JP3147116B2 - Soldering method for electronic parts and bond for temporary fixing of electronic parts - Google Patents
Soldering method for electronic parts and bond for temporary fixing of electronic partsInfo
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Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品の半田付
け方法及び電子部品の仮止め用ボンドに関するものであ
る。The present invention relates to soldering of electronic parts.
The present invention relates to a bonding method and a bond for temporarily fixing an electronic component .
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、基板に電子部品を面実装（特に両
面実装）する際、電子部品の仮止め用ボンドが用いられ
ている。この電子部品の仮止め用ボンドは、基板の回路
パターンにクリーム半田を塗布した後、基板に塗られ、
次に搭載される電子部品の下面と基板との間に介在し
て、クリーム半田の溶融固化が完了するまで、電子部品
を仮接着するために使用される。2. Description of the Related Art Conventionally, when electronic components are surface-mounted (particularly, both-side mounting) on a substrate, a bond for temporarily fixing the electronic components has been used. The temporary fixing bond of this electronic component is applied to the board after applying cream solder to the circuit pattern of the board,
Next, it is interposed between the lower surface of the electronic component to be mounted and the substrate, and is used for temporarily bonding the electronic component until the melting and solidification of the cream solder is completed.
【０００３】以下従来の電子部品の仮止め用ボンドを用
いた工程について、図７、図８を参照しながら説明す
る。図７（ａ）〜（ｅ）は従来の工程を電子部品の上方
からみた工程説明図、図８（ａ）〜（ｅ）は従来の工程
を電子部品の側方からみた工程説明図である。A process using a conventional temporary bonding bond for electronic components will be described below with reference to FIGS. 7 and 8. FIG. FIGS. 7A to 7E are process explanatory views of the conventional process as viewed from above the electronic component, and FIGS. 8A to 8E are process explanatory views of the conventional process as viewed from the side of the electronic component. .
【０００４】まず図７（ａ）、図８（ａ）に示すよう
に、電子部品の一例としての角チップ４をクリーム半田
３、従来の仮止め用ボンド５の上に搭載した状態から説
明する。なお、１は基板、２は基板１に形成された回路
パターンであり、回路パターン２の上にクリーム半田３
が塗布されている。以下クリーム半田３を用いて角チッ
プ４の固着を行う場合を述べるが、クリーム半田３でな
く半田レベラ工法や半田メッキ工法等による場合にも、
同様の問題点がある。First, as shown in FIGS. 7 (a) and 8 (a), a state in which a square chip 4 as an example of an electronic component is mounted on a cream solder 3 and a conventional temporary bonding bond 5 will be described. . 1 is a substrate, 2 is a circuit pattern formed on the substrate 1, and a cream solder 3 is provided on the circuit pattern 2.
Is applied. Hereinafter, the case where the square chip 4 is fixed by using the cream solder 3 will be described. However, even when the solder leveler method or the solder plating method is used instead of the cream solder 3,
There is a similar problem.
【０００５】さて、図７（ａ）、図８（ａ）に示すよう
に、一般に角チップ４はいわゆる理想位置にあるように
実装されず、傾きや位置ずれを生じていることが多い。
この傾きや位置ずれなどは、半田が溶融した際における
セルフアライメント（溶けた半田の表面張力によって位
置ずれを生じている電子部品が正規の位置に戻る現象）
によって矯正されるように予定されている。As shown in FIGS. 7 (a) and 8 (a), generally, the square chip 4 is not mounted so as to be at a so-called ideal position, and often has a tilt or a positional shift.
This inclination or misalignment is caused by self-alignment when the solder is melted (a phenomenon in which electronic components that are misaligned due to the surface tension of the melted solder return to their normal positions).
It is scheduled to be corrected by.
【０００６】また、従来の仮止め用ボンド５は、角チッ
プ４を早めに仮接着すべく、硬化開始温度が半田の融点
よりも低くなっており、半田が溶ける前に硬化する。The conventional temporary bonding bond 5 has a curing start temperature lower than the melting point of solder in order to temporarily bond the square chip 4 earlier, and is cured before the solder is melted.
【０００７】さて図７（ｂ）、図８（ｂ）に示すよう
に、基板１をリフロー装置などの加熱手段に入れ、半田
の融点よりも低い温度（約１５０℃）で加熱すると仮止
め用ボンド５が硬化する（図７（ｃ）、図８（ｃ））。
ここで、クリーム半田３は未だ融点に達していないの
で、セルフアライメントは発生しない。従って、角チッ
プ４は、硬化した仮止め用ボンド５により位置ずれなど
を生じたまま、位置を拘束されてしまう。As shown in FIGS. 7 (b) and 8 (b), the substrate 1 is put into a heating means such as a reflow device and is heated at a temperature lower than the melting point of solder (about 150 ° C.). The bond 5 is hardened (FIGS. 7C and 8C).
Here, the self-alignment does not occur because the cream solder 3 has not yet reached the melting point. Therefore, the position of the square tip 4 is restricted while the positional shift and the like are caused by the cured temporary fixing bond 5.
【０００８】そして、図７（ｄ）、図８（ｄ）に示すよ
うに、さらに加熱して、半田の融点（通常１８３℃）に
達すると、クリーム半田３は溶けた半田６となる。ここ
で、半田が溶けると若干体積が減少し、溶けた半田６は
その表面張力により回路パターン２付近（すなわち下
方）に丸く凝集する。この際、クリーム半田３の量がわ
ずかでも少ないと、角チップ４は仮止め用ボンド５によ
って、上下方向についての移動を規制されているので、
溶けた半田６が完全に角チップ４から離れてしまい（こ
の現象を半田オープンという）、角チップ４は接続不良
になる。Then, as shown in FIGS. 7 (d) and 8 (d), when the solder is further heated and reaches the melting point of the solder (usually 183 ° C.), the cream solder 3 becomes molten solder 6. Here, when the solder is melted, the volume is slightly reduced, and the melted solder 6 is roundly aggregated near (ie, below) the circuit pattern 2 due to its surface tension. At this time, if the amount of the cream solder 3 is slightly small, the movement of the square chip 4 in the vertical direction is regulated by the temporary fixing bond 5.
The melted solder 6 is completely separated from the square chip 4 (this phenomenon is called solder open), and the square chip 4 becomes poorly connected.
【０００９】[0009]
【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
の仮止め用ボンドは、セルフアライメントを阻害するば
かりでなく半田オープンを招きやすいという問題点があ
った。As described above, the conventional temporary bonding bond has a problem that not only hinders self-alignment but also tends to cause solder open.
【００１０】そこで本発明は、セルフアライメントを阻
害せず、確実な半田付けを実現できる電子部品の半田付
け方法及び電子部品の仮止め用ボンドを提供することを
目的とする。Accordingly, the present invention provides a method for soldering an electronic component which can realize reliable soldering without hindering self-alignment .
It is an object of the present invention to provide a bonding method and a bond for temporarily fixing an electronic component .
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】本発明は、基板の回路パ
ターン上に供給された半田上に電子部品を搭載し、加熱
によって硬化する仮止め用ボンドで基板上に保持した状
態で基板を加熱して半田付けを行う電子部品の半田付け
方法であって、前記基板を加熱することにより前記仮止
め用ボンドによる電子部品の保持力をセルフアライメン
トを阻害しない程度に低くする工程と、前記半田を融点
まで加熱して溶融させることにより、溶融した前記半田
によるセルフアライメントにより電子部品の位置ずれを
矯正する工程と、電子部品の位置ずれを矯正した後に前
記仮止め用ボンドを硬化する工程と、を含むことを特徴
とする電子部品の半田付け方法である。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a circuit
Electronic components are mounted on the solder supplied on the turn and heated
Held on the substrate with a temporary bonding bond that cures due to
Soldering of electronic components that heats the board in a state and solders it
A method, wherein the temporary fixing is performed by heating the substrate.
Self-alignment of the holding power of electronic components by
Lowering the solder so that it does not hinder
By heating until melting, the molten solder
Misalignment of electronic components by self-alignment
Before the correction process and after correcting the electronic component misalignment
Curing the temporary bonding bond.
Is a method for soldering electronic components .
【００１２】また本発明は、加熱によって硬化すること
により基板の回路パターン上の半田上に搭載された電子
部品を基板に仮止めする電子部品の仮止め用ボンドであ
って、前記基板を加熱することにより、半田が溶融する
前に前記仮止め用ボンドによる電子部品の保持力がセル
フアライメントを阻害しない程度に低くなり、溶融した
前記半田によるセルフアライメントによって電子部品の
位置ずれが矯正された後で硬化することを特徴とする電
子部品の仮止め用ボンドである。The present invention also relates to a method of curing by heating.
Electron mounted on the solder on the circuit pattern of the board
This is a temporary bonding bond for electronic components that temporarily fixes the components to the substrate.
By heating the substrate, the solder melts
Before, the holding force of the electronic component by the temporary fixing bond
Low enough to not hinder alignment
Self-alignment by soldering of electronic components
Characterized by curing after misregistration is corrected.
This is a temporary fixing bond for a child part .
【００１３】上記構成において、基板を加熱すると、仮
止め用ボンドの粘度が低い状態で半田が溶融して電子部
品のセルフアライメントが行われる。そしてセルフアラ
イメントにより電子部品の位置ずれの矯正が済んだあと
で仮止め用ボンドは硬化し、電子部品は基板に仮接着さ
れる。In the above structure, when the substrate is heated, the solder is melted in a state where the viscosity of the temporary fixing bond is low, and self-alignment of the electronic component is performed. Then, after correcting the displacement of the electronic component by self-alignment, the temporary fixing bond is cured, and the electronic component is temporarily bonded to the substrate.
【００１４】[0014]
【発明の実施の形態】次に図面を参照しながら、本発明
の実施の形態を説明する。ここで、従来の技術を示す図
７〜図８の構成要素と同様の構成要素については同一符
号を付すことにより、説明を省略する。Embodiments of the present invention will now be described with reference to the drawings. Here, the same reference numerals are given to the same components as those in FIGS. 7 and 8 showing the related art, and the description is omitted.
【００１５】まず、本明細書に言う広がり率を定義す
る。図１（ａ）〜（ｃ）は、広がり率の説明図である。
まず図１（ａ）に示すように、ガラスエポキシからなる
主剤１ａにレジスト膜１ｂが形成された基板１のレジス
ト膜１ｂ上に、約０．５ｍｇの仮止め用ボンド７を点状
に塗布し、約５分間放置した時の仮止め用ボンド７の広
がりＤ１（直径）を計測する。この時の温度は室温（２
５℃）である。次に仮止め用ボンド７が塗布された基板
１を加熱炉に入れ、図１（ｂ）に示すように条件温度
（１５０℃）で３０秒間加熱する。次に加熱された基板
１を加熱炉から取り出して、仮止め用ボンド７の広がり
Ｄ２（直径）を計測する。そして広がり率は、次の式で
求める。First, the spread rate referred to in this specification is defined. FIGS. 1A to 1C are explanatory diagrams of the spread ratio.
First, as shown in FIG. 1A, about 0.5 mg of a temporary fixing bond 7 is applied in a dot pattern on a resist film 1b of a substrate 1 in which a resist film 1b is formed on a main material 1a made of glass epoxy. The spread D1 (diameter) of the temporary fixing bond 7 when left for about 5 minutes is measured. The temperature at this time is room temperature (2
5 ° C). Next, the substrate 1 on which the temporary bond 7 is applied is placed in a heating furnace and heated at a condition temperature (150 ° C.) for 30 seconds as shown in FIG. Next, the heated substrate 1 is taken out of the heating furnace, and the spread D2 (diameter) of the temporary fixing bond 7 is measured. The spread rate is obtained by the following equation.
【００１６】 広がり率＝１００×（Ｄ2−Ｄ1）／Ｄ1（％） 次に本実施の形態の仮止め用ボンド７の組成を（表１）
を参照しながら説明する。本実施の形態の仮止め用ボン
ド７の配合例は、（表１）に示すとおりである。Spreading ratio = 100 × (D 2 −D 1 ) / D 1 (%) Next, the composition of the temporary fixing bond 7 of the present embodiment is shown in Table 1.
This will be described with reference to FIG. The compounding example of the temporary fixing bond 7 of the present embodiment is as shown in (Table 1).
【００１７】[0017]
【表１】 [Table 1]
【００１８】すなわち、主剤について、従来の仮止め用
ボンド５では、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂のみで
あったものを、本実施の形態の仮止め用ボンド７では、
第１例として、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂を８０
重量％、多官能型エポキシ樹脂を２０重量％としてい
る。又第２例として、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂
を７０重量％、多官能型エポキシ樹脂を３０重量％とし
ている。またフィラーについても、従来品では５０重量
％であったものを、第１例では２０重量％、第２例では
５重量％としている。That is, as for the base material, in the conventional temporary bonding bond 5, the bisphenol A type epoxy resin alone was used.
As a first example, a bisphenol A type epoxy resin is
% By weight, and 20% by weight of the polyfunctional epoxy resin. As a second example, bisphenol A type epoxy resin is 70% by weight and polyfunctional type epoxy resin is 30% by weight. Also, the filler is 50% by weight in the conventional product, 20% by weight in the first example, and 5% by weight in the second example.
【００１９】このように多官能型エポキシ樹脂を配合
し、かつフィラーの量を少なくすることにより、従来品
に比べて室温時では同等の粘度を保ち、１５０℃付近で
は低い粘度をもつようになり、広がりやすくなる。As described above, by blending the polyfunctional epoxy resin and reducing the amount of the filler, the same viscosity is maintained at room temperature as compared with the conventional product, and the viscosity becomes low at around 150 ° C. , Spread easily.
【００２０】硬化剤は、従来２−メチルイミダゾールを
５重量％入れていたが、本実施の形態の仮止め用ボンド
７では、２，４−ジアミノ−６−［２−ウンデシルイミ
ダゾール−（１）］−エチル−Ｓ−トリアジンを５重量
％入れている。これにより、仮止め用ボンド７の硬化条
件を従来品では１５０℃３０秒であったものを２００℃
３０秒以内とし、半田が加熱されて溶融した後で仮止め
用ボンド７が硬化するようにしている。これにより、溶
融した半田による電子部品のセルフアライメントを妨げ
ないといった効果がある。このほか、硬化剤として、イ
ソフタル酸ヒドラシド、２，４−ジアミノ−６−［２−
ウンデシルイミダゾリル−（１）］−エチル−Ｓ−トリ
アジン、ジシアンジアミド、２，４−ジアミノ−６−
［２−エチル−４−メチルイミダゾリル−（１）］−エ
チル−Ｓ−トリアジン、ジアミノマレオニトリルの一種
又は二種以上の組み合わせを用いても、同様の作用効果
が得られる。As the curing agent, 2-methylimidazole was conventionally added in an amount of 5% by weight. However, in the temporary bonding bond 7 of the present embodiment, 2,4-diamino-6- [2-undecylimidazole- (1 )]-Ethyl-S-triazine in an amount of 5% by weight. As a result, the curing condition of the temporary fixing bond 7 was changed from 150 ° C. for 30 seconds in the conventional product to 200 ° C.
The time is set to 30 seconds or less, so that the temporary fixing bond 7 is cured after the solder is heated and melted. Thus, there is an effect that the self-alignment of the electronic component due to the molten solder is not hindered. In addition, as a curing agent, isophthalic acid hydraside, 2,4-diamino-6- [2-
Undecyl imidazolyl- (1)]-ethyl-S-triazine, dicyandiamide, 2,4-diamino-6
Similar functions and effects can be obtained by using one or a combination of [2-ethyl-4-methylimidazolyl- (1)]-ethyl-S-triazine and diaminomaleonitrile.
【００２１】次に添加剤については、第１例、第２例と
もに水添ヒマシ油を１重量％加えている。これらの添加
剤は、主剤の室温時の粘度を高く保つが、１５０℃付近
ではその効果がなくなるため、高温（約１５０℃）で仮
止め用ボンドの粘度が下がってだれるようになる。つま
り前述した広がり率を大きくするといった効果がある。
また第１例や第２例では、従来品に比べてフィラーの量
が少ないので、仮止め用ボンドは一段とだれやすくなっ
ている。仮止め用ボンドがだれると電子部品の保持力も
弱くなるので、溶けた半田のセルフアライメント作用に
よって電子部品は容易にその位置を変えることができ
る。なお、水添ヒマシ油に代えて脂肪酸アマイドワック
ス、有機ベントナイト、ゼラチン、ベンズアルデヒド縮
合体、セルロースの少なくとも１種を配合してもよい。Next, as to the additives, hydrogenated castor oil was added in an amount of 1% by weight in both the first and second examples. These additives keep the viscosity of the base material at room temperature high, but its effect is lost around 150 ° C., so that the viscosity of the temporary fixing bond decreases at high temperature (about 150 ° C.). That is, there is an effect that the above-mentioned spread rate is increased.
In the first and second examples, since the amount of the filler is smaller than that of the conventional product, the temporary fixing bond is more easily dropped. Since the holding force of the electronic component is weakened when the bond for temporary fixing drops, the position of the electronic component can be easily changed by the self-alignment action of the melted solder. Note that at least one of fatty acid amide wax, organic bentonite, gelatin, benzaldehyde condensate, and cellulose may be blended in place of hydrogenated castor oil.
【００２２】次に図４を参照しながら、本実施の形態の
仮止め用ボンド７の広がり率について説明する。図４
は、半田付け工程における本発明の一実施の形態の仮止
め用ボンドの広がり率を示すグラフである。図４に示す
ように、この広がり率は、半田の融点より低い１３０℃
程度で急上昇し半田の融点付近で１００％以上となって
いる。すなわち、半田の融点の前後で電子部品の上下方
向及び水平面内の移動を許容することを示している。Next, the spread ratio of the temporary fixing bond 7 of the present embodiment will be described with reference to FIG. FIG.
FIG. 5 is a graph showing the spread rate of the temporary fixing bond in one embodiment of the present invention in the soldering step. As shown in FIG. 4, this spread rate is 130 ° C. lower than the melting point of the solder.
The temperature rises sharply to about 100% or more near the melting point of the solder. That is, it indicates that the electronic component is allowed to move in the vertical direction and in the horizontal plane before and after the melting point of the solder.
【００２３】また本発明者らは、本実施の形態の第１
例、第２例の仮止め用ボンドについて、電子部品保持限
界加速度を測定したので、これを図５（本発明の一実施
の形態における仮止め用ボンドの電子部品保持限界加速
度を示すグラフ）を参照しながら説明する。この電子部
品保持限界加速度の測定は、図６（本発明の一実施の形
態における電子部品保持限界加速度の説明図）に示す要
領で計測した。すなわち、角速度を自在に可変できる回
転テーブルを用意し、この回転テーブル上に本実施の形
態の仮止め用ボンドで仮接着した電子部品を載置し、温
度をパラメータとして電子部品が回転テーブルからはず
れるときの角速度を計測し、このときの半径方向の加速
度を求め、この加速度を電子部品保持限界加速度とした
ものである。The present inventors have also considered the first embodiment of the present invention.
The electronic component holding limit acceleration was measured for the temporary fixing bond of the example and the second example. FIG. 5 (a graph showing the electronic component holding limit acceleration of the temporary fixing bond in one embodiment of the present invention) is shown in FIG. It will be described with reference to FIG. The measurement of the electronic component holding limit acceleration was performed in the manner shown in FIG. 6 (an explanatory diagram of the electronic component holding limit acceleration in one embodiment of the present invention). That is, a rotary table capable of freely changing the angular velocity is prepared, and the electronic component temporarily bonded with the temporary fixing bond of the present embodiment is placed on the rotary table, and the electronic component comes off the rotary table using the temperature as a parameter. The angular velocity at that time is measured, and the acceleration in the radial direction at this time is obtained, and this acceleration is used as the electronic component holding limit acceleration.
【００２４】図５に示すように、第１例、第２例の電子
部品保持限界加速度は、ともに、半田の融点の前後約２
０℃で極端に低い値を示しており、この領域の温度で
は、仮止め用ボンドによって仮接着される電子部品が極
めて容易に移動できることがわかる。As shown in FIG. 5, the electronic component holding limit accelerations of the first example and the second example are both about 2 degrees before and after the melting point of the solder.
It shows an extremely low value at 0 ° C., and it can be seen that at a temperature in this region, the electronic component temporarily bonded by the temporary fixing bond can move extremely easily.
【００２５】次に図２、図３を参照しながら、本実施の
形態の仮止め用ボンドを用いた半田付け工程について説
明する。図２（ａ１）〜（ｅ１）は本発明の一実施の形
態における半田付け工程を電子部品の上方からみた工程
説明図、図２（ａ２）〜（ｅ２）は本発明の一実施の形
態における半田付け工程を電子部品の側方からみた工程
説明図、図３は本発明の一実施の形態の半田付け工程に
おける温度プロファイルを示すグラフである。図３の時
間軸（横軸）における（ａ）〜（ｅ）なる文字は図２の
図番に対応している。Next, with reference to FIGS. 2 and 3, a description will be given of a soldering process using the temporary fixing bond of the present embodiment. 2 (a1) to 2 (e1) are explanatory views of the soldering step in one embodiment of the present invention as viewed from above the electronic component, and FIGS. 2 (a2) to 2 (e2) are drawings in one embodiment of the present invention. FIG. 3 is an explanatory view of the soldering step viewed from the side of the electronic component, and FIG. 3 is a graph showing a temperature profile in the soldering step according to the embodiment of the present invention. The characters (a) to (e) on the time axis (horizontal axis) in FIG. 3 correspond to the figure numbers in FIG.
【００２６】まず図２（ａ１）、（ａ２）に示すように
クリーム半田３を基板１上の回路パターン上にスクリー
ン印刷して供給し、また仮止め用ボンド７を回路パター
ン２の間の基板１の上面に塗布する。そして電子部品４
を回路パターン２上のクリーム半田３の上に搭載する。
この状態で電子部品４の中央部は、仮止め用ボンド７に
よって基板１上に保持されている。First, as shown in FIGS. 2 (a 1) and (a 2), cream solder 3 is supplied by screen printing on a circuit pattern on the substrate 1, and a temporary fixing bond 7 is provided on the substrate between the circuit patterns 2. 1 is applied to the upper surface. And electronic components 4
Is mounted on the cream solder 3 on the circuit pattern 2.
In this state, the central part of the electronic component 4 is held on the substrate 1 by the temporary bonding bond 7.
【００２７】次に図３の（ａ）〜（ｅ）に示すように基
板１をリフロー装置に入れ、室温から約１５０℃まで急
速に加熱する。さらに図３の（ｃ）まで約１５０℃で３
０秒程度加熱すると、仮止め用ボンドはだれて基板上に
広がりはじめる（図２（ｃ１），（ｃ２）参照）。従っ
て、角チップ４はクリーム半田３の高さ次第で降下し始
め、常にクリーム半田３に載った状態にある。Next, as shown in FIGS. 3A to 3E, the substrate 1 is placed in a reflow apparatus and rapidly heated from room temperature to about 150.degree. 3 (c) at about 150 ° C.
When heating is performed for about 0 seconds, the temporary fixing bond begins to spread and spread on the substrate (see FIGS. 2 (c1) and 2 (c2)). Therefore, the corner chip 4 starts to descend depending on the height of the cream solder 3, and is always placed on the cream solder 3.
【００２８】さらに温度を上げていくと、図３の（ｄ）
で示すように、半田の融点でクリーム半田３は溶けた半
田６となる。そして溶融した半田６の状態で、角チップ
４に対してセルフアライメントが発生し、角チップ４の
位置ずれ矯正が行われる。ここで、本実施の形態の仮止
め用ボンド７は、図５に示されるようにクリーム半田３
が融点付近で溶融した状態で保持力が一旦極端に低下
し、だれて弱く角チップ４に接着しているので、セルフ
アライメントが阻害されることはない（図２（ｄ１）
（ｄ２））。また、仮止め用ボンド７はだれて、角チッ
プ４の下降を許すので、溶けた半田６に角チップ４の電
極が沈み込んで十分接触し、図２（ｄ２）に示すように
断面略三角形の半田フィレットが形成される。そして図
３の（ｅ）で示すように、半田の融点よりも高い温度で
更に加熱すると、仮止め用ボンド７は硬化して基板１に
角チップ４をしっかり仮接着する。ここで、図２（ｄ
１）に示す段階でセルフアライメントによる位置ずれ矯
正は済んでいるので、図２（ｅ１）、（ｅ２）に示す状
態で、角チップ４の位置ずれがない位置が確定される。As the temperature is further increased, FIG.
As shown by, the cream solder 3 becomes the molten solder 6 at the melting point of the solder. Then, in the state of the molten solder 6, self-alignment occurs with respect to the square chip 4, and the misalignment of the square chip 4 is corrected. Here, as shown in FIG. 5, the temporary fixing bond 7 of the present embodiment is
Is melted near the melting point, the holding force temporarily drops extremely, and the adhesive is weakly adhered to the square chip 4, so that the self-alignment is not hindered (FIG. 2 (d1)).
(D2)). Also, since the temporary bonding bond 7 drops and allows the lowering of the square chip 4, the electrode of the square chip 4 sinks into the molten solder 6 and makes sufficient contact, and as shown in FIG. A solder fillet is formed. Then, as shown in FIG. 3E, when the solder is further heated at a temperature higher than the melting point of the solder, the temporary fixing bond 7 is hardened and the square chip 4 is firmly temporarily bonded to the substrate 1. Here, FIG.
Since the misalignment correction by the self-alignment has been completed in the stage shown in 1), a position where there is no misalignment of the square chip 4 is determined in the state shown in FIGS. 2 (e1) and 2 (e2).
【００２９】次に基板１を冷却して溶けた半田６を固化
する。以上で半田付け工程が終了する。なお本実施の形
態では、クリーム半田を基板の回路パターンへ供給した
が、予め半田を回路パターン上にコーティングしたプリ
コート基板を使用してもよい。Next, the substrate 1 is cooled and the melted solder 6 is solidified. This completes the soldering process. In the present embodiment, cream solder is supplied to the circuit pattern of the substrate, but a pre-coated substrate in which solder is coated on the circuit pattern in advance may be used.
【００３０】本実施の形態の第１例、第２例の仮止め用
ボンドの全体的な成績評価は（表２）に示すとおりであ
る。ことに、本実施の形態の仮止め用ボンドでは半田オ
ープンが全く発生してない点に注目されたい。The overall performance evaluation of the temporary fixing bonds of the first and second examples of this embodiment is as shown in (Table 2). In particular, note that no solder open occurs in the temporary fixing bond of the present embodiment.
【００３１】[0031]
【表２】 [Table 2]
【００３２】[0032]
【発明の効果】本発明によれば、仮止め用ボンドの粘度
が低い状態で半田は溶融するので、電子部品のセルフア
ライメントを確実に行わせてその位置ずれを矯正し、そ
の後で仮止め用ボンドを硬化させて電子部品を基板に仮
接着して基板に半田付けすることができる。According to the present invention, since the solder is melted in a state where the viscosity of the temporary fixing bond is low, the self-alignment of the electronic component is surely performed to correct the positional deviation, and thereafter the temporary fixing bond is used. The electronic component can be temporarily bonded to the substrate by curing the bond and soldered to the substrate.
【図１】（ａ）〜（ｃ）本発明の一実施の形態における
広がり率の説明図FIGS. 1A to 1C are explanatory diagrams of a spread rate according to an embodiment of the present invention.
【図２】（ａ１）〜（ｅ１）本発明の一実施の形態にお
ける工程を電子部品の上方からみた工程説明図（ａ２）
〜（ｅ２）本発明の一実施の形態における工程を電子部
品の側方からみた工程説明図FIGS. 2 (a1) to 2 (e1) are explanatory views (a2) of the steps in one embodiment of the present invention, as viewed from above the electronic component.
(E2) Process explanatory view of the process according to the embodiment of the present invention as viewed from the side of the electronic component
【図３】本発明の一実施の形態の半田付け工程における
温度プロファイルを示すグラフFIG. 3 is a graph showing a temperature profile in a soldering process according to one embodiment of the present invention.
【図４】本発明の一実施の形態における仮止め用ボンド
の広がり率の温度変化を示すグラフFIG. 4 is a graph showing a temperature change of a spreading rate of a temporary fixing bond in one embodiment of the present invention.
【図５】本発明の一実施の形態における仮止め用ボンド
の電子部品保持限界加速度を示すグラフFIG. 5 is a graph showing the electronic component holding limit acceleration of the temporary fixing bond in one embodiment of the present invention.
【図６】本発明の一実施の形態における電子部品保持限
界加速度の説明図FIG. 6 is an explanatory diagram of an electronic component holding limit acceleration according to an embodiment of the present invention.
【図７】（ａ）〜（ｅ）従来の工程を電子部品の上方か
らみた工程説明図FIGS. 7A to 7E are explanatory views of a conventional process viewed from above an electronic component.
【図８】（ａ）〜（ｅ）従来の工程を電子部品の側方か
らみた工程説明図8 (a) to 8 (e) are explanatory views of a conventional process viewed from the side of an electronic component.
１ 基板 ２ 回路パターン ３ クリーム半田 ４ 角チップ ７ 仮止め用ボンド DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Circuit pattern 3 Cream solder 4 Square chip 7 Temporary bond
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H05K 3/34 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) H05K 3/34
Claims (4)
に電子部品を搭載し、加熱によって硬化する仮止め用ボ
ンドで基板上に保持した状態で基板を加熱して半田付け
を行う電子部品の半田付け方法であって、 前記基板を加熱することにより前記仮止め用ボンドによ
る電子部品の保持力をセルフアライメントを阻害しない
程度に低くする工程と、 前記半田を融点まで加熱して溶融させることにより、溶
融した前記半田によるセルフアライメントにより電子部
品の位置ずれを矯正する工程と、 電子部品の位置ずれを矯正した後に前記仮止め用ボンド
を硬化する工程と、 を含むことを特徴とする電子部品の半田付け方法。 1. On a solder supplied on a circuit pattern of a substrate
The electronic parts are mounted on the
Heat the board while holding it on the board with solder
A method of soldering an electronic component, the method comprising:
Does not hinder self-alignment of holding electronic components
And melting the solder by heating it to its melting point.
Electronic part by self-alignment with the melted solder
Correcting the misalignment of the component, and correcting the misalignment of the electronic component, and then temporarily fixing the bond.
Curing the electronic component.
に電子部品を搭載し、加熱によって硬化する仮止め用ボ
ンドで基板上に保持した状態で基板を加熱して半田付け
を行う電子部品の半田付け方法であって、 前記基板を加熱することにより前記仮止め用ボンドの粘
度をセルフアライメントを阻害しない程度に低くする工
程と、 前記半田を融点まで加熱して溶融させることにより、溶
融した前記半田によるセルフアライメントにより電子部
品の位置ずれを矯正する工程と、 電子部品の位置ずれを矯正した後に前記仮止め用ボンド
を硬化する工程と、 を含むことを特徴とする電子部品の半田付け方法。 2. On a solder supplied on a circuit pattern of a substrate.
The electronic parts are mounted on the
Heat the board while holding it on the board with solder
A method of soldering an electronic component, the method comprising:
To reduce the degree to a level that does not hinder self-alignment.
And melting the solder by heating it to its melting point.
Electronic part by self-alignment with the melted solder
Correcting the misalignment of the component, and correcting the misalignment of the electronic component, and then temporarily fixing the bond.
Curing the electronic component.
路パターン上の半田上に搭載された電子部品を基板に仮Electronic components mounted on the solder on the circuit pattern
止めする電子部品の仮止め用ボンドであって、It is a bond for temporarily fixing electronic components to be stopped, 前記基板を加熱することにより、半田が溶融する前に前By heating the substrate, before the solder melts,
記仮止め用ボンドによる電子部品の保持力がセルフアラSelf-alignment of the holding power of electronic components by the temporary bond
イメントを阻害しない程度に低くなり、溶融した前記半And the melted half
田によるセルフアライメントによって電子部品の位置ずPosition of electronic components due to self-alignment by rice fields
れが矯正された後で硬化することを特徴とする電子部品Electronic component characterized by being cured after being corrected
の仮止め用ボンド。Temporary bond.
路パターン上の半田上に搭載された電子部品を基板に仮Electronic components mounted on the solder on the circuit pattern
止めする電子部品の仮止め用ボンドであって、It is a bond for temporarily fixing electronic components to be stopped, 前記基板を加熱することにより、半田が溶融する前に前By heating the substrate, before the solder melts,
記仮止め用ボンドによる電子部品の粘度がセルフアライSelf-alignment of the viscosity of electronic components due to the temporary bond
メントを阻害しない程度に低くなり、溶融したLow enough not to impede the 前記半田The solder
によるセルフアライメントによって電子部品の位置ずれOf electronic components due to self-alignment
が矯正された後で硬化することを特徴とする電子部品のOf electronic components characterized by being cured after being corrected
仮止め用ボンド。Bond for temporary fixing.
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| JP20309899A JP3147116B2 (en) | 1999-07-16 | 1999-07-16 | Soldering method for electronic parts and bond for temporary fixing of electronic parts |
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| Publication Number | Publication Date |
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| JP2000082872A JP2000082872A (en) | 2000-03-21 |
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- 1999-07-16 JP JP20309899A patent/JP3147116B2/en not_active Expired - Lifetime
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