JP3147100B2 - Ｓａｒ測定センサ及びｓａｒ測定装置 - Google Patents
Ｓａｒ測定センサ及びｓａｒ測定装置Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ＳＡＲ測定セン
サ及びＳＡＲ測定装置に係り、詳しくは、無線通信機器
などから発生する電磁波に人体が曝された際の人体の吸
収電力量を測定するためのＳＡＲ測定センサ及びこのＳ
ＡＲ測定センサを用いたＳＡＲ測定装置に関する。
サ及びＳＡＲ測定装置に係り、詳しくは、無線通信機器
などから発生する電磁波に人体が曝された際の人体の吸
収電力量を測定するためのＳＡＲ測定センサ及びこのＳ
ＡＲ測定センサを用いたＳＡＲ測定装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、携帯電話機のような無線通信装置
などの急速な普及に伴い、機器から放射された電磁波が
人体に与える影響を懸念する声が高まってきている。こ
のため、郵政省は、電気通信技術審議会答申の諮問第３
８号「電波利用における人体の防護指針」で、ＳＡＲ
（比吸収率，Specific Absorption Rate）指針値を示し
ている。ＳＡＲとは、電磁波による人体への影響を評価
するための基礎的な指標であり、人体が電磁波に曝され
たときに人体の単位質量あたり吸収される電力量（単
位：Ｗ／ｋｇ）で表したものである。
などの急速な普及に伴い、機器から放射された電磁波が
人体に与える影響を懸念する声が高まってきている。こ
のため、郵政省は、電気通信技術審議会答申の諮問第３
８号「電波利用における人体の防護指針」で、ＳＡＲ
（比吸収率，Specific Absorption Rate）指針値を示し
ている。ＳＡＲとは、電磁波による人体への影響を評価
するための基礎的な指標であり、人体が電磁波に曝され
たときに人体の単位質量あたり吸収される電力量（単
位：Ｗ／ｋｇ）で表したものである。
【０００３】従来、ＳＡＲを測定するための技術として
は、例えば次の様な２つの測定方法がある。第１の測定
方法は、上記「電波利用における人体の防護指針」に記
載されているのであるが、生身の人体の代わりに、人体
と同じ誘電率及び透磁率を有するファントム（疑似生
体）モデルを用いる方法で、図８（ａ）の斜視図、及び
図８（ｂ）の上面図に示すように、例えば微小ダイポー
ルアンテナのような電界センサ５２をファントム５１
（厚さ：Ｄ，横幅：Ｗ，高さ：ｈ）の中に挿し入れて電
波照射時におけるファントム５１内部の電界Ｅ（Ｖ／ｃ
ｍ）を測定し、この電界Ｅを用いてＳＡＲを算出する。
ファントム５１の導電率をσ（Ｓ／ｍ）とし、質量密度
をρ（ｋｇ／ｍ３）とすると、ＳＡＲは、式（１）によ
って表すことができる。 ＳＡＲ＝σＥ２／ρ （Ｗ／ｋｇ） （１） 実際の評価手順は、測定対象であるファントム５１の導
電率σ及び質量密度ρを予め測定しておき、ファントム
５１内の所望の位置に電界プローブ５２を挿し込んでそ
の位置での電界強度を測定し、ＳＡＲを算出する。この
ような第１の方法では、電界測定の際、電界プローブ５
２を測定対象中に挿し込まなければならないので、生身
の人間を対象とした評価は不可能であり、疑似生体であ
るファントムモデルを対象とした評価のみに限定され
る。
は、例えば次の様な２つの測定方法がある。第１の測定
方法は、上記「電波利用における人体の防護指針」に記
載されているのであるが、生身の人体の代わりに、人体
と同じ誘電率及び透磁率を有するファントム（疑似生
体）モデルを用いる方法で、図８（ａ）の斜視図、及び
図８（ｂ）の上面図に示すように、例えば微小ダイポー
ルアンテナのような電界センサ５２をファントム５１
（厚さ：Ｄ，横幅：Ｗ，高さ：ｈ）の中に挿し入れて電
波照射時におけるファントム５１内部の電界Ｅ（Ｖ／ｃ
ｍ）を測定し、この電界Ｅを用いてＳＡＲを算出する。
ファントム５１の導電率をσ（Ｓ／ｍ）とし、質量密度
をρ（ｋｇ／ｍ３）とすると、ＳＡＲは、式（１）によ
って表すことができる。 ＳＡＲ＝σＥ２／ρ （Ｗ／ｋｇ） （１） 実際の評価手順は、測定対象であるファントム５１の導
電率σ及び質量密度ρを予め測定しておき、ファントム
５１内の所望の位置に電界プローブ５２を挿し込んでそ
の位置での電界強度を測定し、ＳＡＲを算出する。この
ような第１の方法では、電界測定の際、電界プローブ５
２を測定対象中に挿し込まなければならないので、生身
の人間を対象とした評価は不可能であり、疑似生体であ
るファントムモデルを対象とした評価のみに限定され
る。
【０００４】次に、第２の測定方法は、上記第１の方法
と異なり、プローブをファントム中に挿し入れないで測
定する方法（特願平０９−３１２２１２号参照）で、図
９（ａ）の斜視図、及び図９（ｂ）の上面図に示すよう
に、電界プローブ５２を予め埋め込んだプローブ挿入シ
ート５１ｂ（厚さ：ｔ，横幅：Ｗ，高さ：ｈ）を用い、
これをファントム５１ａ（厚さ：ｄ，横幅：Ｗ，高さ：
ｈ）の電波照射面側に重ねて置くことによって、ファン
トム５１ａ表面付近の電界によりＳＡＲを評価するもの
である。ＳＡＲは上記式（１）を用いて算出される。こ
の方法では、電界プローブ５２を埋め込んだプローブ挿
入シート５１ｂの厚さをｔとすると、ファントム５１ａ
の厚さｄは本来測定すべきファントムの厚さＤからプロ
ーブ挿入シート５１ｂの厚さｔを引いた寸法（ｄ＝Ｄ−
ｔ）となるように設定している。ファントム５１ａの電
波照射面側にプローブ挿入シート５１ｂを重ねて置くこ
とによって、本来測定すべきファントムの大きさ（Ｄ×
Ｗ×ｈ）になる。
と異なり、プローブをファントム中に挿し入れないで測
定する方法（特願平０９−３１２２１２号参照）で、図
９（ａ）の斜視図、及び図９（ｂ）の上面図に示すよう
に、電界プローブ５２を予め埋め込んだプローブ挿入シ
ート５１ｂ（厚さ：ｔ，横幅：Ｗ，高さ：ｈ）を用い、
これをファントム５１ａ（厚さ：ｄ，横幅：Ｗ，高さ：
ｈ）の電波照射面側に重ねて置くことによって、ファン
トム５１ａ表面付近の電界によりＳＡＲを評価するもの
である。ＳＡＲは上記式（１）を用いて算出される。こ
の方法では、電界プローブ５２を埋め込んだプローブ挿
入シート５１ｂの厚さをｔとすると、ファントム５１ａ
の厚さｄは本来測定すべきファントムの厚さＤからプロ
ーブ挿入シート５１ｂの厚さｔを引いた寸法（ｄ＝Ｄ−
ｔ）となるように設定している。ファントム５１ａの電
波照射面側にプローブ挿入シート５１ｂを重ねて置くこ
とによって、本来測定すべきファントムの大きさ（Ｄ×
Ｗ×ｈ）になる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記二
つのＳＡＲの評価方法とも、疑似生体であるファントム
を対象とした測定法であり、生身の人間を対象としたも
のではない。このファントムは、ゴム材やセラミックな
どで構成された固形型、もしくは、液体やジェル状物質
などで構成された液体型であり、筋肉や皮膚や内臓など
の複雑な人体内部の組織を精密に具現化しているもので
はない。これに対して、実際の人体組織は、水分含有率
などの違いに起因して、その誘電率は組織によって異な
る。例えば、皮膚や脂肪層、筋肉層などでは誘電率が異
なる層が隣接するため、これらの境界面で反射波が生じ
る。したがって、実際の人体と人体の組織構造を近似的
に模擬したファントムとでは、人体内部の電磁界強度分
布が異なってくる。このような理由により、疑似生体で
あるファントムを用いた従来の構成では、人体の各組織
で誘電率が異なることによる電磁界分布の変化などの影
響が含まれず、人体のＳＡＲを正確に評価できないとい
った課題が残る。
つのＳＡＲの評価方法とも、疑似生体であるファントム
を対象とした測定法であり、生身の人間を対象としたも
のではない。このファントムは、ゴム材やセラミックな
どで構成された固形型、もしくは、液体やジェル状物質
などで構成された液体型であり、筋肉や皮膚や内臓など
の複雑な人体内部の組織を精密に具現化しているもので
はない。これに対して、実際の人体組織は、水分含有率
などの違いに起因して、その誘電率は組織によって異な
る。例えば、皮膚や脂肪層、筋肉層などでは誘電率が異
なる層が隣接するため、これらの境界面で反射波が生じ
る。したがって、実際の人体と人体の組織構造を近似的
に模擬したファントムとでは、人体内部の電磁界強度分
布が異なってくる。このような理由により、疑似生体で
あるファントムを用いた従来の構成では、人体の各組織
で誘電率が異なることによる電磁界分布の変化などの影
響が含まれず、人体のＳＡＲを正確に評価できないとい
った課題が残る。
【０００６】また、第２の方法では、ファントム５１ａ
の電波照射面をＳＡＲ測定面としている。したがって、
より現実的な場合、すなわち、電波照射面とは反対側に
当たる人体背面の近くに金属板などの電波遮蔽体などが
ある場合に適用したとき、背面や側面では反射波などの
影響のために電界強度が強くなることがある。このよう
な、より現実的な場合に、正確なＳＡＲ評価を行うため
には電波照射面側だけではなく、その側面や背面におい
てもＳＡＲ評価を行う必要がある。このため、その都度
電界プローブを挿入したプローブ挿入シート５１ｂの位
置を変える必要が生じる。このため、作業が繁雑な上に
効率が悪くなる。さらに、第２の方法では、人体内部の
各組織で誘電率が異なることによる電磁界分布の変化な
どの影響を含んだ電界強度を測定することが難しいとい
う課題がある。
の電波照射面をＳＡＲ測定面としている。したがって、
より現実的な場合、すなわち、電波照射面とは反対側に
当たる人体背面の近くに金属板などの電波遮蔽体などが
ある場合に適用したとき、背面や側面では反射波などの
影響のために電界強度が強くなることがある。このよう
な、より現実的な場合に、正確なＳＡＲ評価を行うため
には電波照射面側だけではなく、その側面や背面におい
てもＳＡＲ評価を行う必要がある。このため、その都度
電界プローブを挿入したプローブ挿入シート５１ｂの位
置を変える必要が生じる。このため、作業が繁雑な上に
効率が悪くなる。さらに、第２の方法では、人体内部の
各組織で誘電率が異なることによる電磁界分布の変化な
どの影響を含んだ電界強度を測定することが難しいとい
う課題がある。
【０００７】この発明は、上述の事情に鑑みてなされた
もので、人体自体を対象とし、人体内部の各組織で誘電
率が異なることによる電磁界分布の変化などの影響を含
んだＳＡＲを評価することができ、かつ、電波照射面の
みならず測定対象の側面及び背面での人体の体表面にお
けるＳＡＲを一度に測定できるＳＡＲ測定用センサ及び
ＳＡＲ測定装置を提供することを目的としている。
もので、人体自体を対象とし、人体内部の各組織で誘電
率が異なることによる電磁界分布の変化などの影響を含
んだＳＡＲを評価することができ、かつ、電波照射面の
みならず測定対象の側面及び背面での人体の体表面にお
けるＳＡＲを一度に測定できるＳＡＲ測定用センサ及び
ＳＡＲ測定装置を提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１記載の発明は、ＳＡＲ測定センサに係り、
人体が電磁波に曝されたときに人体の単位質量あたり吸
収される電力量であるＳＡＲ（比吸収率）を測定するＳ
ＡＲ測定センサにおいて、前記人体組織の誘電率及び透
磁率と同じか、またはそれに近い誘電率及び透磁率を有
する材料で形成された平板状のセンサ基体と、互いに直
交する３方向の電界成分又は磁界成分を測定できる複数
の電磁界センサとを備え、かつ、前記センサ基体内部
に、前記複数の電磁界センサが、２次元的に分布する態
様で埋め込まれてなることを特徴としている。
に、請求項１記載の発明は、ＳＡＲ測定センサに係り、
人体が電磁波に曝されたときに人体の単位質量あたり吸
収される電力量であるＳＡＲ（比吸収率）を測定するＳ
ＡＲ測定センサにおいて、前記人体組織の誘電率及び透
磁率と同じか、またはそれに近い誘電率及び透磁率を有
する材料で形成された平板状のセンサ基体と、互いに直
交する３方向の電界成分又は磁界成分を測定できる複数
の電磁界センサとを備え、かつ、前記センサ基体内部
に、前記複数の電磁界センサが、２次元的に分布する態
様で埋め込まれてなることを特徴としている。
【０００９】請求項２記載の発明は、請求項１記載のＳ
ＡＲ測定センサに係り、前記電磁界センサが、ループ中
心を互いに共有し、かつ、それぞれのループ面が互いに
直交した３つのループプローブを有し、前記３方向の磁
界成分の測定が可能であることを特徴としている。
ＡＲ測定センサに係り、前記電磁界センサが、ループ中
心を互いに共有し、かつ、それぞれのループ面が互いに
直交した３つのループプローブを有し、前記３方向の磁
界成分の測定が可能であることを特徴としている。
【００１０】請求項３記載の発明は、請求項１記載のＳ
ＡＲ測定センサに係り、前記電磁界センサが、互いに直
交する３方向の磁界成分の測定が可能なように配置され
た３つの磁気抵抗効果素子を有することを特徴としてい
る。
ＡＲ測定センサに係り、前記電磁界センサが、互いに直
交する３方向の磁界成分の測定が可能なように配置され
た３つの磁気抵抗効果素子を有することを特徴としてい
る。
【００１１】請求項４記載の発明は、請求項１記載のＳ
ＡＲ測定センサに係り、前記電磁界センサが、長手方向
が互いに直交した３つの微少ダイポールプローブを有
し、前記３方向の電界成分の測定が可能であることを特
徴としている。
ＡＲ測定センサに係り、前記電磁界センサが、長手方向
が互いに直交した３つの微少ダイポールプローブを有
し、前記３方向の電界成分の測定が可能であることを特
徴としている。
【００１２】請求項５記載の発明は、請求項１乃至４の
何れか一に記載のＳＡＲ測定センサに係り、前記センサ
基体は、柔軟性を有し、かつ、人体の何れかの部分の体
表面に巻き付けることが可能な長さと幅を有し、前記セ
ンサ基体を前記人体に巻き付けたときに前記センサ基体
に埋め込まれた前記電磁界センサが前記人体の体表面に
２次元的に分布することを特徴としている。
何れか一に記載のＳＡＲ測定センサに係り、前記センサ
基体は、柔軟性を有し、かつ、人体の何れかの部分の体
表面に巻き付けることが可能な長さと幅を有し、前記セ
ンサ基体を前記人体に巻き付けたときに前記センサ基体
に埋め込まれた前記電磁界センサが前記人体の体表面に
２次元的に分布することを特徴としている。
【００１３】請求項６記載の発明は、ＳＡＲ測定装置に
係り、請求項１乃至５の何れか一に記載のＳＡＲ測定セ
ンサと、前記ＳＡＲ測定センサのセンサ基体内部に埋め
込まれた１つの前記電磁界センサを構成する前記３つの
異なるループプローブ、又は前記３つの異なる磁気抵抗
効果素子、又は前記３つの異なる微少ダイポールプロー
ブの出力信号を測定する出力信号測定手段と、前記出力
信号測定手段により測定された、１つの前記電磁界セン
サあたり前記３つの異なるループプローブ、前記３つの
異なる磁気抵抗効果素子又は前記３つの異なる微少ダイ
ポールプローブの出力信号を用いてＳＡＲを算出するＳ
ＡＲ算出手段とを備えてなることを特徴としている。
係り、請求項１乃至５の何れか一に記載のＳＡＲ測定セ
ンサと、前記ＳＡＲ測定センサのセンサ基体内部に埋め
込まれた１つの前記電磁界センサを構成する前記３つの
異なるループプローブ、又は前記３つの異なる磁気抵抗
効果素子、又は前記３つの異なる微少ダイポールプロー
ブの出力信号を測定する出力信号測定手段と、前記出力
信号測定手段により測定された、１つの前記電磁界セン
サあたり前記３つの異なるループプローブ、前記３つの
異なる磁気抵抗効果素子又は前記３つの異なる微少ダイ
ポールプローブの出力信号を用いてＳＡＲを算出するＳ
ＡＲ算出手段とを備えてなることを特徴としている。
【００１４】また、請求項７記載の発明は、請求項６記
載のＳＡＲ測定装置に係り、前記ＳＡＲ測定装置は、１
つの前記電磁界センサを構成する前記３つの異なるルー
ププローブ、又は前記３つの異なる磁気抵抗効果素子、
又は前記３つの異なる微少ダイポールプローブの出力信
号を択一的に選択し、前記出力信号測定手段に出力する
切替手段と、前記切替手段の選択動作を制御する制御手
段とを有することを特徴としている。
載のＳＡＲ測定装置に係り、前記ＳＡＲ測定装置は、１
つの前記電磁界センサを構成する前記３つの異なるルー
ププローブ、又は前記３つの異なる磁気抵抗効果素子、
又は前記３つの異なる微少ダイポールプローブの出力信
号を択一的に選択し、前記出力信号測定手段に出力する
切替手段と、前記切替手段の選択動作を制御する制御手
段とを有することを特徴としている。
【００１５】
【作用】この発明のＳＡＲ測定センサでは、各電磁界セ
ンサはあらゆる方向から電磁界センサに入射する電磁界
を検出することができるため、電磁界を放射するアンテ
ナ等に対して電磁界センサを特別な方向に向ける必要は
ない。例えば、柔軟性を有し、かつ、人体の何れかの部
分の体表面に巻き付けることが可能な長さと幅を有する
センサ基体を人体に巻き付けたときに電磁界センサが人
体の体表面に２次元的に分布するように、そのセンサ基
体に電磁界センサを埋め込むことにより、センサ基体を
人体に巻き付ける等人体への電磁界センサの簡単な設置
で人体内部の各組織で誘電率が異なることによる電磁界
分布の変化などの影響を含んだＳＡＲを一度に評価する
ことができる。また、この発明のＳＡＲ測定装置によれ
ば、電磁界の測定からＳＡＲの算出まで一連のＳＡＲ評
価を１つの装置で行うことができる。
ンサはあらゆる方向から電磁界センサに入射する電磁界
を検出することができるため、電磁界を放射するアンテ
ナ等に対して電磁界センサを特別な方向に向ける必要は
ない。例えば、柔軟性を有し、かつ、人体の何れかの部
分の体表面に巻き付けることが可能な長さと幅を有する
センサ基体を人体に巻き付けたときに電磁界センサが人
体の体表面に２次元的に分布するように、そのセンサ基
体に電磁界センサを埋め込むことにより、センサ基体を
人体に巻き付ける等人体への電磁界センサの簡単な設置
で人体内部の各組織で誘電率が異なることによる電磁界
分布の変化などの影響を含んだＳＡＲを一度に評価する
ことができる。また、この発明のＳＡＲ測定装置によれ
ば、電磁界の測定からＳＡＲの算出まで一連のＳＡＲ評
価を１つの装置で行うことができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、この発明
の実施の形態について説明する。 ◇第１の実施の形態 図１（ａ）は、この発明の第１の実施の形態であるＳＡ
Ｒ測定センサの構成を示す斜視図、また、同図（ｂ）
は、同ＳＡＲ測定センサの上面図である。このＳＡＲ測
定センサは、同図（ａ），（ｂ）に示すように、平板状
の複合材シート（センサ基体）３と、その中に縦横に等
間隔ｔ１を保って２次元的に分布するように埋め込まれ
ている複数個の磁界センサ２とからなっている。複合材
シート３は、比誘電率、導電率、及び比透磁率が測定対
象である人体組織と同じか、または、近い値を有する材
料で形成されている。ここでは、複合材シート３として
母材にゴムを使用し、その中にカーボンやグラファイト
などの導電性材料やチタン酸バリウムなどの強誘電体材
料の粉末を混合している。カーボン等の混合量を調整す
ることによって比誘電率、導電率、及び比透磁率が所望
の値になるように調整している。さらに、母材にゴムを
使用しているため、同図（ａ）に示すように、柔軟性に
富んでおり、このため、人体の腕や胴体などの曲面に密
着させて巻き付けることができる。
の実施の形態について説明する。 ◇第１の実施の形態 図１（ａ）は、この発明の第１の実施の形態であるＳＡ
Ｒ測定センサの構成を示す斜視図、また、同図（ｂ）
は、同ＳＡＲ測定センサの上面図である。このＳＡＲ測
定センサは、同図（ａ），（ｂ）に示すように、平板状
の複合材シート（センサ基体）３と、その中に縦横に等
間隔ｔ１を保って２次元的に分布するように埋め込まれ
ている複数個の磁界センサ２とからなっている。複合材
シート３は、比誘電率、導電率、及び比透磁率が測定対
象である人体組織と同じか、または、近い値を有する材
料で形成されている。ここでは、複合材シート３として
母材にゴムを使用し、その中にカーボンやグラファイト
などの導電性材料やチタン酸バリウムなどの強誘電体材
料の粉末を混合している。カーボン等の混合量を調整す
ることによって比誘電率、導電率、及び比透磁率が所望
の値になるように調整している。さらに、母材にゴムを
使用しているため、同図（ａ）に示すように、柔軟性に
富んでおり、このため、人体の腕や胴体などの曲面に密
着させて巻き付けることができる。
【００１７】図２は、複合材シート３の中に埋め込まれ
ている１つの磁界センサ２の構成を示す斜視図で、図２
に示すものは複合材シート３の中に埋め込まれている複
数個の磁界センサ２のうちのある１つを取り出したもの
である。磁界センサ２は、３つ（第１乃至第３）のルー
ププローブＲＰ１，ＲＰ２，ＲＰ３から構成され、それ
ぞれがループ中心を共有するとともに、それぞれのルー
プ面が互いに直交した構成を有する。第１乃至第３のル
ーププローブＲＰ１，ＲＰ２，ＲＰ３は、例えば、リー
ド線やセミリジッドケーブルなどを用いて加工している
ため、ループ直径を１ｍｍ又はそれ以下の所望の寸法
に、場合によっては、それ以上の所望の寸法にすること
ができる。
ている１つの磁界センサ２の構成を示す斜視図で、図２
に示すものは複合材シート３の中に埋め込まれている複
数個の磁界センサ２のうちのある１つを取り出したもの
である。磁界センサ２は、３つ（第１乃至第３）のルー
ププローブＲＰ１，ＲＰ２，ＲＰ３から構成され、それ
ぞれがループ中心を共有するとともに、それぞれのルー
プ面が互いに直交した構成を有する。第１乃至第３のル
ーププローブＲＰ１，ＲＰ２，ＲＰ３は、例えば、リー
ド線やセミリジッドケーブルなどを用いて加工している
ため、ループ直径を１ｍｍ又はそれ以下の所望の寸法
に、場合によっては、それ以上の所望の寸法にすること
ができる。
【００１８】上記磁界センサ２の３軸構成により、相互
に直交する３方向の磁界成分を測定可能である。例え
ば、図２のように任意の方向に磁界Ｈが印加された場
合、各ループプローブＲＰ１，ＲＰ２，ＲＰ３が検出す
る磁界はそれぞれ、以下の（２）式、（３）式、（４）
式となる。このとき、各ループプローブＲＰ１，ＲＰ
２，ＲＰ３のループに垂直な方向の軸をＩ，Ｊ，Ｋ軸と
し、磁界Ｈがこれらの軸の中心を通り、かつ、Ｉ−Ｊ平
面からの磁界Ｈの傾き角度をθとし、Ｉ−Ｊ平面内にお
けるＩ軸からの磁界Ｈの傾き角度をψとする。 ＲＰ１：Ｈ・ｃｏｓθ・ｃｏｓψ （２） ＲＰ２：Ｈ・ｃｏｓθ・ｓｉｎψ （３） ＲＰ３：Ｈ・ｓｉｎθ （４） これにより、各磁界成分の２乗和は、（５）式で表され
る。Ｈ２＝（Ｈ・ｃｏｓθ・ｃｏｓψ）２＋（Ｈ・ｃｏ
ｓθ・ｓｉｎψ）２＋ （Ｈ・ｓｉｎθ）２ （５） この２乗和の平方根が、アンテナから放射され、磁界セ
ンサの位置の周囲の状況に影響を受けてその磁界センサ
に到達した磁界となり、ＳＡＲの計算に用いられる。
に直交する３方向の磁界成分を測定可能である。例え
ば、図２のように任意の方向に磁界Ｈが印加された場
合、各ループプローブＲＰ１，ＲＰ２，ＲＰ３が検出す
る磁界はそれぞれ、以下の（２）式、（３）式、（４）
式となる。このとき、各ループプローブＲＰ１，ＲＰ
２，ＲＰ３のループに垂直な方向の軸をＩ，Ｊ，Ｋ軸と
し、磁界Ｈがこれらの軸の中心を通り、かつ、Ｉ−Ｊ平
面からの磁界Ｈの傾き角度をθとし、Ｉ−Ｊ平面内にお
けるＩ軸からの磁界Ｈの傾き角度をψとする。 ＲＰ１：Ｈ・ｃｏｓθ・ｃｏｓψ （２） ＲＰ２：Ｈ・ｃｏｓθ・ｓｉｎψ （３） ＲＰ３：Ｈ・ｓｉｎθ （４） これにより、各磁界成分の２乗和は、（５）式で表され
る。Ｈ２＝（Ｈ・ｃｏｓθ・ｃｏｓψ）２＋（Ｈ・ｃｏ
ｓθ・ｓｉｎψ）２＋ （Ｈ・ｓｉｎθ）２ （５） この２乗和の平方根が、アンテナから放射され、磁界セ
ンサの位置の周囲の状況に影響を受けてその磁界センサ
に到達した磁界となり、ＳＡＲの計算に用いられる。
【００１９】なお、アンテナが地面に対して垂直に立っ
ているとき、垂直方向をＺ軸とし、Ｚ軸に垂直な面内で
アンテナから人体の正面に向かう方向をＸ軸とし、Ｘ軸
に直交する方向をＹ軸とすると、Ｉ，Ｊ，Ｋ軸がＸ，
Ｙ，Ｚ軸に一致した場合に、ループプローブＲＰ１，Ｒ
Ｐ２，ＲＰ３はそれぞれＸ方向成分とＹ方向成分とＺ方
向成分の磁界を検出することになる。この条件は磁界セ
ンサ２が人体の真正面と真後ろの位置にあるときに成立
する。それ以外の箇所ではＩ，Ｊ，Ｋ軸がＸ，Ｙ，Ｚ軸
に一致しないが、この場合でも特に、（２）乃至（５）
式をさらにＸ，Ｙ，Ｚ成分に変換する必要はなく、
（２）乃至（５）式を用いてそのままＳＡＲ評価を行う
ことができる。
ているとき、垂直方向をＺ軸とし、Ｚ軸に垂直な面内で
アンテナから人体の正面に向かう方向をＸ軸とし、Ｘ軸
に直交する方向をＹ軸とすると、Ｉ，Ｊ，Ｋ軸がＸ，
Ｙ，Ｚ軸に一致した場合に、ループプローブＲＰ１，Ｒ
Ｐ２，ＲＰ３はそれぞれＸ方向成分とＹ方向成分とＺ方
向成分の磁界を検出することになる。この条件は磁界セ
ンサ２が人体の真正面と真後ろの位置にあるときに成立
する。それ以外の箇所ではＩ，Ｊ，Ｋ軸がＸ，Ｙ，Ｚ軸
に一致しないが、この場合でも特に、（２）乃至（５）
式をさらにＸ，Ｙ，Ｚ成分に変換する必要はなく、
（２）乃至（５）式を用いてそのままＳＡＲ評価を行う
ことができる。
【００２０】すなわち、上記の（２）式乃至（４）式に
示すように、人体胴体に巻き付けたとき、磁界センサ２
の位置、すなわち、人体正面、側面及び背面等にしたが
って３つのループプローブＲＰ１，ＲＰ２，ＲＰ３のル
ープ面の向きが異なってくるため、一定強度の磁界を有
する電波を人体正面から照射した場合に、磁界センサ２
を構成する３つのループプローブＲＰ１，ＲＰ２，ＲＰ
３により検出される３方向成分の各磁界は磁界センサ２
の位置に対応して異なってくる。これに対して、３方向
の各磁界成分の２乗和の平方根である磁界は、（５）式
で示すように、位置によらず一定になる。すなわち、Ｓ
ＡＲの評価に３方向成分の各磁界の２乗和の平方根であ
る磁界が用いられる限り、磁界センサ２の位置の違いに
基づく変換や補正等を行う必要はない。
示すように、人体胴体に巻き付けたとき、磁界センサ２
の位置、すなわち、人体正面、側面及び背面等にしたが
って３つのループプローブＲＰ１，ＲＰ２，ＲＰ３のル
ープ面の向きが異なってくるため、一定強度の磁界を有
する電波を人体正面から照射した場合に、磁界センサ２
を構成する３つのループプローブＲＰ１，ＲＰ２，ＲＰ
３により検出される３方向成分の各磁界は磁界センサ２
の位置に対応して異なってくる。これに対して、３方向
の各磁界成分の２乗和の平方根である磁界は、（５）式
で示すように、位置によらず一定になる。すなわち、Ｓ
ＡＲの評価に３方向成分の各磁界の２乗和の平方根であ
る磁界が用いられる限り、磁界センサ２の位置の違いに
基づく変換や補正等を行う必要はない。
【００２１】また、上記の磁界センサはあらゆる方向か
ら磁界センサに入射する磁界を検出することができるた
め、磁界を放射するアンテナ等に対して磁界センサを特
別な方向に向ける必要はない。この場合、本発明のよう
に、柔軟性を有し、かつ、人体の何れかの部分の体表面
に巻き付けることが可能な長さと幅を有するセンサ基体
を人体に巻き付けたときに電磁界センサが人体の体表面
に２次元的に分布するようにそのセンサ基体に電磁界セ
ンサを埋め込むことにより、センサ基体を人体に巻き付
ける等人体への電磁界センサの簡単な設置で、人体内部
の各組織で誘電率が異なることによる電磁界分布の変化
などの影響を含んだＳＡＲを一度に評価することができ
る。
ら磁界センサに入射する磁界を検出することができるた
め、磁界を放射するアンテナ等に対して磁界センサを特
別な方向に向ける必要はない。この場合、本発明のよう
に、柔軟性を有し、かつ、人体の何れかの部分の体表面
に巻き付けることが可能な長さと幅を有するセンサ基体
を人体に巻き付けたときに電磁界センサが人体の体表面
に２次元的に分布するようにそのセンサ基体に電磁界セ
ンサを埋め込むことにより、センサ基体を人体に巻き付
ける等人体への電磁界センサの簡単な設置で、人体内部
の各組織で誘電率が異なることによる電磁界分布の変化
などの影響を含んだＳＡＲを一度に評価することができ
る。
【００２２】次に、図３及び図４を参照して、上記構成
のＳＡＲ測定センサ用いて、人体のＳＡＲを測定する方
法について説明する。図３及び図４は、ＳＡＲを評価す
るために、ＳＡＲ測定センサ１を人体の胴体に巻き付け
た状態を模式的に示す模式図であり、図３は、全体の構
成を模式的に示す斜視図、また、図４は、人体の体表面
の電波照射面及びその背面付近を模式的に示す拡大図で
ある。まず、図３に示すように、ＳＡＲ測定用センサ１
を人体に巻き付ける。これにより、センサ基体３に埋め
込まれた電磁界センサ２が人体胴体５の表面に２次元的
に分布することになる。ＳＡＲ測用センサ１は人体胴体
の電波照射面及びその側面と背面全てを覆えるような寸
法に設定している。ＳＡＲ測定用センサ１を胴体５に巻
き付ける際は、体表面とＳＡＲ測定用センサ１を構成し
ている複合材シート３の間に空隙ができないようにし
た。例えば、ジェル状のファントムを体表面に塗布し、
体表面と複合材シート３の間に空隙が生じないようにし
ても良い。
のＳＡＲ測定センサ用いて、人体のＳＡＲを測定する方
法について説明する。図３及び図４は、ＳＡＲを評価す
るために、ＳＡＲ測定センサ１を人体の胴体に巻き付け
た状態を模式的に示す模式図であり、図３は、全体の構
成を模式的に示す斜視図、また、図４は、人体の体表面
の電波照射面及びその背面付近を模式的に示す拡大図で
ある。まず、図３に示すように、ＳＡＲ測定用センサ１
を人体に巻き付ける。これにより、センサ基体３に埋め
込まれた電磁界センサ２が人体胴体５の表面に２次元的
に分布することになる。ＳＡＲ測用センサ１は人体胴体
の電波照射面及びその側面と背面全てを覆えるような寸
法に設定している。ＳＡＲ測定用センサ１を胴体５に巻
き付ける際は、体表面とＳＡＲ測定用センサ１を構成し
ている複合材シート３の間に空隙ができないようにし
た。例えば、ジェル状のファントムを体表面に塗布し、
体表面と複合材シート３の間に空隙が生じないようにし
ても良い。
【００２３】ここで用いた複合材シート３は、その誘電
率及び透磁率は人体組織と同じ値となるように設定して
おり、厚さの非常に薄いものを用いている。したがっ
て、図４の拡大図から分かるように、このような複合材
シート３を人体胴体５に巻き付けると等価的に人体の組
織中に磁界センサ２が埋め込まれている構成と同様な構
成と見なせるため、人体胴体５の表面付近に２次元的に
分布するように配置された磁界センサ２によって、人体
内部の組織及びその構造で誘電率が異なることによる影
響が含まれた磁界強度を測定することができる。この状
態で、電波照射時のＳＡＲを評価する。まず、予め複合
材シート３の特性インピーダンスＺ（Ω）及び複合材シ
ート３の導電率σ（Ｓ／ｍ）及び質量密度ρ（ｋｇ／ｍ
３）を測定しておく。続いて、例えば、人体の正面から
電波を照射すると、磁界センサ２を構成する３つのルー
ププローブＲＰ１，ＲＰ２，ＲＰ３がそれぞれ、（２）
乃至（４）式に示すような３方向の磁界成分を受信す
る。
率及び透磁率は人体組織と同じ値となるように設定して
おり、厚さの非常に薄いものを用いている。したがっ
て、図４の拡大図から分かるように、このような複合材
シート３を人体胴体５に巻き付けると等価的に人体の組
織中に磁界センサ２が埋め込まれている構成と同様な構
成と見なせるため、人体胴体５の表面付近に２次元的に
分布するように配置された磁界センサ２によって、人体
内部の組織及びその構造で誘電率が異なることによる影
響が含まれた磁界強度を測定することができる。この状
態で、電波照射時のＳＡＲを評価する。まず、予め複合
材シート３の特性インピーダンスＺ（Ω）及び複合材シ
ート３の導電率σ（Ｓ／ｍ）及び質量密度ρ（ｋｇ／ｍ
３）を測定しておく。続いて、例えば、人体の正面から
電波を照射すると、磁界センサ２を構成する３つのルー
ププローブＲＰ１，ＲＰ２，ＲＰ３がそれぞれ、（２）
乃至（４）式に示すような３方向の磁界成分を受信す
る。
【００２４】次いで、これらの３方向の磁界成分の２乗
和（（５）式）の平方根Ｈを算出する。この算出した磁
界強度Ｈ（Ａ／ｍ）と、予め測定しておいた複合材シー
ト３の特性インピーダンスＺ（Ω）及び複合材シート３
の導電率σ（Ｓ／ｍ）及び質量密度ρ（ｋｇ／ｍ３）用
いて以下の（６）式によりＳＡＲを求める。 ＳＡＲ＝σ（ＺＨ）２／ρ （６） これを各磁界センサの位置について求めることにより、
人体胴体５の周囲におけるＳＡＲの分布を評価すること
ができる。１つのループプローブを有する１つの磁界セ
ンサでの測定の場合に各位置についてＳＡＲを求めるた
め各測定位置に磁界センサを移動させ、かつ、磁界照射
面に垂直な方向に電波を放射するアンテナを置く必要が
あるのに対して、第１の実施の形態の場合、ＳＡＲ測定
センサ１に埋め込まれた磁界センサ２が人体胴体５の周
囲表面を一回りするように２次元的に分布しており、ま
た、ＳＡＲの評価に互いに直交する３方向の磁界成分を
測定し、ＳＡＲ評価のため各磁界の２乗和の平方根であ
る磁界を用いるため、磁界センサ２とアンテナとの位置
関係によって変換や補正等を行う必要はなく、アンテナ
と磁界センサ２との位置関係をそのまま保持した状態
で、各測定位置におけるＳＡＲを順次、又は同時に求め
ることができる。
和（（５）式）の平方根Ｈを算出する。この算出した磁
界強度Ｈ（Ａ／ｍ）と、予め測定しておいた複合材シー
ト３の特性インピーダンスＺ（Ω）及び複合材シート３
の導電率σ（Ｓ／ｍ）及び質量密度ρ（ｋｇ／ｍ３）用
いて以下の（６）式によりＳＡＲを求める。 ＳＡＲ＝σ（ＺＨ）２／ρ （６） これを各磁界センサの位置について求めることにより、
人体胴体５の周囲におけるＳＡＲの分布を評価すること
ができる。１つのループプローブを有する１つの磁界セ
ンサでの測定の場合に各位置についてＳＡＲを求めるた
め各測定位置に磁界センサを移動させ、かつ、磁界照射
面に垂直な方向に電波を放射するアンテナを置く必要が
あるのに対して、第１の実施の形態の場合、ＳＡＲ測定
センサ１に埋め込まれた磁界センサ２が人体胴体５の周
囲表面を一回りするように２次元的に分布しており、ま
た、ＳＡＲの評価に互いに直交する３方向の磁界成分を
測定し、ＳＡＲ評価のため各磁界の２乗和の平方根であ
る磁界を用いるため、磁界センサ２とアンテナとの位置
関係によって変換や補正等を行う必要はなく、アンテナ
と磁界センサ２との位置関係をそのまま保持した状態
で、各測定位置におけるＳＡＲを順次、又は同時に求め
ることができる。
【００２５】このように、上記構成のＳＡＲ測定センサ
によれば、人体自体を対象とし、かつ、人体内部の組織
及びその構造で誘電率が異なることによる影響が含まれ
た電磁界を用いてＳＡＲ評価を行うことができる。ま
た、電波照射面のみならず測定対象の側面及び背面での
人体の体表面におけるＳＡＲ評価が可能である。この場
合、磁界センサ２の位置が電波照射面以外の測定対象の
側面及び背面であっても、検出位置の違いに基づく検出
磁界の変換や補正を行う必要はない。したがって、現実
により近い条件で、かつ、簡単な方法でＳＡＲ評価を行
うことができる。
によれば、人体自体を対象とし、かつ、人体内部の組織
及びその構造で誘電率が異なることによる影響が含まれ
た電磁界を用いてＳＡＲ評価を行うことができる。ま
た、電波照射面のみならず測定対象の側面及び背面での
人体の体表面におけるＳＡＲ評価が可能である。この場
合、磁界センサ２の位置が電波照射面以外の測定対象の
側面及び背面であっても、検出位置の違いに基づく検出
磁界の変換や補正を行う必要はない。したがって、現実
により近い条件で、かつ、簡単な方法でＳＡＲ評価を行
うことができる。
【００２６】◇第２の実施の形態 次に、この発明の第２の実施の形態について説明する。
図５は、この発明の第２の実施の形態であるＳＡＲ測定
装置の電気的構成を示すブロック図である。このＳＡＲ
測定装置には、上述の第１の実施の形態で述べたＳＡＲ
測定センサ１、すなわち、３つのループプローブＲＰ
１，ＲＰ２，ＲＰ３からなる磁界センサ２が複合材シー
ト３の中に複数個埋め込まれてなるＳＡＲ測定センサ１
が用いられている。ＳＡＲ測定装置は、ＳＡＲ測定セン
サ１の各磁界センサ２を構成する３つのループプローブ
ＲＰ１，ＲＰ２，ＲＰ３とそれぞれ接続配線２４ａ，２
４ｂ，２４ｃにより接続され、この３つのループプロー
ブＲＰ１，ＲＰ２，ＲＰ３の出力を択一的に選択し、出
力する切替器２１と、この切替器２１によって選択され
たループプローブＲＰ１，ＲＰ２，ＲＰ３からの出力信
号を測定する出力信号測定部２２と、切替器２１の選択
動作を制御すると共に出力信号測定部２２の測定結果を
逐次読みとって記憶するメモリを有し、（５）式により
磁界強度Ｈを算出し、さらに、（６）式によりＳＡＲを
算出する演算制御部２３とを備えている。
図５は、この発明の第２の実施の形態であるＳＡＲ測定
装置の電気的構成を示すブロック図である。このＳＡＲ
測定装置には、上述の第１の実施の形態で述べたＳＡＲ
測定センサ１、すなわち、３つのループプローブＲＰ
１，ＲＰ２，ＲＰ３からなる磁界センサ２が複合材シー
ト３の中に複数個埋め込まれてなるＳＡＲ測定センサ１
が用いられている。ＳＡＲ測定装置は、ＳＡＲ測定セン
サ１の各磁界センサ２を構成する３つのループプローブ
ＲＰ１，ＲＰ２，ＲＰ３とそれぞれ接続配線２４ａ，２
４ｂ，２４ｃにより接続され、この３つのループプロー
ブＲＰ１，ＲＰ２，ＲＰ３の出力を択一的に選択し、出
力する切替器２１と、この切替器２１によって選択され
たループプローブＲＰ１，ＲＰ２，ＲＰ３からの出力信
号を測定する出力信号測定部２２と、切替器２１の選択
動作を制御すると共に出力信号測定部２２の測定結果を
逐次読みとって記憶するメモリを有し、（５）式により
磁界強度Ｈを算出し、さらに、（６）式によりＳＡＲを
算出する演算制御部２３とを備えている。
【００２７】次に、上記ＳＡＲ測定装置の動作を説明す
る。ＳＡＲ測定装置を動作状態に設定すると、切替器２
１には、演算制御部２３から制御信号が送信され、第１
の磁界センサ２を構成する３つのループプローブＲＰ
１，ＲＰ２，ＲＰ３のうちの第１のループプローブＲＰ
１の出力電圧が、出力信号測定部２２に入力されるよう
に、切替器２１内部のスイッチが切り替えられる。そし
て、磁界受信時には、選択された第１のループプローブ
ＲＰ１の出力電圧が出力信号測定部２２で測定され、こ
の測定結果は、演算制御部２３に入力される。演算制御
部２３には、予め評価しておいた第１のループプローブ
ＲＰ１の校正係数が格納されており、この校正係数デー
タに基づいて、磁界成分が算出され、図示せぬメモリに
格納される。ここで、校正係数とは、プローブでのロス
（電圧降下）等の影響を補正するための係数のことであ
る。
る。ＳＡＲ測定装置を動作状態に設定すると、切替器２
１には、演算制御部２３から制御信号が送信され、第１
の磁界センサ２を構成する３つのループプローブＲＰ
１，ＲＰ２，ＲＰ３のうちの第１のループプローブＲＰ
１の出力電圧が、出力信号測定部２２に入力されるよう
に、切替器２１内部のスイッチが切り替えられる。そし
て、磁界受信時には、選択された第１のループプローブ
ＲＰ１の出力電圧が出力信号測定部２２で測定され、こ
の測定結果は、演算制御部２３に入力される。演算制御
部２３には、予め評価しておいた第１のループプローブ
ＲＰ１の校正係数が格納されており、この校正係数デー
タに基づいて、磁界成分が算出され、図示せぬメモリに
格納される。ここで、校正係数とは、プローブでのロス
（電圧降下）等の影響を補正するための係数のことであ
る。
【００２８】演算制御部２３は、磁界データのメモリへ
の保存が完了すると、切替器２１に制御信号を送信する
ことにより、第１の磁界センサ２を構成している第２の
ループプローブＲＰ２を選択し、第１のループプローブ
ＲＰ１で行ったのと同様の手順によって、磁界成分が算
出され、メモリへの格納が行われる。そして、第１の磁
界センサ２を構成している第３のループプローブＲＰ３
についても同様な手順で磁界成分が算出され、メモリへ
の格納が行われる。磁界成分を算出した後、演算制御部
２３では、第１乃至第３のループプローブＲＰ１，ＲＰ
２，ＲＰ３が測定した３方向の磁界成分（（２）式乃至
（４）式）の２乗和の平方根が計算され、第１の磁界セ
ンサ２が受信した磁界強度Ｈが算出される。さらに、予
め演算制御部２３に格納されていた複合材シート３の特
性インピーダンスＺ、導電率σ、及び質量密度ρを用い
て、（５）式によってＳＡＲが算出され、ＳＡＲの値は
メモリに格納される。以下、同様にＳＡＲ測定センサを
構成している全ての磁界センサ２について磁界強度及び
ＳＡＲの測定データの格納が完了すると、測定動作が終
了する。
の保存が完了すると、切替器２１に制御信号を送信する
ことにより、第１の磁界センサ２を構成している第２の
ループプローブＲＰ２を選択し、第１のループプローブ
ＲＰ１で行ったのと同様の手順によって、磁界成分が算
出され、メモリへの格納が行われる。そして、第１の磁
界センサ２を構成している第３のループプローブＲＰ３
についても同様な手順で磁界成分が算出され、メモリへ
の格納が行われる。磁界成分を算出した後、演算制御部
２３では、第１乃至第３のループプローブＲＰ１，ＲＰ
２，ＲＰ３が測定した３方向の磁界成分（（２）式乃至
（４）式）の２乗和の平方根が計算され、第１の磁界セ
ンサ２が受信した磁界強度Ｈが算出される。さらに、予
め演算制御部２３に格納されていた複合材シート３の特
性インピーダンスＺ、導電率σ、及び質量密度ρを用い
て、（５）式によってＳＡＲが算出され、ＳＡＲの値は
メモリに格納される。以下、同様にＳＡＲ測定センサを
構成している全ての磁界センサ２について磁界強度及び
ＳＡＲの測定データの格納が完了すると、測定動作が終
了する。
【００２９】このように、この実施の形態のＳＡＲ測定
装置によれば、ＳＡＲ測定センサ１と、検出磁界を測定
する出力信号測定部２２と、磁界センサ２の検出磁界を
切り替えて出力信号測定部２２に出力する切替器２１
と、検出磁界に基づくＳＡＲ算出部を兼ね、かつ、切替
器２１の選択動作を制御する演算制御部２３とを備えて
いるので、磁界センサ２の配置に対応した磁界分布及び
ＳＡＲ分布を自動的に測定することができる。
装置によれば、ＳＡＲ測定センサ１と、検出磁界を測定
する出力信号測定部２２と、磁界センサ２の検出磁界を
切り替えて出力信号測定部２２に出力する切替器２１
と、検出磁界に基づくＳＡＲ算出部を兼ね、かつ、切替
器２１の選択動作を制御する演算制御部２３とを備えて
いるので、磁界センサ２の配置に対応した磁界分布及び
ＳＡＲ分布を自動的に測定することができる。
【００３０】◇ 第３の実施の形態 次に、この発明の第３の実施の形態について説明する。
図６は、この発明の第３の実施の形態であるＳＡＲ測定
センサに用いられる磁界センサ３４の構成を示す斜視図
である。この形態のＳＡＲ測定センサが、上述の第１の
実施の形態のＳＡＲ測定センサと大きく異なるところ
は、３軸構成を有するループプローブＲＰ１，ＲＰ２，
ＲＰ３（図２）の代わりに、図６に示すように、３軸構
成を有するＭＲ素子（磁気抵抗効果素子）３１ａ，３１
ｂ，３１ｃを用いて磁界センサ３４を構成するようにし
た点である。
図６は、この発明の第３の実施の形態であるＳＡＲ測定
センサに用いられる磁界センサ３４の構成を示す斜視図
である。この形態のＳＡＲ測定センサが、上述の第１の
実施の形態のＳＡＲ測定センサと大きく異なるところ
は、３軸構成を有するループプローブＲＰ１，ＲＰ２，
ＲＰ３（図２）の代わりに、図６に示すように、３軸構
成を有するＭＲ素子（磁気抵抗効果素子）３１ａ，３１
ｂ，３１ｃを用いて磁界センサ３４を構成するようにし
た点である。
【００３１】磁界センサ３４は、ＭＲ素子３１ａと３１
ｂが搭載された非磁性体からなる基板３２ａと、ＭＲ素
子３１ｃが搭載された非磁性体からなる基板３２ｂとが
直角に配置されている。ＭＲ素子３１ａ，３１ｂ，３１
ｃは、相互に直交するＩ，Ｊ，Ｋ軸に沿う磁界成分が測
定可能なように配置されている。各ＭＲ素子３１ａ，３
１ｂ，３１ｃは長手方向に強い異方性を持ち、長手方向
に垂直な方向の磁界成分を測定することができる。各Ｍ
Ｒ素子３１ａ，３１ｂ，３１ｃの両端には検出磁界によ
り変化する電気抵抗に対応する電圧信号を取り出すため
の電極３３ａ，３３ｂ，３３ｃが接続されている。ＭＲ
素子３１ａ，３１ｂ，３１ｃは、例えば針状のように細
くしたパーマロイなどで形成し、微少化を図ったものを
用いても良い。また、基板３２ａ，３２ｂは、電磁界の
分布を極力乱さないようにガラスなどの低誘電率材料で
構成し、幅１ｍｍ×長さ１ｍｍ×厚さ１ｍｍ程度の微少
なものを用いても良い。
ｂが搭載された非磁性体からなる基板３２ａと、ＭＲ素
子３１ｃが搭載された非磁性体からなる基板３２ｂとが
直角に配置されている。ＭＲ素子３１ａ，３１ｂ，３１
ｃは、相互に直交するＩ，Ｊ，Ｋ軸に沿う磁界成分が測
定可能なように配置されている。各ＭＲ素子３１ａ，３
１ｂ，３１ｃは長手方向に強い異方性を持ち、長手方向
に垂直な方向の磁界成分を測定することができる。各Ｍ
Ｒ素子３１ａ，３１ｂ，３１ｃの両端には検出磁界によ
り変化する電気抵抗に対応する電圧信号を取り出すため
の電極３３ａ，３３ｂ，３３ｃが接続されている。ＭＲ
素子３１ａ，３１ｂ，３１ｃは、例えば針状のように細
くしたパーマロイなどで形成し、微少化を図ったものを
用いても良い。また、基板３２ａ，３２ｂは、電磁界の
分布を極力乱さないようにガラスなどの低誘電率材料で
構成し、幅１ｍｍ×長さ１ｍｍ×厚さ１ｍｍ程度の微少
なものを用いても良い。
【００３２】また、ＭＲ素子３１ａ，３１ｂ，３１ｃと
して磁性体薄膜を用いたＡＭＲ（Anisotropic MagnetoR
esistive ）型ＭＲ素子や、スピンバルブ型ＭＲ素子を
はじめとするＧＭＲ（Giant MagnetoResistive）型ＭＲ
素子等を用いても良い。ＡＭＲ型ＭＲ素子はセンス電流
を流している磁性体薄膜中の磁化方向が信号磁界により
変化し、その磁化方向と電流の方向との角度の余弦の２
乗に比例して電気抵抗が変化することを利用したもので
ある。また、スピンバルブ型ＭＲ素子は、いわゆるフリ
ー磁性層と言われる磁性体薄膜の磁化方向が信号磁界に
より変化し、固定された基準の磁化方向とそのフリー磁
性層の磁化方向との角度の余弦に比例して電気抵抗が変
化することを利用したものである。
して磁性体薄膜を用いたＡＭＲ（Anisotropic MagnetoR
esistive ）型ＭＲ素子や、スピンバルブ型ＭＲ素子を
はじめとするＧＭＲ（Giant MagnetoResistive）型ＭＲ
素子等を用いても良い。ＡＭＲ型ＭＲ素子はセンス電流
を流している磁性体薄膜中の磁化方向が信号磁界により
変化し、その磁化方向と電流の方向との角度の余弦の２
乗に比例して電気抵抗が変化することを利用したもので
ある。また、スピンバルブ型ＭＲ素子は、いわゆるフリ
ー磁性層と言われる磁性体薄膜の磁化方向が信号磁界に
より変化し、固定された基準の磁化方向とそのフリー磁
性層の磁化方向との角度の余弦に比例して電気抵抗が変
化することを利用したものである。
【００３３】上記構成により、各ＭＲ素子３１ａ，３１
ｂ，３１ｃはそれぞれ各ＭＲ素子３１ａ，３１ｂ，３１
ｃの長手方向に対して垂直な方向の磁界成分を検出する
ことが可能となる。すなわち、ＭＲ素子３１ａは、Ｉ軸
方向の磁界成分を検出し、ＭＲ素子３１ｂは、Ｊ軸方向
の磁界成分を検出し、ＭＲ素子３１ｃは、Ｋ軸方向の磁
界成分を検出する。このような３軸構成をとるＭＲ素子
３１ａ，３１ｂ，３１ｃから構成される磁界センサ３４
は、第１の実施の形態のループプローブを用いた磁界セ
ンサ２の場合と同様、同じ平板状の複合材シート（セン
サ基体）３の中に縦横に同じ間隔ｔ１を保ち、２次元的
に全面にわたって分布するように埋め込まれている。
ｂ，３１ｃはそれぞれ各ＭＲ素子３１ａ，３１ｂ，３１
ｃの長手方向に対して垂直な方向の磁界成分を検出する
ことが可能となる。すなわち、ＭＲ素子３１ａは、Ｉ軸
方向の磁界成分を検出し、ＭＲ素子３１ｂは、Ｊ軸方向
の磁界成分を検出し、ＭＲ素子３１ｃは、Ｋ軸方向の磁
界成分を検出する。このような３軸構成をとるＭＲ素子
３１ａ，３１ｂ，３１ｃから構成される磁界センサ３４
は、第１の実施の形態のループプローブを用いた磁界セ
ンサ２の場合と同様、同じ平板状の複合材シート（セン
サ基体）３の中に縦横に同じ間隔ｔ１を保ち、２次元的
に全面にわたって分布するように埋め込まれている。
【００３４】したがって、複合材シート３を人体胴体５
に装着した場合は、図３と同様に、磁界センサ３４が人
体の体表面全体にわたって２次元的に分布し、等価的に
人体の組織中に磁界センサ３４が埋め込まれていると見
なせるため、これらの磁界センサ３４によって人体内部
の組織及びその構造で誘電率が異なることによる影響が
含まれた磁界強度を測定することができる。この場合、
Ｉ，Ｊ，Ｋ軸がＸ，Ｙ，Ｚ軸に一致した場合に、ＭＲ素
子３１ａ，３１ｂ，３１ｃはそれぞれＸ方向成分とＹ方
向成分とＺ方向成分の磁界を検出することになる。この
条件は磁界センサ３４が人体の真正面と真後ろの位置に
あるときに成立する。それ以外の箇所ではＩ，Ｊ，Ｋ軸
がＸ，Ｙ，Ｚ軸に一致しないが、この場合でも特にＩ，
Ｊ，Ｋ軸に沿う検出磁界成分をさらにＸ，Ｙ，Ｚ成分に
変換する必要はなく、その検出磁界成分をそのまま用い
てＳＡＲ評価を行うことができる。なお、ループプロー
ブで構成された磁界センサ２（図５）に代えて、ＭＲ素
子３１ａ，３１ｂ，３１ｃで構成された磁界センサ３４
を用いてＳＡＲ測定装置を形成しても良い。
に装着した場合は、図３と同様に、磁界センサ３４が人
体の体表面全体にわたって２次元的に分布し、等価的に
人体の組織中に磁界センサ３４が埋め込まれていると見
なせるため、これらの磁界センサ３４によって人体内部
の組織及びその構造で誘電率が異なることによる影響が
含まれた磁界強度を測定することができる。この場合、
Ｉ，Ｊ，Ｋ軸がＸ，Ｙ，Ｚ軸に一致した場合に、ＭＲ素
子３１ａ，３１ｂ，３１ｃはそれぞれＸ方向成分とＹ方
向成分とＺ方向成分の磁界を検出することになる。この
条件は磁界センサ３４が人体の真正面と真後ろの位置に
あるときに成立する。それ以外の箇所ではＩ，Ｊ，Ｋ軸
がＸ，Ｙ，Ｚ軸に一致しないが、この場合でも特にＩ，
Ｊ，Ｋ軸に沿う検出磁界成分をさらにＸ，Ｙ，Ｚ成分に
変換する必要はなく、その検出磁界成分をそのまま用い
てＳＡＲ評価を行うことができる。なお、ループプロー
ブで構成された磁界センサ２（図５）に代えて、ＭＲ素
子３１ａ，３１ｂ，３１ｃで構成された磁界センサ３４
を用いてＳＡＲ測定装置を形成しても良い。
【００３５】以上述べたように、この形態によっても、
人体自体を対象とし、かつ、人体内部の組織及びその構
造で誘電率が異なることによる影響が含まれた電磁界を
用いてＳＡＲ評価を行うことができる。また、電波照射
面のみならず測定対象の側面及び背面での人体の体表面
におけるＳＡＲ評価が可能である。この場合、磁界セン
サ３４の位置が電波照射面以外の測定対象の側面及び背
面であっても、検出位置の違いに基づく検出磁界の変換
や補正を行う必要はない。したがって、現実により近い
条件で、かつ、簡単な方法でＳＡＲ評価を行うことがで
きる。
人体自体を対象とし、かつ、人体内部の組織及びその構
造で誘電率が異なることによる影響が含まれた電磁界を
用いてＳＡＲ評価を行うことができる。また、電波照射
面のみならず測定対象の側面及び背面での人体の体表面
におけるＳＡＲ評価が可能である。この場合、磁界セン
サ３４の位置が電波照射面以外の測定対象の側面及び背
面であっても、検出位置の違いに基づく検出磁界の変換
や補正を行う必要はない。したがって、現実により近い
条件で、かつ、簡単な方法でＳＡＲ評価を行うことがで
きる。
【００３６】◇ 第４の実施の形態 次に、この発明の第４の実施の形態について説明する。
図７は、この発明の第４の実施の形態であるＳＡＲ測定
センサに用いられる電界センサ４４の構成を示す斜視図
である。この形態のＳＡＲ測定センサが、上述した第１
の実施の形態のＳＡＲ測定センサと大きく異なるところ
は、３軸構成を有するループプローブＲＰ１，ＲＰ２，
ＲＰ３（図２）の代わりに、図７に示すように、３軸構
成を有する微少ダイポールプローブＤＰ１，ＤＰ２，Ｄ
Ｐ３を用いて電界センサ４４を構成するようにした点で
ある。各微少ダイポールプローブＤＰ１，ＤＰ２，ＤＰ
３は、一対の棒状のエレメント４１が、互いに軸心を共
通にし、かつ、給電点４２である微細な隙間を挟んで、
全体として、直線形に配置されてなっている。これら微
少ダイポールプローブＤＰ１，ＤＰ２，ＤＰ３は、互い
に直交配置されて３軸構成とされ、以下の（７），
（８），（９）で示される３方向の電界成分を測定する
ようになっている。すなわち、各微少ダイポールプロー
ブＤＰ１，ＤＰ２，ＤＰ３の長手方向に平行な外部電界
成分に対して、２つのエレメント４１ａ，４１ｂ，４１
ｃ間、すなわち、給電点４２ａ，４２ｂ，４２ｃの隙間
に電界成分の強度に応じた電圧が発生するので、これを
測定する。以下に、この原理を用いた電界の測定方法を
詳細に説明する。
図７は、この発明の第４の実施の形態であるＳＡＲ測定
センサに用いられる電界センサ４４の構成を示す斜視図
である。この形態のＳＡＲ測定センサが、上述した第１
の実施の形態のＳＡＲ測定センサと大きく異なるところ
は、３軸構成を有するループプローブＲＰ１，ＲＰ２，
ＲＰ３（図２）の代わりに、図７に示すように、３軸構
成を有する微少ダイポールプローブＤＰ１，ＤＰ２，Ｄ
Ｐ３を用いて電界センサ４４を構成するようにした点で
ある。各微少ダイポールプローブＤＰ１，ＤＰ２，ＤＰ
３は、一対の棒状のエレメント４１が、互いに軸心を共
通にし、かつ、給電点４２である微細な隙間を挟んで、
全体として、直線形に配置されてなっている。これら微
少ダイポールプローブＤＰ１，ＤＰ２，ＤＰ３は、互い
に直交配置されて３軸構成とされ、以下の（７），
（８），（９）で示される３方向の電界成分を測定する
ようになっている。すなわち、各微少ダイポールプロー
ブＤＰ１，ＤＰ２，ＤＰ３の長手方向に平行な外部電界
成分に対して、２つのエレメント４１ａ，４１ｂ，４１
ｃ間、すなわち、給電点４２ａ，４２ｂ，４２ｃの隙間
に電界成分の強度に応じた電圧が発生するので、これを
測定する。以下に、この原理を用いた電界の測定方法を
詳細に説明する。
【００３７】第１の実施の形態の場合と同様に、各微少
ダイポールプローブＤＰ１，ＤＰ２，ＤＰ３に平行な方
向の軸をそれぞれＩ，Ｊ，Ｋ軸とする。そして、電界Ｅ
がこれらの軸の中心を通り、かつ、Ｉ−Ｊ平面からの電
界Ｅの傾き角度をθとし、Ｉ−Ｊ平面内におけるＩ軸か
らの電界Ｅの傾き角度をψとすると、各微少ダイポール
プローブＤＰ１，ＤＰ２，ＤＰ３により検出される電界
成分は、（７），（８）及び（９）式で表せる。 ＤＰ１：Ｅ・ｃｏｓθ・ｃｏｓψ （７） ＤＰ２：Ｅ・ｃｏｓθ・ｓｉｎψ （８） ＤＰ３：Ｅ・ｓｉｎθ （９） これにより、各電界成分の２乗和は、（１０）式で表さ
れる。 Ｅ２＝（Ｅ・ｃｏｓθ・ｃｏｓψ）２＋（Ｅ・ｃｏｓθ・ｓｉｎψ）２＋（Ｅ・
ｓｉｎθ）２ （１０） この２乗和の平方根の電界Ｅが、アンテナから放射さ
れ、かつ、電界センサ４４の周囲の電磁気的な環境に影
響を受けてその電界センサ４４に到達した電界となり、
ＳＡＲの計算に用いられる。
ダイポールプローブＤＰ１，ＤＰ２，ＤＰ３に平行な方
向の軸をそれぞれＩ，Ｊ，Ｋ軸とする。そして、電界Ｅ
がこれらの軸の中心を通り、かつ、Ｉ−Ｊ平面からの電
界Ｅの傾き角度をθとし、Ｉ−Ｊ平面内におけるＩ軸か
らの電界Ｅの傾き角度をψとすると、各微少ダイポール
プローブＤＰ１，ＤＰ２，ＤＰ３により検出される電界
成分は、（７），（８）及び（９）式で表せる。 ＤＰ１：Ｅ・ｃｏｓθ・ｃｏｓψ （７） ＤＰ２：Ｅ・ｃｏｓθ・ｓｉｎψ （８） ＤＰ３：Ｅ・ｓｉｎθ （９） これにより、各電界成分の２乗和は、（１０）式で表さ
れる。 Ｅ２＝（Ｅ・ｃｏｓθ・ｃｏｓψ）２＋（Ｅ・ｃｏｓθ・ｓｉｎψ）２＋（Ｅ・
ｓｉｎθ）２ （１０） この２乗和の平方根の電界Ｅが、アンテナから放射さ
れ、かつ、電界センサ４４の周囲の電磁気的な環境に影
響を受けてその電界センサ４４に到達した電界となり、
ＳＡＲの計算に用いられる。
【００３８】なお、第１の実施の形態の場合と同様に、
Ｉ，Ｊ，Ｋ軸がＸ，Ｙ，Ｚ軸に一致した場合に、微少ダ
イポールＤＰ１，ＤＰ２，ＤＰ３はそれぞれＸ方向成分
とＹ方向成分とＺ方向成分の電界を検出することにな
る。それ以外の箇所ではＩ，Ｊ，Ｋ軸がＸ，Ｙ，Ｚ軸に
一致しないが、この場合でも、特に、（７）乃至（１
０）式をさらにＸ，Ｙ，Ｚ成分に変換する必要はなく、
（７）乃至（１０）式を用いてそのままＳＡＲ評価を行
うことができる。さらに、この電界センサ４４を用いた
ＳＡＲ測定センサは、第１の実施の形態のループプロー
ブを用いた磁界センサ２の場合と同様、同じ複合材シー
ト３の中に２次元的に全面にわたって分布するように埋
め込むことができる。このようにすれば、上述した第１
の実施の形態の場合と同様に、複合材シート３を人体胴
体５に装着した場合は、電界センサ４４が人体胴体５の
周囲表面全体にわたって２次元的に分布し、人体内部の
組織及びその構造で誘電率が異なることによる影響が含
まれた電界強度を測定できる。
Ｉ，Ｊ，Ｋ軸がＸ，Ｙ，Ｚ軸に一致した場合に、微少ダ
イポールＤＰ１，ＤＰ２，ＤＰ３はそれぞれＸ方向成分
とＹ方向成分とＺ方向成分の電界を検出することにな
る。それ以外の箇所ではＩ，Ｊ，Ｋ軸がＸ，Ｙ，Ｚ軸に
一致しないが、この場合でも、特に、（７）乃至（１
０）式をさらにＸ，Ｙ，Ｚ成分に変換する必要はなく、
（７）乃至（１０）式を用いてそのままＳＡＲ評価を行
うことができる。さらに、この電界センサ４４を用いた
ＳＡＲ測定センサは、第１の実施の形態のループプロー
ブを用いた磁界センサ２の場合と同様、同じ複合材シー
ト３の中に２次元的に全面にわたって分布するように埋
め込むことができる。このようにすれば、上述した第１
の実施の形態の場合と同様に、複合材シート３を人体胴
体５に装着した場合は、電界センサ４４が人体胴体５の
周囲表面全体にわたって２次元的に分布し、人体内部の
組織及びその構造で誘電率が異なることによる影響が含
まれた電界強度を測定できる。
【００３９】この場合、電波照射時における複合材シー
ト内部の電界をＥ（Ｖ／ｃｍ）とし、導電率をσ（Ｓ／
ｍ）とし、質量密度をρ（ｋｇ／ｍ３）とすると、ＳＡ
Ｒを次の（１１）式によって算出する。 ＳＡＲ＝σＥ２／ρ （Ｗ／ｋｇ） （１１） 実際の評価では、測定対象である複合材シートの導電率
σ及び質量密度ρを予め測定しておき、電界センサ４４
の位置での電界強度を測定し、ＳＡＲを算出する。
ト内部の電界をＥ（Ｖ／ｃｍ）とし、導電率をσ（Ｓ／
ｍ）とし、質量密度をρ（ｋｇ／ｍ３）とすると、ＳＡ
Ｒを次の（１１）式によって算出する。 ＳＡＲ＝σＥ２／ρ （Ｗ／ｋｇ） （１１） 実際の評価では、測定対象である複合材シートの導電率
σ及び質量密度ρを予め測定しておき、電界センサ４４
の位置での電界強度を測定し、ＳＡＲを算出する。
【００４０】このように、この形態のＳＡＲ測定装置に
よっても、生身の人間を対象とした評価が可能となり、
電波照射面及びその側面と背面に至るまでの人体の体表
面におけるＳＡＲ分布を測定できる。また、筋肉や皮膚
や内臓に至るまでの複雑な人体内部の組織構造で誘電率
が異なることによる影響を含んだＳＡＲ評価を行うこと
ができる。
よっても、生身の人間を対象とした評価が可能となり、
電波照射面及びその側面と背面に至るまでの人体の体表
面におけるＳＡＲ分布を測定できる。また、筋肉や皮膚
や内臓に至るまでの複雑な人体内部の組織構造で誘電率
が異なることによる影響を含んだＳＡＲ評価を行うこと
ができる。
【００４１】以上、この発明の実施の形態を図面により
詳述してきたが、具体的な構成はこの実施の形態に限ら
れるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の
設計変更等があってもこの発明に含まれる。例えば、上
記実施の形態では、電磁界センサ２，３４，４４とし
て、３つの異なるループプローブＲＰ１，ＲＰ２，ＲＰ
３、又は３つの異なる磁気抵抗効果素子３１ａ，３１
ｂ，３１ｃ、又は３つの異なる微少ダイポールプローブ
ＤＰ１，ＤＰ２，ＤＰ３を用いた場合について述べた
が、これらに限らず、互いに直交する電界成分又は磁界
成分を測定できるものであれば良い。また、複合材シー
ト（センサ基体）３として母材にゴムを使用し、その中
にカーボンやグラファイトなどの導電性材料やチタン酸
バリウムなどの強誘電体材料の粉末を混合し、カーボン
等の混合量を調整することによって比誘電率、導電率、
及び比透磁率が所望の値になるように調整したものを用
いるようにしたが、これに限らず、要するに、柔軟性を
有し、所望の比誘電率、導電率、及び比透磁率を有し、
電磁界センサを埋め込むことができるものであれば良
い。また、第２の実施の形態のＳＡＲ測定装置の切替器
２１は、場合により、省略できる。
詳述してきたが、具体的な構成はこの実施の形態に限ら
れるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の
設計変更等があってもこの発明に含まれる。例えば、上
記実施の形態では、電磁界センサ２，３４，４４とし
て、３つの異なるループプローブＲＰ１，ＲＰ２，ＲＰ
３、又は３つの異なる磁気抵抗効果素子３１ａ，３１
ｂ，３１ｃ、又は３つの異なる微少ダイポールプローブ
ＤＰ１，ＤＰ２，ＤＰ３を用いた場合について述べた
が、これらに限らず、互いに直交する電界成分又は磁界
成分を測定できるものであれば良い。また、複合材シー
ト（センサ基体）３として母材にゴムを使用し、その中
にカーボンやグラファイトなどの導電性材料やチタン酸
バリウムなどの強誘電体材料の粉末を混合し、カーボン
等の混合量を調整することによって比誘電率、導電率、
及び比透磁率が所望の値になるように調整したものを用
いるようにしたが、これに限らず、要するに、柔軟性を
有し、所望の比誘電率、導電率、及び比透磁率を有し、
電磁界センサを埋め込むことができるものであれば良
い。また、第２の実施の形態のＳＡＲ測定装置の切替器
２１は、場合により、省略できる。
【００４２】
【発明の効果】以上説明したように、この発明のＳＡＲ
測定センサによれば、生身の人間を対象としたＳＡＲ評
価が可能となり、加えて、センサ基体を人体に巻き付け
る等、人体への電磁界センサの簡単な設置で、筋肉や皮
膚や内臓に至るまでの複雑な人体内部の組織構造で誘電
率が異なることによる影響を含んだＳＡＲ評価を行うこ
とができる。また、電波照射面及びその側面と背面に至
るまでの人体の体表面におけるＳＡＲ分布を測定でき
る。また、この発明のＳＡＲ測定装置は、ＳＡＲ測定セ
ンサと出力信号測定手段とＳＡＲ算出手段とを備えてい
るので、電磁界の測定からＳＡＲの算出まで一連のＳＡ
Ｒ評価を１つの装置で行うことができる。
測定センサによれば、生身の人間を対象としたＳＡＲ評
価が可能となり、加えて、センサ基体を人体に巻き付け
る等、人体への電磁界センサの簡単な設置で、筋肉や皮
膚や内臓に至るまでの複雑な人体内部の組織構造で誘電
率が異なることによる影響を含んだＳＡＲ評価を行うこ
とができる。また、電波照射面及びその側面と背面に至
るまでの人体の体表面におけるＳＡＲ分布を測定でき
る。また、この発明のＳＡＲ測定装置は、ＳＡＲ測定セ
ンサと出力信号測定手段とＳＡＲ算出手段とを備えてい
るので、電磁界の測定からＳＡＲの算出まで一連のＳＡ
Ｒ評価を１つの装置で行うことができる。
【図１】（ａ）は、この発明の第１の実施の形態である
ＳＡＲ測定センサの構成を示す斜視図、また、（ｂ）
は、同ＳＡＲ測定センサの上面図である。
ＳＡＲ測定センサの構成を示す斜視図、また、（ｂ）
は、同ＳＡＲ測定センサの上面図である。
【図２】同ＳＡＲ測定センサに用いられる磁界センサの
構成を示す斜視図である。
構成を示す斜視図である。
【図３】ＳＡＲを評価するために、同ＳＡＲ測定センサ
を人体の胴体に巻き付けた状態を模式的に示す斜視図で
ある。
を人体の胴体に巻き付けた状態を模式的に示す斜視図で
ある。
【図４】ＳＡＲを評価するために、同ＳＡＲ測定センサ
を人体の胴体に巻き付けたときの体表面の電波照射面及
びその背面付近を模式的に示す模式的拡大図である。
を人体の胴体に巻き付けたときの体表面の電波照射面及
びその背面付近を模式的に示す模式的拡大図である。
【図５】この発明の第２の実施の形態に係るＳＡＲ測定
装置の回路構成を示すブロック図である。
装置の回路構成を示すブロック図である。
【図６】この発明の第３の実施の形態であるＳＡＲ測定
センサに用いられる磁界センサの構成を示す斜視図であ
る。
センサに用いられる磁界センサの構成を示す斜視図であ
る。
【図７】この発明の第４の実施の形態であるＳＡＲ測定
センサに用いられる電界センサの構成を示す斜視図であ
る。
センサに用いられる電界センサの構成を示す斜視図であ
る。
【図８】従来例に係るＳＡＲ測定センサの構成を示す斜
視図である。
視図である。
【図９】他の従来例に係るＳＡＲ測定センサの構成を示
す斜視図である。
す斜視図である。
１ ＳＡＲ測定センサ ２，３４ 磁界センサ（電磁界センサ） ３ 複合材シート（センサ基体） ５ 人体胴体 ２１ 切替器（切替手段） ２２ 出力信号測定部 ２３ 演算制御部（ＳＡＲ算出手段及び制御手段） ３１ａ，３１ｂ，３１ｃ ＭＲ素子 ４４ 電界センサ（電磁界センサ） ＲＰ１，ＲＰ２，ＲＰ３ ループプローブ ＤＰ１，ＤＰ２，ＤＰ３ 微小ダイポールプローブ
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01N 22/00 - 22/04
Claims (7)
- 【請求項１】 人体が電磁波に曝されたときに人体の単
位質量あたり吸収される電力量であるＳＡＲ（比吸収
率）を測定するＳＡＲ測定センサであって、 前記人体組織の誘電率及び透磁率と同じか、または、そ
れに近い誘電率及び透磁率を有する材料で形成された平
板状のセンサ基体と、 互いに直交する３方向の電界成分又は磁界成分を測定で
きる複数の電磁界センサとを備え、かつ、 前記センサ基体内部に、前記複数の電磁界センサが、２
次元的に分布する態様で埋め込まれてなることを特徴と
するＳＡＲ測定センサ。 - 【請求項２】 前記電磁界センサは、ループ中心を互い
に共有し、かつ、それぞれのループ面が互いに直交した
３つのループプローブを有し、 前記３方向の磁界成分の測定が可能であることを特徴と
する請求項１記載のＳＡＲ測定センサ。 - 【請求項３】 前記電磁界センサは、互いに直交する３
方向の磁界成分の測定が可能なように配置された３つの
磁気抵抗効果素子を有することを特徴とする請求項１記
載のＳＡＲ測定センサ。 - 【請求項４】 前記電磁界センサは、長手方向が互いに
直交した３つの微少ダイポールプローブを有し、前記３
方向の電界成分の測定が可能であることを特徴とする請
求項１記載のＳＡＲ測定センサ。 - 【請求項５】 前記センサ基体は、柔軟性を有し、か
つ、人体の何れかの部分の体表面に巻き付けることが可
能な長さと幅を有し、前記センサ基体を前記人体に巻き
付けたときに前記センサ基体に埋め込まれた前記電磁界
センサが前記人体の体表面に２次元的に分布することを
特徴とする請求項１乃至４の何れか一に記載のＳＡＲ測
定センサ。 - 【請求項６】 請求項１乃至５の何れか一に記載のＳＡ
Ｒ測定センサと、 前記ＳＡＲ測定センサのセンサ基体内部に埋め込まれた
１つの前記電磁界センサを構成する前記３つの異なるル
ーププローブ、又は前記３つの異なる磁気抵抗効果素
子、又は前記３つの異なる微少ダイポールプローブの出
力信号を測定する出力信号測定手段と、 前記出力信号測定手段により測定された、１つの前記電
磁界センサあたり前記３つの異なるループプローブ、前
記３つの異なる磁気抵抗効果素子又は前記３つの異なる
微少ダイポールプローブの出力信号を用いてＳＡＲを算
出するＳＡＲ算出手段とを備えてなることを特徴とする
ＳＡＲ測定装置。 - 【請求項７】 前記ＳＡＲ測定装置は、１つの前記電磁
界センサを構成する前記３つの異なるループプローブ、
又は前記３つの異なる磁気抵抗効果素子、又は前記３つ
の異なる微少ダイポールプローブの出力信号を択一的に
選択し、前記出力信号測定手段に出力する切替手段と、 前記切替手段の選択動作を制御する制御手段とを有する
ことを特徴とする請求項６記載のＳＡＲ測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26527198A JP3147100B2 (ja) | 1998-09-18 | 1998-09-18 | Ｓａｒ測定センサ及びｓａｒ測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26527198A JP3147100B2 (ja) | 1998-09-18 | 1998-09-18 | Ｓａｒ測定センサ及びｓａｒ測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000097878A JP2000097878A (ja) | 2000-04-07 |
| JP3147100B2 true JP3147100B2 (ja) | 2001-03-19 |
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ID=17414915
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26527198A Expired - Fee Related JP3147100B2 (ja) | 1998-09-18 | 1998-09-18 | Ｓａｒ測定センサ及びｓａｒ測定装置 |
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| JP (1) | JP3147100B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| KR20030002957A (ko) * | 2001-07-03 | 2003-01-09 | 한국전자통신연구원 | 전자기장에 노출된 인체의 국부 ｓａｒ(전자파흡수율)평가 방법 |
| KR100600476B1 (ko) * | 2002-11-22 | 2006-07-13 | 충남대학교산학협력단 | 전자파흡수율 측정 시스템 및 그 방법 |
| ES2238130B1 (es) * | 2003-02-26 | 2006-11-01 | Jacinto Parga Fernandez | Dispositivo de medicion de las variables que definen las restricciones basicas de exposicion a los campos electromagneticos que abarcan la gama de frecuencias de 0 a 300 ghz. |
| CN100365420C (zh) * | 2003-02-26 | 2008-01-30 | 松下电器产业株式会社 | 无线电通信装置用比吸收率测定装置 |
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| FR2859064B1 (fr) * | 2003-08-18 | 2005-12-30 | Satimo Sa | Dispositif de controle du debit d'absorption specifique d'objets rayonnants fabriques en serie et notamment de telephones portables |
| CA2511134C (en) * | 2004-07-05 | 2011-04-19 | Ntt Docomo, Inc. | Measurement system of specific absorption rate |
| WO2006064783A1 (ja) * | 2004-12-17 | 2006-06-22 | Kabushiki Kaisha Fine Rubber Kenkyuusho | 比誘電率の制御方法、誘電体、携帯電話機及び人体ファントムモデル |
| US8715533B2 (en) | 2004-12-17 | 2014-05-06 | Asahi R&D Co., Ltd. | Dielectric raw material, antenna device, portable phone and electromagnetic wave shielding body |
| JP4683342B2 (ja) * | 2007-01-26 | 2011-05-18 | ジーコム株式会社 | 三次元電磁界測定装置 |
| EP1986453B1 (en) * | 2007-04-23 | 2009-07-08 | Research In Motion Limited | Method and system for conducting specific absorption rate testing of a mobile communication device |
| EP2343567A1 (en) | 2009-12-31 | 2011-07-13 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method for calculating local specific energy absorption rate (SAR) in nuclear magnetic resonance |
| CN102854400A (zh) * | 2011-06-29 | 2013-01-02 | 中兴通讯股份有限公司 | 一种获取电磁波比吸收率的方法及装置 |
-
1998
- 1998-09-18 JP JP26527198A patent/JP3147100B2/ja not_active Expired - Fee Related
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