time for firing, and the like, it is univocally. Cannot be determined.

【0019】なお、本発明において、上記多層金属膜を
形成する工程は、適宜のフォトリソグラフィ技術を用い
て実施し得るが、例えば、第1の金属膜上にパターン孔
が設けられたレジスト層を形成する段階と、次に、レジ
スト層のパターン孔内に第2の金属膜を薄膜形成法によ
り形成する段階と、上記レジスト層を除去する段階とを
実施することにより行い得る。
In the present invention, the step of forming the above-mentioned multilayer metal film can be carried out by using an appropriate photolithography technique. For example, a resist layer provided with pattern holes on the first metal film may be used. The step of forming, the step of forming a second metal film in the pattern hole of the resist layer by a thin film forming method, and the step of removing the resist layer can be performed.

【0020】また、上記多層金属膜を内部に有するセラ
ミック積層体を得る工程についても、従来から公知の転
写法などを用いて実施することができる。本発明のある
特定の局面によれば、上記セラミック積層体を形成する
工程は、多層金属膜上にセラミックグリーンシートを適
宜の方法で成形し、金属膜一体化グリーンシートを得る
段階と、上記金属膜一体化グリーンシートを積層する段
階とを実施することにより行われる。また、本発明の別
の特定の局面によれば、上記セラミック積層体を形成す
る工程は、第2の支持体上にセラミックグリーンシート
を形成する段階と、セラミックグリーンシート上に上記
支持体に支持されている多層金属膜を転写し、金属膜一
体化グリーンシートを得る段階と、複数の金属膜一体化
グリーンシートを順次転写することにより積層し、セラ
ミック積層体を得る段階とを備える転写法により行われ
る。この転写法の場合、好ましくは、ロール状プレスを
用いて多層金属膜がセラミックグリーンシート上に転写
され得る。
The step of obtaining a ceramic laminate having the above-mentioned multilayer metal film inside can also be carried out by using a conventionally known transfer method or the like. According to a specific aspect of the present invention, the step of forming the ceramic laminate includes forming a ceramic green sheet on a multilayer metal film by an appropriate method to obtain a metal film-integrated green sheet; And laminating a film-integrated green sheet. According to another specific aspect of the present invention, the step of forming the ceramic laminate includes forming a ceramic green sheet on a second support and supporting the ceramic green sheet on the ceramic green sheet. Transferring a multilayer metal film that has been obtained, a step of obtaining a metal film integrated green sheet, and a step of sequentially transferring and stacking a plurality of metal film integrated green sheets to obtain a ceramic laminated body by a transfer method including Done. In the case of this transfer method, preferably, the multilayer metal film can be transferred onto the ceramic green sheet using a roll press.

【0021】[0021]

【発明の作用及び効果】本発明のセラミック積層電子部
品の製造方法では、第1の金属膜が全面に形成され、該
第1の金属膜を設けたことにより、内部電極が重なり合
う領域(第2の金属膜が重なり合う領域)と、内部電極
が重なり合わない領域との段差を小さくすることができ
る。従って、得られた焼結体におけるデラミネーション
の発生を効果的に低減することができる。
According to the method for manufacturing a ceramic laminated electronic component of the present invention, the first metal film is formed on the entire surface, and the first metal film is provided, so that the region where the internal electrodes overlap (the second electrode) is formed. (The region where the metal films overlap) and the region where the internal electrodes do not overlap can be reduced. Therefore, the occurrence of delamination in the obtained sintered body can be effectively reduced.

【0022】しかも、第1層目の金属膜は、セラミック
スの焼成工程において絶縁物化される。従って、段差を
低減するために形成されている第1の金属膜は、最終的
には導体として機能しない。よって、第1の金属膜を形
成したとしても、短絡不良などは生じない。加えて、第
1の金属膜を後工程においてエッチング等により部分的
に除去する必要がないため、多層金属膜を得るのに余分
な工程を必要としない。
In addition, the first metal film is converted into an insulating material in the firing step of the ceramic. Therefore, the first metal film formed to reduce the step does not eventually function as a conductor. Therefore, even if the first metal film is formed, a short circuit failure does not occur. In addition, since it is not necessary to partially remove the first metal film by etching or the like in a later step, an extra step is not required to obtain a multilayer metal film.

【0023】さらに、第1の金属膜は、セラミックス中
に酸化物イオンの形態で拡散されるが、この第1の金属
膜の組成を制御することにより、セラミックスの組成を
制御することも可能となる。よって、所望の特性を発揮
し得るセラミック積層電子部品を提供することが可能と
なる。
Further, the first metal film is diffused in the form of oxide ions in the ceramics. By controlling the composition of the first metal film, it is possible to control the composition of the ceramics. Become. Therefore, it is possible to provide a ceramic laminated electronic component capable of exhibiting desired characteristics.

【0024】さらに、多層金属膜は支持体に支持されて
いるが、この状態では、支持体に対して第1の金属膜の
みが接触されている。よって、支持体に対する多層金属
膜の離型性を考慮する場合、第1の金属膜に対する離型
性のみを考慮して支持体を選択すればよいため、支持体
の離型性の設計を容易に行うことができる。従って、例
えば第2の支持体上に形成されたセラミックグリーンシ
ート上に、多層金属膜を転写する場合には、支持体から
多層金属膜を円滑に剥離することができる。加えて、第
2の支持体はセラミックグリーンシートとのみ接触され
ているため、第2の支持体の離型性についても、セラミ
ックグリーンシートに対する離型性のみを考慮すればよ
いため、第2の支持体の離型性の設計も容易となる。
Further, the multilayer metal film is supported by the support, but in this state, only the first metal film is in contact with the support. Therefore, when considering the releasability of the multilayer metal film with respect to the support, the support may be selected in consideration of only the releasability with respect to the first metal film. Can be done. Therefore, for example, when the multilayer metal film is transferred onto the ceramic green sheet formed on the second support, the multilayer metal film can be smoothly separated from the support. In addition, since the second support is in contact only with the ceramic green sheet, the second support may have only the releasability with respect to the ceramic green sheet. Design of the releasability of the support is also facilitated.

【0025】本発明は、積層コンデンサ、積層セラミッ
ク圧電部品、セラミック多層基板などの種々の内部電極
含有セラミック積層電子部品の製造方法に適用すること
ができる。
The present invention can be applied to a method for manufacturing various kinds of ceramic laminated electronic parts containing internal electrodes, such as multilayer capacitors, laminated ceramic piezoelectric parts, and ceramic multilayer substrates.

【0026】[0026]

【実施例の説明】以下、本発明の非限定的な実施例を説
明することにより、本発明を明らかにする。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be clarified by describing non-limiting embodiments of the present invention.

【0027】なお、以下の実施例は、積層コンデンサの
製造に適用した例であるが、未焼成のセラミック積層体
を得る段階までは、マザーの多層金属膜及びマザーのセ
ラミックグリーンシートを用いて行われている。
The following embodiment is an example in which the present invention is applied to the manufacture of a multilayer capacitor. However, the steps up to the step of obtaining an unfired ceramic laminate are performed using a mother multilayer metal film and a mother ceramic green sheet. Have been done.

【0028】実施例1 図3(a)に示すように、第1の支持体としてのポリエ
チレンテレフタレート(PET)フィルム11を用意し
た。PETフィルム11の上面には、シリコン樹脂(図
示せず)がコーティングされている。上記PETフィル
ム11上に、第1の金属膜12を形成する。ここでは、
第1の金属膜12は、蒸着法により厚み70nmのAg
膜を全面に形成することにより構成されている。
Example 1 As shown in FIG. 3A, a polyethylene terephthalate (PET) film 11 was prepared as a first support. The upper surface of the PET film 11 is coated with a silicone resin (not shown). On the PET film 11, a first metal film 12 is formed. here,
The first metal film 12 is made of Ag having a thickness of 70 nm by an evaporation method.
It is configured by forming a film on the entire surface.

【0029】次に、第1の金属膜12上に、1μmの厚
みのレジスト層を塗布し、露光及び現像処理を行うこと
により、図3(b)に示すように、パターニングされた
レジスト層13を形成する。
Next, a resist layer having a thickness of 1 μm is applied on the first metal film 12, and is subjected to exposure and development treatments, thereby forming the patterned resist layer 13 as shown in FIG. To form

【0030】次に、レジスト層13のパターン孔13a
内に、第2の金属膜14を薄膜形成法により形成する。
本実施例では、第2の金属膜14は、0.5μmの厚み
となるようにPdを電気メッキすることにより形成され
ている。
Next, the pattern holes 13a of the resist layer 13 are formed.
Inside, a second metal film 14 is formed by a thin film forming method.
In this embodiment, the second metal film 14 is formed by electroplating Pd so as to have a thickness of 0.5 μm.

【0031】次に、レジスト層13をレジスト剥離液な
どにより除去する。このようにして、図4に示す多層金
属膜15が得られる。多層金属膜15では、第1の金属
膜12上に部分的に第2の金属膜14が形成されてい
る。従って、多層金属膜15は、第1の金属膜12の下
面においてのみ、PETフィルム11と接触されてい
る。よって、PETフィルム11の離型性は、第1の金
属膜12のみを考慮して設定すればよいため、PETフ
ィルム11の上面における離型性の設計が容易であるこ
とがわかる。
Next, the resist layer 13 is removed with a resist stripper or the like. Thus, the multilayer metal film 15 shown in FIG. 4 is obtained. In the multilayer metal film 15, the second metal film 14 is partially formed on the first metal film 12. Therefore, the multilayer metal film 15 is in contact with the PET film 11 only on the lower surface of the first metal film 12. Therefore, since the releasability of the PET film 11 may be set in consideration of only the first metal film 12, it is understood that the releasability on the upper surface of the PET film 11 can be easily designed.

【0032】なお、上記第2の金属膜14が、最終的に
内部電極として用いられる部分に相当し、第1の金属膜
12は後述の処理により絶縁物化される。次に、上記P
ETフィルム11上において、多層金属膜15上にセラ
ミックグリーンシートを形成する。本実施例では、セラ
ミックスラリーを、マイクログラビア法により厚み8μ
mとなるようにシート成形することにより、セラミック
グリーンシート16が成形されている(図5参照)。
The second metal film 14 corresponds to a portion finally used as an internal electrode, and the first metal film 12 is made into an insulator by a process described later. Next, the above P
On the ET film 11, a ceramic green sheet is formed on the multilayer metal film 15. In the present embodiment, the ceramic slurry was applied to a thickness of 8 μm by a microgravure method.
The ceramic green sheet 16 is formed by forming the sheet so as to obtain m (see FIG. 5).

【0033】図5に示すように、上記セラミックグリー
ンシート16の形成により、金属膜一体化グリーンシー
ト17がPETフィルム11に支持された状態で用意さ
れる。
As shown in FIG. 5, by forming the ceramic green sheet 16, the metal film-integrated green sheet 17 is prepared while being supported by the PET film 11.

【0034】次に、上記金属膜一体化グリーンシート1
7を順次積層することにより、図6に示す積層体18が
得られる。なお、図6においては、積層体18の下方の
幾つかの層のみが図示されているが、実際には、上方
に、さらに複数の金属膜一体化グリーンシートが積層さ
れている。また、19は積層に際しての支持フィルムを
示す。
Next, the metal sheet integrated green sheet 1
By laminating layers 7 sequentially, a laminated body 18 shown in FIG. 6 is obtained. Although FIG. 6 shows only some layers below the laminate 18, actually, a plurality of metal film integrated green sheets are further laminated on the upper side. Reference numeral 19 denotes a support film for lamination.

【0035】上記のようにして得たマザーのセラミック
積層体18を、個々の積層コンデンサ単位の未焼成のセ
ラミック積層体となるように厚み方向に切断し、個々の
積層コンデンサ用セラミック積層体を得る。
The mother ceramic laminate 18 obtained as described above is cut in the thickness direction so as to form an unfired ceramic laminate for each individual multilayer capacitor, thereby obtaining individual ceramic laminates for a multilayer capacitor. .

【0036】次に、得られたセラミック積層体を大気中
において、1200℃の温度で4時間維持することによ
り焼成する。この焼成において、未焼成のセラミックス
が焼成されるだけでなく、第1の金属膜12が絶縁物化
される。すなわち、第1の金属膜12を構成している金
属成分が酸化物イオンとなって周囲のセラミックス中に
拡散し絶縁物化する。従って、得られた焼結体の横断面
を図7で示すように、得られた焼結体20においては、
第2の金属膜14からなる内部電極のみが焼結体20中
において残存している。なお、図7においても、幾つか
の第2の金属膜14のみを示しているが、実際には、上
方に、多数の第2の金属膜が内部電極としてセラミック
層を介して重なり合っている。
Next, the obtained ceramic laminate is fired in the atmosphere by maintaining it at a temperature of 1200 ° C. for 4 hours. In this firing, not only the unfired ceramic is fired, but also the first metal film 12 is turned into an insulator. That is, the metal component constituting the first metal film 12 becomes oxide ions and diffuses into the surrounding ceramics to become an insulator. Therefore, as shown in FIG. 7, a cross section of the obtained sintered body is obtained.
Only the internal electrode made of the second metal film 14 remains in the sintered body 20. Note that FIG. 7 also shows only some of the second metal films 14, but actually, a large number of second metal films overlap with each other via ceramic layers as internal electrodes.

【0037】上記のようにして得た焼結体20の両端面
に一対の外部電極を形成することにより、図8に示す積
層コンデンサ21を得る。積層コンデンサ21において
は、焼結体20内において第2の金属膜14からなる複
数の内部電極がセラミック層を介して重なり合ってい
る。なお、22a,22bは外部電極を示し、外部電極
22a,22bは、導電ペーストの塗布・焼き付けある
いはメッキなどの適宜の方法により形成することができ
る。
The multilayer capacitor 21 shown in FIG. 8 is obtained by forming a pair of external electrodes on both end surfaces of the sintered body 20 obtained as described above. In the multilayer capacitor 21, a plurality of internal electrodes made of the second metal film 14 are overlapped via the ceramic layer in the sintered body 20. Note that reference numerals 22a and 22b denote external electrodes, and the external electrodes 22a and 22b can be formed by an appropriate method such as application and baking of conductive paste or plating.

【0038】上記のようにして得た積層コンデンサにつ
いて、内部電極が重なり合っている部分と、重ねられて
いない部分との段差を調べたところ、第1の金属膜の厚
み×第1の金属膜の積層枚数の分だけ段差が小さくされ
得ることが確かめられた。
In the multilayer capacitor obtained as described above, the step between the portion where the internal electrode overlaps and the portion where the internal electrode does not overlap was examined. The thickness of the first metal film × the thickness of the first metal film. It was confirmed that the step could be reduced by the number of layers.

【0039】また、上記積層コンデンサを20個用意
し、図8に示す断面が露出するように切断し、デラミネ
ーションの有無を観察したところ、デラミネーションは
認められなかった。同様に、図8に示されている断面と
直交する断面が露出するように20個の積層コンデンサ
を切断し、断面を観察したところ、やはりデラミネーシ
ョンは認められなかった。
Further, 20 laminated capacitors were prepared, and cut so that the cross section shown in FIG. 8 was exposed, and the presence or absence of delamination was observed. As a result, no delamination was observed. Similarly, when 20 multilayer capacitors were cut so that a cross section orthogonal to the cross section shown in FIG. 8 was exposed, and the cross sections were observed, no delamination was observed.

【0040】比較のために、従来法、すなわち従来技術
の説明の項で記載した第1の方法に従って得た相当の積
層コンデンサについて、デラミネーションの有無を観察
したところ、図8に示す断面と同方向の断面を観察した
場合、20個の積層コンデンサ中、5個の積層コンデン
サにおいてデラミネーションが認められた。
For comparison, the presence or absence of delamination of a conventional multilayer capacitor, which was obtained according to the first method described in the description of the prior art, was observed. When the cross section in the direction was observed, delamination was observed in 5 of the 20 multilayer capacitors.

【0041】また、第1の金属膜の融点が約960℃で
あり、上記焼成温度1200℃に対して十分低いため、
第1の金属膜は確実に絶縁物化されており、従って実施
例の積層コンデンサでは、短絡不良は発生していなかっ
た。
The melting point of the first metal film is about 960 ° C., which is sufficiently lower than the above-mentioned firing temperature of 1200 ° C.
The first metal film was surely made into an insulator, and therefore, no short-circuit failure occurred in the multilayer capacitor of the example.

【0042】実施例2 実施例1と同様にして積層コンデンサを作製した。但
し、第1の金属膜をCuにより、第2の金属膜をNiに
より構成した。また、セラミックスラリーについては、
BaTiO3 系セラミックスにCuを含有させていない
ものを用いた。焼成工程の初期、すなわち焼成最高温度
に維持した期間の1/2の期間、酸素分圧を、Niメッ
キ膜は酸化されず、Cu蒸着膜は酸化するような値と
し、焼成を行った。具体的には、酸素分圧は、焼成工程
初期において10-4Paとした。また、上記10-4Pa
の酸素分圧で焼成工程初期を実施した後は、還元雰囲気
中において焼成を行った。その他については、実施例1
と同様にして、積層コンデンサを作製した。
Example 2 A multilayer capacitor was manufactured in the same manner as in Example 1. However, the first metal film was made of Cu, and the second metal film was made of Ni. For ceramic slurries,
A BaTiO 3 ceramic containing no Cu was used. At the beginning of the baking process, that is, a half of the period during which the baking was performed at the highest baking temperature, the baking was performed by setting the oxygen partial pressure to a value such that the Ni plating film was not oxidized and the Cu vapor deposition film was oxidized. Specifically, the oxygen partial pressure was set to 10 −4 Pa at the beginning of the firing step. In addition, the above 10 -4 Pa
After the initial stage of the firing step was performed at an oxygen partial pressure of 2, the firing was performed in a reducing atmosphere. For the others, Example 1
In the same manner as in the above, a multilayer capacitor was produced.

【0043】実施例2において得られた積層コンデンサ
の焼結体を分析した結果、セラミックス中にCuが均一
に存在していることが確かめられた。すなわち、第1の
金属膜を構成しているCuがセラミックス中に拡散され
ていることが確かめられた。
As a result of analyzing the sintered body of the multilayer capacitor obtained in Example 2, it was confirmed that Cu was uniformly present in the ceramics. That is, it was confirmed that Cu constituting the first metal film was diffused into the ceramic.

【0044】さらに、得られた積層コンデンサの電気的
特性を測定したところ、BaTiO 3 系セラミックスに
Cu粉末を添加した場合と同様の結果が得られた。ま
た、実施例1と同様に、積層コンデンサの断面を観察し
たところ、デラミネーションの発生は見られなかった。
Further, the electrical characteristics of the obtained multilayer capacitor
When the characteristics were measured, BaTiO ThreeSystem ceramics
The same result as in the case where Cu powder was added was obtained. Ma
Also, as in Example 1, the cross section of the multilayer capacitor was observed.
As a result, no delamination was observed.

【0045】なお、実施例2では、第1の金属膜を構成
しているCuを拡散させるのに、上記のように焼成初期
の酸素分圧を制御したが、第1の金属膜に酸化拡散剤を
含有させておいたり、あるいは拡散促進剤を含有させて
おくことにより、第1の金属膜を構成している金属成分
をセラミックス中に拡散させてもよい。
In the second embodiment, the oxygen partial pressure at the initial stage of firing is controlled as described above to diffuse Cu constituting the first metal film. By containing an agent or a diffusion promoter, the metal component constituting the first metal film may be diffused into the ceramic.

【0046】実施例3 図9に示すように、第2の支持体としてのPETフィル
ム31を用意する。PETフィルム31の上面はシリコ
ン樹脂(図示されず)でコーティングされている。
Embodiment 3 As shown in FIG. 9, a PET film 31 as a second support is prepared. The upper surface of the PET film 31 is coated with a silicone resin (not shown).

【0047】PETフィルム31上に、セラミックスラ
リーをドクターブレード法により成形し、乾燥すること
により、厚さ8μmのセラミックグリーンシート32を
形成する。
A ceramic green sheet 32 having a thickness of 8 μm is formed on a PET film 31 by forming a ceramic slurry by a doctor blade method and drying the slurry.

【0048】他方、第1の支持体として、図10に示す
PETフィルム33を用意する。PETフィルム33の
上面には、シリコン樹脂(図示されず)がコーティング
されている。
On the other hand, a PET film 33 shown in FIG. 10 is prepared as a first support. The upper surface of the PET film 33 is coated with a silicon resin (not shown).

【0049】PETフィルム33上に、実施例1と同様
にして、第1の金属膜34及び第2の金属膜35を形成
する。本実施例では、第1の金属膜34はAgよりな
り、第2の金属膜35はPdよりなる。このようにし
て、多層金属膜36が形成される。
A first metal film 34 and a second metal film 35 are formed on the PET film 33 in the same manner as in the first embodiment. In the present embodiment, the first metal film 34 is made of Ag, and the second metal film 35 is made of Pd. Thus, the multilayer metal film 36 is formed.

【0050】次に、図11に示すように、カレンダーロ
ール37を用いて、上記多層金属膜36をセラミックグ
リーンシート32上に転写する。次に、PETフィルム
31を剥離することにより図12に示す金属膜一体化グ
リーンシート38を得る。
Next, as shown in FIG. 11, the multilayer metal film 36 is transferred onto the ceramic green sheet 32 by using a calender roll 37. Next, the PET film 31 is peeled to obtain the metal film integrated green sheet 38 shown in FIG.

【0051】さらに、上記のようにして得られた金属膜
一体化グリーンシート38を積層することにより積層体
が得られる。すなわち、金属膜一体化グリーンシート3
8を転写法により転写しつつ、PETフィルム33を剥
離して積層していくことにより、実施例1で得られたの
と同様のセラミック積層体を得ることができる。
Further, a laminate is obtained by laminating the metal film integrated green sheets 38 obtained as described above. That is, the metal sheet integrated green sheet 3
By peeling and laminating the PET film 33 while transferring 8 by the transfer method, a ceramic laminate similar to that obtained in Example 1 can be obtained.

【0052】上記のようにして得られたセラミック積層
体を用い、実施例1と同様にして、積層コンデンサを作
製した。得られた実施例3の積層コンデンサにつき、実
施例1と同様にデラミネーションの有無を観察したとこ
ろ、デラミネーションの発生は認められなかった。
Using the ceramic laminate obtained as described above, a multilayer capacitor was produced in the same manner as in Example 1. When the presence or absence of delamination of the obtained multilayer capacitor of Example 3 was observed in the same manner as in Example 1, no occurrence of delamination was observed.

【0053】また、従来の転写法を用いた積層コンデン
サの製造方法では、支持フィルムに対し、セラミックス
及び金属膜の2種類が接触していたため、支持フィルム
の離型性を考慮するとき、セラミックスに対する離型性
と金属に対する離型性の双方を考慮しなければならなか
った。これに対して、実施例3では、PETフィルム3
3は第1の金属膜34にのみ接触されているため、PE
Tフィルム33の離型性は、第1の金属膜34に対する
離型性のみを考慮して設計することができる。
In the conventional method of manufacturing a multilayer capacitor using the transfer method, two types of ceramics and a metal film are in contact with the support film. Both mold release and metal release had to be considered. On the other hand, in Example 3, the PET film 3
3 is in contact only with the first metal film 34,
The releasability of the T film 33 can be designed by considering only the releasability of the first metal film 34.

【0054】また、実施例1〜3では、第1の金属膜1
2,34が、焼成工程において部分的に拡散し、絶縁物
化される。従って、第2の金属膜の下方に位置しない第
1の金属膜部分をエッチング等により除去する煩雑な工
程を実施する必要のないことがわかる。
In the first to third embodiments, the first metal film 1
2, 34 are partially diffused in the firing step and are converted into an insulating material. Therefore, it is understood that there is no need to perform a complicated process of removing the first metal film portion not located below the second metal film by etching or the like.

【0055】なお、上記実施例1〜3では、第1の金属
膜をAgまたはCuにより、第2の金属膜をPdまたは
Niで構成したが、本発明の効果を発揮し得る限り、他
の金属材料を用いることも可能である。
In the first to third embodiments, the first metal film is made of Ag or Cu, and the second metal film is made of Pd or Ni. It is also possible to use a metal material.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】従来の積層コンデンサの製造方法を説明するた
めの断面図。
FIG. 1 is a cross-sectional view for explaining a conventional method for manufacturing a multilayer capacitor.

【図2】従来の積層コンデンサの製造方法における問題
点を説明するための焼結体の断面図。
FIG. 2 is a cross-sectional view of a sintered body for describing a problem in a conventional method for manufacturing a multilayer capacitor.

【図3】(a),(b)は、それぞれ、実施例において
第1の金属膜を形成した状態及びレジストのパターン孔
内に第2の金属膜を形成した状態を示す各断面図。
FIGS. 3A and 3B are cross-sectional views respectively showing a state in which a first metal film is formed and a state in which a second metal film is formed in a pattern hole of a resist in Examples.

【図4】実施例において多層金属膜を支持体上に形成し
た状態を示す断面図。
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a state in which a multilayer metal film is formed on a support in Examples.

【図5】多層金属膜上にセラミックグリーンシートを成
形して金属膜一体化グリーンシートを形成した状態を示
す断面図。
FIG. 5 is a cross-sectional view showing a state where a ceramic green sheet is formed on a multilayer metal film to form a metal film integrated green sheet.

【図6】セラミック積層体を説明するための断面図。FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a ceramic laminate.

【図7】焼結体の断面図。FIG. 7 is a sectional view of a sintered body.

【図8】積層コンデンサを示す断面図。FIG. 8 is a sectional view showing a multilayer capacitor.

【図9】実施例3において第2の支持体上にセラミック
グリーンシートを形成した状態を示す断面図。
FIG. 9 is a cross-sectional view showing a state where a ceramic green sheet is formed on a second support in Example 3.

【図10】多層金属膜が形成された状態を示す断面図。FIG. 10 is a sectional view showing a state where a multilayer metal film is formed.

【図11】実施例3において多層金属膜をセラミックグ
リーンシートに転写する工程を説明するための断面図。
FIG. 11 is a cross-sectional view illustrating a step of transferring a multilayer metal film to a ceramic green sheet in Example 3.

【図12】実施例3において得られた金属膜一体化グリ
ーンシートを説明するための断面図。
FIG. 12 is a cross-sectional view for explaining a metal sheet-integrated green sheet obtained in Example 3.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11…PETフィルム(第1の支持体) 12…第1の金属膜 13…レジスト層 13a…パターン孔 14…第2の金属膜 15…多層金属膜 16…セラミックグリーンシート 17…金属膜一体化グリーンシート 18…セラミック積層体 20…焼結体 21…積層コンデンサ 31…PETフィルム(第2の支持体) 32…セラミックグリーンシート 33…PETフィルム(第1の支持体) 34…第1の金属膜 35…第2の金属膜 36…多層金属膜 38…金属膜一体化グリーンシート DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 ... PET film (1st support) 12 ... 1st metal film 13 ... Resist layer 13a ... Pattern hole 14 ... 2nd metal film 15 ... Multilayer metal film 16 ... Ceramic green sheet 17 ... Metal film integrated green Sheet 18 Ceramic laminated body 20 Sintered body 21 Multilayer capacitor 31 PET film (second support) 32 Ceramic green sheet 33 PET film (first support) 34 First metal film 35 ... second metal film 36 ... multilayer metal film 38 ... metal film integrated green sheet

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI H05K 3/46 H01L 23/14 C (56)参考文献 特開 平6−302469(JP,A) 特開 平7−57961(JP,A) 特開 平3−116810(JP,A) 特開 平6−232000(JP,A) 特開 平1−226139(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01G 4/00 - 4/40 H01G 13/00 - 13/06 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI H05K 3/46 H01L 23/14 C (56) References JP-A-6-302469 (JP, A) JP-A-7-57961 ( JP, A) JP-A-3-116810 (JP, A) JP-A-6-232000 (JP, A) JP-A-1-226139 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , (DB name) H01G 4/00-4/40 H01G 13/00-13/06

Claims (7)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 支持体上に第1の金属膜を薄膜形成法に
より形成する工程と、 前記第1の金属膜上に、部分的に、前記第1の金属膜よ
りも厚みの大きな第2の金属膜を薄膜形成法により形成
して多層金属膜を形成する工程と、 前記多層金属膜を内部に含むセラミック積層体を形成す
る工程と、 前記セラミック積層体中の第2の金属膜の下方に位置し
ていない第1の金属膜部分を、構成金属成分がセラミッ
クス中に拡散するようにして絶縁物化するとともに、前
記セラミックスを焼成する工程とを備えることを特徴と
する、セラミック積層電子部品の製造方法。
A step of forming a first metal film on a support by a thin film forming method; and a step of forming a second metal film having a thickness larger than the first metal film partially on the first metal film. Forming a multi-layered metal film by forming a metal film according to a thin-film forming method, forming a ceramic laminate including the multi-layered metal film therein, and below a second metal film in the ceramic laminate. A first metal film portion that is not located in the ceramic laminated electronic component, wherein the component metal component is diffused into the ceramic to be an insulator, and the ceramic is fired. Production method.
【請求項2】 前記第1の金属膜の厚みが100nm以
下、第2の金属膜の厚みが300nm以上、1000n
m以下である、請求項1に記載のセラミック積層電子部
品の製造方法。
2. The first metal film has a thickness of 100 nm or less, and the second metal film has a thickness of 300 nm or more and 1000 n or more.
The method for producing a ceramic multilayer electronic component according to claim 1, wherein the number is not more than m.
【請求項3】 前記第1の金属膜部分を絶縁物化すると
ともにセラミックスを焼成する工程は、第1の金属膜が
酸化し、第2の金属膜が酸化しない酸素分圧下におい
て、前記セラミック積層体を焼成することにより行われ
る、請求項1または2に記載のセラミック積層電子部品
の製造方法。
3. The step of converting the first metal film portion into an insulator and firing the ceramic is performed under an oxygen partial pressure at which the first metal film is oxidized and the second metal film is not oxidized. The method for producing a ceramic laminated electronic component according to claim 1, wherein the method is performed by firing.
【請求項4】 前記多層金属膜を形成する工程は、前記
第1の金属膜上にパターン孔が設けられたレジスト層を
形成する段階と、前記レジスト層のパターン孔内に、第
1の金属膜よりも厚みの大きな第2の金属膜を薄膜形成
法により形成する段階と、前記レジスト層を除去する段
階とを備える、請求項1〜3の何れかに記載のセラミッ
ク積層電子部品の製造方法。
4. The step of forming the multilayer metal film includes forming a resist layer having a pattern hole on the first metal film, and forming a first metal layer in the pattern hole of the resist layer. The method for manufacturing a ceramic multilayer electronic component according to claim 1, further comprising: forming a second metal film having a thickness greater than the thickness of the film by a thin film forming method; and removing the resist layer. .
【請求項5】 前記セラミック積層体を形成する工程
が、前記多層金属膜上にセラミックグリーンシートを成
形して金属膜一体化グリーンシートを得る段階と、前記
金属膜一体化グリーンシートを積層する工程とを備え
る、請求項1〜4の何れかに記載のセラミック積層電子
部品の製造方法。
5. The step of forming the ceramic laminate includes forming a ceramic green sheet on the multilayer metal film to obtain a metal film integrated green sheet, and laminating the metal film integrated green sheet. The method for manufacturing a ceramic laminated electronic component according to claim 1, comprising:
【請求項6】 前記セラミック積層体を形成する工程
が、第2の支持体上にセラミックグリーンシートを形成
する段階と、 前記セラミックグリーンシート上に、前記支持体に支持
された多層金属膜を転写し、金属膜一体化グリーンシー
トを形成する段階と、 複数の前記金属膜一体化グリーンシートを順次転写する
ことにより積層してセラミック積層体を得る段階とを備
える、請求項1〜4の何れかに記載のセラミック積層電
子部品の製造方法。
6. The step of forming the ceramic laminate includes forming a ceramic green sheet on a second support, and transferring a multilayer metal film supported by the support on the ceramic green sheet. The method according to any one of claims 1 to 4, further comprising: forming a metal film integrated green sheet; and sequentially stacking the plurality of the metal film integrated green sheets to obtain a ceramic laminate. 3. The method for producing a ceramic laminated electronic component according to 1.).
【請求項7】 前記多層金属膜をセラミックグリーンシ
ート上に転写するにあたり、ロール状プレスを用いる、
請求項6に記載のセラミック積層電子部品の製造方法。
7. When transferring the multilayer metal film onto a ceramic green sheet, a roll press is used.
A method for manufacturing a ceramic multilayer electronic component according to claim 6.
JP7912095A 1995-03-16 1995-04-04 Manufacturing method of ceramic laminated electronic component Expired - Fee Related JP3152098B2 (en)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7912095A JP3152098B2 (en) 1995-04-04 1995-04-04 Manufacturing method of ceramic laminated electronic component
EP96400545A EP0732735B1 (en) 1995-03-16 1996-03-15 Monolithic ceramic electronic device and method of manufacturing same
DE69635566T DE69635566T2 (en) 1995-03-16 1996-03-15 Monolithic ceramic component and its manufacture
CN96107363A CN1132203C (en) 1995-03-16 1996-03-16 Monolithic ceramic electronic element and its producing method
KR1019960007095A KR100230122B1 (en) 1995-03-16 1996-03-16 Monolithic ceramic electronic device and method of manufacturing same
US08/617,177 US5769985A (en) 1995-03-16 1996-03-18 Method of manufacturing a monolithic ceramic electronic device
US08/807,437 US5985068A (en) 1995-03-16 1997-02-28 Method of manufacturing a monolithic ceramic electronic device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7912095A JP3152098B2 (en) 1995-04-04 1995-04-04 Manufacturing method of ceramic laminated electronic component

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH08279438A JPH08279438A (en) 1996-10-22
JP3152098B2 true JP3152098B2 (en) 2001-04-03

Family

ID=13681074

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7912095A Expired - Fee Related JP3152098B2 (en) 1995-03-16 1995-04-04 Manufacturing method of ceramic laminated electronic component

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3152098B2 (en)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100755231B1 (en) 2003-03-31 2007-09-04 티디케이가부시기가이샤 Production method for laminated ceramic electronic component
JP4487542B2 (en) 2003-11-27 2010-06-23 Tdk株式会社 Conductor paste for multilayer ceramic electronic component and method for manufacturing multilayer unit for multilayer ceramic electronic component
JP4662298B2 (en) 2003-12-15 2011-03-30 Tdk株式会社 Dielectric paste for spacer layer of multilayer ceramic electronic components
JP4487595B2 (en) 2004-02-27 2010-06-23 Tdk株式会社 Method for manufacturing multilayer unit for multilayer ceramic electronic component
JP5544891B2 (en) * 2010-01-19 2014-07-09 株式会社村田製作所 Manufacturing method of electronic parts

Also Published As

Publication number Publication date
JPH08279438A (en) 1996-10-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100230122B1 (en) Monolithic ceramic electronic device and method of manufacturing same
EP0381879B1 (en) Method of manufacturing laminated ceramic electronic component
US8085523B2 (en) Method of manufacturing capacitor
JP3152098B2 (en) Manufacturing method of ceramic laminated electronic component
EP0485176A2 (en) Metal thin film having excellent transferability and method of preparing the same
JP3351043B2 (en) Method for manufacturing multilayer ceramic substrate
JP2000331865A (en) Laminated ceramic capacitor and manufacture of it
JPH09129486A (en) Manufacture of laminated ceramic electronic part
JP2000228571A (en) Metal transfer film
JP3161325B2 (en) Manufacturing method of ceramic laminated electronic component
JP3367184B2 (en) Manufacturing method of multilayer ceramic electronic component
JP2970238B2 (en) Manufacturing method of multilayer ceramic capacitor
JPH06302469A (en) Formation method of internal electrode for multilayer ceramic capacitor
JP3218886B2 (en) Method for producing metal film for transfer and ceramic laminated electronic component
JP4595183B2 (en) Ceramic electronic component and method for manufacturing the same, multilayer ceramic electronic component and method for manufacturing the same
JPH08124787A (en) Manufacture of multilayered ceramic electronic component
JPH09153429A (en) Manufacture of laminated ceramic electronic component
JP3309646B2 (en) Manufacturing method of ceramic laminated electronic component
JP3564709B2 (en) Method for producing metal pattern film with excellent transferability
JPH0757961A (en) Manufacture of multilayer ceramic device
JP4638184B2 (en) Manufacturing method of laminated electronic component
JPH0855754A (en) Layered ceramic electronic parts and manufacture thereof
JP2003133169A (en) Manufacturing method of laminated type electronic parts
JPH06231999A (en) Internal electrode forming method and method of manufacturing lamination ceramic capacitor
JPH0745471A (en) Fabrication of transfer metal film supply and multilayer ceramic electronic component

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Year of fee payment: 8

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090126

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090126

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Year of fee payment: 9

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100126

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110126

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Year of fee payment: 10

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110126

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120126

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Year of fee payment: 11

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120126

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Year of fee payment: 12

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130126

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees