JP3151670B2 - イオンビームを用いて電位測定を行うイオンビーム装置及び方法 - Google Patents
イオンビームを用いて電位測定を行うイオンビーム装置及び方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、イオンビーム装置（請
求項１の前文による）及び該イオンビーム装置を用い集
積回路の構成物の電位を測定する方法（請求項５及び６
の上位概念による）に関するものである。
求項１の前文による）及び該イオンビーム装置を用い集
積回路の構成物の電位を測定する方法（請求項５及び６
の上位概念による）に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】電子ビーム測定技術は、現在集積回路に
おけるエラー解析や電圧測定に使用されている。しか
し、最近の回路に使用する場合には、この技術は克服が
困難な問題に直面している。例えば、最近の回路は多層
配線を有することが多いので、幾つかの測定したい点に
電子ビームが到達しないことがある。
おけるエラー解析や電圧測定に使用されている。しか
し、最近の回路に使用する場合には、この技術は克服が
困難な問題に直面している。例えば、最近の回路は多層
配線を有することが多いので、幾つかの測定したい点に
電子ビームが到達しないことがある。
【０００３】また、これらの回路は絶縁パシベーション
（ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ）層で被覆されているので、
測定の前にこれを除去しなければならない。それは、パ
シベーション層があると、質的測定のみ可能で量的測定
は不可能であるからである。
（ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ）層で被覆されているので、
測定の前にこれを除去しなければならない。それは、パ
シベーション層があると、質的測定のみ可能で量的測定
は不可能であるからである。
【０００４】走査を行う電子ビームに必要な電子エネル
ギが小さいため、被試験体が発生する電界や磁界が妨害
作用を与える。これらの電磁界は１次電子ビームを偏向
させるので、検査しようとする導電路（トラック）の上
に電子ビームを保持することが困難となる。
ギが小さいため、被試験体が発生する電界や磁界が妨害
作用を与える。これらの電磁界は１次電子ビームを偏向
させるので、検査しようとする導電路（トラック）の上
に電子ビームを保持することが困難となる。
【０００５】上述した最初の２つの問題点を解決するた
めに、上側の金属面又はパシベーション層を貫く孔をあ
けて測定点を露出させるようにしたイオンビーム装置が
提案されている。この型のイオンビーム装置は、例え
ば、「Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓｏｆ ｔｈｅ Ｉｎｔｅ
ｒｎ．Ｒｅｌｉａｂｉｌｉｔｙ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｓｙ
ｍｐｏｓｉｏｎ」１９８９の３４〜５２ページに記載さ
れている。しかし、その孔あけ装置では、実際の電位測
定に別の電子ビームテスターが必要である。したがっ
て、２つの別個の装置が必要となり、毎回測定点を見付
けなければならないので、コストが高くなるのみならず
時間もかかる。また、予め準備されていない新たな測定
点を必要とする度に、そのイオンビーム装置の中に被試
験体を入れ直さなければならない欠点がある。
めに、上側の金属面又はパシベーション層を貫く孔をあ
けて測定点を露出させるようにしたイオンビーム装置が
提案されている。この型のイオンビーム装置は、例え
ば、「Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓｏｆ ｔｈｅ Ｉｎｔｅ
ｒｎ．Ｒｅｌｉａｂｉｌｉｔｙ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｓｙ
ｍｐｏｓｉｏｎ」１９８９の３４〜５２ページに記載さ
れている。しかし、その孔あけ装置では、実際の電位測
定に別の電子ビームテスターが必要である。したがっ
て、２つの別個の装置が必要となり、毎回測定点を見付
けなければならないので、コストが高くなるのみならず
時間もかかる。また、予め準備されていない新たな測定
点を必要とする度に、そのイオンビーム装置の中に被試
験体を入れ直さなければならない欠点がある。
【０００６】上述した３番目の問題点（妨害による電子
ビームの偏向）を解決するためには、過去においてコス
トのかかる電子補償方法を使用する必要があった。
ビームの偏向）を解決するためには、過去においてコス
トのかかる電子補償方法を使用する必要があった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
課題は、請求項１の前文に記載した如きイオンビーム装
置を改良して、孔あけのみならず極めて精確な電位測定
にも使用しうるようにすることである。また、もう１つ
の課題は、かようなイオンビーム装置を用いる電位測定
法を改良して、測定時における被試験体の材料の欠落を
補償することである。
課題は、請求項１の前文に記載した如きイオンビーム装
置を改良して、孔あけのみならず極めて精確な電位測定
にも使用しうるようにすることである。また、もう１つ
の課題は、かようなイオンビーム装置を用いる電位測定
法を改良して、測定時における被試験体の材料の欠落を
補償することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の課題を
請求項１，５及び６の特徴事項に記載した構成によって
解決した。本発明の好適な具体例は、従属請求項に記載
した。イオンビーム装置を用いて孔をあける場合、イオ
ンビームが被試験体に衝突するときに２次電子を発生さ
せることは周知である。この作用は、イオンビーム装置
を用いて回路の対照的電位像（イメージ）を作るのに既
に利用されてきた（「Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｌｅｔｔ
ｅｒｓ」２３，１９８７，１１，５８５ページ）。しか
し、この刊行物は、量的な電位測定を行うことには何も
言及していない。
請求項１，５及び６の特徴事項に記載した構成によって
解決した。本発明の好適な具体例は、従属請求項に記載
した。イオンビーム装置を用いて孔をあける場合、イオ
ンビームが被試験体に衝突するときに２次電子を発生さ
せることは周知である。この作用は、イオンビーム装置
を用いて回路の対照的電位像（イメージ）を作るのに既
に利用されてきた（「Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｌｅｔｔ
ｅｒｓ」２３，１９８７，１１，５８５ページ）。しか
し、この刊行物は、量的な電位測定を行うことには何も
言及していない。
【０００９】本発明が基礎とする広範なテストにおい
て、まずイオンビーム装置の対物レンズと被試験体の間
に、２次電子分光計の構成素子である抽出電極、フィル
タ電極及びシンチレータ付き２次電子検出器（これらの
構成素子は、外部の制御回路により互いに接続する。）
を配置してみた。これらのテストにより、対物レンズと
被試験体の動作距離が大きすぎると、対物レンズのレン
ズ収差（特に軸方向色収差及び開口収差）が増加し、該
装置の局部的解像度が減少することが分かった。
て、まずイオンビーム装置の対物レンズと被試験体の間
に、２次電子分光計の構成素子である抽出電極、フィル
タ電極及びシンチレータ付き２次電子検出器（これらの
構成素子は、外部の制御回路により互いに接続する。）
を配置してみた。これらのテストにより、対物レンズと
被試験体の動作距離が大きすぎると、対物レンズのレン
ズ収差（特に軸方向色収差及び開口収差）が増加し、該
装置の局部的解像度が減少することが分かった。
【００１０】他方、本発明は、上述の課題を次の特徴的
構成を組合わせることによって十分に解決することがで
きた。 （１）抽出電極、フィルタ電極、シンチレータ及び該シ
ンチレータを上記フィルタ電極に接続する制御回路を含
む２次電子分光計をイオンビーム装置に組込むこと。 （２）上記シンチレータを対物レンズの中心電極に形成
すること。
構成を組合わせることによって十分に解決することがで
きた。 （１）抽出電極、フィルタ電極、シンチレータ及び該シ
ンチレータを上記フィルタ電極に接続する制御回路を含
む２次電子分光計をイオンビーム装置に組込むこと。 （２）上記シンチレータを対物レンズの中心電極に形成
すること。
【００１１】このように２次電子分光計をイオンビーム
装置内に組込むと、この装置は、公知の電子ビーム測定
技術の全手法、特に量的な電圧測定を行うことができる
イオンビーム・テスターにもなる。この場合、２次電子
分光計の構成素子を対物レンズ内に組込むことにより、
（上述のなお不満足なものと反対に）対物レンズと被試
験体の間の動作距離を極小に保持することができ、対物
レンズのレンズ収差が減少し、装置の局部的解像度が向
上するという効果が得られる。
装置内に組込むと、この装置は、公知の電子ビーム測定
技術の全手法、特に量的な電圧測定を行うことができる
イオンビーム・テスターにもなる。この場合、２次電子
分光計の構成素子を対物レンズ内に組込むことにより、
（上述のなお不満足なものと反対に）対物レンズと被試
験体の間の動作距離を極小に保持することができ、対物
レンズのレンズ収差が減少し、装置の局部的解像度が向
上するという効果が得られる。
【００１２】本発明による構成では、２次電子分光計の
抽出電極を被試験体の上方に近接して取付け、該分光計
のフィルタ電極をこれに続けて近距離（２，３ミリ）に
設ける。２次電子検出器のシンチレータは、対物レンズ
の中心電極に直接組込んで一体化する。これは、対物レ
ンズの中心電極が高い正電位にあり、したがってフィル
タ電極を通過する２次電子がすべてそこに落ち着くの
で、実施可能である。シンチレータにより発生する光
は、直接導光体を介して又は光学装置を介して増倍器に
供給し、そこで光信号を電気信号に変換し、これを更に
公知の方法で処理する。
抽出電極を被試験体の上方に近接して取付け、該分光計
のフィルタ電極をこれに続けて近距離（２，３ミリ）に
設ける。２次電子検出器のシンチレータは、対物レンズ
の中心電極に直接組込んで一体化する。これは、対物レ
ンズの中心電極が高い正電位にあり、したがってフィル
タ電極を通過する２次電子がすべてそこに落ち着くの
で、実施可能である。シンチレータにより発生する光
は、直接導光体を介して又は光学装置を介して増倍器に
供給し、そこで光信号を電気信号に変換し、これを更に
公知の方法で処理する。
【００１３】
【作用】本発明によるイオンビーム装置の重要な利点
は、回路の金属被膜又はパシベーション層に孔をあける
装置を同時に電位測定にも使用できることである。した
がって、本当に必要な個所に孔をあけるだけでよく、こ
れは時間の点において極めて有利である。
は、回路の金属被膜又はパシベーション層に孔をあける
装置を同時に電位測定にも使用できることである。した
がって、本当に必要な個所に孔をあけるだけでよく、こ
れは時間の点において極めて有利である。
【００１４】投射するイオンビームは電子ビームより多
い２次電子を放射するので、電子ビームテスターに比べ
て大きい解析可能の信号が発生する。これは、測定の精
確度及び（又は）速度を向上させる効果がある。
い２次電子を放射するので、電子ビームテスターに比べ
て大きい解析可能の信号が発生する。これは、測定の精
確度及び（又は）速度を向上させる効果がある。
【００１５】また、イオンビームを用いると、電子ビー
ムを用いる場合より高い１次エネルギレベルで動作させ
ることができる。３０ＫｅＶのイオンビームは、１Ｋｅ
Ｖ程度の低エネルギ電子ビームと同じ深さに到達する。
したがって、高エネルギのイオンビームを回路の測定
に、回路になんら損傷を与えることなく使用することが
できる。また、高エネルギの１次ビームは、被試験体の
近くに或る程度発生する干渉電界及び磁界にもはや妨害
されないという利点を有する。これは、イオンビームを
被試験体上に精確且つ安定に位置決めするのを容易にす
る。
ムを用いる場合より高い１次エネルギレベルで動作させ
ることができる。３０ＫｅＶのイオンビームは、１Ｋｅ
Ｖ程度の低エネルギ電子ビームと同じ深さに到達する。
したがって、高エネルギのイオンビームを回路の測定
に、回路になんら損傷を与えることなく使用することが
できる。また、高エネルギの１次ビームは、被試験体の
近くに或る程度発生する干渉電界及び磁界にもはや妨害
されないという利点を有する。これは、イオンビームを
被試験体上に精確且つ安定に位置決めするのを容易にす
る。
【００１６】少なくとも部分的に２次電子分光計を対物
レンズの中に組込むことは、短い動作距離、高い局部的
解像度及び微小構体に対する測定の実現を容易にする。
レンズの中に組込むことは、短い動作距離、高い局部的
解像度及び微小構体に対する測定の実現を容易にする。
【００１７】勿論、本発明は、液浸レンズをもつ装置に
も適用しうるものである。これらの装置では、カラム
（塔）上方におけるイオン・エネルギが高い。これらの
イオンは、まず対物レンズ内で所望の最終エネルギに減
速する。こうすると、対物レンズの収差係数が一層改善
される。それは、一般に逆場（ｃｏｕｎｔｅｒ−ｆｉｅ
ｌｄ）配置は光学的特性がよいからである。
も適用しうるものである。これらの装置では、カラム
（塔）上方におけるイオン・エネルギが高い。これらの
イオンは、まず対物レンズ内で所望の最終エネルギに減
速する。こうすると、対物レンズの収差係数が一層改善
される。それは、一般に逆場（ｃｏｕｎｔｅｒ−ｆｉｅ
ｌｄ）配置は光学的特性がよいからである。
【００１８】測定時に被試験体から材料が欠落すること
は、本発明によるイオンビーム装置の問題点である。し
かし、計算の結果、電位測定が非常に早く行われるの
で、材料の欠落は殆どの場合無視できて害がないことが
分かった。例外的に、測定を行う構成物が極めて小さい
か又は薄くて材料の欠落が悪影響を与える場合には、次
の補償策を講ずることができる。 （１）測定の際、構成物が膨らむ方向にイオンビームを
走査させる。 （２）測定の際、欠落を補う導電材料（例えば金属）を
沈着させる。イオンビームによる沈着法は、文献により
公知である。 上記２つの補償策を併せ用いてもよいことは、いうまで
もない。
は、本発明によるイオンビーム装置の問題点である。し
かし、計算の結果、電位測定が非常に早く行われるの
で、材料の欠落は殆どの場合無視できて害がないことが
分かった。例外的に、測定を行う構成物が極めて小さい
か又は薄くて材料の欠落が悪影響を与える場合には、次
の補償策を講ずることができる。 （１）測定の際、構成物が膨らむ方向にイオンビームを
走査させる。 （２）測定の際、欠落を補う導電材料（例えば金属）を
沈着させる。イオンビームによる沈着法は、文献により
公知である。 上記２つの補償策を併せ用いてもよいことは、いうまで
もない。
【００１９】
【実施例】以下、図面を用い本発明を具体的に説明す
る。図１は、本発明の実施例を示す略図である。図１の
イオンビーム（測定）装置は、イオン発生源１、集光レ
ンズ２、消去装置３、開口隔膜４、偏向装置５、スティ
グメータ（ｓｔｉｇｍａｔｏｒ）６及び対物レンズ７を
具える。対物レンズ７は、ビーム方向に互いに前後に配
置した３個の回転対称の電極７ａ，７ｂ，７ｃを有す
る。対物レンズ７の軸は、イオンビームの軸８と一致す
る。
る。図１は、本発明の実施例を示す略図である。図１の
イオンビーム（測定）装置は、イオン発生源１、集光レ
ンズ２、消去装置３、開口隔膜４、偏向装置５、スティ
グメータ（ｓｔｉｇｍａｔｏｒ）６及び対物レンズ７を
具える。対物レンズ７は、ビーム方向に互いに前後に配
置した３個の回転対称の電極７ａ，７ｂ，７ｃを有す
る。対物レンズ７の軸は、イオンビームの軸８と一致す
る。
【００２０】本イオンビーム装置の中には２次電子分光
計が組込まれており、これは、抽出電極９、フィルタ電
極１０、２次電子検出器１１及び制御回路より成る。こ
れらの詳細は、次のとおりである。２次電子検出器１１
は、対物レンズ７の中心電極７ｂの内側部分に形成した
シンチレータ１２、ミラー１３（又は他の光学装置）及
び増倍器１４より成る。シンチレータ１２は、導光体に
よって増倍器１４に結合してもよい。
計が組込まれており、これは、抽出電極９、フィルタ電
極１０、２次電子検出器１１及び制御回路より成る。こ
れらの詳細は、次のとおりである。２次電子検出器１１
は、対物レンズ７の中心電極７ｂの内側部分に形成した
シンチレータ１２、ミラー１３（又は他の光学装置）及
び増倍器１４より成る。シンチレータ１２は、導光体に
よって増倍器１４に結合してもよい。
【００２１】外部の制御回路は、タイミング発生器１
５、位相制御器１６、減速装置１７、ゲート制御器１
８、前置増幅器１９、信号処理回路２０及び増幅器２１
を有し、増幅器２１の出力はフィルタ電極１０に接続す
る。位相制御器１６の出力は減速装置１７に接続し、該
装置１７はまたパルス発生器２２を経て消去装置３に接
続する。
５、位相制御器１６、減速装置１７、ゲート制御器１
８、前置増幅器１９、信号処理回路２０及び増幅器２１
を有し、増幅器２１の出力はフィルタ電極１０に接続す
る。位相制御器１６の出力は減速装置１７に接続し、該
装置１７はまたパルス発生器２２を経て消去装置３に接
続する。
【００２２】電位測定時（すなわち、孔をあけた後）の
イオンビーム装置の動作は、次のとおりである。制御回
路の一般的機能は、２次電子信号を一定の電流に制御す
ると共に、イオンビーム消去装置３に対し位相を制御す
ることである。
イオンビーム装置の動作は、次のとおりである。制御回
路の一般的機能は、２次電子信号を一定の電流に制御す
ると共に、イオンビーム消去装置３に対し位相を制御す
ることである。
【００２３】イオンビームが被試験体２３に衝突した時
に放射される２次電子（矢印２４）は、抽出電極９を通
過後まずフィルタ電極１０を通る。フィルタ電極は特定
の負電位（これは、後述のように制御回路により制御さ
れる。）にあるので、十分な高エネルギをもつ２次電子
のみがフィルタ電極１０を通過できる。
に放射される２次電子（矢印２４）は、抽出電極９を通
過後まずフィルタ電極１０を通る。フィルタ電極は特定
の負電位（これは、後述のように制御回路により制御さ
れる。）にあるので、十分な高エネルギをもつ２次電子
のみがフィルタ電極１０を通過できる。
【００２４】被試験体２３上の測定点の電位が変わる
と、２次電子のエネルギ分布が変化し、これに応じて２
次電子検出器１１のシンチレータ１２に到達する電子が
増したり減ったりする。フィルタ電極１０の電位は、２
次電子電流が一定となるように制御する。すなわち、フ
ィルタ電極１０の電位は、被試験体２３上の測定しよう
とする電位の関数として変化させる。したがって、フィ
ルタ電極１０の変化する電位は、測定しようとする被試
験体２３上の電位の測定値を表わすことになる。
と、２次電子のエネルギ分布が変化し、これに応じて２
次電子検出器１１のシンチレータ１２に到達する電子が
増したり減ったりする。フィルタ電極１０の電位は、２
次電子電流が一定となるように制御する。すなわち、フ
ィルタ電極１０の電位は、被試験体２３上の測定しよう
とする電位の関数として変化させる。したがって、フィ
ルタ電極１０の変化する電位は、測定しようとする被試
験体２３上の電位の測定値を表わすことになる。
【００２５】外部の制御回路の動作の詳細は、次のとお
りである。２次電子検出器１１は２次電子信号を電気信
号に変換し、これを前置増幅器１９で増幅したのちゲー
ト制御器１８により走査する。この走査はタイミング発
生器１５により制御し、該発生器はまた、試験しようと
する被試験体２３をも駆動する。位相制御器１６によ
り、走査を行う時間を設定することができる。
りである。２次電子検出器１１は２次電子信号を電気信
号に変換し、これを前置増幅器１９で増幅したのちゲー
ト制御器１８により走査する。この走査はタイミング発
生器１５により制御し、該発生器はまた、試験しようと
する被試験体２３をも駆動する。位相制御器１６によ
り、走査を行う時間を設定することができる。
【００２６】イオンビーム消去装置３は、位相制御器１
６の出力によりパルス発生器２２を介して制御する。減
速装置１７は、イオンビームが消去装置３から被試験体
２３に到達するまでの時間を考えに入れるために設ける
ものである。
６の出力によりパルス発生器２２を介して制御する。減
速装置１７は、イオンビームが消去装置３から被試験体
２３に到達するまでの時間を考えに入れるために設ける
ものである。
【００２７】信号処理回路２０では、ゲート制御器１８
で走査される前置増幅器１９からの出力信号を、信号対
雑音比を改善するため平均化する。比較器を用いて、所
望の一定２次電子電流に対応する基準値と比較する。そ
の出力信号は、増幅器２１を経てフィルタ電極１０に送
られ、上述のように２次電子電流を一定に保つ作用をす
る。すなわち、被試験体２３上の測定しようとする点の
電位が変化する場合でも、これに応じてフィルタ電極１
０の負電位を変えることにより一定に維持するのであ
る。
で走査される前置増幅器１９からの出力信号を、信号対
雑音比を改善するため平均化する。比較器を用いて、所
望の一定２次電子電流に対応する基準値と比較する。そ
の出力信号は、増幅器２１を経てフィルタ電極１０に送
られ、上述のように２次電子電流を一定に保つ作用をす
る。すなわち、被試験体２３上の測定しようとする点の
電位が変化する場合でも、これに応じてフィルタ電極１
０の負電位を変えることにより一定に維持するのであ
る。
【００２８】イオンビームを消すための消去装置３の代
わりに、本発明の範囲内においてパルス化されたイオン
ビームの発生源を使用してもよい。
わりに、本発明の範囲内においてパルス化されたイオン
ビームの発生源を使用してもよい。
【００２９】図１の実施例では、抽出電極９及びフィル
タ電極１０を被試験体２３とこれに隣接する対物レンズ
７の電極７ｃとの間に配置したが、図２のように変形す
ることもできる。すなわち、フィルタ電極１０を、被試
験体２３に隣接する対物レンズ７の電極７ｃと同じ高さ
に配置し、この電極７ｃと同じ電位に保持すると共に、
抽出電極９を該電極７ｃと被試験体２３との間に配置す
る（この場合、抽出電極９は絶縁素子２５により電極７
ｃの上に保持する。）。
タ電極１０を被試験体２３とこれに隣接する対物レンズ
７の電極７ｃとの間に配置したが、図２のように変形す
ることもできる。すなわち、フィルタ電極１０を、被試
験体２３に隣接する対物レンズ７の電極７ｃと同じ高さ
に配置し、この電極７ｃと同じ電位に保持すると共に、
抽出電極９を該電極７ｃと被試験体２３との間に配置す
る（この場合、抽出電極９は絶縁素子２５により電極７
ｃの上に保持する。）。
【００３０】図１の実施例では、電極７ａ及び７ｃをア
ースに近い電位とし、中心電極７ｂを強い正電位とした
が、図２の変形例では、電極７ｃが制御回路で制御され
るフィルタ電極１０に電気的に接続されているため、電
極７ｃのアース接続を省略している。
ースに近い電位とし、中心電極７ｂを強い正電位とした
が、図２の変形例では、電極７ｃが制御回路で制御され
るフィルタ電極１０に電気的に接続されているため、電
極７ｃのアース接続を省略している。
【００３１】本発明によるイオンビーム装置では、対物
レンズ７を静電的減速レンズに構成してもよい。減速レ
ンズの特徴は、レンズの前（すなわち、イオン発生源
側）のイオン・エネルギがレンズの後（すなわち、被試
験体側）のイオン・エネルギより高い点にある。これ
は、第１及び第３の電極７ａ，７ｃの電位をそれぞれ適
当に選択することにより達成できる。減速レンズでは、
電極７ｃの電位が電極７ａの電位より更に正となる。
レンズ７を静電的減速レンズに構成してもよい。減速レ
ンズの特徴は、レンズの前（すなわち、イオン発生源
側）のイオン・エネルギがレンズの後（すなわち、被試
験体側）のイオン・エネルギより高い点にある。これ
は、第１及び第３の電極７ａ，７ｃの電位をそれぞれ適
当に選択することにより達成できる。減速レンズでは、
電極７ｃの電位が電極７ａの電位より更に正となる。
【００３２】
【発明の効果】上記〔作用〕の項で述べた事項は、本発
明の効果に外ならないので、重複記載を省略する。
明の効果に外ならないので、重複記載を省略する。
【図１】本発明の実施例を示す略図である。
【図２】図１の実施例の変形を示す略図である。
図面の符号については、特許請求の範囲において図示の
実施例と対応する構成要素に付記して示したので、重複
記載を省略する。
実施例と対応する構成要素に付記して示したので、重複
記載を省略する。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01J 37/28 H01J 37/244
Claims (5)
- 【請求項１】（ａ）パルス化されたイオンビームを発生
する手段（１，３）と、 （ｂ）該イオンビームを偏向する偏向手段（５）と、 （ｃ）軸が該イオンビームの軸（８）と一致し、該イオ
ンビームを被試験体（２３）上に集束し、該イオンビー
ムの方向に互いに前後に配置された３個の回転対称的な
電極（７ａ，７ｂ，７ｃ）を含む静電的対物レンズ
（７）とを有するイオンビーム装置であって、 （ｄ）抽出電極（９），フィルタ電極（１０），シンチ
レータ（１２）を有する２次電子検出器（１１）及び該
２次電子検出器を上記フィルタ電極に接続する制御回路
を含む２次電子分光計を上記イオンビーム装置に組込
み、 （ｅ）上記シンチレータ（１２）を上記対物レンズ
（７）の中心電極（７ｂ）に形成することを特徴とする
イオンビーム装置。 - 【請求項２】 上記の抽出電極（９）及びフィルタ電極
（１０）を被試験体（２３）とこれに隣接する上記対物
レンズ（７）の電極（７ｃ）との間に配置することを特
徴とする請求項１の装置。 - 【請求項３】 上記フィルタ電極（１０）を上記被試験
体（２３）に隣接する上記対物レンズ（７）の電極（７
ｃ）と同じ高さに配置してこの電極（７ｃ）と同じ電位
に保持すると共に、上記抽出電極（９）をこの電極（７
ｃ）と上記被試験体（２３）との間に配置することを特
徴とする請求項１の装置。 - 【請求項４】 上記対物レンズを静電的減速レンズに構
成することを特徴とする請求項１の装置。 - 【請求項５】 集積回路の構成物の電位を測定する方法
であって、請求項１ないし４のいずれか１項に記載され
たイオンビーム装置を使用し、測定時にイオンビームに
より欠落する材料を補償するため、その欠落を補う導電
材料を沈着させることを特徴とする電位測定方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4000579.8 | 1990-01-10 | ||
| DE4000579A DE4000579A1 (de) | 1990-01-10 | 1990-01-10 | Ionenstrahlgeraet sowie verfahren zur durchfuehrung von potentialmessungen mittels eines ionenstrahles |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05121030A JPH05121030A (ja) | 1993-05-18 |
| JP3151670B2 true JP3151670B2 (ja) | 2001-04-03 |
Family
ID=6397852
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP41224290A Expired - Fee Related JP3151670B2 (ja) | 1990-01-10 | 1990-12-19 | イオンビームを用いて電位測定を行うイオンビーム装置及び方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5146089A (ja) |
| EP (1) | EP0440901B1 (ja) |
| JP (1) | JP3151670B2 (ja) |
| DE (2) | DE4000579A1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US5406832A (en) * | 1993-07-02 | 1995-04-18 | Topometrix Corporation | Synchronous sampling scanning force microscope |
| US5640539A (en) * | 1993-09-21 | 1997-06-17 | Advantest Corporation | IC analysis system having charged particle beam apparatus for improved contrast image |
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| US6373070B1 (en) | 1999-10-12 | 2002-04-16 | Fei Company | Method apparatus for a coaxial optical microscope with focused ion beam |
| FR2806527B1 (fr) * | 2000-03-20 | 2002-10-25 | Schlumberger Technologies Inc | Colonne a focalisation simultanee d'un faisceau de particules et d'un faisceau optique |
| JP2003028999A (ja) * | 2001-07-11 | 2003-01-29 | Ebara Corp | 荷電粒子ビーム制御装置、及びそれを用いた荷電粒子ビーム光学装置、荷電粒子ビーム欠陥検査装置、並びに荷電粒子ビーム制御方法 |
| US7446320B1 (en) * | 2005-08-17 | 2008-11-04 | Kla-Tencor Technologies Corproation | Electronically-variable immersion electrostatic lens |
| DE102010011898A1 (de) * | 2010-03-18 | 2011-09-22 | Carl Zeiss Nts Gmbh | Inspektionssystem |
| DE102010026169B4 (de) | 2010-07-06 | 2014-09-04 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Partikelstrahlsystem |
| US9673019B2 (en) | 2014-09-22 | 2017-06-06 | El-Mul Technologies Ltd. | Electron detection system |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| DE2223367C3 (de) * | 1972-05-12 | 1978-11-30 | Max-Planck-Gesellschaft Zur Foerderung Der Wissenschaften E.V., 3400 Goettingen | Mikrostrahlsonde zur quantitativen Erfassung von geladenen Sekundärteilchen |
| DE2950330C2 (de) * | 1979-12-14 | 1983-06-01 | Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln | Vorrichtung zur chemischen Analyse von Proben |
| DE3144604A1 (de) * | 1981-11-10 | 1983-05-19 | Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln | Vorrichtung zur untersuchung einer probe |
| JPS58197644A (ja) * | 1982-05-13 | 1983-11-17 | Akashi Seisakusho Co Ltd | 電子顕微鏡およびその類似装置 |
| DE3236273A1 (de) * | 1982-09-30 | 1984-04-05 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Spektrometerobjektiv mit parallelen objektiv- und spektrometerfeldern fuer die potentialmesstechnik |
| JPH0736321B2 (ja) * | 1985-06-14 | 1995-04-19 | イーツエーテー、インテグレイテツド、サーキツト、テスチング、ゲゼルシヤフト、フユア、ハルプライタープリユーフテヒニク、ミツト、ベシユレンクテル、ハフツング | 定量的電位測定用スペクトロメ−タ−対物レンズ装置 |
| DE3703028A1 (de) * | 1987-02-02 | 1988-09-01 | Siemens Ag | Rastermikroskop |
| DE3888712D1 (de) * | 1987-02-02 | 1994-05-05 | Integrated Circuit Testing | Detektorobjectiv für Rastermikroskope. |
| US4983830A (en) * | 1989-06-29 | 1991-01-08 | Seiko Instruments Inc. | Focused ion beam apparatus having charged particle energy filter |
| DE3938660A1 (de) * | 1989-11-21 | 1991-05-23 | Integrated Circuit Testing | Korpuskularstrahlgeraet |
-
1990
- 1990-01-10 DE DE4000579A patent/DE4000579A1/de not_active Withdrawn
- 1990-11-27 DE DE59008436T patent/DE59008436D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-11-27 EP EP90122686A patent/EP0440901B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1990-12-19 JP JP41224290A patent/JP3151670B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1990-12-20 US US07/631,472 patent/US5146089A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0440901B1 (de) | 1995-02-08 |
| JPH05121030A (ja) | 1993-05-18 |
| EP0440901A3 (en) | 1991-11-06 |
| US5146089A (en) | 1992-09-08 |
| DE4000579A1 (de) | 1991-07-11 |
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| EP0440901A2 (de) | 1991-08-14 |
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